DE102006052061B4 - Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren - Google Patents
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Abstract
Verfahren
zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren (3, 4), die einen Plasmaprozess
mit HF-Leistung
versorgen, bei dem durch jeden der HF-Leistungsgeneratoren (3, 4) ein HF-Leistungssignal
(G, H) erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein
Pulssignal (E, F) und zumindest ein HF-Ansteuersignal (C, D) erzeugt
wird, und unter Beaufschlagung jedes der HF-Leistungsgeneratoren
mit jeweils einem HF-Ansteuersignal (C, D) und einem Pulssignal
(E, F) ein gepulstes HF-Leistungssignal (G, H) erzeugt wird.
Description
- Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren, die einen Plasmaprozess mit HF-Leistung versorgen, gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.
- HF-Plasmaprozesse werden beispielsweise zum Ätzen, Beschichten und Veraschen verwendet. Bislang wurden in solchen Prozessen relativ kleine Flächen bearbeitet. In Plasmaprozessen sollen jedoch immer größere Flächen, beispielsweise größere Wafer in der Halbleiterindustrie oder größere Flatpaneldisplays, bearbeitet werden. Während es bisher relativ einfach möglich war, ein homogenes Plasma über der zu bearbeitenden Fläche zu erzeugen, so gelangen die Dimensionen der nunmehr zu beschichtenden oder zu ätzenden Flächen in den Bereich der Wellenlänge der Anregungssignale des Plasmas oder der Harmonischen der Anregungssignale. Dadurch kommt es zu Wellenstrukturen im Plasma und sind homogene Plasmabearbeitungen nur sehr schwer möglich.
- Um dem entgegenzuwirken ist es bekannt, mehrere HF-Plasmageneratoren zu verwenden, die bei unterschiedlichen oder gleichen Frequenzen betrieben werden. Aus der
US 5,698,062 A ist beispielsweise eine HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung bekannt geworden, die eine Niederspannungsquelle und einen Frequenzteiler aufweist. Über den Frequenzteiler werden zwei HF-Verstärker, die auch als HF-Leistungsgeneratoren betrachtet werden können, angesteuert. Diese Speisen an unterschiedlichen Stellen HF-Leistung in den Plasmaprozess ein. - Aus der
US 5,824,606 A ist es bekannt, zwei HF-Leistungsgeneratoren mit derselben Frequenz anzusteuern und über diese HF-Leistungsgeneratoren an unterschiedlichen Stellen im Plasmaprozess HF-Leistung einzuspeisen. Über einen Phasenschieber wird die Phasenlage der von den HF-Leistungsgeneratoren abgegebenen Signale zueinander eingestellt. - Die
US 6,673,724 B2 beschreibt eine Anordnung, bei der in einem ersten Signalgenerator unter Verwendung einer DC-Spannungsversorgung und eines ersten Signalformmodulators ein erstes Signal für eine erste Elektrode erzeugt wird und in einem zweiten Signalformgenerator unter Verwendung eines HF-Leistungsgenerators und eines zweiten Signalformmodulators ein zweites Signal für eine zweite Elektrode einer Plasmakammer erzeugt. - Aus der
US 5,928,528 A ist es bekannt, eine Elektrode einer Plasmakammer zur Plasmaerzeugung mit einem gepulsten HF-Signal zu versorgen. Weiterhin ist es bekannt, ein Substrat mit einer gepulsten Gleichspannung zu versorgen. Das Ansteuersignal ist ein Gleichsignal, welches über ein Pulssignal gepulst wird und dann an das Substrat gegeben wird. Diese Versorgung des Substrats mit einer gepulsten Spannung dient lediglich dazu, eine Vorspannung an dem Substrat zu erzeugen. Durch diese Spannung wird kein Plasma erzeugt. - Aus der
DE 41 22 624 A1 ist es bekannt, ein HF-Signal zu erzeugen, mit welchem ein Plasmaprozess versorgt wird. Bei Leistungsfehlanpassung kann der Hochfrequenzgenerator im Schutzbetrieb gefahren werden, wobei die Ausgangsleistung gepulst oder getaktet wird. - Aus der
EP 1 589 793 A1 ist es bekannt, mit mehreren HF-Leistungsgeneratoren einen Plasmaprozess mit HF-Leistung zu versorgen. Über einen Oszillator wird auch ein HF-Ansteuersignal erzeugt, durch das die HF-Leistungsgeneratoren angesteuert werden. - Die
DE 43 22 608 C2 offenbart, entweder über eine Halbbrücke oder eine Vollbrücke ein HF-Leistungssignal zu erzeugen und einen Plasmaprozess mit dieser HF-Leistung zu versorgen. - Aus der
DE 103 09 711 A1 ist es bekannt, zur Plasmaerzeugung einen Plasmagenerator durch einen Pulsgeber anzusteuern. Hierdurch entsteht eine gepulste Plasmaleistung, also ein gepulstes HF-Leistungssignal zur Versorgung eines Plasmaprozesses. Weiterhin ist aus derDE 103 09 711 A1 bekannt, einen Substratleistungsgenerator zu pulsen. Diese Leistung wird nicht zur Versorgung des Plasmaprozesses mit HF-Leistung verwendet. - In der FPD-Herstellung laufen Versuche, Plasma mit MF (10 kHz bis 1 MHz) anzuregen. Dazu werden mehrere Elektrodenpaare in unmittelbarer Nähe zu weiteren Elektrodenpaaren angeordnet. Jedes Elektrodenpaar wird von einem MF-Generator versorgt. Die MF-Generatoren laufen nicht synchron und nicht zwingend mit der gleichen Frequenz. Deswegen kann es zu hohen Spannungen und Schwebungen zwischen zwei benachbarten Elektrodenpaaren kommen. Diese hohen Spannungen können zu Arcs zwischen den benachbarten Elektrodenpaaren führen, die höchst unerwünscht sind. Es wäre vorteilhaft, wenn die Generatoren synchronisiert werden könnten und die Phase der einzelnen Generatoren eingestellt werden könnten.
- Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren und eine Einrichtung bereitzustellen, mit denen eine möglichst flexible Leistungsversorgung unterschiedlicher Elektroden einer Plasmakammer ermöglicht wird.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß auf besonders einfache und überraschende Art und Weise durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Es wird zumindest ein Pulssignal erzeugt und unter Verwendung von jeweils einem Ansteuersignal und einem Pulssignal durch jeden HF-Leistungsgenerator ein gepulstes HF-Leistungssignal erzeugt. Dadurch ist es möglich, unterschiedliche Elektroden, die an jeweils einen HF-Leistungsgenerator angeschlossen sind, mit nahezu beliebig einstellbaren Leistungssignalen zu versorgen. Über das Ansteuersignal, das beispielsweise einen oder mehrere schaltenden Elemente des HF-Leistungsgenerators schaltet, kann beispielsweise die Signalform und/oder die Frequenz eines von einem HF-Leistungsgenerator abgegebenen HF-Leistungssignals eingestellt werden. Durch das Pulssignal kann das HF-Leistungssignal gepulst werden. Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, dass schon das Ansteuersignal gepulst wird, also quasi in Abhängigkeit von dem Pulssignal ein – und ausgeschaltet wird. Das Pulsverhalten des gepulsten HF-Leistungssignals kann durch das Pulssignal eingestellt werden. Somit werden einem Benutzer eine Vielzahl von Parametern an die Hand gegeben, um die einem Plasmaprozess zugeführte Leistung zu beeinflussen. Grundsätzlich ist es denkbar, dasselbe Ansteuersignal für alle HF-Leistungsgeneratoren zu generieren und unterschiedliche Pulssignale für die HF-Leistungsgeneratoren zu erzeugen. Andererseits ist es denkbar, für jeden HF-Leistungsgenerator ein eigenes Ansteuersignal zu generieren und für alle HF-Leistungsgeneratoren dasselbe Pulssignals zu verwenden.
- Bei einer besonders bevorzugten Verfahrensvariante kann vorgesehen sein, dass für jeden HF-Leistungsgenerator ein Pulssignal erzeugt wird. Dadurch ist es möglich, am Ausgang jedes HF-Leistungsgenerators unterschiedlich gepulste HF-Leistungssignale zu generieren.
- Eine weitere Flexibilität in der Generierung von gepulsten HF-Leistungssignalen ergibt sich, wenn die Pulsfrequenz und/oder das Tastverhältnis und/oder die Phasenlage eines oder mehrerer Pulssignale eingestellt wird. Somit entsteht eine Vielzahl von Möglichkeiten der Leistungsbeeinflussung in einem Plasmaprozess. Das Tastverhältnis kann dabei im Bereich 0–100% eingestellt werden.
- Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Phasenlage und/oder eine Frequenzbeziehung von unterschiedlichen HF-Leistungsgeneratoren zugeordneten Pulssignalen eingestellt wird. Somit kann eine für einen Plasmaprozess optimale und abgestimmte Leistungszufuhr über unterschiedliche Elektroden erfolgen. Dadurch ist es auch möglich, die Pulssignale bei Bedarf zu synchronisieren. Beispielsweise können die Pulssignale mit derselben Frequenz erzeugt werden, jedoch jeweils einen Phasenversatz zueinander aufweisen. Beispielsweise können sie gleichphasig, gegenphasig oder in einer beliebigen Phase zueinander sein. Weiterhin ist es denkbar, dass zumindest zwei Pulssignale unterschiedliche Frequenzen aufweisen. Dabei können die Frequenzen beliebig gewählt werden oder in einer bestimmten mathematischen Beziehung zueinander stehen.
- Eine Verfahrensvariante zeichnet sich dadurch aus, dass die Pulsfrequenz kleiner ist als die Frequenz des demselben HF-Leistungsgenerator zugeordneten Ansteuersignals. Beispielsweise kann die Pulsfrequenz im Bereich 1 Hz–1 MHz und die Frequenz des Ansteuersignals im Bereich 10 kHz–300 MHz gewählt werden.
- Weiterhin kann vorgesehen sein, dass die Pulsfrequenz synchron oder asynchron zu der Frequenz des demselben HF-Leistungsgenerator zugeordneten Ansteuersignals eingestellt wird. Beispielsweise können das Pulssignal und das Ansteuersignal so aufeinander abgestimmt werden, dass das Ansteuersignal nur zu Beginn oder zum Ende einer vollständigen Periode des Ansteuersignals gepulst wird. Zum Beispiel kann vorgesehen sein, dass die steigenden und/oder fallenden Flanken des Pulssignals nur bei einem Nulldurchgang des Ansteuersignals auftreten.
- Besonders bevorzugt ist es, wenn für jeden HF-Leistungsgenerator ein Ansteuersignal erzeugt wird. Dadurch kann eine besonders flexible Leistungszufuhr in den Plasmaprozess erfolgen.
- Bei einer Verfahrensvariante kann vorgesehen sein, dass die Ansteuersignale und/oder die Pulssignale unter Verwendung je eines Funktionsgenerators, insbesondere digitalen Funktionsgenerators, bevorzugt digitalen Sinusgenerators, erzeugt werden. Durch die Verwendung je eines digitalen Funktionsgenerators, die jeder für sich unabhängig einstellbar sind, bei der Erzeugung der Ansteuersignale und/oder Pulssignale ist es möglich, nahezu beliebige Ansteuersignale und/oder Pulssignale zu erzeugen. Insbesondere lassen sich die Frequenz und die Phasenlage jedes einzelnen Ansteuersignals und/oder Pulssignals sowie unterschiedliche Beziehungen der unterschiedlichen Ansteuersignale und/oder Pulssignale zueinander einstellen. Dies führt dazu, dass die HF-Leistungseinspeisung in den Plasmaprozess gezielt eingestellt und variiert werden kann. Somit ist es möglich, eine geeignete Kombination von Ansteuersignalen und/oder Pulssignalen für unterschiedliche HF-Leistungsgeneratoren zu erzeugen, so dass es wiederum möglich ist, das Plasma auch bei einer großflächigen Beschichtung oder bei großflächigen Ätzprozessen zu homogenisieren. Im Sinne dieser Erfindung wird unter Hochfrequenz eine Frequenz im Bereich 10 kHz–300 MHz verstanden.
- Bei einer bevorzugten Verfahrensvariante wird eine Phasen- und/oder Frequenzbeziehung der Ansteuersignale zueinander eingestellt. Hierbei sind verschiedene Szenarien, je nach Anwendungsbereich, denkbar. Beispielsweise können die Ansteuersignale mit derselben Frequenz erzeugt werden, jedoch jeweils einen Phasenversatz zueinander aufweisen. Dadurch kann beispielsweise die Spannungsdifferenz zwischen zwei Elektroden eingestellt werden. Dies hat Einfluss auf die Impedanz der HF-Leistungsgeneratoren am Ausgang, die Ausgangsleistung für eine vorgegebene DC-Spannung, das Arc-Verhalten und die Ionenenergie in Plasma.
- Weiterhin ist es denkbar, dass zumindest zwei Ansteuersignale und/oder Pulssignale unterschiedliche Frequenzen aufweisen. Dabei können die Frequenzen beliebig gewählt werden oder in einer bestimmten mathematischen Beziehung zueinander stehen. Beispielsweise können die Frequenzen als Vielfache einer Grundfrequenz gewählt werden. Es ist also eine Synchronisation der Ansteuersignale möglich.
- Die Einstellung der Ansteuersignale und/oder der Pulssignale kann vorzugsweise über mindestens eine digitale Schnittstelle der HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung erfolgen. Dabei kann vorgesehen sein, dass mehrere Funktionsgeneratoren durch eine einzige Schnittstelle beeinflussbar sind. Es versteht sich, dass auch für jeden Funktionsgenerator eine Schnittstelle vorgesehen sein kann.
- Vorteilhafterweise erfolgt die Einstellung der Ansteuersignale und/oder der Pulssignale über einen programmierbaren Logikbaustein, insbesondere einen FPGA oder Prozessor.
- Wenn die Frequenzen der Ansteuersignale als ganzzahlige Vielfache einer festen Frequenz im Bereich 1–6 MHz, insbesondere als ganzzahlige Vielfache von 3,39 MHz gewählt werden, kann das Verfahren besonders vorteilhaft bei Ätzprozessen eingesetzt werden. Durch eine Multiplikation der Frequenz von 3,39 MHz mit dem Faktor 4 gelangt man zu der besonders bevorzugten ISM (Industrial, Scientific, and Medical)-Frequenz von 13,56 MHz und durch eine Multiplikation mit dem Faktor 8 zu der ISM-Frequenz von 27,12 MHz. Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist es dabei insbesondere möglich, ein Ansteuersignal bei einer ISM-Frequenz und ein anderes Ansteuersignal bei einem anderen Vielfachen der Frequenz 3,39 MHz zu erzeugen. Vorteilhafterweise ist die Taktfrequenz ein ganzzahliges Vielfaches der besonders bevorzugten ISM-Frequenz 13,56 MHz, so können die besonders bevorzugten ISM-Frequenzen besonders einfach eingestellt werden.
- Vorteilhafterweise werden die digitalen Frequenzgeneratoren durch eine gemeinsame Taktfrequenz angesteuert. Durch diese Maßnahme lässt sich die Frequenz und Phasenbeziehung zweier Ansteuersignale zueinander besonders einfach einstellen. Weiterhin ist es denkbar, dass auch ein Prozessor, der die Funktionsgeneratoren ansteuert ebenfalls mit der gemeinsamen Taktfrequenz versorgt wird, so dass sichergestellt ist, dass Daten von dem Prozessor in den Funktionsgeneratoren synchron übernommen werden.
- In den Rahmen der Erfindung fallen außerdem eine HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 18 und eine HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 19. Dadurch kann die Homogenität eines Plasmas nahezu beliebig eingestellt werden.
- Ein hoher Integrationsgrad ergibt sich, wenn die Pulssignalerzeugungsanordnung(en) in der Ansteuereinrichtung angeordnet sind.
- Bei einer bevorzugten Ausführungsform kann vorgesehen sein, dass die Ansteuersignalerzeugungsanordnungen und/oder die Pulssignalerzeugungsanordnungen jeweils einen insbesondere digitalen Funktionsgenerator, insbesondere Sinusgenerator, aufweisen. Mit einer derartigen Anordnung wird eine vielfältige Erzeugung von Ansteuersignalen möglich. Insbesondere können Phasenlage und Frequenz jedes einzelnen Signals frei eingestellt werden. Somit ergeben sich viele Möglichkeiten, die HF-Leistungsgeneratoren und damit den Plasmaprozess zu beeinflussen. Besonders bevorzugt ist der AD9959 von Analog Devices, in dem gleich vier digitale Funktionsgeneratoren integriert sind.
- Besonders bevorzugt ist es, wenn der Funktionsgenerator als DDS (Direct Digital Synthesizer) ausgebildet ist. Mit einem DDS kann insbesondere ein stufenförmiges Sinussignal erzeugt werden. Die Phasenlage kann dabei im Wesentlichen frei eingestellt werden. Die Frequenz kann je nach Leistungsfähigkeit des DDS in einem weiten Bereich ebenfalls eingestellt werden.
- Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Ansteuersignalerzeugungsanordnungen und/oder die Pulssignalerzeugungsanordnungen eine dem digitalen Funktionsgenerator nachgeschaltete Filtereinrichtung aufweisen. Das Ausgangssignal des digitalen Funktionsgenerators kann stufenförmig sein, insbesondere eine stufenförmige Sinusform aufweisen. Wird dieses Signal an eine Filtereinrichtung gegeben, so kann die Kurve dadurch geglättet werden, so dass ein analoges Sinussignal entsteht. Mit einem solchen Sinussignal können bestimmte HF-Leistungsgeneratoren angesteuert werden.
- Um ein Ansteuersignal für neuere HF-Leistungsgeneratoren oder ein Pulssignal zu erzeugen, ist es vorteilhaft, wenn die Ansteuersignalerzeugungsanordnungen und/oder die Pulssignalerzeugungsanordnungen einen das jeweilige Ansteuersignal oder das Pulssignal erzeugenden Komparator aufweisen. Durch einen Komparator kann beispielsweise aus einem geglätteten Sinussignal ein Rechtecksignal gewonnen werden, mit dem der HF-Leistungsgenerator angesteuert werden kann. Dabei kann vorgesehen sein, dass der Funktionsgenerator selbst einen Komparator aufweist, so dass das digitalisierte Sinussignal zunächst auf eine Filtereinrichtung gegeben wird, wo es geglättet wird, und das dort erhaltene Signal wieder an den Funktionsgenerator übergeben wird, wo es dem Komparator des Funktionsgenerators zugeführt wird.
- Besonders bevorzugt ist es, wenn ein Prozessor zur Ansteuerung der Ansteuersignal- und/oder Pulssignalerzeugungsanordnungen vorgesehen ist. Dadurch besteht die Möglichkeit, die Funktionsgeneratoren der Signalgeneratoranordnungen gezielt zu programmieren. Der Prozessor kann über eine oder mehrere Schnittstellen steuerbar und/oder programmierbar sein. Ein Prozessor (derselbe oder ein anderer) kann auch Bestandteil der Pulssignalerzeugungsanordnungen sein, indem er die Pulssignale erzeugt.
- Eine Synchronisation wird möglich, wenn ein Oszillator zur Erzeugung eines Taktsignals vorgesehen ist, der mit den Signalerzeugungsanordnungen und/oder dem Prozessor verbunden ist.
- Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung kann zumindest eine Schnittstelle, insbesondere eine digitale Schnittstelle und/oder Benutzerschnittstelle (Bedienpanel), vorgesehen sein. Dadurch ist es möglich, insbesondere über den Prozessor, auf die Funktionsgeneratoren zuzugreifen. So kann beispielsweise die Frequenz oder die Phase in einem vorgegebenen Bereich durch einen Benutzer geändert werden. Mithilfe solcher Schnittstellen ist es außerdem möglich, eine automatische Regelung der Ansteuersignale und/oder der Pulssignale, insbesondere der Frequenzen und Phasenlagen der Signale, durchzuführen. Es kann vorgesehen sein, dass mindestens zwei Signalgeneratoranordnungen von einer Schnittstelle steuerbar sind. Dabei sind jeweils beide Signalgeneratoranordnungen steuerbar und können sowohl in Frequenz als auch in Phase jeweils unabhängig oder abhängig voneinander eingestellt werden.
- Die HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung kann weiterhin oder alternativ zu dem Prozessor einen programmierbaren digitalen Logikbaustein, insbesondere einen FPGA, aufweisen, der an die Schnittstelle(n) und/oder an die Signalgeneratoranordnungen angeschlossen ist, wobei der digitale Logikbaustein als Prozessor ausgebildet sein kann. Insbesondere können ihm zumindest ein Pulssignal und zumindest ein Ansteuersignal zugeführt sein. In diesem Fall kann der Logikbaustein die Signale synchronisieren.
- Eine HF-Plasmaanregungsanordnung kann wenigstens zwei HF-Leistungsgeneratoren, die durch eine oben beschriebene HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung angesteuert sind, umfassen. Dabei können HF-Plasmaanregungsanordnungen solche sein, wie sie beispielsweise in der FPD-Herstellung bei Frequenzen von 3,39 MHz und deren Vielfachen eingesetzt werden. Außerdem können solche HF-Plasmaanregungsanordnungen auch Beschichtungsanlagen im Bereich von 10 kHz bis 1 MHz sein, in denen mehrere Elektrodenpaare in unmittelbarer Nähe angeordnet sind und in denen die Ausgangssignale benachbarter Generatoren synchronisiert werden und deren Phasenlage gegeneinander eingestellt wird.
- Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, anhand der Figuren der Zeichnung, die erfindungswesentliche Einzelheiten zeigen, und aus den Ansprüchen. Die einzelnen Merkmale können je einzeln für sich oder zu mehreren in beliebiger Kombination bei einer Variante der Erfindung verwirklicht sein.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung schematisch dargestellt und werden nachfolgend mit Bezug zu den Figuren der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
-
1 eine schematische Darstellung einer HF-Plasmaanregungsanordnung; -
2a eine erste Ausführungsform einer HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung; -
2b eine zweite Ausführungsform einer HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung; -
2c eine dritte Ausführungsform einer HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung; -
3 eine Darstellung von Signalverläufen an den Stellen A, B, C der2 ; -
4a –4c beispielhaft mehrere mögliche Kombinationen von Ansteuersignalen; -
5a –5d beispielshaft mehrere Pulssignale; -
6a ,6b Signalverläufe gepulster HF-Signale; -
7a ,7b Diagramme zur Darstellung eines mit einem Pulssignal synchronisierten Ansteuersignals und eines zu einem Pulssignal asynchronen Ansteuersignals. - Die
1 zeigt eine HF-Plasmaanregungsanordnung1 , die eine noch näher zu beschreibende HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung2 aufweist, die im Ausführungsbeispiel zwei Ansteuersignale C, D und zwei Pulssignale E, F für einen ersten und einen zweiten HF-Leistungsgenerator3 ,4 generiert. Unter Verwendung dieser Signale erzeugen die HF-Leistungsgeneratoren3 ,4 an ihren Ausgängen gepulste HF-Leistungssignale G, H, wie sie beispielsweise in den6a ,6b dargestellt sind. - Die Pulssignale E, F können mit den Ansteuersignalen C, D synchronisiert sein, was in
7a gezeigt ist. Dies bedeutet, dass die Phasenlage der Grundfrequenz (Ansteuersignal) in Bezug auf die Phasenlage des Pulssignals fest eingestellt ist. Die Phasenbeziehung bleibt also gleich. -
7b zeigt den anderen möglichen Fall, wo das Ansteuersignal C und das Pulssignal E asynchron sind, d. h. die Phasenbeziehung ändert sich. - Die gepulsten HF-Leistungssignale G, H werden über ein Anpassungsnetzwerk
5 ,6 Elektroden32 ,33 einer Plasmakammer7 zugeführt. In dieser wird durch Einspeisen von HF-Leistung über die zwei HF-Leistungsgeneratoren3 ,4 ein Plasmaprozess durchgeführt. - In der
2a ist die HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung2 dargestellt. Diese umfasst im Ausführungsbeispiel zwei Ansteuersignalgeneratoranordnungen10 ,11 zur Erzeugung der Ansteuersignale. Über einen Prozessor12 wird den Ansteuersignalgeneratoranordnungen10 ,11 vorgegeben, welche Art von Ansteuersignal erzeugt werden soll. Insbesondere werden die Frequenz und Phase des Ansteuersignals vorgegeben. Aufgrund dieser Vorgabe wird in digitalen Funktionsgeneratoren13 ,14 ein Signal erzeugt, wie dies beispielsweise durch das Signal A (3 , das Signal A entspricht dem Signal an der Stelle A der2 ) dargestellt ist. Da das Signal A digital erzeugt wird, ist es stufenförmig. Dieses Signal wird einer Filtereinrichtung15 beziehungsweise16 zugeführt, wo eine Glättung erfolgt, so dass beispielsweise ein sinusförmiges Signal B erzeugt wird. Dieses kann nun wiederum einem Komparator17 ,18 zugeführt werden, der daraus ein Rechtecksignal gemäß Signal C erzeugt. - Die HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung
2 umfasst im Ausführungsbeispiel weiterhin zwei Pulssignalgeneratoranordnungen21 ,22 zur Erzeugung von Pulssignalen. Über einen Prozessor12 wird den Pulssignalgeneratoranordnungen21 ,22 vorgegeben, welche Art von Pulssignal erzeugt werden soll. Insbesondere werden die Frequenz und Phase des Pulssignals vorgegeben. Aufgrund dieser Vorgabe wird in digitalen Funktionsgeneratoren23 ,24 ein Signal erzeugt. Dieses Signal wird einer Filtereinrichtung25 beziehungsweise26 zugeführt, wo eine Glättung erfolgt, so dass beispielsweise ein sinusförmiges Signal erzeugt wird. Dieses kann nun wiederum einem Komparator27 ,28 zugeführt werden, der daraus ein Rechtecksignal erzeugt. - Die HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung
2 umfasst weiterhin einen Oszillator19 , der einen gemeinsamen Takt vorgibt. Insbesondere liefert der Oszillator19 seinen Takt an die digitalen Funktionsgeneratoren13 ,14 ,23 ,24 die im Ausführungsbeispiel als so genannte DDS ausgeführt sind, und an den Prozessor12 . Um die Erzeugung der Ansteuersignale und Pulssignale beeinflussen zu können, können Schnittstellen20 vorgesehen sein, von denen in der2 nur eine dargestellt ist. Beispielsweise kann einem Benutzer dadurch die Möglichkeit gegeben werden, die Phasenlage und/oder die Frequenz der Ansteuersignale und der Pulssignale einzustellen beziehungsweise zu verstellen. Im Prozessor12 kann dabei beispielsweise ein über die Schnittstelle20 eingegebenes Signal im Bereich zwischen 0–5 V auf eine Phase im Bereich zwischen 0–360° abgebildet werden. Es ist jedoch auch denkbar, dass ein vorgegebener Spannungsbereich auf eine Frequenz im Bereich 10 kHz–300 MHz oder auf einen Bereich von Multiplikatoren, mit denen eine Grundfrequenz von zum Beispiel 3,39 MHz multipliziert wird, abgebildet wird. Alternativ kann ein vorgegebener Spannungsbereich auf ganzzahlige Teiler abgebildet werden, mit denen eine vorgegebene Grundfrequenz von beispielsweise 27,12 MHZ dividiert wird. - In der
2b sind im Unterschied zur2a keine separaten Pulssignalgeneratoranordnungen vorgesehen. Die Funktion einer Pulssignalgeneratoranordnung übernimmt der Prozessor12 (Mikroprozessor), der unmittelbar die Pulssignale E, F generiert. - In der Ausführungsform der
2c ist weiterhin ein als FPGA ausgebildeter programmierbarer Logikbaustein40 vorgesehen, dem die von dem Prozessor12 erzeugten Pulssignale ebenso zugeführt sind wie die Ansteuersignale C, D. Durch den Logikbaustein40 werden die Pulssignale mit den Ansteuersignalen C, D synchronisiert, so dass synchronisierte Pulssignale E, F am Ausgang des Logikbausteins40 anliegen. - In den
4a –4c sind unterschiedliche Verläufe für Ansteuersignale C, D gezeigt. In der4a sind die Signale C, D miteinander synchronisiert, wobei das Ansteuersignal C im Vergleich zum Ansteuersignal D die doppelte Frequenz aufweist. - In der
4b haben die Signale C, D dieselbe Frequenzbeziehung, d. h. Signal C hat die doppelte Frequenz des Signals D, jedoch ist das Signal D gegenüber den Signal C phasenverschoben. - In der
4c haben die Signale C, D unterschiedliche Frequenzen und keine bestimmte Phasenbeziehung. Insbesondere hat das Signal D eine Frequenz, die von der des Signals C abweicht. Keines der Signale C, D ist ein ganzzahliges Vielfaches des jeweils anderen Signals C, D. - In den
5a –5d sind beispielhaft Pulssignale E, F gezeigt, wie sie an den Stellen E, F der2 anliegen. Hier ist anzumerken, dass sich die Pulssignale E, F der5a ,5b überlappen, während zwischen der fallenden Flanke des Signals E der5c und der steigenden Flanke des Signals F der5d eine Pause liegt, so dass sich diese Signale nicht überlappen. - Die Erfindung wurde anhand von zwei HF-Leistungsgeneratoren und zwei Ansteuersignalen C, D sowie zwei Pulssignalen E, F erläutert. Er versteht sich, dass HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtungen
2 mit mehr als zwei Ansteuersignalerzeugungsanordnungen10 ,11 und mehr als zwei Pulssignalerzeugungsanordnungen21 ,22 ausgestattet werden können, um entsprechend mehr Ansteuersignale C, D und Pulssignale E, F zu erzeugen, die bezüglich Frequenz und Phase in unterschiedlichen Beziehungen zueinander stehen können.
Claims (27)
- Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren (
3 ,4 ), die einen Plasmaprozess mit HF-Leistung versorgen, bei dem durch jeden der HF-Leistungsgeneratoren (3 ,4 ) ein HF-Leistungssignal (G, H) erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest ein Pulssignal (E, F) und zumindest ein HF-Ansteuersignal (C, D) erzeugt wird, und unter Beaufschlagung jedes der HF-Leistungsgeneratoren mit jeweils einem HF-Ansteuersignal (C, D) und einem Pulssignal (E, F) ein gepulstes HF-Leistungssignal (G, H) erzeugt wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass für jeden HF-Leistungsgenerator (
3 ,4 ) ein Pulssignal (E, F) erzeugt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulsfrequenz und/oder das Tastverhältnis und/oder die Phasenlage eines oder mehrerer Pulssignale (E, F) eingestellt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Phasenlage und/oder eine Frequenzbeziehung von unterschiedlichen HF-Leistungsgeneratoren (
3 ,4 ) zugeordneten Pulssignalen (E, F) eingestellt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulsfrequenz kleiner ist als die Frequenz des demselben HF-Leistungsgenerator (
3 ,4 ) zugeordneten HF-Ansteuersignals (C, D). - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Pulsfrequenz synchron oder asynchron zu der Frequenz des demselben HF-Leistungsgenerator (
3 ,4 ) zugeordneten Ansteuersignals (C, D) eingestellt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für jeden HF-Leistungsgenerator (
3 ,4 ) ein HF-Ansteuersignal (C, D) erzeugt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die HF-Ansteuersignale (C, D) und/oder die Pulssignale (E, F) unter Verwendung je eines Funktionsgenerators (
13 ,14 ,23 ,24 ), erzeugt werden. - Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Funktionsgeneratoren als digitale Funktionsgeneratoren ausgebildet sind.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Phasen- und/oder Frequenzbeziehung der HF-Ansteuersignale (C, D) zueinander eingestellt wird.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei HF-Ansteuersignale (C, D) und/oder Pulssignale (E, F) unterschiedliche Frequenzen aufweisen.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einstellung der HF-Ansteuersignale (C, D) und/oder der Pulssignale (E, F) über mindestens eine digitale Schnittstelle (
20 ) einer HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung (2 ) erfolgt. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Einstellung der HF-Ansteuersignale (C, D) und/oder der Pulssignale (E, F) über einen programmierbaren Logikbaustein erfolgt.
- Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Einstellung der HF-Ansteuersignale (C, D) und/oder Pulssignale (E, F) über einen FPGA oder Prozessor erfolgt.
- Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Frequenzen der HF-Ansteuersignale (C, D) als ganzzahlige Vielfache von 1–6 MHZ gewählt werden.
- Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Frequenzen der HF-Ansteuersignale (C, D) als ganzzahlige Vielfache von 3,39 MHz gewählt werden.
- Verfahren nach einem der Ansprüche, 9 bis 16 dadurch gekennzeichnet, dass die digitalen Funktionsgeneratoren (
13 ,14 ,23 ,24 ) durch eine gemeinsame Taktfrequenz angesteuert werden. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung (
2 ) zur Ansteuerung von zumindest zwei einen Plasmaprozess mit HF-Leistung speisenden HF-Leistungsgeneratoren (3 ,4 ), wobei die Ansteuereinrichtung (2 ) zumindest eine HF-Ansteuersignalerzeugungsanordnung (10 ,11 ) zur Erzeugung zumindest eines HF-Ansteuersignals (C, D) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei Pulssignalerzeugungsanordnungen (21 ,22 ) zur Erzeugung jeweils eines Pulssignals vorgesehen sind. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung (
2 ) zur Ansteuerung von zumindest zwei einen Plasmaprozess mit HF-Leistung speisenden HF-Leistungsgeneratoren (3 ,4 ), wobei die Ansteuereinrichtung (2 ) zumindest eine HF-Ansteuersignalerzeugungsanordnung (10 ,11 ) zur Erzeugung zumindest eines HF-Ansteuersignals (C, D) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest zwei HF- Ansteuersignalerzeugungsanordnungen (10 ,11 ) und zumindest eine Pulssignalerzeugungsanordnung (21 ,22 ) vorgesehen sind. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuersignalerzeugungsanordnungen (
10 ,11 ) und/oder die Pulssignalerzeugungsanordnungen (21 ,22 ) jeweils einen digitalen Funktionsgenerator (13 ,14 ,23 ,24 ) aufweisen. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Funktionsgenerator (
13 ,14 ,23 ,24 ) als DDS (Direct Digital Synthesizer) ausgebildet ist. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach einem der Ansprüche 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Ansteuersignalerzeugungsanordnungen (
10 ,11 ) und/oder die Pulssignalerzeugungsanordnungen (21 ,22 ) eine dem digitalen Funktionsgenerator (13 ,14 ,23 ,24 ) nachgeschaltete Filtereinrichtung (15 ,16 ,25 ,26 ) aufweisen. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass ein Prozessor (
12 ) zur Ansteuerung der Ansteuersignalerzeugungsanordnungen (10 ,11 ) und/oder der Pulssignalerzeugungsanordnungen (21 ,22 ) vorgesehen ist. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 23, dadurch gekennzeichnet, dass ein Prozessor (
12 ) eines oder mehrere Pulssignale (E, F) erzeugt. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach einem der Ansprüche 23 oder 24, dadurch gekennzeichnet, dass ein Oszillator (
19 ) zur Erzeugung eines Taktsignals vorgesehen ist, der mit den Ansteuer- und/oder Pulssignalerzeugungsanordnungen (10 ,11 ,21 ,22 ) und/oder dem Prozessor (12 ) verbunden ist. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 25, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine Schnittstelle (
20 ) zur Beeinflussung der HF-Ansteuer- oder der Pulssignale vorgesehen ist. - HF-Leistungsgeneratoransteuereinrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 26, dadurch gekennzeichnet, dass ein programmierbarer Logikbaustein (
40 ), der an die Schnittstelle (20 ) und/oder an die Signalerzeugungsanordnungen (10 ,11 ,21 ,22 ) angeschlossen ist, vorgesehen ist.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE200610052061 DE102006052061B4 (de) | 2006-11-04 | 2006-11-04 | Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE102006052061A1 DE102006052061A1 (de) | 2008-05-08 |
DE102006052061B4 true DE102006052061B4 (de) | 2009-04-23 |
Family
ID=39264865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE200610052061 Active DE102006052061B4 (de) | 2006-11-04 | 2006-11-04 | Verfahren zur Ansteuerung von zumindest zwei HF-Leistungsgeneratoren |
Country Status (3)
Country | Link |
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US (1) | US8884523B2 (de) |
JP (1) | JP2008117777A (de) |
DE (1) | DE102006052061B4 (de) |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: TRUMPF HUETTINGER GMBH + CO. KG, DE Free format text: FORMER OWNER: HUETTINGER ELEKTRONIK GMBH + CO. KG, 79111 FREIBURG, DE Effective date: 20130801 |
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R082 | Change of representative |
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