DE112008000727B4

DE112008000727B4 - Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleitersubstrats für die Oberflächenbestückung

Info

Publication number: DE112008000727B4
Application number: DE112008000727.6T
Authority: DE
Inventors: Takashi Yoshino
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2007-03-22
Filing date: 2008-03-13
Publication date: 2021-08-26
Anticipated expiration: 2028-03-14
Also published as: US20100000664A1; JPWO2008126653A1; JP5309016B2; WO2008126653A1; DE112008000727T5; US8062449B2

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleitersubstrates für die Oberflächenbestückung, mit den Schritten:einem Mantelschichtausbildungsschritt zur Bereitstellung einer Mantelschicht (7) auf einem Grundkörper (6) mit einem Material für einen optischen Wellenleiter;einem Grabenausbildungsschritt zur Ausbildung eines Grabens (8) in dem Grundkörper (6) und der Mantelschicht (7);einem Verbindungsschritt zum Verbinden des Grundkörpers (6) und der Mantelschicht (7) mit einem Stützsubstrat (1), wobei die Mantelschicht (7) auf der Seite des Stützsubstrates (1) angeordnet ist; undeinem Ausdünnungsschritt zum Bearbeiten und dünn Machen des Grundkörpers (6) zur Ausbildung einer dünnen Platte (30), so dass der Graben (8) durch die dünne Platte (30) hindurchdringt,wobei der optische Wellenleiter in dem Grundkörper (6) oder der dünnen Platte (30) durch ein inneres Diffusionsverfahren oder einen Protonaustauschvorgang gebildet wird; undeine Endfläche (8a, 8c) des optischen Wellenleiters auf der Grabenseite in Kontakt mit einem Lichtabsorptionsmaterial oder einem Lichtreflexionsmaterial (9) zur Ausbildung eines Reflexionsspiegels steht.

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleitersubstrats für die Oberflächenbestückung.
STAND DER TECHNIK
In letzter Zeit wurde bei der Entwicklung für Informationskommunikationsgeräte die mangelnde Kapazität von Signalleitungen innerhalb eines derartigen Gerätes problematisch. Zur Lösung dieses Problems wurde das Ersetzen eines Teils der elektrischen Verschaltung aus Kupfer bei der gedruckten Schaltplatine innerhalb des Gerätes durch einen optischen Wellenleiter sowie die Verwendung von optischen Signalen anstelle von elektrischen Signalen in Betracht gezogen. Da eine hochdichte optische Verschaltung in einem begrenzten Raum aufgenommen werden muss, wird bei dem Gerät folgendes untersucht. Das heißt, es wird auf dieselbe Weise wie bei integrierten Schaltkreisen und Multi-Chip-Modulen ein photoelektrisches Element wie etwa eine Laserdiode oder Fotodiode auf einer Oberfläche eines Substrates angebracht, und optische Leiterbahnschichten werden auf demselben Substrat wie das elektrische Leiterbahnsubstrat gestapelt. Ein derartiges optisches Schaltungssubstrat zur Oberflächenbestückung ist beispielsweise in den Druckschriften JP H05 - 72 429 A sowie JP 2004 - 94 070 A offenbart.
Bei einem optisch-elektrischen Leiterbahnsubstrat, bei dem ein optischer Wellenleiter auf demselben Substrat wie eine elektrische Leiterbahn gestapelt ist, kann eine hochdichte Bestückung erzielt werden. Damit jedoch ein optischer Wellenleiter mit einem photoelektrischen Element wie etwa einer Laserdiode oder einer Fotodiode optisch verbunden werden kann, ist eine Schalttechnologie zum Schalten eines optischen Pfades des optischen Wellenleiters um einen Winkel von 90 Grad erforderlich.
In der Druckschrift JP H05 - 34 526 A wird beispielsweise gemäß 1 ein sich von einer Oberfläche 3a zu einer inneren Seite hin erstreckender Graben 4 durch eine abtragende Bearbeitung und Ätzen in einem Substrat ausgebildet, in dem ein optischer Wellenleiter 2 ausgebildet ist. Dieser Graben 4 wird um 45 Grad bezüglich der Substratoberfläche 3a schräg ausgebildet. Folglich ist eine Endfläche des optischen Wellenleiters 2 dem Graben 4 zugewandt, und ein optischer Reflexionsspiegel ist auf der anderen Endfläche des optischen Wellenleiters 2 ausgebildet. Durch den optischen Wellenleiter 2 ausbreitendes Licht A wird durch eine Wandoberfläche 4a des Grabens 4 reflektiert, nämlich durch den optischen Reflexionsspiegel, und breitet sich zu der Oberfläche 3a des Substrats hin aus, um in ein photoelektrisches Element 5 auf der Substratoberfläche einzudringen.
Relevanter Stand der Technik wird auch in US 7 163 598 B2 , JP 2004 - 258 066 A , US 4 163 953 A und Nicht-Patent Literatur „Integrierte Optik SS 2006" Vorlesungsskript, Institut für Physik und Physikalische Technologien der TU Clausthal Mai 2006 offenbart.
ERFINDUNGSOFFENBARUNG
Da jedoch bei einem derartigen Reflexionsspiegel das optische Reflexionsvermögen des Reflexionsspiegels durch den Brechungsindex des optischen Wellenleiters bestimmt ist, dringt ein bedeutender Lichtanteil in einen Hohlraum 4 ein, wie es durch den Pfeil C angegeben ist, läuft geradeaus weiter, wird durch die andere Wandoberfläche 4b des Hohlraums 4 reflektiert, läuft nach oben, und dringt in das Element 5 ein. Die Menge des durch diesen Pfeil C angegebenen Einfallslichts wird durch den effektiven Brechungsindex des optischen Wellenleiters bestimmt, und kann daher nicht unter ein bestimmtes Niveau reduziert werden. Folglich ist es unvermeidlich, dass eine bedeutende Lichtmenge über einen vom Ziel verschiedenen Pfad in das Element 5 eindringt, wie es durch den Pfeil D angegeben ist. Folglich dringt ein optisches Signal mit einer Zeitverzögerung in das Element 5 gemäß dem Pfeil D ein, und das verzögerte Signal wird dem ursprünglichen Signal überlagert, was Rauschen verursacht.
Der vorliegenden Erfindung liegt demzufolge die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Rauschvermeidung aufgrund von der mehrfachen Reflexion von Licht, das ein Reflexionsspiegel überträgt, sowie zur Verbesserung der Produktivität bei der Herstellung des Reflexionsspiegels eines optischen Schaltungssubstrats zur Oberflächenbestückung bereitzustellen.
Das erfindungsgemäße Verfahren wird in Patentanspruch 1 definiert.
Erfindungsgemäß wird der Graben in dem Grundkörper und der Mantelschicht ausgebildet, und nachfolgend werden der Grundkörper und die Mantelschicht mit dem Stützsubstrat verbunden. Der Grundkörper wird durch Bearbeitung zur Ausbildung des optischen Wellenleiters dünn gemacht, und gleichzeitig wird ermöglicht, dass der Graben durch die dünne Platte hindurch dringt. Zudem wird eine Endfläche der Grabenseite des optischen Wellenleiters in Kontakt mit einem Lichtabsorptionsmaterial oder einem Lichtreflexionsmaterial gebracht, um dadurch einen Reflexionsspiegel auszubilden. Im Einzelnen wird der Graben nicht als solcher als Reflexionsspiegel verwendet, und nachdem einmal der Graben in dem Grundkörper ausgebildet ist, wird der Grundkörper an das Stützsubstrat angehaftet, und der Grundkörper wird durch Bearbeitung von der Seite gegenüber dem Graben zur Ausbildung der dünnen Platte dünn gemacht. Gleichzeitig wird ermöglicht, dass der Graben durch die dünne Platte hindurch dringt, wodurch der Reflexionsspiegel auf der Wandoberfläche des Grabens ausgebildet wird.
Gemäß dem vorstehend beschriebenen Verfahren kann der Reflexionsspiegel leicht mit hoher Produktivität ausgebildet werden. Da zudem die mehrfache Reflexion aufgrund des von dem Reflexionsspiegel übertragenen Lichts vermieden werden kann, kann dadurch ein Rauschen im photoelektrischen Element verhindert werden.
Figurenliste

1 zeigt eine Schnittansicht von einem optischen Wellenleitersubstrat für die Oberflächenbestückung gemäß einem bekannten Beispiel.
2 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung eines Zustands, bei dem ein optischer Wellenleiter 10 und eine Mantelschicht 7 auf einem Grundkörper 6 ausgebildet sind.
3 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung eines Zustands, bei dem in dem Grundkörper nach 2 ein Graben 8 ausgebildet ist.
4 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung eines Zustands, bei dem eine Schicht 9 aus einem Lichtabsorptionsmaterial oder einem Lichtreflexionsmaterial auf einer dem Graben 8 zugewandten Wandoberfläche ausgebildet ist.
5 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung eines Zustands, bei dem der Grundkörper nach 4 mit einem Stützsubstrat 1 verbunden ist.
6 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung eines Zustands, bei dem der Grundkörper nach 5 durch Bearbeitung dünn gemacht ist.
7 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung eines Zustands, bei dem ein Graben 12 mit einem Material 16 mit einer geringen dielektrischen Konstante gefüllt ist.
8 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung eines Zustands, bei dem der Graben 12 mit einem Lichtabsorptionsmaterial oder einem Lichtreflexionsmaterial 26 gefüllt ist.

BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSBEISPIELE DER ERFINDUNG
Die Erfindung ist nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung näher beschrieben.
Erfindungsgemäß wird zunächst eine Mantelschicht auf einem Grundkörper aus einem Material für einen optischen Wellenleiter ausgebildet (Mantelschichtausbildungsvorgang). Bei dem Beispiel nach 2 wird beispielsweise eine Mantelschicht 7 auf dem Grundkörper 6 ausgebildet. Dabei kann ein optischer Wellenleiter 10 in dem Grundkörper 6 ausgebildet werden. Als Verfahren zur Ausbildung des optischen Wellenleiters kann ein Diffusionsverfahren wie etwa ein Titandiffusionsvorgang und ein Protonaustauschvorgang verwendet werden. Alternativ wird der optische Wellenleiter nicht bei diesem Schritt ausgebildet, sondern kann durch den nachstehend angeführten Ausdünnungsvorgang ausgebildet werden. Nach Erzeugen der dünnen Platte kann zudem der optische Wellenleiter innerhalb der dünnen Platte ausgebildet werden.
Die Materialart zur Bildung eines optischen Wellenleitersubstrats ist nicht beschränkt; aber Lithiumniobat (LiNbO₃), Lithiumtantalat (LiTaO₃), eine Festkörperlösung aus Lithiumniobat und Lithiumtantalat oder ein K₃Li₂Nb₅O₁₅-Einkristall sind besonders bevorzugte Beispiele.
Zur weiteren Verbesserung der optischen Schadensbeständigkeit eines dreidimensionalen optischen Wellenleiters können eines oder mehrere metallische Elemente aus der aus Magnesium (Mg), Zink (Zn), Scandium (Sc) und Indium (In) bestehenden Gruppe in einem ferroelektrischen Einkristall enthalten sein, wobei Magnesium besonders bevorzugt ist. Unter dem Gesichtspunkt der Tatsache, dass die Polarisationsinversionseigenschaften (Bedingungen) geklärt sind, wird Magnesium besonders bevorzugt einem Lithiumniobateinkristall, einer Festkörperlösung aus einem Lithiumniobat-Lithiumtantalat-Einkristall bzw. einem Lithiumtantalateinkristall hinzugefügt. In dem ferroelektrischen Einkristall kann ein Element der Seltenen Erden als Dotierstoff enthalten sein. Dieses Element der Seltenen Erden wirkt als additives Element zur Laseroszillation. Als das Element der Seltenen Erden ist Nd, Er, Tm, Ho, Dy und Pr besonders bevorzugt.
Als Material für die Mantelschicht können beispielhaft SiO₂, Ta₂O₅ und Al₂O₃ genannt werden.
Danach wird ein Graben in dem Grundkörper und der Mantelschicht ausgebildet. Bei diesem Schritt ist die Form des Grabens nicht beschränkt. Es ist jedoch bevorzugt, dass die Form des Grabens zur Kontaktierung eines Lichtabsorptionsmaterials oder eines Lichtreflexionsmaterials mit zumindest einer dem Graben zugewandten Wandoberfläche geeignet ist. Unter dem vorstehend genannten Gesichtspunkt weist der Graben vorzugsweise eine erste geneigte Ebene, die von einer vertikalen Oberfläche in eine Richtung geneigt ist, sowie eine zweite geneigte Ebene auf, die in eine Richtung geneigt ist, die entgegengesetzt zu der Neigungsrichtung der ersten geneigten Ebene gegenüber einer vertikalen Oberfläche ist.
Beispielsweise gemäß 3 ist der Graben 8 in der Mantelschicht 7 und dem Substrat 6 ausgebildet. Der Graben 8 weist eine erste geneigte Ebene 8a auf, die von einer vertikalen Oberfläche V in eine Richtung geneigt ist, sowie eine zweite geneigte Ebene 8c, die in eine Richtung geneigt ist, die entgegengesetzt zu der der ersten geneigten Ebene 8a bezüglich der vertikalen Oberfläche V ist. Bei diesem Beispiel ist eine flache Grundoberfläche 8b zwischen den geneigten Ebenen 8a und 8c ausgebildet. Durch Verwendung der vorstehend beschriebenen Form kann das Lichtabsorptionsmaterial oder das Lichtreflexionsmaterial mit den jeweiligen geneigten Ebenen leicht in Kontakt gebracht werden. Genauer kann eine Schicht aus diesen Materialien relativ leicht ausgebildet werden, oder der Graben kann mit diesen Materialien relativ leicht gefüllt werden.
Unter dem vorstehend beschriebenen Gesichtspunkt betragen die jeweiligen Winkel θ1 und θ2 zwischen der vertikalen Oberfläche V und den jeweiligen geneigten Ebenen 8a und 8c vorzugsweise von 20 bis 70 Grad und noch bevorzugter von 30 bis 60 Grad. Das Verfahren zur Ausbildung des Grabens ist nicht besonders beschränkt, aber Nassätzen, Trockenätzen, Ionenmahlen, Laserabtragung und Schleifen können beispielhaft genannt werden.
Danach kann die Schicht aus dem Lichtabsorptionsmaterial oder dem Lichtreflexionsmaterial auf der Wandoberfläche des Grabens ausgebildet werden. Gemäß 4 kann beispielsweise die Schicht 9 so ausgebildet werden, dass sie die geneigten Ebenen 8a und 8c und die dem Graben 8 zugewandte Grundoberfläche 8b bedecken. Das Verfahren zur Ausbildung der Schicht ist nicht besonders beschränkt, aber ein chemisches Gasphasenabscheideverfahren, ein Zerstäubungsverfahren und ein Vakuumabscheideverfahren können beispielhaft genannt werden.
Sodann werden der Grundkörper und die Mantelschicht mit dem Stützsubstrat verbunden, und die Mantelschicht wird dann auf der Seite des Stützsubstrates angeordnet. Bei dem Beispiel nach 5 werden beispielsweise der Grundkörper 6 und die Mantelschicht 7 mit dem Stützsubstrat 1 verbunden. Eine Verbindungsschicht ist in der Zeichnung nicht dargestellt. Zu diesem Zeitpunkt muss die Mantelschicht 7 auf der Seite des Stützsubstrates 1 angeordnet sein. Das Material für das Stützsubstrat muss hoch isolierende Eigenschaften, einen homogenen spezifischen Volumenwiderstand im Material und eine vorbestimmte mechanische Festigkeit aufweisen. Für das vorstehend beschriebene Material können Silizium, Saphir, Quarz und Glas beispielhaft genannt werden.
Das Verfahren zum Verbinden des Grundkörpers und des Stützsubstrates ist nicht besonders beschränkt. Beim Verbinden des Grundkörpers und des Stützsubstrates ist das Material des Haftmittels nicht besonders beschränkt, aber ein Material zum Ultraviolettausheilen, zum Wärmeaushärten und ein kombinierter Typ wie etwa Acrylharz oder Epoxydharz können beispielhaft genannt werden.
Dann wird der Grundkörper durch eine Bearbeitung zur Ausbildung einer dünnen Platte dünn gemacht. Wie beispielsweise in 6 gezeigt ist, wird der Grundkörper durch Bearbeitung zur Ausbildung einer dünnen Platte 30 dünn gemacht. Bei dem Beispiel wird der optische Wellenleiter auf der Stufe des Grundkörpers ausgebildet, und dieser optische Wellenleiter verbleibt innerhalb der dünnen Platte zur Ausbildung von scheibenartigen optischen Wellenleitern 13A und 13B. Dieser scheibenartige optische Wellenleiter kann weiter gezahnt werden, um einen kanalartigen optischen Wellenleiter auszubilden.
Wenn der Grundkörper derart dünn gemacht ist, kann der Graben durch die Rückseite des Substrates hindurchdringen, wodurch ein durchgehender Graben 12 ausgebildet wird, wie beispielsweise in 6 dargestellt ist. Die jeweiligen Endoberflächen 14A und 14B der optischen Wellenleiter 13A und 13B sind durch die Schichten 9 aus dem Lichtabsorptionsmaterial oder dem Lichtreflexionsmaterial bedeckt, und die jeweiligen Schichten 9 sind in einem ausgesparten Abschnitt 12 freigelegt.
An einem geeigneten Abschnitt auf den optischen Wellenleitern 13A und 13B ist ein photoelektrisches Element angeordnet, um diesen Graben 12 zu bedecken. Durch den optischen Wellenleiter 13A ausbreitendes Licht gemäß dem Pfeil A wird beispielsweise durch die reflektierende Oberfläche 14A reflektiert, wobei der optische Pfad nach oben abbiegt, wie durch den Pfeil B angegeben ist, wodurch in das obere photoelektrische Element 5 eingedrungen wird.
Ferner kann der ausgesparte Abschnitt 12 mit einem Material mit einer geringen dielektrischen Konstante gefüllt sein. Bei dem Beispiel nach 7 ist der Graben 12 mit einem Material 16 mit einer niedrigen dielektrischen Konstante gefüllt, und auch die vorstehend beschriebenen Schichten 9 sind ausgebildet. Zur Herstellung der vorstehend beschriebenen Vorrichtung wird der ausgesparte Abschnitt 8 mit dem Material 16 mit geringer dielektrischer Konstante in dem Zustand nach 4 gefüllt.
Als das Material mit niedriger dielektrischer Konstante kann ein organisches Harzmaterial wie etwa Polyimid und anorganisches Glas beispielhaft genannt werden.
Im Übrigen ist bei einem Beispiel gemäß 8 der Graben 12 mit einem Lichtabsorptionsmaterial oder einem Lichtreflexionsmaterial 26 gefüllt, und die vorstehend beschriebene Schicht 9 ist nicht ausgebildet. Zur Herstellung der vorstehend beschriebenen Vorrichtung wird in dem Zustand nach 3 der ausgesparte Abschnitt 8 mit dem Lichtabsorptionsmaterial oder dem Lichtreflexionsmaterial gefüllt, und der Ausbildungsvorgang für die Schicht 9 wird nicht durchgeführt.
Als das Lichtreflexionsmaterial können folgende Materialien beispielhaft genannt werden: metallische Schichten aus Gold, Silber, Kupfer, Aluminium, Chrom, Rhodium, Platin, Titan und Silizium; dielektrische Schichten aus SiO₂, SiN, Al₂O₃, TiO₂ und Ta₂O₅; eine Kombination aus den metallischen Schichten und den dielektrischen Schichten; sowie eine dielektrische Mehrfachschicht.
Als das Lichtabsorptionsmaterial können Polyimid, Resistlack sowie metalldotiertes Glas beispielhaft genannt werden.
Wenn das photoelektrische Element auf dem optischen Wellenleiter innerhalb des erfindungsgemäßen Substrates angebracht ist, können optische Signale mit dem optischen Wellenleiter in einem Zustand der Beschränkung innerhalb einer Schaltkomponente für den optischen Pfad verbunden werden. Zudem wird bei den jeweiligen vorstehend beschriebenen Beispielen ein Schaltwinkel für den optischen Pfad von 90 Grad verwendet; der Schaltwinkel für den optischen Pfad kann jedoch willkürlich eingestellt werden.
Für das vorstehend beschriebene photoelektrische Element kann eine Fotodiode beispielhaft genannt werden.
BEISPIELE
Gemäß dem unter Bezugnahme auf die 2 bis 6 dargestellten Verfahren wurde die Vorrichtung nach 6 hergestellt. Im Einzelnen wurde ein Substrat mit X-Schnitt aus einem Lithiumniobateinkristall von 0,5 mm Dicke als Grundkörper 6 verwendet. Der optische Wellenleiter 10 mit einer Breite von 6 µm und einer Tiefe von 5 µm wurde auf dem Grundkörper 6 unter Verwendung eines Titandiffusionsverfahrens hergestellt. Danach wurde die SiO₂-Mantelschicht 7 mit einer Dicke von 1 µm auf einer Oberfläche durch ein Zerstäubungsverfahren herstellt, auf der der optische Wellenleiter 10 ausgebildet ist. Nachfolgend wurde gemäß 3 der Graben 8 mit einer Breite von 50 µm, einer Tiefe von 20 µm und Neigungswinkeln θ1 und θ2 von 45 Grad unter Verwendung einer Chipschneidevorrichtung ausgebildet. Nach Ausbildung des Grabens wurde die Aluminiumschicht 9 durch das Zerstäubungsverfahren gemäß 4 ausgebildet.
Unter Verwendung der Additive wurde gemäß 5 der Grundkörper 6 mit dem Graben an das Siliziumsubstrat 1 angehaftet, so dass eine Oberfläche mit dem darin ausgebildeten Graben der anhaftenden Oberflächenseite zugewandt war. Nach dem Anhaften wurde der Grundkörper 6 bis zu einer Dicke von 6 µm poliert (vergleiche 6). Somit wurde ein Spiegel ausgebildet, der Licht durch das Ende des optischen Wellenleiters in Richtung senkrecht zu dem Substrat reflektiert.
Das vorstehend beschriebene Substrat wurde an den Endflächen poliert, und eine 1,55 µm-Einzelmodenfaser wurde mit der Endfläche des optischen Wellenleiters verbunden. Als Ergebnis einer Messung der Lichtmenge, die durch den Reflexionsspiegel 14A des optischen Wellenleiterendes auf die obere Oberfläche herausgeführt wurde, ergab sich der Reflexionsverlust an dem Reflexionsspiegel 14A zu 5% oder weniger. Zudem wurde als Folge des Anbringens des Lichtempfangselementes 5 auf der oberen Oberfläche des Substrates das einfallende Licht erfolgreich empfangen, um das einfallende Licht in die Amplitude eines elektrischen Signals umzuwandeln.
Obwohl die vorstehende Beschreibung über besondere Ausführungsbeispiele der Erfindung erfolgte, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt, und verschiedene Veränderungen und Abwandlungen können erfolgen, ohne vom Bereich der beigefügten Patentansprüche abzuweichen.

Claims

Verfahren zur Herstellung eines optischen Wellenleitersubstrates für die Oberflächenbestückung, mit den Schritten: einem Mantelschichtausbildungsschritt zur Bereitstellung einer Mantelschicht (7) auf einem Grundkörper (6) mit einem Material für einen optischen Wellenleiter; einem Grabenausbildungsschritt zur Ausbildung eines Grabens (8) in dem Grundkörper (6) und der Mantelschicht (7); einem Verbindungsschritt zum Verbinden des Grundkörpers (6) und der Mantelschicht (7) mit einem Stützsubstrat (1), wobei die Mantelschicht (7) auf der Seite des Stützsubstrates (1) angeordnet ist; und einem Ausdünnungsschritt zum Bearbeiten und dünn Machen des Grundkörpers (6) zur Ausbildung einer dünnen Platte (30), so dass der Graben (8) durch die dünne Platte (30) hindurchdringt, wobei der optische Wellenleiter in dem Grundkörper (6) oder der dünnen Platte (30) durch ein inneres Diffusionsverfahren oder einen Protonaustauschvorgang gebildet wird; und eine Endfläche (8a, 8c) des optischen Wellenleiters auf der Grabenseite in Kontakt mit einem Lichtabsorptionsmaterial oder einem Lichtreflexionsmaterial (9) zur Ausbildung eines Reflexionsspiegels steht.
Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Graben eine erste geneigte Oberfläche, die bezüglich einer vertikalen Ebene in eine Richtung geneigt ist, sowie eine zweite geneigte Oberfläche aufweist, die bezüglich der vertikalen Ebene in eine Richtung geneigt ist, die zu der einen Richtung entgegengesetzt ist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Lichtreflexionsmaterial oder das Lichtabsorptionsmaterial (9) eine die Endfläche bedeckende Schicht ausbildet.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Graben (8) mit einem Material mit geringer dielektrischer Konstante gefüllt ist.
Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Graben (8) einen Hohlraum aufweist.
Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Graben (8) mit dem lichtreflektierenden Material oder dem Lichtabsorptionsmaterial (9) gefüllt ist.