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Anwendungsgebiet
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts durch schichtweises Verfestigen eines photohärtenden Materials durch Maskenbelichtung mittels einer gerasterten bildgebenden Einheit mit konstanter Auflösung, wobei die Auflösung in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich verbessert werden soll.
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Stand der Technik
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Für den schichtweisen Aufbau dreidimensionaler Objekte aus „lichthärtenden” Materialien werden in der Literatur unterschiedlichste Verfahren angegeben, siehe hierzu „Automated Fabrication – Improving Productivity in Manufacturing” von Marshall Burns, 1993 (ISBN 0-13-119462-3).
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Diese Efindung betrifft Verfahren, bei denen die zu erzeugende Schicht durch die Belichtung mittels einer gerasterten Maske beruht, wobei die kleinste physikalische Auflösung in der Maske durch die Größe eines Pixels gegeben ist.
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Derzeit bekannte Möglichkeiten sind u. a. die Belichtung durch
- a) Projektionseinheit (auf Basis DLP®/DMD®, LCD, ILA®, etc.)
- b) LC-Display (reflexiv, transmissiv)
- c) LED-, bzw. Laser-Dioden-Zeile/-Matrix (die in XY über die Schicht bewegt wird)
- d) auf MEM's-Technologie (light-valve) basierende Zeile ode Matrix (die in XY über die Schicht bewegt wird)
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Einige dieser Methoden werden in folgenden Patenten beschrieben:
WO 00/21735 A1 ”Rapid Prototyping apparatus and method of Rapid Prototyping” von Dicon AS (DK).
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US-Patent
US5247180A „Stereolithographic Apparatus and Method of use” von Texas Instruments Inc., Sept. 1993.
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US-Patent
US5980813A „Rapid Prototyping using multiple material” von SRI International, Nov. 1999;
Gebrauchsmusterschrift
DE 93 19 405 U1 „Vorrichtung zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts (Modells) nach dem Prinzip der Photoverfestigung” vom Forschungszentrum Informatik an der Universität Karlsruhe, Dez. 1993;
eine Anwendung für die Erzeugung mikrotechnischer, dreidimensionaler Bauteile nach einem ähnlichen Verfahren wird in der Gebrauchsmusterschrift
DE 299 11 122 U1 „Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Objektes”, DeltaMed u. a., Juni 1999, beschrieben.
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EP-Patentanmeldung
EP 1 250 997 A1 „Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensionalen Objektes” der Envision Technologies GmbH, April 2002.
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In der
US 6,180,050 B1 wird eine lineare Scan-Technik zur schichtweisen Verfestigung bei der Herstellung dreidimensionaler Bauteile beschrieben. Die Auflösung wird erhöht, indem ein Belichtungskopf mit einem Array von optischen Fasern, die in Y-Richtung gegeneinander versetzt sind, linear in X-Richtung gescannt werden.
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Die
DE 197 16 240 A1 beschreibt ein Fotoplott-Verfahren und eine Anordnung zur Aufzeichnung eines computergespeicherten Rasterbildes auf einen ebenen lichtempfindlichen Aufzeichungsträger. Dabei werden gewünschte Strukturen (gedruckte Leiterplatten) computerprogrammgesteuert berechnet und als Rasterbild in einem Computer gespeichert. Das Bild wird computerprogrammgesteuert auf einem lichtempfindlichen Aufzeichungsträger aufgezeichnet, der als Vorlage für die Herstellung der gewünschten Struktur (bedruckte Leiterplatten) dient. Im aufgezeichneten Rasterbild werden ”Druckpunkte” weißflächig, fehlende schwarzflächig dargestellt. Die Rastermatrix ist in Form eine LCD-Matrix angeordnet, wobei Licht steuernde Elemente und Computer-Rasterbild-Teilflächen einander zugeordnet sind. Eine Aufzeichnung der den Rasterpunkten entsprechenden Bildelemente erfolgt zu einem nachfolgenden (zweiten) Zeitpunkt derart, dass zum nachfolgenden (zweiten) Zeitpunkt alle Bildelemente gleichzeitig aufgezeichnet werden, und dass eine Lochmatrix mit jeweils einer Öffnung zum Durchtritt eines Lichtstrahls zur Aufzeichnung für den nachfolgenden (zweiten) Zeitpunkt derart verschoben wird, dass der Lichtstrahl jeweils auf die nachfolgende (zweite) Bildelement-Position ausgerichtet ist.
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Das Dokument
WO 02/27408 A2 offenbart ein Stereolithographie-System mit Mikrospiegelablenkungen zur Projektion auf ein Fotoresist. Zur Bildung einer dynamischen Maske wird eine digital Mikrospiegelanzeige (DMD) verwendet.
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Das Dokument
DE 199 29 199 A1 offenbart eine Vorrichtung zum Herstellen eines dreidimensional Objekts unter Verwendung einer Maskenerzeugungseinrichtung umfassend ein in Transmission arbeitendes Flüssigkristall-(LC-)Display mit 800×600 Pixeln und 256 Graustufen. Die Graustufen lassen sich auf eine Durchlässigkeit von 0 bis 100% der Lichtleistung einstellen.
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Nachteile Stand der Technik
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Bei allen den oben beschriebenen Verfahren steht die Auflösung der zu härtenden Materialschicht in direkter Abhängigkeit mit der Auflösung des bildgebenden Verfahrens.
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Bei den Projektionsverfahren bestimmt zusätzlich eine zwischengeschaltete Optik den Maßstab der projezierten, bzw. auszuhärtenden Schicht.
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Die Auflösung pro Flächeneinheit in der Bild-/Bauebene ist somit abhängig a) von der Auflösung der bildgebenden Einheit bzw. dem kleinsten Element, genannt Pixel und deren relative Abstände zueinander, genannt Pixel-Pitch und b) dem Projektionsmaßstab.
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Die Oberflächen-Rauhigkeit des Bauteils ist somit bestimmt durch die kleinste Volumeneinheit eines Voxels (Volumen-Pixels), dessen Größe sich zusammensetzt aus der der projizierten Pixelfläche in XY und der Schichtdicke in Z. Die Auflösung der Schichtdicke ist vorgegeben durch die kleinste Auflösung (Schrittgröße) des Aktuators in Z um die Trägerplattform zu bewegen. Hier können bereits Auflösungen bis in den enstelligen μm-Bereich erreicht werden. Soll eine niedrigere Oberflächen-Rauhigkeit des Bauteils erreicht werden, muss das Projektionsfeld und damit einhergehend die Pixelfläche verkleinert werden.
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Als Beispiel sei hier die Projektion m. H. eines Multimedia-Projektors angegeben; bei einer Auflösung von XGA (1024×768 Bildpunkten), einem Pixel von 17 μm und einem Pixel-Pitch von 17,9 μm erreicht man bei einer Projektion auf 275 mm × 206 mm mit einem Vergrößerungsfaktor der Projektionsoptik von 15 eine Auflösung in der Bild-/Bauebene und somit der auszuhärtenden Schicht von annähernd 100 dpi, was einer Pixelgröße in der Projektionsebene von rund 0,254 mm × 0,254 mm entspricht.
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Um die Auflösung in der Bild-/Bauebene bei gleichbleibender Baufläche z. B. zu verdoppeln, wird bei den Projektionsverfahren vorgeschlagen, den Projektions-/Vergrößerungsfaktor zu halbieren (was eine Viertelung der Fläche bedeutet) und entweder die gesamte Projektionseinheit oder den Bauraum paralle zueinander zwecks Belichtung der vier Teilebenen zu verschieben.
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Dieses Verfahren hat den erheblichen Nachteil, dass relativ große Massen sehr präzise zueinander bewegt werden müssen, um eine exaktes Aneinanderstoßen und eine innige Verbindung der Teilebenen zu gewährleisten, was für die dazu notwendige Mechanik einen erheblichen Kostenaufwand und zusätzlichen Platzbedarf in der gesamten Anordnung bedeutet.
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Bei der selektiven direkten Belichtung durch das Abscannen m. H. einer LED-, bzw. Laser-Dioden-Zeile/-Matrix oder die direkte Belichtung durch eine Maske, die durch einen transmissiven LCD ausgebildet ist, ist die Auflösung in der Bauebene gleich der Auflösung in der bildgebenden Einheit.
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Aufgabe der Erfindung
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Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung bereitzustellen, die es ermöglicht, die Auflösung in der Bauebene bei gleich bleibend großer Baufläche um ein Vielfaches im Subpixelbereich zu erhöhen, d. h. die Rasterung der Außen- und Innenkonturen in den Schnittebenen des Objektes zu verfeinern,
- a) ohne eine Belichtung in aneinandergesetzten Teilflächen vornehmen zu müssen und
- b) ohne die Auflösung der gerasterten, bildgebenden Einheit selbst zu erhöhen.
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Lösung der Aufgabe
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Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen nach Anspruch 1 oder durch ein Verfahren mit den Merkmalen nach Anspruch 9 gelöst. Weitere Gegenstände der vorliegenden Erfindung zur Lösung der Aufgabe sind eine Vorrichtung mit den Merkmalen nach Anspruch 13 sowie eine Vorrichtung mit den Merkmalen nach Anspruch 15. Bevorzugte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Verfahren bzw. der erfindungsgemäßen Vorrichtung sind in den Unteransprüchen angegeben.
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Ferner betrifft die Erfindung folgende Gegenstände:
- (1) Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objektes durch schichtweises Verfestigen eines, unter Einwirkung von elektromagnentischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung, wobei die Maske über eine bildgebende Einheit mit festgelegter Auflösung erzeugt wird, die aus einer konstanten Anzahl diskreter und räumlich fest zueinander angeordneter, bildgebender Elemente (Pixel) gebildet wird, wobei zur Verbesserung der Auflösung entlang der Aussen- und Innenkonturen der Querschnittsflächen des schichtweise zu generierenden Objektes im Subpixelbereich, pro Schicht eine Mehrfachbelichtung vorgenommen wird, die aus einer Abfolge einer Mehrzahl von zueinander im Subpixelbereich versetzten Bildern in der Bild-/Bauebene besteht, wobei für jedes versetzte Bild eine separate Maske/Bitmap erzeugt wird.
- (2) Verfahren nach (1), wobei die bildgebende Einheit aus einer konstanten Anzahl diskreter und in einer zweidimensionalen Matrix, räumlich fest zueinander angeordneter, bildgebender Elemente (Pixel) gebildet wird.
- (3) Verfahren nach (1) oder (2) wobei eine Abfolge von mindestens zwei zueinander im Subpixelbereich versetzten Bildern in der Bild-/Bauebene durchgeführt wird, entsprechend der Auflösung der bildgebenden Einheit und unter Berücksichtigung des entsprechenden Subpixelversatzes.
- (4) Verfahren nach einem von (1) bis (3) zur Generierung einer Bitmap aus einer Querschnittsfläche eines dreidimensionalen Objektes, wobei die Querschnittsfläche, d. h. Außen- und Innenkonturen, durch Vektorzüge beschrieben werden, die bildverarbeitungstechnisch einer gerasterten Fläche (Bitmap) überlagert werden, deren Auflösung exakt der Auflösung der diskreten Elemente (Pixel) in der bildgebenden Einheit und somit in der Abbildung in der Bauebene entspricht, wobei die Überlagerung von Vektorzügen und Bitmap in einem übergeordneten XY-Koordinatensystem erfolgt und durch einen speziellen Algorithmus die aktiven Pixel berechnet werden, um die Querschnittsfläche in Form einer gerasterten Maske zu beschreiben.
- (5) Verfahren nach einem von (1) bis (4), wobei die Maskengenerierung (Bitmapping) einer jeden Querschnittsfläche eines dreidimensionalen Objektes in der Ausgangspostion und in unterschiedlichen, im Subpixelbereich in XY versetzten (geshifteten) Zuständen erfolgt und durch die Überlagerung dieser Bitmaps pro Querschnittsfläche ein Gesamtbild mit entsprechend dem Pixelshift erhöhten Auflösung im Konturbereich entsteht.
- (6) Verfahren nach einem von (1) bis (5), wobei eine Bitmap erzeugt wird, die relativ zur Querschnittsfläche um Delta X im Subpixelbereich versetzt ist, wodurch sich eine neue Verteilung der aktiven Pixel ergibt.
- (7) Verfahren nach einem von (1) bis (5), wobei eine Bitmap erzeugt wird, die relativ zur Querschnittsfläche um Delta Y im Subpixelbereich versetzt ist, wodurch sich eine neue Verteilung der aktiven Pixel ergibt.
- (8) Verfahren nach einem von (1) bis (5), wobei eine Bitmap erzeugt wird, die entlang der Pixeldiagonalen relativ zur Querschnittsfläche um Delta X und Delta Y versetzt wird, wodurch sich eine neue Verteilung der aktiven Pixel ergibt.
- (9) Verfahren nach einem von (1) bis (8), wobei sich die Gesamtbelichtung einer einzelnen Schicht aus der Summe der Teilbelichtungen der im Subpixelbereich verschobenen Masken/Bitmaps ergibt.
- (10) Verfahren nach einem von (1) bis (9), wobei je nach gewünschter Auflösungsverbesserung für jede Objektschicht ein Vielfaches an Masken bzw. Bitmaps mit unterschiedlichem Subpixelversatz in XY generiert und und pro auszuhärtender Schicht seriell belichtet werden kann.
- (11) Verfahren nach einem von (1) bis (10), wobei ein vereinfachtes Verfahren zur Auflösungsverbesserung dadurch erreicht wird, indem nur die Bitmap der Ausgangsposition und die Bitmap des Diagonal-Versatzes um eine halbe Pixel-Diagonale erzeugt und pro auszuhärtender Schicht nacheinander belichtet werden.
- (12) Verfahren nach einem von (1) bis (11), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, die bildgebende Einheit je versetzter Bitmap so gekippt wird, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes im Subpixelbereich in der Bild-/Bauebene erreicht wird.
- (13) Verfahren nach einem von (1) bis (12), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, die bildgebende Einheit je versetzter Bitmap um den entsprechenden Subpixelbereich in X und Y. also planparallel zur Bild-/Bauebene, verschoben wird.
- (14) Verfahren nach einem von (1) bis (13), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, die bildgebende Projektionseinheit in ihrer Position fest bleibt und die abbildende Optik der Projektionseinheit je versetzter Bitmap so gekippt wird, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich erreicht wird.
- (15) Verfahren nach einem von (1) bis (15), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, die bildgebende Projektionseinheit in ihrer Position fest bleibt und die abbildende Optik der Projektionseinheit je versetzter Bitmap in XY so verschoben wird, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich erreicht wird.
- (16) Verfahren nach einem von (1) bis (15), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, die Projektionseinheit je versetzter Bitmap über Aktuatoren so verkippt wird, dass das Projektionsbild in der Bauebene im entsprechenden Subpixelbereich in X und Y versetzt wird.
- (17) Verfahren nach einem von (1) bis (16), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, zwischen Projektionseinheit und Bild-/Bauebene eine kardanisch aufgehängte transparente planparallele Platte angeordnet ist, die durch Rotation um zwei Achsen (XY), die sich planparallel zur Bild-/Bauebene befinden, den Projektionsstrahlengang und somit das Bild in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich in X und Y versetzt.
- (18) Verfahren nach einem von (1) bis (17), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, zwischen Projektionseinheit und Bild-/Bauebene eine transparente planparallele Platte angeordnet ist, die durch Rotation um eine Achse parallel zu einer Pixel-Diagonalen den Projektionsstrahlengang und somit das Bild in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich entlang der orthogonal dazu stehenden Pixeldiagonalen versetzt.
- (19) Verfahren nach einem von (1) bis (18), wobei zur versetzten Abbildung der im Subpixelbereich versetzt erzeugten gerasterten Masken/Bitmaps in der Bauebene zwecks selektiver Aushärtung der Materialschicht, die Projektionseinheit in ihrer Position fest bleibt und der Projektionsstrahl über einen Spiegel in die Bild-/Bauebene umgelenkt wird, wobei der Umlenkspiegel über eine Verstellmöglichkeit (kardanische Lagerung) verfügt, durch die der Projektionsstrahl je versetzter Bitmap so abgelenkt werden kann, dass in der Bild-/Bauebene eine Verschiebung des Bildes im Subpixelbereich erreicht wird.
- (20) Verfahren nach einem von (1) bis (19), wobei die projezierte Lichtleistung pro Pixel durch „Graustufen” innerhalb einer Projektionsmaske variiert werden, um so den Aushärtegrad selektiv in einer Schicht zu beeinflussen und so die Lichtleistung der Kontur-Pixel relativ zur Lichtleistung der Flächen-Pixel anzuheben, um die Teilbelichtung aufgrund Teilüberlagerung der Konturpixel durch den Subpixelversatzes der einzelnen Bitmaps im Konturbereich zu kompensieren.
- (21) Vorrichtung zur Herstellung eines dreidimensionalen Objektes durch schichtweises Verfestigen eines, unter Einwirkung von elektromagnentischer Strahlung verfestigbaren Materials mittels Maskenbelichtung, wobei die zum Härten notwendige Strahlung in die Bild-/Bauebene abgebildet wird,
wobei die Vorrichtung eine gerasterte bildgebende Einheit zur selektiven Belichtung, die entweder als Zeile oder Matrix ausgebildet ist, aufweist, wobei die bildgebende Einheit das Bild aus einzelnenen Bildpunkten (Pixeln) zusammensetzt und so eine gerasterte Maske (Bitmap) bildet, wobei die Pixel in der Ebene räumlich zueinander fest angeordnet sind,
und dass die bildgebende Einheit und/oder eine zwischen bildgebender Einheit und der Bild-/Bauebene vorgesehene, abbildende Optik so ausgestaltet ist/sind, dass eine Abfolge einer Mehrzahl von zueinander im Subpixelbereich versetzten Bildern in der Bild-/Bauebene darstellbar ist, wobei für jedes versetzte Bild eine separate Maske/Bitmap erzeugbar ist.
- (22) Vorrichtung nach (21), wobei die bildgebende Einheit zur selektiven Belichtung als Matrix ausgebildet ist.
- (23) Vorrichtung nach (21) oder (22), wobei eine Abfolge von mindestens 2 zueinander im Subpixelbereich versetzten Bildern in der Bild-/Bauebene darstellbar ist.
- (24) Vorrichtung nach einem von (21) bis (23), wobei es sich bei der bildgebenden Einheit um eine Projektionseinheit handelt.
- (25) Vorrichtung nach einem von (21) bis (24), wobei es sich bei der bildgebenden Einheit um eine Zeile, insbesondere um eine Matrix mit diskret emittierenden Elementen zur Bilderzeugung handelt.
- (26) Vorrichtung nach einem von (21) bis (25), wobei die Vorrichtung mit Aktuatoren ausgestattet ist, um die gesamte bildgebende Einheit pro Teilbild planparallel zur Bild-/Bauebene in XY im Subpixelbereich zu verschieben.
- (27) Vorrichtung nach einem von (21) bis (26), wobei die Vorrichtung mit Aktuatoren ausgestattet ist, die die bildgebende Einheit pro versetzt generierter Bitmap so abwinkeln können, dass die einzelnen versetzt generierten Bitmaps in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich verschoben abgebildet werden.
- (28) Vorrichtung nach einem von (21) bis (27), wobei zwischen der bildgebenden Einheit und der Bild-/Bauebene als abbildende Optik ein Spiegel angeordnet und kardanisch gelagert und über Aktuatoren so schwenkbar ist, dass der Strahlengang in die Bidlebene umgelenkt wird und die einzelnen versetzt generierten Bitmaps in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich entsprechend verschoben abgebildet werden können.
- (29) Vorrichtung nach einem von (21) bis (28), wobei zwischen der bildgebenden Einheit und der Bild-/Bauebene als abbildende Optik eine transparente Platte mit zueinander planparallelen Flächen angeordnet ist und mittels einem oder mehrerer Aktuatoren so gekippt werden kann, dass der Strahlengang versetzt wird und die einzelnen versetzt generierten Bitmaps in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich verschoben abgebildet werden.
- (30) Vorrichtung nach einem von (21) bis (26), wobei die bildgebende Projektionseinheit in ihrer Position fest bleibt und die abbildende Optik in XY im Subpixelbereich der bildgebenden Einheit über Aktuatoren so verschoben werden kann, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich erreicht wird.
- (31) Vorrichtung nach einem von (21) bis (26), wobei die bildgebende Projektionseinheit in ihrer Position fest bleibt und die abbildende Optik über Aktuatoren so gekippt werden kann, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich erreicht wird.
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Beschreibung der Erfindung und deren Vorteile
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Durch das erfindungsgemäße Verfahren bzw. die erfindungsgemäße Vorrichtung wird die Auflösung in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich mittels „Pixel-Shift” verbessert. Insbesondere handelt es sich bei der Erfindung um ein schichtweises Verfestigen zur Herstellung dreidimensionaler Bauteile bzw. Körper durch Materialverfestigung (speziell durch Photopolymerisation) mittels Maskenprojektion, und nicht um eine herkömmliche schichtweise Verfestigung mittels (linearer) Scantechnik. Dies kann erfindungsgemäß sehr effektiv und vorteilhaft durch die Anwendung eines zweidimensional festgelegten Arrays als bildgebendem Element ausgeführt werden, bei dem Rasterung und/oder Auflösung fest vorgegeben ist/sind, z. B. durch ein fixes Mikrospiegel-Array.
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Im Vergleich zur Scan-Technik, bei Canon als VAROS (Variable Refraction Optical System) und bei Epson als „Double-CCD” bezeichnet, wird das Prinzip, dem Einlesen und Überlagern von im Subpixel-Bereich zueinander versetzter Bilder, in dieser Efindung für gerasterte bildgebende Verfahren im Rapid Prototyping eingesetzt.
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Die Auflösung bzw. die Anzahl der Bildpunkte der gerasterten, bildgebenden Einheit selbst muß nicht erhöht werden, um eine Verbesserung der Auflösung in der Bauebene zu erreichen.
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Zur Erhöhung der Auflösung erfolgt die Belichtung nicht in nebeneinander angeordneten entsprechend verkleinerten Teilflächen, wodurch sich die Bau-/Belichtungszeit der Gesamtfläche um die Anzahl der Teilflächen erhöhen würde, sondern die Projektion/Belichtung erfolgt über die gesamte Baufläche.
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Dadurch dass eine Überlagerung der im Subpixel-Bereich zueinander versetzten Bilder stattfindet erhöht sich die Bau-/Belichtungszeit der Gesamtfläche nur unwesentlich.
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Der Grad der Auflösungsverbesserung in der Bauebene ist frei wählbar.
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Beschreibung der Zeichnungen und der bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend beispielhaft und nicht einschränkend anhand von Zeichnungen näher erläutert.
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1 zeigt schematisch eine grundsätzliche Vorrichtung zur Generierung eines dreidimensionalen Objekts 3 durch schichtweise Aushärtung eines photohärtenden Materials 4 mittels Maskenprojektion 8, wobei sich die Projektionseinheit 1 mit einer abbildenden Optik 2 oberhalb des Beckens 6, gefüllt mit photohärtendem Material 4, befindet und das Objekt 3 schichtweise auf einer Trägerplatte 5 aushärtet, die innerhalb des Beckens 6 in vertikaler Richtung bewegt werden kann. Bei einem auf Photohärtung basierenden Verfahren mittels Maskenbelichtung wird die zum Härten notwendige Strahlung in die Bild-/Bauebene 7 projiziert. Die Belichtung wird mit Hilfe einer gerasterten bildgebenden Einheit ausgeführt, die als Matrix ausgebildet ist. Das Bild setzt sich dabei aus einzelnenen Bildpunkten (Pixeln) zusammen und bildet so eine gerasterte Maske (Bitmap), wobei die Pixel in der Ebene räumlich zueinander fest angeordnet sind.
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8–12 zeigen an einem einfachen Beispiel das Prinzip der Maskengenerierung (Bitmapping) einer Querschnittsfläche eines dreidimensionalen Objektes in der Ausgangspostion (8) und in unterschiedlichen, im Subpixelbereich versetzten (geshifteten) Zuständen der Bitmap (9–11), sowie die Überlagerung sämtlicher Bitmaps (12).
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Die Querschnittsfläche, d. h. Außen- und Innenkonturen, wird durch einen Vektorzug 11 beschrieben, der von einer gerasterten Fläche (Bitmap) 12 überlagert wird, deren Auflösung exakt der Auflösung der diskreten Elemente (Pixel) im projizierten Bild 8 entspricht, welches durch die bildgebende Matrix erzeugt wird. Vektorzug 11 und Bitmap 12 befinden sich dabei in einem übergeordneten XY-Koordinatensystem 10. 8 zeigt die Bitmap in ihrer Ausgangsposition. Durch einen speziellen Algorithmus werden die aktiven Pixel 13 berechnet, die in der Bitmap 12 in der Ausgangsposition die Querschnittsfläche beschreiben.
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In 9 wurde die Bitmap 14 relativ zur Querschnittsfläche um Delta X im Subpixelbereich versetzt, wodurch sich eine neue Verteilung der aktiven Pixel 15 ergibt.
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10 zeigt einen Versatz der Bitmap 16 relativ zur Querschnittsfläche um Delta Y mit den aktiven Pixeln 17.
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11 zeigt einen Diagonal-Versatz der Bitmap 18 relativ zur Querschnittsfläche Delta X und Delta Y mit den aktiven Pixeln 19.
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In 12 sind alle Bitmaps 12, 14, 16 und 18 mit ihren aktiven Pixeln 13, 15, 17 und 19 überlagert dargestellt, wobei eindeutig eine Auflösungsverbesserung im (Aussen-)Konturbereich der Querschnittsfläche zu erkennen ist.
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Ein vereinfachtes Verfahren zur Auflösungsverbesserung wird dadurch erreicht, indem nur die Bitmap 12 der Ausgangsposition (8) und die Bitmap 18 des Diagonal-Versatzes (11) überlagert werden. In diesem Fall muss die Bitmap, bzw. das Bild nur in eine Richtung entlang der Pixel-Diagonalen geshiftet werden.
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Je nach gewünschter Auflösungsverbesserung kann für jede Objektschicht ein Mehr- bzw. Vielfaches (mindestens zweifach) an Masken bzw. Bitmaps mit unterschiedlichem Subpixelversatz generiert und überlagert werden.
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Durch eine unterschiedlich versetzte und überlagerte Belichtung jeder Objekt-/Materialschicht (hier mittels der Bitmaps 12, 14, 16, 18) wird eine Auflösungsverbesserung in XY im Bereich der Außen- und Innenkonturen erzielt. Um die jeweilige Subpixel-Verschiebung des Bildes in der Bauebene zu erreichen, werden im folgenden unterschiedliche Ausführungsformen beschrieben:
- 1) In 2 wird die bildgebende Einheit 1 je versetzter Bitmap so gekippt, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes im Subpixelbereich in der Bild-/Bauebene erreicht wird.
- 2) In 3 wird die bildgebende Einheit 1 je versetzter Bitmap um den entsprechenden Subpixelbereich in X und Y, also planparallel zur Bild-/Bauebene durch Aktuatoren versetzt.
- 3) In 4 bleibt die bildgebende Projektionseinheit in ihrer Position fest. Die abbildende Optik 2 wird je versetzter Bitmap so gekippt, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich erreicht wird.
- 4) In 5 bleibt die bildgebende Projektionseinheit in ihrer Position fest. Die abbildende Optik 2 wird je versetzter Bitmap in XY so verschoben, dass die gewünschte Verschiebung des Bildes in der Bild-/Bauebene im Subpixelbereich erreicht wird.
- 5) Sonderfall für Abbildungen mit bildseitig telezentrischen Strahlengang, bildseitig annähernd telezentrischen Strahlengang und Teleobjektiven mit langer Brennweite, um die optischen Fehler (Winkelfehler, Verzeichnung) klein zu halten:
a) In 5 wird die Projektionseinheit 1 je versetzter Bitmap über Aktuatoren so verkippt, dass das Projektionsbild 8 in der Bild-/Bauebene 7 im entsprechenden Subpixelbereich in X und Y versetzt wird.
b) In 6 ist zwischen Projektionseinheit 1 und Bild-/Bauebene 7 eine kardanisch aufgehängte transparente planparallele Platte 9 (Glasplatte) angeordnet, die durch Rotation um zwei Achsen (XY), die sich planparallel zur Bild-/Bauebene befinden, den Projektionsstrahlengang 8 und somit das Bild in der Bild-/Bauebene 7 im Subpixelbereich in X und Y versetzt.
c) In 7 bleibt die Projektionseinheit 1 in ihrer Position fest. Der Projektionsstrahl 8 wird über einen Spiegel 10 in die Bild-/Bauebene 7 umgelenkt. Der Umlenkspiegel 10 verfügt über eine Verstellmöglichkeit (kardanische Lagerung), durch die der Projektionsstrahl je versetzter Bitmap so abgelenkt werden kann, dass in der Bild-/Bauebene 7 eine Verschiebung des Bildes im Subpixelbereich erreicht wird.
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Die oben beschriebenen Ausführungsformen 1) bis 5) bzw. a) bis c) können einzeln verwirklicht oder miteinander kombiniert werden.
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Die für die Maskenprojektion notwendigen Bitmaps jeder einzelnen Schicht werden aus Schichtdaten erzeugt, in denen die Außen- und Innenkonturen des jeweiligen Objektquerschnitts in Vektorzügen dargestellt sind (wie z. B. im Datenformat CLI definiert).
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Hierzu wird eine spezielle SW verwendet, welche die Umrechnung der Vektorgrafiken in das Bitmap-Format (Bitmapping) ausführt.
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Für jeden Subpixelversatz in XY wird eine separate Bitmap erzeugt, indem die XY-Koordinaten der Vektoren (für Außen- und Innenkonturen) der Schichtdaten mit dem jeweiligen Versatz-Offset in XY (im Subpixelbereich) transformiert und über das Bitmap-Raster gelegt werden und so eine neue Verteilung der aktiven Pixel je Versatz errechnet wird.
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Die projezierte Lichtleistung pro Pixel kann durch „Graustufen” innerhalb einer Projektionsmaske variiert werden, um so den Aushärtegrad selektiv in einer Schicht zu beeinflussen. Dies ist insbesondere sinnvoll, um Lichtleistung der Kontur-Pixel anzuheben, da sich hier aufgrund des Subpixelversatzes der einzelnen Bitmaps nur Teilüberlagerungen der jeweiligen Kontur-Pixel ergeben (in den Flächen innerhalb der Konturen ist eine vollständige Überlappung der Pixel der einzelnen Bitmaps gewährleistet).
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Bei der Projektion/Überlagerung der um Subpixel versetzten Schichtbilder kann durch Überlagern von Graustufen insbesondere entlang der Konturen der projezierten Flächenstruktur eine nahezu homogene Verteilung der Lichtleistung bzw. der Belichtungsintensität über die Summe der Graustufenmasken erzielt werden.