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DE102021211260A1 - Bearbeitungsvorrichtung - Google Patents

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DE102021211260A1
DE102021211260A1 DE102021211260.9A DE102021211260A DE102021211260A1 DE 102021211260 A1 DE102021211260 A1 DE 102021211260A1 DE 102021211260 A DE102021211260 A DE 102021211260A DE 102021211260 A1 DE102021211260 A1 DE 102021211260A1
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DE
Germany
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wafer
unit
frame
laser beam
tape
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Application number
DE102021211260.9A
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Inventor
Yoshinobu Saito
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
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Publication date
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Abstract

Eine Laserbearbeitungsvorrichtung einer LaserBearbeitungsvorrichtung weist auf: einen Laseroszillator, der ausgestaltet ist, um einen Laser zu oszillieren, einen Kondensor, der ausgestaltet ist, um einen von dem Laseroszillator emittierten Laserstrahl zu kondensieren, und einen Plasmalichtdetektor, der ausgestaltet ist, um von einem einer Bearbeitung durch eine Aufbringung des Laserstrahls unterzogenen Bereich emittiertes Plasmalicht zu detektieren.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Laser-Bearbeitungsvorrichtung, die eine Bearbeitung durch ein Bestrahlen eines Wafers mit einem Laserstrahl durchführt, wobei der Wafer einen Bauelementbereich mit mehreren durch mehrere sich schneidende geplante Teilungslinien unterteilte Bauelemente, die an der oberen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, und einen den Bauelementbereich umgebenden Umfangsüberschussbereich aufweist.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Ein Wafer, bei dem ein Bauelementbereich, der mehrere Bauelemente, wie z.B. integrierte Schaltkreise (ICs) oder eine Large-Scale-Integration (LSI), die durch mehrere sich kreuzende geplante Teilungslinien geteilt sind, und ein Umfangsüberschussbereich, der den Bauelementbereich umgibt, an der oberen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, wird durch ein Schleifen der unteren Oberfläche des Wafers auf eine gewünschte Dicke ausgebildet und wird danach durch eine Schleifvorrichtung oder eine Laserbearbeitungsvorrichtung in einzelne Bauelementchips geteilt. Jeder der geteilten Bauelementchips wird in einer elektrischen Vorrichtung wie beispielsweise einem Mobiltelefon oder einem PC verwendet.
  • Da ein Transport und eine zusätzliche Bearbeitung eines Wafers schwierig sind, wenn der Wafer dünn ausgestaltet wird, hat der vorliegende Anmelder hat eine Technologie vorgeschlagen, bei der ein Teil einer unteren Oberfläche, der einem Bauelementbereiche entspricht, geschliffen wird, und ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt an einem Teil einer unteren Oberfläche ausgebildet wird, der einem Umfangsüberschussbereich entspricht (siehe beispielsweise japanische Offenlegungsschrift Nr. 2015-147231 ).
  • Wenn der Wafer in einzelne Bauelementchips geteilt wird, wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt zu einem Hindernis. Deshalb wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt durch ein Bestrahlen eines Grenzabschnittes zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsüberschussbereich mit einem Laserstrahl entfernt.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Da allerdings eine zusätzliche Bearbeitung eines Beschichtens der oberen Oberfläche oder der unteren Oberfläche des Wafers mit einer metallischen Schicht oder dergleichen durchgeführt werden kann, muss die Leistung des auf den Wafer aufgebrachten Laserstrahls nach Notwendigkeit gemäß dem Material eines Substrates des Wafers, dem Material der Schicht, mit welcher der Wafer beschichtet wird, und dergleichen eingestellt werden. Es besteht somit ein Problem dahingehend, dass die Einstellung schwierig ist.
  • Dementsprechend ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Bearbeitungsvorrichtung bereitzustellen, die es ermöglicht, dass die Leistung eines auf einen Wafer aufgebrachten Laserstrahls einfach eingestellt wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen einer Bearbeitung durch ein Bestrahlen eines Wafers mit einem Laserstrahl, wobei der Wafer einen Bauelementbereich mit mehreren durch mehrere sich schneidende geplante Teilungslinien unterteilten und an einer oberen Oberfläche des Wafers ausgebildeten Bauelementen und einen den Bauelementbereich umgebenden Umfangsüberschussbereich aufweist. Die Laserbearbeitungsvorrichtung weist auf: einen Einspanntisch, der ausgestaltet ist, um den Wafer zu halten, eine Laserstrahlbestrahlungseinheit, die ausgestaltet ist, um den Laserstrahl auf einen Grenzbereich zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsüberschussbereich des von dem Einspanntisch gehaltenen Wafers aufzubringen, und einen Bewegungsmechanismus, der ausgestaltet ist, um den Einspanntisch und die Laserstrahlbestrahlungseinheit relativ zueinander zu bewegen, wobei die Laserstrahlbestrahlungseinheit aufweist: einen Laserstrahloszillator, der ausgestaltet ist, um einen Laser zu oszillieren, einen Kondensor, der ausgestaltet ist, um den vom Laseroszillator emittierten Laserstrahl zu kondensieren, und einen Plasmalichtdetektor, der ausgestaltet ist, um von einem der Bearbeitung durch eine Aufbringung des Laserstrahls unterzogenen Bereich emittiertes Plasmalicht zu detektieren.
  • Bevorzugt weist die Laserbearbeitungsvorrichtung ferner einen zwischen dem Kondensor und dem Laseroszillator angeordneten Strahlteiler, der ausgestaltet ist, um das Plasmalicht abzuzweigen und das Plasmalicht auf einen Abzweigungspfad zu führen, auf, wobei der Plasmalichtdetektor am Abzweigungspfad angeordnet ist. Bevorzugt ist die obere Oberfläche oder eine untere Oberfläche des Wafers mit einer metallischen Schicht beschichtet ist und weist die Laserstrahlbestrahlungseinheit ferner ein Leistungsfestlegungsmittel zum Festlegen einer Leistung des Laserstrahls durch ein Wählen einer Materialart auf. Bevorzugt weist die Laserbearbeitungsvorrichtung ferner ein Fehlerausgabemittel zum Ausgeben eines Fehlers, wenn eine auf einer Basis des von dem Plasmalichtdetektor detektierten Plasmalichts identifizierte Materialart und die vom Leistungsfestlegungsmittel gewählte Materialart unterschiedlich voneinander sind. Bevorzugt ist ein vertiefter Abschnitt an einem Teil einer unteren Oberfläche entsprechend dem Bauelementbereich des Wafers ausgebildet ist und ist ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt in einer vorstehenden Form an einem Teil einer unteren Oberfläche entsprechend dem Umfangsüberschussbereich des Wafers ausgebildet und wird eine Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts mit dem Laserstrahl bestrahlt. Bevorzugt stoppt die Laserbearbeitungsvorrichtung ein Aufbringen des Laserstrahls, wenn der Plasmalichtdetektor aufhört, das Plasmalicht zu detektieren.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung weist die Laserstrahlbestrahlungseinheit den Plasmalichtdetektor auf, der das Plasmalicht detektiert. Die Leistung des auf den Wafer aufgebrachten Laserstrahls kann daher einfach auf der Basis eines Detektionsergebnisses des Plasmalichts eingestellt werden, das von dem Bereich emittiert wird, welcher der Bearbeitung durch die Aufbringung des Laserstrahls unterzogen wird.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und ihre Umsetzungsweise werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Bearbeitungsvorrichtung, die eine Laser-Bearbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aufweist;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der von der in 1 dargestellten Bearbeitungsvorrichtung bearbeitet werden soll;
    • 3 ist eine perspektivische Ansicht eines Waferkassetten-Tisches und dergleichen, die in 1 dargestellt sind;
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Hand;
    • 5 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Rahmenunterbringungseinheit und dergleichen;
    • 6A ist eine perspektivische Ansicht einer Bandanbringungseinheit und dergleichen in einem Zustand, in dem ein in 1 dargestellter Rahmentisch an einer abgesenkten Position angeordnet ist;
    • 6B ist eine perspektivische Ansicht der Bandanbringungseinheit und dergleichen in einem Zustand, in dem der in 1 dargestellte Rahmentisch an einer erhöhten Position angeordnet ist;
    • 7 ist eine perspektivische Explosionsansicht einer in 1 dargestellten Band-Kompressionsverbindungseinheit;
    • 8 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem das Drücken eines Bandes durch eine Drückwalze in einem Band-Kompressionsverbindungsschritt begonnen wird;
    • 9 ist eine Schnittansicht, die einen Zustand darstellt, in dem das Drücken des Bandes durch die Drückwalze in dem Band-Kompressionsverbindungsschritt beendet wird;
    • 10 ist eine perspektivische Ansicht einer in 1 dargestellten Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit;
    • 11A ist eine Schnittansicht eines Rahmentragabschnitts in einem Fall, in dem starke Permanentmagnete eines in 1 dargestellten Übergangsplatzierungstisches an einer erhöhten Position angeordnet sind;
    • 11B ist eine Schnittansicht des Rahmentragabschnitts in einem Fall, in dem die starken Permanentmagnete des in 1 dargestellten Übergangsplatzierungstisches an einer abgesenkten Position angeordnet sind;
    • 12A ist eine Perspektivansicht einer Halteeinheit der in 1 dargestellten Laserbearbeitungsvorrichtung;
    • 12A ist eine perspektivische Ansicht eines in 12A dargestellten ersten Anhebe- und Absenktisches von unten gesehen;
    • 13 ist ein Blockdiagramm, das eine Ausgestaltung einer Laserstrahlbestrahlungseinheit darstellt;
    • 14A ist ein Diagramm, das ein Beispiel für in eine Steuerungseinheit eingegebene Signale darstellt;
    • 14B ist eine Tabelle, die eine Beziehung zwischen der Wellenlänge von Plasmalicht, dem Material eines einer Laserbearbeitung unterzogenen Bereichs und der Leistung eines Laserstrahls darstellt;
    • 15 ist ein schematisches Diagramm, das einen Zustand darstellt, in dem die Basis des Wafers in einem Verstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt mit dem Laserstrahl bestrahlt wird;
    • 16 ist eine perspektivische Ansicht einer Trenneinrichtung der in 1 dargestellten Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit.
    • 17 ist ein schematisches Diagramm, das einen Zustand darstellt, in dem ein Verstärkungsabschnitt in einem Verstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt vom Wafer getrennt wird;
    • 18 ist eine perspektivische Ansicht einer Entsorgungseinheit der in 1 dargestellten Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit;
    • 19 ist eine perspektivische Ansicht eines Umkehrmechanismus einer in 1 dargestellten Entladeeinheit für eine ringlose Einheit;
    • 20 ist eine perspektivische Ansicht einer Trageinheit für eine ringlose Einheit und einer Einschubeinheit der in 1 dargestellten Entladeeinheit für eine ringlose Einheit; und
    • 21 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand darstellt, in dem ein Unterbringungsschritt einer ringlosen Einheit durchgeführt wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN
  • AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Eine Laser-Bearbeitungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird hierin im Folgenden unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, indem eine Bearbeitungsvorrichtung, welche die Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung aufweist, als ein Beispiel genommen wird.
  • Es erfolgt eine Beschreibung unter Bezugnahme auf 1, wobei die Bearbeitungsvorrichtung, die in ihrer Gesamtheit mit dem Bezugszeichen 2 bezeichnet ist, einen Waferkassetten-Tisch 8 auf, der mit einer Waferkassette 6 versehen ist, die mehrere Wafer unterbringt, eine Wafer-Entladeeinheit 10, die einen Wafer aus der am Waferkassetten-Tisch 8 angebrachten Waferkassette 6 entlädt, und einen Wafertisch 12 auf, der die Seite der oberen Oberfläche des von der Wafer-Entladeeinheit 10 entladenen Wafers trägt.
  • 2 zeigt einen Wafer 4, der von der Bearbeitungsvorrichtung 2 bearbeitet werden soll. An einer oberen Oberfläche 4a des Wafers 4 sind ein Bauelementbereich 18, der mehrere Bauelemente 14 wie beispielsweise ICs oder LSIs daran aufweist, die durch geplante Teilungslinien 16 in einer Gitterform abgegrenzt sind, sowie ein Umfangsüberschussbereich 20 ausgebildet, der den Bauelementbereich 18 umgibt. In 2 ist ein Grenzabschnitt 22 zwischen einem Bauelementbereich 18 und einem Umfangsüberschussbereich 20 der Einfachheit halber durch eine doppelt gestrichelte Kettenlinie dargestellt. In Wirklichkeit ist die Linie, die den Grenzbereich 22 anzeigt, jedoch nicht vorhanden. Ein kreisförmiger vertiefter Abschnitt 23 ist an einem Teil einer unteren Oberfläche 4b ausgebildet, wobei der Teil dem Bauelementbereich 18 des Wafers 4 entspricht. Ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt 24 in einer vorstehenden Form an einem Teil der unteren Oberfläche 4b ausgebildet, wobei der Teil dem Umfangsüberschussbereich 20 des Wafers 4 entspricht. Die Dicke des Umfangsüberschussbereichs 20 ist größer als die Dicke des Bauelementbereichs 18. Zusätzlich ist im Umfangsrand des Wafers 4 eine Kerbe 26 ausgebildet, die eine Kristallorientierung anzeigt. Die obere Oberfläche 4a oder die untere Oberfläche 4b des Wafers 4 könnten mit einer metallischen Schicht aus Aluminium, Kupfer oder dergleichen beschichtet sein.
  • Wie in 3 dargestellt, bringt die Kassette 6 mehrere Wafer 4 in Abständen in einer Aufwärts-Abwärts-Richtung in einem Zustand unter, in dem die oberen Oberflächen 4a nach oben gerichtet sind. Der Waferkassetten-Tisch 8 in der vorliegenden Ausführungsform weist eine Oberseite 28, die mit der Waferkassette 6 versehen wird, und eine Tragplatte 30 auf, die die Oberseite 28 trägt. Indessen könnte die Oberseite 28 frei angehoben und abgesenkt werden, und es könnte ein Anhebe- und Absenkmechanismus zum Positionieren der Oberseite 28 an einer beliebigen Höhe durch ein Anheben oder Absenken der Oberseite 28 vorgesehen sein.
  • Unter Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf 3 weist die Wafer-Entladeeinheit 10 ein entlang der Y-Achse bewegbares Element 32, das in eine Y-Achsen-Richtung beweglich ist, die durch einen Pfeil Y in 3 angezeigt wird, sowie einen Y-Achsen-Zuführmechanismus 34 auf, der das entlang der Y-Achse bewegbare Element 32 in der Y-Achsen-Richtung bewegt. Der Y-Achsen-Zuführmechanismus 34 weist eine Kugelgewindespindel 36, die mit einem unteren Ende des entlang der Y-Achse bewegbaren Elements 32 gekoppelt ist und sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt, sowie einen Motor 38 auf, der die Kugelgewindespindel 36 dreht. Der Y-Achsen-Zuführmechanismus 34 wandelt die Drehbewegung des Motors 38 durch die Kugelgewindespindel 36 in eine geradlinige Bewegung um und überträgt die geradlinige Bewegung auf das entlang der Y-Achse bewegbare Element 32. Der Y-Achsen-Zuführmechanismus 34 bewegt dadurch das entlang der Y-Achse bewegbare Element 32 in der Y-Achsen-Richtung entlang eines Paares von Führungsschienen 40, die sich in der Y-Achsen-Richtung erstrecken. Indessen ist eine X-Achsen-Richtung, die durch einen Pfeil X in 3 angezeigt wird, eine zur Y-Achsen-Richtung orthogonale Richtung, und eine Z-Achsen-Richtung, die durch einen Pfeil Z in 3 angezeigt wird, ist eine Aufwärts-Abwärts-Richtung orthogonal zur X-Achsen-Richtung und zur Y-Achsen-Richtung. Eine durch die X-Achsen-Richtung und die Y-Achsen-Richtung definierte XY-Ebene ist im Wesentlichen horizontal.
  • Wie in 3 dargestellt, weist die Wafer-Entladeeinheit 10 in der vorliegenden Ausführungsform einen Transportarm 42 und eine Hand 44 auf, die an einem distalen Ende des Transportarms 42 angeordnet ist und die die untere Oberfläche 4b des in der Waferkassette 6 untergebrachten Wafers 4 trägt und die Oberseite und die Unterseite des Wafers 4 umdreht. Der Transportarm 42 ist an der oberen Oberfläche des entlang der Y-Achse bewegbaren Elements 32 vorgesehen und wird durch eine geeignete Antriebsquelle (nicht dargestellt) wie beispielsweise eine Luftantriebsquelle oder eine elektrische Antriebsquelle angetrieben. Diese Antriebsquelle treibt den Transportarm 42 an, um die Hand 44 an einer wählbaren Position in der X-Achsen-Richtung, der Y-Achsen-Richtung und der Z-Achsen-Richtung zu positionieren, und dreht die Hand 44 vertikal um.
  • Unter Bezugnahme auf 4 beschreibend, handelt es sich bei der Hand 44 vorzugsweise um ein Bernoulli-Pad, das durch ein Ausstoßen von Luft einen Unterdruck erzeugt und somit den Wafer 4 berührungslos trägt. In der vorliegenden Ausführungsform weist die Hand 44 insgesamt eine C-Form auf. In einer Oberfläche der Hand 44 sind mehrere Luft-Ausstoßöffnungen 46 ausgebildet, die mit einer Druckluftzufuhrquelle 413 verbunden sind. Mehrere Führungsstifte 48 sind am Umfangsrand der Hand 44 in Abständen in einer Umfangsrichtung angebracht. Jeder Führungsstift 48 ist so ausgestaltet, dass er in der radialen Richtung der Hand 44 bewegbar ist.
  • Wie in 3 und 4 dargestellt, positioniert die Wafer-Entladeeinheit 10 die Hand 44 an der Seite der unteren Oberfläche 4b (untere Seite) des Wafers 4 innerhalb der auf dem Waferkassetten-Tisch 8 angebrachten Waferkassette 6, erzeugt danach einen Unterdruck an einer Oberflächenseite der Hand 44 auf der Basis eines Bernoulli-Effekts durch ein Ausstoßen von Druckluft aus den Luft-Ausstoßöffnungen 46 der Hand 44 und saugt und trägt somit den Wafer 4 durch die Hand 44 von der Seite der unteren Oberfläche 4b auf eine berührungslose Weise. Eine horizontale Bewegung des Wafers 4, der von der Hand 44 angesaugt und getragen wird, wird durch jeden Führungsstift 48 geregelt. Dann entlädt die Wafer-Entladeeinheit 10 den von der Hand 44 angesaugten und getragenen Wafer 4 aus der Waferkassette 6, indem sie das entlang der Y-Achse bewegbare Element 32 und den Transportarm 42 bewegt.
  • Wie in 4 dargestellt, weist die Wafer-Entladeeinheit 10 in der vorliegenden Ausführungsform eine Kerben-Detektionseinheit 50 auf, welche die Position der Kerbe 26 des Wafers 4 detektiert. Es genügt, wenn die Kerben-Detektionseinheit 50 beispielsweise eine Ausgestaltung aufweist, die ein Lichtemissionselement 52 und ein Lichtempfangselement 54, die in einem Abstand voneinander in der Aufwärts-Abwärts-Richtung angeordnet sind, und eine Antriebsquelle (nicht dargestellt) aufweist, die mindestens einen der Führungsstifte 48 der Hand 44 dreht.
  • Das Lichtemissionselement 52 und das Lichtempfangselement 54 können über entsprechende Halterungen (nicht dargestellt) an dem entlang der Y-Achse bewegbaren Element 32 oder einem Transportpfad angebracht werden. Zusätzlich veranlasst die Drehung des Führungsstifts 48, wenn der Führungsstift 48 durch die Antriebsquelle gedreht wird, eine Drehung des Wafers 4, der von der Hand 44 angesaugt und getragen wird. Um die Drehung vom Führungsstift 48 zuverlässig auf den Wafer 4 zu übertragen, ist die äußere, von der Antriebsquelle gedrehte, Umfangsoberfläche des Führungsstifts 48 vorzugsweise aus einem geeigneten synthetischen Gummi ausgebildet.
  • Die Kerben-Detektionseinheit 50 kann die Position der Kerbe 26 durch ein Drehen des Wafers 4 durch die Antriebsquelle über den Führungsstift 48 in einem Zustand detektieren, in dem der Wafer 4 von der Hand 44 angesaugt und getragen wird und der Außenumfang des Wafers 4 zwischen dem Lichtemissionselement 52 und dem Lichtempfangselement 54 positioniert ist. Auf diese Weise kann die Ausrichtung des Wafers 4 auf eine wählbare Ausrichtung eingestellt werden.
  • Wie in 3 dargestellt, ist der Wafertisch 12 so angeordnet, dass neben der Wafer-Entladeeinheit 10 angeordnet ist. Der Wafertisch 12 in der vorliegenden Ausführungsform weist einen ringförmigen Tragabschnitt 56, der den Umfangsüberschussbereich 20 des Wafers 4 trägt und einen Teil an der Innenseite des Umfangsüberschussbereichs 20 in einem berührungslosen Zustand belässt, sowie einen Rahmentragabschnitt 58 auf, der am Umfang des ringförmigen Tragabschnitts 56 angeordnet ist und einen Ringrahmen 64 trägt (siehe 5), der später beschrieben wird. In der oberen Oberfläche des ringförmigen Tragabschnitts 56 sind mehrere Ansauglöcher 60 ausgebildet, die in Abständen in einer Umfangsrichtung angeordnet sind. Jedes Ansaugloch 60 ist mit einem Ansaugmittel (nicht dargestellt) verbunden. Ein radial innen liegender Teil des ringförmigen Tragabschnitts 56 im Wafertisch 12 ist eine kreisförmige Vertiefung 62, die nach unten hin vertieft ist.
  • Nachdem die Hand 44 die Oberseite und die Unterseite des Wafers 4 durch ein Umdrehen des Wafers 4 um 180° umgedreht hat und der Wafer 4 an dem Wafertisch 12 in einem Zustand angebracht ist, in dem die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 nach unten gerichtet ist, wird der Umfangsüberschussbereich 20 des Wafers 4 von dem ringförmigen Tragabschnitt 56 getragen, und der Bauelementbereich 18 des Wafers 4 ist an der Vertiefung 62 angeordnet. Daher kommen die Bauelemente 14 und der Wafertisch 12 nicht miteinander in Kontakt, selbst wenn der Wafer 4 am Wafertisch 12 in einem Zustand angebracht ist, in dem die obere Oberfläche 4a mit den daran ausgebildeten Bauelementen 14 nach unten gerichtet ist, so dass eine Beschädigung der Bauelemente 14 verhindert wird. Zusätzlich erzeugt der Wafertisch 12, nachdem der Wafertisch 12 den Umfangsüberschussbereich 20 durch den ringförmigen Tragabschnitt 56 stützt, eine Ansaugkraft in jedem Ansaugloch 60 durch ein Betätigen des Betätigungsmittels, und saugt somit den Umfangsüberschussbereich 20 an und hält ihn. Der Wafertisch 12 verhindert dadurch eine Positionsverschiebung des Wafers 4.
  • Unter Bezugnahme auf 5 beschreibend, weist die Bearbeitungsvorrichtung 2 ferner eine Rahmenunterbringungseinheit 66, die mehrere ringförmige Ringrahmen 64 unterbringt, in denen ein Öffnungsabschnitt 64a zum Unterbringen des Wafers 4 ausgebildet ist, eine Rahmenentladeeinheit 68, die einen Ringrahmen 64 aus der Rahmenunterbringungseinheit 66 entlädt, und einen Rahmentisch 70 auf, der den von der Rahmenentladeeinheit 68 entladenen Ringrahmen 64 trägt.
  • Wie in 5 dargestellt, weist die Rahmenunterbringungseinheit 66 in der vorliegenden Ausführungsform ein Gehäuse 72, eine Anhebe- und Absenkplatte 74, die innerhalb des Gehäuses 72 anhebbar und absenkbar angeordnet ist, sowie den Anhebe- und Absenkmechanismus (nicht dargestellt) zum Anheben und Absenken der Anhebe- und Absenkplatte 74 auf. Ein sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckendes Z-Achsen-Führungselement 78 ist in 5 an einer Seitenoberfläche auf einer in der X-Achsen-Richtung entfernten Seite des Gehäuses 72 angeordnet. Die Anhebe-und Absenkplatte 74 wird durch das Z-Achsen-Führungselement 78 anhebbar und absenkbar getragen. Der Anhebe- und Absenkmechanismus zum Anheben und Absenken der Anhebe- und Absenkplatte 74 ist innerhalb des Z-Achsen-Führungselements 78 angeordnet. Es genügt, wenn der Anhebe- und Absenkmechanismus beispielsweise eine Ausgestaltung aufweist, die eine mit der Anhebe- und Absenkplatte 74 gekoppelte und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckende Kugelgewindespindel und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht. Eine Tür 76, an der ein Griff 76a angebracht ist, ist an einer Seitenoberfläche an einer in der X-Achsen-Richtung nahen Seite des Gehäuses 72 in 5 vorgesehen. An der Rahmenunterbringungseinheit 66 können, wenn der Griff 76a gegriffen und die Tür 76 geöffnet wird, Ringrahmen 64 innerhalb des Gehäuses 72 untergebracht werden. Zusätzlich ist an einem oberen Ende des Gehäuses 72 ein Öffnungsabschnitt 80 vorgesehen.
  • Wie in 5 dargestellt, sind die aus einem ferromagnetischen Material ausgebildeten Ringrahmen 64 so im Gehäuse 72 untergebracht, dass sie an der oberen Oberfläche der Anhebe- und Absenkplatte 74 geschichtet sind. Die Rahmenentladeeinheit 68 entlädt einen Ringrahmen 64 an der Oberseite der mehreren geschichteten Ringrahmen 64 aus dem Öffnungsabschnitt 80 des Gehäuses 72. Nachdem der Ringrahmen 64 aus dem Öffnungsabschnitt 80 entladen ist, hebt die Rahmenunterbringungseinheit 66 zusätzlich die Anhebe- und Absenkplatte 74 durch den Anhebe- und Absenkmechanismus nach Notwendigkeit an und positioniert einen Ringrahmen 64 an der Oberseite in einer solchen Position, dass er von der Rahmenentladeeinheit 68 entladen werden kann.
  • In Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf 5, weist die Rahmenentladeeinheit 68 ein X-Achsen-Führungselement 82, das an einer geeigneten Halterung (nicht dargestellt) befestigt ist und sich in der X-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der X-Achse bewegbares Element 84, das von dem X-Achsen-Führungselement 82 so getragen wird, dass es in der X-Achsen-Richtung beweglich ist, einen X-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt), der das entlang der X-Achsen bewegbare Element 84 in der X-Achsen-Richtung bewegt, ein entlang der Z-Achsen bewegbares Element 86, das von dem entlang der X-Achsen bewegbaren Element 84 so getragen wird, dass es in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Z-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt) auf, der das entlang der Z-Achsen bewegbare Element 86 in der Z-Achsen-Richtung bewegt. Es genügt, wenn der X-Achsen-Zuführmechanismus der Rahmenentladeeinheit 68 eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel, die mit dem entlang der X-Achse bewegbaren Element 84 gekoppelt ist und sich in der X-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht. Es genügt, wenn der Z-Achsen-Zuführmechanismus eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel, die mit dem entlang der Z-Achse bewegbaren Element 86 gekoppelt ist und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht.
  • Das entlang der Z-Achse bewegbare Element 86 der Rahmenentladeeinheit 68 weist eine Halteeinheit 88 auf, die den Ringrahmen 64 hält. Die Halteeinheit 88 weist in der vorliegenden Ausführungsform eine rechteckige Platte 90 und mehrere an der unteren Oberfläche der Platte 90 angeordnete Ansaugpads 92 auf. Jedes Ansaugpad 92 ist mit einem Ansaugmittel (nicht dargestellt) verbunden.
  • Die Rahmen-Entladeeinheit 68 saugt den Ringrahmen 64 an und hält ihn oben, wobei der Ringrahmen 64 in der Rahmenunterbringungseinheit 66 durch die Ansaugpads 92 der Halteeinheit 88 untergebracht ist, und bewegt danach das entlang der X-Achse bewegbare Element 84 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 86. Die Rahmenentladeeinheit 68 entlädt dadurch den angesaugten und gehaltenen Ringrahmen 64 an der Oberseite aus der Rahmenunterbringungseinheit 66.
  • Wie in 5 dargestellt, wird der Rahmentisch 70 von einem Z-Achsen-Führungselement 94 so getragen, dass er zwischen einer abgesenkten Position, die durch eine durchgezogene Linie angezeigt wird, und einer angehobenen Position, die durch eine doppelt gestrichelte Kettenlinie angezeigt wird, angehoben und abgesenkt werden kann. Eine geeignete Antriebsquelle (beispielsweise eine Luftantriebsquelle oder eine elektrische Antriebsquelle), die den Rahmentisch 70 zwischen der abgesenkten Position und der angehobenen Position anhebt oder absenkt, ist am Z-Achsen-Führungselement 94 angebracht. Der Rahmentisch 70 ist ausgestaltet, um den Ringrahmen 64, der von der Rahmenentladeeinheit 68 entladen wurde, an der abgesenkten Position aufzunehmen.
  • Wie in 1 und 5 dargestellt, weist die Bearbeitungsvorrichtung 2 eine Bandanbringeinheit 98 (siehe 1), die oberhalb des Rahmentisches 70 angeordnet ist und ein Band 96 an dem Ringrahmen 64 befestigt, eine Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band (siehe 5), die den Ringrahmen 64, an dem das Band 96 angebracht ist (wobei der Rahmen im Folgenden als „Rahmen mit angebrachtem Band 64''' bezeichnet werden kann), zum Wafertisch 12 transportiert, den Öffnungsabschnitt 64a des Ringrahmens 64 an der unteren Oberfläche 4b des vom Wafertisch 12 getragenen Wafers 4 positioniert und den Rahmen 64' mit angebrachtem Band am Wafertisch 12 anbringt, und eine Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 (siehe 1) auf, die das Band 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band an der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 druckverbindet.
  • Unter Bezugnahme auf 6A und 6B beschreibend, weist die Bandanbringeinheit 98 in der vorliegenden Ausführungsform eine Rollenband-Trageinheit 104, die ein Rollenband 96R trägt, auf das das Band 96 vor einer Verwendung aufgewickelt wird, eine Bandaufwickeleinheit 106, die das bereits verwendete Band 96 aufwickelt, eine Bandentnahmeeinheit 108, die das Band 96 von dem Rollenband 96R entnimmt, eine Kompressions-Verbindungseinheit 110, die das abgezogene Band 96 mit dem Ringrahmen 64 durch druckverbindet, und eine Schneideinheit 112 auf, die das Band 96 abschneidet, das sich vom Außenumfang des Ringrahmens 64 entlang des Ringrahmens 64 erstreckt.
  • Wie in 6A und 6B dargestellt, weist die Rollenband-Trageinheit 104 eine Tragwalze 114 auf, die von einer entsprechenden Halterung (nicht dargestellt) so getragen wird, dass sie um eine sich in der X-Achsen-Richtung erstreckende Achse drehbar ist. Die Tragwalze 114 trägt das in einer zylindrischen Form gewickelte Rollenband 96R so, dass ein Abziehpapier 116 zum Schützen der Haftoberfläche des Bandes 96 an der Haftoberfläche des Bandes 96 angebracht ist.
  • Die Bandwickeleinheit 106 weist eine Aufwickelwalze 118 , die von einer entsprechenden Halterung (nicht dargestellt) getragen wird, so dass sie um eine sich in der X-Achsen-Richtung erstreckende Achse drehbar ist, sowie einen Motor (nicht dargestellt) auf, der die Wickelwalze 118 dreht. Wie in 6A und 6B dargestellt, wickelt die Bandwickeleinheit 106 das bereits verwendete Band 96, in dem ein kreisförmiger Öffnungsabschnitt 120 ausgebildet ist, der einem an dem Ringrahmen 64 angebrachten Teil entspricht, durch ein Drehen der Wickelwalze 118 durch den Motor auf.
  • In Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf 6A und 6B weist die Bandabzugseinheit 108 eine unterhalb der Tragwalze 114 der Rollenband-Trageinheit 104 angeordnete Abziehwalze 122, einen (nicht dargestellten) Motor, der die Abziehwalze 122 dreht, und eine angetriebene Walze 124 auf, die sich dreht, wenn sich die Abziehwalze 122 dreht. Die Bandabzugseinheit 108 zieht das zwischen der Abziehwalze 122 und der angetriebenen Walze 124 in die Mitte genommene Band 96 vom Rollenband 96R ab, indem die angetriebene Walze 124 zusammen mit der Abziehwalze 122 durch den Motor gedreht wird.
  • Das Abziehpapier 116 wird von dem zwischen der Abziehwalze 122 und der angetriebenen Walze 124 durchgeführten Band 96 abgezogen. Das abgezogene Abziehpapier 116 wird von einer Abziehpapier-Aufwickeleinheit 126 aufgewickelt. Die Abziehpapier-Aufwickeleinheit 126 weist in der vorliegenden Ausführungsform eine oberhalb der angetriebenen Walze 124 angeordnete Abziehpapier-Aufwickelwalze 128 und einen (nicht dargestellten) Motor auf, der die Abziehpapier-Aufwickelwalze 128 dreht. Zusätzlich wird das Band 96, von dem das Abziehpapier 116 abgezogen wird, über eine in der Y-Achsen-Richtung mit einem Abstand zur Abziehwalze 122 angeordnete Führungswalze 130 zur Aufwickelwalze 118 geführt.
  • Die Kompressions-Verbindungseinheit 110 weist eine Drückwalze 132, die so angeordnet ist, dass sie in der Y-Achsen-Richtung bewegbar ist, und einen Y-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt) auf, der die Drückwalze 132 in der Y-Achsen-Richtung bewegt, auf. Der Y-Achsen-Zuführmechanismus der Kompressions-Verbindungseinheit 110 kann durch eine geeignete Antriebsquelle (beispielsweise eine Luftantriebsquelle oder eine elektrische Antriebsquelle) ausgebildet sein.
  • Wie in 6 dargestellt, weist die Schneideinheit 112 ein Z-Achsen-Führungselement 134, das an einer geeigneten Halterung (nicht dargestellt) befestigt ist und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der Z-Achse bewegbares Element 136, das von dem Z-Achsen-Führungselement 134 so getragen wird, dass es in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Z-Achsen-Zuführungsmechanismus (nicht dargestellt) auf, der das entlang der Z-Achse bewegbare Element 136 in der Z-Achsen-Richtung bewegt. Es genügt, wenn der Z-Achsen-Zuführmechanismus der Schneideinheit 112 eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel, die mit dem entlang der Z-Achse bewegbaren Element 136 gekoppelt ist und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht.
  • Zusätzlich weist die Schneideinheit 112 einen Motor 138, der an der unteren Oberfläche eines distalen Endes des entlang der Z-Achse bewegbaren Elements 136 befestigt ist, und einen Armteil 140 auf, der von dem Motor 138 um eine sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckende Achse gedreht wird. Ein erstes und ein zweites herabhängendes Stück 142a und 142b sind an der unteren Oberfläche des Armteils 140 in einem Abstand voneinander angebracht. Eine kreisförmige Schneideinrichtung 144 wird von dem ersten herabhängenden Stück 142a so getragen, dass sie um eine zur Z-Achsen-Richtung senkrechte Achse drehbar ist. Eine Drückwalze 146 wird von dem zweiten herabhängenden Stück 142b so getragen, dass sie um eine zur Z-Achsen-Richtung orthogonale Achse drehbar ist.
  • Bevor der Rahmentisch 70, der den Ringrahmen 64 von der Rahmenentladeeinheit 68 aufgenommen hat, von der abgesenkten Position (in 6A dargestellte Position) in die angehobene Position (in 6B dargestellte Position) positioniert wird, zieht die Bandanbringeinheit 98 das von der Abziehwalze 122 und der angetriebenen Walze 124 noch nicht verwendete Band 96 ab. Dann wird der Rahmentisch 70 an der angehobenen Position in einem solchen Ausmaß positioniert, dass die Drückwalze 132 der Kompressions-Verbindungseinheit 110 das Band 96 gegen den Ringrahmen 64 drücken kann. Der Ringrahmen 64 wird über das Band 96 mit der Drückwalze 132 in Kontakt gebracht. Dann wird die Drückwalze 132 in der Y-Achsen-Richtung gerollt, während die Drückwalze 132 die Haftoberfläche des Bandes 96 gegen den Ringrahmen 64 drückt. Das von der Bandabzugseinheit 108 vom Rollenband 96R abgezogene Band 96 kann dadurch mit dem Ringrahmen 64 druckverbunden werden.
  • Nachdem das Band 96 durch mit dem Ringrahmen 64 druckverbunden ist, senkt die Bandanbringeinheit 98 das entlang der Z-Achse bewegbare Element 136 der Schneideinheit 112 durch den Z-Achsen-Zuführmechanismus ab, drückt die Schneideinrichtung 144 gegen das Band 96 an dem Ringrahmen 64 und drückt den Ringrahmen 64 von oberhalb des Bandes 96 durch die Drückwalze 146. Als nächstes wird der Armteil 140 durch den Motor 138 gedreht, und die Schneideinrichtung 144 und die Drückwalze 146 werden so bewegt, dass sie einen Kreis entlang des Ringrahmens 64 beschreiben. Dadurch kann das sich über den Außenumfang des Ringrahmens 64 erstreckende Band 96 entlang des Ringrahmens 64 abgeschnitten werden. Da die Drückwalze 146 den Ringrahmen 64 von oberhalb des Bandes 96 drückt, wird außerdem eine Positionsverschiebung des Ringrahmens 64 und des Bandes 96 während des Schneidens des Bandes 96 verhindert. Dann wird, nachdem der Rahmentisch 70 abgesenkt ist, das bereits verwendete Band 96, in dem ein kreisförmiger Öffnungsabschnitt 120 ausgebildet ist, der einem am Ringrahmen 64 angebrachten Teil entspricht, von der Bandwickeleinheit 106 aufgewickelt.
  • Wie in 5 dargestellt ist, weist die Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band ein Y-Achsen-Führungselement 148, das an einer entsprechenden Halterung (nicht dargestellt) befestigt ist und sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der Y-Achse bewegbares Element 150, das von dem Y-Achsen-Führungselement 148 so getragen wird, dass es in der Y-Achsen-Richtung beweglich ist, einen Y-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt), der das entlang der Y-Achse bewegbare Element 150 in der Y-Achsen-Richtung bewegt, ein entlang der Z-Achse bewegbares Element 152, das von dem entlang der Y-Achse bewegbaren Element 150 so getragen wird, dass es in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Z-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt) auf, der das entlang der Z-Achse bewegbare Element 152 in der Z-Achsen-Richtung bewegt. Es genügt, wenn der Y-Achsen-Zuführmechanismus der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel, die mit dem entlang der Y-Achse bewegbaren Element 150 verbunden ist und sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht. Es genügt, wenn der Z-Achsen-Zuführmechanismus eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel, die mit dem entlang der Z-Achse bewegbaren Element 152 gekoppelt ist und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht.
  • Das entlang der Z-Achse bewegbare Element 152 der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band weist eine Halteeinheit 154 auf, die den Rahmen mit angebrachtem Band 64` hält. Die Halteeinheit 154 weist in der vorliegenden Ausführungsform eine rechteckige Platte 156 und mehrere Ansaugpads 158 auf, die an der unteren Oberfläche der Platte 156 bereitgestellt sind. Jedes Ansaugpad 158 ist mit einem Ansaugmittel (nicht dargestellt) verbunden.
  • Die Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band saugt und hält mit jedem Ansaugpad 158 der Halteeinheit 154 die obere Oberfläche des Rahmens 64' mit angebrachtem Band, der von dem Rahmentisch 70 getragen wird, in einem Zustand, in dem die HaftOberfläche des Bandes 96 nach unten gerichtet ist. Durch ein Bewegen des entlang der Y-Achse bewegbaren Elements 150 und des entlang der Z-Achse bewegbaren Elements 152 transportiert die Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band den von der Halteeinheit 154 angesaugten und gehaltenen Rahmen 64' mit angebrachtem Band von dem Rahmentisch 70 zu dem Wafertisch 12, positioniert den Öffnungsabschnitt 64a des Ringrahmens 64 an der unteren Oberfläche 4b des von dem Wafertisch 12 getragenen Wafers 4 und bringt den Rahmen 64' mit angebrachtem Band an dem Wafertisch 12 an.
  • Die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 wird unter Bezugnahme auf die 7 bis 9 beschrieben werden. Wie in 7 dargestellt ist, weist die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 eine oberhalb des Wafertisches 12 angeordnete obere Kammer 160, eine untere Kammer 162, die den Wafertisch 12 unterbringt, einen Anhebe-und-Absenk-Mechanismus 164, der einen geschlossenen Zustand, in dem die obere Kammer 160 abgesenkt und in Kontakt mit der unteren Kammer 162 festgelegt ist, und einen geöffneten Zustand, in dem die obere Kammer 160 von der unteren Kammer 162 getrennt ist, erzeugt, eine Vakuumeinheit 166, die die obere Kammer 160 und die untere Kammer 162 im geschlossenen Zustand evakuiert, und eine Atmosphärenöffnungseinheit 168, die die obere Kammer 160 und die untere Kammer 162 zur Atmosphäre öffnet, auf.
  • Wie in 7 dargestellt, weist die obere Kammer 160 in der vorliegenden Ausführungsform eine kreisförmige Oberseite 170 und eine zylindrische Seitenwand 172 auf, die vom Umfangsrand des kreisförmigen Oberseite 170 herabhängt. Der Anhebe-und-Absenk-Mechanismus 164, der durch ein geeignetes Betätigungselement wie beispielsweise einen Luftzylinder ausgebildet sein kann, ist an der oberen Oberfläche der kreisförmigen Oberseite 170 angebracht. In einem durch die untere Oberfläche der Oberseite 170 und die innere Umfangsoberfläche der Seitenwand 172 definierten Unterbringungsraum sind eine Drückwalze 174 zum Drücken des Bandes 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band gegen die untere Oberfläche 4b des vom Wafertisch 12 getragenen Wafers 4, ein Tragstück 176, das die Drückwalze 174 drehbar trägt, und ein Y-Achsen-Zufuhrmechanismus 178 angeordnet, der das Tragstück 176 in der Y-Achsen-Richtung bewegt.
  • Der Y-Achsen-Zufuhrmechanismus 178 weist eine Kugelgewindespindel 180, die mit dem Tragstück 176 gekoppelt ist und sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt, sowie einen Motor 182 auf, der die Kugelgewindespindel 180 dreht. Der Y-Achsen-Zufuhrmechanismus 178 wandelt eine Drehbewegung des Motors 182 durch die Kugelgewindespindel 180 in eine geradlinige Bewegung um und überträgt die geradlinige Bewegung auf dem Tragstück 176. Der Y-Achsen-Zufuhrmechanismus 178 bewegt dadurch das Tragstück 176 entlang eines Paares von Führungsschienen 184, die sich in der Y-Achsen-Richtung erstrecken.
  • Wie in 7 dargestellt, weist die untere Kammer 162 eine zylindrische Seitenwand 186 auf. Ein oberer Abschnitt der Seitenwand 186 ist geöffnet. Ein unterer Abschnitt der Seitenwand 186 ist geschlossen. In der Seitenwand 186 ist eine Verbindungsöffnung 188 ausgebildet. Eine Vakuumeinheit 166, die durch eine geeignete Vakuumpumpe ausgebildet sein kann, ist über eine Strömungsleitung 190 mit der Verbindungsöffnung 188 verbunden. Die Strömungsleitung 190 ist mit der Atmosphärenöffnungseinheit 168 versehen, die durch ein geeignetes Ventil ausgebildet sein kann, das die Strömungsleitung 190 zur Atmosphäre hin öffnen kann.
  • Die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 senkt die obere Kammer 160 durch den Anhebe-Absenk-Mechanismus 164 in einen Zustand ab, in dem das Band 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band an der unteren Oberfläche 4b des vom Wafertisch 12 getragenen Wafers 4 positioniert ist. Dadurch bringt die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 ein unteres Ende der Seitenwand 172 der oberen Kammer 160 mit einem oberen Ende der Seitenwand 186 der unteren Kammer 162 in Kontakt, legt die obere Kammer 160 und die untere Kammer 162 in dem geschlossenen Zustand fest und bringt die Drückwalze 174 in Kontakt mit dem Rahmen 64' mit angebrachtem Band.
  • Als nächstes evakuiert die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 das Innere der oberen Kammer 160 und der unteren Kammer 162 durch ein Betätigen einer Vakuumpumpe, die die Vakuumeinheit 166 ausbildet, in einem Zustand, in dem das Ventil, das die Atmosphärenöffnungseinheit 168 bildet, geschlossen ist. Wie in 8 und 9 dargestellt, rollt die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 danach durch den Y-Achsen-Zufuhrmechanismus 178 die Drückwalze 174 in der Y-Achsen-Richtung. Dadurch druckverbindet die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 das Bandes 96 mit der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4, um eine Rahmeneinheit U zu bilden.
  • Wenn die Drückwalze 174 das Band 96 mit der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 druckverbindet, wird ein kleiner Spalt zwischen dem Wafer 4 und dem Band 96 an der Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 ausgebildet. Da jedoch der Wafer 4 und das Band 96 in einem Zustand, in dem das Innere der oberen Kammer 160 und der unteren Kammer 162 evakuiert ist, miteinander druckverbunden werden, ist der Druck in dem kleinen Spalt zwischen dem Wafer 4 und dem Band 96 geringer als der atmosphärische Druck. Wenn die Atmosphärenöffnungseinheit 168 geöffnet wird, nachdem das Band 96 druckverbunden ist, drückt der atmosphärische Druck das Band 96 gegen den Wafer 4. Folglich wird der Spalt zwischen dem Wafer 4 und dem Band 96 an der Basis des Verstärkungsabschnitts 24 beseitigt, und das Band 96 haftet entlang der Basis des Verstärkungsabschnitts 24 eng an der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 an.
  • Wie in 1 und 10 dargestellt ist, weist die Bearbeitungsvorrichtung 2 ferner eine Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192, die von dem Wafertisch 12 die Rahmeneinheit U entlädt, bei der das Band 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band und die untere Oberfläche 4b des Wafers 4 durch die Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 miteinander verbunden sind, eine Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194, die den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 von dem Wafer 4 der Rahmeneinheit U, die von der Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 entladen wurde, abschneidet und entfernt, eine Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit (siehe 1), die die ringlose Einheit, von der der ringförmige Verstärkungsabschnitt 24 entfernt ist, von der Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194 entlädt, und einen Rahmenkassetten-Tisch 200 (siehe 1) auf, der mit einer Rahmenkassette 198 versehen ist, die die von der Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit entladene ringlose Einheit aufnimmt.
  • Wie in 10 dargestellt, weist die Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 in der vorliegenden Ausführungsform eine Rahmeneinheit-Halteeinheit 202, die eine Wafer-Halteeinheit 202a, die den Wafer 4 hält, während der gesamte oder ein Teil des Umfangs des Wafers 4 freiliegt, und eine Rahmen-Halteeinheit 202b aufweist, die den Ringrahmen 64 hält, sowie eine Transporteinheit 206 auf, die die Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 zu einem Übergangsplatzierungstisch 204 transportiert.
  • Die Wafer-Halteeinheit 202a der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 weist eine kreisförmige Platte 208 und ein Ansaugstück 210 auf, das an der unteren Oberfläche der Platte 208 angebracht ist. In der unteren Oberfläche des Ansaugstücks 210 sind mehrere Ansauglöcher (nicht abgebildet) ausgebildet. Jedes Ansaugloch ist mit einem Ansaugmittel (nicht abgebildet) verbunden. Die Form des Ansaugstücks 210 könnte beispielsweise eine Kreisform sein, die einen kleineren Durchmesser als der Wafer 4 aufweist. Die Rahmen-Halteeinheit 202b weist mehrere Vorsprungteile (in der vorliegenden Ausführungsform vier Vorsprungsteile) 212, die vom Umfangsrand der Platte 208 der Wafer-Halteeinheit 202a in Abständen in einer Umfangsrichtung radial nach außen vorstehen, sowie Ansaugpads 214, die an den unteren Oberflächen der Vorsprungsteile 212 angebracht sind, auf. Jedes Ansaugpad 214 ist einem Ansaugmittel verbunden (nicht abgebildet).
  • Die Transporteinheit 206 weist ein X-Achsen-Führungselement 216, das an einer geeigneten Halterung (nicht dargestellt) befestigt ist und sich in der X-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der X-Achse bewegbares Element 218, das von dem X-Achsen-Führungselement 216 so getragen wird, dass es in der X-Achsen-Richtung beweglich ist, einen X-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt), der das entlang der X-Achse bewegbare Element 218 in der X-Achsen-Richtung bewegt, ein entlang der Z-Achse bewegbares Element 220, das vom entlang der X-Achse bewegbaren Element 218 so getragen wird, dass es in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist, einen Z-Achsen-Zuführungsmechanismus (nicht dargestellt), der das entlang der Z-Achse bewegbare Element 220 in der Z-Achsen-Richtung bewegt, ein entlang der Y-Achse bewegbares Element 222, das vom entlang der Z-Achse bewegbaren Element 220 so getragen wird, dass es in der Y-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Y-Achsen-Zuführungsmechanismus (nicht dargestellt) auf, der das entlang der Y-Achse bewegbare Element 222 in der Y-Achsen-Richtung bewegt. Die Platte 208 der Wafer-Halteeinheit 202a ist mit einem distalen Ende des entlang der Y-Achse bewegbaren Elements 222 verbunden. Es genügt, wenn der X-Achsen-, Y-Achsen- und der Z-Achsen-Zuführmechanismus der Transporteinheit 206 eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel und einen Motor umfasst, der die Kugelgewindespindel dreht.
  • Die Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 weist ferner eine Abbildungseinheit 224, die den Umfang des Wafers 4 der von der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 gehaltenen Rahmeneinheit U abbildet, und eine Beleuchtungseinrichtung 400 auf, die der Abbildungseinheit 224 zugewandt ist und an einer Position positioniert ist, an der der Wafer 4 zwischen der Beleuchtungseinrichtung 400 und der Abbildungseinheit 224 angeordnet ist. Die Abbildungseinheit 224 ist in der vorliegenden Ausführungsform zwischen dem Wafertisch 12 und dem Übergangsplatzierungstisch 204 angeordnet und bildet den Umfang des Wafers 4 der von der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 gehaltenen Rahmeneinheit U von unterhalb des Wafers 4 ab.
  • Die Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 entlädt die von der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 gehaltene Rahmeneinheit U vom Wafertisch 12, indem sie die Transporteinheit 206 in einem Zustand betätigt, in dem das Ansaugstück 210 der Wafer-Halteeinheit 202a den Wafer 4 von der Seite der unteren Oberfläche 4b (Seite des Bandes 96) her ansaugt und hält und die Ansaugpads 214 der Rahmen-Halteeinheit 202b den Ringrahmen 64 ansaugen und halten. Wenn das Ansaugstück 210 der Wafer-Halteeinheit 202a den Wafer 4 ansaugt und hält, deckt das Ansaugstück 210 nicht die gesamte Seite der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 ab, d.h. die untere Oberfläche 4b des Wafers 4 weist einen Teil auf, der nicht von dem Ansaugstück 210 angesaugt wird, und der gesamte oder ein Teil des Umfangs des Wafers 4 liegt frei.
  • Zusätzlich betätigt die Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 in der vorliegenden Ausführungsform die Transporteinheit 206 und misst die Koordinaten von mindestens drei Punkten des Umfangs des Wafers 4, indem durch die Abbildungseinheit 224 mindestens drei Positionen des freiliegenden Teils (nicht durch das Ansaugstück 210 abgedeckter Teil) des Umfangs des Wafers 4 der Rahmeneinheit U, die von der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 gehalten wird, abgebildet wird. Die Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 erhält die zentralen Koordinaten des Wafers 4 auf der Grundlage der gemessenen Koordinaten der drei Punkte. Da in der vorliegenden Ausführungsform der gesamte oder ein Teil des Umfangs des von dem Ansaugstück 210 angesaugten und gehaltenen Wafers 4 freiliegt, kann die Kontur des Wafers 4 deutlich abgebildet werden, indem der freiliegende Teil des Umfangs des Wafers 4 durch die Beleuchtungseinrichtung 400 von oberhalb des Wafers 4 beleuchtet wird und der freiliegende Teil des Umfangs des Wafers 4 durch die Abbildungseinheit 224 von unterhalb des Wafers 4 abgebildet wird. Somit können die zentralen Koordinaten des Wafers 4 genau erhalten werden. Dann bringt die Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 die Mitte des Wafers 4 mit der Mitte des Übergangsplatzierungstischs 204 zur in Übereinstimmung und platziert die Rahmeneinheit U vorübergehend an dem Übergangsplatzierungstisch 204.
  • Wie in 10 dargestellt, ist der Übergangsplatzierungstisch 204 in der X-Achsen-Richtung mit einem Abstand zum Wafertisch 12 angeordnet. Der Übergangsplatzierungstisch 204 weist in der vorliegenden Ausführungsform einen ringförmigen Tragabschnitt 226, der den Umfangsüberschussbereich 20 des Wafers 4 der Rahmeneinheit U trägt und einen Teil auf der Innenseite des Umfangsüberschussbereichs 20 in einem berührungslosen Zustand belässt, sowie einen Rahmentragabschnitt 228 auf, der am Umfang des ringförmigen Tragabschnitts 226 angeordnet ist und den Ringrahmen 64 trägt. Der Rahmentragabschnitt 228 weist starke Permanentmagnete 402, die eine stärkere Magnetkraft aufweisen als die Permanentmagneten 424 eines ersten Anhebe- und Absenktisches 420, der später beschrieben wird, und eine Abnehmeinheit 404 auf, die den Ringrahmen abnimmt, der von den starken Permanentmagneten 402 magnetisch gehalten wird.
  • Wie in 10 dargestellt, sind die starken Permanentmagnete 402 in einem oberen Ende eines Rahmenkörpers 406 des Rahmentragabschnitts 228 in Abständen in der Umfangsrichtung untergebracht. Unter Bezugnahme auf 11A und 11B beschreibend, weist ein starker Permanentmagnet 402 in der vorliegenden Ausführungsform einen zylindrischen Hauptabschnitt 402a, der den Ringrahmen durch eine obere Endoberfläche magnetisch hält, und einen ringförmigen Flanschabschnitt 402b auf, der sich von einem unteren Ende des Hauptabschnitts 402a radial nach außen erstreckt. Zusätzlich ist der starke Permanentmagnet 402 in einem Aufnahmeloch 406a des Rahmenkörpers 406 so untergebracht, dass er in der Aufwärts-Abwärts-Richtung zwischen einer in 11A positionierten angehobenen Position und einer in 11B positionierten abgesenkten Position beweglich ist. Wie aus den 11A und 11B hervorgeht, sind die obere Oberfläche des starken Permanentmagneten 402 und die obere Oberfläche des Rahmenkörpers 406 an der angehobenen Position bündig miteinander, und die obere Oberfläche des starken Permanentmagneten 402 ist an der abgesenkten Position beispielsweise etwa 5 mm unterhalb der oberen Oberfläche des Rahmenkörpers 406 positioniert. Indessen ist der Rahmenkörper 406 aus einem nichtmagnetischen Material ausgebildet.
  • Wie in 11A und 11B dargestellt, ist an einem mittleren Abschnitt in Aufwärts-Abwärts-Richtung der Unterbringungsloch 406a des Rahmenkörpers 406 eine Trennwand 408 vorgesehen. Die Trennwand 408 unterteilt die Unterbringungsloch 406a des Rahmenkörpers 406 in eine Gehäusekammer 410 an der oberen Seite, in der der starke Permanentmagnet 402 untergebracht ist, und in eine Gehäusekammer 412 an der unteren Seite, in der die Abnehmeinheit 404 untergebracht ist. Eine Durchgangsöffnung 408a ist in einem mittleren Abschnitt der Trennwand 408 ausgebildet.
  • Ein vorstehender Abschnitt 410a, der radial nach innen vorsteht, ist an der oberen Endseite der Gehäusekammer 410 an der oberen Seite ausgebildet. Wie in 11A dargestellt, wird, wenn eine nach oben gerichtete Kraft von der Abnehmeinheit 404 auf den starken Permanentmagneten 402 aufgebracht wird, ein oberes Ende des Flanschabschnitts 402b des starken Permanentmagneten 402 an einem unteren Ende des vorstehenden Abschnitts 410a festgehalten, und dadurch wird der starke Permanentmagnet 402 an der angehobenen Position positioniert. Andererseits kommt, wie in 11B dargestellt, wenn eine nach unten gerichtete Kraft von der Abnehmeinheit 404 auf den starken Permanentmagneten 402 aufgebracht wird, die untere Oberfläche des starken Permanentmagneten 402 in Kontakt mit der oberen Oberfläche der Trennwand 408, und dadurch wird der starke Permanentmagnet 402 an der abgesenkten Position positioniert. Zusätzlich sind eine obere Öffnung 412a und eine untere Öffnung 412b in der Gehäusekammer 412 an der unteren Seite in einem Abstand zueinander in der Aufwärts-Abwärts-Richtung ausgebildet.
  • In Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf die 11A und 11B weist die Abnehmeinheit 404 in der vorliegenden Ausführungsform eine Stange 414, die sich von einem unteren Ende des starken Permanentmagneten 402 durch die Durchgangsöffnung 408a nach unten erstreckt, einen Kolben 416, der an einem unteren Ende der Stange 414 befestigt und in der Gehäusekammer 412 an der unteren Seite angeordnet ist, eine Schraubenfeder 418, die unter dem Kolben 416 angeordnet ist, und eine Druckluftzufuhrquelle 413 auf, die mit der oberen Öffnung 412a der Gehäusekammer 412 an der unteren Seite verbunden ist.
  • Die Abnehmeinheit 404 bringt eine nach oben gerichtete Kraft auf den starken Permanentmagneten 402 auf, indem die Zufuhr von Druckluft von der Druckluftzufuhrquelle 413 zur Gehäusekammer 412 an der unteren Seite unterbrochen wird und der Kolben 416 durch die Schraubenfeder 418 nach oben gedrückt wird. Folglich hebt die Abnehmeinheit 404 den starken Permanentmagneten 402 in Bezug auf den Rahmenkörper 406 an und positioniert den starken Permanentmagneten 402 an der angehobenen Position, an der der starke Permanentmagnet 402 den am Rahmentragabschnitt 228 angebrachten Ringrahmen 64 magnetisch halten kann. Zusätzlich bringt die Abnehmeinheit 404 eine nach unten gerichtete Kraft auf den starken Permanentmagneten 402 auf, indem sie Druckluft von der Druckluftzufuhrquelle 413 zur Gehäusekammer 412 an der unteren Seite einspeist und dadurch den Kolben 416 nach unten drückt. Folglich senkt die Abnehmeinheit 404 den starken Permanentmagneten 402 in Bezug auf den Rahmenkörper 406 ab und positioniert den starken Permanentmagneten 402 an der abgesenkten Position, an der der am Rahmentragabschnitt 228 angebrachte Ringrahmen 64 vom starken Permanentmagneten 402 abgenommen werden kann. Indessen wird Luft aus der unteren Öffnung 412b abgegeben, indem der Kolben 416 nach unten gedrückt wird.
  • Wie in 10 dargestellt, sind in der oberen Oberfläche des ringförmigen Tragabschnitts 226 des Übergangsplatzierungstisches 204 mehrere in der Umfangsrichtung in Abständen angeordnete Ansauglöcher 229 ausgebildet. Jedes Ansaugloch 229 ist mit einem Ansaugmittel verbunden (nicht dargestellt). Zusätzlich ist der ringförmige Tragabschnitt 226 so ausgestaltet, dass er zwischen einer angehobenen Position (in 10 dargestellte Position), an der die obere Oberfläche des ringförmigen Tragabschnitts 226 und die obere Oberfläche des Rahmentragabschnitts 228 miteinander bündig sind, und einer abgesenkten Position, an der die obere Oberfläche des ringförmigen Tragabschnitts 226 beispielsweise etwa 5 bis 10 mm unterhalb der oberen Oberfläche des Rahmentragabschnitts 228 positioniert ist, angehoben und abgesenkt werden kann. Es genügt, wenn der (nicht dargestellte) Anhebe- und Absenkmechanismus zum Anheben und Absenken des ringförmigen Tragabschnitts 226 ein geeignetes Betätigungselement wie beispielsweise ein Luftzylinder ist. Ein radial innen gelegener Teil des ringförmigen Tragabschnitts 226 ist eine kreisförmige Vertiefung 230, die nach unten hin vertieft ist. Es ist bevorzugt, dass der Rahmentragabschnitt 228 des Übergangsplatzierungstisches 204 eine Heizeinrichtung (nicht dargestellt) aufweist, und dass das Band 96 durch ein Erwärmen des Bandes 96 der vorübergehend an dem Übergangsplatzierungstisch 204 platzierten Rahmeneinheit U durch die Heizeinrichtung erweicht wird, so dass das Band 96 dazu gebracht wird, aufgrund des atmosphärischen Drucks näher an der Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 anzuhaften.
  • Die Bearbeitungsvorrichtung 2 in der vorliegenden Ausführungsform weist eine Übergangsplatzierungstisch-Transporteinheit 232 auf, die den Übergangsplatzierungstisch 204 in der Y-Achsen-Richtung transportiert. Die Übergangsplatzierungstisch-Transporteinheit 232 weist ein Y-Achsen-Führungselement 234, das sich in Y-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der Y-Achse bewegbares Element 236, das von dem Y-Achsen-Führungselement 234 so getragen wird, dass es in der Y-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Y-Achsen-Zuführmechanismus 238 auf, der das entlang der Y-Achse bewegbare Element 236 in der Y-Achsen-Richtung bewegt. Der Übergangsplatzierungstisch 204 ist an einem oberen Abschnitt des entlang der Y-Achse bewegbaren Elements 236 befestigt. Der Y-Achsen-Zuführmechanismus 238 weist eine Kugelgewindespindel 240, die mit dem entlang der Y-Achse bewegbaren Element 236 gekoppelt ist und sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt, sowie einen Motor 242 auf, der die Kugelgewindespindel 240 dreht. Die Übergangsplatzierungstisch-Transporteinheit 232 wandelt die Drehbewegung des Motors 242 durch die Kugelgewindespindel 240 in eine geradlinige Bewegung um und transmittiert die geradlinige Bewegung auf das entlang der Y-Achse bewegbare Element 236. Die Übergangsplatzierungstisch-Transporteinheit 232 transportiert dadurch den Übergangsplatzierungstisch 204 in der Y-Achsen-Richtung zusammen mit dem entlang der Y-Achse bewegbaren Element 236.
  • Wie in 1 dargestellt, weist die Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194 eine Laserstrahl-Bearbeitungsvorrichtung 500, die eine Schneidnut durch ein Aufbringen eines Laserstrahls auf die Basis des am Umfang des Wafers 4 ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 ausbildet, und eine Trenneinheit 248 auf, die den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 von der Schneidnut trennt. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 500 weist eine Halteeinheit 502, die den Wafer 4 hält, eine Laserstrahlbestrahlungseinheit 504, die den Laserstrahl auf den Grenzabschnitt 22 zwischen dem Bauelementbereich 18 und dem Umfangsüberschussbereich 20 des von der Halteeinheit 502 gehaltenen Wafers 4 aufbringt, und einen Bewegungsmechanismus 506 auf, der die Halteeinheit 502 und die Laserstrahlbestrahlungseinheit 504 relativ zueinander bewegt.
  • Wie in 1 dargestellt, ist die Halteeinheit 502 der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 oberhalb des Übergangsplatzierungstisches 204 so angeordnet, dass sie in der X-Achsen-Richtung beweglich ist und in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist. Unter Bezugnahme auf 12A und 12B beschreibend, weist die Halteeinheit 502 ein X-Achsen-Führungselement 258, das an einer geeigneten Halterung (nicht dargestellt) befestigt ist und sich in der X-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der X-Achse bewegbares Element 260, das von dem X-Achsen-Führungselement 258 so getragen wird, dass es in der X-Achsen-Richtung beweglich ist, und ein entlang der Z-Achse bewegbares Element 262, das von dem entlang der X-Achse bewegbaren Element 260 so getragen wird, dass es in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist, auf. Ein Tragschaft 264, die sich nach unten erstreckt, wird drehbar von der unteren Oberfläche eines distalen Endes des entlang der Z-Achse bewegbaren Elements 262 getragen. Ein kreisförmiger erster Anhebe- und Absenktisch 420 ist an einem unteren Ende Tragschafts 264 befestigt.
  • Wie in 12B dargestellt, weist der erste Anhebe- und Absenktisch 420 eine Wafer-Halteeinheit 422 mit kleinem Durchmesser, der kleiner ist als der Außendurchmesser des Wafers 4 und den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 freilegt, einen Rahmentragabschnitt 426, der Permanentmagnete 424 aufweist, die den Ringrahmen 64 magnetisch halten, und einen Raum 428 auf, der zwischen der Wafer-Halteeinheit 422 und dem Rahmentragabschnitt 426 angeordnet ist und Lecklicht des Laserstrahls streut.
  • In Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf 12B ist die Wafer-Halteeinheit 422 an einem zentralen Abschnitt der unteren Oberfläche des ersten Anhebe- und Absenktischs 420 angeordnet, und der Durchmesser der Wafer-Halteeinheit 422 ist etwas kleiner als der Durchmesser des Bauelementbereichs 18 (kreisförmiger vertiefter Abschnitt 23) des Wafers 4. Eine kreisförmige Ansaugeinspanneinrichtung 430, die aus einem porösen Material ausgebildet ist, ist an einem unteren Ende der Wafer-Halteeinheit 422 vorgesehen. Die Ansaugeinspanneinrichtung 430 ist mit einem Ansaugmittel (nicht abgebildet) verbunden.
  • Der Rahmentragabschnitt 426 ist an einem Umfangsabschnitt des ersten Abhebe- und Absenktischs 420 angeordnet. Mehrere Permanentmagnete (in der vorliegenden Ausführungsform vier Permanentmagnete) 424 sind an einem unteren Ende des Rahmentragabschnitts 426 in Abständen in der Umfangsrichtung bereitgestellt. Die Magnetkraft der Permanentmagnete 424 ist schwächer als die Magnetkraft der starken Permanentmagnete 402 des Übergangsplatzierungstisches 204. Zusätzlich ist zwischen der Wafer-Halteeinheit 422 und dem Rahmentragabschnitt 426 an der unteren Oberfläche des ersten Abhebe- und Absenktischs 420 eine nach oben vertiefte ringförmige Vertiefung ausgebildet. Diese Vertiefung bildet den Raum 428 aus, der das Lecklicht des Laserstrahls streut.
  • Unter Bezugnahme auf 12A beschreibend, weist der Bewegungsmechanismus 506 der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 einen X-Achsen-Zufuhrmechanismus (nicht dargestellt), der das entlang der X-Achse bewegbare Element 260 der Halteeinheit 502 in der X-Achsen-Richtung bewegt, einen Z-Achsen-Zufuhrmechanismus (nicht dargestellt), der das entlang der Z-Achse bewegbare Element 262 der Halteeinheit 502 in der Z-Achsen-Richtung bewegt, und einen Motor 266, der an der oberen Oberfläche des distalen Endes des entlang der Z-Achse bewegbaren Elements 262 angebracht ist und den Tragschaft 264 der Halteeinheit 502 um eine sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckende Achse dreht, auf. Es ist ausreichend, wenn sowohl der X-Achsen- als auch der Z-Achsen-Zufuhrmechanismus des Bewegungsmechanismus 506 eine Ausgestaltung aufweisen, die eine Kugelgewindespindel und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht. Wenn die Halteeinheit 502 der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 die vorübergehend am Übergangsplatzierungstisch 204 platzierte Rahmeneinheit U hält, positioniert der Bewegungsmechanismus 506 die Rahmeneinheit U durch ein Anheben der Halteeinheit 502 und ein Bewegen der Halteeinheit 502 in der X-Achsen-Richtung über der Laserstrahlbestrahlungseinheit 504.
  • Wie in 10 dargestellt ist, weist die Laserstrahlbestrahlungseinheit 504 der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 ein Gehäuse 508 auf, das so angeordnet ist, dass es dem Übergangsplatzierungstisch 204 in der X-Achsen-Richtung benachbart ist. Unter Bezugnahme auf 13 beschreibend, sind im Gehäuse 508 ein Laseroszillator 510, der einen Laser oszilliert, ein Kondensor 512, der einen vom Laseroszillator 510 emittierten Laserstrahl LB kondensiert, ein Strahlteiler 516, der zwischen dem Kondensor 512 und dem Laseroszillator 510 angeordnet ist und von einem durch die Aufbringung des Laserstrahls LB bearbeiteten Bereich emittiertes Plasmalicht P abzweigt und das Plasmalicht P zu einem Abzweigungspfad 514 führt, und ein Plasmalichtdetektor 518, der am Abzweigungspfad 514 angeordnet ist und das Plasmalicht P detektiert, angebracht. Wie in 13 dargestellt, weist die Laserstrahlbestrahlungseinheit 504 in der vorliegenden Ausführungsform einen Dämpfer 520, der die Leistung des vom Laseroszillator 510 emittierten Laserstrahls LB einstellt, und einen Spiegel 522, der den hinsichtlich der Leistung vom Dämpfer 520 eingestellten und vom Strahlteiler 516 transmittierten Laserstrahl LB reflektiert und den Laserstrahl LB zum Kondensor 512 leitet, auf. Indessen ist in 13 der Einfachheit halber der Kondensor 512 in der Form einer Kondensierlinse dargestellt.
  • Der Laseroszillator 510 und der Dämpfer 520 sind elektrisch mit einer durch einen Computer ausgestalteten Steuerungseinheit 524 verbunden. Die Steuerungseinheit 524 steuert den Betrieb des Laseroszillators 510 und des Dämpfers 520. Wie in 13 dargestellt, ist die Steuerungseinheit 524 elektrisch mit einem Leistungsfestlegungsmittel 526 zum Festlegen der Leistung des Laserstrahls LB durch ein Wählen einer Materialart verbunden. Das Leistungsfestlegungsmittel 526 ist beispielsweise an einem Bedienpanel (nicht dargestellt) zum Bedienen der Bearbeitungsvorrichtung 2 vorgesehen. Ein Bediener kann die Leistung des Laserstrahls LB durch ein Wählen einer Materialart durch das am Bedienpanel vorgesehene Leistungsfestlegungsmittel 526 festlegen.
  • Beispielsweise legt, wenn der Bediener durch das Leistungsfestlegungsmittel 526 Silizium als eine Materialart festlegt, das Leistungsfestlegungsmittel 526 1,0 W als eine Leistung fest, mit der eine geeignete Laserbearbeitung für Silizium durchgeführt wird. Wenn der Bearbeiter Aluminium wählt, legt das Leistungsfestlegungsmittel 526 die Leistung auf 2,0 W fest. Wenn der Bediener Kupfer wählt, legt das Leistungsfestlegungsmittel 526 die Leistung auf 2,5 W fest. Es ist zu beachten, dass Kombinationen zwischen den Materialarten und der Leistung des Laserstrahls optional bestimmt werden und nicht auf die oben beschriebenen Kombinationen beschränkt sind.
  • Dann stellt die Steuerungseinheit 524 die Leistung des Laserstrahls LB durch ein Steuern des Dämpfers 520 ein, um die durch das Leistungsfestlegungsmittel 526 festgelegte Leistung zu erreichen. Indessen könnte es, während das Leistungsfestlegungsmittel 526 ausgestaltet sein könnte es, um die Leistung gemäß dem vom Bediener wie oben beschrieben gewählten Material festzulegen, dem Bediener ermöglicht sein, eine optionale Leistung gemeinsam mit dem Material durch das Leistungsfestlegungsmittel 526 festzulegen.
  • Der Strahlteiler 516 kann durch einen Halbspiegel ausgestaltet sein, der Licht mit einer Wellenlänge (beispielsweise 355 mm) des vom Laseroszillator 510 emittierten Laserstrahls LB transmittiert und Licht (beispielweise das Plasmalicht P) mit einer anderen Wellenlänge als der Wellenlänge des Laserstrahls LB reflektiert und das Licht zum Abzweigungspfad 514 führt.
  • Der Plasmalichtdetektor 518 weist ein Beugungsgitter 528, welches das vom Strahlteiler 516 zum Abzweigungspfad 514 geführte Plasmalicht P in für jeweilige Wellenlängen unterschiedliche Richtungen streut, und einen Abbildungssensor 530 auf, der das vom Beugungsgitter 528 in für die jeweiligen Wellenlängen in die unterschiedlichen Richtungen gestreute Plasmalicht P empfängt.
  • Der Abbildungssensor 530 weist mehrere linear angeordnete Lichtempfangselemente auf. Jedes Lichtempfangselement ist so ausgestaltet, dass es das in den für die jeweiligen Wellenlängen unterschiedlichen Richtungen gestreute Plasmalicht P empfängt. Die Wellenlänge des empfangenen Plasmalichts P unterscheidet sich abhängig von der Position des Lichtempfangselements. Der Abbildungssensor 530 ist elektrisch mit der Steuerungseinheit 524 verbunden. Der Abbildungssensor 530 ist so ausgestaltet, dass er ein Signal, das die optische Intensität des von jedem Lichtempfangselement empfangenen Plasmalichts P anzeigt, an die Steuerungseinheit 524 ausgibt. Indessen könnte der Plasmalichtdetektor 518 nicht notwendigerweise so ausgestaltet sein, dass er das von dem Strahlteiler 516 zum Abzweigungspfad 514 aufgeteilte Plasmalicht P detektiert. Das heißt, der Plasmalichtdetektor 518 könnte nicht auf dem Abzweigungspfad 514 angeordnet sein. Beispielsweise könnte der Plasmalichtdetektor 518 an einer solchen Position angeordnet sein, dass er das Plasmalicht P, das von dem durch die Aufbringung des Laserstrahls LB bearbeiteten Bereich emittiert wird, direkt detektieren kann. Dann könnte in diesem Fall der Strahlenteiler 516 in der Laserstrahlbestrahlungseinheit 504 weggelassen werden.
  • Wenn das Signal von dem Abbildungssensor 530 des Plasmalichtdetektors 518 an die Steuerungseinheit 524 ausgegeben wird, identifiziert die Steuerungseinheit 524 das Material des Bereichs, der durch die Aufbringung des Laserstrahls LB einer Laserbearbeitung unterzogen wird, auf der Grundlage des von dem Abbildungssensor 530 detektierten Plasmalichts P. Beispielsweise identifiziert, wie in 14A und 14B dargestellt, die Steuerungseinheit 524 in einem Fall, in dem ein Signal S1 ausgegeben wird, das eine hohe optische Intensität einer Komponente mit einer Wellenlänge von 251 nm im detektierten Plasmalicht P anzeigt, das Material des Bereichs, welcher der Laserbearbeitung unterzogen wird, als Silizium. Die Steuerungseinheit 524 identifiziert in einem Fall, in dem ein Signal S2 ausgegeben wird, das eine hohe optische Intensität einer Komponente mit einer Wellenlänge von 395 nm im detektierten Plasmalicht P anzeigt, das Material als Aluminium. Die Steuerungseinheit 524 identifiziert das Material als Kupfer, wenn ein Signal S3 ausgegeben wird, das eine hohe optische Intensität einer Komponente mit einer Wellenlänge von 515 nm im detektierten Plasmalicht P anzeigt. Indessen speichert die Steuerungseinheit 524 vorab eine Tabelle, die die Beziehung zwischen der Wellenlänge des Plasmalichts P und dem Material des Bereichs, der der Laserbearbeitung unterzogen wird, angibt.
  • Dann gibt, wenn die Materialart, die auf der Basis des vom Plasmalichtdetektor 518 detektierten Plasmalichts P identifiziert wurde, und die Materialart, die vom Leistungsfestlegungsmittel 526 gewählt wurde, voneinander abweichen, die Steuerungseinheit 524 einen Fehler aus, indem sie das Fehlerausgabemittel 532 betätigt (siehe 13). Das Fehlerausgabemittel 532 ist elektrisch mit der Steuerungseinheit 524 verbunden. Bei dem Fehlerausgabemittel 532 könnte es sich beispielsweise um einen Monitor handeln, der eine Fehlermeldung anzeigt, um einen Lautsprecher, der einen mit dem Fehler verbundenen Warnton emittiert, oder um eine Leuchte, die im Falle eines Fehlers leuchtet oder blinkt.
  • Alternativ dazu könnte die Steuerungseinheit 524 anstelle eines Ausgebens einer Fehlermeldung so ausgestaltet sein, dass sie die Leistung des Laserstrahls LB auf einen geeigneten, dem Material entsprechenden Wert (beispielsweise einen in einer Tabelle in 14B dargestellten Wert) einstellt, indem der Dämpfer 520 gesteuert wird, wenn die auf der Basis des vom Plasmalichtdetektor 518 detektierten Plasmalichts P identifizierte Materialart und die vom Leistungsfestlegungsmittel 526 gewählte Materialart voneinander abweichen.
  • Unter Bezugnahme auf 10 beschreibend, weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 500 eine Ansaugdüse 534, die Schmutzpartikel absaugt, die erzeugt werden, wenn der Wafer 4 mit dem Laserstrahl LB bestrahlt wird, sowie ein (nicht dargestelltes) mit der Ansaugdüse 534 verbundenes Ansaugmittel auf. Wie in 10 dargestellt, erstreckt sich der Kondensor 512 von der oberen Oberfläche des Gehäuses 508 nach oben, so dass er zur Seite der Ansaugdüse 534 geneigt ist. Dadurch wird ein Herabfallen von Schmutzpartikeln, die bei der Aufbringung des Laserstrahls LB entstehen, auf den Kondensor 512 vermindert. Zusätzlich erstreckt sich die Ansaugdüse 534 von der oberen Oberfläche des Gehäuses 508 nach oben, so dass sie zur Seite des Kondensors 512 hin geneigt ist.
  • In der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 werden, nachdem die Permanentmagneten 424 des Rahmentragabschnitts 426 des ersten Anhebe- und Absenktischs 420 den Ringrahmen 64 der Rahmeneinheit U halten, bei dem das Band 96 durch die Heizeinrichtung des Rahmentragabschnitts 228 des Übergangsplatzierungstisches 204 erwärmt wird, und das Band 96 somit eng an der Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 anhaftet, und die Ansaugeinspanneinrichtung 430 der Wafer-Halteeinheit 422 den Wafer 4 ansaugt und hält, das entlang der Z-Achse bewegbare Element 262 und das entlang der X-Achse bewegbare Element 260 bewegt, um die vom ersten Anhebe-und Absenktisch 420 gehaltene Rahmeneinheit U anzuheben und die Rahmeneinheit U in der X-Achsen-Richtung zu bewegen. Die Rahmeneinheit U wird dadurch über an der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit 504 positioniert.
  • Indessen werden, wenn der erste Anhebe- und Absenktisch 240 der Halteeinheit 502 die Rahmeneinheit U hält, die starken Permanentmagneten 402 von dem Ringrahmen 64 getrennt, indem die starken Permanentmagneten 402 des Rahmentragabschnitts 228 des Übergangsplatzierungstisches 204 an der abgesenkten Position positioniert werden, so dass die Magnetkraft, die von den Permanentmagneten 424 des ersten Anhebe- und Absenktisches 420, die mit dem Ringrahmen 64 in Kontakt sind, auf den am Übergangsplatzierungstisch 204 angebrachten Ringrahmen 64 wirkt, stärker ist als die Magnetkraft, die von den starken Permanentmagneten 402 des Übergangsplatzierungstisches 204 auf den am Übergangsplatzierungstisch angebrachten Ringrahmen 64 wirkt.
  • Zusätzlich bringt, wie in 13 und 15 dargestellt, die Laserbearbeitungsvorrichtung 500 den Laserstrahl LB auf die Basis des am Umfang des Wafers 4 ausgebildeten ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 auf, während der Motor 266 des Bewegungsmechanismus 506 die von dem ersten Anhebe- und Absenktisch 420 gehaltene Rahmeneinheit U dreht. Die Laserbearbeitungsvorrichtung 500 bildet dadurch durch eine Ablationsbearbeitung eine ringförmige Schneidnut 256 entlang der Basis des Verstärkungsabschnitts 24 aus. Zusätzlich saugt die Laserbearbeitungsvorrichtung 500 den durch die Ablationsbearbeitung erzeugten Abrieb durch die Ansaugdüse 534 an.
  • Dann bestimmt die Steuerungseinheit 524, wenn das Plasmalicht P nicht im Plasmalichtdetektor 518 detektiert wird (wenn kein Signal vom Abbildungssensor 530 ausgegeben wird), dass die Schneidnut 256 im Wafer 4 ausgebildet ist (dass der Wafer 4 komplett geschnitten ist), und stoppt die Aufbringung des Laserstrahls LB. Somit wird der Laserstrahl LB daran gehindert, aufgebracht zu werden, obwohl der Wafer 4 bereits geschnitten ist.
  • Zusätzlich bewegt der Bewegungsmechanismus 506 der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 die Rahmeneinheit Umit der an der Basis des Verstärkungsabschnitts 24 ausgebildeten Schneidnut 256 vorübergehend zum Übergangsplatzierungstisch 204, indem die Rahmeneinheit U in der X-Achsen-Richtung und der Z-Achsen-Richtung bewegt wird. Indessen haften die Schmutzpartikel aufgrund der Aufbringung des Laserstrahls LB am Umfang des Wafers 4. Daher ist es bevorzugt, zu bewirken, dass nur die starken Permanentmagneten 402 wirken und die Ansaugung des ringförmigen Tragabschnitts 226 des Übergangsplatzierungstisches 204 zu stoppen, wenn die Rahmeneinheit U vom ersten Anhebe- und Absenktisch 420 auf den Übergangsplatzierungstisch 204 übertragen wird. Dies verhindert eine Anhaftung der Schmutzpartikel an den Ansauglöchern 229 des ringförmigen Tragabschnitts 226. Ferner ist es im Hinblick auf ein Verhindern einer Anhaftung der Schmutzpartikel an den Ansauglöchern 229 bevorzugt, den ringförmigen Tragabschnitt 226 an der abgesenkten Position zu positionieren.
  • Wie in 1 dargestellt, ist die Trenneinheit 248 in einem Abstand von der Halteeinheit 502 in der Y-Achsenrichtung in einem beweglichen Bereich der Y-Achsen-Richtung des Übergangsplatzierungstisches 204 angeordnet. Unter Bezugnahme auf 16 und 18 beschreibend, weist die Trenneinheit 248 Ultraviolettstrahl-Bestrahlungseinheiten 270 (siehe 16), die die Haftkraft des Bandes 96 reduzieren, indem ein Teil des Bandes 96, der der Schneidnut 256 entspricht, mit Ultraviolettstrahlen bestrahlt wird, sowie einen zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 (siehe 16), der die Innenseite des Wafers 4 ansaugt und hält, während der ringförmige Verstärkungsabschnitt 24 an dem Umfang des zweiten Anhebe- und Absenktisches 272 freigelegt wird, und den Ringrahmen 64 trägt, eine Trenneinrichtung 274 (siehe 16), die den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 durch ein Einwirken auf den Umfang des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 trennt, und eine Entsorgungseinheit 276 (siehe 18) auf, auf die der abgetrennte ringförmige Verstärkungsabschnitt 24 entsorgt wird.
  • Wie in 16 dargestellt, weist die Trenneinheit 248 in der vorliegenden Ausführungsform ein Z-Achsen-Führungselement 278, das an einer entsprechenden Halterung (nicht dargestellt) befestigt ist und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der Z-Achse bewegbares Element 280, das von dem Z-Achsen-Führungselement 278 so getragen wird, dass es in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Z-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt) auf, der das entlang der Z-Achse bewegbare Element 280 in der Z-Achsen-Richtung bewegt. Es reicht aus, wenn der Z-Achsen-Zuführmechanismus eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel, die mit dem entlang der Z-Achse bewegbaren Element 280 gekoppelt ist und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht.
  • Die untere Oberfläche eines distalen Endes des entlang der Z-Achse bewegbaren Elements 280 trägt ein Tragteil 282 und trägt drehbar einen Tragschaft 286. Der oben beschriebene zweite Anhebe- und Absenktisch 272 ist mit dem Tragschaft 286 gekoppelt. Ein Motor 284, der den zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 zusammen mit dem Tragschaft 286 dreht, ist an der oberen Oberfläche des distalen Endes des entlang der Z-Achse bewegbaren Elements 280 angebracht. Ein Paar der oben beschriebenen Ultraviolettstrahl-Bestrahlungseinheiten 270 ist in der vorliegenden Ausführungsform mit einer Distanz zueinander in der Y-Achsen-Richtung an dem Tragteil 282 angebracht.
  • Der zweite Anhebe- und Absenktisch 272 weist eine kreisförmige Form auf. Der Durchmesser des zweiten Anhebe- und Absenktisches 272 ist geringfügig kleiner als der Durchmesser des Bauelementbereichs 18 (der kreisförmige vertiefte Abschnitt 23) des Wafers 4. In der unteren Oberfläche des zweiten Anhebe- und Absenktisches 272 sind mehrere Ansauglöcher (nicht dargestellt) ausgebildet. Jedes Ansaugloch ist mit einem Ansaugmittel verbunden.
  • Zusätzlich ist die oben beschriebene Trenneinrichtung 274 an dem Tragteil 282 angebracht. Die Trenneinrichtung 274 weist ein Paar beweglicher Teile 288, die an der unteren Oberfläche des Tragteils 282 in einem Abstand voneinander so angeordnet sind, dass sie in Längsrichtung des Tragteils 282 beweglich sind, sowie ein Paar Zufuhrmittel 290 zum Bewegen des Paars beweglicher Teile 288 auf. Jedes der beiden Zufuhrmittel 290 kann durch ein geeignetes Betätigungselement wie beispielsweise einen Luftzylinder oder einen elektrischen Zylinder ausgebildet sein.
  • Die Trenneinrichtung 274 weist ein Paar umgreifender Walzen 292a und 292b, die von jedem beweglichen Teil 288 in einer Distanz zueinander in der Aufwärts-Abwärts-Richtung getragen werden, sowie einen Z-Achsen-Zufuhrmechanismus 294 auf, der die obere umgreifende Walze 292a in der Z-Achsen-Richtung bewegt. Der Z-Achsen-Zufuhrmechanismus 294 kann durch ein geeignetes Betätigungselement wie beispielsweise einen Luftzylinder oder einen elektrischen Zylinder ausgebildet sein. Jede der umgreifenden Walzen 292a und 292b wird von einem beweglichen Teil 288 so getragen, dass es um eine sich in der X-Achsen-Richtung erstreckende Achse drehbar ist. Eine Drückwalze 298 ist über einen Tragschaft 296 an der oberen umgreifenden Walze 292a angebracht.
  • Wie in 18 beschrieben, weist die Entsorgungseinheit 276 eine Band-Beförderungseinrichtung 300, die den getrennten ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 transportiert, sowie einen Staubkasten 302 auf, der den von der Band-Beförderungseinrichtung 300 transportierten ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 unterbringt. Die Band-Beförderungseinrichtung 300 wird durch ein geeignetes Betätigungselement (nicht dargestellt) an einer Sammelposition, an der sich die Band-Beförderungseinrichtung 300 im Wesentlichen horizontal erstreckt (in 18 durch eine durchgezogene Linie angedeutete Position), und an einer Standby-Position positioniert, an der sich die Band-Beförderungseinrichtung 300 im Wesentlichen vertikal erstreckt (in 18 durch eine doppelt gestrichelte Kettenlinie angedeutete Position). Eine Tür 304, an der ein Griff 304a angebracht ist, ist an einer Seitenoberfläche auf einer in der X-Achsen-Richtung des Staubkastens 302 in 18 nahen Seite bereitgestellt. Im Inneren des Staubkastens 302 ist eine Zerkleinerungseinrichtung (nicht dargestellt) angebracht, die den gesammelten ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 zerkleinert. Aus dem Staubkasten 302 können die zerkleinerten Abfälle des im Staubkasten 302 untergebrachten ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 entnommen werden, wenn der Griff 304a gegriffen und die Tür 304 geöffnet wird.
  • Wenn der Übergangsplatzierungstisch 204, an dem die Rahmeneinheit U mit der an der Basis des Verstärkungsabschnitts 24 ausgebildeten Schneidnut 256 vorübergehend platziert wird, durch die Übergangsplatzierungstisch-Transporteinheit 232 unterhalb der Trenneinheit 248 positioniert wird, wie in 17 dargestellt, saugt die Trenneinheit 248 die Seite der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 der Rahmeneinheit U an und hält sie durch den zweiten Anhebe- und Absenktisch 272, und umgreift den Ringrahmen 64 durch die umgreifenden Walzen 292a und 292b der Trenneinrichtung 274. Die Trenneinheit 248 verringert danach die Haftkraft des an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 angebrachten Bandes 96 durch ein Aufbringen von Ultraviolettstrahlen aus dem Paar von Ultraviolettstrahl-Bestrahlungseinheiten 270 und trennt den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 von der Rahmeneinheit U, indem die Rahmeneinheit U durch den Motor 284 zusammen mit dem Tragschaft 286 und dem zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 in Bezug auf die Trenneinrichtung 274 gedreht wird, während der ringförmige Verstärkungsabschnitt 24 durch die Drückwalze 298 nach unten gedrückt wird. Die Band-Beförderungseinrichtung 300 transportiert den getrennten Verstärkungsabschnitt 24 zum Staubkasten 302, wo der getrennte Verstärkungsabschnitt 24 gesammelt wird. Indessen könnte die Trenneinrichtung 274 in Bezug auf die Rahmeneinheit U gedreht werden, wenn der Verstärkungsabschnitt 24 getrennt wird.
  • Wie in 1 dargestellt, ist die Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit so angeordnet, dass neben der Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194 angeordnet ist. Unter Bezugnahme auf 19 und 20 beschreibend, weist Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit in der vorliegenden Ausführungsform einen Umkehrmechanismus 308 (siehe 19), der eine Rahmenhalteeinheit 306 aufweist, die der von dem zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 getragenen ringförmigen Einheit zugewandt ist und den Ringrahmen 64 trägt, wobei sich der Mechanismus in Richtung des Rahmenkassetten-Tisches 200 bewegt und die Rahmenhalteeinheit 306 umdreht, eine Trageinheit 310 für die ringlose Einheit (siehe 20), die die durch den Umkehrmechanismus 308 umgedrehte ringlose Einheit trägt, so dass die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 nach oben ausgerichtet ist, und eine Einschubeinheit 312 (siehe 20) auf, die die durch die Trageinheit 310 für die ringlose Einheit getragene ringlose Einheit in die am Rahmenkassetten-Tisch 200 angebrachte Rahmenkassette 198 weiterbewegt und unterbringt.
  • Wie in 19 dargestellt ist, weist der Umkehrmechanismus 308 ein Y-Achsen-Führungselement 314, das sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt, ein entlang der Y-Achse bewegbares Element 316, das von dem Y-Achsen-Führungselement 314 so getragen wird, dass es in der Y-Achsen-Richtung beweglich ist, einen Y-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt), der das entlang der Y-Achse bewegbare Element 316 in der Y-Achsen-Richtung bewegt, einen Arm 318, der von dem entlang der Y-Achse bewegbaren Element 316 so getragen wird, dass er in der Z-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Z-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt) auf, der den Arm 318 in der Z-Achsen-Richtung bewegt. Es genügt, wenn sowohl der Y-Achsen- als auch der Z-Achsen-Zuführmechanismen des Umkehrmechanismus 308 eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel und einen Motor, der die Kugelgewindespindel dreht, aufweist.
  • Die oben beschriebene Rahmenhalteeinheit 306 wird von dem Arm 318 so getragen, dass sie vertikal umkehrbar ist, und ein Motor 320, der die Rahmenhalteeinheit 306 vertikal umkehrt, ist an dem Arm 318 angebracht. Die Rahmenhalteeinheit 306 in der vorliegenden Ausführungsform weist eine Platte 324, die von dem Arm 318 über ein Paar Drehschäfte 322 drehbar gehalten wird, sowie mehrere Ansaugpads 326 auf, die an einer Oberfläche der Platte 324 angebracht sind. Jedes Ansaugpad 326 ist mit einem Ansaugmittel verbunden (nicht abgebildet). Zusätzlich ist ein Drehschaft 322 mit dem Motor 320 gekoppelt.
  • Der Umkehrmechanismus 308 saugt die untere Oberfläche des Ringrahmens 64 der ringlosen Einheit U', die von dem zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 getragen wird, an und hält sie durch die Ansaugpads 326 in einem Zustand, in dem die Ansaugpads 326 nach oben gerichtet sind. Der Umkehrmechanismus 308 nimmt somit die ringlose Einheit U' von dem zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 auf. Zusätzlich richtet der Umkehrmechanismus 308 die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 nach oben, indem er die Rahmenhalteeinheit 306 durch den Motor 320 umdreht, und bewegt danach die ringlose Einheit U', die von der Rahmenhalteeinheit 306 gehalten wird, in Richtung des Rahmenkassetten-Tisches 200, indem er das entlang der Y-Achse bewegbare Element 316 bewegt.
  • Wie in 20 dargestellt, weist die Trageinheit 310 für die ringlose Einheit in der vorliegenden Ausführungsform ein Paar Tragplatten 328, die so getragen werden, dass sie in der X-Achsen-Richtung über geeignete Halterungen (nicht dargestellt) beweglich sind, sowie Abstandeinstellmittel (nicht dargestellt) zum Einstellen eines Abstands in der X-Achsen-Richtung zwischen dem Paar Tragplatten 328 auf. Die Abstandeinstellmittel können durch ein geeignetes Betätigungselement wie beispielsweise einen Luftzylinder oder einen elektrischen Zylinder ausgebildet sein.
  • Das Paar Tragplatten 328, das die ringlose Einheit U' trägt, ist mit einer Heizeinrichtung (nicht dargestellt) versehen. In einem Zustand, in dem der Abstand zwischen dem Paar Tragplatten 328 schmaler ausgestaltet ist, erwärmt das Paar Tragplatten 328 das Band 96 der ringlosen Einheit U' durch die Heizeinrichtung und beseitigt dadurch einen Durchhang oder eine Falte in dem Band 96, wobei der Durchhang oder die Falte durch ein Entfernen des Verstärkungsabschnitts 24 verursacht wird.
  • In Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf 20 weist die Einschubeinheit 312 in der vorliegenden Ausführungsform ein sich in Y-Achsen-Richtung erstreckendes Y-Achsen-Führungselement 330, ein entlang der Y-Achse bewegbares Element 332, das von dem Y-Achsen-Führungselement 330 so getragen wird, dass es in der Y-Achsen-Richtung beweglich ist, und einen Y-Achsen-Zuführmechanismus (nicht dargestellt) auf, der das entlang der Y-Achse bewegbare Element 332 in der Y-Achsen-Richtung bewegt. Das entlang der Y-Achse bewegbare Element 332 weist einen Basisabschnitt 334, der von dem Y-Achsen-Führungselement 330 getragen wird, eine Säule 336, die sich von der oberen Oberfläche des Basisabschnitts 334 nach oben erstreckt, und ein Drückteil 338 auf, das an einem oberen Ende der Säule 336 angebracht ist. Es genügt, wenn der Y-Achsen-Zuführmechanismus der Einschubeinheit 312 eine Ausgestaltung aufweist, die eine Kugelgewindespindel, die mit dem entlang der Y-Achse beweglichen Element 332 verbunden ist und sich in der Y-Achsen-Richtung erstreckt, und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht.
  • Wie in 21 dargestellt, vergrößert die Trageinheit 310 für die ringlose Einheit den Abstand zwischen dem Paar Tragplatten 328 durch das Abstandeinstellmittel, bevor die ringlose Einheit U' aufgenommen wird, und nimmt danach die von den Ansaugpads 326 gehaltene ringlose Einheit U' auf. Dann bewegt die Einschubeinheit 312, wenn die Trageinheit 310 für die ringlose Einheit die ringlose Einheit U' empfängt, die von der Trageinheit 310 für die ringlose Einheit getragene ringlose Einheit U' weiter und bringt diese in der Rahmenkassette 198, die an dem Rahmenkassetten-Tisch 200 angebracht ist, durch das Drückteil 338 durch ein Bewegen des entlang der Y-Achse bewegbaren Elements 332 in der Y-Achsen-Richtung durch den Y-Achsen-Zuführmechanismus unter.
  • Die in 1 und 21 dargestellte Rahmenkassette 198 bringt mehrere ringlose Einheiten U' in Abständen in der Aufwärts-Abwärts-Richtung in einem Zustand unter, in dem die oberen Oberflächen 4a der Wafer 4 nach oben gerichtet sind. Wie in 20 und 21 dargestellt ist, weist der Rahmenkassetten-Tisch 200 eine Anbringungseinheit 340, an der die Rahmenkassette 198 angebracht ist, und eine Anhebe- und Absenkeinheit 342, die die Anbringungseinheit 340 durch ein Anheben oder Absenken der Anbringungseinheit 340 an einer wählbaren Höhe positioniert. Es genügt, wenn die Anhebe- und Absenkeinheit 342 eine Ausgestaltung aufweist, die eine mit der Anbringungseinheit 340 gekoppelte und sich in der Z-Achsen-Richtung erstreckende Kugelgewindespindel und einen Motor aufweist, der die Kugelgewindespindel dreht.
  • Als nächstes wird ein Bearbeitungsverfahren beschrieben, bei dem die oben beschriebene Bearbeitungsvorrichtung 2 verwendet wird, um den Wafer 4 mit dem Ringrahmen 64 zu verbinden, indem das Teilungsband 96 an der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 angebracht wird, der den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 in einer vorspringenden Form an einem Teil der unteren Oberfläche 4b ausgebildet aufweist, wobei der Teil dem Umfang entspricht, und den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 durch ein Schneiden des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 vom Wafer 4 zu entfernen.
  • In der vorliegenden Ausführungsform wird zunächst, wie in 1 und 3 dargestellt, eine Waferkassettenanrbingschritt durchgeführt, der die Waferkassette 6, die mehrere Wafer 4 unterbringt, an dem Waferkassetten-Tisch 8 anbringt. Die Kassette 6 bringt die mehreren Wafer 4 in Abständen in der Aufwärts-Abwärts-Richtung in einem Zustand unter, in dem die oberen Oberflächen 4a nach oben ausgerichtet sind.
  • Zusätzlich wird, wie in 1 und 5 dargestellt, ein Rahmenunterbringungsschritt durchgeführt, der mehrere ringförmige Ringrahmen 64, in denen ein Öffnungsabschnitt 64a zum Unterbringen eines Wafers 4 ausgebildet ist, in der Rahmenunterbringungseinheit 66 unterbringt. Der Rahmenunterbringungsschritt könnte vor dem Waferkassette-Anbringungsschritt durchgeführt werden oder er könnte nach dem Waferkassette-Anbringungsschritt durchgeführt werden.
  • Im Rahmenunterbringungsschritt wird die Anhebe- und Absenkplatte 74 der Rahmenunterbringungseinheit 66 in eine wählbare Position abgesenkt, danach wird die Tür 76 geöffnet, während der Griff 76a gegriffen wird, und die mehreren Ringrahmen 64 werden an der oberen Oberfläche der Anhebe- und Absenkplatte 74 gestapelt untergebracht. Zusätzlich wird ein Ringrahmen 64 an einem oberen Ende in einer solchen Position positioniert, dass er durch die Rahmenentladeeinheit 68 entladen werden kann, indem die Höhe der Anhebe- und Absenkplatte 74 entsprechend eingestellt wird.
  • Nachdem der Kassetten-Anbringungsschritt und der Rahmenunterbringungsschritt durchgeführt wurden, wird ein Waferentladungsschritt durchgeführt, der einen Wafer 4 aus der am Waferkassetten-Tisch 8 angebrachten Waferkassette 6 entlädt.
  • Unter Bezugnahme auf 3 beschreibend, wird in dem Wafer-Entladeschritt zunächst das entlang der Y-Achse bewegbare Element 32 in der Nähe des Waferkassetten-Tisches 8 positioniert, indem der Y-Achsen-Zuführmechanismus 34 der Wafer-Entladeeinheit 10 betätigt wird. Als nächstes wird die Hand 44, die die nach oben gerichteten Luft-Ausstoßöffnungen 46 aufweist, an der Seite der unteren Oberfläche 4b (untere Seite) des Wafers 4 innerhalb der Waferkassette 6 positioniert, indem der Transportarm 42 angetrieben wird. Wenn die Hand 44 an der Seite der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 positioniert ist, wird ein Spalt zwischen der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 und der Hand 44 vorgesehen, und jeder Führungsstift 48 wird in der radialen Richtung nach außen positioniert.
  • Als nächstes wird an der Seite einer Oberfläche der Hand 44 auf der Grundlage eines Bernoulli-Effekts durch ein Ausstoßen von Druckluft aus den Luft-Ausstoßöffnungen 46 der Hand 44 ein Unterdruck erzeugt, und der Wafer 4 wird somit von der Seite der unteren Oberfläche 4b berührungslos von der Hand 44 angesaugt und getragen. Als nächstes wird jeder Führungsstift 48 in der radialen Richtung nach innen bewegt, und dadurch wird eine horizontale Bewegung des Wafers 4, der von der Hand 44 angesaugt und getragen wird, durch jeden Führungsstift 48 gesteuert. Dann wird der von der Hand 44 angesaugte und getragene Wafer 4 aus der Waferkassette 6 entladen, indem das entlang der Y-Achse bewegbare Element 32 und der Transportarm 42 der Wafer-Entladeeinheit 10 bewegt werden.
  • Nachdem der Wafer-Entladeschritt durchgeführt wurde, wird bevorzugt ein Kerben-Detektionsschritt durchgeführt, der die Position der Kerbe 26 des Wafers 4 detektiert. In dem Kerben-Detektionsschritt wird, wie in 4 dargestellt, der äußere Umfang des Wafers 4, der von der Hand 44 angesaugt und getragen wird, zwischen dem Lichtemissionselement 52 und dem Lichtempfangselement 54 der Kerben-Detektionseinheit 50 positioniert. Als nächstes wird die Position der Kerbe 26 des Wafers 4 durch ein Drehen des Wafers 4 durch die Antriebsquelle über den Führungsstift 48 detektiert. Somit kann die Ausrichtung des Wafers 4 auf eine beliebige Ausrichtung eingestellt werden.
  • Nachdem der Kerben-Detektionsschritt durchgeführt wurde, wird ein Wafertrageschritt durchgeführt, der durch den Wafertisch 12 die Seite der oberen Oberfläche 4a des von der Wafer-Entladeeinheit 10 entladenen Wafers 4 trägt.
  • Unter Bezugnahme auf 3 wird in dem Wafertrageschritt zunächst die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 nach unten ausgerichtet, indem die Hand 44 der Wafer-Entladeeinheit 10 vertikal umgedreht wird. Als nächstes wird der Umfangsüberschussbereich 20 der oberen Oberfläche 4a des von der Hand 44 angesaugten und getragenen Wafers 4 in Kontakt mit dem ringförmigen Tragabschnitt 56 des Wafertisches 12 gebracht, indem das entlang der Y-Achse bewegbare Element 32 und der Transportarm 42 der Wafer-Entladeeinheit 10 bewegt werden. Zu diesem Zeitpunkt ist der Bauelementbereich 18 der oberen Oberfläche 4a des Wafers 4 an der Vertiefung 62 des Wafertisches 12 angeordnet. Somit kommen die Bauelemente 14 und der Wafertisch 12 nicht miteinander in Kontakt, so dass eine Beschädigung der Bauelemente 14 verhindert wird.
  • Als nächstes wird durch ein Betätigen der Ansaugmittel des Wafertisches 12 in jedem Ansaugloch 60 eine Ansaugkraft erzeugt und dadurch wird der Umfangsüberschussbereich 20 der oberen Oberfläche 4a des Wafers 4 angesaugt und gehalten. Als nächstes wird die Ansaugung und das Tragen des Wafers 4 durch die Hand 44 freigegeben, und die Hand 44 wird vom Wafertisch 12 getrennt. Der Wafer 4 wird somit von der Wafer-Entladeeinheit 10 zum Wafertisch 12 überführt. Da der zum Wafertisch 12 übertragene Wafer 4 von jedem Ansaugloch 60 angesaugt und gehalten wird, wird die Position des Wafers 4 nicht verschoben.
  • Zusätzlich wird, nachdem der Waferkassetten-Anbringschritt und der Rahmenunterbringungsschritt durchgeführt sind, ein Rahmenentladeschritt durchgeführt, der einen Ringrahmen 64 aus der Rahmenunterbringungseinheit 66 parallel zu dem Wafer-Entladeschritt und dem Wafertrageschritt entlädt.
  • Unter Bezugnahme auf 5 beschreibend, werden in dem Rahmenentladungsschritt zunächst die Ansaugpads 92 der Halteeinheit 88 mit der oberen Oberfläche eines Ringrahmens 64 an der Oberseite in Kontakt gebracht, wobei der Ringrahmen in der Rahmenunterbringungseinheit 66 untergebracht ist, indem das entlang der X-Achse bewegbare Element 84 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 86 der Rahmenentladeeinheit 68 bewegt werden. Als nächstes wird durch ein Betätigen der Ansaugmittel der Rahmenentladeeinheit 68 eine Ansaugkraft in den Ansaugpads 92 erzeugt, und der Ringrahmen 64 an der Oberseite wird dadurch von den Ansaugpads 92 angesaugt und gehalten. Dann wird der Ringrahmen 64 an der Oberseite, der von den Ansaugpads 92 der Halteeinheit 88 angesaugt und gehalten wird, von der Rahmenunterbringungseinheit 66 entladen, indem das entlang der X-Achse bewegbare Element 84 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 86 der Rahmenentladeeinheit 68 bewegt werden.
  • Nachdem der Rahmenentladeschritt durchgeführt wurde, wird ein Rahmentrageschritt durchgeführt, der den durch die Rahmenentladeeinheit 68 entladenen Ringrahmen 64 durch den Rahmentisch 70 trägt.
  • In Fortsetzung der Beschreibung unter Bezugnahme auf 5 wird in dem Rahmentragschritt zunächst der von den Ansaugpads 92 angesaugte und gehaltene Ringrahmen 64 in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Rahmentisches 70 gebracht, indem das entlang der X-Achse bewegbare Element 84 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 86 der Rahmenentladeeinheit 68 bewegt werden. Zu diesem Zeitpunkt ist der Rahmentisch 70 an der abgesenkten Position positioniert (in 5 durch eine durchgezogene Linie dargestellte Position). Als nächstes wird der Ringrahmen 64 auf dem Rahmentisch 70 angebracht, indem die Ansaugkraft der Ansaugpads 92 der Rahmenentladeeinheit 68 gelöst wird. Dann wird die Halteeinheit 88 von oberhalb des Rahmentisches 70 getrennt, indem das entlang der X-Achse bewegbare Element 84 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 86 der Rahmenentladeeinheit 68 bewegt werden.
  • Nachdem der Rahmentragschritt durchgeführt wurde, wird ein Bandanbringschritt durchgeführt, bei dem das Band 96 an dem Ringrahmen 64 angebracht wird.
  • Unter Bezugnahme auf 6A und 6B beschreibend, wird in dem Bandanbringschritt zunächst, bevor der Rahmentisch 70 von der abgesenkten Position (in 6A dargestellte Position) in die angehobene Position (in 6B dargestellte Position) bewegt wird, an der das Band 96 an dem Ringrahmen 64 angebracht werden kann, das Band 96 von dem Rollenband 96R abgezogen, und das Band 96, von dem das Abziehpapier 116 abgezogen ist, wird oberhalb des Rahmentisches 70 positioniert. Die Haftoberfläche des oberhalb des Rahmentisches 70 angeordneten Bandes 96 ist indessen nach unten gerichtet.
  • Als nächstes wird der Rahmentisch 70 so weit angehoben, dass die Drückwalze 132 der Kompressions-Verbindungseinheit 110 der Bandanbringeinheit 98 das Band 96 von oben gegen den Ringrahmen 64 drücken kann. Dann wird die Drückwalze 132 in der Y-Achsen-Richtung gerollt, während die Drückwalze 132 die Haftoberfläche des Haftmittels des Bandes 96 gegen den Ringrahmen 64 drückt. Das von der Bandabzugseinheit 108 von dem Rollenband 96R abgezogene Band 96 kann dadurch mit dem Ringrahmen 64 druckverbunden werden.
  • Als nächstes werden die Schneideinrichtung 144 und die Drückwalze 146 der Schneideinheit 112 der Bandanbringeinheit 98 abgesenkt, die Schneideinrichtung 144 wird gegen das Band 96 auf dem Ringrahmen 64 gedrückt, und der Ringrahmen 64 wird von der Drückwalze 146 von oberhalb des Bandes 96 gedrückt. Als nächstes werden die Schneideinrichtung 144 und die Drückwalze 146 so bewegt, dass sie einen Kreis entlang des Ringrahmens 64 beschreiben, indem der Armteil 140 durch den Motor 138 gedreht wird. Dadurch kann das sich über den Außenumfang des Ringrahmens 64 hinaus erstreckende Band 96 entlang des Ringrahmens 64 geschnitten werden. Da die Drückwalze 146 den Ringrahmen 64 von oberhalb des Bandes 96 drückt, wird zusätzlich eine Positionsverschiebung des Ringrahmens 64 und des Bandes 96 verhindert, während das Band 96 geschnitten wird. Indessen wird das bereits verwendete Band 96, in dem ein kreisförmiger Öffnungsabschnitt 120 ausgebildet ist, von der Bandwickeleinheit 106 aufgewickelt.
  • Nachdem der Bandanbringschritt durchgeführt worden ist, wird ein Transportschritt des Rahmens mit angebrachtem Band durchgeführt, der den Ringrahmen 64, an dem das Band 96 angebracht ist, zum Wafertisch 12 transportiert, den Öffnungsabschnitt 64a des Ringrahmens 64 an der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 positioniert, der vom Wafertisch 12 getragen wird, und den Rahmen 64' mit angebrachtem Band am Wafertisch 12 anbringt.
  • Beim Transportschritt des Rahmens mit angebrachtem Band wird zunächst der Rahmentisch 70 von der angehobenen Position in die abgesenkte Position bewegt. Als nächstes werden das entlang der Y-Achse bewegbare Element 150 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 152 der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band (siehe 5) bewegt, um jedes Ansaugpad 158 der Halteeinheit 154 der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Rahmens 64' mit angebrachtem Band (siehe 7) zu bringen, der von dem Rahmentisch 70 in einem Zustand getragen wird, in dem die Haftoberfläche des Bandes 96 nach unten gerichtet ist.
  • Als nächstes wird durch ein Betätigen der Ansaugmittel der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band eine Ansaugkraft in den Ansaugpads 158 erzeugt, und dadurch wird die obere Oberfläche des Rahmens 64' mit angebrachtem Band von den Ansaugpads 158 angesaugt und gehalten. Als nächstes wird der von den Ansaugpads 158 angesaugte und gehaltene Rahmen 64' mit angebrachtem Band vom Rahmentisch 70 entladen, indem das entlang der Y-Achse bewegbare Element 150 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 152 der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band bewegt werden.
  • Als nächstes wird der von den Ansaugpads 158 der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band angesaugte und gehaltene Rahmen 64' mit angebrachtem Band zum Wafertisch 12 transportiert. Wie in 7 dargestellt, wird der Öffnungsabschnitt 64a des Ringrahmens 64 an der unteren Oberfläche 4b des vom Wafertisch 12 getragenen Wafers 4 positioniert, und der Rahmen 64' mit angebrachtem Band wird in Kontakt mit dem Rahmentragabschnitt 58 des Wafertisches 12 gebracht. Zu diesem Zeitpunkt ist die Haftoberfläche des Bandes 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band nach unten gerichtet, und die untere Oberfläche 4b des Wafers 4 ist nach oben gerichtet und der Haftoberfläche des Bandes 96 zugewandt.
  • Als nächstes wird die Ansaugkraft der Ansaugpads 158 der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band freigegeben, und dadurch wird der am Rahmen 64' mit angebrachtem Band an dem Rahmentragabschnitt 58 des Wafertisches 12 angebracht. Dann wird die Halteeinheit 154 von oberhalb des Wafertisches 12 getrennt, indem das entlang der Y-Achse bewegbare Element 150 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 152 der Transporteinheit 100 für den Rahmen mit angebrachtem Band bewegt werden.
  • Nachdem der Transportschritt des Rahmens mit angebrachtem Band durchgeführt wurde, wird ein Band-Kompressionsverbindungsschritt durchgeführt, der das Band 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band mit der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 verbindet.
  • Unter Bezugnahme auf die 7 bis 9 beschreibend, senkt der Anhebe-und-Absenk-Mechanismus 164 der Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 zunächst die obere Kammer 160 ab und bringt das untere Ende der Seitenwand 172 der oberen Kammer 160 in Kontakt mit dem oberen Ende der Seitenwand 186 der unteren Kammer 162. Infolgedessen werden die obere Kammer 160 und die untere Kammer 162 in den geschlossenen Zustand versetzt, und die Drückwalze 174 wird in Kontakt mit dem Rahmen 64' mit angebrachtem Band gebracht. Dann haftet, wie in 8 dargestellt, ein oberes Ende des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 des Wafers 4 an der Haftmitteloberfläche des Bandes 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band.
  • Als nächstes wird das Innere der oberen Kammer 160 und der unteren Kammer 162 evakuiert, indem die Vakuumeinheit 166 in einem Zustand betätigt wird, in dem die Atmosphärenöffnungseinheit 168 der Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 geschlossen ist. Als nächstes wird, wie in 8 und 9 dargestellt, das Band 96 mit der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 verbunden, indem die Drückwalze 174 der Band-Kompressionsverbindungseinheit 102 in der Y-Achsen-Richtung gewalzt wird. Dadurch kann eine Rahmeneinheit U hergestellt werden, bei der die untere Oberfläche 4b des Wafers 4 und das Band 96 miteinander druckverbunden sind. Als nächstes wird die Atmosphärenöffnungseinheit 168 geöffnet, und der atmosphärische Druck bewirkt, dass das Band 96 entlang der Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 eng an der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 haftet. Dann hebt der Anhebe-Absenk-Mechanismus 164 die obere Kammer 160 an. Indessen geht die durch den Wafertisch 12 auf den Wafer 4 aufgebrachte Ansaugkraft durch ein Evakuieren des Inneren der oberen Kammer 160 und der unteren Kammer 162 verloren. Die Position des Wafers 4 wird jedoch im Band-Kompressionsverbindungsschritt nicht verschoben, da das obere Ende des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 des Wafers 4 an der Haftoberfläche des Bandes 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band anhaftet, wenn die obere Kammer 160 und die untere Kammer 162 in den geschlossenen Zustand versetzt werden.
  • Nachdem der Band-Kompressionsverbindungsschritt durchgeführt wurde, wird ein Rahmenentladeschritt durchgeführt, der die Rahmeneinheit U, in der das Band 96 des Rahmens 64' mit angebrachtem Band und die untere Oberfläche 4b des Wafers 4 miteinander druckverbunden sind, vom Wafertisch 12 entlädt.
  • Unter Bezugnahme auf 5 beschreibend, wird im Rahmeneinheit-Entladeschritt zunächst die Transporteinheit 206 der Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 betätigt, um die untere Oberfläche des Ansaugstücks 210 der Wafer-Halteeinheit 202a der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 mit dem Band 96 an der Seite der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 in Kontakt zu bringen und die Ansaugpads 214 der Rahmen-Halteeinheit 202b mit dem Ringrahmen 64 in Kontakt zu bringen.
  • Als nächstes wird eine Ansaugkraft in dem Ansaugstück 210 der Wafer-Halteeinheit 202a und den Ansaugpads 214 der Rahmen-Halteeinheit 202b erzeugt. Folglich saugt das Ansaugstück 210 der Wafer-Halteeinheit 202a in einem Zustand, in dem der gesamte oder ein Teil des Umfangs des Wafers 4 freiliegt, den Wafer 4 von der Seite der unteren Oberfläche 4b (Seite des Bandes 96) an und hält diesen, und die Ansaugpads 214 der Rahmen-Halteeinheit 202b saugen den Ringrahmen 64 an und halten diesen. Als nächstes wird das Ansaugen und Halten des Wafers 4 durch den Wafertisch 12 gelöst. Dann wird die von der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 gehaltene Rahmeneinheit U durch ein Betätigen der Transporteinheit 206 von dem Wafertisch 12 entladen.
  • Nachdem der Rahmeneinheit-Entladeschritt durchgeführt wurde, wird ein Übergangsplatzierschritt durchgeführt, bei dem die Mitte des Wafers 4 mit der Mitte des Übergangsplatzierungstisches 204 zur Übereinstimmung gebracht wird und die Rahmeneinheit U vorübergehend an dem Übergangsplatzierungstisch 204 platziert wird.
  • Unter Bezugnahme auf 10 beschreibend, wird bei dem Übergangsplatzierschritt zunächst die von der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 gehaltene Rahmeneinheit U über der Abbildungseinheit 224 positioniert. Als nächstes wird die Transporteinheit 206 der Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 betätigt, und die Abbildungseinheit 224 bildet mindestens drei Positionen des freiliegenden Teils des Umfangs des Wafers 4 der von der Rahmeneinheit-Halteeinheit 202 gehaltenen Rahmeneinheit U ab. Wenn die Abbildungseinheit 224 den Wafer 4 von unten abbildet, beleuchtet die Beleuchtungseinrichtung 400 den Wafer 4 von oberhalb des Wafers 4. Dadurch werden die Koordinaten von mindestens drei Punkten des Umfangs des Wafers 4 gemessen. Als nächstes werden auf der Basis der gemessenen Koordinaten der drei Punkte die zentralen Koordinaten des Wafers 4 erhalten. Da der gesamte oder ein Teil des Umfangs des von dem Ansaugstück 210 der Wafer-Halteeinheit 202a angesaugten und gehaltenen Wafers 4 freiliegt, kann die Kontur des Wafers 4 deutlich abgebildet werden, indem der freiliegende Teil des Umfangs des Wafers 4 von oben durch die Beleuchtungseinrichtung 400 beleuchtet wird und der freiliegende Teil des Umfangs des Wafers 4 von unten durch die Abbildungseinheit 224 abgebildet wird. Auf diese Weise können die zentralen Koordinaten des Wafers 4 präzise erhalten werden.
  • Als nächstes wird die Transporteinheit 206 betätigt, um die Mitte des Wafers 4 in der Mitte des ringförmigen Tragabschnitts 226 des Übergangsplatzierungstisches 204 zu positionieren, den Umfangsüberschussbereich 20 der oberen Oberfläche 4a des Wafers 4 in Kontakt mit der oberen Oberfläche des ringförmigen Tragabschnitts 226 des Übergangsplatzierungstisches 204 zu bringen und die untere Oberfläche des Ringrahmens 64 in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Rahmentragabschnitts 228 des Übergangsplatzierungstisches 204 zu bringen. Der Ringrahmen 64 wird durch die Magnetkraft der starken Permanentmagneten 402 gehalten. Zu diesem Zeitpunkt ist jeder der starken Permanentmagneten 402 und der ringförmige Tragabschnitt 226 in der angehobenen Position positioniert. Als nächstes wird in jedem Ansaugloch 229 durch ein Betätigen der Ansaugmittel des Übergangsplatzierungstisches 204 eine Ansaugkraft erzeugt. Dadurch wird der Umfangsüberschussbereich 20 der oberen Oberfläche 4a des Wafers 4 angesaugt und gehalten. Zusätzlich ist zu diesem Zeitpunkt der Bauelementbereich 18 an der Vertiefung 230 des Übergangsplatzierungstisches 204 angeordnet, obwohl die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 nach unten gerichtet ist. Somit kommen die Bauelemente 14 und der Übergangsplatzierungstisch 204 nicht miteinander in Berührung, so dass eine Beschädigung der Bauelemente 14 verhindert wird.
  • Als nächstes wird das Ansaugen und Halten des Wafers 4 durch die Wafer-Halteeinheit 202a gelöst, und das Ansaugen und Halten des Ringrahmens 64 durch die Rahmen-Halteeinheit 202b wird gelöst. Dadurch wird die Rahmeneinheit U von der Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 auf den Übergangsplatzierungstisch 204 überführt. Als nächstes wird die Heizeinrichtung des Rahmentragabschnitts 228 betätigt, und die Heizeinrichtung erwärmt das Band 96 der vorübergehend an dem Übergangsplatzierungstisch 204 platzierten Rahmeneinheit U. Infolgedessen wird das Band 96 erweicht, und das Band 96 wird dazu gebracht, eng an der Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 des Wafers 4 anzuhaften.
  • Nachdem der Übergangsplatzierschritt durchgeführt wurde, wird ein Verstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt durchgeführt, der den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 vom Wafer 4 der von der Rahmeneinheit-Entladeeinheit 192 entladenen Rahmeneinheit U schneidet und entfernt.
  • Unter Bezugnahme auf 1, 10 und 12A und 12B beschreibend, werden in dem Verstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt zunächst die unteren Oberflächen der Permanentmagneten 424 des ersten Anhebe- und Absenktisches 420 in Kontakt mit der oberen Oberfläche des Ringrahmens 64 der Rahmeneinheit U gebracht, die vorübergehend am Übergangsplatzierungstisch 204 platziert wird, indem das entlang der X-Achse bewegbare Element 260 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 262 der Halteeinheit 502 der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 bewegt werden, und der Ringrahmen 64 wird durch die Magnetkraft der Permanentmagnete 424 gehalten. Zusätzlich wird die untere Oberfläche der Ansaugeinspanneinrichtung 430 in Kontakt mit der Seite der unteren Oberfläche 4b (Seite des Bandes 96) des Wafers 4 gebracht, und der Wafer 4 wird durch die Ansaugkraft der Ansaugeinspanneinrichtung 430 gehalten.
  • Als nächstes wird der erste Anhebe- und Absenktisch 420, der die Rahmeneinheit U ansaugt und hält, angehoben, nachdem die starken Permanentmagnete 402 des Übergangsplatzierungstisches 204 in der abgesenkten Position positioniert sind und die Ansaugkraft des ringförmigen Tragabschnitts 226 freigegeben ist. Wie oben beschrieben, ist die Magnetkraft der Permanentmagnete 424 des ersten Anhebe- und Absenktischs 420 schwächer als die Magnetkraft der starken Permanentmagnete 402 des Übergangsplatzierungstisches 204. Wenn die starken Permanentmagnete 402 in der abgesenkten Position positioniert sind, werden die starken Permanentmagnete 402 von dem Ringrahmen 64 getrennt. Dadurch wird die auf den Ringrahmen 64 wirkende Magnetkraft der starken Permanentmagnete 402 geschwächt. Die Rahmeneinheit U kann daher leicht von dem Übergangsplatzierungstisch 204 abgenommen werden.
  • Als nächstes werden das entlang der X-Achse bewegbare Element 260 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 262 der Halteeinheit 502 betätigt, und wie in 13 und 15 dargestellt, wird die von dem ersten Anhebe- und Absenktisch 420 gehaltene Rahmeneinheit U oberhalb der LaserstrahlBestrahlungseinheit 504 positioniert. Als nächstes wird ein Brennpunkt des Laserstrahls LB an der Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 des Wafers 4 der Rahmeneinheit U positioniert.
  • Als nächstes wird die Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 des Wafers 4 mit dem durch das Leistungsfestlegungsmittel 526 auf eine geeignete Leistung festgelegten Laserstrahl LB bestrahlt, während der Motor 266 des Bewegungsmechanismus 506 den ersten Anhebe- und Absenktisch 420 und die Rahmeneinheit U dreht. Folglich kann eine ringförmige Schneidnut 256 ausgebildet werden, indem die Ablationsbearbeitung an der Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 des Wafers 4 durchgeführt wird. Lecklicht des Laserstrahls LB, der durch den Wafer 4 und das Band 96 hindurchgeht, wird in dem Raum 428 zwischen der Wafer-Halteeinheit 422 und dem Rahmentragabschnitt 426 gestreut. Eine nachteilige Auswirkung des Lecklichts auf die Bauelemente 14 des Wafers 4 wird dadurch verringert. Zusätzlich wird, wenn der Wafer 4 mit dem Laserstrahl LB bestrahlt wird, durch ein Betätigen der Ansaugmittel der LaserstrahlBestrahlungseinheit 504 eine Ansaugkraft in der Ansaugdüse 534 erzeugt, und die Ansaugdüse 534 saugt dadurch die Schmutzpartikel an, die durch die Ablationsbearbeitung erzeugt werden. Dann bestimmt die Steuerungseinheit 524, wenn das Plasmalicht P nicht im Plasmalichtdetektor 518 detektiert wird, dass die Schneidnut 256 im Wafer 4 ausgebildet ist, und stoppt die Aufbringung des Laserstrahls LB. Somit wird der Laserstrahl LB daran gehindert, aufgebracht zu werden, obwohl der Wafer 4 bereits geschnitten ist.
  • Wenn der Wafer 4 mit dem Laserstrahl LB bestrahlt wird, können beispielsweise die folgenden Bearbeitungsbedingungen festgelegt werden.
    • Wellenlänge des Laserstrahls: 355 nm
    • Leistung des Laserstrahls: 1 bis 2,5 W Wiederholungsfrequenz des Laserstrahls: 100 kHz Drehgeschwindigkeit des Motors: 60 rpm
    • Ein Fehler wird vom Fehlerausgabemittel 532 in einem Fall ausgegeben, in dem die von der Steuerungseinheit 524 auf der Basis des vom Plasmalichtdetektor 518 detektierten Plasmalichts P identifizierte Materialart und die vom Leistungsfestlegungsmittel 526 gewählte Materialart voneinander abweichen, wenn der Wafer 4 mit dem Laserstrahl LB bestrahlt wird. Somit kann der Bediener durch das Leistungsfestlegungsmittel 526 die Leistung des Laserstrahls LB auf einen geeigneten Wert entsprechend dem Material des der Laserbearbeitung unterzogenen Bereichs korrigieren. Alternativ könnte die Steuerungseinheit 524 die Leistung des Laserstrahls LB auf den geeigneten Wert einstellen.
  • Der Fehler wird beispielsweise ausgegeben, wenn der Bediener durch das Leistungsfestlegungsmittel 526 Silizium in einem Fall wählt, in dem das Material des Wafers 4 Silizium ist und die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 mit einer metallischen Schicht aus Aluminium oder Kupfer beschichtet ist. Dann sind, wenn die metallische Schicht an der oberen Oberfläche 4a des Wafers 4 mit dem Laserstrahl LB bestrahlt wird, die von der Steuerungseinheit 524 auf der Basis des vom Plasmalichtdetektor 518 detektierten Plasmalichts P identifizierte Materialart (Aluminium oder Kupfer) und die durch das Leistungsfestlegungsmittel 526 gewählte Materialart (Silizium) unterschiedlich und deswegen wird ein Fehler ausgegeben.
  • Nachdem die Schneidnut 256 im Wafer 4 ausgebildet ist, wird die untere Oberfläche des Ringrahmens 64 der von dem ersten Anhebe- und Absenktisch 420 gehaltenen Rahmeneinheit U mit der oberen Oberfläche des Rahmentragabschnitts 228 des Übergangsplatzierungstisches 204 in Kontakt gebracht, indem das entlang der X-Achse bewegbare Element 260 und das entlang der Z-Achse bewegbare Element 262 der Halteeinheit 502 bewegt werden. Somit wird der Ringrahmen 64 durch die Magnetkraft der starken Permanentmagneten 402 gehalten, die in der angehobenen Position positioniert sind. Um zu diesem Zeitpunkt zu verhindern, dass die Schmutzpartikel, die an dem Umfang des Wafers 4 anhaften, an den Ansauglöchern 229 anhaften, ist es vorteilhaft, keine Ansaugkraft in den Ansauglöchern 229 des ringförmigen Tragabschnitts 226 zu erzeugen, und es ist vorteilhaft, den ringförmigen Tragabschnitt 226 im Voraus an der abgesenkten Position zu positionieren.
  • Als nächstes wird die Ansaugkraft der Ansaugeinspanneinrichtung 430 des ersten Anhebe- und Absenktisches 420 gelöst, und danach wird der erste Anhebe- und Absenktisch 420 angehoben. Wie oben beschrieben, ist die Magnetkraft der Permanentmagneten 424 des ersten Anhebe- und Absenktischs 420 schwächer als die Magnetkraft der starken Permanentmagnete 402 des Übergangsplatzierungstisches 204. Der Ringrahmen 64 wird daher von den Permanentmagneten 424 zu den starken Permanentmagneten 402 übertragen. Wenn dann der erste Anhebe- und Absenktisch 420 angehoben wird, wird die Rahmeneinheit U an dem Übergangsplatzierungstisch 204 gehalten und von dem ersten Anhebe- und Absenktisch 420 getrennt. Die Rahmeneinheit U wird somit vom ersten Anhebe- und Absenktisch 420 zum Übergangsplatzierungstisch 204 übertragen.
  • Als nächstes positioniert die Übergangsplatzierungstisch-Transporteinheit 232 den Übergangsplatzierungstisch 204, der die Rahmeneinheit U aufnimmt, unterhalb der Trenneinheit 248 der Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194 (siehe 10). Indessen wird zu diesem Zeitpunkt die Band-Beförderungseinrichtung 300 der Entsorgungseinheit 276 im Vorhinein in der Standby-Position positioniert. Als nächstes wird der zweite Anhebe- und Absenktisch 272 der Trenneinheit 248 abgesenkt und dadurch wird die untere Oberfläche des zweiten Anhebe- und Absenktisches 272 in Kontakt mit dem Band 96 am Teil der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 gebracht. Als nächstes wird eine Ansaugkraft in der unteren Oberfläche des zweiten Anhebe- und Absenktisches 272 erzeugt, und dadurch saugt der zweite Anhebe- und Absenktisch 272 die Seite der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4 der Rahmeneinheit U an und hält sie.
  • Als nächstes wird, nachdem die starken Permanentmagneten 402 des Übergangsplatzierungstisches 204 an der abgesenkten Position positioniert sind, der zweite Anhebe- und Absenktisch 272, der den Wafer 4 der Rahmeneinheit U ansaugt und hält, angehoben. Als nächstes wird der Übergangsplatzierungstisch 204 zu einer Position unterhalb des ersten Anhebe- und Absenktisches 420 bewegt. Danach wird, wie in 17 dargestellt, das Paar Zufuhrmittel 290 und die Z-Achsen-Zufuhrmechanismen 294 der Trenneinrichtung 274 betätigt, und dadurch umgreifen die oberen und unteren umgreifenden Walzen 292a und 292b den Ringrahmen 64 in der Aufwärts-Abwärts-Richtung. Zusätzlich wird die Band-Beförderungseinrichtung 300 der Entsorgungseinheit 276 von der Standby-Position zur Sammelposition positioniert.
  • Als nächstes wird die Haftkraft des an dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 anhaftenden Bandes 96 durch ein Aufbringen von Ultraviolett-Strahlen aus dem Paar Ultraviolettstrahl-Bestrahlungseinheiten 270 verringert, und der Motor 284 dreht die Rahmeneinheit U zusammen mit dem Tragschaft 286 und dem zweiten Anhebe-und Absenktisch 272 in Bezug auf die Trenneinrichtung 274, während die Drückwalzen 298 den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 nach unten drücken. Dadurch kann der ringförmige Verstärkungsabschnitt 24 von der Rahmeneinheit U getrennt werden. Die Band-Beförderungseinrichtung 300 transportiert den von der Rahmeneinheit U heruntergefallenen Verstärkungsabschnitt 24 zum Staubkasten 302, wo der Verstärkungsabschnitt 24 gesammelt wird. Indessen könnte die Trenneinrichtung 274 in Bezug auf die Rahmeneinheit U gedreht werden, wenn der Verstärkungsabschnitt 24 getrennt wird.
  • Nachdem der Verstärkungsabschnitt-Entfernungsschritt durchgeführt wurde, wird ein Entladeschritt der ringlosen Einheit durchgeführt, bei dem die ringlose Einheit U', von welcher der ringförmige Verstärkungsabschnitt 24 entfernt ist, aus der Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194 entladen wird.
  • In dem Entladeschritt der ringlosen Einheit wird zunächst die Band-Beförderungseinrichtung 300 der Entsorgungseinrichtung 276 der Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194 von der Sammelposition in die Standby-Position positioniert. Als nächstes wird die Rahmenhalteeinheit 306 des Umkehrmechanismus 308 (siehe 19) der Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit unter der ringlosen Einheit U' positioniert, die von dem zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 gehalten wird.
  • Als nächstes wird der Arm 318 in einem Zustand angehoben, in dem die Ansaugpads 326 der Rahmenhalteeinheit 306 nach oben gerichtet sind, und dadurch werden die Ansaugpads 326 der Rahmenhalteeinheit 306 in Kontakt mit der Seite der unteren Oberfläche des Ringrahmens 64 der ringlosen Einheit U' gebracht, die von dem zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 getragen wird und bei der die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 nach unten gerichtet ist.
  • Als nächstes wird in den Ansaugpads 326 der Rahmenhalteeinheit 306 eine Ansaugkraft erzeugt, und die Ansaugpads 326 saugen dadurch den Ringrahmen 64 der ringlosen Einheit U' an und halten ihn. Als nächstes wird das Ansaugen und Halten der ringlosen Einheit U' durch den zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 gelöst. Dadurch wird die ringlose Einheit U' von dem zweiten Anhebe- und Absenktisch 272 der Verstärkungsabschnitt-Entfernungseinheit 194 zur Rahmenhalteeinheit 306 der Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit übertragen.
  • Nachdem der Entladungsschritt der ringlosen Einheit durchgeführt wurde, wird ein Unterbringungsschritt einer ringlosen Einheit durchgeführt, der die ringlose Einheit U' unterbringt, die von der Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit entladen wurde.
  • In dem Unterbringungsschritt der ringlosen Einheit wird zunächst die ringlose Einheit U', die von der Rahmenhalteeinheit 306 angesaugt und gehalten wird, durch eine vertikale Umkehrung des Umkehrmechanismus 308 der Entladeeinheit 196 für die ringlose Einheit vertikal umgedreht. Folglich wird die ringlose Einheit U' unterhalb der Rahmenhalteeinheit 306 positioniert, und die obere Oberfläche 4a des Wafers 4 wird nach oben gerichtet.
  • Als nächstes wird die ringlose Einheit U' in Kontakt mit den oberen Oberflächen des Paares Tragplatten 328 der Trageinheit 310 für die ringlose Einheit gebracht, indem das entlang der Y-Achse bewegbare Element 316 und der Arm 318 des Umkehrmechanismus 308 bewegt werden. Zu diesem Zeitpunkt wird der Abstand zwischen dem Paar Tragplatten 328 durch die Abstandeinstellungsmittel verringert, und das Paar Tragplatten 328 steht in engem Kontakt zueinander. Als nächstes wird das Ansaugen und Halten der ringlosen Einheit U' durch die Rahmenhalteeinheit 306 gelöst, und dadurch wird die ringlose Einheit U' an dem Paar Tragplatten 328 angebracht. Als nächstes wird das Band 96 der ringlosen Einheit U' erwärmt, indem die Heizeinrichtung betätigt wird, die an jeder der Tragplatten 328 angebracht ist. Dadurch wird ein Verzug oder eine Falte im Band 96, der/die durch das Entfernen des Verstärkungsabschnitts 24 verursacht wird, beseitigt. Dann saugt die Rahmenhalteeinheit 306 die ringlose Einheit U' wieder an und hält diese und hebt die ringlose Einheit U' an.
  • Als nächstes wird die ringlose Einheit U' an den oberen Oberflächen der Tragplatten 328 angebracht, nachdem das Abstandeinstellmittel den Abstand zwischen dem Paar Tragplatten 328 vergrößert hat. Dann drückt, wie in 21 dargestellt, das Drückteil 338 der Einschubeinheit 312 die von der Trageinheit 310 für die ringlose Einheit getragene ringlose Einheit U' und bewegt dadurch die ringlose Einheit U' weiter und bringt sie in der am Rahmenkassetten-Tisch 200 platzierten Rahmenkassette 198 unter. Wie oben beschrieben, erleichtert die Bearbeitungsvorrichtung 2 die Arbeit eines Verbindens des Wafers 4 mit dem Ringrahmen 64 durch ein Anbringen des Teilungsbandes 96 an der unteren Oberfläche 4b des Wafers 4, der den ringförmigen Verstärkungsabschnitt 24 aufweist, der in einer vorspringenden Form an dem Teil der unteren Oberfläche 4b ausgebildet ist, der dem Umfang entspricht, und erleichtert ein Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24 von dem Wafer 4 durch ein Schneiden des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 24. Auf diese Weise wird eine hervorragende Produktivität erreicht.
  • Wie oben beschrieben, kann in der Laserbearbeitungsvorrichtung 500 der Bearbeitungsvorrichtung 2 die Leistung des auf den Wafer 4 aufgebrachten Laserstrahls LB einfach auf der Basis eines Ergebnisses einer Detektion des Plasmalichts P eingestellt werden, das von dem Bereich emittiert wird, der durch die Aufbringung des Laserstrahls LB einer Bearbeitung unterzogen wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Umfang der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2015147231 [0003]

Claims (6)

  1. Laserbearbeitungsvorrichtung zum Durchführen einer Bearbeitung durch ein Bestrahlen eines Wafers mit einem Laserstrahl, wobei der Wafer einen Bauelementbereich mit mehreren durch mehrere sich schneidende geplante Teilungslinien unterteilten und an einer oberen Oberfläche des Wafers ausgebildeten Bauelementen und einen den Bauelementbereich umgebenden Umfangsüberschussbereich aufweist, wobei die Laserbearbeitungsvorrichtung aufweist: einen Einspanntisch, der ausgestaltet ist, um den Wafer zu halten; eine Laserstrahlbestrahlungseinheit, die ausgestaltet ist, um den Laserstrahl auf einen Grenzbereich zwischen dem Bauelementbereich und dem Umfangsüberschussbereich des von dem Einspanntisch gehaltenen Wafers aufzubringen; und einen Bewegungsmechanismus, der ausgestaltet ist, um den Einspanntisch und die Laserstrahlbestrahlungseinheit relativ zueinander zu bewegen, wobei die Laserstrahlbestrahlungseinheit aufweist: einen Laserstrahloszillator, der ausgestaltet ist, um einen Laser zu oszillieren, einen Kondensor, der ausgestaltet ist, um den vom Laseroszillator emittierten Laserstrahl zu kondensieren, und einen Plasmalichtdetektor, der ausgestaltet ist, um von einem der Bearbeitung durch eine Aufbringung des Laserstrahls unterzogenen Bereich emittiertes Plasmalicht zu detektieren.
  2. Laserbearbeitungsvorrichtung nach Anspruch 1, ferner aufweisend: einen zwischen dem Kondensor und dem Laseroszillator angeordneten Strahlteiler, der ausgestaltet ist, um das Plasmalicht abzuzweigen und das Plasmalicht auf einen Abzweigungspfad zu führen, wobei der Plasmalichtdetektor am Abzweigungspfad angeordnet ist.
  3. Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei die obere Oberfläche oder eine untere Oberfläche des Wafers mit einer metallischen Schicht beschichtet ist und die Laserstrahlbestrahlungseinheit ferner ein Leistungsfestlegungsmittel zum Festlegen einer Leistung des Laserstrahls durch ein Wählen einer Materialart aufweist.
  4. Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei die Laserstrahlbestrahlungseinheit ferner ein Fehlerausgabemittel zum Ausgeben eines Fehlers, wenn eine auf einer Basis des von dem Plasmalichtdetektor detektierten Plasmalichts identifizierte Materialart und die vom Leistungsfestlegungsmittel gewählte Materialart unterschiedlich voneinander sind.
  5. Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei ein vertiefter Abschnitt an einem Teil einer unteren Oberfläche entsprechend dem Bauelementbereich des Wafers ausgebildet ist und ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt in einer vorstehenden Form an einem Teil einer unteren Oberfläche entsprechend dem Umfangsüberschussbereich des Wafers ausgebildet ist und wobei eine Basis des ringförmigen Verstärkungsabschnitts mit dem Laserstrahl bestrahlt wird.
  6. Laserbearbeitungsvorrichtung gemäß einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Laserstrahlbestrahlungseinheit ein Aufbringen des Laserstrahls stoppt, wenn der Plasmalichtdetektor aufhört, das Plasmalicht zu detektieren.
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