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DE102018114426A1 - Stromsensorpackage mit kontinuierlicher Isolation - Google Patents

Stromsensorpackage mit kontinuierlicher Isolation Download PDF

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DE102018114426A1
DE102018114426A1 DE102018114426.1A DE102018114426A DE102018114426A1 DE 102018114426 A1 DE102018114426 A1 DE 102018114426A1 DE 102018114426 A DE102018114426 A DE 102018114426A DE 102018114426 A1 DE102018114426 A1 DE 102018114426A1
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DE
Germany
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sensing device
current path
conductive trace
package
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102018114426.1A
Other languages
English (en)
Inventor
Rainer Markus Schaller
Volker Strutz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to US16/441,304 priority patent/US11211551B2/en
Priority to CN201910526268.1A priority patent/CN110611027A/zh
Publication of DE102018114426A1 publication Critical patent/DE102018114426A1/de
Priority to US17/555,809 priority patent/US11895930B2/en
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Abstract

Ein Stromsensorpackage (100) weist einen Strompfad (102) und eine Abfühlvorrichtung (104) auf. Die Abfühlvorrichtung ist beabstandet von dem Strompfad (102) und die Abfühlvorrichtung (104) ist konfiguriert zum Abfühlen eines Magnetfeldes, welches von einem Strom erzeugt ist, welcher durch den Strompfad (102) fließt. Ferner weist die Abfühlvorrichtung (104) ein Sensorelement (106) auf. Die Abfühlvorrichtung (104) ist mit einer leitenden Spur (112) elektrisch verbunden. Ein Verkapselungsmaterial (116) erstreckt sich kontinuierlich zwischen dem Strompfad (102) und der Abfühlvorrichtung (104).

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft Stromsensorpackages und Verfahren zum Herstellen eines Stromsensorpackages.
  • Beschreibung des verwandten Fachwissens
  • Packages können bezeichnet werden als verkapselte elektronische Chips mit elektrischen Anschlüssen, welche sich aus der Verkapselung heraus erstrecken und an eine elektronische Peripherie montiert werden, zum Beispiel auf einer Leiterplatte.
  • Magnetische Stromsensoren, beispielsweise Stromsensoren, die ein magnetisches Feld abfühlen, welches erzeugt ist durch einen zu messenden Strom, sorgen für eine kontaktlose Messung des Stroms und erlauben eine galvanische Trennung des Stroms, der gemessen werden soll, und des Sensors.
  • Packaging-Kosten sind ein wichtiger Treiber für die Industrie. Verwandt hiermit sind Leistungsfähigkeit, Abmessungen und Zuverlässigkeit. Die verschiedenen Packaging-Lösungen sind vielfach und müssen den Bedürfnissen der einzelnen Anwendung Rechnung tragen.
  • DE 11 2012 003 079 T5 offenbart einen Stromsensor, welcher in einem integrierten Schaltungspackage gepackt ist, um eine magnetfeldabfühlende Schaltung aufzuweisen, einen Stromleiter und einen Isolator, der die Sicherheitsisolationserfordernisse für eine verstärkte Isolation unter dem UL60950-1 Standard erfüllt, wird präsentiert. Der Isolator wird als eine Isolationsstruktur bereitgestellt, welche mindestens zwei Lagen von dünnem Bogenmaterial aufweist. Die Isolationsstruktur ist dimensioniert, so dass Plastikmaterial, welches einen geformten Plastikkörper des Packages bildet, eine verstärkte Isolation liefert. Gemäß einer Ausführungsform weist die Isolationsstruktur zwei Lagen von isolierendem Band auf. Jede isolierende Bandschicht weist einen Polyamidfilm und Klebstoff auf. Die Isolationsstruktur und der geformte Plastikkörper können konstruiert sein, um mindestens eine 500 VRMS Arbeitsspannungsbewertung zu erzielen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Es kann ein Bedürfnis geben, ein Stromsensorpackage mit einem hohen Grad an Zuverlässigkeit herzustellen.
  • Gemäß einem ersten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird ein Stromsensorpackage bereitgestellt.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Stromsensorpackage einen Strompfad auf; eine Abfühlvorrichtung (beispielsweise einen Sensorchip), wobei die Abfühlvorrichtung von dem Strompfad beabstandet ist und die Abfühlvorrichtung konfiguriert ist zum Abfühlen eines Magnetfeldes, welches durch einen Strom erzeugt wird, der durch den Strompfad fließt; wobei die Abfühlvorrichtung ein Sensorelement aufweist, wobei die Abfühlvorrichtung elektrisch verbunden ist mit einer leitenden Spur; wobei das Stromsensorpackage ferner ein Verkapselungsmaterial aufweist, welches sich kontinuierlich zwischen dem Strompfad und der Abfühlvorrichtung erstreckt.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der hierin offenbarten Gegenstände wird ein Verfahren des Herstellens eines Stromsensorpackages bereitgestellt.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Verfahren auf: Bereitstellen eines Strompfades; Bereitstellen einer Abfühlvorrichtung (beispielsweise eines Sensorchips), wobei die Abfühlvorrichtung konfiguriert ist zum Abfühlen eines Magnetfeldes, welches durch einen Strom erzeugt wird, der durch den Strompfad fließt, wobei die Abfühlvorrichtung ein Sensorelement aufweist; Positionieren der Abfühlvorrichtung beabstandet von dem Strompfad; elektrisch Verbinden der Abfühlvorrichtung mit einer leitenden Spur; Bereitstellen eines Verkapselungsmaterials, welches sich kontinuierlich zwischen dem Strompfad in der Abfühlvorrichtung erstreckt.
  • Gemäß weiteren Ausführungsformen des ersten Aspektes ist das Stromsensorpackage eingerichtet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen erfordert wird, insbesondere der Ausführungsformen des ersten und zweiten Aspektes, wie sie hierin offenbart sind.
  • Gemäß weiteren Ausführungsformen des zweiten Aspektes ist das Verfahren eingerichtet zum Liefern der Funktionalität von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen und/oder zum Liefern der Funktionalität, wie sie von einer oder mehreren der hierin offenbarten Ausführungsformen erfordert wird, insbesondere der Ausführungsformen des ersten und zweiten Aspektes, wie sie hierin beschrieben sind.
  • Beschreibung weiterer exemplarischer Ausführungsformen
  • Im Folgenden werden exemplarische Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände beschrieben, von denen jede Anzahl und jede Kombination realisiert werden kann in einer Implementierung von Aspekten der hierin offenbarten Gegenstände.
  • In dem Kontext der vorliegenden Anmeldung kann der Begriff „kontinuierlich erstrecken“ insbesondere eine Erstreckung (beispielsweise des Verkapselungsmaterials) ohne irgendwelche internen Grenzflächen (Grenzflächen innerhalb des Verkapselungsmaterials) bezeichnen.
  • In dem Kontext der vorliegenden Anmeldung kann der Begriff „Stromsensorpackage“ (oder kurz „Package“) insbesondere mindestens einen mindestens teilweise verkapselten Sensorchip mit mindestens einem externen elektrischen Kontakt bezeichnen.
  • Der Begriff „Abfühlvorrichtung“ kann insbesondere ein diskretes Sensorelement oder einen Sensorchip, welcher ein Sensorelement aufweist, bezeichnen.
  • Der Begriff „Sensorchip“ kann insbesondere einen Chip bezeichnen, welcher mindestens ein integriertes Sensorelement (beispielsweise einen Hallsensor oder einen magnetoresistiven Sensor) aufweist, beispielsweise in einem Oberflächenteil davon. Gemäß einer Ausführungsform ist das mindestens eine integrierte Sensorelement an einer selben Hauptoberfläche des Sensorchips angeordnet, auf welcher die Kontaktfläche angeordnet ist. Der Sensorchip kann ein nackter Die sein oder kann bereits gepackagt oder verkapselt sein.
  • In dem Kontext der vorliegenden Anmeldung kann der Begriff „Verkapselungsmaterial“ insbesondere ein im Wesentlichen elektrisch isolierendes und vorzugsweise thermisch leitendes Material bezeichnen, welches den Strompfad umgibt (zum Beispiel hermetisch umgibt), um mechanischen Schutz, elektrische Isolation und optional einen Beitrag zur Wärmeableitung während des Betriebes zu liefern. Solch ein Verkapselungsmaterial kann zum Beispiel eine Formmasse sein.
  • In dem Kontext der vorliegenden Anmeldung kann der Begriff „Träger“ insbesondere eine elektrisch leitende Struktur bezeichnen, welche als eine Stütze für den (mindestens einen) Chip dienen kann. Ferner kann der Träger auch zu einer elektrischen Verbindung zwischen Komponenten und/oder zu einer elektrischen Verbindung zu einer Peripherie, beispielsweise des Stromsensorpackages, beitragen. In anderen Worten kann der Träger eine mechanische Stützfunktion und/oder eine elektrische Verbindungsfunktion erfüllen.
  • In dem Kontext der vorliegenden Anmeldung kann der Begriff „Komponente“ insbesondere irgendein elektronisches Element bezeichnen, welches an dem Package montiert und elektrisch verbunden werden kann, um seine Funktion an das Package zu liefern. Insbesondere kann die Komponente eine passive Komponente sein, wie beispielsweise ein Induktor (insbesondere eine Spule), ein Kondensator (wie beispielsweise ein Keramikkondensator), ein Ohmscher Widerstand, eine Induktivität, eine Diode, ein Transformator, ein Sensor etc. Insbesondere Komponenten, die nicht in der Lage sind, Strom durch ein anderes elektrisches Signal zu steuern, können als passive Komponenten bezeichnet sein. Jedoch kann die Komponente auch eine aktive Komponente sein, insbesondere kann sie eine Komponente sein, die in der Lage ist, Strom durch ein anderes elektrisches Signal zu steuern. Aktive Komponenten können ein analoger elektronischer Filter sein mit der Fähigkeit, ein Signal zu verstärken oder eine Leistungsverstärkung zu erzeugen, ein Oszillator, ein Transistor oder ein anderes integriertes Schaltungselement.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das Package zum Beispiel eine oberflächenmontierbare Vorrichtung (Surface Mounted Device, SMD) oder eine Durchgangslochvorrichtung (Through Hole Device, THD) sein.
  • In einer Ausführungsform ist das Package konfiguriert für eine Betriebsspannung in einem Bereich zwischen 100 Volt (V) und 1000 V, zum Beispiel für eine Betriebsspannung von ungefähr 800 V.
  • Der Begriff „Vorrichtung“ kann insbesondere jede Vorrichtung bezeichnen, die geeignet ist, das Package aufzuweisen. Insbesondere ist gemäß einer Ausführungsform die Vorrichtung ein Triebstrang von einem mindestens teilweise elektrisch angetriebenem Fahrzeug (zum Beispiel einem elektrischen Fahrzeug oder einem Hybridfahrzeug).
  • Gemäß einer Ausführungsform liefert das Package eine hohe Zuverlässigkeit und erfüllt Sicherheitsanforderungen. Je höher die Anforderungen an Stärke und Langzeitzuverlässigkeit der elektrischen Isolierung zwischen dem Strompfad und der Sensorvorrichtung sind, desto wichtiger sind interne Grenzflächen der elektrischen Isolation. Gemäß einer Ausführungsform werden interne Grenzflächen der elektrischen Isolation vermieden, insbesondere interne Grenzflächen zwischen dem Strompfad und der Abfühlvorrichtung und/oder dem Strompfad und der leitenden Spur. Ein Vermeiden interner Grenzflächen ist vorteilhaft, da zusammen mit Delaminationspfaden von internen Grenzflächen Kriech- oder sogar Zwischenraumpfade sich öffnen können, welche einem verstärkten Leckstrom oder sogar Durchschlag führen können. In Rissen oder Spalten in der elektrischen Isolation können Entladungen auftreten, welche zu einer Langzeitverschlechterung des Isolationsmaterials und im schlimmsten Fall zu einem Durchschlagsereignis führen können.
  • Sichere Isolierung bedeutet höchstes Vertrauen in Isolationszuverlässigkeit und Schutz vor elektrischem Schlag (zum Beispiel verursacht durch zufällige Spannungstransienten). Solch ein Grad an Qualität wird als „Basis“ oder, für einen noch höheren Grad der Widerstandsfähigkeit, „verstärkt“ bezeichnet. Gemäß dem letzteren Grad muss zum Beispiel ein Überleben eines Transientenspannungspeaks nahe an dem Ende einer Produktlebensdauer bezüglich des Schutzes von Leben garantiert werden.
  • Auf der anderen Seite ist eine galvanische Isolierung mit hoher Zuverlässigkeit manchmal schwer zu realisieren mit günstigen Standard-Halbleiterpackagetechnologien, insbesondere in den niedrigen und mittleren Spannungsbereichen. Hier kann eine zuverlässige Einzelschichtisolierung vorteilhaft sein. Im besten Fall wird die Isolierung von dem Packagekonzept und Material erbracht, und reduziert dadurch die Kosten erheblich. Insbesondere können zusätzliche Zwischenschichten die Packagekosten steigern, wie dies für gestapelte Die-Ansätze der Fall ist, wo ein separates Isolationsplättchen verwendet wird für einen galvanischen Isolationszweck.
  • Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände verwenden ein Verkapselungsmaterial, welches sich kontinuierlich zwischen dem Strompfad und der Abfühlvorrichtung des Stromsensorpackages erstreckt. Das kontinuierlich sich erstreckende Verkapselungsmaterial kann in einer delaminationsresistenten Isolierung des Strompfades in der Abfühlvorrichtung resultieren. Dies wiederum resultiert in einer zuverlässigen Isolation in dem Package.
  • Gemäß einer Ausführungsform erstreckt sich das Verkapselungsmaterial auch kontinuierlich zwischen dem Strompfad und der elektrisch leitenden Spur (an welchen der Kontaktpfad der Abfühlvorrichtung elektrisch angeschlossen ist). Folglich erstreckt sich in einer Ausführungsform das Verkapselungsmaterial kontinuierlich zwischen dem Strompfad auf der einen Seite und der Sensorvorrichtung und ihren zugeordneten elektrischen Verbindungen auf der anderen Seite.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die leitende Spur ein Träger, insbesondere ein metallischer Träger, weiter insbesondere ein Leadframe.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung an dem Träger befestigt. Zum Beispiel, wenn die leitende Spur ein Träger ist, kann in dem Verfahren des Herstellens des Packages das Positionieren der Abfühlvorrichtung ein Befestigen der Abfühlvorrichtung an der leitenden Spur umfassen und das Bereitstellen des Verkapselungsmaterials kann ein Bereitstellen des Verkapselungsmaterials kontinuierlich zwischen dem Strompfad auf der einen Seite und der Abfühlvorrichtung in der leitenden Spur auf der anderen Seite aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird eine Verbindung zwischen der Abfühlvorrichtung und der leitenden Spur bereitgestellt durch mindestens einen Bonddraht und/oder mindestens eine Durch-Silizium-Durchkontaktierung (Through Silicon Via, TSV).
  • Gemäß einer Ausführungsform hat die Abfühlvorrichtung eine Hauptoberfläche und ein Teil der Hauptoberfläche ist an dem Träger befestigt, wohingegen der verbleibende Teil der Hauptoberfläche sich über den Träger hinaus und über den Strompfad erstreckt. Gemäß einer Ausführungsform ist ein Sensor der Abfühlvorrichtung innerhalb der Abfühlvorrichtung positioniert, um benachbart zu dem Strompfad angeordnet zu sein. Gemäß einer Ausführungsform weist der Träger einen Befestigungsteil auf, an welchem der Teil der Hauptoberfläche der Abfühlvorrichtung befestigt ist. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der Befestigungsteil des Trägers eben.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung an dem Verkapselungsmaterial befestigt. Zum Beispiel kann das Verfahren des Herstellens des Packages ein Bereitstellen des Verkapselungsmaterials über mindestens einen Teil des Strompfades aufweisen, wobei das Positionieren der Abfühlvorrichtung ein Befestigen der Abfühlvorrichtung an dem Verkapselungsmaterial umfasst.
  • Zum Beispiel weist gemäß einer Ausführungsform das Package einen vorgeformten Teil (pre-mold part) auf, der von dem Verkapselungsmaterial gebildet ist. Gemäß einer Ausführungsform erstreckt sich der vorgeformte Teil kontinuierlich über mindestens einen Teil des Strompfades und zwischen dem Strompfad und der leitenden Spur. Gemäß einer Ausführungsform erstreckt sich das Verkapselungsmaterial über mindestens einen Teil der leitenden Spur. Gemäß einer Ausführungsform weist ein Verfahren des Herstellens eines Stromsensorpackages ein Bereitstellen des Verkapselungsmaterials um den Strompfad (zum Beispiel um einen Teil des Strompfades) und/oder um die leitende Spur (zum Beispiel um einen Teil der leitenden Spur auf, um dadurch den vorgeformten Teil bereitzustellen. Folglich weist in einer Ausführungsform der vorgeformte Teil das Verkapselungsmaterial und mindestens einen von dem Strompfad und der leitenden Spur auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung an dem vorgeformten Teil befestigt, zum Beispiel in einer Befestigungsoberfläche des vorgeformten Teils. Gemäß einer Ausführungsform ist hat das Verkapselungsmaterial eine Vertiefung, wobei die Befestigungsoberfläche an einem Boden der Vertiefung bereitgestellt ist. Auf diese Weise liefern Wände der Vertiefung, welche die Bodenoberfläche umgeben, einen mechanischen Schutz der Abfühlvorrichtung. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Vertiefung bedeckt mit einem Deckel und/oder gefüllt mit einem Füllmaterial. Der Deckel/das Füllmaterial kann zusätzlichen Schutz der Abfühlvorrichtung und/oder eines Bonddrahtes (wenn vorhanden) liefern. Gemäß einer Ausführungsform weist das Füllmaterial Silikon, Epoxy etc. auf.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung an dem Verkapselungsmaterial befestigt (oder, in einer anderen Ausführungsform an dem Träger) durch eine Die-Befestigungsschicht (die attach layer). Gemäß einer Ausführungsform wird die Die-Befestigungsschicht an die Abfühlvorrichtung auf einem Wafermaßstab aufgebracht. Mit anderen Worten wird gemäß einer Ausführungsform die Die-Befestigungsschicht auf den Wafer aufgebracht vor dem Vereinzeln des Wafers in einzelne Dies, zum Beispiel durch Sägen. Typischerweise wird für eine Sägeprozedur die Die-Befestigungsschicht auf den Wafer aufgebracht, um den Wafer an einer Sägefolie zu befestigen. Gemäß einer Ausführungsform ist die Die-Befestigungsschicht ein Die-Befestigungsfilm (Die Attach Film, DAF). Da der Die-Befestigungsfilm gewöhnlich besser an dem Wafer als an der Sägefolie haftet, lässt ein Entfernen des einzelnen Dies von der Sägefolie den Die-Befestigungsfilm verbleibend auf dem Die. Gemäß einer Ausführungsform wird dieser Die-Befestigungsfilm, der von der Vereinzelungsprozedur (Sägeprozedur) stammt, verwendet zum Befestigen des Dies (der Abfühlvorrichtung) an dem Träger oder dem Verkapselungsmaterial. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Die-Befestigungsschicht einen leitenden Klebstoff auf (zum Beispiel ist sie eine Schicht von leitendem Klebstoff). Gemäß einer anderen Ausführungsform weist die Die-Befestigungsschicht einen nicht-leitenden Klebstoff auf (zum Beispiel ist sie eine Schicht von nicht-leitendem Klebstoff). Gemäß einer weiteren Ausführungsform kann die Die-Befestigungsschicht ein Lot, zum Beispiel ein Weichlot, ein Hartlot, ein Diffusionslot etc., aufweisen (oder daraus bestehen).
  • In einer weiteren Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung an eine Oberfläche des Trägers oder des Verkapselungsmaterials montiert (insbesondere direkt gelötet, gesintert oder geklebt). In anderen Worten kann das Material des Lots, Sintermaterials und/oder Klebstoffs (insbesondere ein elektrisch leitender Klebstoff) das einzige Material zwischen der Abfühlvorrichtung auf der einen Seite und dem Träger auf der anderen Seite sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Strompfad von einem Leadframe gebildet.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Strompfad und die elektrisch leitende Spur anfänglich (das heißt in einem früheren Herstellungsstadium) durch ein einziges Leadframeelement gebildet, welches den Strompfad, die leitende Spur und einen Verbindungsteil aufweist, welcher den Strompfad und die leitende Spur verbindet. Nach dem Bereitstellen des Verkapselungsmaterials über mindestens Teile von dem Strompfad und der leitenden Spur kann der Verbindungsteil entfernt werden, was in separatem, elektrisch isolierten Strompfad und leitender Spur resultiert. In anderen Ausführungsformen kann jeder andere Einzelträger (anderer als das Leadframeelement) verwendet werden zum anfänglichen Liefern des Strompfades und der leitenden Spur durch einen einzigen Träger.
  • In einer Ausführungsform ist der Träger ein metallischer Träger, insbesondere ein Leadframe. In dem Kontext der vorliegenden Anmeldung kann der Begriff „Leadframe“ insbesondere ein bevorzugtes Beispiel eines Trägers bezeichnen, welcher konfiguriert ist als eine bogenähnliche metallische Struktur, welche gestanzt oder strukturiert werden kann, um so Leadframeabschnitte zu bilden zum Befestigen des (der) Chip(s) und Verbindungsanschlüssen als Pinabschnitte für eine elektrische Verbindung des Packages mit einer elektronischen Umgebung, wenn die Chips auf dem Leadframe montiert sind. In einer Ausführungsform kann der Leadframe eine Metallplatte (insbesondere gefertigt aus Kupfer) sein, welche strukturiert sein kann, zum Beispiel durch Stanzen oder Ätzen. Ein Bilden des Trägers als einen Leadframe ist eine kosteneffiziente und mechanisch wie auch elektrisch hochvorteilhafte Konfiguration, in welcher eine niederohmige Verbindung des (der) Chip(s) (und optional anderen Komponente(n)) mit einer robusten Stützfähigkeit des Leadframes kombiniert werden kann. Ferner kann ein Leadframe zu der thermischen Leitfähigkeit des Packages beitragen und kann Wärme, welche während des Betriebes des (der) Chip(s) (und, wenn vorhanden, der Komponente(n)) erzeugt wird, entfernen als ein Ergebnis der hohen thermischen Leitfähigkeit des metallischen (insbesondere Kupfer-)Materials des Leadframes. Ein Leadframe oder jeder andere metallische Träger kann bevorzugt sein aufgrund seiner Einfachheit.
  • In einer Ausführungsform weist der mindestens eine Sensorchip mindestens eines von der Gruppe bestehend aus einer Controllerschaltung, einer Treiberschaltung und einem Sensorelement auf. All diese Schaltungen können in einen Halbleiterchip integriert sein oder separat in verschiedenen Chips. Zum Beispiel kann eine entsprechende Stromsensoranwendung durch den (die) Chip(s) realisiert sein, wobei integrierte Schaltungselemente von solch einem Sensorchip mindestens ein Sensorelement und Halbleiterelemente, wie beispielsweise einen Transistor (insbesondere einen MOSFET, Metalloxidhalbleiterfeldeffekttransistor), mindestens eine Diode etc., aufweisen kann.
  • In einer Ausführungsform ist die mindestens eine Abfühlvorrichtung mindestens teilweise durch ein separates Verkapselungsmaterial (das heißt ein weiteres Verkapselungsmaterial, welches physikalisch verschieden von dem Verkapselungsmaterial sein kann, welches sich kontinuierlich zwischen dem Strompfad und der Abfühlvorrichtung erstreckt) eingebettet. In anderen Worten können zwei separate Verkapselungsmaterialien in dem Package bereitgestellt sein und zwei separate Verkapselungsprozeduren können ausgeführt werden. Zum Beispiel ist es möglich, die Abfühlvorrichtung zusammen mit einem Teil des Trägers durch ein erstes Verkapselungsmaterial (zum Beispiel einer ersten Formmasse) zu verkapseln. Zusätzlich ist es möglich, einen Teil der Abfühlvorrichtung mit einem separaten Verkapselungsmaterial zu verkapseln nach dem Befestigen der Abfühlvorrichtung an dem Träger oder an dem ersten Verkapselungsmaterial.
  • In einer Ausführungsform weist das Package ein gemeinsames oder ein umfassendes Verkapselungsmaterial auf, welches mindestens teilweise den Träger, die Abfühlvorrichtung, das (erste) Verkapselungsmaterial und die mindestens eine Komponente verkapselt. Folglich ist es auch möglich, die zusammengefügte Unterbaugruppe von Träger, Chip und f Verkapselungsmaterial auf der einen Seite und Komponente und weiterem Verkapselungsmaterial auf der anderen Seite zu verkapseln (insbesondere durch eine weitere Formprozedur, weiter insbesondere einer Überformprozedur (overmolding procedure)) durch ein nochmals anderes Verkapselungsmaterial als eine robuste Hülle zum mechanischen Schützen aller Konstituenten des Packages.
  • In einer Ausführungsform weist jeder von dem (ersten) Verkapselungsmaterial und/oder dem separaten Verkapselungsmaterial und/oder dem übergreifenden Verkapselungsmaterial eine Formmasse auf. Folglich kann das entsprechende Verkapselungsmaterial einen Formkörper, insbesondere einen Plastikformkörper, aufweisen. Zum Beispiel kann eine entsprechend verkapselte Komponente (insbesondere eine oder mehrere von der Abfühlvorrichtung, dem Strompfad und der leitenden Spur) bereitgestellt werden durch Platzieren der Komponente (oder, allgemeiner, mindestens einer Komponente) zwischen einem oberen Formwerkzeug und einem unteren Formwerkzeug und darin Injizieren von flüssigem Formmaterial. Nach der Verfestigung des Formmaterials ist die Bildung des Verkapselungsmaterials (hier eines Formkörpers) abgeschlossen. Falls gewünscht, kann das Formmaterial mit Partikeln, welche seine Eigenschaften verbessern, gefüllt sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist ein Stützelement für die leitende Spur bereitgestellt vor dem Bereitstellen (zum Beispiel Injizieren) des Verkapselungsmaterials. Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird ein Stützelement für den Strompfad bereitgestellt vor dem Bereitstellen (zum Beispiel Injizieren) des Verkapselungsmaterials. Das (die) Stützelement(e) kann (können) eine Deformation des entsprechenden gestützten Elementes (das heißt der leitenden Spur oder des Strompfades) aufgrund des Bereitstellens (zum Beispiel Injizieren) des Verkapselungsmaterials verhindern oder zumindest reduzieren.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform wird das Stützelement entfernt nach dem Bereitstellen des Verkapselungsmaterials über mindestens einen Teil des Stützelements und dem entsprechenden gestützten Element (das heißt der leitenden Spur oder dem Strompfad). Insbesondere wird gemäß einer Ausführungsform das Stützelement entfernt nach der Verfestigung des Verkapselungsmaterials (zum Beispiel des Formmaterials). Ein Entfernen des Stützelements resultiert in einem Loch in dem Verkapselungsmaterial. Gemäß einer Ausführungsform wird das Loch in dem Verkapselungsmaterial gefüllt mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Verkapselungsmaterial ein Loch auf, insbesondere ein Loch, welches die leitende Spur freilegt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Verkapselungsmaterial ein Loch auf, welches den Strompfad freilegt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Loch (das heißt das mindestens eine Loch) gefüllt mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Package ferner eine Montageseite auf, welche konfiguriert ist, um an eine Stütze (zum Beispiel eine Leiterplatte (Printed Circuit Board, PCB) oder einem Direct Copper Bonding (DCB)) montiert zu werden. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Sensorelement von der Montageseite weg und/oder weist von dem Strompfad weg. Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Positionieren der Abfühlvorrichtung ein Positionieren des Sensorelements von der Montageseite weg und/oder von dem Strompfad weg weisend auf.
  • Gemäß einer anderen Ausführungsform ist die Stütze eine Leiterplatte (PCB). Folglich kann die Stütze insbesondere hergestellt sein auf der Basis von Harz (insbesondere Epoxyharz), wenn gewünscht, gemischt mit Partikeln (wie beispielsweise Fasern, zum Beispiel Glasfasern). Geeignete dielektrische Materialien für die PCB sind Prepreg oder FR4. Ein geeignetes elektrisch leitendes Material für die PCB ist Kupfer.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Stütze eine geschichtete Struktur aufweisend einen Keramikteil und einen Metallteil. Zum Beispiel ist gemäß einer Ausführungsform die Stütze ein Direct Copper Bonding (DCB), welches eine Keramikplatte und Kupferschichten, die an eine Seite davon (oder zwei entgegengesetzte Seiten davon) gebondet sind. Ein Bonden zwischen der Kupferschicht und der Keramikplatte kann bereitgestellt sein durch ein Kupfer-Sauerstoff-Eutektikum, welches Bindungen zwischen der Kupferschicht und der Keramikplatte bildet. Das Kupfer-Sauerstoff-Eutektikum kann gebildet werden durch Erwärmen der Kupferschicht und der Keramikplatte auf eine kontrollierte Temperatur in einer Atmosphäre von Stickstoff aufweisend einen Anteil von 20 - 40 ppm an Sauerstoff. Die Kupferschicht, die an die Keramik gebondet ist, kann in ein Muster geformt sein (zum Beispiel kann die Kupferschicht vorgeformt sein (zum Beispiel gestanzt)) vor dem Bonden an die Keramikplatte oder kann strukturiert sein (zum Beispiel durch Ätzen). Gemäß einer Ausführungsform weist die Bildung der Kupferschicht auf der Keramikplatte das Aufbringen einer Saatschicht und Galvanisieren der Saatschicht auf. Das Keramikmaterial kann zum Beispiel eines oder mehrere von Aluminiumoxid (Al2O3), Aluminiumnitrid (AlN) oder Berylliumoxid (BeO) aufweisen. Die Kupferschichten können eine Dicke in einem Bereich zwischen 200 Mikrometer (µm) und 300 µm aufweisen und können galvanisiert sein, zum Beispiel mit Nickel, einer Nickel-Legierung, Aluminium-Nickel oder Aluminium.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die leitende Spur einen ersten Endteil und der Strompfad weist einen zweiten Endteil auf, wobei der erste und der zweite Endteil einen Abstand (minimalen Zwischenraum) zwischen der leitenden Spur und dem Strompfad definieren. Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind der erste Endteil, der zweite Endteil und die Abfühlvorrichtung auf verschiedenen Niveaus in einer Richtung senkrecht zu einer Hauptoberfläche der Abfühlvorrichtung angeordnet. Gemäß einer Ausführungsform ist der erste Endteil angeordnet auf einem Niveau zwischen der Abfühlvorrichtung und dem zweiten Endteil. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der zweite Endteil angeordnet auf einem Niveau zwischen der Abfühlvorrichtung und dem ersten Endteil.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der erste Endteil auf einem Niveau unter der Abfühlvorrichtung angeordnet, zum Beispiel auf einem Niveau zwischen der Abfühlvorrichtung und dem Strompfad. In dieser Anmeldung kann der Begriff „Niveau“ insbesondere einen Abstand von einer Bodenoberfläche des Packages bezeichnen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist der erste Endteil auf dem Niveau unter dem Strompfad angeordnet.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die leitende Spur einen erhabenen Teil auf, welcher von der Abfühlvorrichtung beabstandet ist. Zum Beispiel kann der erste Teil auf einem Niveau angeordnet sein unter dem Niveau des erhabenen Teils. Dies erlaubt, dass der erhabene Teil von dem Verkapselungsmaterial freigelegt wird, während der erste Endteil innerhalb des Verkapselungsmaterials angeordnet ist. Dies kann eine sichere Befestigung der leitenden Spur in dem Verkapselungsmaterial erlauben.
  • Gemäß einer Ausführungsform sind die relativen Positionen des Strompfades in der leitenden Spur bestimmt durch die dreidimensionale Form des entsprechenden Leadframe-Teils. Die Form des entsprechenden Leadframe-Teils kann erhalten werden durch Biegen des Leadframes.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Package ferner einen Bonddraht auf, welcher die leitende Spur und die Kontaktfläche elektrisch verbindet. Entsprechend kann in dem Verfahren des Herstellens des Packages das elektrische Verbinden der Kontaktfläche mit der leitenden Spur ein Bereitstellen eines Bonddrahtes zwischen der Kontaktfläche und der leitenden Spur aufweisen.
  • Ein Bonddraht kann die Form eines runden Filamentes oder die Form eines flachen Bandes aufweisen, so dass der Bonddraht auch als Bondband konfiguriert sein kann. Das Herstellen einer Verbindung durch einen oder mehrere Bonddrähte ist eine einfache Prozedur, welche Bonddrähte aus Kupfer und/oder Aluminium implementieren kann.
  • Andere elektrische Verbindungen sind ebenfalls möglich, abhängig von der Geometrie der leitenden Spur bezüglich der Kontaktfläche.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Strompfad mindestens teilweise von dem Verkapselungsmaterial umgeben.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist der Strompfad einen freigelegten Teil auf, welcher einen Teil einer äußeren Oberfläche des Packages bildet. In anderen Worten kann gemäß einer Ausführungsform ein Leadframe, welcher den Strompfad bildet, als eine freigelegte Fläche geformt sein.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die Abfühlvorrichtung mindestens einen Hallsensor auf, insbesondere mindestens zwei Hallsensoren.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist die Abfühlvorrichtung mindestens einen Magnetowiderstandssensor, insbesondere mindestens zwei Magnetowiderstandssensoren, auf.
  • Zwei oder mehr Sensoren (Hallsensoren und/oder Magnetowiderstandssensoren) liefern den Vorteil, dass die Signale davon kombiniert werden können, um so ein Differenzsignal zu liefern, von welchem ein Einfluss von externen magnetischen Feldern (welche nicht in Beziehung stehen zu dem Strom, der gemessen werden soll, und welche unerwünscht sind) entfernt oder zumindest reduziert ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Strompfad mit einem ersten Satz von Kontaktpins elektrisch verbunden; die leitende Spur ist elektrisch verbunden mit einem Kontaktpin eines zweiten Satzes von Kontaktpins; und der erste Satz von Kontaktpins und der zweite Satz von Kontaktpins sind auf entgegengesetzten Seiten des Packages angeordnet. Solch eine Geometrie von Kontaktpins kann die elektrische Isolierung des Strompfades und der elektrischen Verbindung mit der Abfühlvorrichtung erleichtern.
  • Der Strompfad kann jede Geometrie aufweisen, die geeignet ist zum Bereitstellen einer angemessenen Stromdichte und folglich eines angemessenen magnetischen Feldes für die Sensorvorrichtung.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Strompfad einen Messteil von reduziertem Querschnitt auf; der Messteil erstreckt sich zwischen zwei beabstandeten Seitenteilen (des Strompfades). Gemäß einer Ausführungsform ist der Messteil ein geradliniger Teil des Strompfades. Dies kann das Bereitstellen des Messteils mit definierten Dimensionen erleichtern.
  • Gemäß einer Ausführungsform haben die Seitenteile eine thermische Masse, die größer ist als die thermische Masse des geradlinigen Teils, insbesondere um einen Faktor von mindestens 2, beispielsweise mindestens 4 oder mindestens 6. Gemäß einer Ausführungsform ist jeder Seitenteil elektrisch verbunden mit einem oder mehreren Anschlüssen (welche in einer Ausführungsform ebenfalls von dem Leadframe gebildet sind, von welchem der Messteil und die Seitenteile gebildet sind). Die relativ große thermische Masse der Seitenteile verbessert das Entfernen von thermischer Energie von dem Messteil, was wiederum eine höhere Stromdichte erlaubt und folglich eine bessere Sensitivität des Stromsensorpackages.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist eine Länge des Messteils zwischen den Seitenteilen kleiner als eine Breite des Messteils senkrecht zu der Länge. In anderen Worten entspricht die Länge des Messteils dem Abstand der Seitenteile, welcher durch den Messteil überbrückt ist. Zum Beispiel ist ein Verhältnis der Länge des Messteils über seiner Breite in einem Bereich zwischen 0,5 und 0,95 und ist beispielsweise 0,75.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist mindestens eines der Seitenteile, zum Beispiel jedes Seitenteil, mindestens ein Durchgangsloch auf. Aufgrund des relativ großen Flächeninhalts der Seitenteile kann solch ein Durchgangsloch die Bildung von Hohlräumen in dem Verkapselungsmaterial reduzieren oder verhindern und/oder kann die strukturelle Integrität der Kombination der Seitenteile und des Verkapselungsmaterials verbessern.
  • Die obigen und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden offenkundig von der folgenden Beschreibung und den anhängenden Ansprüchen, wenn diese im Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen genommen werden.
  • Figurenliste
  • Die begleitenden Zeichnungen, welche aufgenommen sind, um ein weiteres Verständnis von exemplarischen Ausführungsformen zu liefern und welche einen Teil der Beschreibung bilden, illustrieren exemplarische Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • In den Zeichnungen:
    • 1 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines Stromsensorpackages gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
    • 2 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines weiteren Stromsensorpackages gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
    • 3 veranschaulicht einige Isolationsaspekte gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände für das Stromsensorpackage von 1.
    • 4 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines weiteren Stromsensorpackages gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
    • 5 bis 10 veranschaulichen verschiedene Geometrien eines Strompfades (zum Beispiel einer Stromschiene) gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
    • 11 zeigt die exemplarische zweite Geometrie des Strompfades von 6 und veranschaulicht einen möglichen Ort für zwei Hallsensoren.
    • 12 zeigt die exemplarische zweite Geometrie des Strompfades von 6 und veranschaulicht einen möglichen Ort für zwei Magnetowiderstandssensoren.
    • 13 veranschaulicht einen Leadframe gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • Detaillierte Beschreibung von exemplarischen Ausführungsformen
  • Die Veranschaulichung in den Zeichnungen ist schematisch und nicht maßstabsgerecht. In den Zeichnungen werden ähnliche Elemente oder funktional ähnliche Elemente mit denselben Bezugszeichen bezeichnet oder mit Bezugszeichen, welche sich voneinander nur in der ersten Stelle unterscheiden. Um unnötige Wiederholungen zu vermeiden, wird die Beschreibung von solchen ähnlichen Elementen in nachfolgenden Figuren nicht wiederholt.
  • 1 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines Stromsensorpackages 100 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Package 100 einen Strompfad 102, zum Beispiel eine Stromschiene, auf. Im Einklang mit einer weiteren Ausführungsform weist das Package 100 eine Abfühlvorrichtung 104 auf. Gemäß einer Ausführungsform ist die Sensorvorrichtung 104 ein Sensorchip aufweisend mindestens ein Sensorelement, zum Beispiel zwei Sensorelemente 106, zum Beispiel zwei Hallsensoren oder zwei Magnetowiderstandssensoren. Gemäß einer Ausführungsform weist die Abfühlvorrichtung 104 eine erste Hauptoberfläche 105 auf, wobei das mindestens eine Sensorelement 106 in oder nahe zu der ersten Hauptoberfläche 105 angeordnet ist. Gemäß einer Ausführungsform weist die erste Hauptoberfläche 105 weg von dem Strompfad 102. In anderen Worten weist, im Einklang mit einer Ausführungsform, das mindestens eine Sensorelement 106 von dem Strompfad 102 weg.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung 104 beabstandet von dem Strompfad 102 um einen Abstand 108. Die Abfühlvorrichtung 104 weist eine Kontaktfläche 110 auf, welche von dem Strompfad 102 weg weist, beispielsweise wie in 1 dargestellt. Die Kontaktfläche 110 ist elektrisch verbunden mit einer leitenden Spur 112 durch einen Bonddraht 114. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist die leitende Spur 112 ein Sensorpin, zum Beispiel wie in 1 dargestellt.
  • Gemäß einer weiteren Ausführungsform weist das Package 100 ein Verkapselungsmaterial 116 auf, welches sich kontinuierlich ohne interne Grenzflächen zwischen dem Strompfad 102 und der Abfühlvorrichtung 104 erstreckt. Gemäß einer Ausführungsform bilden das Verkapselungsmaterial 116, der Strompfad 102 und die leitende Spur 112 einen Teil eines vorgeformten Teils, an welchem die Abfühlvorrichtung in einem separaten Herstellungsschritt (zum Beispiel nach dem Härten des Verkapselungsmaterials 116) befestigt werden kann.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform isoliert das Verkapselungsmaterial 116, welches sich zwischen dem Strompfad 102 und der Abfühlvorrichtung 104 erstreckt, das Hochspannungspotential an dem Strompfad 102 von dem Niederspannungspotential an der leitenden Spur 112 elektrisch.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die leitende Spur 112 einen ersten Endteil 118 auf und der Strompfad 102 weist einen zweiten Endteil 119 auf, wobei die Endteile einen Abstand 120 zwischen der leitenden Spur 112 und dem Strompfad 102 definieren. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist der erste Endteil 118 auf einem Niveau 122 angeordnet, welches unter der Abfühlvorrichtung 104 liegt. In anderen Worten ist der erste Endteil 118 von einer unteren Hauptoberfläche 124 der Abfühlvorrichtung 104 beabstandet.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der zweite Endteil 119 des Strompfades 102 auf einem Niveau 126 angeordnet zwischen der Abfühlvorrichtung 104 und dem ersten Endteil 118. In anderen Worten ist der zweite Endteil 119 des Strompfades 102 von der unteren Hauptoberfläche 124 um einen Abstand 108 beabstandet und der erste Endteil 118 ist beabstandet von der unteren Hauptoberfläche 124 um einen weiteren Abstand 128, welcher größer ist als der Abstand 108.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die leitende Spur 112 einen erhabenen Teil 130 auf, welcher beabstandet ist von der Abfühlvorrichtung 104. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist der Bonddraht 114 an die leitende Spur 112 an dem erhabenen Teil 130 in einem Kontaktgebiet 132 gebondet. Gemäß einer Ausführungsform ist der erhabene Teil 130 bezüglich des Verkapselungsmaterials 116 in dem Kontaktgebiet 132 freigelegt.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Strompfad 102 mit einem ersten Satz von Kontaktpins 134 verbunden, welche sich aus dem Package 100 heraus erstrecken. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die leitende Spur 112 elektrisch verbunden mit einem Kontaktpin eines zweiten Satzes von Kontaktpins 136, welche sich aus dem Package 100 heraus erstrecken. Gemäß einer Ausführungsform sind der erste Satz von Kontaktpins 134 und der zweite Satz von Kontaktpins 136 auf entgegengesetzten Seiten des Packages 100 angeordnet, zum Beispiel wie in 1 dargestellt.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Verkapselungsmaterial 116 ein Loch 138 auf, welches die leitende Spur 112 freilegt. Gemäß einer Ausführungsform stammt das Loch 138 von einem Stützpin (in 1 nicht dargestellt), welcher die leitende Spur 112 während des Bildens des Verkapselungsmaterials 116 gestützt hat, insbesondere während des Bildens des Verkapselungsmaterials 116 zwischen dem Strompfad 102 und der leitenden Spur 112. Gemäß einer Ausführungsform ist das Loch 138 gefüllt mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial 139, wie beispielsweise zum Beispiel Silikon, Epoxy etc. Gemäß einer Ausführungsform ist das Loch 138 an der Position angeordnet, so dass eine Grenzfläche 140 zwischen dem Verkapselungsmaterial 116 und dem Füllmaterial 139 nicht zwischen dem Strompfad 102 und der Abfühlvorrichtung 104 oder zwischen dem Strompfad 102 und der leitenden Spur 112 angeordnet ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist das Verkapselungsmaterial 116 ein Loch 142 auf, welches den Strompfad 102 freilegt. Im Einklang mit einer Ausführungsform stammt das Loch 142 von einem Stützpin (in 1 nicht dargestellt), welcher den Strompfad 102 gestützt hat während des Bildens des Verkapselungsmaterials 116, insbesondere während des Bildens des Verkapselungsmaterials 116 zwischen dem Strompfad 102 und der Abfühlvorrichtung 104. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist das Loch 142 gefüllt mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial 144, wie beispielsweise, zum Beispiel Silikon, Epoxy etc. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist das Loch 142 angeordnet an der Position, so dass eine Grenzfläche 146 zwischen dem Verkapselungsmaterial 116 und dem Füllmaterial 139 nicht zwischen dem Strompfad 102 und der Abfühlvorrichtung 104 oder zwischen dem Strompfad 102 und der leitenden Spur 112 angeordnet ist.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung 104 an einer Befestigungsoberfläche 148 des Verkapselungsmaterials 116 befestigt, zum Beispiel mittels einer Die-Befestigungsschicht 150, zum Beispiel einem Die-Befestigungsfilm. Gemäß einer Ausführungsform hat das Verkapselungsmaterial eine Vertiefung 152 darin geformt, in welcher die Abfühlvorrichtung 104 und der Bonddraht 114 angeordnet sind. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist die Vertiefung 152 mit einem isolierenden Füllmaterial 154, wie beispielsweise Epoxy, Silikon etc., gefüllt. Gemäß einer Ausführungsform kann das isolierende Füllmaterial 154 bereitgestellt sein für den Schutz der Abfühlvorrichtung 104 und/oder des Bonddrahtes 114. Gemäß einer Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung 104 mindestens teilweise von dem Verkapselungsmaterial 116 umgeben (Formkörper).
  • Gemäß einer Ausführungsform kann ein Deckel 156 vorgesehen sein zum Verschließen der Vertiefung 152.
  • Ferner veranschaulicht 1 einige Isolationsaspekte gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände. Insbesondere veranschaulicht 1 ferner insbesondere die Abstände 108, 120 zwischen einer Hochspannungsseite 160 (aufweisend insbesondere den Strompfad 102) auf der einen, und eine Versorgungsspannungsseite 162 (Niederspannungsseite, aufweisend insbesondere die leitende Spur 112, den Bonddraht 114 und die Abfühlvorrichtung 104) auf der anderen Seite. Ferner veranschaulicht in 1 ist der Kriech/Freiraum-Abstand 164 zwischen freigelegten Teilen der Hochspannungsseite 160 (insbesondere des Strompfades 102) und der Niederspannungsseite 162 (insbesondere der leitenden Spur 112). Entsprechend und im Einklang mit einer Ausführungsform kann ein Kriechen auftreten entlang einer äußeren Oberfläche des Stromsensorpackages, jedoch nicht entlang Grenzflächen innerhalb des Stromsensorpackages (zum Beispiel Grenzflächen innerhalb des Verkapselungsmaterials 116, da solche Grenzflächen vermieden werden (soweit möglich/geeignet)). In einer Ausführungsform werden zumindest Grenzflächen zwischen dem Strompfad 102 und der leitenden Spur 112 und zwischen dem Strompfad 102 und der Abfühlvorrichtung 104 vermieden (das heißt in diesen Gebieten ist das Verkapselungsmaterial 116 frei von Grenzflächen).
  • Im Einklang mit einer weiteren Ausführungsform weist das Stromsensorpackage 300 eine Montageseite 163 auf, welche konfiguriert ist, um auf eine Stütze montiert zu werden, zum Beispiel eine Leiterplatte, ein Direct Copper Bonding etc. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist das Sensorelement 106 zugewandt / die Hauptoberfläche 105 weist weg von der Montageseite 163.
  • 2 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines weiteren Stromsensorpackages 200 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • In der Beschreibung von 2 wird eine Wiederholung von der Beschreibung von Elementen, welche ähnlich oder identisch zu Elementen von 1 sind, vermieden. Die Beschreibung von solchen Elementen, die mit Bezug auf 1 gegeben wurde, ist ebenso gültig für 2.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform ist die leitende Spur 112 ein Träger oder ein Teil eines Trägers und ist insbesondere ein Leitungsfinger eines Leadframes. Im Einklang mit einer weiteren Ausführungsform ist die Abfühlvorrichtung 104 mindestens teilweise an der leitenden Spur 112 befestigt, zum Beispiel durch eine Die-Befestigungsschicht 150. Insbesondere, im Einklang mit einer Ausführungsform, erstreckt sich die Abfühlvorrichtung 104 über die leitende Spur 112 hinaus und weist folglich ein freies Ende 151 auf, welches über dem Strompfad 102 angeordnet ist (ungefähr beabstandet von dem Strompfad 102). Gemäß einer Ausführungsform, die in 2 nicht dargestellt ist, ist der Strompfad 102 freigelegt und bildet einen Teil einer Oberfläche des Packages 200.
  • Anstelle eines Bonddrahtes 114, welcher die Kontaktfläche 110 und die leitende Spur 112 elektrisch verbindet, kann ein Durch-Silizium-Durchgangsloch (through silicon via), welches sich durch die Abfühlvorrichtung 104 erstreckt, bereitgestellt sein (in 2 nicht dargestellt).
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform wird das Verkapselungsmaterial 116 bereitgestellt nach dem Positionieren des Strompfades 102, der Abfühlvorrichtung 104 und der leitenden Spur 118 und nach dem elektrischen Verbinden der Abfühlvorrichtung 104 mit der leitenden Spur 118. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist das Verkapselungsmaterial 116 ein Formkörper, wie in 2 dargestellt.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform ist der erste Endteil 118 der leitenden Spur 112 angeordnet auf einem Niveau zwischen der Abfühlvorrichtung 104 und dem zweiten Endteil 119, zum Beispiel wie in 2 dargestellt.
  • 3 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines weiteren Stromsensorpackages 300 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • Das Stromsensorpackage 300 ist ähnlich zu dem Stromsensorpackage 200 von 2, jedoch das erste bezüglich des Ortes der Abfühlvorrichtung 104. Insbesondere, im Einklang mit einer Ausführungsform, weist die leitende Spur 112 zwei entgegengesetzte erste und zweite Seiten 158, 159 auf, wobei die Abfühlvorrichtung befestigt ist an der ersten Seite 158 der leitenden Spur 112 und der Bonddraht 114 ist an der zweiten Seite 159 der leitenden Spur 112 befestigt, beispielsweise wie in 3 dargestellt. Es wird angemerkt, dass im Gegensatz zu dieser Ausführungsform in dem Stromsensorpackage 200 von 2 beide, die Abfühlvorrichtung 104 und der Bonddraht 114, an derselben Seite der leitenden Spur 112 befestigt sind.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform ist der Endteil 118 der leitenden Spur 112 auf dem Niveau angeordnet zwischen dem Endteil 119 des Strompfades 102 und der Abfühlvorrichtung 104, beispielsweise wie in 3 dargestellt.
  • Im Einklang mit einer weiteren Ausführungsform ist das Verkapselungsmaterial 116 frei von jeglichen Löchern, welche die leitende Spur 112 oder den Strompfad 102 freilegen. In anderen Worten, gemäß einer Ausführungsform, weist das Verkapselungsmaterial nicht Löcher 138, 142 auf, wie sie mit Bezug auf 1 beschrieben wurden.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform weist die erste Hauptoberfläche 105 der Abfühlvorrichtung 104 (oder anders gesagt, das mindestens eine Sensorelement 106) zu dem Strompfad 102 hin. Im Einklang mit einer weiteren Ausführungsform weist das mindestens eine Sensorelement 106 von der Montageseite 163 des Stromsensorpackages 300 weg. Die Montageseite 163 ist konfiguriert, um an einer Stütze 165 befestigt zu werden.
  • 4 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines weiteren Stromsensorpackages 400 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • In der Beschreibung von 4 wird eine Wiederholung der Beschreibung von Elementen, welche ähnlich oder identisch zu Elementen von 1 sind, vermieden. Die Beschreibung von solchen Elementen, welche bezüglich 1 gegeben wurde, ist ebenso für 4 gültig.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Strompfad 102 einen freigelegten Teil 166 auf, welcher einen Teil einer äußeren Oberfläche 168 des Packages 400 bildet.
  • 5 bis 10 veranschaulichen verschiedene Geometrien eines Strompfades 102 (Stromschiene) gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • 5 veranschaulicht eine exemplarische erste Geometrie 170 eines Strompfades 102.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform ist der Strompfad 102 eine Stromschiene. Im Einklang mit einer Ausführungsform weist der Strompfad 102 einen Messteil 172 auf, wobei der Messteil einen reduzierten Querschnitt hat. In anderen Worten, wenn die Dicke des Strompfades ungefähr konstant ist, kann der unterschiedliche Querschnitt an verschiedenen Positionen des Strompfades abgeschätzt werden durch die unterschiedliche laterale Abmessung des Strompfades. Im Einklang mit einer weiteren Ausführungsform weist der Strompfad 102 zwei beabstandete Seitenteile 174 auf. Gemäß einer weiteren Ausführungsform erstreckt sich der Messteil 172 zwischen den zwei Seitenteilen 174.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist der Messteil 172 ein geradliniger Teil des Strompfades 102. Gemäß einer weiteren Ausführungsform haben die Seitenteile 174 eine thermische Masse, die größer ist als die thermische Masse des geradlinigen Teils, insbesondere um einen Faktor von mindestens 2, beispielsweise wie in 5 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform ist jeder Seitenteil 174 verbunden mit einem oder mehreren Anschlüssen 176, zum Beispiel einem Anschluss 176, wie in 5 dargestellt. Entsprechend ist in einer Ausführungsform jeder Seitenteil 174 begrenzt durch den Messteil 172 und den Anschluss 176.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist eine Länge 178 des Messteils 172 zwischen den Seitenteilen 174 kleiner als eine Breite 180 des Messteils senkrecht zu der Länge 178. Zum Beispiel ist gemäß einer Ausführungsform die Länge 178 ungefähr 300 µm, die Breite 180 ist ungefähr 400 µm und die gesamte Länge 179 des Strompfades 102 ist 4,56 mm.
  • 6 veranschaulicht eine exemplarische zweite Geometrie 270 eines Strompfades 102.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform weist jeder Seitenteil 174 ein Durchgangsloch 182 auf, beispielsweise wie in 6 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform hat das Durchgangsloch 182 eine dreieckige Form, wie in 6 dargestellt.
  • 7 veranschaulicht eine exemplarische dritte Geometrie 370 eines Strompfades 102.
  • Die dritte Geometrie 370 ist ähnlich der ersten Geometrie 170 von 5. Gemäß einer Ausführungsform ist jeder Seitenteil verbunden mit zwei Anschlüssen 176, beispielsweise wie in 7 dargestellt.
  • 8 veranschaulicht eine exemplarische vierte Geometrie 470 eines Strompfades 102.
  • Die vierte Geometrie 470 ist ähnlich zu der ersten Geometrie 170 und der dritten Geometrie 370. Gemäß einer Ausführungsform ist jeder Seitenteil 174 elektrisch verbunden mit einem Anschluss 176, welcher eine Breite ähnlich der maximalen Breite des Seitenteils 174 aufweist, beispielsweise wie in 8 dargestellt. Zum Beispiel ist gemäß einer Ausführungsform eine maximale Breite des Anschlusses 176 in dem Bereich von ungefähr 80% bis 120% der maximalen Breite des Seitenteils 174. Ferner im Einklang mit einer Ausführungsform ist ein Durchgangsloch 184 in dem Anschluss 176 gebildet.
  • 9 veranschaulicht eine exemplarische fünfte Geometrie 570 eines Strompfades 102.
  • Die fünfte Geometrie 570 ist ähnlich zu der dritten Geometrie 370 von 7. Gemäß einer Ausführungsform ist ein Durchgangsloch 182 in den Seitenteilen 174 gebildet, beispielsweise wie in 9 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform hat das Durchgangsloch eine kreisförmige Form, beispielsweise wie in 9 dargestellt.
  • 10 veranschaulicht eine exemplarische sechste Geometrie 670 eines Strompfades 102.
  • Im Einklang mit einer Ausführungsform haben die Seitenteile 174 eine allgemein rechteckige Form.
  • Zusammenfassend, mit Bezug auf 5 bis 10 verjüngt sich gemäß einer Ausführungsform die Form der Seitenteile in einer Richtung von dem Anschluss 176 zu dem Messteil 172 und hat eine allgemein dreieckige Form, beispielsweise wie in 5, 7, 8 und 9 dargestellt. Gemäß einer Ausführungsform hat jeder Seitenteil in einer Richtung von dem Anschluss 176 zu dem Messteil 172 einen ersten Teil von ansteigendem Querschnitt und einen zweiten Teil von ansteigendem Querschnitt, beispielsweise wie in 5, 6, 7, 8 und 9 dargestellt. Gemäß einer weiteren Ausführungsform verändert sich ein Abstand zwischen gegenüberliegenden Seitenteilen 174 der Stromschiene 102 von einem ersten Abstand 186 (siehe 10) von gegenüberliegenden Anschlüssen 176 auf die Länge 178 des Messteils 172, insbesondere in einer stufenförmigen Weise, zum Beispiel wie in 5 bis 10 dargestellt.
  • 11 zeigt die exemplarische zweite Geometrie 270 des Strompfades 102 von 6 und veranschaulicht einen möglichen Ort für zwei Hallsensoren 188.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist ein erster Hallsensor 188 zwischen den zwei Seitenteilen 174 angeordnet benachbart zu (zum Beispiel neben) dem Messteil 172. Gemäß einer Ausführungsform ist ein zweiter Hallsensor 188 gegenüberliegend dem ersten Hallsensor 188 angeordnet, wobei sich der Messteil 172 zwischen den zwei oder Sensoren 188 erstreckt, beispielsweise wie in 11 dargestellt.
  • 12 zeigt die exemplarische zweite Geometrie 270 des Strompfades 102 von 6 und veranschaulicht einen möglichen Ort für zwei Magnetowiderstandssensoren 190.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Strompfad 102 einen Schlitz 192 zwischen den zwei Seitenteilen 174 auf. Im Einklang mit einer Ausführungsform ist ein erster Magnetowiderstandssensor 190 zwischen dem Schlitz 192 und der Öffnung 182 von einem der zwei Seitenteile 174 angeordnet und ein zweiter Magnetowiderstandssensor 190 ist zwischen dem Schlitz 192 und der Öffnung 182 von dem anderen der zwei Seitenteile 174 angeordnet, zum Beispiel wie in 12 dargestellt.
  • 13 veranschaulicht eine perspektivische Ansicht eines Leadframes 194 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Leadframe 194 den Strompfad 102 auf, vier leitende Spuren 112 und einen Verbindungsteil 196, welcher den Strompfad 102 und die leitenden Spuren 112 verbindet. Nach dem Herstellen des Stromsensorpackages 100 gemäß Ausführungsformen der hierin offenbarten Gegenstände auf der Basis des Leadframes 194 werden der erste Satz von Kontaktpins 134 (das heißt die Anschlüsse 176 des Strompfades 102) und der zweite Satz von Kontaktpins 136 (vgl. ebenso 1) von dem Verbindungsteil 196 separiert.
  • Es sollte angemerkt werden, dass der Ausdruck „aufweisend“ andere Elemente oder Merkmale nicht ausschließt und dass „ein“ oder „eines“ nicht eine Mehrzahl ausschließt. Ebenso können Elemente, die im Zusammenhang mit verschiedenen Ausführungsformen beschrieben wurden, kombiniert werden. Es sollte auch angemerkt werden, dass Bezugszeichen nicht als den Umfang der Ansprüche beschränkend ausgelegt werden sollen. Darüber hinaus ist der Umfang der vorliegenden Anmeldung nicht beabsichtigt, auf die einzelnen Ausführungsformen des Verfahrens, der Maschine, der Herstellung, der Zusammensetzung von Materialien, Mitteln, Verfahren und Schritten, die in der Beschreibung beschrieben wurden, limitiert zu sein. Entsprechend ist es beabsichtigt, dass die anhängenden Ansprüche innerhalb ihres Umfangs solche Prozesse, Maschinen, Herstellung, Zusammensetzungen von Materialien, Mitteln, Verfahren oder Schritten umfassen sollen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • DE 112012003079 T5 [0005]

Claims (24)

  1. Stromsensorpackage (100, 200, 300), aufweisend: einen Strompfad (102); eine Abfühlvorrichtung (104), insbesondere einen Sensorchip, wobei die Abfühlvorrichtung von dem Strompfad (102) beabstandet ist und die Abfühlvorrichtung (104) konfiguriert ist zum Abfühlen eines Magnetfeldes, welches von einem Strom erzeugt wird, der durch den Strompfad (102) fließt; die Abfühlvorrichtung (104) aufweisend ein Sensorelement, wobei die Abfühlvorrichtung (104) elektrisch verbunden ist mit einer leitenden Spur (112); ein Verkapselungsmaterial (116), welches sich kontinuierlich zwischen dem Strompfad (102) und der Abfühlvorrichtung (104) erstreckt.
  2. Das Package gemäß Anspruch 1, wobei das Verkapselungsmaterial (116) sich kontinuierlich zwischen dem Strompfad (102) und der leitenden Spur (112) erstreckt.
  3. Package gemäß Anspruch 2, wobei die leitende Spur (112) ein Träger ist, insbesondere ein Leadframe (194), und die Abfühlvorrichtung (104) an dem Träger befestigt ist.
  4. Package gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Abfühlvorrichtung (104) an dem Verkapselungsmaterial (116) befestigt ist.
  5. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Strompfad (102) von einem metallischen Träger gebildet ist, insbesondere einem Leadframe (194).
  6. Package gemäß irgendeinem der Ansprüche 2 bis 5, wobei das Verkapselungsmaterial ein Loch (138) aufweist, welches die leitende Spur (112) freilegt, wobei das Loch (138) gefüllt ist mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial (139) .
  7. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, die leitende Spur (112) aufweisend einen ersten Endteil (118) und der Strompfad (102) aufweisend einen zweiten Endteil (119), wobei die ersten und zweiten Endteile (118, 119) einen Abstand (120) zwischen der leitenden Spur (112) und dem Strompfad (102) definieren, wobei der erste Endteil (118), der zweite Endteil (119) und die Abfühlvorrichtung (104) auf verschiedenen Niveaus angeordnet sind in einer Richtung senkrecht zu einer Hauptoberfläche der Abfühlvorrichtung; insbesondere wobei der erste Endteil (118) auf einem Niveau angeordnet ist zwischen der Abfühlvorrichtung (104) und dem zweiten Endteil (119) oder wobei der zweite Endteil angeordnet ist auf einem Niveau zwischen der Abfühlvorrichtung und dem ersten Endteil (118).
  8. Package gemäß Anspruch 7, wobei die leitende Spur (112) einen erhabenen Teil (130) aufweist, der beabstandet ist von der Abfühlvorrichtung (104).
  9. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Abfühlvorrichtung ferner eine Kontaktfläche aufweist und das Package ferner einen Bonddraht (114) aufweist, welcher die leitende Spur (112) und die Kontaktfläche (110) elektrisch verbindet.
  10. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Strompfad (102) einen freigelegten Teil (166) aufweist, welcher einen Teil einer äußeren Oberfläche (168) des Packages (300) bildet.
  11. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Abfühlvorrichtung mindestens ein weiteres Sensorelement aufweist.
  12. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Sensorelement der Abfühlvorrichtung eines von einem Hallsensor (188) und einem Magnetowiderstandssensor (190) ist, insbesondere wobei der Magnetowiderstandssensor ein anisotroper Magnetowiderstandssensor ist, ein Giant-Magnetowiderstandssensor, ein Colossal-Magnetowiderstandssensor oder ein Tunnel-Magnetowiderstandssensor.
  13. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Strompfad elektrisch verbunden ist mit einem ersten Satz von Kontaktpins (134); die leitende Spur elektrisch verbunden ist mit einem Kontaktpin eines zweiten Satzes von Kontaktpins (136); und der erste Satz von Kontaktpins (134) und der zweite Satz von Kontaktpins (136) auf entgegengesetzten Seiten des Packages angeordnet sind.
  14. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Strompfad (102) einen Messteil (172) von reduziertem Querschnitt aufweist; der Messteil sich zwischen zwei beabstandeten Seitenteilen (174) erstreckt; insbesondere wobei der Messteil ein geradliniger Teil des Strompfades (102) ist; insbesondere wobei die Seitenteile (174) eine thermische Masse haben, die größer ist als die thermische Masse des geradlinigen Teils, insbesondere um einen Faktor von mindestens 2.
  15. Package gemäß Anspruch 14, wobei eine Länge (178) des Messteils (172) zwischen den Seitenteilen (174) kleiner ist als eine Breite (180) des Messteils (172) senkrecht zu der Länge (178).
  16. Package gemäß Anspruch 14 oder 15, wobei jeder Seitenteil (174) ein Durchgangsloch (182) aufweist.
  17. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Verkapselungsmaterial (116), die leitende Spur (112); und der Strompfad (102) einen Teil eines vorgeformten Teils bilden, insbesondere wobei der vorgeformte Teil eine Befestigungsoberfläche aufweist und die Abfühlvorrichtung (104) an die Befestigungsoberfläche befestigt ist.
  18. Package gemäß irgendeinem der vorhergehenden Ansprüche, ferner aufweisend eine Montageseite (168), welche konfiguriert ist, um an eine Stütze (165) montiert zu werden; wobei das Sensorelement (106) von der Montageseite (163) weg weist und/oder von dem Strompfad (102) weg weist.
  19. Verfahren des Herstellens eines Stromsensorpackages, das Verfahren aufweisend: Bereitstellen eines Strompfades (102); Bereitstellen einer Abfühlvorrichtung (104), insbesondere eines Sensorchips, wobei die Abfühlvorrichtung konfiguriert ist zum Abfühlen eines magnetischen Feldes, welches durch einen Strom erzeugt ist, welcher durch den Strompfad (102) fließt, und ein Sensorelement (106) aufweist; Positionieren der Abfühlvorrichtung (104) beabstandet von dem Strompfad (102); elektrisch Verbinden der Abfühlvorrichtung (104) mit einer leitenden Spur (112); Bereitstellen eines Verkapselungsmaterials (116), welches sich zwischen dem Strompfad (102) und der Abfühlvorrichtung (104) kontinuierlich erstreckt.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, ferner aufweisend: wobei das Bereitstellen des Verkapselungsmaterials (116) ein Bereitstellen des Verkapselungsmaterials über mindestens einen Teil des Strompfades (102) umfasst; wobei das Positionieren der Abfühlvorrichtung (104) ein Befestigen der Abfühlvorrichtung (104) an dem Verkapselungsmaterial (116) umfasst.
  21. Verfahren gemäß Anspruch 19, wobei die leitende Spur (112) ein Träger ist, insbesondere ein Leadframe (194); und wobei das Positionieren der Abfühlvorrichtung (104) ein Befestigen der Abfühlvorrichtung (104) an der leitenden Spur (112) umfasst; wobei das Bereitstellen des Verkapselungsmaterials (116) ein Bereitstellen des Verkapselungsmaterials kontinuierlich zwischen dem Strompfad (102) auf der einen Seite und der Abfühlvorrichtung (104) und der leitenden Spur (112) auf der anderen Seite umfasst.
  22. Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 19 bis 21, wobei die Abfühlvorrichtung eine Kontaktfläche (110) aufweist; und das elektrische Verbinden der Abfühlvorrichtung mit der elektrisch leitenden Spur (112) ein Bereitstellen eines Bonddrahtes (140) und/oder eines Durch-Silizium-Durchgangslochs zwischen der Kontaktfläche (110) und der leitenden Spur (112) aufweist.
  23. Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 19 bis 21, ferner aufweisend: Bereitstellen eines Stützelements für die leitende Spur vor dem Bereitstellen des Verkapselungsmaterials (116) ; Entfernen des Stützelements nach dem Bereitstellen des Verkapselungsmaterials (116) um die leitende Spur (112) und das Stützelement, wobei das entfernte Stützelement ein Loch (138) in dem Verkapselungsmaterial (116) hinterlässt; Füllen des Lochs (138) in dem Verkapselungsmaterial (116) mit einem elektrisch isolierenden Füllmaterial (139).
  24. Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 19 bis 23, wobei das Stromsensorpackage ferner eine Montageseite (163) aufweist, welche konfiguriert ist, um an eine Stütze (165) montiert zu werden; wobei das Positionieren der Abfühlvorrichtung (104) ein Positionieren des Sensorelements (106) von der Montageseite (163) weg weisend oder von dem Strompfad (102) weg weisend aufweist.
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US16/441,304 US11211551B2 (en) 2018-06-15 2019-06-14 Current sensor package with continuous insulation
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3644069A1 (de) * 2018-10-24 2020-04-29 Melexis Technologies SA Isolierter stromsensor

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9880234B2 (en) * 2015-01-15 2018-01-30 Infineon Technologies Ag Current sensor positioning error correction using auxiliary hall cells
DE102018114426A1 (de) 2018-06-15 2019-12-19 Infineon Technologies Ag Stromsensorpackage mit kontinuierlicher Isolation
US11073572B2 (en) * 2019-01-17 2021-07-27 Infineon Technologies Ag Current sensor device with a routable molded lead frame
CN114008464A (zh) * 2019-08-26 2022-02-01 株式会社村田制作所 电流传感器
US11467188B2 (en) * 2020-02-25 2022-10-11 Infineon Technologies Ag Current sensor for improved functional safety
DE102020108880B4 (de) * 2020-03-31 2024-05-08 Infineon Technologies Ag Sensorvorrichtungen mit Bypassstrompfad und zugehörige Herstellungsverfahren
WO2021220620A1 (ja) * 2020-04-30 2021-11-04 株式会社村田製作所 電流センサ
US11659663B2 (en) 2020-10-07 2023-05-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Mechanical support within moulded chip package
CN114442010B (zh) * 2020-10-31 2024-07-19 迈来芯电子科技有限公司 电流传感器系统
CN114137280A (zh) * 2021-11-26 2022-03-04 成都芯进电子有限公司 一种霍尔效应电流传感器
WO2024082224A1 (en) * 2022-10-20 2024-04-25 Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. Iii-nitride-based semiconductor packaged structure and method for manufacturing the same

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003329749A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Asahi Kasei Corp 磁気センサ及び電流センサ
US20060181264A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Giuseppe Catona Surface-mounted integrated current sensor
DE112012003079T5 (de) 2011-07-22 2014-06-12 Allegro Microsystems, Llc Verstärkte Isolation für Stromfühler mit Magnetfeldumformer
DE102014106133A1 (de) * 2013-05-03 2014-11-06 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul mit integriertem Stromsensor
US20170131329A1 (en) * 2014-06-20 2017-05-11 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Current detection device
US20180156845A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-07 Asahi Kasei Microdevices Corporation Current sensor

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200809A (en) * 1991-09-27 1993-04-06 Vlsi Technology, Inc. Exposed die-attach heatsink package
JP3784668B2 (ja) 2001-07-13 2006-06-14 株式会社日立ビルシステム 重量機械物の嵌合方法及び組立方法並びにその組立方法に用いられる組立作業装置
US7476816B2 (en) * 2003-08-26 2009-01-13 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
KR100740358B1 (ko) * 2005-02-25 2007-07-16 야마하 가부시키가이샤 센서 및 센서 형성 방법
KR100906065B1 (ko) 2007-07-12 2009-07-03 주식회사 동부하이텍 반도체칩, 이의 제조 방법 및 이를 가지는 적층 패키지
US9231118B2 (en) * 2013-03-12 2016-01-05 Infineon Technologies Ag Chip package with isolated pin, isolated pad or isolated chip carrier and method of making the same
US9553208B2 (en) * 2013-09-16 2017-01-24 Infineon Technologies Ag Current sensor device
DE102013220880B4 (de) * 2013-10-15 2016-08-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Halbleitergehäuse mit einer elektrisch isolierenden, thermischen Schnittstellenstruktur auf einer Diskontinuität einer Verkapselungsstruktur sowie ein Herstellungsverfahren dafür und eine elektronische Anordung dies aufweisend
DE102018114426A1 (de) 2018-06-15 2019-12-19 Infineon Technologies Ag Stromsensorpackage mit kontinuierlicher Isolation

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003329749A (ja) * 2002-05-13 2003-11-19 Asahi Kasei Corp 磁気センサ及び電流センサ
US20060181264A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 Giuseppe Catona Surface-mounted integrated current sensor
DE112012003079T5 (de) 2011-07-22 2014-06-12 Allegro Microsystems, Llc Verstärkte Isolation für Stromfühler mit Magnetfeldumformer
DE102014106133A1 (de) * 2013-05-03 2014-11-06 Infineon Technologies Ag Leistungsmodul mit integriertem Stromsensor
US20170131329A1 (en) * 2014-06-20 2017-05-11 Hitachi Automotive Systems, Ltd. Current detection device
US20180156845A1 (en) * 2016-12-07 2018-06-07 Asahi Kasei Microdevices Corporation Current sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3644069A1 (de) * 2018-10-24 2020-04-29 Melexis Technologies SA Isolierter stromsensor

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Publication number Publication date
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US11211551B2 (en) 2021-12-28

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