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DE112009003614T5 - Substratbearbeitungssystem - Google Patents

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DE112009003614T5
DE112009003614T5 DE112009003614T DE112009003614T DE112009003614T5 DE 112009003614 T5 DE112009003614 T5 DE 112009003614T5 DE 112009003614 T DE112009003614 T DE 112009003614T DE 112009003614 T DE112009003614 T DE 112009003614T DE 112009003614 T5 DE112009003614 T5 DE 112009003614T5
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DE
Germany
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substrate
transfer module
mask
transfer
processing system
Prior art date
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Withdrawn
Application number
DE112009003614T
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Kawakami
Teruyuki Hayashi
Yuji Ono
Shinji Matsubayashi
Yasuhiro Tobe
Masaru Nishimura
Yasushi Yagi
Fumio Shimo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Abstract

[Probleme] Es wird ein Substratbearbeitungssystem mit hoher Wartungsfähigkeit durch Verbreitern eines Spalts zwischen verschiedenen Bearbeitungsgeräten, die mit Seitenflächen von Übergabemodulen verbunden sind, und das in der Lage ist, eine ausreichende Produktivität zu erreichen, indem eine Verschlechterung des Durchsatzes vermieden wird, geschaffen. [Mittel zum Lösen der Probleme] Das Substratbearbeitungssystem zur Herstellung einer organischen EL-Vorrichtung durch Ausbilden einer Mehrzahl von Schichten, einschließlich z. B. einer organischen Schicht, auf einem Substrat umfasst mindestens ein Übergabemodul, das so konfiguriert ist, dass es entleerbar ist, und entlang eines geraden Übergabeweges angeordnet ist. Innerhalb des Übergabemoduls sind eine Mehrzahl von Lade/Entlade-Bereichen zum Laden/Entladen des Substrats in Bezug auf ein Bearbeitungsgerät und mindestens ein Lagerbereich, der zwischen den Lade/Entlade-Bereichen angeordnet ist, abwechselnd entlang des Übergabeweges in Reihe angeordnet, und das Bearbeitungsgerät ist mit einer Seitenfläche des Übergabemoduls in einer Position, die jedem der Lade/Entlade-Bereiche gegenüberliegt, verbunden.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Substratbearbeitungssystem zur Herstellung beispielsweise einer organischen EL-Vorrichtung.
  • [Stand der Technik]
  • In letzter Zeit wurde eine organische EL-Vorrichtung unter Verwendung von Elektrolumineszenz (EL) entwickelt. Da die organische EL-Vorrichtung fast keine Wärme erzeugt, verbraucht sie im Vergleich zu einer Kathodenstrahlröhre oder dergleichen weniger Leistung. Da die organische EL-Vorrichtung eine selbstleuchtende Vorrichtung ist, bestehen ferner einige andere Vorteile wie z. B. ein Blickwinkel, der breiter als jener einer Flüssigkristallanzeige (LCD) ist, so dass deren Fortschritt in der Zukunft erwartet wird.
  • Die typischste Struktur dieser organischen EL-Vorrichtung umfasst eine Anodenschicht (Schicht der positiven Elektrode), eine Lichtemissionsschicht und eine Kathodenschicht (Schicht der negativen Elektrode), die nacheinander auf ein Glassubstrat gestapelt sind. Um Licht von der Lichtemissionsschicht nach außen zu übertragen, wird eine transparente Elektrode, die aus ITO (Indiumzinnoxid) besteht, als Anodenschicht auf dem Glassubstrat verwendet. Eine solche organische EL-Vorrichtung wird im Allgemeinen durch Ausbilden der Lichtemissionsschicht und der Kathodenschicht der Reihe nach auf dem Glassubstrat, auf dem sich die ITO-Schicht (Anodenschicht) befindet, und Ausbilden einer Abdichtungsfilmschicht auf der Kathodenschicht hergestellt.
  • Die organische EL-Vorrichtung, wie vorstehend beschrieben, wird im Allgemeinen durch ein Substratbearbeitungssystem mit verschiedenen Filmausbildungsgeräten oder Ätzgeräten zum Ausbilden einer Lichtemissionsschicht, einer Kathodenschicht, einer Abdichtungsfilmschicht oder dergleichen hergestellt.
  • Das Patentdokument 1 beschreibt ein Herstellungsgerät für eine Lichtemissionsvorrichtung (organische EL-Vorrichtung) zum Bearbeiten eines Substrats in einem so genannten Zustand mit der Vorderseite nach oben. Mit dem im Patentdokument 1 beschriebenen Lichtemissionsvorrichtungs-Herstellungsgerät ist es möglich, eine Lichtemissionsvorrichtung (organische EL-Vorrichtung) mit einer Mehrzahl von Schichten, einschließlich einer organischen Schicht, mit hoher Produktivität herzustellen. Patentdokument 1: Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2007-335203 .
  • [Offenbarung der Erfindung]
  • [Von der Erfindung zu lösende Probleme]
  • Ein im Patentdokument 1 beschriebenes Bearbeitungssystem weist eine Konfiguration auf, in der eine Mehrzahl von Bearbeitungsgeräten wie z. B. ein Filmausbildungsgerät oder ein Ätzgerät mit Seitenflächen von einem oder mehreren Übergabemodulen verbunden sind, die entlang eines Übergabeweges angeordnet sind. In diesem Bearbeitungssystem wird, da Feuchtigkeit in der Atmosphäre für eine organische EL-Vorrichtung unerwünscht ist, die organische EL-Vorrichtung im Allgemeinen durch Durchführen eines Prozesses wie z. B. eines Filmausbildungsprozesses, eines Ätzprozesses oder eines Abdichtungsprozesses in einem Vakuumzustand hergestellt.
  • In dem im Patentdokument 1 beschriebenen Bearbeitungssystem ist jedoch ein Spalt zwischen verschiedenen Bearbeitungsgeräten, die mit der Seitenfläche des Übergabemoduls verbunden sind, schmal, so dass die Wartungsfähigkeit nicht gut ist. Insbesondere ist bei einem fünf- oder mehrwinkligen Übergabemodul, das in einem herkömmlichen Bearbeitungssystem verwendet wird, ein Spalt zwischen verschiedenen Bearbeitungsgeräten, die zueinander benachbart sind, sehr schmal.
  • Daher schafft die vorliegende Erfindung ein Substratbearbeitungssystem mit einer hohen Wartungsfähigkeit durch Verbreitern eines Spalts zwischen verschiedenen Bearbeitungsgeräten, die mit Seitenflächen von Übergabemodulen verbunden sind, und schafft auch ein Substratbearbeitungssystem, das in der Lage ist, eine ausreichende Produktivität durch Vermeiden einer Verschlechterung des Durchsatzes zu erreichen.
  • [Mittel zum Lösen der Probleme]
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Substratbearbeitungssystem zum Bearbeiten eines Substrats mit mindestens einem Übergabemodul, das so konfiguriert ist, dass es entleerbar ist, und entlang eines geraden Übergabeweges angeordnet ist, geschaffen. Hier kann das Übergabemodul eine Mehrzahl von Lade/Entlade-Bereichen, von denen jeder dazu konfiguriert ist, das Substrat in Bezug auf ein Bearbeitungsgerät zu laden/entladen, und mindestens einen Lagerbereich, der zwischen den Lade/Entlade-Bereichen angeordnet ist, umfassen. Ferner kann das Bearbeitungsgerät mit einer Seitenfläche des Lade/Entlade-Bereichs verbunden sein.
  • Gemäß dem Substratbearbeitungssystem können eine Mehrzahl von Lade/Entlade-Bereichen und der Lagerbereich, der zwischen den Lade/Entlade-Bereichen angeordnet ist, innerhalb des Übergabemoduls ausgebildet sein. Ferner kann das Bearbeitungsgerät mit einer Seitenfläche des Übergabemoduls in einer Position verbunden sein, die jedem der Lade/Entlade-Bereiche gegenüberliegt. Folglich kann ein Spalt, der dem Lagerbereich entspricht, der zwischen den Lade/Entlade-Bereichen angeordnet ist, zwischen den benachbarten Bearbeitungsgeräten an der Querseite des Übergabemoduls gebildet sein.
  • Gemäß dem Substratbearbeitungssystem kann das Übergabemodul eine sechsflächige Struktur aufweisen, von der eine Längsrichtung entlang des Übergabeweges angeordnet ist. Ferner kann in dem Übergabemodul die Mehrzahl von Lade/Entlade-Bereichen mit dem mindestens einen Lagerbereich über Absperrschieber verbunden sein. Ferner kann ein Übergabearm in jedem der Lade/Entlade-Bereiche installiert sein und ein Durchgangstisch des Substrats ist im Lagerbereich innerhalb des Übergabemoduls installiert. Ferner kann das mindestens eine Übergabemodul mehrfach vorhanden sein und eine entleerbare Durchgangskammer kann zwischen den Übergabemodulen installiert sein. Weiterhin kann ein Filmausbildungsprozess an einer oberen Oberfläche des Substrats in einem Zustand mit der Vorderseite nach oben durchgeführt werden.
  • Ferner kann eine Maskenjustiervorrichtung, die dazu konfiguriert ist, eine Maske mit einem vorbestimmten Muster auf dem Substrat anzuordnen, mit einer Seitenfläche des Übergabemoduls verbunden sein. In diesem Fall kann das Substratbearbeitungssystem ferner ein Maskenreinigungsgerät umfassen, das dazu konfiguriert ist, eine zur Bearbeitung des Substrats verwendete Maske zu reinigen. Ferner kann das Maskenreinigungsgerät eine Reinigungsgaserzeugungseinheit umfassen, die dazu konfiguriert ist, ein Reinigungsgas durch Plasma zu aktivieren. Weiterhin kann das Maskenreinigungsgerät eine Bearbeitungskammer, die dazu konfiguriert ist, die Maske aufzunehmen, und eine Reinigungsgaserzeugungseinheit, die von der Bearbeitungskammer beabstandet ist, umfassen, und ein Reinigungsgas, das durch Plasma in der Reinigungsgaserzeugungseinheit aktiviert wird, kann unter Verwendung eines Fernplasmaverfahrens in die Bearbeitungskammer eingeführt werden. In diesem Fall kann die Reinigungsgaserzeugungseinheit dazu konfiguriert sein, das Reinigungsgas unter Verwendung eines Abstromplasmaverfahrens zu aktivieren. Folglich kann das unter Verwendung eines Abstromplasmaverfahrens aktivierte Reinigungsgas in die Bearbeitungskammer eingeführt werden, so dass aktivierte Reste unter einer ungefähr normalen Temperatur in die Bearbeitungskammer eingeführt werden können. Daher kann eine Maske ohne Wärmeschädigung gereinigt werden. Ferner kann die Reinigungsgaserzeugungseinheit dazu konfiguriert sein, ein Plasma mit hoher Dichte unter Verwendung eines induktiv gekoppelten Plasmaverfahrens zu erzeugen. Weiterhin kann die Reinigungsgaserzeugungseinheit dazu konfiguriert sein, ein Plasma mit hoher Dichte mit Mikrowellenleistung zu erzeugen. Ferner kann das Reinigungsgas jeden beliebigen von einem Sauerstoffrest, einem Fluorrest und einem Chlorrest umfassen.
  • [Auswirkung der Erfindung]
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird zwischen Bearbeitungsgeräten, die zueinander benachbart sind, an einer Seitenfläche eines Übergabemoduls ein Spalt in einer Position gebildet, die einem Lagerbereich entspricht, der zwischen Lade/Entlade-Bereichen vorgesehen ist. Unter Verwendung des zwischen verschiedenen Bearbeitungsgeräten gebildeten Spalts ist es möglich, ein Substratbearbeitungssystem mit hoher Wartungsfähigkeit zu konstruieren. Ferner ist es möglich, ein Substratbearbeitungssystem zu erhalten, das in der Lage ist, durch Vermeiden einer Verschlechterung des Durchsatzes eine ausreichende Produktivität zu erzielen.
  • [Kurzbeschreibung der Zeichnungen]
  • 1A bis 1H sind Diagramme zum Erläutern eines Herstellungsprozesses einer organischen EL-Vorrichtung;
  • 2 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Substratbearbeitungssystems gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern eines Aufdampfungsgeräts, das in der Lage ist, eine Lichtemissionsschicht auszubilden;
  • 4 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern eines Aufdampfungsgeräts, das in der Lage ist, eine Arbeitsfunktionseinstellschicht auszubilden;
  • 5 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern eines Sputtergeräts;
  • 6 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern eines Ätzgeräts;
  • 7 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern eines CVD-Geräts;
  • 8 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Substratbearbeitungssystems mit einem Maskenreinigungsgerät gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 9 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern des Maskenreinigungsgeräts;
  • 10 ist ein Diagramm zum Erläutern einer Reinigungsgaserzeugungseinheit vom ICP-Typ;
  • 11 ist ein Diagramm zum Erläutern einer Reinigungsgaserzeugungseinheit, die in der Lage ist, ein Plasma mit hoher Dichte durch Mikrowellenleistung zu erzeugen;
  • 12 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Substratbearbeitungssystems mit Übergabewegen, die in zwei Reihen gebildet sind, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 13 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Substratbearbeitungssystems, in dem ein Substrat zwischen Übergabewegen übergeben werden kann, gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 14A bis 14C stellen Diagramme zum Erläutern eines Übergabemoduls bereit, in dem ein Übergabearm, der in der Lage ist, sich entlang eines Übergabeweges zu bewegen, installiert ist; und
  • 15 ist ein Diagramm zum Erläutern eines Übergabemoduls, in dem ein Absperrschieber zwischen jedem Lade/Entlade-Bereich und einem Lagerbereich vorgesehen ist.
  • Bezugszeichenliste
    • A
    Organische EL-Vorrichtung
    G
    Substrat
    L
    Übergabeweg
    M
    Maske
    1
    Substratbearbeitungssystem
    10
    Anodenschicht
    11
    Lichtemissionsschicht
    12
    Arbeitsfunktionseinstellschicht
    13
    Kathodenschicht
    14
    Schutzschicht
    15
    Leitende Schicht
    16
    Schutzschicht
    20
    Lader
    21
    Erstes Übergabemodul
    22
    Aufdampfungsgerät für Lichtemissionsschicht
    23
    Zweites Übergabemodul
    24
    Erste Durchgangskammer
    25
    Drittes Übergabemodul
    26
    Zweite Durchgangskammer
    27
    Viertes Übergabemodul
    28
    Entlader
    40, 60 und 80
    Vordere Lade/Entlade-Bereiche
    41, 61 und 81
    Hintere Lade/Entlade-Bereiche
    42, 62 und 82
    Lagerbereiche
    43, 44, 63, 64, 83 und 84
    Übergabearme
    45, 65 und 85
    Durchgangstische
    50
    Aufdampfungsgerät für Arbeitsfunktionseinstellschicht
    51 und 90
    Sputtergeräte
    52 und 72
    Maskenlagerkammern
    53, 73, 92 und 93
    Maskenjustiervorrichtungen
    70
    Ätzgerät
    71 und 91
    CVD-Geräte
  • [Beste Art zur Ausführung der Erfindung]
  • Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen im Einzelnen beschrieben. Genauer gesagt wird in den folgenden Ausführungsformen ein so genanntes Substratbearbeitungssystem 1 vom Typ mit Vorderseite nach oben, das in der Lage ist, eine organische EL-Vorrichtung A durch Durchführen eines Prozesses wie z. B. eines Filmausbildungsprozesses auf einer oberen Oberfläche eines Substrats G herzustellen, erläutert. In der Patentbeschreibung und in den Zeichnungen werden Elementen mit im Wesentlichen derselben Funktion dieselben Bezugszeichen zugewiesen und auf eine redundante Beschreibung davon kann verzichtet werden.
  • 1A bis 1H sehen Diagramme zum Erläutern eines Herstellungsprozesses der organischen EL-Vorrichtung A im Substratbearbeitungssystem 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vor. Wie in 1A dargestellt, wird das Substrat G, auf dem eine Anodenschicht (Schicht der positiven Elektrode) ausgebildet wird, vorbereitet. Das Substrat G besteht aus einem transparenten Material wie z. B. Glas. Eine Anodenschicht 10 wird aus einem transparenten leitenden Material wie z. B. ITO (Indiumzinnoxid) hergestellt. Als Beispiel wird die Anodenschicht 10 auf dem Substrat G durch ein Sputterverfahren ausgebildet.
  • Wie in 1B dargestellt, wird eine Lichtemissionsschicht (organische Schicht) 11 auf der Anodenschicht 10 durch ein Aufdampfungsverfahren ausgebildet. Ferner weist die Lichtemissionsschicht 11 eine mehrlagige Struktur auf, in der beispielsweise eine Lochtransportschicht, eine kein Licht emittierende Schicht (Elektronensperrschicht), eine blaues Licht emittierende Schicht, eine rotes Licht emittierende Schicht, eine grünes Licht emittierende Schicht und eine Elektronentransportschicht geschichtet sind.
  • Wie in 1C dargestellt, wird dann eine Arbeitsfunktionseinstellschicht 12, die aus Li oder dergleichen besteht, auf der Lichtemissionsschicht 11 durch ein Aufdampfungsverfahren ausgebildet.
  • Wie in 1D dargestellt, wird danach eine Kathodenschicht (Schicht der negativen Elektrode) 13, die beispielsweise aus Ag, Al oder dergleichen besteht, auf der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 ausgebildet und in einer vorbestimmten Form durch beispielsweise ein Sputterverfahren unter Verwendung einer Maske strukturiert.
  • Wie in 1E dargestellt, wird anschließend als Beispiel ein Plasmaätzprozess an der Lichtemissionsschicht 11 und der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 durchgeführt, während die Kathodenschicht 13 als Maske verwendet wird, und folglich werden die Lichtemissionsschicht 11 und die Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 strukturiert.
  • Wie in 1F dargestellt, wird dann eine Isolationsschutzschicht 14, die beispielsweise aus Siliziumnitrid (SiN) besteht, so ausgebildet, dass sie die Kante der Lichtemissionsschicht 11, der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 und der Kathodenschicht 13 und einen Teil der Anodenschicht 10 bedeckt. Diese Schutzschicht 14 wird beispielsweise durch ein CVD-Verfahren unter Verwendung einer Maske ausgebildet.
  • Wie in 1G dargestellt; wird danach eine leitende Schicht 15, die beispielsweise aus Ag, Al oder dergleichen besteht, in einem vorbestimmten Muster ausgebildet und mit der Kathodenschicht 13 elektrisch verbunden. Diese leitende Schicht 15 wird beispielsweise durch ein Sputterverfahren unter Verwendung einer Maske ausgebildet.
  • Wie in 1H dargestellt, wird anschließend eine Isolationsschutzschicht 16, die beispielsweise aus Siliziumnitrid (SiN) besteht, in einem vorbestimmten Muster so ausgebildet, dass sie einen Teil der leitenden Schicht 15 bedeckt. Diese Schutzschicht 16 wird beispielsweise durch ein CVD-Verfahren unter Verwendung einer Maske ausgebildet.
  • In der organischen EL-Vorrichtung A, die wie vorstehend beschrieben hergestellt wird, kann die Lichtemissionsschicht 11 Licht emittieren, indem eine Spannung zwischen der Anodenschicht 10 und der Kathodenschicht 13 angelegt wird. Diese organische EL-Vorrichtung A kann für eine Anzeigevorrichtung oder eine Oberflächenemissionsvorrichtung (eine Beleuchtung, eine Lichtquelle oder dergleichen) verwendet werden und kann für verschiedene andere elektronische Vorrichtungen verwendet werden.
  • 2 ist ein Diagramm zum Erläutern des Substratbearbeitungssystems 1 zur Herstellung der organischen EL-Vorrichtung A gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Im Substratbearbeitungssystem 1 ist ein gerader Übergabeweg L gebildet, indem der Reihe nach ein Lader 20, ein erstes Übergabemodul 21, ein Aufdampfungsgerät 22 für die Lichtemissionsschicht 11, ein zweites Übergabemodul 23, eine erste Durchgangskammer 24, ein drittes Übergabemodul 25, eine zweite Durchgangskammer 26, ein viertes Übergabemodul 27 und ein Entlader 28 in Reihe in Richtung einer Übergaberichtung des Substrats G (in der rechten Richtung von 2) angeordnet sind.
  • Jeder Absperrschieber 30 ist vor dem Lader 20 (links in 2); zwischen dem Lader 20 und dem ersten Übergabemodul 21; zwischen dem ersten Übergabemodul 21 und dem Aufdampfungsgerät 22; zwischen dem Aufdampfungsgerät 22 und dem zweiten Übergabemodul 23; zwischen dem zweiten Übergabemodul 23 und der ersten Durchgangskammer 24; zwischen der ersten Durchgangskammer 24 und dem dritten Übergabemodul 25; zwischen dem dritten Übergabemodul 25 und der zweiten Durchgangskammer 26; zwischen der zweiten Durchgangskammer 26 und dem vierten Übergabemodul 27; zwischen dem vierten Übergabemodul 27 und dem Entlader 28; und hinter dem Entlader 28 (rechts in 2) vorgesehen. Jedes Innere des Laders 20, des ersten Übergabemoduls 21, des Aufdampfungsgeräts 22, des zweiten Übergabemoduls 23, der ersten Durchgangskammer 24, des dritten Übergabemoduls 25, der zweiten Durchgangskammer 26, des vierten Übergabemoduls 27 und des Entladers 28 ist abgedichtet. Ferner werden die Innenseiten des Laders 20, des ersten Übergabemoduls 21, des Aufdampfungsgeräts 22, des zweiten Übergabemoduls 23, der ersten Durchgangskammer 24, des dritten Übergabemoduls 25, der zweiten Durchgangskammer 26, des vierten Übergabemoduls 27 und des Entladers 28 durch eine nicht dargestellte Vakuumpumpe ausgepumpt.
  • Ein Reinigungsgerät 35 des Substrats G ist mit einer Seitenfläche des ersten Übergabemoduls 21 über einen Absperrschieber 36 verbunden. Ein Übergabearm 37 ist innerhalb des ersten Übergabemoduls 21 installiert. Das auf den Übergabearm 37 geladene Substrat G kann vom Lader 20 zum Aufdampfungsgerät 22 entlang des Übergabeweges L übergeben werden und das Substrat G kann zwischen dem Inneren des ersten Übergabemoduls 21 und dem Reinigungsgerät 35 in einer zum Übergabeweg L senkrechten Richtung übergeben werden.
  • Innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 sind ein vorderer Lade/Entlade-Bereich 40, ein hinterer Lade/Entlade-Bereich 41 und ein einzelner Lagerbereich 42 zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 ausgebildet. Das zweite Übergabemodul 23 weist eine sechsflächige Struktur auf, von der eine Längsrichtung entlang des Übergabeweges L angeordnet ist. Der vordere Lade/Entlade-Bereich 40, der Lagerbereich 42 und der hintere Lade/Entlade-Bereich 41 sind nacheinander und in Reihe in Richtung einer Übergaberichtung (Richtung nach rechts in 2) des Substrats G entlang des Übergabeweges L innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 angeordnet.
  • Innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 ist ein Übergabearm 43 im vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 installiert, ein Übergabearm 44 ist im hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 installiert und ein Durchgangstisch 45 ist im Lagerbereich 42 installiert.
  • Ein Aufdampfungsgerät 50 für die Arbeitsfunktionseinstellschicht 12, ein Sputtergerät 51, eine Maskenlagerkammer 52 und eine Maskenjustiervorrichtung 53 sind mit Seitenflächen des zweiten Übergabemoduls 23 über jeden Absperrschieber 54 verbunden. Das Aufdampfungsgerät 50 und die Maskenlagerkammer 52 sind an entgegengesetzten Seitenflächen des zweiten Übergabemoduls 23 vorgesehen. Ferner sind das Aufdampfungsgerät 50 und die Maskenlagerkammer 52 so positioniert, dass sie dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 gegenüberliegen. Eine Maske M zum Ausbilden eines vorbestimmten Musters wartet in der Maskenlagerkammer 52.
  • Innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 kann der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 installierte Übergabearm 43 das Substrat G vom Aufdampfungsgerät 22 zum Lagerbereich 42 entlang des Übergabeweges L übergeben und kann das Substrat G zwischen dem Inneren des zweiten Übergabemoduls 23 und dem Aufdampfungsgerät 50 in der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung übergeben. Ferner kann der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 installierte Übergabearm 43 die Maske M zwischen der Maskenlagerkammer 52 und dem Lagerbereich 42 übergeben.
  • Das Sputtergerät 51 und die Maskenjustiervorrichtung 53 sind an entgegengesetzten Seitenflächen des zweiten Übergabemoduls 23 vorgesehen. Ferner sind das Sputtergerät 51 und die Maskenjustiervorrichtung 53 so positioniert, dass sie dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 gegenüberliegen.
  • Innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 kann der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 installierte Übergabearm 44 das Substrat G vom Lagerbereich 42 zur ersten Durchgangskammer 24 entlang des Übergabeweges L übergeben und kann das Substrat G zwischen dem Inneren des zweiten Übergabemoduls 23 und dem Sputtergerät 51 und zwischen dem Inneren des zweiten Übergabemoduls 23 und der Maskenjustiervorrichtung 53 in der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung übergeben. Ferner kann der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 installierte Übergabearm 44 die Maske M zwischen dem Lagerbereich 42 und der Maskenjustiervorrichtung 53 übergeben.
  • Innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 können das Substrat G und die Maske M auf dem Durchgangstisch 45 warten, der im Lagerbereich 42 installiert ist. Ferner ist kein Bearbeitungsgerät mit einer Seitenfläche des zweiten Übergabemoduls 23 in einer Position verbunden, die dem Lagerbereich 42 gegenüberliegt. Aus diesem Grund ist ein Spalt mit im Wesentlichen derselben Breite wie jener des Durchgangstischs 45 in einer Position, die dem Lagerbereich 42 gegenüberliegt, zwischen dem Aufdampfungsgerät 50 und dem Sputtergerät 51 oder zwischen der Maskenlagerkammer 52 und der Maskenjustiervorrichtung 53 in der Seitenfläche des zweiten Übergabemoduls 23 gebildet.
  • Innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 sind ein vorderer Lade/Entlade-Bereich 60, ein hinterer Lade/Entlade-Bereich 61 und ein einzelner Lagerbereich 62 zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 ausgebildet. Das dritte Übergabemodul 25 weist eine sechsflächige Struktur auf, von der eine Längsrichtung entlang des Übergabeweges L angeordnet ist. Der vordere Lade/Entlade-Bereich 60, der Lagerbereich 62 und der hintere Lade/Entlade-Bereich 61 sind nacheinander und in Reihe in Richtung der Übergaberichtung (Richtung nach rechts in 2) des Substrats G entlang des Übergabeweges L innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 angeordnet.
  • Innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 ist ein Übergabearm 63 im vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 installiert, ein Übergabearm 64 ist im hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 installiert und ein Durchgangstisch 65 ist im Lagerbereich 62 installiert.
  • Ein Ätzgerät 70, ein CVD-Gerät 71, eine Maskenlagerkammer 72 und eine Maskenjustiervorrichtung 73 sind mit Seitenflächen des dritten Übergabemoduls 25 über jeden Absperrschieber 74 verbunden. Das Ätzgerät 70 und die Maskenlagerkammer 72 sind an entgegengesetzten Seitenflächen des dritten Übergabemoduls 25 vorgesehen. Ferner sind das Ätzgerät 70 und die Maskenlagerkammer 72 so positioniert, dass sie dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 gegenüberliegen. Eine Maske M zum Ausbilden eines vorbestimmten Musters wartet in der Maskenlagerkammer 72.
  • Innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 kann der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 installierte Übergabearm 63 das Substrat G von der ersten Durchgangskammer 24 zum Lagerbereich 62 entlang des Übergabeweges L übergeben und kann das Substrat G zwischen dem Inneren des dritten Übergabemoduls 25 und dem Ätzgerät 70 in der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung übergeben. Ferner kann der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 installierte Übergabearm 63 die Maske M zwischen der Maskenlagerkammer 72 und dem Lagerbereich 62 übergeben.
  • Das CVD-Gerät 71 und die Maskenjustiervorrichtung 73 sind an entgegengesetzten Seitenflächen des dritten Übergabemoduls 25 vorgesehen. Ferner sind das CVD-Gerät 71 und die Maskenjustiervorrichtung 73 so positioniert, dass sie dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 gegenüberliegen.
  • Innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 kann der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 installierte Übergabearm 64 das Substrat G vom Lagerbereich 62 zur zweiten Durchgangskammer 26 entlang des Übergabeweges L übergeben und kann das Substrat G zwischen dem Inneren des dritten Übergabemoduls 25 und dem CVD-Gerät 71 und zwischen dem Inneren des dritten Übergabemoduls 25 und der Maskenjustiervorrichtung 73 in der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung übergeben. Ferner kann der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 installierte Übergabearm 64 die Maske M zwischen dem Lagerbereich 62 und der Maskenjustiervorrichtung 73 übergeben.
  • Innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 können das Substrat G und die Maske M auf dem Durchgangstisch 65, der im Lagerbereich 62 installiert ist, warten. Ferner ist kein Bearbeitungsgerät mit einer Seitenfläche des dritten Übergabemoduls 25 in einer Position verbunden, die dem Lagerbereich 62 gegenüberliegt. Aus diesem Grund ist ein Spalt mit im Wesentlichen derselben Breite wie jener des Durchgangstischs 65 in einer Position, die dem Lagerbereich 62 gegenüberliegt, zwischen dem Ätzgerät 70 und dem CVD-Gerät 71 oder zwischen der Maskenlagerkammer 72 und der Maskenjustiervorrichtung 73 in der Seitenfläche des dritten Übergabemoduls 25 gebildet.
  • Innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 sind ein vorderer Lade/Entlade-Bereich 80, ein hinterer Lade/Entlade-Bereich 81 und ein einzelner Lagerbereich 82 zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 ausgebildet. Das vierte Übergabemodul 27 weist eine sechsflächige Struktur auf, von der eine Längsrichtung entlang des Übergabeweges L angeordnet ist. Der vordere Lade/Entlade-Bereich 80, der Lagerbereich 82 und der hintere Lade/Entlade-Bereich 81 sind nacheinander und in Reihe in Richtung der Übergaberichtung (Richtung nach rechts in 2) des Substrats G entlang des Übergabeweges L innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 angeordnet.
  • Innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 ist ein Übergabearm 83 im vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 installiert, ein Übergabearm 84 ist im hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 installiert und ein Durchgangstisch 85 ist im Lagerbereich 82 installiert.
  • Ein Sputtergerät 90, ein CVD-Gerät 91, eine Maskenjustiervorrichtung 92 und eine Maskenjustiervorrichtung 93 sind mit Seitenflächen des vierten Übergabemoduls 27 über jeden Absperrschieber 94 verbunden. Das Sputtergerät 90 und die Maskenjustiervorrichtung 92 sind an entgegengesetzten Seitenflächen des vierten Übergabemoduls 27 vorgesehen. Ferner sind das Sputtergerät 90 und die Maskenjustiervorrichtung 92 so positioniert, dass sie dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 gegenüberliegen.
  • Innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 kann der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 installierte Übergabearm 83 das Substrat G von der zweiten Durchgangskammer 26 zum Lagerbereich 82 entlang des Übergabeweges L übergeben und kann das Substrat G zwischen dem Inneren des vierten Übergabemoduls 27 und dem Sputtergerät 90 und zwischen dem Inneren des vierten Übergabemoduls 27 und der Maskenjustiervorrichtung 92 in der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung übergeben.
  • Das CVD-Gerät 91 und die Maskenjustiervorrichtung 93 sind an entgegengesetzten Seitenflächen des vierten Übergabemoduls 27 vorgesehen. Ferner sind das CVD-Gerät 91 und die Maskenjustiervorrichtung 93 so positioniert, dass sie dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 gegenüberliegen.
  • Innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 kann der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 installierte Übergabearm 84 das Substrat G vom Lagerbereich 82 zum Entlader 28 entlang des Übergabeweges L übergeben und kann das Substrat G zwischen dem Inneren des vierten Übergabemoduls 27 und dem CVD-Gerät 91 und zwischen dem Inneren des vierten Übergabemoduls 27 und der Maskenjustiervorrichtung 93 in der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung übergeben.
  • Innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 kann das Substrat G auf dem Durchgangstisch 85, der im Lagerbereich 82 installiert ist, warten. Ferner ist kein Bearbeitungsgerät mit einer Seitenfläche des vierten Übergabemoduls 27 in einer Position verbunden, die dem Lagerbereich 82 gegenüberliegt. Aus diesem Grund ist ein Spalt mit im Wesentlichen derselben Breite wie jener des Durchgangstischs 85 in einer Position, die dem Lagerbereich 82 gegenüberliegt, zwischen dem Sputtergerät 90 und dem CVD-Gerät 91 oder zwischen der Maskenjustiervorrichtung 92 und der Maskenjustiervorrichtung 93 in der Seitenfläche des vierten Übergabemoduls 27 gebildet.
  • 3 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern des Aufdampfungsgeräts 22. Das in 3 dargestellte Aufdampfungsgerät 22 bildet die in 1B dargestellte Lichtemissionsschicht 11 durch ein Aufdampfungsverfahren aus.
  • Das Aufdampfungsgerät 22 umfasst eine abgedichtete Bearbeitungskammer 100. Die Bearbeitungskammer 100 weist eine sechsflächige Struktur auf, von der eine Längsrichtung entlang des Übergabeweges L angeordnet ist, und die vordere und die hintere Oberfläche der Bearbeitungskammer 100 sind mit dem ersten Übergabemodul 21 bzw. dem zweiten Übergabemodul 23 über die Absperrschieber 30 verbunden.
  • Eine untere Oberfläche der Bearbeitungskammer 100 ist mit einer Auslassleitung 101 mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden, so dass das Innere der Bearbeitungskammer 100 im Druck herabgesetzt wird. Innerhalb der Bearbeitungskammer 100 ist ein Haltetisch 102, der dazu konfiguriert ist, darauf das Substrat G horizontal zu halten, installiert. Das Substrat G wird auf dem Haltetisch 102 in einem Zustand mit der Vorderseite nach oben angebracht, in dem die obere Oberfläche des Substrats G, auf der die Anodenschicht 10 ausgebildet ist, nach oben weist. Der Haltetisch 102 bewegt sich auf einer Schiene 103, die entlang des Übergabeweges L installiert ist, um das Substrat G entlang des Übergabeweges L zu überführen.
  • Eine Mehrzahl von Aufdampfungsköpfen 105 sind an einer Decke der Bearbeitungskammer 100 entlang der Übergaberichtung (des Übergabeweges L) des Substrats G angeordnet. Jeder der Aufdampfungsköpfe 105 ist mit jeder von Dampfzufuhrquellen 106 zum Zuführen eines Dampfs von Filmbildungsmaterialien zum Ausbilden der Lichtemissionsschicht 11 über jede Zufuhrleitung 107 verbunden. Während der Dampf der Filmbildungsmaterialien, der von den Dampfzufuhrquellen 106 zugeführt wird, aus jedem der Aufdampfungsköpfe 105 ausgelassen wird, wird das Substrat G, das auf dem Haltetisch 102 gehalten wird, entlang des Übergabeweges L überführt und folglich wird die Lichtemissionsschicht 11 auf der oberen Oberfläche des Substrats G durch Ausbilden einer Lochtransportschicht, einer kein Licht emittierenden Schicht, einer blaues Licht emittierenden Schicht, einer rotes Licht emittierenden Schicht, einer grünes Licht emittierenden Schicht und einer Elektronentransportschicht der Reihe nach auf der oberen Oberfläche des Substrats G ausgebildet.
  • 4 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern des Aufdampfungsgeräts 50. Das Aufdampfungsgerät 50, das in 4 dargestellt ist, bildet die in 1C dargestellte Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 durch ein Aufdampfungsverfahren aus.
  • Das Aufdampfungsgerät 50 umfasst eine abgedichtete Bearbeitungskammer 110. Die Bearbeitungskammer 110 weist eine sechsflächige Struktur auf, von der eine Längsrichtung entlang einer zum Übergabeweg L senkrechten Richtung angeordnet ist, und eine vordere Oberfläche der Bearbeitungskammer 110 ist mit einer Seitenfläche des zweiten Übergabemoduls 23 über den Absperrschieber 54 verbunden.
  • Eine untere Oberfläche der Bearbeitungskammer 110 ist mit einer Auslassleitung 111 mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden, so dass das Innere der Bearbeitungskammer 110 im Druck herabgesetzt wird. Innerhalb der Bearbeitungskammer 110 ist ein Haltetisch 112, der dazu konfiguriert ist, das Substrat G horizontal zu halten, installiert. Das Substrat G wird auf dem Haltetisch 112 in einem Zustand mit der Vorderseite nach oben angebracht, in dem die obere Oberfläche des Substrats G, auf der die Lichtemissionsschicht 11 ausgebildet ist, nach oben weist. Der Haltetisch 112 bewegt sich auf einer Schiene 113, die entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung installiert ist, um das Substrat G entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung zu überführen.
  • Ein Aufdampfungskopf 115 ist an einer Decke der Bearbeitungskammer 110 angeordnet. Der Aufdampfungskopf 115 ist mit einer Dampfzufuhrquelle 116 zum Zuführen von Dampf eines Filmbildungsmaterials wie z. B. Li zum Ausbilden der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 über eine Zufuhrleitung 117 verbunden. Während der Dampf des Filmbildungsmaterials, der von der Dampfzufuhrquelle 116 zugeführt wird, aus dem Aufdampfungskopf 115 ausgelassen wird, wird das auf dem Haltetisch 112 gehaltene Substrat G entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung überführt und folglich wird die Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 auf der oberen Oberfläche des Substrats G ausgebildet.
  • 5 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern der Sputtergeräte 51 und 90. Die Sputtergeräte 51 und 90 weisen dieselbe Konfiguration auf. Die Sputtergeräte 51 und 90, die in 5 dargestellt sind, bilden die Kathodenschicht (Schicht der negativen Elektrode) 13, die in 1D dargestellt ist, und die leitende Schicht 15, die in 1G dargestellt ist, durch ein Sputterverfahren aus.
  • Jedes der Sputtergeräte 51 und 90 umfasst eine abgedichtete Bearbeitungskammer 120. Die Bearbeitungskammer 120 weist eine sechsflächige Struktur auf, von der eine Längsrichtung entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung angeordnet ist, und eine vordere Oberfläche der Bearbeitungskammer 120 des Sputtergeräts 51 ist mit einer Seitenfläche des zweiten Übergabemoduls 23 über den Absperrschieber 54 verbunden und eine vordere Oberfläche der Bearbeitungskammer 120 des Sputtergeräts 90 ist mit einer Seitenfläche des vierten Übergabemoduls 27 über den Absperrschieber 94 verbunden.
  • Eine untere Oberfläche der Bearbeitungskammer 120 ist mit einer Auslassleitung 121 mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden, so dass das Innere der Bearbeitungskammer 120 im Druck herabgesetzt wird. Innerhalb der Bearbeitungskammer 120 ist ein Haltetisch 122, der dazu konfiguriert ist, das Substrat G horizontal zu halten, installiert. Das Substrat G wird am Haltetisch 122 in einem Zustand mit der Vorderseite nach oben angebracht, in dem die obere Oberfläche des Substrats G, auf der die Lichtemissionsschicht 11 ausgebildet ist, nach oben weist. Der Haltetisch 122 bewegt sich auf einer Schiene 123, die entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung installiert ist, um das Substrat G entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung zu überführen.
  • Diese Sputtergeräte 51 und 90 sind Geräte zum Sputtern mit gegenüberliegenden Targets (FTS-Geräte), in denen ein Paar von flachen Plattentargets 125 mit einem vorbestimmten Spalt dazwischen einander gegenüberliegen. Die Targets 125 bestehen beispielsweise aus Ag, Al oder dergleichen. Masseelektroden 126 sind an einer oberen Seite und einer unteren Seite der Targets 125 angeordnet und eine Leistungsversorgung 127 legt eine Spannung zwischen den Targets 125 und den Masseelektroden 126 an. Ferner sind Magnete 128 zum Erzeugen eines Magnetfeldes zwischen den Targets 125 außerhalb der Targets 125 angeordnet. Ferner ist eine Gaszufuhreinheit 129 zum Zuführen eines Sputtergases wie z. B. Ar oder dergleichen in die Bearbeitungskammer 120 in einer Wandoberfläche der Bearbeitungskammer 120 vorgesehen.
  • In den Sputtergeräten 51 und 90 tritt in einem Zustand, in dem ein Magnetfeld zwischen den Targets 125 erzeugt ist, während das Substrat G, das auf dem Haltetisch 122 gehalten wird, entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung überführt wird, eine Glimmentladung zwischen den Targets 125 und den Masseelektroden 126 auf und folglich wird ein Plasma zwischen den Targets 125 erzeugt. Sputtern wird durch dieses Plasma durchgeführt, so dass sich. ein Material der Targets 125. an der oberen Oberfläche des Substrats G anhaften kann, und folglich kann die Kathodenschicht 13 oder die leitende Schicht 15 durch ein Sputterverfahren nacheinander ausgebildet werden.
  • 6 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern des Ätzgeräts 70. Das Ätzgerät 70, das in 6 dargestellt ist, bildet ein Muster auf der Lichtemissionsschicht 11 und der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12, die in 1F dargestellt sind, durch ein Plasmaätzverfahren aus.
  • Das Ätzgerät 70 weist eine abgedichtete Bearbeitungskammer 130 auf. Eine vordere Oberfläche der Bearbeitungskammer 130 des Ätzgeräts 70 ist mit einer Seitenfläche des dritten Übergabemoduls 25 über den Absperrschieber 74 verbunden.
  • Eine untere Oberfläche der Bearbeitungskammer 130 ist mit einer Auslassleitung 131 mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden, so dass das Innere der Bearbeitungskammer 130 im Druck herabgesetzt wird. Innerhalb der Bearbeitungskammer 130 ist ein Haltetisch 132, der dazu konfiguriert ist, das Substrat G horizontal zu halten, installiert. Das Substrat G wird am Haltetisch 132 in einem Zustand mit der Vorderseite nach oben angebracht, in dem die obere Oberfläche des Substrats G, auf der die Lichtemissionsschicht 11 ausgebildet ist, nach oben weist.
  • Eine Masseelektrode 133 ist an einer Decke der Bearbeitungskammer 130 so installiert, dass sie einer oberen Oberfläche des Haltetischs 132 gegenüberliegt. Ferner sind Spulen 135, die eine Hochfrequenzleistung von einer Hochfrequenz-Leistungsversorgung 134 empfangen, außerhalb der Bearbeitungskammer 130 vorgesehen. Der Haltetisch 132 ist dazu konfiguriert, Hochfrequenzleistung von einer Hochfrequenz-Leistungsversorgung 136 zu empfangen. Eine Gaszufuhreinheit 137 führt ein Ätzgas wie z. B. N2/Ar oder dergleichen in die Bearbeitungskammer 130 zu. Im Ätzgerät 70 wird das in die Bearbeitungskammer 130 zugeführte Ätzgas durch Hochfrequenzleistung, die an die Spulen 135 angelegt wird, zu einem Plasma angeregt, so dass die Lichtemissionsschicht 11 und die Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 durch das Plasma so geätzt werden, dass sie ein vorbestimmtes Muster aufweisen.
  • 7 ist ein schematisches Diagramm zum Erläutern der CVD-Geräte 71 und 91. Die CVD-Geräte 71 und 91 weisen dieselbe Konfiguration auf. Die in 7 dargestellten CVD-Geräte 71 und 91 bilden die in 1F dargestellte Schutzschicht 14 und die in 1H dargestellte Schutzschicht 16 durch ein CVD-Verfahren aus.
  • Jedes der CVD-Geräte 71 und 91 umfasst eine abgedichtete Bearbeitungskammer 140. Eine vordere Oberfläche der Bearbeitungskammer 140 des CVD-Geräts 71 ist mit einer Seitenfläche des dritten Übergabemoduls 25 über den Absperrschieber 74 verbunden und eine vordere Oberfläche der Bearbeitungskammer 140 des CVD-Geräts 91 ist mit einer Seitenfläche des vierten Übergabemoduls 27 über den Absperrschieber 94 verbunden.
  • Eine untere Oberfläche der Bearbeitungskammer 140 ist mit einer Auslassleitung 141 mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden, so dass das Innere der Bearbeitungskammer 140 im Druck herabgesetzt wird. Innerhalb der Bearbeitungskammer 140 ist ein Haltetisch 142, der dazu konfiguriert ist, das Substrat G horizontal zu halten, installiert. Das Substrat G wird auf dem Haltetisch 142 in einem Zustand mit der Vorderseite nach oben angebracht, in dem die obere Oberfläche des Substrats G, auf der die Lichtemissionsschicht 11 ausgebildet ist, nach oben weist.
  • Eine Antenne 145 ist an einer Decke der Bearbeitungskammer 120 installiert und eine Mikrowelle wird von einer Leistungsquelle 146 an die Antenne 145 angelegt. Ferner ist eine Gaszufuhreinheit 147 zum Zuführen eines Filmbildungsquellengases in die Bearbeitungskammer 140 zwischen der Antenne 145 und dem Haltetisch 142 installiert. Die Gaszufuhreinheit 147 ist beispielsweise in einem Gittermuster ausgebildet, so dass die Mikrowelle hindurch treten kann. In diesen CVD-Geräten 71 und 91 kann das Filmbildungsquellengas, das von der Gaszufuhreinheit 147 zugeführt wird, durch die Mikrowelle, die von der Antenne 145 über der oberen Oberfläche des Substrats G zugeführt wird, das auf dem Haltetisch 142 gehalten wird, zu einem Plasma angeregt werden, so dass die Isolationsschutzschichten 14 und 16, die beispielsweise aus Siliziumnitrid (SiN) hergestellt werden, ausgebildet werden können.
  • Nachstehend wird ein Prozess zur Herstellung der organischen EL-Vorrichtung A durch das Substratbearbeitungssystem 1, das wie vorstehend beschrieben konfiguriert ist, erläutert. Vor allem wird das Substrat G, das über den Lader 20 in das Substratbearbeitungssystem 1 geladen wird, durch den Übergabearm 37 des ersten Übergabemoduls 21 in das Reinigungsgerät 35 geladen. In diesem Fall wird die Anodenschicht 10, die beispielsweise aus ITO besteht, im Voraus in einem vorbestimmten Muster auf der Oberfläche des Substrats G ausgebildet. Das Substrat G wird in das Reinigungsgerät 35 geladen, während das Substrat G sich in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) befindet, in dem die Oberfläche, auf der die Anodenschicht 10 ausgebildet ist, nach oben weist. Ein Reinigungsprozess wird an dem Substrat G in dem Reinigungsgerät 35 durchgeführt und das gereinigte Substrat G wird vom Reinigungsgerät 35 in das Aufdampfungsgerät 22 durch den Übergabearm 37 des ersten Übergabemoduls 21 geladen.
  • Im Aufdampfungsgerät 22 wird das Substrat G auf dem Haltetisch 102 in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) gehalten, dass die Oberfläche (Oberfläche mit ausgebildetem Film) des Substrats nach oben weist, und wird entlang des Übergabeweges L innerhalb der druckverminderten Bearbeitungskammer 100 überführt. Unterdessen wird innerhalb der Bearbeitungskammer 100 Dampf von Filmbildungsmaterialien aus jedem der Aufdampfungsköpfe 105 ausgelassen. Wie in 1B dargestellt, wird folglich die Lichtemissionsschicht 11 auf der oberen Oberfläche des Substrats G durch Ausbilden einer Lochtransportschicht, einer kein Licht emittierenden Schicht, einer blaues Licht emittierenden Schicht, einer rotes Licht emittierenden Schicht, einer grünes Licht emittierenden Schicht und einer Elektronentransportschicht der Reihe nach auf der oberen Oberfläche des Substrats G ausgebildet.
  • Das Substrat G mit der Lichtemissionsschicht 1 darauf im Aufdampfungsgerät 22 wird aus dem Aufdampfungsgerät 22 durch den Übergabearm 43, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 des zweiten Übergabemoduls 23 angeordnet ist, entladen und das Substrat G wird in das Aufdampfungsgerät 50 geladen.
  • Im Aufdampfungsgerät 50 wird das Substrat G auf dem Haltetisch 112 in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) gehalten, dass die Oberfläche (Oberfläche mit ausgebildetem Film) des Substrats nach oben weist, und wird entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung innerhalb der druckverminderten Bearbeitungskammer 110 überführt. Unterdessen wird innerhalb der Bearbeitungskammer 110 Dampf eines Filmbildungsmaterials wie z. B. Li aus dem Aufdampfungskopf 115 ausgelassen. Wie in 1C dargestellt, wird folglich die Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 auf der Lichtemissionsschicht 11 auf der oberen Oberfläche des Substrats G ausgebildet.
  • Das Substrat G mit der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 darauf in dem Aufdampfungsgerät 50 wird aus dem Aufdampfungsgerät 50 durch den Übergabearm 43, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 des zweiten Übergabemoduls 23 angeordnet ist, entladen und das Substrat G wird an den Durchgangstisch 45, der im Lagerbereich 42 innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 installiert ist, übergeben.
  • Das an den Durchgangstisch 45 übergebene Substrat G wird vom Durchgangstisch 45 durch den Übergabearm 44, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 installiert ist, entnommen und das Substrat G wird in die Maskenjustiervorrichtung 53 geladen.
  • In der Maskenjustiervorrichtung 53 wird die Maske M justiert und auf der oberen Oberfläche des Substrats G angeordnet. Als Beispiel wird die Maske M aus der Maskenlagerkammer 52 durch den Übergabearm 43, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 installiert ist, entladen und zum Durchgangstisch 45 übergeben, der im Lagerbereich 42 innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 installiert ist, und die Maske M wird vom Durchgangstisch 45 durch den Übergabearm 44 entnommen, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 installiert ist, und die Maske M wird in die Maskenjustiervorrichtung 53 geladen.
  • Das Substrat G, auf dem die Maske M justiert ist, wird aus der Maskenjustiervorrichtung 53 durch den Übergabearm 44 entnommen, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 installiert ist, und das Substrat G wird in das Sputtergerät 51 geladen.
  • Im Sputtergerät 51 wird das Substrat G auf dem Haltetisch 122 in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) gehalten, dass die Oberfläche (Oberfläche mit ausgebildetem Film) des Substrats nach oben weist, und wird entlang einer zum Übergabeweg L senkrechten Richtung innerhalb der druckverminderten Bearbeitungskammer 120 überführt. Innerhalb der Bearbeitungskammer 120 wird unterdessen eine Spannung zwischen den Targets 125 und den Masseelektroden 126 angelegt und ein Sputtergas wird von der Gaszufuhreinheit 129 zugeführt. Wie in 1D dargestellt, wird folglich die Kathodenschicht 13 auf der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 auf der oberen Oberfläche des Substrats G in einem vorbestimmten Muster durch ein Sputterverfahren unter Verwendung der Maske M ausgebildet.
  • Im Sputtergerät 51 wird ferner das Substrat G mit der Kathodenschicht 13 darauf aus dem Sputtergerät 51 durch den Übergabearm 44, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 innerhalb des zweiten Übergabemoduls 23 installiert ist, entladen und das Substrat G wird in die erste Durchgangskammer 24 geladen.
  • Dann wird das Substrat G aus der ersten Durchgangskammer 24 durch den im vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 des dritten Übergabemoduls 25 angeordneten Übergabearm 63 entladen und das Substrat G wird in das Ätzgerät 70 geladen.
  • Im Ätzgerät 70 wird das Substrat G auf dem Haltetisch 132 in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) gehalten, dass die Oberfläche (Oberfläche mit ausgebildetem Film) des Substrats innerhalb der druckverminderten Bearbeitungskammer 130 nach oben weist, während das Substrat G ist. Unterdessen wird eine Hochfrequenzleistung an den Haltetisch 132 von der Hochfrequenz-Leistungsversorgung 136 angelegt und ein Ätzgas wie z. B. N2/Ar wird von der Gaszufuhreinheit 137 in die Bearbeitungskammer 130 zugeführt. Wie in 1E dargestellt, werden folglich die Lichtemissionsschicht 11 und die Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 auf der oberen Oberfläche des Substrats G durch ein Plasma geätzt, während die Kathodenschicht 13 als Maske verwendet wird, so dass die Lichtemissionsschicht 11 und die Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 strukturiert werden.
  • Das Substrat G mit der strukturierten Lichtemissionsschicht 11 und der strukturierten Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 darauf wird aus dem Ätzgerät 70 durch den Übergabearm 63, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 des dritten Übergabemoduls 25 angeordnet ist, entladen und das Substrat G wird an den Durchgangstisch 65 übergeben, der im Lagerbereich 62 innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 installiert ist.
  • Dann wird das an den Durchgangstisch 65 übergebene Substrat G vom Durchgangstisch 65 durch den Übergabearm 64, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 installiert ist, entnommen und das Substrat G wird in die Maskenjustiervorrichtung 73 geladen.
  • In der Maskenjustiervorrichtung 73 wird die Maske M justiert und auf der oberen Oberfläche des Substrats G angeordnet. Als Beispiel wird die Maske M aus der Maskenlagerkammer 72 durch den Übergabearm 63, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 installiert ist, entladen und an den Durchgangstisch 65 übergeben, der im Lagerbereich 62 innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 installiert ist, und die Maske M wird vom Durchgangstisch 65 durch den Übergabearm 64, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 installiert ist, entnommen und die Maske M wird in die Maskenjustiervorrichtung 73 geladen.
  • Das Substrat G, auf dem die Maske M justiert ist, wird aus der Maskenjustiervorrichtung 73 durch den Übergabearm 64, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 innerhalb des dritten Übergabemoduls 25 installiert ist, entnommen und das Substrat G wird in das CVD-Gerät 71 geladen.
  • Im CVD-Gerät 71 wird das Substrat G auf dem Haltetisch 142 in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) gehalten, dass die Oberfläche (Oberfläche mit ausgebildetem Film) des Substrats innerhalb der druckverminderten Bearbeitungskammer 140 nach oben weist. Unterdessen wird innerhalb der Bearbeitungskammer 140 eine Mikrowelle von der Leistungsversorgung 146 an die Antenne 145 angelegt und ein Filmbildungsquellengas wird von der Gaszufuhreinheit 147 zugeführt. Wie in 1F dargestellt, wird folglich die Isolationsschutzschicht 14 auf der oberen Oberfläche des Substrats G strukturiert und ausgebildet, so dass sie Kanten der Lichtemissionsschicht 11, der Arbeitsfunktionseinstellschicht 12 und der Kathodenschicht 13 und einen Teil der Anodenschicht 10 bedeckt.
  • Das Substrat G mit darauf wird aus dem CVD-Gerät 71 durch den Übergabearm 64, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 des dritten Übergabemoduls 25 installiert ist, entladen und das Substrat G wird in die zweite Durchgangskammer 26 geladen.
  • Dann wird das Substrat G aus der zweiten Durchgangskammer 26 durch den Übergabearm 83, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 des vierten Übergabemoduls 27 angeordnet ist, entladen und das Substrat G wird in die Maskenjustiervorrichtung 92 geladen.
  • In der Maskenjustiervorrichtung 92 wird die Maske M justiert und auf der oberen Oberfläche des Substrats G angeordnet. Das Substrat G mit der justierten Maske M darauf wird aus der Maskenjustiervorrichtung 92 durch den Übergabearm 83, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 des vierten Übergabemoduls 27 angeordnet ist, entnommen und das Substrat G wird in das Sputtergerät 90 geladen.
  • Im Sputtergerät 90 wird das Substrat G auf dem Haltetisch 122 in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) gehalten, dass die Oberfläche (Oberfläche mit ausgebildetem Film) des Substrats nach oben weist, und wird entlang der zum Übergabeweg L senkrechten Richtung innerhalb der druckverminderten Bearbeitungskammer 120 überführt. Unterdessen wird innerhalb der Bearbeitungskammer 120 eine Spannung zwischen den Targets 125 und den Masseelektroden 126 angelegt und ein Sputtergas wird von der Gaszufuhreinheit 129 zugeführt. Wie in 1G dargestellt, wird folglich die leitende Schicht 15 auf der oberen Oberfläche des Substrats G in einem vorbestimmten Muster durch ein Sputterverfahren unter Verwendung der Maske M ausgebildet.
  • Dann wird das Substrat G mit der leitenden Schicht 15 darauf aus dem Sputtergerät 90 durch den Übergabearm 83, der im vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 des vierten Übergabemoduls 27 angeordnet ist, entladen und das Substrat G wird an den Durchgangstisch 85 übergeben, der im Lagerbereich 82 innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 installiert ist. Ferner dient der Durchgangstisch 85 als Maskenlagerkammer innerhalb des vierten Übergabemoduls 27.
  • Danach wird das an den Durchgangstisch 85 übergebene Substrat G vom Durchgangstisch 85 durch den Übergabearm 84, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 innerhalb des vierten Übergabemoduls 27 installiert ist, entnommen und das Substrat G wird in die Maskenjustiervorrichtung 93 geladen.
  • In der Maskenjustiervorrichtung 93 wird die Maske M justiert und auf der oberen Oberfläche des Substrats G angeordnet. Das Substrat G mit der justierten Maske M darauf wird aus der Maskenjustiervorrichtung 93 durch den Übergabearm 84, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 des vierten Übergabemoduls 27 angeordnet ist, entnommen und das Substrat G wird in das CVD-Gerät 91 geladen.
  • Im CVD-Gerät 91 wird das Substrat G auf dem Haltetisch 142 in einem Zustand (Zustand mit der Vorderseite nach oben) gehalten, dass die Oberfläche (Oberfläche mit ausgebildetem Film) des Substrats innerhalb der druckverminderten Bearbeitungskammer 140 nach oben weist. Unterdessen wird eine Mikrowelle von der Leistungsversorgung 146 innerhalb der Bearbeitungskammer 140 an die Antenne 145 angelegt und ein Filmbildungsquellengas wird von der Gaszufuhreinheit 147 zugeführt. Wie in 1H dargestellt, wird folglich die Isolationsschutzschicht 16 auf der oberen Oberfläche des Substrats G strukturiert und ausgebildet, so dass sie einen Teil der leitenden Schicht 15 bedeckt.
  • Dann wird das Substrat G mit der Schutzschicht 16 darauf aus dem CVD-Gerät 91 durch den Übergabearm 84, der im hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 des vierten Übergabemoduls 27 installiert ist, entladen und das Substrat G wird in den Entlader 28 übergeben. Die wie vorstehend beschrieben hergestellte organische EL-Vorrichtung wird durch den Entlader 28 zur Außenseite des Substratbearbeitungssystems 1 entladen.
  • Im Substratbearbeitungssystem 1 kann, da Feuchtigkeit in der Atmosphäre für eine organische EL-Vorrichtung unerwünscht ist, die organische EL-Vorrichtung in einem Vakuumzustand hergestellt werden, indem nacheinander verschiedene Filmausbildungsprozesse oder Ätzprozesse durchgeführt werden. In diesem Substratbearbeitungssystem 1 sind zwei Lade/Entlade-Bereiche (der vordere Lade/Entlade-Bereich 40 und der hintere Lade/Entlade-Bereich 41) und der Lagerbereich 42, der zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 angeordnet ist, im zweiten Übergabemodul 23 ausgebildet. In der Seitenfläche des zweiten Übergabemoduls 23 sind das Aufdampfungsgerät 50 und die Maskenlagerkammer 52 in Positionen verbunden, die dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 40 gegenüberliegen, und das Sputtergerät 51 und die Maskenjustiervorrichtung 53 sind in Positionen verbunden, die dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 41 gegenüberliegen. Aus diesem Grund ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 42 entspricht, zwischen dem Aufdampfungsgerät 50 und dem Sputtergerät 51 an der Querseite des zweiten Übergabemoduls 23 gebildet. Ebenso ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 42 entspricht, zwischen der Maskenlagerkammer 52 und der Maskenjustiervorrichtung 53 gebildet. Unter Verwendung dieser Spalte können beispielsweise ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess für das Aufdampfungsgerät 50 und das Sputtergerät 51 durchgeführt werden und ein Lade/Entlade-Prozess der Maske M, ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess für die Maskenlagerkammer 52 und die Maskenjustiervorrichtung 53 können auch durchgeführt werden.
  • Ebenso sind zwei Lade/Entlade-Bereiche (der vordere Lade/Entlade-Bereich 60 und der hintere Lade/Entlade-Bereich 61) und der Lagerbereich 62, der zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 angeordnet ist, im dritten Übergabemodul 25 ausgebildet. In der Seitenfläche des dritten Übergabemoduls 25 sind das Ätzgerät 70 und die Maskenlagerkammer 72 in Positionen verbunden, die dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 60 gegenüberliegen, und das CVD-Gerät 71 und die Maskenjustiervorrichtung 73 sind in Positionen verbunden, die dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 61 gegenüberliegen. Aus diesem Grund ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 62 entspricht, zwischen dem Ätzgerät 70 und dem CVD-Gerät 71 an der Querseite des dritten Übergabemoduls 25 gebildet. Ebenso ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 62 entspricht, zwischen der Maskenlagerkammer 72 und der Maskenjustiervorrichtung 73 gebildet. Unter Verwendung dieser Spalte können beispielsweise ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess für das Ätzgerät 70 und das CVD-Gerät 71 durchgeführt werden, und ein Lade/Entlade-Prozess der Maske M, ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess für die Maskenlagerkammer 72 und die Maskenjustiervorrichtung 73 können auch durchgeführt werden.
  • In derselben Weise, wie vorstehend angegeben, sind zwei Lade/Entlade-Bereiche (der vordere Lade/Entlade-Bereich 80 und der hintere Lade/Entlade-Bereich 81) und der Lagerbereich 82, der zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 angeordnet ist, im vierten Übergabemodul 27 ausgebildet. In der Seitenfläche des vierten Übergabemoduls 27 sind das Sputtergerät 80 und die Maskenjustiervorrichtung 92 in Positionen verbunden, die dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 80 gegenüberliegen, und das CVD-Gerät 91 und die Maskenjustiervorrichtung 93 sind in Positionen verbunden, die dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 81 gegenüberliegen. Aus diesem Grund ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 82 entspricht, zwischen dem Sputtergerät 90 und dem CVD-Gerät 91 an der Querseite des vierten Übergabemoduls 27 gebildet. Ebenso ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 82 entspricht, zwischen der Maskenjustiervorrichtung 92 und der Maskenjustiervorrichtung 93 gebildet. Unter Verwendung dieser Spalte können beispielsweise ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess für das Sputtergerät 90 und das CVD-Gerät 91 durchgeführt werden und ein Lade/Entlade-Prozess der Maske M, ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess für die Maskenjustiervorrichtung 92 und die Maskenjustiervorrichtung 93 können auch durchgeführt werden.
  • Da die Spalte zwischen verschiedenen Bearbeitungsgeräten, die mit den Seitenflächen der Übergabemodule 23, 25 und 27 verbunden sind, vergrößert werden können, weist dieses Substratbearbeitungssystem 1 eine hohe Wartungsfähigkeit auf.
  • Es wurde die Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erläutert, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf begrenzt. Für den Fachmann auf dem Gebiet ist klar, dass verschiedene Änderungen und Modifikationen vorgenommen werden können, ohne die technische Konzeption und wesentliche Merkmale der vorliegenden Erfindung zu andern, und selbstverständlich sind alle Modifikationen und Ausführungsformen, die aus der Bedeutung und dem Schutzbereich der Ansprüche und ihrer Äquivalente entworfen werden, in den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung eingeschlossen.
  • Als Beispiel wird im Substratbearbeitungssystem 1 zur Herstellung der organischen EL-Vorrichtung A, die in der obigen Ausführungsform beschrieben wurde, ein Abdichtungsfilm wie z. B. ein Nitridfilm auf der Oberfläche des Substrats sowie auf der Maske M, die im Sputterprozess verwendet wird, ausgebildet. Wenn eine auf der Maske M gebildete Ablagerung auf der Maske M bleibt, kann es eine Verunreinigung sein und kann einen schlechten Einfluss auf einen Filmausbildungsprozess haben. Aus diesem Grund muss die Maske M zu einem zweckmäßigen Zeitpunkt gereinigt werden, um die Ablagerung zu entfernen.
  • In einem Substratbearbeitungssystem 1, das in 8 dargestellt ist, ist folglich zusätzlich zu einer Maskenlagerkammer 52, die mit einer Seitenfläche eines zweiten Übergabemoduls 23 verbunden ist, ein Maskenreinigungsgerät 150 ferner über einen Absperrschieber 151 damit verbunden.
  • Wie in 9 dargestellt, umfasst ein Maskenreinigungsgerät 150 eine abgedichtete Bearbeitungskammer 155 und eine Maske M wird von der Maskenlagerkammer 52 über den Absperrschieber 151 in die Bearbeitungskammer 155 geladen. Ferner ist die Bearbeitungskammer 155 mit einer Reinigungsgaszufuhrleitung 157 zum Zuführen eines Reinigungsgases, das in einer Reinigungsgaserzeugungseinheit 156 aktiviert wird, verbunden. Die Reinigungsgaserzeugungseinheit 156 ist separat außerhalb der Bearbeitungskammer 155 vorgesehen und übernimmt ein Fernplasmaverfahren, in dem das Reinigungsgas, das durch Plasma in der Reinigungsgaserzeugungseinheit 156 aktiviert wird, in die Bearbeitungskammer 155 eingeführt wird.
  • Wie in 9 dargestellt, umfasst die Reinigungsgaserzeugungseinheit 156 eine Aktivierungskammer 160, eine Reinigungsgaszufuhrquelle 161 zum Zuführen des Reinigungsgases in die Aktivierungskammer 160 und eine Inertgaszufuhrquelle 162 zum Zuführen eines Inertgases in die Aktivierungskammer 160.
  • Nachstehend werden Beispiele der Aktivierungskammer 160 mit Bezug auf 10 und 11 erläutert. Außerhalb einer Aktivierungskammer 160, die in 10 dargestellt ist, sind Spulen 164, die eine Hochfrequenzleistung von einer Hochfrequenz-Leistungsversorgung 163 empfangen, installiert. Ferner ist die Aktivierungskammer 160 mit einer Auslassleitung 165 mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden, so dass das Innere der Aktivierungskammer 160 im Druck herabgesetzt wird. Die Aktivierungskammer 160, die in 10 dargestellt ist, wird mit dem Reinigungsgas und dem Inertgas von der Reinigungsgaszufuhrquelle 161 bzw. der Inertgaszufuhrquelle 162 beliefert und Hochfrequenzleistung, die von der Hochfrequenz-Leistungsversorgung 136 angelegt wird, tritt durch ein dielektrisches Element 169 hindurch, so dass ein Plasma mit hoher Dichte durch ein induktiv gekoppeltes Plasmaverfahren (ICP-Verfahren) erzeugt wird. In der Aktivierungskammer 160, die in 10 dargestellt ist, kann das Reinigungsgas unter Verwendung eines Abstromplasmaverfahrens aktiviert werden, so dass aktivierte Reste in die Maskenreinigungsvorrichtung 150 unter einer ungefähr normalen Temperatur eingeführt werden können. Daher kann eine Maske ohne Wärmeschädigung gereinigt werden.
  • In einer Aktivierungskammer 160, die in 11 dargestellt ist, wird eine durch einen Mikrowellengenerator 166 erzeugte Mikrowelle in die Aktivierungskammer 160 über einen Wellenleiter 167 und ein dielektrisches Element 169, das in einer Hornantenne 168 installiert ist, eingeführt. Die Aktivierungskammer 160 ist mit einer Auslassleitung 165 mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden, so dass das innere der Aktivierungskammer 160 im Druck herabgesetzt wird. Die in 11 dargestellte Aktivierungskammer 160 ist dazu konfiguriert, ein Plasma mit hoher Dichte durch Anregen eines Reinigungsgases, das von einer Reinigungsgaszufuhrquelle 161 zugeführt wird, und eines Inertgases, das von der Inertgaszufuhrquelle 162 zugeführt wird, durch Mikrowellenleistung innerhalb der Aktivierungskammer 160 zu erzeugen. In der in 11 dargestellten Aktivierungskammer 160 kann das Reinigungsgas unter Verwendung eines Abstromplasmaverfahrens aktiviert werden, so dass aktivierte Reste in das Maskenreinigungsgerät 150 unter einer ungefähr normalen Temperatur eingeführt werden können. Daher kann eine Maske ohne Wärmeschädigung gereinigt werden. Alternativ kann eine Schlitzantenne anstelle der Hornantenne 168 verwendet werden.
  • Die Reinigungsgaszufuhrquelle 161 führt ein Reinigungsgas, einschließlich irgendeines von einem Sauerstoffgas, einem Fluorgas, einem Chlorgas, einer Sauerstoffgasverbindung, einer Fluorgasverbindung, einer Chlorgasverbindung (beispielsweise O2, Cl, NF3, verdünntes F2, CF4, C2F6, C3F8, SF6 und ClF3), in die Aktivierungskammer 160 zu. Die Inertgaszufuhrquelle 162 führt ein Inertgas wie z. B. Ar oder He in die Aktivierungskammer 160 zu. In der Aktivierungskammer 160 werden das zugeführte Reinigungsgas und Inertgas durch ICP oder Plasma, das durch Mikrowellenleistunng erzeugt wird, aktiviert, so dass Sauerstoffreste, Fluorreste, Chlorreste und dergleichen erzeugt werden können. Das in der Aktivierungskammer 160 der Reinigungsgaserzeugungseinheit 156 aktivierte Reinigungsgas wird in die Bearbeitungskammer 155 über die Reinigungsgaszufuhrleitung 157 zugeführt. In dieser Weise übernimmt die Reinigungsgaserzeugungseinheit 156 ein so genanntes Fernplasmaverfahren, in dem das in der Aktivierungskammer 160 aktivierte Reinigungsgas über die Reinigungsgaszufuhrleitung 157 in die Bearbeitungskammer 155 zugeführt wird, während die Reinigungsgaserzeugungseinheit 156 von der Bearbeitungskammer 155 beabstandet ist.
  • Als Beispiel wird im Substratbearbeitungssystem 1, das in 8 dargestellt ist, eine Maske M, die für einen Sputterprozess im Sputtergerät 51 verwendet wird, zu irgendeinem Zeitpunkt unter Verwendung eines Reinigungsgases mit hoher Ätzeigenschaft mit aktivierten Sauerstoffresten innerhalb der Bearbeitungskammer 155 des Maskenreinigungsgeräts 150 gereinigt und folglich kann ein Filmausbildungsprozess in einem guten Zustand durchgeführt werden. In dieser Weise kann durch Durchführen einer so genannten Reinigung vor Ort eine Stilllegungszeit des Bearbeitungssystems 1 verringert werden und folglich kann die Herstellungseffizienz verbessert werden.
  • Es wurde ein Fall, in dem die Maskenlagerkammer 52, die mit der Seitenfläche des zweiten Übergabemoduls 23 verbunden ist, mit dem Maskenreinigungsgerät 150 verbunden ist, als repräsentatives Beispiel erläutert, aber dasselbe Maskenreinigungsgerät 150 kann mit dem Sputtergerät 51, der Maskenjustiervorrichtung 53, dem CVD-Gerät 71, der Maskenlagerkammer 72, der Maskenjustiervorrichtung 73, dem Sputtergerät 90, dem CVD-Gerät 91, der Maskenjustiervorrichtung 92, der Maskenjustiervorrichtung 93 oder dergleichen verbunden sein. Alternativ kann dasselbe Maskenreinigungsgerät 150 mit der Seitenfläche des zweiten Übergabemoduls 23, des dritten Übergabemoduls 25 oder des vierten Übergabemoduls 27 verbunden sein.
  • Wenn die Maske M in dem Maskenreinigungsgerät 150 gereinigt wird, wird O2/Ar mit etwa 2000 sccm bis etwa 10000 sccm/etwa 4000 sccm bis etwa 10000 sccm (beispielsweise O2/Ar mit etwa 2000 sccm/etwa 6000 sccm) in die Bearbeitungskammer 155, beispielsweise in die Reinigungsgaserzeugungseinheit 161 zugeführt und ein Innendruck der Bearbeitungskammer 155 wird so eingestellt, dass er im Bereich von etwa 2,5 Torr bis etwa 8 Torr liegt. Ferner kann eine kleine Menge an N2 als Zusatzgas hinzugefügt werden.
  • 2 zeigt ein Beispiel, in dem der gerade Übergabeweg L durch Anordnen des Laders 20, des ersten Übergabemoduls 21, des Aufdampfungsgeräts 22 für die Lichtemissionsschicht 11, des zweiten Übergabemoduls 23, der ersten Durchgangskammer 24, des dritten Übergabemoduls 25, der zweiten Durchgangskammer 26, des vierten Übergabemoduls 27 und des Entladers 28 in einer einzelnen Reihe gebildet ist. Wie in einem Bearbeitungssystem 1 von 12 gezeigt, können jedoch gerade Übergabewege L in zwei Reihen gebildet sein. In dem in 12 dargestellten Bearbeitungssystem 1 ist zwischen den zwei Übergabewegen L eine neue Maskenlagerkammer 170 zwischen ersten Übergabemodulen 21 installiert, aber eine Maskenlagerkammer 52 und eine Maskenjustiervorrichtung 53 werden zwischen den zweiten Übergabemodulen 23 geteilt, eine Maskenlagerkammer 72 und eine Maskenjustiervorrichtung 73 werden zwischen dritten Übergabemodulen 25 geteilt und Maskenjustiervorrichtungen 92 und 93 werden zwischen vierten Übergabemodulen 27 geteilt. In dieser Weise kennen Übergabewege L in mehreren Reihen gebildet werden.
  • Wenn Übergabewege L in mehreren Reihen gebildet sind, wie in 13 dargestellt, kann ein Substrat G zwischen den Übergabewegen L in einem ersten Übergabemodul 21, einem zweiten Übergabemodul 23, einem dritten Übergabemodul 25 und einem vierten Übergabemodul 27 übergeben werden.
  • Ferner kann ein Übergabearm, der entlang eines Übergabeweges L beweglich ist, innerhalb eines Übergabemoduls installiert sein. 14A bis 14C zeigen ein Beispiel, in dem ein vorderer Lade/Entlade-Bereich 201, ein hinterer Lade/Entlade-Bereich 202 und ein Lagerbereich 203 zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 201 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 202 innerhalb eines Übergabemoduls 200 ausgebildet sind. Ein Übergabearm 205 kann sich im vorderen Lade/Entlade-Bereich 201, im Lagerbereich 203 und im hinteren Lade/Entlade-Bereich 202 bewegen. Gemäß dem in 14A bis 14C dargestellten Beispiel bewegt sich der Übergabearm 205, wie in 14A dargestellt, zum vorderen Lade/Entlade-Bereich 201 und der Übergabearm 205 lädt und entlädt ein Substrat G in Bezug auf jedes Bearbeitungsgerät, das mit Seitenflächen des Übergabemoduls 200 verbunden ist. Wie in 14B dargestellt, bewegt sich der Übergabearm 205 ferner zum Lagerbereich 203 und der Übergabearm 205 hält das Substrat G zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 201 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 202. Wie in 14C dargestellt, bewegt sich der Übergabearm 205 ferner zum hinteren Lade/Entlade-Bereich 202 und der Übergabearm 205 lädt und entlädt das Substrat G in Bezug auf jedes Bearbeitungsgerät, das mit Seitenflächen des Übergabemoduls 200 verbunden ist.
  • In dem in 14A bis 14C dargestellten Übergabemodul 200 ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 203 entspricht, zwischen den Bearbeitungsgeräten an jeder Seitenfläche des Übergabemoduls 200 gebildet. Unter Verwendung der Spalte können beispielsweise ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess jedes Bearbeitungsgeräts durchgeführt werden, und ein Lade/Entlade-Prozess einer Maske M, ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess können auch durchgeführt werden, so dass die Wartungsfähigkeit verbessert werden kann. Im Übergabemodul 200, das in 14A bis 14C dargestellt ist, kann eine Anzahl der Übergabearme 205 verringert werden, so dass ein kostengünstiges Gerät bereitgestellt werden kann.
  • 2 zeigt ein Beispiel, in dem jedes des zweiten Übergabemoduls 23, des dritten Übergabemoduls 25 und des vierten Übergabemoduls 27 den vorderen Lade/Entlade-Bereich 40, 60 oder 80, den hinteren Lade/Entlade-Bereich 41, 61 oder 81 und den Lagerbereich 42, 62 oder 82, die in Reihe als eine Einheit angeordnet sind, umfasst, aber eine Konfiguration des Übergabemoduls der vorliegenden Erfindung ist nicht auf das in 2 gezeigte Beispiel begrenzt. Als Beispiel kann das Übergabemodul eine Mehrzahl von Lade/Entlade-Bereichen und einen oder mehrere Lagerbereiche, die über Absperrschieber miteinander verbunden sind, umfassen. Ein Druck innerhalb jedes der Lade/Entlade-Bereiche und jedes der Lagerbereiche im Übergabemodul kann unabhängig gesteuert werden.
  • 15 zeigt ein weiteres Beispiel, in dem ein Übergabemodul 220 einen vorderen Lade/Entlade-Bereich 221, einen Lagerbereich 222 und einen hinteren Lade/Entlade-Bereich 223 umfasst, die der Reihe nach entlang eines Übergabeweges L angeordnet sind, und jeder Absperrschieber 225 und 226 zwischen jedem der Lade/Entlade-Bereiche 221 und 223 und dem Lagerbereich 222 installiert ist. Hier kann ein Druck innerhalb jedes der Lade/Entlade-Bereiche 221 und 223 und des Lagerbereichs 222 unabhängig gesteuert werden. Obwohl eine Mehrzahl von Übergabemodulen in einem Substratbearbeitungssystem angeordnet ist, wird weiterhin eines von ihnen als Beispiel erläutert.
  • Wie in 15 dargestellt, sind der vordere Lade/Entlade-Bereich 221 und der Lagerbereich 222 über den Absperrschieber 225 miteinander verbunden und der Lagerbereich 222 und der hintere Lade/Entlade-Bereich 223 sind über den Absperrschieber 226 miteinander verbunden. Ferner ist ein Übergabearm 228 innerhalb des vorderen Lade/Entlade-Bereichs installiert und ein Übergabearm 229 ist innerhalb des hinteren Lade/Entlade-Bereichs installiert. Ein Substrat G kann zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 221 und dem Lagerbereich 222 über den Absperrschieber 225 und zwischen dem Lagerbereich 222 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 223 über den Absperrschieber 226 übergeben werden. Verschiedene Bearbeitungsgeräte, die nicht dargestellt sind, wie z. B. ein Aufdampfungsgerät, sind mit Seitenflächen des vorderen Lade/Entlade-Bereichs 221 und des hinteren Lade/Entlade-Bereichs 223 über Absperrschieber verbunden und das Substrat G kann zwischen dem Übergabemodul 220 und jedem der Bearbeitungsgeräte durch die Übergabearme 228 und 229 übergeben werden.
  • In derselben Weise wie die vorstehend beschriebene Ausführungsform ist ein Spalt, der dem Lagerbereich 222 entspricht, zwischen den Bearbeitungsgeräten an jeder Seitenfläche des in 15 dargestellten Übergabemoduls 220 gebildet. Unter Verwendung der Spalte können beispielsweise ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess für jedes Bearbeitungsgerät durchgeführt werden und ein Lade/Entlade-Prozess einer Maske M, ein Reinigungsprozess und ein Reparaturprozess können auch durchgeführt werden, so dass die Wartungsfähigkeit verbessert werden kann.
  • Da die Absperrschieber 225 und 226 zwischen jedem der Lade/Entlade-Bereiche 221 und 223 und dem Lagerbereich 222 installiert sind, kann der Druck innerhalb jedes der Lade/Entlade-Bereiche 221 und 223 und des Lagerbereichs 222 unabhängig gesteuert werden. Aus diesem Grund wird, wenn das Substrat G zwischen jedem der Lade/Entlade-Bereiche 221 und 223 und jedem der nicht dargestellten Bearbeitungsgeräte, die mit Seitenflächen davon verbunden sind, geladen und entladen wird, eine Drucksteuerung (Steuerung eines Innendrucks zwischen Geräten, von/zu denen sich das Substrat bewegt) effizient ausgeführt und der Durchsatz des Substratbearbeitungssystems kann verbessert werden. Dies liegt daran, dass in 2 ein Volumen, dessen Druck während einer Übergabe eines Substrats gesteuert werden muss, das ganze Übergabemodul ist, wohingegen in 15 eine Drucksteuerung in Bezug auf ein Volumen von jedem Lade/Entlade-Bereich ausgeführt werden kann, da ein Innendruck jedes Lade/Entlade-Bereichs unabhängig mit einem Absperrschieber gesteuert werden kann, und folglich wird eine Zeit für die Drucksteuerung erheblich verringert. insbesondere ist im Fall der Herstellung einer in letzter Zeit verlangten großdimensionierten Platte (beispielsweise Größe G6: 1500 mm × 1800 mm oder mehr) für ein Fernsehgerät oder dergleichen ein Volumen des Übergabemoduls, in dem eine Übergabe und eine Drucksteuerung ausgeführt werden, groß und folglich dauert es eine sehr lange Zeit, um einen Druck des Übergabemoduls zu steuern, was zu einer Verringerung der Produktivität oder des Durchsatzes führt. Da jedoch, wie vorstehend beschrieben, eine Drucksteuerung in Bezug auf ein Volumen von jedem Lade/Entlade-Bereich ausgeführt wird, ist es möglich, eine Verringerung der Produktivität oder des Durchsatzes zu verhindern, selbst wenn ein großdimensioniertes Substrat bearbeitet wird, und es ist möglich, einen Prozess am Substrat unter einer zweckmäßigen Bedingung durchzuführen.
  • Ferner können die Innendrücke des vorderen Lade/Entlade-Bereichs 221 und des hinteren Lade/Entlade-Bereichs 223 in Abhängigkeit von einer Art eines Bearbeitungsgeräts, das mit einer Seitenfläche von jedem der Lade/Entlade-Bereiche verbunden ist, variieren. Wenn das Substrat G zwischen dem vorderen Lade/Entlade-Bereich 221 und dem hinteren Lade/Entlade-Bereich 223 mit verschiedenen Innendrücken übergeben wird, wird eine Drucksteuerung nur im Lagerbereich 222 ausgeführt und folglich kann eine Änderung des Innendrucks jedes Lade/Entlade-Bereichs minimiert werden. Daher kann eine Zeit für die Drucksteuerung verringert werden, und eine Zeit, während der eine Substratübergabe oder ein Filmausbildungsprozess nicht durchgeführt werden kann, kann verkürzt werden, und folglich kann der Durchsatz des ganzen Systems verbessert werden. Im Fall der Verwendung eines Bearbeitungsgeräts unter einem Atmosphärendruck ist insbesondere eine effiziente Steuerung eines Drucks zwischen einem Atmosphärendruck und einem ungefähren Vakuumdruck sehr nützlich. Das heißt, ein Problem besteht darin, dass eine Zeit für eine Drucksteuerung für jedes Übergabemodul sehr ungleichmäßig ist, aber es kann gelöst werden und eine Verringerung der Produktivität kann verhindert werden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde für das Beispiel der Herstellung der organischen EL-Vorrichtung A erläutert, aber die vorliegende Erfindung kann auch auf ein Substratbearbeitungssystem für verschiedene elektronische Vorrichtungen angewendet werden. Das Substrat G als zu verarbeitendes Zielobjekt kann verschiedene Substrate wie z. B. ein Glassubstrat, ein Siliziumsubstrat und ein quadratförmiges oder ringförmiges Substrat sein. Ferner kann das Substrat G ein anderes Zielobjekt als ein Substrat sein. Weiterhin kann eine Anzahl oder Anordnung von jedem Bearbeitungsgerät willkürlich geändert werden.
  • [Industrielle Anwendbarkeit]
  • Die vorliegende Erfindung kann auf ein Substratbearbeitungssystem zur Herstellung beispielsweise einer organischen EL-Vorrichtung angewendet werden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2007-335203 [0005]

Claims (15)

  1. Substratbearbeitungssystem zum Bearbeiten eines Substrats, das umfasst: mindestens ein Übergabemodul, das so konfiguriert ist, dass es entleerbar ist, und entlang eines geraden Übergabeweges angeordnet ist, wobei das Übergabemodul mehrere Lade/Entlade-Bereiche, wovon jeder dazu konfiguriert ist, das Substrat in Bezug auf ein Bearbeitungsgerät zu laden/entladen, und mindestens einen Lagerbereich, der zwischen den Lade/Entlade-Bereichen angeordnet ist, umfasst, und das Bearbeitungsgerät mit einer Seitenfläche des Lade/Entlade-Bereichs verbunden ist.
  2. Substratbearbeitungssystem nach Anspruch 1, wobei das Übergabemodul eine sechsflächige Struktur aufweist, von der eine Längsrichtung entlang des Übergabeweges angeordnet ist.
  3. Substratbearbeitungssystem nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei im Übergabemodul die mehreren Lade/Entlade-Bereiche mit dem mindestens einen Lagerbereich über Absperrschieber verbunden sind.
  4. Substratbearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei ein Übergabearm in jedem der Lade/Entlade-Bereiche installiert ist und ein Durchgangstisch des Substrats im Lagerbereich innerhalb des Übergabemoduls installiert ist.
  5. Substratbearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei ein Übergabearm, der so konfiguriert ist, dass er zwischen jedem der Lade/Entlade-Bereiche und dem Lagerbereich beweglich ist, innerhalb des Übergabemoduls installiert ist.
  6. Substratbearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das mindestens eine Übergabemodul mehrfach vorhanden ist, und eine entleerbare Durchgangskammer zwischen den Übergabemodulen installiert ist.
  7. Substratbearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei ein Filmausbildungsprozess an einer oberen Oberfläche des Substrats in einem Zustand mit der Vorderseite nach oben durchgeführt wird.
  8. Substratbearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei eine Maskenjustiervorrichtung, die dazu konfiguriert ist, eine Maske mit einem vorbestimmten Muster auf dem Substrat anzuordnen, mit einer Seitenfläche des Übergabemoduls verbunden ist.
  9. Substratbearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 8, das ferner umfasst: ein Maskenreinigungsgerät, das dazu konfiguriert ist, eine zur Bearbeitung des Substrats verwendete Maske zu reinigen.
  10. Substratbearbeitungssystem nach Anspruch 9, wobei das Maskenreinigungsgerät eine Reinigungsgaserzeugungseinheit umfasst, die dazu konfiguriert ist, ein Reinigungsgas durch Plasma zu aktivieren.
  11. Substratbearbeitungssystem nach Anspruch 9, wobei das Maskenreinigungsgerät eine Bearbeitungskammer, die dazu konfiguriert ist, die Maske aufzunehmen, und eine Reinigungsgaserzeugungseinheit, die von der Bearbeitungskammer beabstandet ist, umfasst, und ein durch Plasma in der Reinigungsgaserzeugungseinheit aktiviertes Reinigungsgas in die Bearbeitungskammer unter Verwendung eines Fernplasmaverfahrens eingeführt wird.
  12. Substratbearbeitungssystem nach Anspruch 11, wobei die Reinigungsgaserzeugungseinheit dazu konfiguriert ist, das Reinigungsgas unter Verwendung eines Abstromplasmaverfahrens zu aktivieren.
  13. Substratbearbeitungssystem nach Anspruch 11 oder Anspruch 12, wobei die Reinigungsgaserzeugungseinheit dazu konfiguriert ist, ein Plasma mit hoher Dichte unter Verwendung eines induktiv gekoppelten Plasmaverfahrens zu erzeugen.
  14. Substratbearbeitungssystem nach Anspruch 11 oder Anspruch 12, wobei die Reinigungsgaserzeugungseinheit dazu konfiguriert ist, ein Plasma mit hoher Dichte mit Mikrowellenleistung zu erzeugen.
  15. Substratbearbeitungssystem nach einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei das Reinigungsgas jeden beliebigen von einem Sauerstoffrest, einem Flurrest und einem Chlorrest umfasst.
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