DE112010003177B4

DE112010003177B4 - Gehäuse mit integrierter Schaltung mit Sicherheitsmerkmal und Verfahren zu dessen Herstellung

Info

Publication number: DE112010003177B4
Application number: DE112010003177.0T
Authority: DE
Inventors: Dhruv P. Bhate; Sergei L. Voronov
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2009-06-16
Filing date: 2010-04-01
Publication date: 2021-08-19
Anticipated expiration: 2030-04-02
Also published as: KR20120018804A; GB2483180B; WO2010147694A1; TWI425607B; SG175939A1; TW201110302A; DE112010003177T5; JP5350540B2; US20100314750A1; JP2012529771A; CN102804374B; GB201119495D0; KR101391639B1; GB2483180A; US8076776B2; CN102804374A

Abstract

Integrierte Schaltung, umfassend:ein Substrat;ein Lötstoppmaterial über dem Substrat, wobei das Lötstoppmaterial eine erste Oberflächenrauheit aufweist; undeine Markierung in dem Lötstoppmaterial, wobei die Markierung eine zweite Oberflächenrauheit aufweist, wobei die zweite Oberflächenrauheit höchstens zwanzigmal größer als die erste Oberflächenrauheit ist.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die offenbarten Ausführungsformen der Erfindung betreffen allgemein Gehäuse mit integrierten Schaltungen und insbesondere Sicherheitsmerkmale in solchen Gehäusen.
ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
Hersteller und Verkäufer von mikroelektronischen Geräten und Vorrichtungen, einschließlich integrierter Schaltungen (ICs) und IC-Gehäusen, möchten den unbefugten Verkauf solcher Vorrichtungen, den Verkauf von gefälschten Waren als Originalwaren und ähnliche illegale oder unbefugte Aktivitäten verhindern. Um solche Aktivitäten zu erschweren, sind mikroelektronische Vorrichtungen oft mit Markierungen oder anderen Sicherheitsmerkmalen versehen, die schwierig zu reproduzieren sind und als Beweis dafür dienen, dass es sich bei dem markierten Gegenstand um ein Original handelt. So können zum Beispiel Daten über die Herkunft, Daten über die Herstellungsgeschichte oder andere Informationen auf einem IC-Gehäuse oder Ähnlichem in einer geschützten Schriftart bereitgestellt werden. In ähnlicher Weise können IC-Gehäuse oder andere Waren unter Anwendung von Techniken wie Laserablation, Tintenstrahldruck u.a. markiert werden. Die Druckschrift DE 10 2008 042 777 A1 offenbart einen selektiven Lötstop.
Figurenliste
Die offenbarten Ausführungsformen sind besser zu verstehen nach dem Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen und Figuren, wobei:

1A, 1B und 1C eine Draufsicht, eine Querschnittsansicht bzw. eine Detailansicht eines Gehäuses mit integrierter Schaltung sind, das über bestehende Techniken markiert ist;
2A, 2B und 2C eine Draufsicht, eine Querschnittsansicht bzw. eine Detailansicht eines Gehäuses mit integrierter Schaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung sind;
3 eine Seitenansicht einer Vorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist, die für eine koaxiale Beleuchtung einer Markierung sorgen kann;
4A, 4B und 4C eine Draufsicht, eine Querschnittsansicht bzw. eine Detailansicht eines Gehäuses mit integrierter Schaltung gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind;
5 ein Ablaufdiagramm ist, welches ein Verfahren zur Bildung eines Sicherheitsmerkmals auf einem Gehäuse mit integrierter Schaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
In einer Ausführungsform der Erfindung umfasst ein Gehäuse mit integrierter Schaltung ein Gehäusesubstrat, ein elektrisch isolierendes Material in Nachbarschaft zu dem Gehäusesubstrat und eine Markierung auf dem elektrisch isolierenden Material. Die Markierung ist derart ausgestaltet, dass ein visueller Kontrast zwischen der Markierung und dem elektrisch isolierenden Material maximiert wird, wenn die Markierung und das elektrisch isolierende Material einer koaxialen Beleuchtung ausgesetzt sind. In einer Ausführungsform weist ein Lötstoppmaterial über dem Gehäusesubstrat eine erste Oberflächenrauheit auf, und eine Markierung auf dem Lötstoppmaterial weist eine zweite Oberflächenrauheit auf, die nicht mehr als ungefähr zwanzig Mal größer als die erste Oberflächenrauheit ist.
Ausführungsformen der Erfindung umfassen oder ermöglichen die Erzeugung einer Markierung, die nur unter speziellen Lichtbedingungen sichtbar ist, wodurch eine zusätzliche Sicherheitsebene hinzugefügt wird, die für vorhandene IC-Gehäuse-Sicherheitsmarkierungen nicht verfügbar ist. Zum Beispiel umfassen, wie unten weiter beschrieben, Ausführungsformen der Erfindung Markierungen, die unter Umgebungslichtbedingungen nicht sichtbar sind, aber unter „Hellfeld-“ oder koaxialer Beleuchtung sichtbar sind. Solche Markierungen können mit herkömmlichen Laser-Markierungswerkzeugen (z.B. Infrarotlasern oder grünen Lasern), die in der Verpackungsindustrie üblicherweise verwendet werden, oder mit alternativen Techniken, z.B. Tintenstrahldruck, nicht hergestellt werden. Dementsprechend können solche Markierungen für die Erkennung von Fälschungen und zur Abschreckung geeignet sein und können verwendet werden, um ein robustes Verfahren zur Erkennung von Piraterieprodukten bereitzustellen. (Es sollte angemerkt werden, dass die Begriffen „Infrarot“ oder „IR“ (Laserwellenlänge von mehr als 760 Nanometern (nm)), „grün“ (Laserwellenlänge von ungefähr 532 nm) und „ultraviolett“ oder „UV“ (Laserwellenlänge von weniger als 400 nm) und Ähnliches hierin so verwendet werden, dass damit Laser einer charakteristischen Wellenlänge gemeint sind, welche umgekehrt proportional zur Photonenenergie ist.)
Bei 1A, 1B und 1C handelt es sich um eine Draufsicht, eine Querschnittsansicht bzw. eine Detailansicht eines Gehäuses mit integrierter Schaltung 100, das gemäß den bestehenden Techniken markiert ist, und bei 2A, 2B und 2C handelt es sich um eine Draufsicht, eine Querschnittsansicht bzw. eine Detailansicht eines Gehäuses mit integrierter Schaltung 200 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. 1B ist eine Darstellung entlang einer Linie B-B in der 1A. In ähnlicher Weise ist 2B eine Darstellung entlang einer Linie B-B in der 2A. Ferner zeigt 1C in vergrößertem Maßstab einen Abschnitt 101, der in 1B dargestellt ist, während 2C in vergrößertem Maßstab einen Abschnitt 201 zeigt, der in 2B dargestellt ist.
Wie in 1A bis 1C dargestellt, umfasst das Gehäuse mit integrierter Schaltung 100 ein Gehäusesubstrat 110, ein elektrisch isolierendes Material 120 in Nachbarschaft zu dem Gehäusesubstrat 110 und eine Markierung 130 auf dem elektrisch isolierenden Material 120. (Der Inhalt der Markierung 130 ist, wie es für alle hierin beschriebenen Markierungen der Fall ist, aufgrund seiner Fähigkeit gewählt worden, zu Zwecken der Veranschaulichung bestimmte physikalische Eigenschaften der Markierung darzustellen, und er ähnelt nicht notwendigerweise dem Aussehen einer Markierung, die auf einem tatsächlichen Produkt erzeugt würde.) Ein Chip 140 sitzt auf oder befindet sich über dem elektrisch isolierenden Material 120.
In der dargestellten Ausführungsform wird die Markierung 130 mit einem Markierungswerkzeug mit grünem Laser erzeugt, so bezeichnet, weil er bei Wellenlängen nahe der Mitte des sichtbaren Spektrums arbeitet (also grünes Licht erzeugt). Grüne Laser und die anderen Laser und Markierungswerkzeuge, bei denen thermische Ablationstechniken angewendet werden, entfernen Material explosionsartig, wobei Markierungen erzeugt werden, die eine Oberflächenrauheit aufweisen, die gegenüber der ursprünglichen Oberflächenrauheit des Materials deutlich verändert ist. Diese Veränderung der Oberflächenrauheit ist ein Mechanismus, durch welchen ein Kontrast zwischen der Markierung und der umgebenden Fläche erzeugt wird, wobei der Kontrast entscheidend dafür ist, dass eine Markierung sichtbar ist. (Es sollte angemerkt werden, dass die Begriffe „sichtbar“, „visuell“ u.Ä. hierin so verwendet werden, dass sie „für das menschliche Auge erkennbar“ bedeuten.)
Wie dargestellt, ist die Markierung 130 aus dem elektrisch isolierenden Material 120 bis zu einer Tiefe 135 herausgemeißelt worden, welche typischerweise im Bereich von 4 µm bis 16 µm liegt. Markierungswerkzeuge mit grünem Laser und die anderen Markierungswerkzeuge sind nicht genau genug, um auf Gehäusen mit integrierten Schaltungen oder anderen Elektronikgehäusen eine Markierung einer geringeren oder besser kontrollierten Tiefe herauszumeißeln. Es sollte angemerkt werden, dass zukünftige Technologiegenerationen aufgrund von Limitierungen für die Abmessungen der Baueinheit wahrscheinlich elektrisch isolierende Schichten aufweisen werden, die weniger als 16 Mikrometer dick sind.
Eine Oberflächenrauheit der Markierung 130 ist ungefähr um das Hundertfache oder mehr größer als eine Oberflächenrauheit des elektrisch isolierenden Materials 120. (Es sollte an diesem Punkt angemerkt werden, dass alle hierin angegebenen Oberflächenrauheitswerte der R_a-Metrik entsprechen.) Ein typischer Wert für die Oberflächenrauheit eines elektrisch isolierenden Materials 120 könnte ungefähr 15 bis ungefähr 55 nm betragen, während eine typische Oberflächenrauheit für die Markierung 130 ungefähr 5 bis 8 Mikrometer (hierin im Folgenden „µm“) betragen könnte. Wie erwähnt, erzeugen Unterschiede der Oberflächenrauheiten in dieser Größenordnung durch die unterschiedliche Lichtstreuung einen Kontrast zu Hintergrundflächen, wodurch die Markierung 130 sichtbar wird.
In 2A bis 2C umfasst das Gehäuse mit integrierter Schaltung 200 ein Gehäusesubstrat 210, ein elektrisch isolierendes Material 220 in Nachbarschaft zu dem Gehäusesubstrat 210 und eine Markierung 230 auf dem elektrisch isolierenden Material 220. In einer Ausführungsform handelt es sich bei dem elektrisch isolierenden Material 220 um ein Lötstoppmaterial, einen Chipbefestigungsfilm oder Ähnliches. Ein Chip 240 sitzt auf oder befindet sich über dem elektrisch isolierenden Material 220.
Wie auf dem Fachgebiet bekannt, muss ein Lötstoppmaterial gut definierte thermische Eigenschaften aufweisen, auf geeignete Weise auf das Aufbringen von Lötmaterial reagieren, elektrisch isolierende Eigenschaften aufweisen und anderen Anforderungen genügen, die wie die erwähnten für dessen Einsatz als Teil eines Gehäuses mit integrierter Schaltung erforderlich sind. Weil jede vorgenommene Veränderung an dem Lötstoppmaterial (wie zum Beispiel das Einbringen eines farbverändernden Additivs oder Ähnliches) wahrscheinlich negative oder unbeabsichtigte Folgen für andere Teile des Gehäuses mit integrierter Schaltung hätte, erlauben die Regeln für das Schaltungs-Design solche Veränderungen nicht, und deswegen muss die Sichtbarkeit aller Markierungen auf dem Lötstoppmaterial durch andere Mittel erzeugt oder erreicht werden.
In der dargestellten Ausführungsform wird die Markierung 230 unter Verwendung eines UV-Lasers erzeugt. Mit UV-Lasern kann auf einer Vielfalt von Materialien, z.B. auf Lötstoppmaterial, Chipbefestigungsfilm und anderen Oberflächen auf Polymerbasis, eine nichtthermische oder „kalte“ Ablation durchgeführt werden. Es sollte angemerkt werden, dass die erwähnten Wellenlängen und Materialien hier zu Veranschaulichungszwecken angegeben sind; andere Wellenlängen und andere Materialien können ebenfalls genügen, um eine Markierung zu erzeugen, wie sie hierin beschrieben ist.
Eine der Definitionen der so genannten „kalten“ Ablation ist ein Materialbeseitigungsverfahren, welches einen geordneten Aufbruch von chemischen C-C- und C-H-Bindungen über den Mechanismus der „photochemischen Dissoziation“ beinhaltet, wobei die Ablationstiefe viel besser zu kontrollieren ist als bei der explosionsartigen oder verdampfenden Materialverdrängung, welche die thermische Ablation kennzeichnet, und über welches daher Markierungen erzeugt werden können, die sehr glatt sind, also Markierungen, die Oberflächenrauheiten nahe derjenigen des Materials aufweisen, in welchem sie hergestellt werden, und die nach der Ablation nicht die Eigenfarbe der frisch frei gelegten Materialfläche verändern. Deswegen sind solche Markierungen durch das Fehlen eines Kontrasts oder durch einen sehr geringen Kontrast zwischen der Markierung und der umgebenden Fläche gekennzeichnet und sind daher unter normalen Lichtbedingungen (hierin definiert als Lichtbedingungen, wobei das Licht, das auf ein Objekt trifft, dies aus mehreren verschiedenen Winkeln tut) unsichtbar oder schwierig zu sehen.
In der dargestellten Ausführungsform umfasst die Markierung 230 ein konkaves Merkmal im elektrisch isolierenden Material 220, welches bis zu einer Tiefe 235 aus dem elektrisch isolierenden Material ausgemeißelt worden ist, die typischerweise nicht mehr als 5 µm beträgt, einer Tiefe, die für die dünneren (unter 16 µm) elektrisch isolierenden Schichten zukünftiger Technologiegenerationen gut geeignet ist. Eine Tiefe von 5 µm reicht ferner aus, um sicherzustellen, dass die Markierung permanent ist, dass sie also Bedingungen nach dem Zusammenbau überstehen kann. Die Oberflächenrauheit der Markierung 230 ist nicht mehr als etwa zwanzigmal größer als die Oberflächenrauheit des elektrisch isolierenden Materials 220 und ist in einigen Ausführungsformen möglicherweise nicht mehr als vier- oder fünfmal größer als die Oberflächenrauheit des elektrisch isolierenden Materials 220. In mindestens einer Ausführungsform ist die Oberflächenrauheit des elektrisch isolierenden Materials 220 nicht größer als eine mittlere Wellenlänge des sichtbaren Lichts, welche hier auf 550 Nanometer gesetzt wird. Ein typischer Wert für die Oberflächenrauheit eines elektrisch isolierenden Materials 220 könnte ungefähr 15 nm bis ungefähr 55 nm betragen, während eine typische Oberflächenrauheit für die Markierung 230 ungefähr 60 nm bis ungefähr 1 µm betragen könnte. Wie erwähnt, erzeugen Unterschiede der Oberflächenrauheiten in dieser Größenordnung sehr wenig Kontrast, was bedeutet, dass die Markierung 230 unter normalen Lichtbedingungen unsichtbar oder nur sehr schwer zu sehen ist. Wenn die Markierung 230 zum Beispiel eine Oberflächenrauheit von weniger als ungefähr 300 nm aufweist und in einem typischen Lötstoppmaterial hergestellt ist, welches zum Beispiel eine Oberflächenrauheit von ungefähr 30 nm aufweist, ist zu erwarten, dass sie unter normalen Lichtbedingungen für das bloße Auge nahezu unsichtbar ist.
Wenn die Markierung 230 unter allen Lichtbedingungen unsichtbar oder schwer zu erkennen wäre, wäre sie als Sicherheitsmerkmal wahrscheinlich nur von begrenztem Nutzen. Es gibt jedoch Lichtbedingungen, unter denen die Markierung 230 einfach erkannt werden kann, wie unten gleich erklärt wird, wodurch ihr Nutzen als Sicherheitsmerkmal weiter gesteigert wird, da diese Eigenschaft als weitere Hürde für Fälschungen fungiert. Es ist eine Eigenschaft der Markierung 230, dass ein visueller Kontrast zwischen der Markierung und dem elektrisch isolierenden Material 220 maximiert wird, wenn die Markierung und das elektrisch isolierende Material koaxialer Beleuchtung ausgesetzt werden (siehe unten). Diese Eigenschaft kann zum Beispiel erreicht werden, indem Oberflächenrauheiten für die Markierung und das elektrisch isolierende Material erzeugt werden, die innerhalb der oben beschriebenen Verhältnisse oder Bereiche liegen. Man beachte, dass es in dieser Ausführungsform eine physikalische Eigenschaft der Markierung ist (ihre Oberflächenrauheit im Vergleich zu der ihres Hintergrundes), welche den visuellen Kontrast unter koaxialer Beleuchtung maximiert, obwohl es wahr sein kann, dass das beschriebene Ergebnis dieser physikalischen Eigenschaft nur durch eine Überwachungshandlung zu erkennen ist.
Koaxiale Beleuchtung, manchmal als Hellfeldbeleuchtung bezeichnet, ist eine Lichtbedingung, wobei ein Objekt genau aus der Richtung der Abbildungslinse beleuchtet wird (z.B. aus derselben Richtung, aus welcher das Objekt betrachtet wird). In der Praxis kann dies eine spezielle Betrachtungsvorrichtung erforderlich machen, wie unten in Verbindung mit 3 weiter beschrieben wird. Zum Beispiel kann die koaxiale Beleuchtung zur Erkennung glatter Merkmale auf ebenen oder nahezu ebenen Flächen von Nutzen sein, also genau der Art von Merkmalen, die auf elektrisch isolierendem Material wie Lötstoppmaterial durch einen UV-Laser erzeugt werden.
3 ist eine Seitenansicht einer Vorrichtung 300, die für eine koaxiale Beleuchtung der Markierung 230 sorgen kann. Es versteht sich, dass die Darstellung der 3 nur ein Beispiel für eine Vorrichtung oder Lichtanordnung von vielen ist, die für eine koaxiale Beleuchtung der Markierung 230 geeignet sein können.
Wie in 3 dargestellt, umfasst die Vorrichtung 300 ein Gehäuse 311, welches einen Spiegel 321 enthält, der in einem Winkel von ungefähr 45 Grad zu den Seitenwänden des Gehäuses 311 angeordnet ist. Der Spiegel 321 reflektiert nur einen Teil des Lichtes, das auf ihn einfällt, und lässt einen Teil des einfallenden Lichtes durch. Wenn man eine Lichtquelle 331 in das Gehäuse 311 und auf den Spiegel 321 scheinen lässt, richtet der Spiegel in einer Richtung, die durch einen Pfeil 341 angezeigt ist, einen Teil dieses Lichts auf die Markierung 230. Licht, welches von der Markierung 230 in eine Richtung gegen den Pfeil 341 reflektiert wird, kann dann durch Sehen in die Richtung des Pfeils 341 von einer Position über dem Gehäuse 311 betrachtet werden.
Es wurde oben erwähnt, dass die Eigenschaften, welche die Sichtbarkeit der Markierung 230 auf Bedingungen koaxialer Beleuchtung begrenzen, eine zusätzliche Sicherheitsebene der Markierung darstellen. In vielen Situationen ist diese zusätzliche Sicherheitsebene ein wünschenswertes Merkmal, aber in einigen Situationen, z.B. wo keine Vorrichtung für koaxiale Beleuchtung verfügbar ist, kann sie weniger willkommen sein. Daher kann in einigen Ausführungsformen der Erfindung mit einem UV-Laser wie oben beschrieben eine Markierung erzeugt werden, jedoch so modifiziert, dass künstlich für einen stärkeren Kontrast zu der Fläche gesorgt wird, in der die Markierung erzeugt wird, wobei der Kontrast ausreichend ist, um zu ermöglichen, dass die Markierung unter normalen Lichtbedingungen gesehen werden kann. Solche Modifikationen werden unter Bezugnahme auf 4A, 4B und 4C beschrieben, bei denen sich um eine Draufsicht, eine Querschnittsansicht bzw. eine Detailansicht eines Gehäuses mit integrierter Schaltung 400 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung handelt. 4B ist eine Darstellung entlang einer Linie B-B in der 4A. 4C zeigt in vergrößertem Maßstab einen Abschnitt 401, der in 4B dargestellt ist.
Wie in 4A bis 4C dargestellt, umfasst das Gehäuse mit integrierter Schaltung 400 ein Gehäusesubstrat 410, ein elektrisch isolierendes Material 420 in Nachbarschaft zu dem Gehäusesubstrat 410 und eine Markierung 430 auf dem elektrisch isolierenden Material 420. In einer Ausführungsform handelt es sich bei dem elektrisch isolierenden Material 420 um ein Lötstoppmaterial, einen Chipbefestigungsfilm oder Ähnliches. Ein Chip 440 sitzt auf oder befindet sich über dem elektrisch isolierenden Material 420.
In der dargestellten Ausführungsform wird die Markierung 430 unter Verwendung eines UV-Lasers erzeugt und umfasst ein konkaves Merkmal im elektrisch isolierenden Material 420, welches bis zu einer Tiefe 435 aus dem elektrisch isolierenden Material ausgemeißelt worden ist, die wie die Tiefe 235 (2B) typischerweise nicht mehr als 5 µm beträgt. Die Oberflächenrauheit der Markierung 430 ist nicht mehr als etwa zwanzigmal größer als die Oberflächenrauheit des elektrisch isolierenden Materials 420 und ist in einigen Ausführungsformen möglicherweise nicht mehr als vier- oder fünfmal größer als die Oberflächenrauheit des elektrisch isolierenden Materials 420. In mindestens einer Ausführungsform ist die Oberflächenrauheit des elektrisch isolierenden Materials 420 nicht größer als eine mittlere Wellenlänge des sichtbaren Lichts (welche hier auf 550 Nanometer gesetzt wird, wie oben bereits erwähnt). Typische Werte für die Oberflächenrauheiten des elektrisch isolierenden Materials 420 und der Markierung 430 können ähnliche Werte wie die oben für das elektrisch isolierende Material 220 und die Markierung 230 beschriebenen sein. Wie bereits erwähnt, erzeugen Unterschiede der Oberflächenrauheiten in dieser Größenordnung sehr wenig Kontrast, was bedeutet, dass die Markierung 430 wie die Markierung 230 unter normalen Lichtbedingungen unsichtbar oder nur sehr schwer zu sehen ist. Wie oben erwähnt, ist die Markierung 430 jedoch derart modifiziert worden, dass sie unter normalen Lichtbedingungen sichtbar ist, wie es nun speziell unter Bezugnahme auf 4C erläutert wird.
Der Abschnitt 401 des Gehäuses mit integrierter Schaltung 400 umfasst konkave Abschnitte 431, 432 und 433. (Zu Veranschaulichungszwecken sind drei konkave Abschnitte dargestellt. Verschiedene Ausführungsformen der Erfindung könnten alternativ mehr oder weniger konkave Abschnitte enthalten.) Nachbarschaftspaare dieser konkaven Abschnitte, also das Paar der konkaven Abschnitte 431 und 432 und das Paar der konkaven Abschnitte 432 und 433, sind um nicht mehr als ungefähr 5 µm voneinander getrennt. In einigen Ausführungsformen überlappen sich die Nachbarschaftspaare sogar. Mit anderen Worten, die Markierung 430 ist aus mehreren Merkmalen (d.h. den gerade beschriebenen konkaven Abschnitten) aufgebaut, welche die Eigenschaft aufweisen, dass benachbarte der mehreren Merkmale um nicht mehr als ungefähr 5 µm voneinander getrennt sind. Jeder der konkaven Abschnitte 431, 432 und 433 wird in der dargestellten Ausführungsform mit einem UV-Laser auf die Weise erzeugt, die oben im Zusammenhang mit 2A, 2B und 2C beschrieben ist, und ist daher jeweils selbst eine Markierung für sich, welche die Eigenschaften der Markierung 230 aufweist. Unter Anderem bedeutet dies, dass die einzelnen konkaven Abschnitte allein unter normalen Lichtbedingungen nicht gesehen werden können. Durch die Anordnung mehrerer konkaver Abschnitte in enger Nachbarschaft zueinander in der beschriebenen Weise wird jedoch künstlich ein Kontrast zu dem elektrisch isolierenden Material 420 erzeugt, der ausreicht, um zu ermöglichen, dass die Markierung 430 unter normalen Lichtbedingungen sichtbar ist.
5 ist ein Ablaufdiagramm, welches ein Verfahren 500 zur Bildung eines Sicherheitsmerkmals auf einem Gehäuse mit integrierter Schaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung veranschaulicht. Als ein Beispiel kann das Verfahren 500 zur Bildung einer Markierung führen, die der Markierung 230 ähnlich ist, die in 2A bis 2C dargestellt ist. Als ein anderes Beispiel kann das Verfahren 500 zur Bildung einer Markierung führen, die der Markierung 430 ähnlich ist, die in 4A bis 4C dargestellt ist.
Ein Schritt 510 des Verfahrens 500 ist es, eine Markierungsfläche des Gehäuses mit integrierter Schaltung zu identifizieren. Als ein Beispiel kann das Gehäuse mit integrierter Schaltung dem Gehäuse mit integrierter Schaltung 200 oder dem Gehäuse mit integrierter Schaltung 400 ähneln, die in 2A bis 2C bzw. 4A bis 4C dargestellt sind. Als ein anderes Beispiel kann es sich bei der Markierungsfläche um einen Abschnitt eines elektrisch isolierenden Materials handeln, welches einen Teil des Gehäuses mit integrierter Schaltung bildet, wie z.B. die Abschnitte, die in 2A bis 2C bzw. 4A bis 4C dargestellt sind. Dementsprechend umfasst die Markierungsfläche in einer Ausführungsform ein Lötstoppmaterial. In derselben oder einer anderen Ausführungsform umfasst der Schritt 510 das Auswählen eines Abschnitts des Gehäuses mit integrierter Schaltung als Markierungsfläche, welcher eine erste Oberflächenrauheit von nicht mehr als 550 Nanometern aufweist.
Ein Schritt 520 des Verfahrens 500 ist es, einen Teil der Markierungsfläche zu entfernen, wobei der Teil der Markierungsfläche, der entfernt wird, das Sicherheitsmerkmal bildet, und wobei ein visueller Kontrast zwischen dem Sicherheitsmerkmal und der Markierungsfläche maximiert wird, wenn das Sicherheitsmerkmal und die Markierungsfläche koaxialer Beleuchtung ausgesetzt sind.
In einer Ausführungsform umfasst der Schritt 520 das Abtragen der Markierungsfläche mit einem UV-Laser. In einer speziellen Ausführungsform wird der UV-Laser bei einer Wellenlänge von 355 Nanometern betrieben. In einer speziellen Ausführungsform umfasst der Schritt 520 das Abtragen der Markierungsfläche bis zu einer Tiefe von nicht mehr als fünf Mikrometern. In einer Ausführungsform erhält das Sicherheitsmerkmal durch die Durchführung des Schrittes 520 eine zweite Oberflächenrauheit, die nicht mehr als zwanzigmal größer als die erste Oberflächenrauheit ist. In einer speziellen Ausführungsform ist die zweite Oberflächenrauheit fünf- bis zehnmal größer als die erste Oberflächenrauheit.
In einer oder mehreren Ausführungsformen umfasst der Schritt 520 das Entfernen mehrerer Abschnitte der Markierungsfläche auf solche Weise, dass benachbarte der mehreren Abschnitte um nicht mehr als ungefähr 5 µm voneinander getrennt sind.

Claims

Integrierte Schaltung, umfassend: ein Substrat; ein Lötstoppmaterial über dem Substrat, wobei das Lötstoppmaterial eine erste Oberflächenrauheit aufweist; und eine Markierung in dem Lötstoppmaterial, wobei die Markierung eine zweite Oberflächenrauheit aufweist, wobei die zweite Oberflächenrauheit höchstens zwanzigmal größer als die erste Oberflächenrauheit ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die zweite Oberflächenrauheit vier- bis zehnmal größer als die erste Oberflächenrauheit ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die erste Oberflächenrauheit nicht mehr als 550 Nanometer beträgt.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Markierung einen vertieften Abschnitt des Lötstoppmaterials umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 4, wobei der vertiefte Abschnitt eine Tiefe von nicht mehr als fünf Mikrometern aufweist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die Markierung mehrere vertiefte Abschnitte des Lötstoppmaterials umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, wobei die mehreren vertieften Abschnitte mindestens ein benachbartes Paar von vertieften Abschnitten, die sich überschneiden, umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 6, wobei die mehreren vertieften Abschnitte mindestens ein benachbartes Paar von vertieften Abschnitten, die voneinander beabstandet sind, umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 8, wobei das mindestens eine benachbarte Paar von vertieften Abschnitten, die voneinander beabstandet sind, mindestens drei benachbarte vertiefte Abschnitte, die voneinander beabstandet sind, umfasst.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die zweite Oberflächenrauheit weniger als etwa fünf Mikrometern ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, wobei die erste Oberflächenrauheit und die zweite Oberflächenrauheit durch Verwendung einer Funktion, Ra, mit dem arithmetischen Mittel von Absolutwerten, berechnet ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, weiter umfassend: einen auf dem Substrat angeordneten Chip.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 12, wobei der Chip einen ersten Rand hat, und das Substrat einen ersten Rand hat, und wobei die Markierung zwischen dem ersten Rand des Chips und dem ersten Rand des Substrats angeordnet ist.
Integrierte Schaltung nach Anspruch 12, wobei der Chip und das Substrat jeweils einen rechteckigen Umriss haben.
Verfahren zur Markierung einer integrierten Schaltung, das Verfahren umfassend: Bereitstellen eines Substrats mit einem Lötstoppmaterial, wobei das Lötstoppmaterial eine erste Oberflächenrauheit hat; und Bilden einer Markierung in dem Lötstoppmaterial, wobei die Markierung eine zweite Oberflächenrauheit hat, wobei die zweite Oberflächenrauheit höchstens zwanzigmal größer als die erste Oberflächenrauheit ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Bilden der Markierung in dem Lötstoppmaterial das Abtragen der Lötstoppmaterials mit einem Laser umfasst.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei die eine erste Oberflächenrauheit nicht mehr als 550 Nanometern beträgt.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei die zweite Oberflächenrauheit fünf- bis zehnmal größer als die erste Oberflächenrauheit ist.
Verfahren nach Anspruch 15, wobei die Markierung mehrere vertiefte Abschnitte umfasst, und die mehreren vertieften Abschnitte mindestens ein benachbartes Paar von vertieften Abschnitten, die sich überschneiden, umfasst.
Verfahren nach Anspruch 15, ferner umfassend: Anbringen eines Chips an der integrierten Schaltung.