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DE118511T1 - Verfahren zum herstellen eines kontakts fuer integrierte schaltung. - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines kontakts fuer integrierte schaltung.

Info

Publication number
DE118511T1
DE118511T1 DE198383902867T DE83902867T DE118511T1 DE 118511 T1 DE118511 T1 DE 118511T1 DE 198383902867 T DE198383902867 T DE 198383902867T DE 83902867 T DE83902867 T DE 83902867T DE 118511 T1 DE118511 T1 DE 118511T1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact area
substrate
layer
forming
electrode material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE198383902867T
Other languages
English (en)
Inventor
Ellis John Bay Village Oh 44140 Dickman
Anthony James Centerville Oh 45459 Topich
Alexander Raymond Miamisburg Oh 45342 Turi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NCR Voyix Corp
Original Assignee
NCR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NCR Corp filed Critical NCR Corp
Publication of DE118511T1 publication Critical patent/DE118511T1/de
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/019—Contacts of silicides
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/124—Polycrystalline emitter

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Claims (1)

  1. Patentansprüche
    1. Verfahren zum Herstellen, in einem Halbleitersubstrat, einer integrierten Schaltung der Art, die aufweist:
    - Feldeffektvorrichtungen (16, 17) mit isolierter Gateelektrode, ausgebildet in aktiven Bereichen des Substrats;
    - Feldoxidbereiche;
    - einen elektrischen Kontakt zwischen einem Bereich in dem Halbleitersubstrat und einer metallischen Verbindungsschicht (62),
    gekennzeichnet durch die Schritte:
    - Entwerfen des Substrats, um den Kontaktbereich (14) zu definieren;
    - Bilden des Feldoxids (18) unter Schützen des Kontaktbereichs (14) ;
    - Bilden einer Schicht von dielektrischem Gateelektroden-
    material (21) auf dem Substrat, damit sich dieses über den Kontaktbereich (14) erstreckt;
    - Bilden einer Schicht von Elektrodenmaterial (29) auf dem Substrat, damit sich dieses über den Kontaktbereich (14) erstreckt;
    - Abgrenzen der Schicht von Elektrodenmaterial (29) der Art, daß die den Kontaktbereich (14) bedeckende Fläche (37) zurückbleibt;
    - Aufbringen einer Ätzmaske (57) auf dem Substrat, um den Kontaktbereich (14) nach Vollendung der Feldeffektvorrichtungen (16, 17) zu definieren;
    - aufeinanderfolgendes Ätzen durch Schichten von Elektrodenmaterial (37) und dielektrischem Material (21) und
    - Bilden einer Schicht von metallischem Material (62) auf dem Substrat in Erstreckung über den Kontaktbereich (14).
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Ätzmaske (57) einen Bereich frei läßt, der größer als der Kontaktbereich (14) ist.
    3. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet
    durch den Schritt Bilden einer weiteren Schicht von dielektrischem Material (38) über den Kontaktbereich (14) bedeckenden Elektrodenmaterial (37).
    4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Kontaktbereich (14) in einer epitaxialen Schicht (2) des Substrats definiert wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Kontaktbereich (14) in einer leicht dotierten Mulde des Substrats definiert wird.
    6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Kontaktbereich (14) in einer
    3
    stark dotierten Diffusion des Substrats definiert wird.
    7. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch g e k e η η -
    ■ zeichnet, daß die epitaxiale Schicht (2) leicht dotiert wird mit einem Material erster Verunreinigungsart und das metallische Material (62) eine Aluminium-Silicium-Verbindung ist und daß das Verfahren die zusätzliche Schritte 1
    - Implantieren von Ionen des ersten Verunreinigungstyps in dem Kontaktbereich (14) bis zu einer Konzentration, die zum Unterdrücken parasitärer p-n-Übergänge ausreicht und
    - Wärmebehandeln des Substrats in Wasserstoffumgebung, gefolgt von dem Schritt des
    - aufeinanderfolgenden Ätzens
    umfaßt.
    8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet , daß die Schicht des dielektrischen G'ateelektrodenmaterials (21) und die weitere Schicht von dielektrischem Material (38) aus Siliciumdioxid gebildet werden und das Elektrodenmaterial (29) polykristallines Silicium ist.
    9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß das aufeinanderfolgende Ätzen durchgeführt wird mit Ätzmittelmaterialien, die bevorzugt sind beim Ätzen entweder von Silicum oder Siliciumdioxid.
    10. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß der Schritt
    - Bilden einer weiteren Schicht von dielektrischem Material (38)
    gefolgt wird durch dje zusätzlichen Schritte:
    - Bilden einer weiteren Schicht von Elektrodenmaterial (46) auf dem Substrat;
    - Abgrenzen der weiteren Schicht von Elektrodenmaterial (46), um aktive Vorrichtungen und Verbindungen zu definieren, und
    - Bilden einer zusätzlichen Schicht von dielektrischem Material (35) auf dem Substrat.
    .11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet , daß der Schritt
    - Abgrenzen der weiteren Schicht von Elektrodenmaterial (46)
    gefolgt wird von einer
    - Diffusion eines Dotanden des zweiten Verunreinigungstyps in definierte Elektroden- und Substratbereiche.
    12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß der Schritt
    - Abgrenzen der weiteren Schicht von Elektrodenmaterial (46)
    gefolgt wird durch den Schritt
    - Abgrenzen einer Ätzmaske (53) über den Kontaktbereich (14) und über einem Kontaktbereich (54) zum Bilden eines Kontakts zu einem durch Diffusion (49) dotierten Bereich
    und von den aufeinanderfolgenden zusätzlichen Schritten:
    - Diffundieren eines Dotanden des zweiten Verunreinigungstyps in den weiteren Kontaktbereich (49);
    - Bilden einer relativ dünnen Schicht von Siliciumdioxidmaterial (56) auf dem weiteren Kontaktbereich (54) und
    - Abgrenzen der Ätzmaske (57), um den Kontaktbereich (14) zu definieren.
DE198383902867T 1982-08-18 1983-08-16 Verfahren zum herstellen eines kontakts fuer integrierte schaltung. Pending DE118511T1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/409,193 US4464824A (en) 1982-08-18 1982-08-18 Epitaxial contact fabrication process
PCT/US1983/001288 WO1984000850A1 (en) 1982-08-18 1983-08-16 Integrated circuit contact fabrication process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE118511T1 true DE118511T1 (de) 1985-01-03

Family

ID=23619432

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8383902867T Expired DE3375538D1 (en) 1982-08-18 1983-08-16 Integrated circuit contact fabrication process
DE198383902867T Pending DE118511T1 (de) 1982-08-18 1983-08-16 Verfahren zum herstellen eines kontakts fuer integrierte schaltung.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8383902867T Expired DE3375538D1 (en) 1982-08-18 1983-08-16 Integrated circuit contact fabrication process

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4464824A (de)
EP (1) EP0118511B1 (de)
JP (1) JPH0673370B2 (de)
DE (2) DE3375538D1 (de)
WO (1) WO1984000850A1 (de)

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Also Published As

Publication number Publication date
US4464824A (en) 1984-08-14
EP0118511A1 (de) 1984-09-19
JPS59501433A (ja) 1984-08-09
EP0118511B1 (de) 1988-01-27
DE3375538D1 (en) 1988-03-03
JPH0673370B2 (ja) 1994-09-14
WO1984000850A1 (en) 1984-03-01

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