DE102020112569A1 - Gaseinlassorgan mit einem durch ein Einsatzrohr verlaufenden optischen Pfad - Google Patents
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Gaseinlassorgan (1) zum Einspeisen von Prozessgasen in eine Prozesskammer (2) eines CVD Reaktors, mit einer Gasaustrittsplatte (3), die eine Vielzahl von in einer Frontseite (3') der Gasaustrittsplatte (3) mündende Gasdurchtrittsöffnungen (4) aufweist, mit einer rückwärtig der Frontseite (3') angeordneten Kühlkammer (6) und zumindest einem rückwärtig der Kühlkammer (6) angeordneten von einer Zuleitung (24) mit einem Prozessgas speissbaren Gasverteilvolumen (7), welches auf der von der Gasaustrittsplatte (3) weg weisenden Seite von einer Deckenplatte (20) verschlossen ist, wobei die Gasaustrittsöffnungen (4) mit die Kühlkammer (6) kreuzenden, einen freien Querschnitt aufweisende Gasdurchtrittsröhrchen (5) mit dem Gasverteilvolumen (7) strömungsverbunden sind, wobei sich zwischen Gasverteilvolumen (7) und Gasaustrittsfläche (3') zumindest ein Hüllrohr (22) erstreckt, in welchem ein Einsatzrohr (10) steckt, durch welches ein das Gaseinlassorgan (1) kreuzender optischer Pfad (P) hindurchgehen kann. Erfindungsgemäß soll das Einsatzrohr (10) als zusätzlicher Kanal zum Einspeisen eines Prozessgases verwendet werden. Hierzu weist das Einsatzrohr einen zum Gasverteilvolumen (7) offenen Strömungskanal (17) auf, durch den das Prozessgas in das Einsatzrohr eintreten kann.
Description
- Gebiet der Technik
- Die Erfindung betrifft ein Gaseinlassorgan zum Einspeisen von Prozessgasen in eine Prozesskammer eines CVD Reaktors, mit einer Gasaustrittsplatte, die eine Vielzahl von in einer Frontseite der Gasaustrittsplatte mündende Gasdurchtrittsöffnungen aufweist, mit einer rückwärtig der Frontseite angeordneten Kühlkammer und zumindest einem rückwärtig der Kühlkammer angeordneten von einer Zuleitung mit einem Prozessgas speissbaren Gasverteilvolumen, welches auf der von der Gasaustrittsplatte weg weisenden Seite von einer Deckenplatte verschlossen ist, wobei die Gasaustrittsöffnungen mit die Kühlkammer kreuzenden, einen freien Querschnitt aufweisendem Gasdurchtrittsröhrchen mit dem Gasverteilvolumen strömungsverbunden sind
- Die Erfindung betrifft darüber hinaus einen CVD Reaktor mit einem derartigen Gaseinlassorgan.
- Stand der Technik
- Eine gattungsgemäße Vorrichtung wird in der
DE 10 2004 007 984 A1 beschrieben. In einer Deckenplatte eines Gaseinlassorganes befinden sich optische Sensoren, mit denen die Oberfläche eines Substrates beobachtet wird. Optische Pfade zwischen den Sensoren und dem Substrat verlaufen durch Öffnungen einer Gasaustrittsplatte des Gaseinlassorganes. Ein gattungsgemäßes Gaseinlassorgan besitzt ein oder mehrere Gasvolumina, wobei jedes Gasvolumen mit einer Vielzahl von Gasdurchtsrittsröhrchen mit der Gasaustrittsfläche verbunden ist. Rückwärtig der Gasaustrittsplatte erstreckt sich zwischen zumindest einem Gasvolumen und der Gasaustrittsplatte eine Kühlkammer, in die ein flüssiges Kühlmittel eingespeist wird. Rückwärtig der ein Gasvolumen verschließenden Deckenplatte befindet sich ein Pyrometer, mit dem die Oberflächentemperatur eines das Substrat tragenden Suszeptors gemessen werden kann. Der optische Pfad des Pyrometers erstreckt sich durch das Gaseinlassorgan hindurch. - Zusammenfassung der Erfindung
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein gattungsgemäßes Gaseinlassorgan gebrauchsvorteilhaft weiterzubilden.
- Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung. Die Unteransprüche stellen nicht nur vorteilhafte Weiterbildungen der nebengeordneten Ansprüche, sondern auch eigenständige Lösungen der Aufgabe dar.
- Zunächst und im Wesentlichen wird vorgeschlagen, dass zumindest eines der Gasverteilvolumina, bevorzugt das Gasverteilvolumen, welches von der Deckenplatte verschlossen wird, über ein Hüllrohr mit der Gasaustrittsplatte derart verbunden ist, dass sich eine durchgehende Verbindung zwischen dem Gasverteilvolumen und der an die Gasaustrittsplatte angrenzenden Prozesskammer bzw. einer sich vor der Gasaustrittsplatte erstreckenden Schirmplatte ausbildet. Die Deckenplatte besitzt eine zur Höhlung des Hüllrohres fluchtende Einstecköffnung, durch die ein Einsatzrohr hindurchgesteckt werden kann. Durch die Höhlung des Einsatzrohres verläuft der optische Pfad. Das Einsatzrohr kann Abschnitte mit unterschiedlichen Außendurchmessern aufweisen. Ein oberer Rohrabschnitt des Einsatzrohres kann außerhalb des Gaseinlassorganes verlaufen. Es kann einen Flansch aufweisen, der mittels einer Dichtung auf der nach außen weisenden Breitseitenfläche der Deckenplatte befestigt ist. An den Flansch kann sich ein mittlerer Rohrabschnitt anschließen, der durch die Einstecköffnung der Deckenplatte verläuft. Das an die Deckenplatte angrenzende Gasverteilvolumen ist in Richtung auf die Gasaustrittsplatte durch eine Trennplatte begrenzt. In dieser Trennplatte mündet das Hüllrohr. Das Hüllrohr besitzt einen Innendurchmesser, der kleiner ist, als der Innendurchmesser der Einstecköffnung. An dem mittleren Rohrabschnitt kann sich eine Stufe und/oder ein gekröpfter Rohrabschnitt anschließen, mit dem eine Außendurchmesser-Verminderung verwirklicht wird. Ein unterer Rohrabschnitt mit einem kreiszylindrischen Querschnitt steckt in der Höhlung des Hüllrohres. Um zu vermeiden, dass Prozessgas aus dem Gasverteilvolumen durch den Zwischenraum zwischen der Außenwand des unteren Rohrabschnittes und der Innenwand des Hüllrohres vom Gasverteilvolumen in die Prozesskammer strömt, sieht die Erfindung ein Dichtelement vor, mit welchem der Zwischenraum gegenüber dem Gasverteilvolumen abgedichtet ist. Gemäß einer Variante der Erfindung wird vorgeschlagen, dass das Dichtelement eine Dichtscheibe oder ein Dichtring ist. Der Außendurchmesser des Dichtelementes ist kleiner, als der Innendurchmesser der Einstecköffnung, sodass das Dichtelement auf den unteren Rohrabschnitt aufgesteckt werden kann und zusammen mit dem Einsatzrohr in die Einstecköffnung der Deckenplatte eingesteckt werden kann. Ein sich an den unteren Rohrabschnitt anschließender Rohrabschnitt, der ein gekröpfter Rohrabschnitt sein kann, bildet eine Stufe aus, an der das Dichtelement anliegt. Mit dieser Stufe kann das Dichtelement gegen den Öffnungsrand des Hüllrohres gepresst werden. Das Dichtelement kann sich dabei auf einem das Hüllrohr umgebenden Rand, der von einer Breitseitenfläche der Trennplatte ausgebildet ist, abstützen. Gemäß einer Alternative der Erfindung, die auch in Kombination mit dem Dichtelement verwirklichbar ist, ist vorgesehen, dass in dem Bereich des Einsatzrohres, der das Gasverteilvolumen kreuzt ein Strömungskanal vorgesehen ist, durch den Prozessgas von der Gasverteilkammer in das Einsatzrohr strömen kann. Das Einsatzrohr übernimmt bei dieser Alternative dieselbe Funktion, die auch die Gasdurchtrittsröhrchen ausüben, die gleichmäßig über die Gasaustrittsfläche der Gasaustrittsplatte verteilt münden. Das Einsatzrohr befindet sich somit an einer Position eines der gleichmäßig über die Gasaustrittsfläche verteilten Punkte, an denen ansonsten jeweils ein Gasdurchtrittsröhrchen angeordnet ist. Der Strömungskanal wird bevorzugt von einer Bohrung ausgebildet, die sich quer zur Erstreckungsrichtung des Einsatzrohres erstreckt und die einen freien Querschnitt aufweist, der genau, innerhalb der üblichen Toleranzen oder im Wesentlichen mit dem freien Querschnitt eines Gasdurchtrittsröhrchens übereinstimmt. Mit dem oben beschriebenen Dichtelement wird verhindert, dass aus dem Gasverteilvolumen ein unkontrollierter Gasfluss durch den Zwischenraum zwischen Einsatzrohr und Hüllrohr in die Prozesskammer strömt. Der Strömungskanal mit seinem definierten freien Querschnitt sichert einen kontrollierten Gasfluss durch das Einsatzrohr. Der freie Querschnitt des Zwischenraumes kann somit größer sein, als der freie Querschnitt eines Gasdurchtrittsröhrchens. Hüllrohr und Einsatzrohr können somit mit geringeren Toleranzen und damit günstiger gefertigt werden. Es kann vorgesehen sein, dass das Einsatzrohr mit einem Inertgas spülbar ist. Hierzu kann an dem aus dem Gaseinlassorgan herausragenden oberen Abschnitt des Einsatzrohres ein Spülgaseinlass vorgesehen sein. Ansonsten ist am oberen Abschnitt des Einsatzrohres ein Sensor, insbesondere ein optischer Sensor in Form eines Pyrometers angeordnet, dessen optischer Pfad durch das Einsatzrohr hindurch verläuft. Das Gaseinlassorgan kann auch mehrere Gasvolumina aufweisen, wobei jedes der Gasvolumen mit einem Gasdurchtrittsröhrchen mit der Gasaustrittsplatte verbunden ist. Alle Gasdurchtrittsröhrchen kreuzen dabei eine bevorzugt unmittelbar an die Gasaustrittsplatte angrenzende Kühlkammer. Das Hüllrohr verbindet bevorzugt die unmittelbar an die Deckenplatte angrenzende Gasverteilkammer mit der Gasaustrittsplatte.
- Der erfindungsgemäße CVD-Reaktor besitzt ein nach außen gasdichtes Gehäuse. In dem Gehäuse befindet sich ein Suszeptor zur Aufnahme von Substraten. Der Suszeptor kann mit einer Heizeinrichtung auf eine Prozesstemperatur zwischen 700 und 1200 °C aufgeheizt werden. Die Prozesskammer befindet sich zwischen Suszeptor und einem oben beschriebenen Gaseinlassorgan. Vor der Gasaustrittsplatte kann sich eine Schirmplatte erstrecken, die eine Vielzahl von Gasdurchtrittsöffnungen aufweist. Die Schirmplatte kann ferner eine durchmessergrößere Öffnung aufweisen, die mit dem Hüllrohr fluchtet, sodass durch diese Öffnung der optische Pfad verläuft. Ferner besitzt der CVD-Reaktor ein Gasauslassorgan, das sich ringförmig um den Suszeptor erstrecken kann. Es kann vorgesehen sein, dass das Gehäuse einen Gehäusedeckel aufweist. Der Gehäusedeckel kann die Deckenplatte des Gaseinlassorganes ausbilden, sodass das Gaseinlassorgan Teil des Gehäusedeckels ist.
- Figurenliste
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
-
1 einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen CVD-Reaktor mit einem Gaseinlassorgan 1 eines ersten Ausführungsbeispiels, -
2 vergrößert in Ausschnitt 11 in1 mit einem Einsatzrohr 10, wobei von den ansonsten regelmäßig angeordneten Gasdurchtrittsröhrchen 5 nur einige dargestellt sind, -
3 ein zweites Ausführungsbeispiel in einer Darstellung gemäß2 , wobei auch hier die Gasdurchtrittsröhrchen 5, 5' im Wesentlichen symbolisch dargestellt sind. In der Realität sind die Gasdurchtrittsröhrchen 5, 5' gleichmäßig und insbesondere abwechselnd über die gesamte Gasaustrittsfläche 3' verteilt, -
4 das Einsatzrohr 10 gemäß denen in den2 und3 dargestellten Ausführungsbeispielen, jedoch um 90° gewendet mit Blick auf die Bohrung 17, -
5 eine perspektivische Darstellung des Einsatzrohres 10 und -
6 eine Draufsicht auf das Einsatzrohr 10 - Beschreibung der Ausführungsformen
- Die
1 zeigt einen CVD-Reaktor zum Abscheiden von beispielsweise III-V-Schichten auf Substraten. Hierzu wird ein Suszeptor28 , der aus Graphit oder dergleichen bestehen kann, mit einer Heizeinrichtung30 beheizt. Dies kann durch Wärmeleitung, Wärmestrahlung oder Induktion erfolgen. Oberhalb des Suszeptors28 erstreckt sich eine Prozesskammer2 , die nach oben hin durch das Gaseinlassorgan1 begrenzt ist. Auf der zur Prozesskammer2 weisenden Oberfläche des Suszeptors28 befinden sich Substrate31 , die in der Prozesskammer2 thermisch behandelt werden, wobei auf die Oberflächen der Substrate31 insbesondere die III-V-Schichten abgeschieden werden. - Das Gaseinlassorgan besitzt eine zur Prozesskammer
2 weisende Gasaustrittsplatte3 . In diese Gasaustrittsplatte3 münden zur Frontseite3' der Gasaustrittsplatte3 offene Gasdurchtrittsröhrchen5 ,5' . Die Frontseite bildet somit eine Gasaustrittsfläche3' aus. Die Gasdurchtrittsröhrchen5 ,5' bilden somit eine Vielzahl von über die gesamte Gasaustrittsfläche3' gleichmäßig verteilte Gasaustrittsöffnungen4 ,4' . Die Gasdurchtrittsröhrchen5 ,5' können sich auf den Kreuzungspunkten gedachter Gitterlinien erstrecken, die sich um 90° oder um 60° winkelversetzt auf der Gasaustrittsfläche3' erstrecken. - Rückwärtig der Gasaustrittsplatte
3 erstreckt sich eine Kühlkammer6 , in die ein Kühlmittel eingespeist werden kann. Dies erfolgt durch eine Kühlmitteleinlass26 . Das Kühlmittel kann durch den Kühlmittelauslass27 die Kühlkammer6 wieder verlassen. Die Kühlkammer6 ist von einer Trennplatte9 von einem Gasverteilvolumen7' getrennt. - Das Gasverteilvolumen
7' ist mit den Gasdurchtrittsröhrchen5' mit der Gasaustrittsfläche3' verbunden. Hierdurch kann ein Prozessgas, das mittels eines Prozessgaseinlasses25 von außen her in das Gasverteilvolumen7' gebracht wird, durch die Gasdurchtrittsröhrchen5' in die Prozesskammer2 strömen. Das Gasverteilvolumen7' ist mittels einer weiteren Trennplatte8 von einem Gasverteilvolumen7 getrennt. - Das Gasverteilvolumen
7 ist mit Gasdurchtrittsröhrchen5 mit der Gasaustrittsfläche3' verbunden. Hierdurch kann ein Prozessgas, dass mittels eines Prozessgaseinlasses24 von außen her in das Gasverteilvolumen7 eingespeist wird, durch die Gasdurchtrittsröhrchen5 in die Prozesskammer2 strömen. Die Gasdurchtrittsröhrchen5 kreuzen dabei nicht nur die Kühlkammer6 sondern auch das Gasverteilvolumen7 . Das Gasverteilvolumen7 ist mittels einer Deckenplatte20 nach oben hin begrenzt. - Bei dem in der
2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein einziges Gasverteilvolumen7 vorgesehen. Bei dem in der3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind zwei Gasverteilvolumina7 ,7' vorgesehen, die jeweils mit ihnen zugeordneten Gasdurchtrittsöffnungen5 ,5' mit der Gasaustrittsfläche3' in Strömungsverbindung stehen. - Die Gasdurchtrittsröhrchen
5 ,5' sind abwechselnd über die Querschnittsfläche des Gaseinlassorganes1 verteilt angeordnet. Dort, wo dieser Regel folgend ein Gasdurchtrittsröhrchen5 angeordnet sein müsste, befindet sich erfindungsgemäß ein durchmesservergrößertes Hüllrohr22 , das sich parallel und in derselben Länge zu einem Gasdurchtrittsröhrchen5 erstreckt. Das Hüllrohr22 besitzt eine von einem oberen Ende22' gebildete Öffnung und eine vom unteren Ende 22" gebildete Öffnung. Die untere Öffnung mündet in die Prozesskammer2 . Die obere Öffnung mündet in das Gasverteilvolumen7 . - Die Deckenplatte
20 besitzt eine Einstecköffnung21 , deren freier Querschnitt größer ist, als der freie Querschnitt des Hüllrohres22 . Die Einstecköffnung21 fluchtet mit dem Hüllrohr22 . Durch die Einstecköffnung21 kann ein unterer Abschnitt eines Einsatzrohres10 eingesteckt werden. Das Einsatzrohr10 besitzt einen oberen Abschnitt, der eine erste Öffnung12 ausbildet, an der ein Pyrometer oder dergleichen anschließbar ist. Der obere Abschnitt des Einsatzrohres10 weist darüber hinaus eine Spülgaseinlass13 auf, an dem eine Spülgasleitung anschließbar ist, um bei Bedarf ein Spülgas in das Einsatzrohr10 einzuspeisen. - An den oberen Abschnitt des Einsatzrohres
10 schließt sich ein Flansch11 an, mit dem das Einsatzrohr10 an der Außenseite der Deckenplatte20 befestigt werden kann. Dies erfolgt unter Zwischenlage eines Dichtringes34 . Ein Zwischenraum33 zwischen der Innenwand der Einstecköffnung21 in der Außenwand eines mittleren Rohrabschnittes14 des Einsatzrohres10 ist somit verschlossen. Er ist lediglich zum Gasverteilvolumen7 offen. Der mittlere Rohrabschnitt14 erstreckt sich durch die Einstecköffnung21 . - An dem mittleren Rohrabschnitt
14 schließt sich ein gekröpfter Rohrabschnitt15 an, der sich auf Höhe des Gasverteilvolumens7 befindet. In diesem eine Abstufung ausbildenden, sich im Gasverteilvolumen7 erstreckenden Rohrabschnitt15 befindet sich eine Querbohrung17 , die einen Strömungskanal ausbildet, durch den Prozessgas aus dem Gasverteilvolumen7 in die Höhlung des Einsatzrohres10 strömen kann. Bei dem in der2 dargestellten Ausführungsbeispiel sitzt der Dichtring23 auf der Trennplatte9 , die das Gasverteilvolumen7 von der Kühlkammer6 trennt. Bei dem in der3 dargestellten Ausführungsbeispiel sitzt der Dichtring23 auf der Trennplatte9 , die ein unteres Gasverteilvolumen7' vom oberen Gasverteilvolumen7 trennt. - An den sich durch das Gasvolumen
7 erstreckenden Rohrabschnitt15 schließt sich eine Stufe16 an. Diese Stufe16 bildet eine Dichtfläche aus, an der eine erste Breitseitenfläche eines Dichtringes23 angrenzt. Die andere Breitseitenfläche des Dichtringes23 liegt auf dem das Ende22' des Hüllrohres22 umgebenden Abschnitt der zum Gasverteilvolumen7 weisenden Breitseitenfläche9' der Trennplatte9 an. Mit diesem Dichtring23 wird ein Zwischenraum32 abgedichtet, der sich zwischen der Innenwand des Hüllrohres22 und der Außenwand eines unteren Rohrabschnittes18 erstreckt. Der untere Rohrabschnitt18 grenzt unter Ausbildung der Stufe16 an den Rohrabschnitt15 an. Er erstreckt sich über seine gesamte Länge durch das Hüllrohr22 und mündet in der Gasaustrittsfläche3' . - Wegen der geradlinigen Erstreckung des Einsatzrohres
10 kann ein optischer PfadP durch das Einsatzrohr10 verlaufen. - Der Durchmesser der Bohrung
17 entspricht im Wesentlichen dem Innendurchmesser der untereinander gleichen Querschnitte der Gasdurchtrittsröhrchen5 ,5' , sodass durch das Einsatzrohr10 ein Gasfluss fließen kann, der im Wesentlichen dem Gasfluss entspricht, der durch eines der Gasdurchtrittsröhrchen5 ,5' fließt. Mit dem Dichtring wird der Zwischenraum32 verschlossen, sodass durch den Zwischenraum32 kein Gas aus dem Gasverteilvolumen7 hindurchfließen kann. Die Querschnittsfläche des Zwischenraums32 ist somit ebenso wie die des von dem Dichtring34 verschlossenen Zwischenraums33 unkritisch. - Die vorstehenden Ausführungen dienen der Erläuterung der von der Anmeldung insgesamt erfassten Erfindungen, die den Stand der Technik zumindest durch die folgenden Merkmalskombinationen jeweils auch eigenständig weiterbilden, wobei zwei, mehrere oder alle dieser Merkmalskombinationen auch kombiniert sein können, nämlich:
- Ein Gaseinlassorgan
1 , das dadurch gekennzeichnet ist, dass sich zwischen Gasverteilvolumen7 und Gasaustrittsfläche3' zumindest ein Hüllrohr22 erstreckt, in welchem ein Einsatzrohr10 steckt, durch welches ein das Gaseinlassorgan1 kreuzender optischer PfadP hindurchgehen kann, wobei das Einsatzrohr10 einen zum Gasverteilvolumen7 offenen Strömungskanal17 mit einem freien Querschnitt aufweist zum Eintritt des Prozessgases und Durchfluss des Prozessgases durch das Einsatzrohr10 in die Prozesskammer2 aufweist und/oder wobei ein Zwischenraum32 zwischen der Außenoberfläche des Einsatzrohres10 und der Innenoberfläche des Hüllrohres22 mit einem Dicht-element 23 gegen einen Gasfluss durch den Zwischenraum32 abgedichtet ist. - Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der Strömungskanal
17 eine sich im Wesentlichen quer zur Erstreckungsrichtung des Einsatzrohres verlaufenden Bohrung17 gebildet ist. - Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Einsatzrohr
10 einen geradlinig verlaufenden und über seine gesamte Länge einen kreiszylindrischen Querschnitt aufweisenden unteren Rohrabschnitt18 aufweist, der eine in die Prozesskammer2 mündende Öffnung19 ausbildet. - Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass ein unterer Rohrabschnitt
18 des Einsatzrohres10 an eine Stufe16 angrenzt, und/oder dass das von einem Dichtring oder einer Dichtscheibe gebildete Dichtelement23 im Bereich eines an das Gasverteilvolumen7 angrenzenden Endes22' des Hüllrohres22 angeordnet ist und/oder zwischen der Stufe16 und einer zum Gasverteilvolumen7 weisenden Oberfläche9' einer Trennplatte9 liegt. - Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass der freie Querschnitt des Strömungskanals
17 dem freien Querschnitt des Gasdurchtrittsröhrchens5 entspricht und/oder dass die Querschnittsfläche des sich zwischen Einsatzrohr10 und Hüllrohr22 erstreckenden Zwischenraums32 größer ist, als der freie Querschnitt des Strömungskanals17 oder des Gasdurchtrittsröhrchens5 ist. - Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Einsatzrohr
10 eine gegenüber dem unteren Rohrabschnitt18 größeren Durchmesser aufweisenden oberen Rohrabschnitt14 aufweist, der in einer Einstecköffnung21 der Deckenplatte20 steckt und/oder dass der Strömungskanal17 in einem gekröpften Rohrabschnitt15 zwischen dem oberen Rohrabschnitt14 und dem unteren Rohrabschnitt18 angeordnet ist. - Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass weitere Gasdurchtrittsröhrchen
5' die Kühlkammer6 kreuzen und ein weiteres Gasverteilvolumen7' mit der Prozesskammer2 strömungsverbinden, wobei das Hüllrohr22 und der im Hüllrohr22 steckende untere Rohrabschnitt18 des Einsatzrohres10 das weitere Gasvolumen7' kreuzen. - Ein Gaseinlassorgan, das dadurch gekennzeichnet ist, dass das Dichtelement
23 ein Dichtring oder eine Dichtscheibe ist, die zwischen einem durchmesservergrößerten Abschnitt15 des Einsatzrohres10 und einem Boden des Gasverteilvolumens7 angeordnet ist. - Ein CVD Reaktor mit einem Gehäuse
29 , einem in dem Gehäuse29 angeordneten Suszeptor28 zur Aufnahme von Substraten31 , einer Heizeinrichtung30 zum temperierten der vom Suszeptor28 aufgenommenen Substrate31 und einem Gaseinlassorgan gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche. - Alle offenbarten Merkmale sind (für sich, aber auch in Kombination untereinander) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen. Die Unteransprüche charakterisieren, auch ohne die Merkmale eines in Bezug genommenen Anspruchs, mit ihren Merkmalen eigenständige erfinderische Weiterbildungen des Standes der Technik, insbesondere um auf Basis dieser Ansprüche Teilanmeldungen vorzunehmen. Die in jedem Anspruch angegebene Erfindung kann zusätzlich ein oder mehrere der in der vorstehenden Beschreibung, insbesondere mit Bezugsziffern versehene und/oder in der Bezugsziffernliste angegebene Merkmale aufweisen. Die Erfindung betrifft auch Gestaltungsformen, bei denen einzelne der in der vorstehenden Beschreibung genannten Merkmale nicht verwirklicht sind, insbesondere soweit sie erkennbar für den jeweiligen Verwendungszweck entbehrlich sind oder durch andere technisch gleichwirkende Mittel ersetzt werden können.
- Bezugszeichenliste
-
- 1
- Gaseinlassorgan
- 2
- Prozesskammer
- 3
- Gasaustrittsplatte
- 3'
- Gasaustrittsfläche, Frontseite
- 4
- Gasaustrittsöffnung
- 4'
- Gasaustrittsöffnung
- 5
- Gasdurchtrittsröhrchen
- 5'
- Gasdurchtrittsröhrchen
- 6
- Kühlkammer
- 7
- Gasverteilvolumen
- 7'
- Gasverteilvolumen
- 8
- Trennplatte
- 9
- Trennplatte
- 9'
- Oberfläche der Trennplatte
- 10
- Einsatzrohr
- 11
- Flansch
- 12
- erste Öffnung
- 13
- Spülgaseinlass
- 14
- mittlerer Rohrabschnitt
- 15
- gekröpfter Rohrabschnitt
- 16
- Stufe
- 17
- Bohrung
- 18
- unterer Rohrabschnitt
- 19
- zweite Öffnung
- 20
- Deckenplatte
- 21
- Einstecköffnung
- 22
- Hüllrohr
- 22'
- erstes Ende des Hüllrohres
- 22''
- zweites Ende des Hüllrohres
- 23
- Dichtung
- 24
- Prozessgaseinlass
- 25
- Prozessgaseinlass
- 26
- Kühlmitteleinlass
- 27
- Kühlmittelauslass
- 28
- Suszeptor
- 29
- Gehäuse
- 30
- Heizeinrichtung
- 31
- Substrat
- 32
- Zwischenraum
- 33
- Zwischenraum
- 34
- Dichtring
- P
- optischer Pfad
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- DE 102004007984 A1 [0003]
Claims (10)
- Gaseinlassorgan (1) zum Einspeisen von Prozessgasen in eine Prozesskammer (2) eines CVD Reaktors, mit einer Gasaustrittsplatte (3), die eine Vielzahl von in einer Frontseite (3') der Gasaustrittsplatte (3) mündende Gasdurchtrittsöffnungen (4) aufweist, mit einer rückwärtig der Frontseite (3') angeordneten Kühlkammer (6) und zumindest einem rückwärtig der Kühlkammer (6) angeordneten von einer Zuleitung (24) mit einem Prozessgas speissbaren Gasverteilvolumen (7), welches auf der von der Gasaustrittsplatte (3) weg weisenden Seite von einer Deckenplatte (20) verschlossen ist, wobei die Gasaustrittsöffnungen (4) mit die Kühlkammer (6) kreuzenden, einen freien Querschnitt aufweisende Gasdurchtrittsröhrchen (5) mit dem Gasverteilvolumen (7) strömungsverbunden sind, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen Gasverteilvolumen (7) und Gasaustrittsfläche (3') zumindest ein Hüllrohr (22) erstreckt, in welchem ein Einsatzrohr (10) steckt, durch welches ein das Gaseinlassorgan (1) kreuzender optischer Pfad (P) hindurchgehen kann, wobei das Einsatzrohr (10) einen zum Gasverteilvolumen (7) offenen Strömungskanal (17) mit einem freien Querschnitt aufweist zum Eintritt des Prozessgases und Durchfluss des Prozessgases durch das Einsatzrohr (10) in die Prozesskammer (2) aufweist und/oder wobei ein Zwischenraum (32) zwischen der Außenoberfläche des Einsatzrohres (10) und der Innenoberfläche des Hüllrohres (22) mit einem Dichtelement (23) gegen einen Gasfluss durch den Zwischenraum (32) abgedichtet ist.
- Gaseinlassorgan nach
Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass der Strömungskanal (17) eine sich im Wesentlichen quer zur Erstreckungsrichtung des Einsatzrohres verlaufenden Bohrung (17) gebildet ist. - Gaseinlassorgan nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Einsatzrohr (10) einen geradlinig verlaufenden und über seine gesamte Länge einen kreiszylindrischen Querschnitt aufweisenden unteren Rohrabschnitt (18) aufweist, der eine in die Prozesskammer (2) mündende Öffnung (19) ausbildet.
- Gaseinlassorgan nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein unterer Rohrabschnitt (18) des Einsatzrohres (10) an eine Stufe (16) angrenzt, und/oder dass das von einem Dichtring oder einer Dichtscheibe gebildete Dichtelement (23) im Bereich eines an das Gasverteilvolumen (7) angrenzenden Endes (22') des Hüllrohres (22) angeordnet ist und/oder zwischen der Stufe (16) und einer zum Gasverteilvolumen (7) weisenden Oberfläche (9') einer Trennplatte (9) liegt.
- Gaseinlassorgan nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der freie Querschnitt des Strömungskanals (17) dem freien Querschnitt des Gasdurchtrittsröhrchens (5) entspricht und/oder dass die Querschnittsfläche des sich zwischen Einsatzrohr (10) und Hüllrohr (22) erstreckenden Zwischenraums (32) größer ist, als der freie Querschnitt des Strömungskanals (17) oder des Gasdurchtrittsröhrchens (5) ist.
- Gaseinlassorgan nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Einsatzrohr (10) eine gegenüber dem unteren Rohrabschnitt (18) größeren Durchmesser aufweisenden oberen Rohrabschnitt (14) aufweist, der in einer Einstecköffnung (21) der Deckenplatte (20) steckt und/oder dass der Strömungskanal (17) in einem gekröpften Rohrabschnitt (15) zwischen dem oberen Rohrabschnitt (14) und dem unteren Rohrabschnitt (18) angeordnet ist.
- Gaseinlassorgan nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass weitere Gasdurchtrittsröhrchen (5') die Kühlkammer (6) kreuzen und ein weiteres Gasverteilvolumen (7') mit der Prozesskammer (2) strömungsverbinden, wobei das Hüllrohr (22) und der im Hüllrohr (22) steckende untere Rohrabschnitt (18) des Einsatzrohres (10) das weitere Gasvolumen (7') kreuzen.
- Gaseinlassorgan nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Dichtelement (23) ein Dichtring oder eine Dichtscheibe ist, die zwischen einem durchmesservergrößerten Abschnitt (15) des Einsatzrohres (10) und einem Boden des Gasverteilvolumens (7) angeordnet ist.
- CVD Reaktor mit einem Gehäuse (29), einem in dem Gehäuse (29) angeordneten Suszeptor (28) zur Aufnahme von Substraten (31), einer Heizeinrichtung (30) zum temperierten der vom Suszeptor (28) aufgenommenen Substrate (31) und einem Gaseinlassorgan gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche.
- Gaseinlassorgan oder CVD-Reaktor, gekennzeichnet durch eines oder mehrere der kennzeichnenden Merkmale eines der vorhergehenden Ansprüche.
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US20050118737A1 (en) | 2002-02-28 | 2005-06-02 | Toshio Takagi | Shower head structure for processing semiconductor |
DE102004007984A1 (de) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit Fotodioden-Array |
US20060021568A1 (en) | 2003-04-10 | 2006-02-02 | Tokyo Electron Limited | Shower head structure and treating device |
US20110159183A1 (en) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Ligadp Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus and a control method thereof |
US20110253044A1 (en) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly with metrology port purge |
US20190271082A1 (en) | 2015-10-08 | 2019-09-05 | Applied Materials, Inc. | Showerhead with reduced backside plasma ignition |
DE102018106481A1 (de) | 2018-03-20 | 2019-09-26 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Messen einer Oberflächentemperatur von auf einem drehenden Suszeptor angeordneten Substraten |
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-
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050118737A1 (en) | 2002-02-28 | 2005-06-02 | Toshio Takagi | Shower head structure for processing semiconductor |
US20060021568A1 (en) | 2003-04-10 | 2006-02-02 | Tokyo Electron Limited | Shower head structure and treating device |
DE102004007984A1 (de) | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Aixtron Ag | CVD-Reaktor mit Fotodioden-Array |
US20110159183A1 (en) | 2009-12-24 | 2011-06-30 | Ligadp Co., Ltd. | Chemical vapor deposition apparatus and a control method thereof |
US20110253044A1 (en) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly with metrology port purge |
US20190271082A1 (en) | 2015-10-08 | 2019-09-05 | Applied Materials, Inc. | Showerhead with reduced backside plasma ignition |
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