DE10227823A1 - Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines LCD - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines LCDInfo
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Abstract
Description
- Priorität: 2. Februar 2002, Korea, P-2002-9614
- Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren, die zum Herstellen eines LCD (Liquid Crystal Display = Flüssigkristalldisplay) mit großen Abmessungen geeignet sind.
- Jüngere Entwicklungen auf dem Gebiet der Informationskommunikation haben die Nachfrage nach verschiedenen Arten von Displays erhöht. Auf diese Nachfrage hin wurden verschiedene Flachdisplay, wie LCDs, Plasmadisplaytafeln (PDPs), Elektrolumineszenzdisplays (ELDs) und Vakuumfluoreszenzdisplays (VFDs) entwickelt, um die herkömmliche Kathodenstrahlröhre (CRT) zu ersetzen. Insbesondere werden LCDs wegen ihrer hohen Auflösung, ihres geringen Gewichts, ihres flachen Profils und ihres niedrigen Energieverbrauchs verwendet. Außerdem wurden LCDs für Mobilgeräte, wie Monitore für Notebookcomputer, realisiert. Ferner wurden LCDs als Monitore für größere Computer und für Fernsehgeräte, um durch Funk übertragene Signale anzuzeigen, entwickelt.
- Es ist jedoch schwierig, große LCDs mit geringem Gewicht, flachem Profil, niedrigem Energieverbrauch und guter Bildqualität, insbesondere hoher Auflösung, herzustellen.
- Auf dem ersten Glassubstrat (TFT-Arraysubstrat) ist eine Vielzahl von Gateleitungen entlang einer Richtung mit festem Intervall angeordnet, und entlang einer zweiten Richtung, die rechtwinklig zur ersten Richtung verläuft, ist eine Vielzahl von Datenleitungen angeordnet, wodurch eine Vielzahl von Pixelbereichen gebildet ist. Eine Vielzahl von Pixelelektroden ist mit Matrixanordnung in den Pixelbereichen ausgebildet, und in diesen ist auch eine Vielzahl von Dünnschichttransistoren (TFTs) ausgebildet. Diese Dünnschichttransistoren werden durch entlang den Gateleitungen übertragene Signale und entlang den Datenleitungen zu jeder Pixelelektrode übertragene Transfersignale geschaltet. Um Lichtstreuung zu verhindern, sind auf dem zweiten Glassubstrat (Farbfiltersubstrat) außer in den Bereichen desselben, die den Pixelbereichen des ersten Glassubstrats entsprechen, Schwarzmatrixfilme ausgebildet.
- Nun wird ein Verfahren zum Herstellen eines LCD unter Verwendung eines TFT-Substrats und eines Farbfiltersubstrats unter Bezugnahme auf eine bekannte Herstellvorrichtung beschrieben.
- Ein bekannter Prozess zum Herstellen eines LCD verfügt über die folgenden Schritte: Herstellen eines Abdichtmittelmusters auf dem ersten und zweiten Substrat, um dabei eine Einfüllöffnung auszubilden zum Verbinden des ersten und des zweiten Substrats miteinander innerhalb einer Vakuumverarbeitungskammer und Einfüllen von Flüssigkristallmaterial durch die Einfüllöffnung in der Vakuumverarbeitungskammer. Bei einem anderen bekannten Verfahren zum Herstellen eines LCD, einem Flüssigkristall-Auftropfverfahren, wie es in den japanischen Patentanmeldungen Nr. 11-089612 und 11-172903 offenbart ist, werden die folgenden Schritte ausgeführt: Auftropfen von Flüssigkristallmaterial auf ein erstes Substrat, Anbringen eines zweiten Substrats über dem ersten und Bewegen der beiden Substrate gegeneinander, um sie dadurch miteinander zu verbinden. Im Vergleich zum Flüssigkristall- Einfüllverfahren ist das Flüssigkristall-Auftropfverfahren dahingehend von Vorteil, dass verschiedene Schritte, wie die Herstellung einer Einfüllöffnung für Flüssigkristallmaterial, das Einfüllen des Flüssigkristallmaterials und das Abdichten der Einfüllöffnung überflüssig sind, da das Flüssigkristallmaterial vorab auf dem ersten Substrat angebracht wird.
- Die Fig. 1 und 2 sind Schnittansichten einer Substratverbindungsvorrichtung unter Verwendung des bekannten Flüssigkristall-Auftropfverfahrens. Gemäß der Fig. 1 verfügt die Substratverbindungsvorrichtung über einen Rahmen 10, einen oberen Tisch 21, einen unteren Tisch 22, eine Abdichtmittel- Spendereinheit (nicht dargestellt), eine Flüssigkristallmaterial-Spendereinheit 30, eine Verarbeitungskammer mit einer oberen Kammereinheit 31 und einer unteren Kammereinheit 32, ein Kammerverstellsystem 40 und ein Tischverstellsystem 50. Das Kammerverstellsystem 40 verfügt über einen Antriebsmotor, der so angesteuert wird, dass er die untere Kammereinheit 32 an einen Ort verstellt, an dem der Verbindungsprozess ausgeführt wird, oder an einen Ort, an dem das Ausfließen des Abdichtmittels und das Auftropfen des Flüssigkristallmaterials erfolgen. Das Tischverstellsystem 50 verfügt über einen anderen Antriebsmotor, der so angesteuert wird, dass er den oberen Tisch 21 entlang der vertikalen Richtung, rechtwinklig zum oberen und unteren Tisch 21 und 22, verstellt.
- Nun folgt eine Beschreibung zu einem Verfahren zum Herstellen eines LCD unter Verwendung der bekannten Substratzusammenbauvorrichtung. Als Erstes wird ein zweites Substrat 52 auf den oberen Tisch 21 geladen, und ein erstes Substrat 51 wird auf den unteren Tisch 22 geladen. Dann wird die untere Kammereinheit 32 mit dem unteren Tisch 22 durch das Kammerverstellsystem 40 zu einem Verarbeitungsort zum Auftragen von Abdichtmittel und Flüssigkristallmaterial bewegt. Anschließend wird die untere Kammereinheit 32 durch das Kammerverstellsystem 40 zu einem Verarbeitungsort für einen Substrat-Verbindungsvorgang bewegt. Danach werden die obere und die untere Kammereinheit 31 und 32 durch das Kammerverstellsystem 40 so zusammengesetzt, dass eine vakuumdichte Abdichtung gebildet wird, und der Druck in der Kammer wird durch ein Vakuumerzeugungssystem (nicht dargestellt) abgesenkt.
- Dann wird der obere Tisch 21 durch das Tischverstellsystem 50 im oben genannten Vakuumzustand nach unten bewegt, um das am oberen Tisch 21 befestigte zweite Substrat 52 fest mit dem am unteren Tisch 22 befestigten ersten Substrat 51 zu verbinden. Ferner wird der Prozess zum Verbinden der jeweiligen Substrate miteinander bei kontinuierlicher Druckausübung ausgeführt, um dadurch die Herstellung des LCD abzuschließen.
- Jedoch bestehen bei dieser bekannten Substratzusammenbauvorrichtung die folgenden Probleme. Erstens bildet sie kein Hilfssystem zum stabilen Laden des Substrats auf den unteren Tisch oder zum Entladen der verbundenen Substrate zum unteren Tisch, wobei hohe Wahrscheinlichkeit dafür besteht, dass während des Lade/Entlade-Prozesses eine Beschädigung am Substrat oder den Substraten auftritt. Genauer gesagt, können die verbundenen Substrate während des Verbindungsprozesses auf der Oberseite des unteren Tischs anhaften. Zweitens können, wenn die verbundenen Substrate entladen werden, der zentrale Teil oder Umfangsabschnitt der verbundenen Substrate herunterhängen. Genauer gesagt, ist es, insbesondere angesichts der Tatsache, dass LCD entsprechend der Nachfrage immer größer werden, extrem wichtig, ein Herunterhängen während des Entladens der verbundenen Substrate zu verhindern.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines LCD zu schaffen, bei denen verhindert ist, dass ein zentraler Bereich und Umfangsabschnitte verbundener Substrate beim Entladen herunterhängen.
- Diese Aufgabe ist hinsichtlich der Vorrichtung durch die Lehre des beigefügten Anspruchs 1 und hinsichtlich des Verfahrens durch die Lehren der unabhängigen Ansprüche 18, 22 und 24 gelöst.
- Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung anhand von Ausführungsformen dargelegt, oder sie werden daraus oder beim Realisieren der Erfindung erkennbar.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch Figuren veranschaulichten Ausführungsformen näher beschrieben.
- Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht einer bekannten Substratverbindungsvorrichtung vor dem dichten Verbinden einer oberen und einer unteren Kammereinheit;
- Fig. 2 zeigt eine Schnittansicht der bekannten Substratverbindungsvorrichtung während des Substratverbindungsvorgangs;
- Fig. 3 ist eine Schnittansicht einer beispielhaften Vorrichtung mit einem Substrathubsystem gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
- Fig. 4 zeigt schematisch das Layout des unteren Tischs eines beispielhaften Substrathubsystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
- Fig. 5A ist eine Explosionsansicht eines Abschnitts A in der Fig. 3;
- Fig. 5B zeigt schematisch ein beispielhaftes Substrathubsystem gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
- Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Substrathubsystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
- Fig. 7A zeigt eine Schnittansicht eines beispielhaften Substrathubsystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
- Fig. 7B zeigt eine Schnittansicht des beispielhaften Substrathubsystems, wobei ein Substrat auf einen unteren Tisch geladen ist;
- Fig. 8 zeigt eine perspektivische Ansicht des in der Fig. 7 dargestellten beispielhaften Substrathubsystems; und
- Fig. 9 zeigt eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Substrathubsystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
- Gemäß der Fig. 3 verfügt eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung über eine Vakuumverarbeitungskammer 110, einen oberen Tisch 121, einen unteren Tisch 122, ein oberes Tischverstellsystem 131 und 133, ein unteres Tischverstellsystem 132 und 134, eine Vakuumvorrichtung 200, einen Ladeteil 300 und ein erstes Substrathubsystem 400.
- Die Vakuumverarbeitungskammer 110 verfügt über einen Luftauslass 112 zum Übertragen einer Vakuumkraft zum Absenken des Drucks in ihrem Inneren. Der obere und der untere Tisch 121 und 122 sind in einem oberen bzw. einem unteren Raum im Inneren der Vakuumverarbeitungskammer 110 vorhanden. Der obere und der untere Tisch 121 und 122 dienen dazu, ein erstes und ein zweites Substrat 510, 520 aufzunehmen, die durch einen ersten und einen zweiten Arm 310, 320 des Ladeteils 300 in das Innere der Vakuumverarbeitungskammer 110 geladen werden. Das erste und das zweite Substrat 510, 520 können durch eine durch den oberen und den unteren Tisch 121, 122 erzeugte elektrostatische Kraft an diesen Tischen befestigt werden. Außerdem können das erste und das zweite Substrat 510, 520 durch eine vom oberen und unteren Tisch 121, 122 erzeugte Vakuumkraft an diesen Tischen befestigt werden. Das erste und das zweite Substrat 510, 520 werden während eines Verbindungsprozesses am oberen und unteren Tisch 121, 122 festgehalten. Demgemäß ermöglichen es der obere und der untere Tisch 121, 122 zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 510, 520 eine selektive Bewegung zum Ausführen des Verbindungsprozesses auszuführen.
- Die Unterseite des oberen Tischs 121 kann mit einer elektrostatischen Spanneinrichtung 121a mit mehreren darin eingebetteten elektrostatischen Platten versehen sein, um das zweite Substrat 520 am oberen Tisch 121 zu befestigen. Außerdem kann der obere Tisch 121 über eine Anzahl von Vakuumöffnungen 121b verfügen, die entlang dem Umfang der elektrostatischen Spanneinrichtung 121a ausgebildet sind. Jede der Vakuumöffnungen 121b kann durch mehrere Leitungen 121c mit einer Vakuumpumpe 123 verbunden sein. Die elektrostatische Spanneinrichtung 121a kann mit mindestens einem Paar elektrostatischer Platten mit jeweils entgegengesetzter Polarität aufgebaut sein. Alternativ kann die elektrostatische Spanneinrichtung 121a mit mindestens einem Paar elektrostatischer Platten mit ähnlichen Polaritäten aufgebaut sein.
- Die Oberseite des unteren Tischs 122 kann mit einer elektrostatischen Spanneinrichtung 122a mit einer Anzahl darin eingebetteter elektrostatischer Platten versehen sein, um das erste Substrat 510 am unteren Tisch 122 zu befestigen. Außerdem kann der untere Tisch 122 über eine Anzahl von Vakuumöffnungen (122b in den Fig. 4 und 5A) verfügen, die entlang dem Umfang der elektrostatischen Spanneinrichtung 122a ausgebildet sind. Wie beim oberen Tisch 121 ist jede der Anzahl von Vakuumöffnungen (122b in den Fig. 4 und 5A) durch mehrere Leitungen (nicht dargestellt) mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden. Die Elektrostatische Spanneinrichtung 122a kann mit mindestens einem Paar elektrostatischer Platten mit entgegengesetzten Polaritäten aufgebaut sein. Alternativ kann die elektrostatische Spanneinrichtung 122a mit mindestens einem Paar elektrostatischer Platten mit ähnlichen Polaritäten aufgebaut sein.
- Die Anordnung der elektrostatischen Spanneinrichtung 122a und der Anzahl von Vakuumöffnungen (122b in den Fig. 4 und 5A), die in der Oberseite des unteren Tischs 122 ausgebildet sind, ist nicht auf die Anordnung wie bei der elektrostatischen Spanneinrichtung 122a und den in der Oberseite des unteren Tischs 121 ausgebildeten Anzahl von Vakuumöffnungen 122b beschränkt. Die elektrostatische Spanneinrichtung 122a und die Anzahl von Vakuumlöchern (122b in den Fig. 4 und 5A), wie sie in der Oberseite des unteren Tischs 122 ausgebildet sind, können so geändert werden, dass Anpassung an ein Zielsubstrat und entsprechende Gebiete zum Aufbringen von Flüssigkristallmaterial erzielt ist. Auch sind die in der Oberseite des unteren Tischs 122 ausgebildeten Vakuumöffnungen (122b in den Fig. 4 und 5A) nicht erforderlich.
- Die Fig. 4 zeigt schematisch das Layout des unteren Tischs eines beispielhaften Substrathubsystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. In der Fig. 4 ist mindestens ein Aufnahmeteil 122d in einem ersten Abschnitt der Unterseite des unteren Tischs 122 ausgebildet, der einem Blindgebiet eines ersten Substrats (nicht dargestellt) entspricht, das auf die Oberseite des unteren Tischs 122 aufgelegt werden kann. Der Ort des ersten Aufnahmeteils 122d kann in anderen Abschnitten der Oberseite des unteren Tischs 122 positioniert werden, um eine Auslenkung des ersten Substrats (nicht dargestellt) zu verhindern. Zum Beispiel kann der erste Aufnahmeteil 122d in einem Abschnitt ausgebildet sein, der einem unteren Bereich des Blindgebiets entspricht, das sich zwischen benachbarten Zellengebieten befindet, die auf der Oberseite des ersten Substrats ausgebildet sind. Alternativ kann der erste Aufnahmeteil 122d eine Geometrie aufweisen, die einer Aussparung oder einem Durchgangsloch durch den unteren Tisch 122 entspricht. Außerdem kann das erste Aufnahmeteil 122d als ausgesparter Schlitz mit einem Durchgangsloch, das nur in speziellen Abschnitten des ausgesparten Schlitzes ausgebildet ist, aufgebaut sein.
- In der Fig. 3 verfügt das obere Tischverstellsystem über einen oberen Antriebsmotor 133, der durch eine Verstellachse 131 axial mit dem oberen Tisch 121 gekoppelt ist. Das untere Tischverstellsystem kann über einen unteren Antriebsmotor 134 verfügen, der durch eine Rotationsachse 132 axial mit dem unteren Tisch 122 verbunden ist. Der obere und der untere Antriebsmotor 133 und 134 können außerhalb oder innerhalb der Vakuumverarbeitungskammer 110 angeordnet sein.
- Der Ladeteil 300 kann als von der Vakuumverarbeitungskammer 110 gesondertes System angebracht sein. Der Ladeteil 300 verfügt über einen ersten Arm 310 zum Transportieren eines ersten Substrats 510, auf das ein Flüssigkristallmaterial aufgetropft wurde, und einen zweiten Arm 320 zum Transportieren eines zweiten Substrats 520, auf das ein Abdichtmittel aufgebracht wurde. Das Flüssigkristallmaterial kann auf das erste Substrat 510 aufgebracht (z. B. aufgetropft) sein, bei dem es sich um ein TFT-Arraysubstrat handelt, und das Abdichtmittel kann auf das zweite Substrat 520 aufgebracht sein, das ein Farbfilter(C/F-)substrat sein kann. Außerdem können sowohl das Flüssigkristallmaterial als auch das Abdichtmittel auf das erste Substrat 510 aufgebracht werden, das ein TFT-Arraysubstrat sein kann, und das zweite Substrat 520, das ein C/F-Substrat sein kann, trägt weder Flüssigkristallmaterial noch Abdichtmittel. Ferner können sowohl das Flüssigkristallmaterial als auch das Abdichtmittel auf das erste Substrat 510 aufgebracht werden, das ein C/F-Substrat sein kann, und das zweite Substrat 20, das ein TFT- Arraysubstrat sein kann, trägt weder Flüssigkristallmaterial noch Abdichtmittel. Das erste Substrat 510 kann ein TFT-Arraysubstrat oder ein C/F-Substrat sein, und das zweite Substrat 520 kann dann ein C/F-Substrat oder ein TFT-Arraysubstrat sein.
- Gemäß der Fig. 4 ist das erste Substrathubsystem 400 im Inneren der Vakuumverarbeitungskammer 110 angeordnet. Alternativ kann es sowohl außerhalb als auch innerhalb derselben angeordnet sein. Das erste Substrathubsystem 400 verfügt über erste Halteteile 410a und zweite Halteteile 410b zum Halten des ersten Substrats 510, eine erste Hubachse 420, die mit dem ersten Halteteil 410a verbunden ist und sich vom unteren Tisch 122 durch das erste Aufnahmeteil 122d erstreckt, und einen ersten Antriebsteil 430 zum Antreiben des ersten und des zweiten Halteteils 410a und 410b mittels der ersten Hubachse 420. Die ersten Halteteile 410a können entlang einer ersten Richtung parallel zur Laderichtung des ersten Substrats 510 angeordnet sein, und die zweiten Halteteile 410b können entlang einer zweiten Richtung rechtwinklig zur ersten Richtung angeordnet sein.
- Die Anordnung des ersten Substrathubsystems 400 hängt von der Konfiguration des unteren Tischs 122 ab, die wiederum von der Konfiguration des ersten Substrats 510 abhängt. Zum Beispiel hält der untere Tisch 122 in der Fig. 4 das erste Substrat 510 mit einem 3 × 3-Matrixarray individueller Bereiche. Demgemäß sind die ersten Halteteile 410a so angeordnet, dass sie entlang der Laderichtung mit jedem der Blindgebiete des ersten Substrats 510 in Kontakt treten, und die zweiten Halteteile 410b sind so angeordnet, dass sie entlang der dazu rechtwinkligen Richtung mit jedem der Blindgebiete des ersten Substrats 510 in Kontakt treten, wodurch ein "# "-Muster gebildet ist.
- Alternativ kann eine erste Gruppe erster Halteteile 410a so vorhanden sein, dass sie sich entlang der Laderichtung erstrecken, um das erste Substrat 510 zu halten. Zum Beispiel kann eine erste Gruppe aus zwei ersten Halteteilen 410a mit dem ersten Substrat 510 entlang jedem der zwei Blindgebiete desselben in Kontakt treten, die sich entlang der Laderichtung erstrecken, um dadurch ein "="-Muster zu bilden. Darüber hinaus kann eine zweite Gruppe zweiter Halteteile 410b so vorhanden sein, dass sie sich entlang der zweiten Richtung erstrecken, die rechtwinklig zur Laderichtung des ersten Substrats 510 verläuft, um dieses zu halten. Zum Beispiel kann eine zweite Gruppe aus zwei zweiten Halteteilen 410b mit dem ersten Substrat 510 entlang jedem der zwei Blindgebiete desselben, die sich entlang der zweiten Richtung erstrecken, in Kontakt treten, um dadurch ein Muster wie "||" zu bilden.
- Das erste Substrathubsystem 400 kann über ein einzelnes erstes Halteteil 410a verfügen, das mit einem einzelnen Blindgebiet des ersten Substrats 510, das sich entlang der Laderichtung erstreckt, in Kontakt tritt, sowie ein einzelnes zweites Halteteil 410b, das mit dem einzelnen Blindgebiet des ersten Substrats 510, das sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, in Kontakt treten, um dadurch ein Muster wie " ≙" zu bilden.
- Das erste Substrathubsystem 400 kann über eine erste Gruppe aus drei ersten Halteteilen 410a verfügen, die mit drei Blindgebieten des ersten Substrats 510, das sich entlang der Laderichtung erstreckt, in Kontakt treten, um dadurch ein Muster " ≙" zu bilden. Alternativ kann es über eine zweite Gruppe zweiter Halteteile 410b verfügen, die mit drei Blindgebieten des ersten Substrats 510, das sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, in Kontakt treten, um dadurch ein "|||"-Muster zu bilden. Darüber hinaus kann das erste Substrathubsystem 400 über eine Kombination der ersten Gruppe erster Halteteile 410a und der zweiten Gruppe zweiter Halteteile 410b verfügen.
- Das erste Substrat 510 kann eine Konfiguration aufweisen, bei der ein einzelner, individueller Bereich vorhanden ist. Demgemäß kann das erste Substrathubsystem 400 über eine erste Gruppe zweier erster Halteteile 410a, die mit Blindgebieten am äußersten Umfang des ersten Substrats 510, das sich entlang der Laderichtung erstreckt, in Kontakt treten, und eine zweite Gruppe zweier zweiter Halteteile 410b verfügen, die mit Blindgebieten am äußersten Umfang des ersten Substrats 510, das sich entlang der zweiten Richtung erstreckt, in Kontakt treten, um dadurch ein Muster "□" zu bilden.
- Das erste und das zweite Halteteil 410a und 410b können über mehrere Vorsprünge (nicht dargestellt) verfügen, die in oberen Abschnitten derselben ausgebildet sind, um die Kontaktfläche zwischen dem ersten Substrat 510 und den ersten und zweiten Halteteilen 410a, 410b zu minimieren. Die mehreren Vorsprünge (oder die ersten und zweiten Halter 410a, 410b) können zum Beispiel aus Teflon® oder PEEK® bestehen, um eine Beschädigung derjenigen Oberflächenabschnitte des ersten Substrats 510 zu vermeiden, die mit den mehreren Vorsprüngen in Kontakt treten, und es können elektrisch leitende Materialien vorhanden sein, um jegliche auf dem ersten Substrat 510 erzeugte statische Elektrizität abzuleiten.
- In der Fig. 4 ist der Abstand zwischen den entlang der Laderichtung des ersten Substrats 510 angeordneten ersten Halteteilen 410a so bestimmt, dass er den Bewegungsweg von Fingerabschnitten des ersten Arms 310 nicht stört. Zum Beispiel ist der erste Arm 310 so ausgebildet, dass er über drei Fingerabschnitte 311 verfügt, die um den Abstand S voneinander getrennt sind. Demgemäß sind alle ersten Halteteile 410a um den Abstand S voneinander getrennt, wodurch eine Wechselwirkung mit der Bewegung des ersten Arms 310 verhindert ist.
- Die Fig. 5B zeigt ein beispielhaftes Substrathubsystem gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. In der Fig. 5B sind zentrale Abschnitte der zweiten Halteteile 410b, die entlang der zweiten Richtung vorhanden sind, entlang einer Richtung nach unten versetzt, um eine Wechselwirkung mit den Fingerabschnitten 311 des ersten Arms 310 zu verhindern. Außerdem sind seitliche Abschnitte der zweiten Halteteile 410b, die mit der ersten Hubachse 420 in Kontakt treten, so ausgebildet, dass sie nicht mit den äußersten Fingerabschnitten 311 des ersten Arms 310 in Kontakt gelangen.
- Die Fig. 6 ist eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Substrathubsystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. In der Fig. 6 sind sowohl am ersten als auch am zweiten Halteteil 410a, 410b mindestens zwei erste Hubachsen 420 vorhanden, die axial mit dem ersten Substrathubsystem 400 und dem ersten Antriebsteil 430 gekoppelt sind. Zum Beispiel kann jede der ersten Hubachsen 420 mit entsprechenden ersten Antriebsteilen 430 verbunden sein, die im Schnittabschnitt zwischen dem ersten und dem zweiten Halteteil 410a, 410b vorhanden sind. Alternativ kann ein einzelnes erstes Antriebsteil 430 dazu verwendet werden, die ersten und zweiten Halteteile 410a und 410b anzutreiben. Darüber hinaus müssen nicht mehrere Vorsprünge (nicht dargestellt) verwendet werden, sondern es können Flächen des ersten und des zweiten Halteteils 410a und 410b, die mit Oberflächenabschnitten des ersten Substrats 510 in Kontakt treten, mit Materialien, wie z. B. Teflon® oder PEEK® beschichtet sein, um eine Beschädigung zu verhindern, zu der es durch den Kontakt zwischen dem ersten und weiten Halteteil 410a, 410b und dem ersten Substrat 510 kommen könnte, und es können elektrisch leitende Materialien vorhanden sein, um jegliche statische Elektrizität abzuleiten, wie sie auf dem ersten Substrat 510 erzeugt wird. Das erste und das zweite Halteteil 410a, 410b können über verschiedene Querschnittsgeometrien verfügen, einschließlich z. B. quadratisch, rund und vieleckig. Ferner können das erste und das zweite Halteteil 410a und 410b aus einem massiven oder einem hohlen Material bestehen.
- Gemäß der Fig. 3 verfügt der erste Antriebsteil 430 des ersten Substrathubsystems 400 über zumindest einen Schrittmotor und einen Zylinder. Der Schrittmotor kann den Zylinder unter Verwendung eines pneumatischen oder hydraulischen Systems vertikal entlang der Richtung der ersten Hubachse 420 verstellen. Das erste Antriebsteil 430 kann unten im Inneren der Vakuumverarbeitungskammer 110 befestigt sein, oder es kann den Boden derselben durchdringen, wobei es an einem Ort außerhalb derselben befestigt ist. So kann eine Wechselwirkung zwischen den verschiedenen Antriebsteilen vermieden werden, so dass die Installation jedes der Antriebsteile einfach ist.
- Nun wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3, 7A und 7B ein Verfahren zum Laden/Entladen von Substraten unter Verwendung der Vorrichtung gemäß der beschriebenen Ausführungsform schematisch erläutert.
- Der Ladeteil 300 steuert den zweiten Arm 320 so, dass er das zweite Substrat 520, das das Abdichtmittel tragen kann, auf die Unterseite des oberen Tischs 121 lädt, und er steuert den ersten Arm 310 so, dass er das erste Substrat 510, das zumindest das Flüssigkristallmaterial trägt, auf die Unterseite des unteren Tischs 122 lädt.
- Beim Substratladeprozess wird Vakuumkraft an die Anzahl der Vakuumöffnungen 121b im oberen Tisch 121 angelegt. Dabei erzeugt die mit dem oberen Tisch 121 verbundene Vakuumpumpe 123 diese Vakuumkraft, um dadurch das zweite Substrat 520 vom zweiten Arm 320 her auf die Unterseite des oberen Tischs 121 zu übertragen und es dort zu befestigen. Der Ladeteil 300 steuert den ersten Arm 310 in solcher Weise, dass das erste Substrat 510, auf das das Flüssigkristallmaterial aufgetropft wurde, auf die Oberseite des unteren Tischs 122 geladen wird.
- Gemäß der Fig. 7A gehört es, nach dem Substratladeprozess, zu einem Substrathubprozess, dass das erste Substrathubsystem 400 die erste Hubachse 420 entlang der Richtung nach oben verstellt. Die mit den ersten Hubachsen 420 verbundenen ersten und zweiten Halteteile 410a und 410b beginnen ausgehend vom an der Oberseite des unteren Tischs 122 ausgebildeten ersten Aufnahmeteil 122d nach oben zu laufen, wie es in der Fig. 8 dargestellt ist. Demgemäß treten die ersten und zweiten Halteteile 410a und 410b mit der Unterseite des am ersten Arm 310 positionierten ersten Substrats 510 in Kontakt. Die ersten Hubachsen 420 laufen gemeinsam mit den ersten und zweiten Halteteilen 410a und 410b weiter nach oben, bis das erste Substrat 510 vom ersten Arm 310 abgenommen wird. Nach einem Hubvorgang bis auf eine vorbestimmte Höhe stoppen die ersten Hubachsen 420 die Aufwärtsbewegung.
- Wenn das erste Substrat 510 mit den Oberseiten der ersten und zweiten Halteteile 410a und 410b in Kontakt tritt, kann das Gewicht desselben verteilt werden, und interne Spannungen in ihm werden abgebaut. So wird das erste Substrat 510 vollständig gelagert, und es wird jede Auslenkung oder ein Herunterhängen des ersten Substrats 510 vermieden. Demgemäß können die Kontakte zwischen dem ersten Substrat 510 und den Oberseiten der ersten und zweiten Halteteile 410a und 410b Flächenkontakte, Linienkontakte oder Punktkontakte oder eine Kombination hieraus sein.
- Die ersten und die zweiten Halteteile 410a und 410b können mit einem Material, wie z. B. Teflon® oder PEEK® beschichtet sein, um eine Beschädigung der Unterseite des ersten Substrats 510 zu vermeiden, und sie können mit einem elektrisch leitenden Material beschichtet sein, um jegliche auf dem ersten Substrat 510 erzeugte statische Elektrizität zu entladen.
- Gemäß der Fig. 7B gehört es zu einem Herausziehprozess, nach dem Substrathubprozess, den ersten Arm 310 unter Steuerung durch den Ladeteil 300 aus der Vakuumverarbeitungskammer 110 herauszuziehen, und zu einem Zurückziehprozess gehört es, die ersten Antriebsteile 430 so zu aktivieren, dass die ersten Hubachsen 420 in der Richtung nach unten zurückgezogen werden, um im ersten Aufnahmeteil 122d des unteren Tischs 122 platziert zu werden. Demgemäß tritt die Unterseite des ersten Substrats 510 mit der Oberseite des unteren Tischs 122 in Kontakt.
- Nach dem Herauszieh- und dem Zurückziehprozess gehört es zu einem Substratfesthalteprozess, die mit dem unteren Tisch 122 verbundene Vakuumpumpe (nicht dargestellt) zu aktivieren, um mittels der Anzahl von Vakuumöffnungen (122b in der Fig. 5B) eine Vakuumkraft auszuüben. Demgemäß wird die Unterseite des ersten Substrats 510 durch die Vakuumkraft an der Oberfläche des oberen Tischs 122 befestigt. Alternativ kann es zum Substratfesthalteprozess gehören, dass ein Potenzial an die elektrostatischen Platten der elektrostatischen Spanneinrichtung 122a des unteren Tischs 122 angelegt wird, um dadurch die Unterseite des ersten Substrats 410 an der Oberseite des unteren Tischs 122 zu befestigen.
- Nach dem Substratfesthalteprozess gehört es zu einem Vakuumverarbeitungskammer-Prozess, die Vakuumvorrichtung 200 zu aktivieren, um den Druck im Inneren der Vakuumverarbeitungskammer 110 abzusenken. Wenn der gewünschte Unterdruck erreicht ist, wird ein Verbindungsprozess für das erste und das zweite Substrat 510, 520 dadurch ausgeführt, dass der obere Antriebsmotor 133 so aktiviert wird, dass sich der obere Tisch 121 in der Richtung nach unten bewegt, oder der untere Antriebsmotor 134 so aktiviert wird, dass sich der untere Tisch 122 nach oben bewegt. Alternativ können beide Antriebsmotoren 133, 134 aktiviert werden, wodurch sich der obere und der untere Tisch 121, 122 nach unten bzw. oben bewegen.
- Alternativ kann vor dem Verbindungsprozess ein Ausrichtungsprozess ausgeführt werden. Zu diesem gehört eine Klarstellungsprozedur dahingehend, dass das obere und das untere Substrat 510, 520 zueinander ausgerichtet sind, wozu optische und Computersysteme verwendet werden können. Wenn festgestellt wird, dass das erste und das zweite Substrat 510, 520 nicht zueinander ausgerichtet sind, werden Einstellsysteme aktiviert, um den oberen Tisch 121 entlang einer XY- Ebene zu verstellen und die Rotationsachse 132 des unteren Tischs 122 zu verdrehen. Alternativ können sowohl der obere als auch der untere Tisch 121, 122 in der XY-Ebene verstellt werden, zusätzlich zu einer Verdrehung des unteren Tischs 122.
- Wenn die beiden Substrate 510, 520 miteinander verbunden sind, können ein Löseprozess und ein Entladeprozess ausgeführt werden, bei dem der erste Arm 310 oder der zweite Arm 320 das zugehörige der verbundenen Substrate 510, 520, die nun auf der Oberseite des unteren Tischs 122 ruhen, freigibt.
- Zum Löseprozess gehört es, die Vakuumkraft von der Anzahl von Vakuumöffnungen (122b in der Fig. 5B) wegzunehmen und/oder das Potenzial von den elektrostatischen Platten der elektrostatischen Spanneinrichtung 122a wegzunehmen. Zum Entladeprozess für den unteren Tisch kann es gehören, das erste Substrathubsystem 400 unter Verwendung der Antriebsteile 430 so anzutreiben, dass sich die ersten Hubachsen 420 und die ersten und zweiten Halteteile 410a, 410b nach oben bewegen. Demgemäß werden die verbundenen Substrate von der Oberseite des unteren Tischs 122 entfernt, und die Antriebsteile 430 verstellen die ersten Hubachsen 420 und die ersten und zweiten Halteteile 410a, 410b weiterhin, bis die verbundenen Substrate um einen vorbestimmten Weg bis über die Oberseite des unteren Tischs 122 angehoben sind. Wie bereits beschrieben, können die Antriebsteile 430 durch ein einzelnes Antriebsteil (nicht dargestellt) ersetzt werden.
- Wenn einmal der Löseprozess und der Entladeprozess für den unteren Tisch abgeschlossen sind, gehört es zu einem Entladeprozess für die verbundenen Substrate, dass der Ladeteil 300 den ersten Arm 310 oder den zweiten Arm 320 so steuert, dass das zweite Substrat 520 im Inneren der vakuumverarbeitungskammer 110 platziert wird. Dann wird die Ladeposition des zweiten Arms 320 unter den verbundenen Substraten positioniert, die zuvor durch das erste Substrathubsystem 400 nach oben verstellt wurden. Demgemäß werden die ersten Antriebsteile 430 des ersten Substrathubsystems 400 so angetrieben, dass sie die ersten Hubachsen 420 und die ersten und zweiten Halteteile 410a, 410b nach unten verstellen. So sind die verbundenen Substrate, die auf den ersten und zweiten Halteteilen 410a, 410b platziert waren, nun auf dem zweiten Arm 320 platziert, und die genannten Halteteile bewegen sich weiterhin nach unten, um im ersten Aufnahmeteil 122d des unteren Tischs 122 aufgenommen zu werden.
- Wenn einmal der Entladeprozess für die verbundenen Substrate abgeschlossen ist, gehört es zu einem Entnahmeprozess für die verbundenen Substrate, dass der zweite Arm 320 unter Steuerung durch den Ladeteil 300 aus dem Inneren der Vakuumverarbeitungskammer 110 herausgezogen wird. Nach Abschluss des Entladeprozesses für die verbundenen Substrate kann der Ladeprozess für das erste Substrat 510 durch den ersten Arm 310 und das Substrathubsystem 400 beginnen, wie oben beschrieben.
- Die Fig. 9 zeigt eine perspektivische Ansicht eines beispielhaften Substrathubsystems gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Gemäß der Fig. 9 ist mindestens ein zweites Aufnahmeteil 122e an entgegengesetzten Randabschnitten entlang dem oberen Umfang des unteren Tischs 122 in einer Richtung rechtwinklig zur Lade/Entlade-Richtung des ersten Substrats 510 ausgebildet. Die zweiten Aufnahmeteile 122e können aus einer konkaven Aussparung oder mit eindringender Form ausgebildet sein. Außerdem kann von den zweiten Aufnahmeteilen 122e ein zweites Substrathubsystem 600 aufgenommen werden, um Randabschnitte des ersten Substrats 510 während des Substratladeprozesses oder Umfangsrand-Halteabschnitte der verbundenen Substrate während des Entladeprozesses für verbundene Substrate zu halten. Demgemäß wird eine Auslenkung oder ein Herunterhängen des ersten Substrats oder der verbundenen Substrate weiter verhindert.
- Das zweite Substrathubsystem 600 kann innerhalb des zweiten Aufnahmeteils 122e aufgenommen werden, während es zumindest zu beiden Seiten des unteren Tischs 122 positioniert ist. Außerdem kann das zweite Substrathubsystem mindestens ein zweites Halteteil 610 aufweisen, das einen entsprechenden unteren Randabschnitt des ersten Substrats 510 hält, eine zweite Hubachse 620, die in einen Körper des zweiten Halteteils 610 eingebaut ist, um dieses entlang der vertikalen Richtung zu verstellen, und einen zweiten Antriebsteil 630, der mit der zweiten Hubachse 620 verbunden ist, um diese entlang der vertikalen Richtung zu verstellen. Demgemäß kann der zweite Aufnahmeteil 122e so ausgebildet sein, dass er entlang einem dem Blindgebiet des ersten Substrats 510 entsprechende Länge aufweist, mit Platzierung entlang den entsprechenden Oberrand-Umfangsabschnitten des unteren Tischs 122. Ferner kann der zweite Halteteil 610 so ausgebildet sein, dass er über eine einer Form des zweiten Aufnahmeteils 122e entsprechende Länge verfügt, um einen Umfang des ersten Substrats 510 zu halten. Genauer gesagt, kann der zweite Halteteil 610 mit gebogener Form entlang einer ersten Fläche ausgebildet sein, um für Abstützung an der Unterseite des ersten Substrats 510 zu sorgen, und mit einer zweiten Fläche, um eine Seite des ersten Substrats 510 abzustützen. Außerdem kann, wie bereits oben beschrieben, eine mit dem ersten Substrat 510 in Kontakt tretende Fläche mit einem Beschichtungsmaterial beschichtet sein, um eine Beschädigung des Substrats zu verhindern, zu der es durch Kontakt zwischen dem zweiten Halteteil 610 und dem ersten Substrat 510 kommen könnte. Das Beschichtungsmaterial kann dasselbe wie bei den ersten und zweiten Halteteilen 510a und 510b sein, z. B. Teflon® oder PEEK®, und es kann ein elektrisch leitendes Material vorhanden sein, um jegliche auf dem ersten Substrat 510 erzeugte statische Elektrizität zu entladen.
- Die zweite Hubachse 620 und das zweite Antriebsteil 630 können so ausgebildet sein, dass sie über die erste Hubachse 420 und das erste Antriebsteil 430 verfügen. Darüber hinaus kann das zweite Halteteil 610 einen einzelnen Körper aufweisen, der so ausgebildet ist, dass er mit dem Gesamtumfang des unteren Tischs 122 in Eingriff tritt. Es kann eine Anzahl zweiter Halteteile 610 vorhanden sein, die mit einem vorbestimmten Abstand voneinander getrennt sind, der dazu ausreicht, zu verhindern, dass das erste Substrat eine maximale Auslenkungs- oder Heruntersinkgrenze überschreitet. Demgemäß können Enden der zweiten Halteteile 610 über einen einzelnen Körper mit mindestens einer zweiten Hubachse 620 und einem zweiten Antriebsteil 630 verfügen, um dadurch einen gleichmäßigen Betrieb der jeweiligen zweiten Halteteile 610 zu ermöglichen.
- Nun wird eine Betriebsabfolge für das zweite Substrathubsystem 600 unter Bezugnahme auf das erste Substrathubsystem 400 beschrieben. Das zweite Antriebsteil 630 des zweiten Substrathubsystems 600 arbeitet ähnlich wie das erste Antriebsteil 430 des ersten Substrathubsystems 400, um die zweite Hubachse 620 und das zweite Halteteil 610 entlang der vertikalen Richtung zu verstellen. Gleichzeitiger Betrieb des zweiten Antriebsteils 630 und des ersten Antriebsteils 730 ermöglicht es, Umfangsabschnitte des ersten Substrats 510 und auch die verbundenen Substrate zu halten, wenn das erste Substrat 510 geladen wird bzw. die verbundenen Substrate entladen werden.
- Nun wird ein beispielhaftes Verfahren zum Laden des ersten Substrats 510 durch gleichzeitigen Betrieb des ersten und des zweiten Substrathubsystems 400 und 600 beschrieben. Als Erstes wird das erste Substrathubsystem 400 aktiviert, um den Ladeprozess für das erste Substrat 510, ganz ähnlich wie beim oben beschriebenen Prozess, auszuführen. Anschließend wird die Aufwärtsverstellung des ersten Substrathubsystems 400 ausgeführt, das erste Substrat 510, das auf die Oberseite des unteren Tischs 122 zu laden, wird auf dem ersten Substrathubsystem 400 platziert, und dieses bewegt sich nach unten, um das erste Substrat 510 auf der Oberseite des unteren Tischs 122 zu platzieren.
- Als Zweites werden das erste und das zweite Substrathubsystem 400 und 600 gleichzeitig nach oben verstellt, das erste Substrat 510, das auf die Oberseite des unteren Tischs 122 zu laden ist, wird auf diesen zwei Substrathubsystemen 400 und 600 platziert, und die Abwärtsbewegungen der beiden werden gleichzeitig ausgeführt, um das erste Substrat 510 auf der Unterseite des unteren Tischs 122 zu platzieren. Der Prozess des Ladens des ersten Substrats 510 kann ausgeführt werden, während der zentrale Abschnitt und die Umfangsabschnitte desselben gleichzeitig abgestützt werden, um dadurch eine Auslenkung oder ein Herunterhängen des ersten Substrats 510 zu verhindern.
- Als Drittes wird das zweite Substrathubsystem 600 nach oben verstellt, das erste Substrat 510, das auf die Oberseite des unteren Tischs 122 zu laden ist, wird auf dem zweiten Substrathubsystem 600 platziert, das erste Substrathubsystem 400 bewegt sich weiterhin nach oben, um das erste Substrat 510 auf dem zweiten Substrathubsystem 600 zu lagern, und die Bewegung des ersten und des zweiten Substrathubsystems 400 und 600 wird ausgeführt, um das erste Substrat 510 auf der Oberseite des unteren Tischs 122 zu platzieren. Demgemäß bewegt sich, nach dem Halten des ersten Substrats 510 durch das zweite Substrathubsystem 600 und vor dem Entladeprozess durch den ersten Arm 310, das erste Substrathubsystem 400 nach oben, um das erste Substrat 510 gemeinsam mit dem zweiten Substrathubsystem 600 zu lagern. Außerdem bewegt sich, nachdem das erste Substrat 510 durch den ersten Arm 310 entladen wurde und es durch das zweite Substrathubsystem 600 abgestützt wird, das erste Substrathubsystem 400 nach oben, um das erste Substrat 510 gemeinsam mit dem zweiten Substrathubsystem 600 abzustützen. Der Prozess verhindert eine Wechselwirkung zwischen den ersten und zweiten Halteteilen 410a und 410b sowie dem ersten Arm 310 während des Ladeprozesses des ersten Substrats 510, und es werden auch die Biegeabschnitte der ersten Halteteile 410a und 410b umgangen.
- Als Viertes erfolgt eine Verstellung des ersten Substrathubsystems 400 nach oben, das erste Substrat 510, das auf die Oberseite des unteren Tischs 122 zu laden ist, wird auf dem ersten und zweiten Substrathubsystem 400 und 600 platziert, und diese bewegen sich nach oben, um das erste Substrat 510 zu lagern, und dann werden diese beiden Substrathubsysteme gleichzeitig nach unten verstellt, um das erste Substrat 510 auf der Oberseite des unteren Tischs 122 zu platzieren.
- Der beschriebene Prozess gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, bei dem das erste Substrat 510 unter Verwendung des ersten und des zweiten Substrathubsystems 400 und 600 geladen wird, ist nicht auf den oben genannten Prozess beschränkt, sondern es können verschiedene Variationen verwendet werden.
Claims (25)
einer eine Einheit bildenden Vakuumverarbeitungskammer (110);
einem oberen und einem unteren Tisch (121, 122), die einander in der Vakuumverarbeitungskammer gegenüberstehen, um ein erstes und ein zweites Substrat (510, 520) miteinander zu verbinden; und
einem ersten Substrathubsystem (400), das am unteren Tisch ausgebildet ist, um das erste Substrat anzuheben.
ein erstes Halteteil (410a) zum Halten des Substrats (510); und
ein erstes Aufnahmeteil (122d), das im unteren Tisch (122) ausgebildet ist, um das erste Halteteil aufzunehmen.
eine erste Hubachse (420), die im ersten Halteteil (410a) vorhanden ist und das erste Aufnahmeteil (122d) von einem unteren Abschnitt des unteren Tischs (122) her durchdringt, um das erste Halteteil nach oben und unten zu verstellen; und
ein erstes Antriebsteil (430), das mit der ersten Hubachse verbunden ist, um diese so zu betreiben, dass sie sich nach oben und unten bewegt.
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Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7270587B2 (en) * | 2002-03-05 | 2007-09-18 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus and method for manufacturing liquid crystal display devices, method for using the apparatus, and device produced by the method |
US7040525B2 (en) * | 2002-03-20 | 2006-05-09 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Stage structure in bonding machine and method for controlling the same |
US7557373B2 (en) * | 2004-03-30 | 2009-07-07 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Thin-film transistor substrate including pixel regions where gate electrode lines are arrayed on an insulating substrate, and display therewith |
WO2006023838A2 (en) | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Brooks Automation, Inc. | Reduced capacity carrier and method of use |
KR100898793B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2009-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자용 기판 합착 장치 |
JP4661716B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2011-03-30 | 株式会社日立プラントテクノロジー | 基板貼合装置 |
NL1034780C2 (nl) * | 2007-11-30 | 2009-06-03 | Xycarb Ceramics B V | Inrichting voor het laagsgewijs laten neerslaan van verschillende materialen op een halfgeleider-substraat alsmede een hefpin voor toepassing in een dergelijke inrichting. |
KR100962953B1 (ko) | 2008-04-23 | 2010-06-10 | 로체 시스템즈(주) | 유리 기판 이송용 로봇 |
EP2290678A1 (de) * | 2008-06-20 | 2011-03-02 | Canon Anelva Corporation | Vakuumverarbeitungsvorrichtung, vakuumverarbeitungsverfahren und verfahren zur herstellung elektronischer bauelemente |
WO2010095215A1 (ja) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 信越エンジニアリング株式会社 | ワーク搬送装置及び真空貼り合わせ方法 |
US8617343B2 (en) * | 2009-12-25 | 2013-12-31 | Japan Display Central Inc. | Manufacturing method of flat-panel display device and bonding press apparatus therefor |
DE102010045411A1 (de) * | 2010-09-15 | 2012-03-15 | Uwe Beier | Vorrichtung zur Behandlung und/oder Bearbeitung von Substraten |
KR101288864B1 (ko) * | 2011-01-28 | 2013-07-23 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 기판합착장치 |
WO2013023708A1 (de) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten |
KR101287161B1 (ko) | 2011-12-07 | 2013-07-17 | (주)에스티아이 | 패널 세정장치 |
CN104617017A (zh) * | 2015-01-12 | 2015-05-13 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 基板支撑装置及支撑方法、真空干燥设备 |
CN104635387B (zh) * | 2015-03-03 | 2017-10-10 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种液晶滴注计量设备与方法 |
KR101983638B1 (ko) * | 2017-03-13 | 2019-05-30 | 주식회사 아바코 | 기판 홀딩장치 및 챔버장치 |
CN206541819U (zh) * | 2017-03-29 | 2017-10-03 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种贴合设备 |
KR20200093099A (ko) * | 2019-01-25 | 2020-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 제조용 스테이지 얼라인먼트 장치 및 방법 |
CN113053714B (zh) * | 2019-12-27 | 2024-03-08 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 真空处理系统、基台的驱动装置及其控制方法 |
Family Cites Families (168)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US477225A (en) * | 1892-06-21 | Petebs cci | ||
US3978580A (en) | 1973-06-28 | 1976-09-07 | Hughes Aircraft Company | Method of fabricating a liquid crystal display |
JPS5165656A (de) | 1974-12-04 | 1976-06-07 | Shinshu Seiki Kk | |
US4094058A (en) | 1976-07-23 | 1978-06-13 | Omron Tateisi Electronics Co. | Method of manufacture of liquid crystal displays |
JP3249765B2 (ja) | 1997-05-07 | 2002-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPS5738414A (en) | 1980-08-20 | 1982-03-03 | Showa Denko Kk | Spacer for display panel |
JPS5788428A (en) | 1980-11-20 | 1982-06-02 | Ricoh Elemex Corp | Manufacture of liquid crystal display body device |
JPS5827126A (ja) | 1981-08-11 | 1983-02-17 | Nec Corp | 液晶表示パネルの製造方法 |
JPS5957221A (ja) | 1982-09-28 | 1984-04-02 | Asahi Glass Co Ltd | 表示素子の製造方法及び製造装置 |
JPS59195222A (ja) | 1983-04-19 | 1984-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造法 |
JPS60111221A (ja) | 1983-11-19 | 1985-06-17 | Nippon Denso Co Ltd | 液晶充填方法および装置 |
JPS60164723A (ja) | 1984-02-07 | 1985-08-27 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 液晶表示装置 |
JPS60217343A (ja) | 1984-04-13 | 1985-10-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JPS617822A (ja) | 1984-06-22 | 1986-01-14 | Canon Inc | 液晶素子の製造方法 |
JPS6155625A (ja) | 1984-08-24 | 1986-03-20 | Nippon Denso Co Ltd | 液晶素子製造方法 |
US4775225A (en) | 1985-05-16 | 1988-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having pillar spacers with small base periphery width in direction perpendicular to orientation treatment |
JP2535142B2 (ja) | 1985-07-15 | 1996-09-18 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
US4691995A (en) | 1985-07-15 | 1987-09-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal filling device |
JPS6254228A (ja) | 1985-07-15 | 1987-03-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2616761B2 (ja) | 1985-07-15 | 1997-06-04 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
JPS6289025A (ja) | 1985-10-15 | 1987-04-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
JPS6290622A (ja) | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
US4653864A (en) | 1986-02-26 | 1987-03-31 | Ovonic Imaging Systems, Inc. | Liquid crystal matrix display having improved spacers and method of making same |
JPH0668589B2 (ja) | 1986-03-06 | 1994-08-31 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
US5963288A (en) | 1987-08-20 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device having sealant and spacers made from the same material |
US5379139A (en) | 1986-08-20 | 1995-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device and method for manufacturing same with spacers formed by photolithography |
JPS63109413A (ja) | 1986-10-27 | 1988-05-14 | Fujitsu Ltd | 液晶デイスプレイの製造方法 |
JPS63110425A (ja) | 1986-10-29 | 1988-05-14 | Toppan Printing Co Ltd | 液晶封入用セル |
JPS63128315A (ja) | 1986-11-19 | 1988-05-31 | Victor Co Of Japan Ltd | 液晶表示素子 |
JPS63311233A (ja) | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Toyota Motor Corp | 液晶セル |
DE3825066A1 (de) | 1988-07-23 | 1990-01-25 | Roehm Gmbh | Verfahren zur herstellung von duennen, anisotropen schichten auf oberflaechenstrukturierten traegern |
US4964078A (en) | 1989-05-16 | 1990-10-16 | Motorola, Inc. | Combined multiple memories |
JPH0536425A (ja) | 1991-02-12 | 1993-02-12 | Tokyo Electric Power Co Inc:The | 固体電解質型燃料電池用合金セパレータ及びその製造 方法 |
DE69226998T2 (de) | 1991-07-19 | 1999-04-15 | Sharp K.K., Osaka | Optisches Modulationselement und Vorrichtungen mit einem solchen Element |
JP3068264B2 (ja) | 1991-07-31 | 2000-07-24 | 三菱重工業株式会社 | 固体電解質燃料電池 |
JPH05107533A (ja) | 1991-10-16 | 1993-04-30 | Shinetsu Eng Kk | 液晶表示板用ガラス基板の貼り合せ方法及びその貼り合せ装置 |
JPH05127179A (ja) | 1991-11-01 | 1993-05-25 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JP2609386B2 (ja) | 1991-12-06 | 1997-05-14 | 株式会社日立製作所 | 基板組立装置 |
JP3159504B2 (ja) | 1992-02-20 | 2001-04-23 | 松下電器産業株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
JP3153372B2 (ja) | 1992-02-26 | 2001-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JPH05265011A (ja) | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Seiko Instr Inc | 液晶表示素子の製造方法 |
JPH05281562A (ja) | 1992-04-01 | 1993-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
JP2939384B2 (ja) | 1992-04-01 | 1999-08-25 | 松下電器産業株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
US5406989A (en) | 1993-10-12 | 1995-04-18 | Ayumi Industry Co., Ltd. | Method and dispenser for filling liquid crystal into LCD cell |
US5507323A (en) | 1993-10-12 | 1996-04-16 | Fujitsu Limited | Method and dispenser for filling liquid crystal into LCD cell |
JP2604090B2 (ja) | 1992-06-30 | 1997-04-23 | 信越エンジニアリング株式会社 | 液晶表示板用ガラス基板の貼り合せ装置 |
JPH0651256A (ja) | 1992-07-30 | 1994-02-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶吐出装置 |
JPH0664229A (ja) | 1992-08-24 | 1994-03-08 | Toshiba Corp | 光プリンタヘッド |
JP3084975B2 (ja) | 1992-11-06 | 2000-09-04 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示用セルの製造装置 |
JPH06160871A (ja) | 1992-11-26 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
JPH06194637A (ja) | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Shinetsu Eng Kk | 液晶表示板用ガラス基板の貼り合せ方法 |
JPH06235925A (ja) | 1993-02-10 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JPH06265915A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶充填用吐出装置 |
JP3210126B2 (ja) | 1993-03-15 | 2001-09-17 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3170773B2 (ja) | 1993-04-28 | 2001-05-28 | 株式会社日立製作所 | 基板組立装置 |
US5539545A (en) | 1993-05-18 | 1996-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making LCD in which resin columns are cured and the liquid crystal is reoriented |
JP2957385B2 (ja) | 1993-06-14 | 1999-10-04 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子の製造方法 |
JP3260511B2 (ja) | 1993-09-13 | 2002-02-25 | 株式会社日立製作所 | シール剤描画方法 |
JPH07128674A (ja) | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JPH07181507A (ja) | 1993-12-21 | 1995-07-21 | Canon Inc | 液晶表示装置及び該液晶表示装置を備えた情報伝達装置 |
DE69526894T2 (de) | 1994-09-26 | 2003-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Flüssigkristallanzeigetafel, Verfahren und Vorrichtung zu ihrer Herstellung |
JP3189591B2 (ja) | 1994-09-27 | 2001-07-16 | 松下電器産業株式会社 | 液晶素子の製造方法 |
JPH08101395A (ja) | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JPH08106101A (ja) | 1994-10-06 | 1996-04-23 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
JP3495436B2 (ja) * | 1994-11-11 | 2004-02-09 | 三洋電機株式会社 | 表示パネルの加工方法及び加工装置 |
JPH08171094A (ja) | 1994-12-19 | 1996-07-02 | Nippon Soken Inc | 液晶表示器への液晶注入方法及び注入装置 |
JP3545076B2 (ja) | 1995-01-11 | 2004-07-21 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3216869B2 (ja) | 1995-02-17 | 2001-10-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
US6001203A (en) | 1995-03-01 | 1999-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Production process of liquid crystal display panel, seal material for liquid crystal cell and liquid crystal display |
JPH08241851A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Canon Inc | 基板回転装置 |
JP3534474B2 (ja) | 1995-03-06 | 2004-06-07 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示パネルのシール方法 |
JP3350278B2 (ja) | 1995-03-06 | 2002-11-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH095762A (ja) | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造法 |
JP3978241B2 (ja) | 1995-07-10 | 2007-09-19 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
JPH0961829A (ja) | 1995-08-21 | 1997-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JPH0973075A (ja) | 1995-09-05 | 1997-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法および液晶表示素子の製造装置 |
JP3161296B2 (ja) | 1995-09-05 | 2001-04-25 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
JPH0980447A (ja) | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Toshiba Electron Eng Corp | 液晶表示素子 |
JPH0990377A (ja) * | 1995-09-22 | 1997-04-04 | Sintokogio Ltd | 液晶パネルの製造装置 |
JP3358935B2 (ja) | 1995-10-02 | 2002-12-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子およびその製造方法 |
JP3658604B2 (ja) | 1995-10-27 | 2005-06-08 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶パネルの製造方法 |
US6236445B1 (en) | 1996-02-22 | 2001-05-22 | Hughes Electronics Corporation | Method for making topographic projections |
JPH09230357A (ja) | 1996-02-22 | 1997-09-05 | Canon Inc | 液晶パネルの製造方法及びこれに用いる液晶セル |
JPH09246362A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置および回転式基板処理方法 |
JP3790295B2 (ja) | 1996-04-17 | 2006-06-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
JP3234496B2 (ja) | 1996-05-21 | 2001-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
KR100208475B1 (ko) | 1996-09-12 | 1999-07-15 | 박원훈 | 자기장 처리에 의한 액정배향막의 제조방법 |
EP0829748A3 (de) | 1996-09-13 | 1999-12-15 | Sony Corporation | Reflektive Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung von Typ Gast-Wirt |
US5922676A (en) * | 1996-09-20 | 1999-07-13 | The Burnham Institute | Methods of inhibiting cancer by using superfibronectin |
JPH10153785A (ja) | 1996-09-26 | 1998-06-09 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
KR100207506B1 (ko) | 1996-10-05 | 1999-07-15 | 윤종용 | 액정 표시 소자의 제조방법 |
JPH10123537A (ja) | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子とその製造方法 |
JP3088960B2 (ja) | 1996-10-22 | 2000-09-18 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
JP3472422B2 (ja) | 1996-11-07 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 液晶装置の製造方法 |
JPH10142616A (ja) | 1996-11-14 | 1998-05-29 | Ayumi Kogyo Kk | 液晶注入方法および液体用ディスペンサー |
JPH10177178A (ja) | 1996-12-17 | 1998-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
JP3874871B2 (ja) | 1997-02-10 | 2007-01-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH10274768A (ja) | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Denso Corp | 液晶セルおよびその製造方法 |
JP3773326B2 (ja) | 1997-04-07 | 2006-05-10 | アユミ工業株式会社 | 液晶の注入方法およびそれに用いるディスペンサー |
JPH10303110A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JPH10333157A (ja) | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH10333159A (ja) | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JPH1114953A (ja) | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多数丁付け液晶表示パネルの製造方法および多数丁付け液晶表示パネル |
JP3874895B2 (ja) | 1997-07-23 | 2007-01-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
JPH1164811A (ja) | 1997-08-21 | 1999-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法およびその装置 |
JPH11109388A (ja) | 1997-10-03 | 1999-04-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4028043B2 (ja) | 1997-10-03 | 2007-12-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 液晶光変調素子および液晶光変調素子の製造方法 |
US5875922A (en) | 1997-10-10 | 1999-03-02 | Nordson Corporation | Apparatus for dispensing an adhesive |
JPH11133438A (ja) | 1997-10-24 | 1999-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子とその製造法 |
JPH11142864A (ja) | 1997-11-07 | 1999-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JPH11264991A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-09-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
US6141733A (en) * | 1998-02-17 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Cache coherency protocol with independent implementation of optimized cache operations |
JPH11248930A (ja) | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラーフィルター基板、そのカラーフィルター基板の製造方法及びそのカラーフィルター基板を用いた液晶表示素子 |
US6055035A (en) | 1998-05-11 | 2000-04-25 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for filling liquid crystal display (LCD) panels |
JPH11326922A (ja) | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
US6337730B1 (en) | 1998-06-02 | 2002-01-08 | Denso Corporation | Non-uniformly-rigid barrier wall spacers used to correct problems caused by thermal contraction of smectic liquid crystal material |
JP2000031759A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Fujitsu Ltd | 差動増幅回路 |
JP2000137235A (ja) | 1998-11-02 | 2000-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶基板の貼り合わせ方法 |
KR20000035302A (ko) | 1998-11-09 | 2000-06-26 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 액정 표시 소자의 제조 방법 및 제조 장치, 및 액정 표시소자 |
JP3828670B2 (ja) | 1998-11-16 | 2006-10-04 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
US6219126B1 (en) | 1998-11-20 | 2001-04-17 | International Business Machines Corporation | Panel assembly for liquid crystal displays having a barrier fillet and an adhesive fillet in the periphery |
JP2000193988A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルの製造方法と製造装置 |
JP3568862B2 (ja) | 1999-02-08 | 2004-09-22 | 大日本印刷株式会社 | カラー液晶表示装置 |
JP2000241824A (ja) | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2000310784A (ja) | 1999-02-22 | 2000-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネル、カラーフィルター及びそれらの製造方法 |
JP3535044B2 (ja) | 1999-06-18 | 2004-06-07 | 株式会社 日立インダストリイズ | 基板の組立て装置とその方法、及び液晶パネルの製造方法 |
JP3410983B2 (ja) | 1999-03-30 | 2003-05-26 | 株式会社 日立インダストリイズ | 基板の組立方法およびその装置 |
JP2000292799A (ja) | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子とその製造方法 |
JP2000310759A (ja) | 1999-04-28 | 2000-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子製造装置および方法 |
JP2001222017A (ja) | 1999-05-24 | 2001-08-17 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2000338501A (ja) | 1999-05-26 | 2000-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
JP3486862B2 (ja) * | 1999-06-21 | 2004-01-13 | 株式会社 日立インダストリイズ | 基板の組立方法とその装置 |
JP3580767B2 (ja) | 1999-10-05 | 2004-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示パネルならびにその製造方法および駆動方法 |
JP2001117105A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2001117109A (ja) | 1999-10-21 | 2001-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3583326B2 (ja) | 1999-11-01 | 2004-11-04 | 協立化学産業株式会社 | Lcdパネルの滴下工法用シール剤 |
JP2001133799A (ja) | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3574865B2 (ja) | 1999-11-08 | 2004-10-06 | 株式会社 日立インダストリイズ | 基板の組立方法とその装置 |
JP2001142074A (ja) | 1999-11-10 | 2001-05-25 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JP2001147437A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Nec Corp | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
JP2001154211A (ja) | 1999-11-30 | 2001-06-08 | Hitachi Ltd | 液晶パネルおよびその製造方法 |
JP2001166310A (ja) | 1999-12-08 | 2001-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネルの製造方法 |
JP3641709B2 (ja) | 1999-12-09 | 2005-04-27 | 株式会社 日立インダストリイズ | 基板の組立方法とその装置 |
JP4132528B2 (ja) | 2000-01-14 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2001209052A (ja) | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2001215459A (ja) | 2000-02-02 | 2001-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子製造装置 |
JP2001235758A (ja) | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
EP1133077A1 (de) | 2000-03-10 | 2001-09-12 | Mitsubishi Electric Information Technology Centre Europe B.V. | Verfahren zur Synchronisation von Basisstationen und eine Mobilstation in einem zellularen Kommunikationssystem |
JP2001255542A (ja) | 2000-03-14 | 2001-09-21 | Sharp Corp | 基板貼り合わせ方法及び基板貼り合わせ装置、並びに、液晶表示素子の製造方法及び製造装置 |
JP2001264782A (ja) | 2000-03-16 | 2001-09-26 | Ayumi Kogyo Kk | フラットパネル基板間への粘液状材料の充填方法 |
JP2001272640A (ja) | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Fujitsu Ltd | 液晶滴下装置及び液晶滴下方法 |
JP3678974B2 (ja) | 2000-03-29 | 2005-08-03 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2001281675A (ja) | 2000-03-29 | 2001-10-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP3707990B2 (ja) | 2000-03-30 | 2005-10-19 | 株式会社 日立インダストリイズ | 基板組立装置 |
JP3492284B2 (ja) | 2000-04-19 | 2004-02-03 | 株式会社 日立インダストリイズ | 基板貼合装置 |
JP2001330840A (ja) | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Toshiba Corp | 液晶表示素子の製造方法 |
JP2001330837A (ja) | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気密構造体とその製造方法およびそれを用いた液晶表示装置とその製造方法 |
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