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DE102008055889A1 - Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe Download PDF

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Publication number
DE102008055889A1
DE102008055889A1 DE102008055889A DE102008055889A DE102008055889A1 DE 102008055889 A1 DE102008055889 A1 DE 102008055889A1 DE 102008055889 A DE102008055889 A DE 102008055889A DE 102008055889 A DE102008055889 A DE 102008055889A DE 102008055889 A1 DE102008055889 A1 DE 102008055889A1
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DE
Germany
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liquid container
semiconductor wafer
liquid
transport
transport direction
Prior art date
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Ceased
Application number
DE102008055889A
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English (en)
Inventor
Günter Schwab
Diego Dr. Feijoo
Thomas Buschhardt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Siltronic AG
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Publication date
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
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    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

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Abstract

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe (5), bei dem die Halbleiterscheibe (5) entlang einer Transportrichtung (81) durch Transportvorrichtungen (21, 22) durch wenigstens einen ersten Flüssigkeitsbehälter (11) transportiert wird, der mit einer Flüssigkeit (9) gefüllt ist, wobei der Flüssigkeitsbehälter (11) in zwei gegenüberliegenden Seitenwänden eine jeweils unterhalb der Oberfläche der Flüssigkeit (9) liegende Eingangs- (31) und eine Ausgangsöffnung (32) aufweist, wobei die senkrecht zur Transportrichtung (81) der Halbleiterscheibe (5) gemessene Breite des Flüssigkeitsbehälters (11) größer ist als die Breite der Halbleiterscheibe (5) und die in Transportrichtung (81) gemessene Länge des Flüssigkeitsbehälters (11) kleiner ist als die Länge der Halbleiterscheibe (5) und wobei die Halbleiterscheibe (5) - durch eine erste Transportvorrichtung (21) senkrecht zur Transportrichtung (81) fixiert und in Transportrichtung (81) zur Eingangsöffnung (31) des ersten Flüssigkeitsbehälters (11) und durch diese hindurch in den ersten Flüssigkeitsbehälter (11) transportiert wird, - durch den ersten Flüssigkeitsbehälter (11) von der Eingangsöffnung (31) zur Ausgangsöffnung (32) hindurch transportiert wird, wobei die innerhalb des ersten Flüssigkeitsbehälters (11) befindlichen Teile der Halbleiterscheibe (5) ausschließlich mit der Flüssigkeit (9) in Kontakt kommen, und gleichzeitig die Halbleiterscheibe (5) zu jedem Zeitpunkt ...

Description

  • Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe unter Verwendung von Flüssigkeitsbehältern, die in zwei gegenüberliegenden Seitenwänden eine jeweils unterhalb der Oberfläche der Flüssigkeit liegende Eingangs- und eine Ausgangsöffnung aufweisen.
  • Halbleiterscheiben, die beispielsweise als Substrate für die Herstellung mikroelektronischer Bauelemente dienen, meist Siliciumscheiben, werden nach dem Polieren, Beschichten (beispielsweise durch epitaktische Abscheidung) oder thermischen Behandlungsschritten (engl. „Annealing”) bzw. vor Hochtemperaturprozessschritten mit nasschemischen Verfahren gereinigt. Ziel der Reinigung ist es, Kontaminationen der Halbleiterscheiben, beispielsweise mit Metallen wie Kupfer oder mit organischen Substanzen, sowie an der Scheibenoberfläche haftende Partikel möglichst vollständig zu entfernen, da diese Kontaminationen bei der nachfolgenden Herstellung von Bauelementen zu Problemen führen, beispielsweise zu einem inhomogenen Aufwachsen der Gate-Dielektrika oder zu einem inhomogenen Abscheiden der Polysilicium- oder Metall-Gates. Um für die neuesten Bauelemente-Generationen geeignet zu sein, müssen beispielsweise weitgehend alle Partikel von der Oberfläche einer Halbleiterscheibe entfernt werden, die mindestens 32 nm groß sind, oder sogar noch kleinere Partikel.
  • Im Stand der Technik sind mehrere Verfahren zum Reinigen und Trocknen von Halbleiterscheiben bekannt:
    Der Stand der Technik kennt Bad-Reinigungsverfahren (siehe z. B. „Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology", Ed. by K. A. Reinhardt und W. Kern, 2nd Edition, 2008, Wiliam Andrew Inc.), bei denen eine Vielzahl von Halbleiterscheiben gleichzeitig in ein Reinigungsbad getaucht werden (sog. „Batch-Reinigung”). Es sind auch Sequenzen verschiedener Reinigungsbäder bekannt. Bei immer strenger werdenden Anforderungen bezüglich Partikelgröße und Partikelanzahl wird es jedoch immer schwieriger, mit diesem Verfahren ein ausreichendes Reinigungsergebnis zu erzielen. Bei den gängigen Batch-Badanlagen wirken sich auch zunehmend Limitierungen wie Abschattungen durch benachbarte Scheiben im Batch und durch Scheibenhalterungen sowie erschwerter Zugang von Megaschall negativ aus.
  • Zur Verbesserung der Reinigungsleistung wurden Einzelscheibenreinigungsverfahren vorgeschlagen, mit denen zumindest die Abschattung durch benachbarte Halbleiterscheiben vermieden werden kann. Beispielsweise können die Halbleiterscheiben einzeln, in der Regel senkrecht stehend, in ein Reinigungsbad oder eine Sequenz von Reinigungsbädern getaucht werden. (Siehe z. B. "Novel Integrated Single Wafer Immersion Megasonics for Advanced Post CMP Cleaning in a Next Generation Dry-in Dry-out CMP System", J. Tang et al., 2000 DUMIC/CMP-MIC) Wenn eine Sequenz von Reinigungsbädern verwendet wird, leidet auch dieses Verfahren daran, dass die Reinigungsleistung trotz laufender Zirkulation und Filterung der Reinigungsflüssigkeit aufgrund der Anreicherung von Partikeln in der Reinigungsflüssigkeit mit der Zeit abnimmt, bis die Reinigungsflüssigkeit in bestimmten Intervallen vollständig erneuert wird. Zudem ist der Durchsatz bei diesem Verfahren zu gering. Die Durchsätze können erhöht werden, indem für eine Halbleiterscheibe die Flüssigkeit im Einzeltank sequentiell ausgetauscht und verworfen wird, ohne die Halbleiterscheibe zu entnehmen, aber dieser Ansatz verteuert den Prozess erheblich.
  • Alternativ sind Einzelscheibenreinigungsverfahren entwickelt worden, bei denen die Halbleiterscheiben, in der Regel horizontal liegend, in Einzelscheibenkammern gereinigt werden. Die Chemikalien werden über Dispenser, Sprüher oder Düsen auf die Oberfläche verteilt, und die Reinigung und Trocknung wird durch eine schnelle Rotation der Halbleiterscheiben unterstützt. Bei solchen Anlagen kann zumindest prinzipiell die gesamte Oberfläche der Halbleiterscheibe ohne Abschattungen behandelt werden, wobei eine Greifung zum Halten bei der Rotation noch notwendig ist. Auch eine gleichwertige Behandlung der Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheibe stellt sich in der Praxis schwierig dar. Problematisch sind zusätzlich die geringen Durchsätze, die sich für die besonders anspruchsvollen Anforderungen an die Reinigung einer unprozessierten Halbleiterscheibe aus den notwendigen minimalen Prozesszeiten ergeben, und auch die schwierige Übertragung auf größere Scheibendurchmesser aufgrund der zunehmenden Fliehkräfte bei der Rotation.
  • Es sind auch Reinigungsverfahren bekannt, bei denen die Halbleiterscheiben horizontal liegend mittels einer Wasserkissentransportvorrichtung von einer Reinigungsstation zur nächsten bzw. am Ende zu einer Trocknungsstation transportiert werden. Beide Flächen der Halbleiterscheiben werden beispielsweise durch Rollen oder Bürsten gereinigt. Derartige Verfahren sind beispielsweise in US5899216 oder US6213853B1 offenbart. Da diese Verfahren die Partikelkontamination nicht auf ein akzeptables Maß drücken können, werden sie in der Regel, wie in den beiden Dokumenten beschrieben, ausschließlich unmittelbar nach der Politur eingesetzt, nicht jedoch als Endreinigung.
  • EP817246A2 offenbart ein Reinigungsverfahren, bei dem eine Halbleiterscheibe liegend einzeln durch einen Flüssigkeitsbehälter transportiert wird. Der Flüssigkeitsbehälter weist zwei in gegenüberliegenden Seitenwänden unterhalb des Flüssigkeitsspiegels angebrachte Schlitze auf, durch die die Halbleiterscheiben in den Flüssigkeitsbehälter hinein bzw. aus dem Flüssigkeitsbehälter heraus transportiert werden. Die Flüssigkeit wird beispielsweise durch einen im Flüssigkeitsbehälter herrschenden Unterdruck daran gehindert, durch die Schlitze abzufließen. Vorzugsweise werden die Halbleiterscheiben beim Verlassen des Flüssigkeitsbehälters getrocknet. Es hat sich gezeigt, dass auch dieses Verfahren die Anzahl der an den Halbleiterscheiben haftenden Partikel nicht ausreichend reduzieren kann.
  • Prinzipiell wäre es denkbar, die Reinigungsleistung bei allen bekannten Reinigungsverfahren dadurch zu erhöhen, dass die Anzahl der nacheinander durchgeführten Reinigungsschritte (z. B. die Anzahl der Reinigungsbäder) erhöht wird. Dies scheitert aber in der Praxis – insbesondere bei Halbleiterscheiben mit einem großen Durchmesser von 300 mm oder mehr – daran, dass die Flüssigkeitsbehälter entsprechend groß dimensioniert sein müssen. Wird die Anzahl der Reinigungsbäder erhöht, so beansprucht dies immer mehr Reinraumfläche, was die Wirtschaftlichkeit stark beeinträchtigt.
  • Aus diesem Grund stellte sich die Aufgabe, ein Reinigungsverfahren bereitzustellen, das die gestiegenen Anforderungen an die Partikelfreiheit der Halbleiterscheiben erfüllt, ohne die Kosten für die Reinigung in die Höhe zu treiben.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 sowie durch eine für dieses Verfahren einsetzbare Vorrichtung gemäß Anspruch 9.
  • Kurzbeschreibung der Figuren
  • 1 zeigt einen horizontalen Schnitt durch eine erfindungsgemäße Vorrichtung für die nasschemische Behandlung von Halbleiterscheiben.
  • 2 zeigt einen vertikalen Schnitt in Längsrichtung durch einen Teil der Vorrichtung aus 1.
  • 3 zeigt einen horizontalen Schnitt durch eine bevorzugte Ausführungsform für eine Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung von Halbleiterscheiben, in der mehrere erfindungsgemäße Vorrichtungen nacheinander geschaltet sind.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung umfasst wenigstens einen Flüssigkeitsbehälter 11, der mit einer Flüssigkeit 9 gefüllt werden kann. Abhängig von der Art des Reinigungsschritts und der erforderlichen Reinigungsleistung kann eine beliebige Zahl von Flüssigkeitsbehältern vorgesehen werden, wobei eine zu große Zahl zu Lasten der Wirtschaftlichkeit geht und keine nennenswerte Verbesserung der Reinigungsleistung mit sich bringt. Die Anzahl der gleichartigen Flüssigkeitsbehälter 1 beträgt vorzugsweise mindestens zwei und höchstens zehn, besonders bevorzugt sind vier bis acht gleichartige Flüssigkeitsbehälter 1. (Die Flüssigkeitsbehälter haben in den Figuren allgemein das Bezugszeichen 1, wobei der erste Flüssigkeitsbehälter mit 11, der zweite mit 12 usw. bezeichnet wird.)
  • Jeder Flüssigkeitsbehälter 1 weist eine Eingangs- 31 und eine Ausgangsöffnung 32 auf, die in zwei gegenüberliegenden Seitenwänden angebracht sind. Die Öffnungen 31, 32 sind so dimensioniert, dass die zu behandelnden Halbleiterscheiben 5 durch die Öffnungen 31, 32 in den bzw. aus dem Flüssigkeitsbehälter 1 transportiert werden können. Bei der erfindungsgemäßen Benutzung der Vorrichtung liegen die Öffnungen 31, 32 unterhalb des Spiegels der Flüssigkeit 9, die sich in dem Flüssigkeitsbehälter 1 befindet. Die Flüssigkeitsbehälter 1 können entweder vollständig oder nur teilweise mit der Flüssigkeit 9 gefüllt sein.
  • Die Flüssigkeitsbehälter 1 sind entlang eines Transportwegs angeordnet, auf dem die Halbleiterscheiben 5 durch die Vorrichtung transportiert werden. Der Transportweg muss nicht unbedingt eine gerade Strecke sein, er kann generell oder an bestimmten Stellen gekrümmt sein. Der Transportweg wird durch die Flüssigkeitsbehälter 1 und die vor dem ersten Flüssigkeitsbehälter, zwischen jeweils zwei Flüssigkeitsbehältern und nach dem letzten Flüssigkeitsbehälter befindlichen Transportvorrichtungen 2 definiert. Die Nummerierung der Flüssigkeitsbehälter 1 (erster 11, zweiter 12, etc.) und die Begriffe „vor” und „nach” sind lediglich von der zeitlichen Abfolge abgeleitet, in der die Halbleiterscheiben 5 durch die einzelnen Flüssigkeitsbehälter 1 transportiert werden, die Begriffe „vor” und „nach” werden aber für die Beschreibung einer räumlichen Anordnung verwendet.
  • Zwischen jeweils zwei Flüssigkeitsbehältern 1 sowie vor dem ersten und nach dem letzten Flüssigkeitsbehälter befindet sich jeweils eine Transportvorrichtung 2. (Die Transportvorrichtungen haben in den Figuren allgemein das Bezugszeichen 2, wobei die erste Transportvorrichtung mit 21, die zweite mit 22 usw. bezeichnet wird.) Diese sind so angeordnet, dass sie die Halbleiterscheibe 5 zu den jeweiligen Eingangsöffnungen 31 in den Flüssigkeitsbehältern 1 und durch diese in die Flüssigkeitsbehälter 1 transportieren sowie die Halbleiterscheibe 5 jeweils an den Ausgangsöffnungen 32 übernehmen, durch diese aus dem jeweiligen Flüssigkeitsbehälter 1 heraus und von diesem weg transportieren können.
  • Die senkrecht zur Transportrichtung 81 der Halbleiterscheibe 5 gemessene Breite eines jeden Flüssigkeitsbehälters 1 ist größer als seine in Transportrichtung 81 gemessene Länge. Insbesondere sind die Flüssigkeitsbehälter 1 so dimensioniert, dass deren Breite größer ist als die Breite der darin zu behandelnden Halbleiterscheibe 5, sodass eine Halbleiterscheibe 5 der Breite nach in den Flüssigkeitsbehältern 1 Platz findet. Ein wesentliches Merkmal der Erfindung ist aber andererseits, dass die Länge der Flüssigkeitsbehälter 1 in Transportrichtung 81 der Halbleiterscheibe 5 kleiner ist als die Länge der Halbleiterscheibe 5, sodass sich eine Halbleiterscheibe 5 in Richtung ihrer Länge nie ganz innerhalb des Flüssigkeitsbehälters 1 befinden kann. Falls die Halbleiterscheiben 5 im Wesentlichen rund sind, sind „Länge” und „Breite” der Halbleiterscheiben 5 jeweils mit ihrem Durchmesser gleichzusetzen.
  • Diese erfindungsgemäßen Größenverhältnisse ermöglichen es, auf innerhalb der Flüssigkeitsbehälter 1 angeordnete Führungselemente zu verzichten, da eine Halbleiterscheibe 5, die durch einen der Flüssigkeitsbehälter 1 transportiert wird, zu jedem Zeitpunkt von wenigstens einer der beiden an den betreffenden Flüssigkeitsbehälter 1 angrenzenden Transportvorrichtungen 2 gehalten und weitertransportiert werden kann.
  • Die vorgehend beschriebene erfindungsgemäße Vorrichtung wird für das erfindungsgemäße Verfahren gemäß Anspruch 1 benutzt.
  • Dabei wird eine Halbleiterscheibe 5 entlang einer Transportrichtung 81 durch Transportvorrichtungen 2 durch wenigstens einen Flüssigkeitsbehälter 1, vorzugsweise aber nacheinander durch wenigstens zwei Flüssigkeitsbehälter 1 transportiert, die mit der gleichen Flüssigkeit 9 gefüllt sind. Es können jedoch auch mehrere Flüssigkeitsbehälter 1 nacheinander durchlaufen werden, die mit unterschiedlichen Flüssigkeiten 9 gefüllt sind.
  • Zu Beginn wird die Halbleiterscheibe 5 beispielsweise aus einer Kassette entnommen und auf der ersten Transportvorrichtung 21 platziert. Dies erfolgt vorzugsweise automatisch durch einen Roboter. Sie wird anschließend durch die erste Transportvorrichtung 21 senkrecht zur Transportrichtung 81 fixiert und in Transportrichtung 81 zur Eingangsöffnung 31 des ersten Flüssigkeitsbehälters 11 und durch diese hindurch in den ersten Flüssigkeitsbehälter 11 transportiert. Während sie von der Eingangsöffnung 31 zur Ausgangsöffnung 32 durch den ersten Flüssigkeitsbehälter 11 hindurch transportiert wird, kommt der innerhalb des Flüssigkeitsbehälters 11 befindliche Teil der Halbleiterscheibe 5 ausschließlich mit der Flüssigkeit 9 in Kontakt, da in dem Flüssigkeitsbehälter 11 keine Führungselemente vorhanden sind, die die Halbleiterscheibe 5 abstützen und somit stellenweise von der Flüssigkeit 9 abschirmen würden. Dies wird dadurch möglich, dass der Flüssigkeitsbehälter 11 in Transportrichtung 81 gesehen kleiner ist als die Halbleiterscheibe 5, sodass die Halbleiterscheibe 5 während ihres Transports durch den Flüssigkeitsbehälter 11 zu jedem Zeitpunkt durch die erste 21 oder zweite Transportvorrichtung 22 oder durch beide senkrecht zur Transportrichtung 81 fixiert und gleichzeitig in Transportrichtung 81 weitertransportiert werden kann.
  • Während die Halbleiterscheibe 5 durch den ersten Flüssigkeitsbehälter 11 transportiert wird, wird sie bereits von der zweiten Transportvorrichtung 22 übernommen, so lange sie noch mit der ersten Transportvorrichtung 21 in Kontakt ist. Die zweite, auf der gegenüberliegenden Seite des ersten Flüssigkeitsbehälters 11 befindliche Transportvorrichtung 22 fixiert die Halbleiterscheibe 5 wiederum senkrecht zur Transportrichtung 81 und transportiert sie in Transportrichtung 81 von der Ausgangsöffnung 32 des ersten Flüssigkeitsbehälters 11 weg. Ist ein zweiter Flüssigkeitsbehälter 12 vorhanden, so transportiert sie die Halbleiterscheibe 5 zur Eingangsöffnung 31 des zweiten Flüssigkeitsbehälters 12 und durch diese hindurch in den zweiten Flüssigkeitsbehälter 12.
  • Während des Transports durch einen (vorzugsweise vorhandenen) zweiten Flüssigkeitsbehälter 12 wird die Halbleiterscheibe 5 in der selben Art und Weise von der zweiten 22 an die dritte Transportvorrichtung 23 übergeben. Sie kommt auch im zweiten Flüssigkeitsbehälter 12 mit keinerlei Führungselementen in Kontakt. Nach Übernahme durch die dritte Transportvorrichtung 23 wird sie durch diese senkrecht zur Transportrichtung 81 fixiert und in Transportrichtung 81 von der Ausgangsöffnung 32 des zweiten Flüssigkeitsbehälters 12 wegtransportiert.
  • Werden mehr als zwei Flüssigkeitsbehälter 1 hintereinander geschaltet, gilt entsprechendes auch für die weiteren Flüssigkeitsbehälter bzw. den Transport von einem zum nächsten Flüssigkeitsbehälter.
  • Die Flüssigkeit im zweiten Flüssigkeitsbehälter ist stets weniger mit Partikeln verunreinigt als die im ersten Flüssigkeitsbehälter. In jedem weiteren Flüssigkeitsbehälter sinkt die Partikelkonzentration weiter ab. Durch das Hintereinanderschalten mindestens zweier gleichartiger Reinigungsschritte, die in zwei getrennten Flüssigkeitsbehältern ablaufen, kann daher die Reinigungswirkung gegenüber dem in EP817246A2 beschriebenen Reinigungsverfahren bei einer insgesamt unveränderten Prozessdauer deutlich verbessert werden. Das Hintereinanderschalten mehrerer mit der gleichen Flüssigkeit gefüllter Flüssigkeitsbehälter – ohne die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens nennenswert zu beeinträchtigen – wird erst durch die Anwendung der vorliegenden Erfindung ermöglicht, da aufgrund der geringen Länge der einzelnen Flüssigkeitsbehälter der Platzbedarf insgesamt nicht oder nur unwesentlich ansteigt.
  • Gleichzeitig ermöglicht es die geringe Länge der einzelnen Flüssigkeitsbehälter, die Halbleiterscheiben ohne Führungselemente innerhalb der Flüssigkeitsbehälter zu transportieren. Da die Halbleiterscheiben einzeln behandelt und zudem innerhalb der Flüssigkeitsbehälter nicht durch Führungs- oder Haltevorrichtungen abgeschirmt werden, erhöht sich die Reinigungseffizienz nochmals – ohne die Behandlungsdauer oder den Platzbedarf zu erhöhen. Das erfindungsgemäße Verfahren kann kontinuierlich betrieben werden, was sich positiv auf den Durchsatz auswirkt.
  • Im Folgenden werden bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung beschrieben. Diese Ausführungsformen beziehen sich gleichermaßen auf die erfindungsgemäße Vorrichtung und das erfindungsgemäße Verfahren.
  • In einer ersten bevorzugten Ausführungsform wird die Halbleiterscheibe 5 in im Wesentlichen horizontaler Lage transportiert. In diesem Fall sind die Ein- 31 und Ausgangsöffnungen 32 im wesentlichen horizontal angeordnete Schlitze, deren Höhe vorzugsweise geringfügig größer ist als die Dicke der Halbleiterscheibe 5 und deren Länge geringfügig größer ist als die Breite der Halbleiterscheibe 5. Der horizontale Transport ermöglicht eine sehr schnelle Bewegung von einem Flüssigkeitsbehälter zum nächsten, und zwar unabhängig vom Durchmesser der Halbleiterscheibe. Zudem lässt sich das in der zweiten Ausführungsform beschriebene Auslaufen von Flüssigkeit bei einer horizontalen Anordnung der Öffnungen besser kontrollieren. Bei einer vertikalen Anordnung der Öffnungen würde aufgrund des Druckunterschieds an deren unterem Ende mehr Flüssigkeit auslaufen als an deren oberem Ende.
  • In einer zweiten bevorzugten Ausführungsform sind die Flüssigkeitsbehälter 1 derart gestaltet, dass Flüssigkeit 9 aus den Flüssigkeitsbehältern 1 durch die Ein- 31 und Ausgangsöffnungen 32 abfließt. Sie kann in diesem Fall für jeden Flüssigkeitsbehälter 1 getrennt gesammelt, filtriert und wieder in den betreffenden Flüssigkeitsbehälter 1 zurückgeführt werden. 2 stellt schematisch für jeden Flüssigkeitsbehälter 1 eine zugehörige Auffangwanne 64 dar, die die aus dem Flüssigkeitsbehälter 1 ablaufende Flüssigkeit 9 auffängt. Von der Auffangwanne 64 kann die Flüssigkeit 9 in einen Vorratsbehälter 61 geleitet und über eine Pumpe 62 und einen Filter 63 wieder in den Flüssigkeitsbehälter 1 zurückgeführt werden. Durch die Filtration und Rückführung kann die Partikelkonzentration für eine lange Zeit auf einem niedrigen Niveau gehalten werden. Die getrennte Sammlung, Filtration und Rückführung ist vorteilhaft, da sich auf diese Weise in den letzten von den Halbleiterscheiben durchlaufenen Flüssigkeitsbehältern eine besonders niedrige Partikelkonzentration aufrecht erhalten lässt. So kann die Nutzungsdauer einer Flüssigkeitsfüllung verlängert werden, bis ein erneuter Komplettaustausch der Flüssigkeit 9 erfolgt, ohne das Reinigungsergebnis zu verschlechtern. Umgekehrt kann bei gleichen Zeitintervallen für den Komplettaustausch das Reinigungsergebnis verbessert werden.
  • In einer dritten bevorzugten Ausführungsform kann einer der Flüssigkeitsbehälter 1 oder mehrere oder alle Flüssigkeitsbehälter 1 mit Hilfsmitteln ausgestattet sein, die die Reinigungswirkung verbessern.
  • Die Strömungsrichtung innerhalb der Flüssigkeitsbehälter 1 ist vorzugsweise entgegengesetzt zur Transportrichtung 81, um der Verschleppung von Partikeln zum nächsten Flüssigkeitsbehälter 1 entgegenzuwirken. Dies kann durch entsprechend ausgerichtete Düsen innerhalb der Flüssigkeitsbehälter 1 erreicht werden, die eine der Transportrichtung 81 entgegen gerichtete Strömung erzeugen. Wird das Verfahren – wie in der zweiten Ausführungsform beschrieben – so durchgeführt, dass Flüssigkeit 9 durch die Eingangs- 31 und Ausgangsöffnungen 32 aus den Flüssigkeitsbehältern 1 abfließt, so ist in diesem Fall die pro Zeiteinheit aus den Eingangsöffnungen 31 entweichende Menge der Flüssigkeit 9 größer als die entsprechende aus den Ausgangsöffnungen 32 entweichende Menge.
  • Die Flüssigkeitsbehälter 1 können auch Vorrichtungen 35 zum Einbringen von Megaschall enthalten, sog. Transducer. Megaschall unterstützt ebenfalls die Reinigungswirkung. Vorzugsweise wird ein Winkel von 90 bis 170° zwischen Transportrichtung 81 und Megaschallfortbewegungsrichtung eingestellt, um der Verschleppung von Partikeln in Transportrichtung 81 der Halbleiterscheibe 5 entgegenzuwirken. Bei einem Winkel von 90° breitet sich der Megaschall senkrecht zur Transportrichtung 81 aus, bei einem Winkel von 170° weitgehend entgegengesetzt zur Transportrichtung 81, wobei immer noch eine geringe Komponente senkrecht zur Transportrichtung 81 und damit senkrecht zur Oberfläche der Halbleiterscheibe 5 vorhanden ist.
  • Eine weitere Variante sieht das Erzeugen und Einbringen von Gasblasen unterschiedlicher Größe und Dichte in die Flüssigkeitsbehälter vor. Dies kann mit Hilfe von Pumpen, die Flüssigkeit und Gas durchmischen oder von sogenannten Micro-Bubblern geschehen. Eine Bewegung der Blasen entgegen der Transportrichtung der Halbleiterscheibe ist vorteilhaft.
  • Weiterhin ist eine Einstellung der in der Flüssigkeit gelösten Gasmenge innerhalb der Flüssigkeitsbehälter vorteilhaft, wozu Einrichtungen zum gezielten Einleiten von Gasen (beispielsweise Sauerstoff oder Stickstoff) oder zum gezielten Entgasen verwendet werden können.
  • Alle in der dritten Ausführungsform genannten Maßnahmen zur weiteren Verbesserung der Reinigungswirkung können für die Vorder- oder die Rückseite der Halbleiterscheiben ergriffen werden, besonders bevorzugt aber für beide Seiten.
  • Die vierte bevorzugte Ausführungsform betrifft die Transportvorrichtungen 2. Für den Transport zwischen den einzelnen Flüssigkeitsbehältern 1 können verschiedene Ansätze gewählt werden. Vorzugsweise werden dafür Transportrollen aus einem geeigneten Material (z. B. Polyvinylalkohol, PVA) verwendet, welche, bevorzugt im feuchten Zustand, die Halbleiterscheibe 5 beidseitig leicht drücken und mit Hilfe eines Motors in die Transportrichtung 81 weiter bewegen. Die einzelnen Flüssigkeitsbehälter 1 werden bei dieser Ausführungsform vorzugsweise weniger als halb so lang wie die Halbleiterscheibe 5 dimensioniert, damit einzelne Rollenpaare (eine Rolle über, die andere unterhalb der Halbleiterscheibe 5) zwischen den Flüssigkeitsbehältern 1 ausreichend sind, um zu jedem Zeitpunkt eine ausreichende Unterstützung der Halbleiterscheibe 5 und dadurch einen kontaktlosen Transport der Halbleiterscheibe 5 innerhalb der Flüssigkeitsbehälter 1 zu ermöglichen. Diese Ausführungsform ist in 2 beispielhaft dargestellt. Eine Transportvorrichtung 2 kann auch aus zwei oder mehr Rollenpaaren bestehen, vorzugsweise wird jedoch jeweils genau ein Rollenpaar zwischen jeweils zwei Flüssigkeitsbehältern 1 eingesetzt. Mindestens eine Rolle einer jeden Transportvorrichtung muss durch einen Motor angetrieben werden, um die Halbleiterscheibe transportieren zu können. Die anderen Rollen der Transportvorrichtung können entweder ebenfalls durch einen Motor angetrieben werden und die Halbleiterscheibe aktiv transportieren oder sie können nicht angetrieben werden und die Halbleiterscheibe lediglich senkrecht zur Transportrichtung fixieren.
  • Alternativ zu den Rollen können andere Transportmechanismen verwendet werden. So können die Halbleiterscheiben auch durch mechanische Greifer zu beiden Seiten der Flüssigkeitsbehälter weitergereicht werden. Auch ein Transport über Wasserkissen ist möglich, bei dem die Halbleiterscheiben zwischen den Flüssigkeitsbehältern auf einen Flüssigkeitsfilm liegen und mit Hilfe von Düsen vorangetrieben werden.
  • Nach der Behandlung der Halbleiterscheibe im letzten Flüssigkeitsbehälter wird diese vorzugsweise berührungslos oder wenigstens mit möglichst geringer Kontaktfläche entnommen. So kann die Halbleiterscheibe z. B. mit Hilfe eines sogenannten Ultraschallgreifers entnommen werden, mit dessen Hilfe die Halbleiterscheibe kontaktlos schwebt.
  • Alle beschriebenen Arten von Transportvorrichtungen können mit konstanter oder variabler Geschwindigkeit betrieben werden. Die Halbleiterscheiben werden vorzugsweise mit geringem Abstand unmittelbar hintereinander transportiert.
  • Gemäß einer fünften bevorzugten Ausführungsform wird die beim Verlassen eines Flüssigkeitsbehälters auf der Halbleiterscheibe verbleibende Flüssigkeitsmenge gesteuert.
  • Gemäß dem Stand der Technik werden Halbleiterscheiben in der Regel nass transportiert, nachdem sie ein Reinigungsbad passiert haben. Gelegentlich lässt sich nicht vermeiden, dass die Halbleiterscheiben lokal trocknen. Wenn beispielsweise eine Halbleiterscheibe mit großem Durchmesser vertikal aus einem Reinigungsbad entnommen wird, kann ein Ablaufen der Flüssigkeit und ein zumindest lokales Trocknen der Scheibenoberfläche nicht vermieden werden.
  • Es ist alternativ möglich, die Scheiben gezielt zu trocknen (wie in EP817246A2 beschrieben). Zum Teil erfolgt auch eine gezielte Trocknung durch langsames Herausziehen aus dem Reinigungsbad.
  • Dagegen wird im Rahmen der vorliegenden Erfindung bei hydrophilen Halbleiterscheiben ein Trocknen der Oberfläche vorzugsweise vermieden. Dies ermöglicht nicht nur, auf einen separaten Trocknungsschritt zu verzichten und damit die Prozessdauer zu verkürzen und den Flächenbedarf zu reduzieren, sondern schützt die Oberfläche auch gegen eine stärkere Haftung der Partikel. Wenn dafür gesorgt wird, dass die Halbleiterscheiben auf dem Weg von einem Flüssigkeitsbehälter zum nächsten nicht trocknen, haften die noch auf der Oberfläche vorhandenen Partikel nicht so stark und können im nächsten Flüssigkeitsbehälter leichter entfernt werden, was die Reinigungseffizienz nochmals erhöht. Auf der anderen Seite ist es nicht wünschenswert, mit der Halbleiterscheibe zu viel Flüssigkeit von einem Flüssigkeitsbehälter zum nächsten zu transportieren, da dadurch die Flüssigkeit im nächsten Flüssigkeitsbehälter verstärkt verunreinigt würde.
  • Um zu vermeiden, dass die Oberfläche der Halbleiterscheibe trocknet, wird vorzugsweise die Zeit begrenzt, die für den Transport von einem Flüssigkeitsbehälter zum nächsten benötigt wird. So ist es bevorzugt, dass die Zeit, während der sich ein Punkt auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe zwischen dem ersten und zweiten Flüssigkeitsbehälter befindet, kürzer als die Zeit, während der sich die Halbleiterscheibe im ersten Flüssigkeitsbehälter befindet und kürzer als die Zeit, während der sich die Halbleiterscheibe im zweiten Flüssigkeitsbehälter befindet, ist. Dies ist durch einen entsprechend kurzen Transportweg, d. h. durch einen geringen Abstand zwischen den einzelnen Flüssigkeitsbehältern zu erreichen, was sich ebenfalls positiv auf die Gesamt-Prozessdauer und den Flächenbedarf auswirkt. Außerdem verringert sich dadurch die Wahrscheinlichkeit, dass die Halbleiterscheibe während des Transports wieder mit Partikeln verunreinigt wird.
  • Da die Halbleiterscheibe vorzugsweise horizontal transportiert wird, kann die Dicke der auf einer hydrophilen Oberfläche verbleibenden Flüssigkeitsschicht wesentlich besser eingestellt werden als bei einem Reinigungsbad, aus dem die Halbleiterscheibe vertikal entnommen wird und die Flüssigkeit nach unten abläuft. Vorzugsweise verbleibt beim Austritt einer Halbleiterscheibe mit hydrophiler Oberfläche aus einem Flüssigkeitsbehälter ein Flüssigkeitsfilm mit definierter Dicke auf der gesamten Fläche der Halbleiterscheibe. Dies kann einerseits durch die Länge der Zeit erreicht werden, während der sich die Halbleiterscheibe zwischen den Flüssigkeitsbehältern befindet. Vorzugsweise wird die Dicke des Flüssigkeitsfilms jedoch durch zusätzliche Hilfsmittel eingestellt. Beispielsweise kann überschüssige Flüssigkeit mit einem Kamm, einer Lippe oder Rollen von der Oberfläche der Halbleiterscheibe abgestreift werden oder durch einen gezielt auf die Oberfläche gerichteten Gasstrom entfernt werden.
  • Vorzugsweise wird eine Halbleiterscheibe mit hydrophiler Oberfläche erst getrocknet, wenn sie alle Flüssigkeitsbehälter passiert hat.
  • Hydrophobe Halbleiterscheiben sind nach dem Verlassen eines Flüssigkeitsbehälters vorzugsweise bereits trocken und können in diesem Zustand Partikel anziehen. Kurze Zeiten beim Transport zwischen hydrophoben Bädern (beispielsweise Flusssäure, HF) oder bis zum nächsten hydrophilierenden Bad (beispielsweise Wasser mit gelöstem Ozon) sind deshalb vorteilhaft, und können mit der beschriebenen Vorrichtung vorteilhaft optimiert werden. Bezüglich der Transportzeiten gilt analog das oben für hydrophile Halbleiterscheiben beschriebene. Vorzugsweise verbleiben beim Verlassen eines Flüssigkeitsbehälters keine Tropfen auf der hydrophoben Oberfläche. Dies kann wiederum beispielsweise mit einem gezielt auf die Oberfläche gerichteten Gasstrom erreicht werden.
  • Die Erfindung kann auf alle Arten von Halbleiterscheiben angewandt werden, auf multi- oder polykristalline Halbleiterscheiben (die beispielsweise für Photovoltaik-Anwendungen verwendet werden) ebenso wie auf monokristalline Halbleiterscheiben (beispielsweise für die Mikroelektronik). Die Halbleiterscheiben können aus beliebigen Halbleitermaterialien bestehen, wie Element- oder Verbindungshalbleiter. Die größte Bedeutung hat nach wie vor Silicium.
  • Die Erfindung kann auf alle denkbaren Arten von nasschemischen Behandlungen angewandt werden, beispielsweise auf Ätzbehandlungen, vorzugsweise jedoch auf Reinigungsbehandlungen. Die Erfindung ist unabhängig davon, welche Arten von Flüssigkeiten dabei zum Einsatz kommen. Beispielsweise können folgende Reinigungsflüssigkeiten verwendet werden: Wässrige Lösungen von Ammoniak (NH4OH) und Wasserstoffperoxid (H2O2), Tetramethylammoniumhydroxid (TMAH) und Wasserstoffperoxid (H2O2), Salzsäure (HCl) und Wasserstoffperoxid (H2O2), Flusssäure (HF), Salzsäure (HCl) oder Mischungen davon, ggf. in Kombination mit Ozon, entionisiertes Wasser mit oder ohne gelöstem Ozon, Lösungen von Tensiden, Komplexbildnern, Isopropanol oder beliebige andere Reinigungsflüssigkeiten gemäß dem Stand der Technik.
  • Vorzugsweise wird die vorliegende Erfindung im Rahmen eines Verfahrens zur nasschemischen Behandlung von Halbleiterscheiben mehrfach eingesetzt, wie in 3 beispielhaft dargestellt: Dabei bilden jeweils zwei oder mehr Flüssigkeitsbehälter 1, die dieselbe Flüssigkeit enthalten, eine Behandlungseinheit 4. Diese Behandlungseinheit 4 steht für einen Behandlungsschritt in herkömmlichen Reinigungsverfahren gemäß dem Stand der Technik. Für jeden Behandlungsschritt in einem Verfahren zur nasschemischen Behandlung wird eine Behandlungseinheit 4 eingesetzt, die eine geeignete Anzahl von Flüssigkeitsbehältern 1 und eine entsprechende Anzahl von Transportvorrichtungen 2 umfasst. Diese Behandlungseinheiten 4 werden in Reihe geschaltet und beispielsweise durch weitere Transportvorrichtungen verbunden. Jede Behandlungseinheit 4 arbeitet mit einer anderen Flüssigkeit, wobei die Flüssigkeit in allen Flüssigkeitsbehältern 1 einer Behandlungseinheit 4 gleich ist. In den Behandlungseinheiten 4 können beispielsweise die zuvor genannten Reinigungsflüssigkeiten verwendet werden. Zwischen den verschiedenen Behandlungseinheiten 4 können sich nicht nur weitere Transportvorrichtungen befinden, sondern auch andersartige Behandlungsvorrichtungen wie beispielsweise Bürsten- oder Walzenreinigungseinheiten (engl. „scrubber”) 71.
  • Bei mehrfacher Anwendung der Erfindung in einem Behandlungsverfahren wird die Halbleiterscheibe 5 vorzugsweise nur ganz am Ende des Verfahrens in einer Trocknungsvorrichtung 77 getrocknet. Beispielsweise kann dafür die in EP817246A2 beschriebene Vorrichtung eingesetzt werden. Beim Übergang von einer Behandlungseinheit 4 zur nächsten findet dagegen vorzugsweise keine Trocknung statt. Stattdessen werden vorzugsweise nach Durchgang der Halbleiterscheibe durch den letzten Flüssigkeitsbehälter 1 einer Behandlungseinheit 4 dieselben Maßnahmen ergriffen wie oben im Rahmen der fünften Ausführungsform für die einzelnen Flüssigkeitsbehälter innerhalb einer Behandlungseinheit beschrieben. Am Beginn des Verfahrens werden die Halbleiterscheiben 5 beispielsweise durch einen Roboter 731 aus einer Kassette 751 entnommen, die auf einer Halterung 741 fixiert ist, und an die erste Transportvorrichtung 2 übergeben. Am Ende der Behandlung werden die Halbleiterscheiben vorzugsweise im trockenen Zustand wiederum durch einen Roboter 732 übernommen und in einer auf einer Halterung 742 fixierte Kassette 752 abgelegt. Um einen kontinuierlichen Betrieb zu gewährleisten, bieten die Halterungen 741, 742 vorzugsweise jeweils Platz für mindestens zwei Kassetten 751, 752. Die Halbleiterscheiben werden, wie für die vierte Ausführungsform beschrieben, mechanisch oder auf einer Wasserstraße oder einer Kombination von beiden fortbewegt. Die Geschwindigkeit kann über die gesamte Anlage konstant sein oder lokal variiert werden, um z. B. das Verweilen in bestimmten Flüssigkeitsbehältern zu verlängern oder zu verkürzen. Die Halbleiterscheiben werden vorzugsweise unmittelbar hintereinander transportiert, wobei deren Abstand konstant ist im Fall einer konstanten Geschwindigkeit und variierend, wenn die Geschwindigkeit variiert. Die Einstellung wird durch den takt-limitierenden Trocknungsschritt am Ende der nasschemischen Behandlung bestimmt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - US 5899216 [0006]
    • - US 6213853 B1 [0006]
    • - EP 817246 A2 [0007, 0026, 0043, 0052]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - „Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology”, Ed. by K. A. Reinhardt und W. Kern, 2nd Edition, 2008, Wiliam Andrew Inc. [0003]
    • - ”Novel Integrated Single Wafer Immersion Megasonics for Advanced Post CMP Cleaning in a Next Generation Dry-in Dry-out CMP System”, J. Tang et al., 2000 DUMIC/CMP-MIC [0004]

Claims (12)

  1. Verfahren zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe (5), bei dem die Halbleiterscheibe (5) entlang einer Transportrichtung (81) durch Transportvorrichtungen (21, 22) durch wenigstens einen ersten Flüssigkeitsbehälter (11) transportiert wird, der mit einer Flüssigkeit (9) gefüllt ist, wobei der Flüssigkeitsbehälter (11) in zwei gegenüberliegenden Seitenwänden eine jeweils unterhalb der Oberfläche der Flüssigkeit (9) liegende Eingangs- (31) und eine Ausgangsöffnung (32) aufweist, wobei die senkrecht zur Transportrichtung (81) der Halbleiterscheibe (5) gemessene Breite des Flüssigkeitsbehälters (11) größer ist als die Breite der Halbleiterscheibe (5) und die in Transportrichtung (81) gemessene Länge des Flüssigkeitsbehälters (11) kleiner ist als die Länge der Halbleiterscheibe (5) und wobei die Halbleiterscheibe (5) – durch eine erste Transportvorrichtung (21) senkrecht zur Transportrichtung (81) fixiert und in Transportrichtung (81) zur Eingangsöffnung (31) des ersten Flüssigkeitsbehälters (11) und durch diese hindurch in den ersten Flüssigkeitsbehälter (11) transportiert wird, – durch den ersten Flüssigkeitsbehälter (11) von der Eingangsöffnung (31) zur Ausgangsöffnung (32) hindurch transportiert wird, wobei die innerhalb des ersten Flüssigkeitsbehälters (11) befindlichen Teile der Halbleiterscheibe (5) ausschließlich mit der Flüssigkeit (9) in Kontakt kommen, und gleichzeitig die Halbleiterscheibe (5) zu jedem Zeitpunkt durch die erste (21) oder eine zweite Transportvorrichtung (22) oder durch beide senkrecht zur Transportrichtung (81) fixiert wird und – durch die zweite Transportvorrichtung (22) senkrecht zur Transportrichtung (81) fixiert und in Transportrichtung (81) von der Ausgangsöffnung (32) des ersten Flüssigkeitsbehälters (11) wegtransportiert wird.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die Halbleiterscheibe (5) von der zweiten Transportvorrichtung (22) zur Eingangsöffnung (31) eines zweiten Flüssigkeitsbehälters (12) und durch diese hindurch in den zweiten Flüssigkeitsbehälter (12) transportiert wird, – durch den zweiten Flüssigkeitsbehälter (12) von der Eingangsöffnung (31) zur Ausgangsöffnung (32) hindurch transportiert wird, wobei die innerhalb des zweiten Flüssigkeitsbehälters (12) befindlichen Teile der Halbleiterscheibe (5) ausschließlich mit der Flüssigkeit (9) in Kontakt kommen, und gleichzeitig die Halbleiterscheibe (5) zu jedem Zeitpunkt durch die zweite (22) oder eine dritte Transportvorrichtung (23) oder durch beide senkrecht zur Transportrichtung (81) fixiert wird, und – durch die dritte Transportvorrichtung (23) senkrecht zur Transportrichtung (81) fixiert und in Transportrichtung (81) von der Ausgangsöffnung (32) des zweiten Flüssigkeitsbehälters (12) wegtransportiert wird.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Flüssigkeitsbehälter (11) und der zweite Flüssigkeitsbehälter (12) die gleiche Flüssigkeit (9) enthalten.
  4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheibe (5) in im wesentlichen horizontaler Lage transportiert wird und dass die Ein- (31) und Ausgangsöffnungen (32) im wesentlichen horizontal angeordnete Schlitze sind, deren Höhe geringfügig größer ist als die Dicke der Halbleiterscheibe (5) und deren Länge geringfügig größer ist als die Breite der Halbleiterscheibe (5).
  5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass Flüssigkeit aus den Flüssigkeitsbehältern (11, 12, 1) durch die Ein- (31) und Ausgangsöffnungen (32) abfließt und für jeden Flüssigkeitsbehälter (11, 12, 1) getrennt gesammelt, filtriert und wieder in den betreffenden Flüssigkeitsbehälter (11, 12, 1) zurückgeführt wird.
  6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Zeit, während der sich ein Punkt auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe (5) zwischen dem ersten (11) und zweiten Flüssigkeitsbehälter (12) befindet, kürzer als die Zeit, während der sich die Halbleiterscheibe (5) im ersten Flüssigkeitsbehälter (11) befindet und kürzer als die Zeit, während der sich die Halbleiterscheibe (5) im zweiten Flüssigkeitsbehälter (12) befindet, ist.
  7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheibe (5) zwischen dem Austritt aus dem ersten (11) und dem Eintritt in den zweiten Flüssigkeitsbehälter (12) nicht getrocknet wird.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass beim Austritt der Halbleiterscheibe (5) aus dem ersten Flüssigkeitsbehälter (11) ein Flüssigkeitsfilm mit definierter Dicke auf der gesamten Fläche der Halbleiterscheibe (5) verbleibt.
  9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Transportvorrichtungen (21, 22, 2) aus wenigstens einem Rollenpaar besteht, wobei die Halbleiterscheibe auf beiden Seiten von jeweils einer Rolle kontaktiert und durch Rotation der Rollen transportiert wird.
  10. Vorrichtung zur nasschemischen Behandlung einer Halbleiterscheibe (5), umfassend wenigstens einen ersten Flüssigkeitsbehälter (11), der mit einer Flüssigkeit (9) gefüllt werden kann, eine Transportvorrichtung (21) vor dem ersten Flüssigkeitsbehälter (11) und eine Transportvorrichtung (22) nach dem ersten Flüssigkeitsbehälter (12), mit denen die Halbleiterscheibe (5) in einer Transportrichtung (81) durch den ersten Flüssigkeitsbehälter (11) hindurch transportiert werden kann, – wobei der Flüssigkeitsbehälter (11) eine Eingangs- (31) und eine Ausgangsöffnung (32) in zwei gegenüberliegenden Seitenwänden aufweist, durch die die Halbleiterscheibe (5) in den bzw. aus dem Flüssigkeitsbehälter (11) transportiert werden kann, – wobei die senkrecht zur Transportrichtung (81) der Halbleiterscheibe (5) gemessene Breite des Flüssigkeitsbehälters (11) größer ist als die in Transportrichtung (81) gemessene Länge des Flüssigkeitsbehälters (11), – wobei innerhalb des Flüssigkeitsbehälters (11) keine Führungselemente vorhanden sind, die die Halbleiterscheibe (5) berühren, während sie durch den Flüssigkeitsbehälter (11) transportiert wird und – wobei die Transportvorrichtungen (21, 22) so gestaltet sind, dass eine Halbleiterscheibe (5), die durch den Flüssigkeitsbehälter (11) transportiert wird, zu jedem Zeitpunkt von wenigstens einer Transportvorrichtung (21, 22) gehalten und weitertransportiert wird.
  11. Vorrichtung gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass sie zusätzlich – einen zweiten gleichartigen Flüssigkeitsbehälter (12), der sich bezüglich der zweiten Transportvorrichtung (22) dem ersten Flüssigkeitsbehälter (11) gegenüber befindet sowie – eine dritte Transportvorrichtung (23), die sich bezüglich dem zweiten Flüssigkeitsbehälter (12) der zweiten Transportvorrichtung (22) gegenüber befindet, umfasst, sodass eine Halbleiterscheibe (5), die nacheinander durch den ersten (11) und zweiten Flüssigkeitsbehälter (12) transportiert wird, zu jedem Zeitpunkt von wenigstens einer Transportvorrichtung (21, 22, 23) gehalten und weitertransportiert wird.
  12. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine der Transportvorrichtungen (2) aus wenigstens einem Rollenpaar besteht, wobei zumindest eine der Rollen durch einen Motor angetrieben wird und wobei die Rollen derart angeordnet sind, dass eine Halbleiterscheibe (5) auf beiden Seiten von jeweils einer Rolle kontaktiert und durch Rotation der Rollen transportiert werden kann.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010026352A1 (de) 2010-05-05 2011-11-10 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
US12068149B2 (en) 2018-06-07 2024-08-20 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0817246A2 (de) 1996-06-24 1998-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Vorrichtung und Verfahren zur Nassreinigung oder zum Ätzen eines flachen Substrats
US5899216A (en) 1996-07-08 1999-05-04 Speedfam Corporation Apparatus for rinsing wafers in the context of a combined cleaning rinsing and drying system
EP0993023A1 (de) * 1998-10-05 2000-04-12 Agfa-Gevaert N.V. Verfahren zur Übertragung eines bahn- oder blattförmigen Materials in einem Reinraum
EP1054457A2 (de) * 1999-05-20 2000-11-22 Kaneka Corporation Verfahren und Apparat zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
US6213853B1 (en) 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0817246A2 (de) 1996-06-24 1998-01-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Vorrichtung und Verfahren zur Nassreinigung oder zum Ätzen eines flachen Substrats
US5899216A (en) 1996-07-08 1999-05-04 Speedfam Corporation Apparatus for rinsing wafers in the context of a combined cleaning rinsing and drying system
US6213853B1 (en) 1997-09-10 2001-04-10 Speedfam-Ipec Corporation Integral machine for polishing, cleaning, rinsing and drying workpieces
EP0993023A1 (de) * 1998-10-05 2000-04-12 Agfa-Gevaert N.V. Verfahren zur Übertragung eines bahn- oder blattförmigen Materials in einem Reinraum
EP1054457A2 (de) * 1999-05-20 2000-11-22 Kaneka Corporation Verfahren und Apparat zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Handbook of Silicon Wafer Cleaning Technology", Ed. by K. A. Reinhardt und W. Kern, 2nd Edition, 2008, Wiliam Andrew Inc.
"Novel Integrated Single Wafer Immersion Megasonics for Advanced Post CMP Cleaning in a Next Generation Dry-in Dry-out CMP System", J. Tang et al., 2000 DUMIC/CMP-MIC

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010026352A1 (de) 2010-05-05 2011-11-10 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung einer Halbleiterscheibe
WO2011138304A1 (de) 2010-05-05 2011-11-10 Siltronic Ag Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen material abtragenden bearbeitung einer halbleiterscheibe
US12068149B2 (en) 2018-06-07 2024-08-20 Acm Research (Shanghai) Inc. Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers

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