DE10100223A1 - Verfahren zum Beschichten eines Substrats und beschichteter Gegenstand - Google Patents
Verfahren zum Beschichten eines Substrats und beschichteter GegenstandInfo
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Abstract
Ein Substrat wird am Umfang einer zylindrischen Substrathalterung, die um ihre Achse drehbar ist, angeordnet und es werden zwei oder mehr Sputter-Kathoden, die die jeweiligen Targets daran befestigt haben, angeordnet, wobei die Oberflächen ihrer Targets parallel zum Umfang der zylindrischen Substrathalterung sind und die Kathoden voneinander beabstandet sind. Die Targets werden gesputtert, während das Substrat mindestens zweimal von den Targets vorbeibewegt wird, wobei auf dem Substrat eine Beschichtung gebildet wird, die die Materialien des Targets umfaßt. Die Targets sind aus Materialien mit unterschiedlichem Brechungsindex; und die Spannung, die während des Sputterns an jede Kathode angelegt wird, wird geändert, um so eine im wesentlichen kontinuierliche Änderung in der Zusammensetzung der Beschichtung in Richtung der Dicke herzustellen.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum
Beschichten eines Substrats durch Sputtern unter Bildung
einer Beschichtung und einen dadurch erhaltenen beschichteten
Gegenstand. Sie betrifft insbesondere ein Verfahren zum
Beschichten eines Substrat mit einer Beschichtung, die einen
Zusammensetzungsgradienten in Richtung ihrer Dicke hat, und
einen nach diesem Verfahren erhaltenen beschichteten
Gegenstand.
Vakuum-Filmbildungstechniken, z. B. Vakuumverdampfung und
Sputtern wurden herkömmlicherweise zur Bildung einer
optischen Beschichtung, insbesondere einer Antireflex-
Beschichtung auf einem Substrat gewählt, um das Substrat mit
einer optischen Funktion, insbesondere einer
Antireflexfunktion auszustatten. Da eine exakte Kontrolle der
Filmdicke zur Erzielung einer höheren Antireflexfunktion
erforderlich ist, wurden Vakuum-Filmbildungstechniken
gegenüber chemischen Filmbildungstechniken wie z. B. ein Sol-
Gel-Verfahren, wegen ihrer ausgezeichneten Kontrollbarkeit
der Filmdicke bevorzugt. Eine Antireflex-Beschichtung hat
üblicherweise eine mehrschichtige Laminatstruktur, die
abwechselnd Schichten mit starker Lichtbrechung und Schichten
mit geringer Lichtbrechung umfaßt.
Wenn eine starke Antireflex-Beschichtung, die eine solche
mehrschichtige Struktur hat, daß sie abwechselnd Schichten
mit starker Lichtbrechung und Schichten mit geringer
Lichtbrechung umfaßt, durch Vakuum-Filmbildungstechniken
gebildet wird, ist ein großformatiges Filmbildungssystem
erforderlich, um eine Vielzahl von Beschichtungsfilmen
unterschiedlicher Zusammensetzung aufzubauen, was zu erhöhten
Kosten führt. Außerdem beinhaltet die Bildung einer
mehrschichtigen Struktur auf einem Substrat Zeit zum
Umschalten der Target-Materialien, was zu einer Erhöhung der
Taktzeit führt.
Demnach besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung in
der Bereitstellung eines Verfahrens zum Beschichten eines
Substrats mit einer hoch-funktionellen Beschichtung (einer
Beschichtung mit geringer Reflexion), ohne daß ein
großformatiges Filmbildungssystem erforderlich ist. Die
Aufgabe besteht in der Bereitstellung eines Verfahrens zum
Beschichten eines Substrats mit einer Monolayer-Beschichtung,
die fähig ist, die Oberflächenreflexion des Substrats über
einen breiten Wellenlängenbereich zu reduzieren.
Nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
wird ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats
bereitgestellt, das Anordnen des Substrats am Umfang (Rand)
einer zylindrischen Substrathalterung, die um ihre Achse
drehbar ist; Anordnen von zwei oder mehr Sputter-Kathoden,
die die jeweiligen Targets daran befestigt haben, wobei die
Oberflächen der Targets parallel zum Umfang der zylindrischen
Substrathalterung sind und die Sputter-Kathoden voneinander
beabstandet sind; Sputtern der Targets, während sich der
zylindrische Substrathalter dreht, so daß das Substrat
mindestens zweimal vor den Targets vorbeibewegt wird, unter
Bildung einer Beschichtung auf dem Substrat, die die
Materialien der Targets umfaßt, umfaßt, wobei die Targets
mindestens zwei unterschiedliche Zusammensetzungsarten haben
und das Sputtern so durchgeführt wird, daß eine im
wesentlichen kontinuierliche Änderung in der Zusammensetzung
der Beschichtung in Richtung der Dicke erfolgt.
Nach dem Beschichtungsverfahren der ersten Ausführungsform
der Erfindung hat die resultierende Beschichtung einen
Zusammensetzungsgradienten in Richtung ihrer Dicke. Das
Verfahren kann z. B. vorteilhafterweise zur Bildung einer
Beschichtung angewendet werden, die eine adhäsive
Zusammensetzung in dem Teil, der mit dem Substrat in Kontakt
steht, und ein abriebfeste Zusammensetzung in der Oberfläche
derselben hat. Das Verfahren kann auch zur Bildung einer
Antireflex-Beschichtung angewendet werden, deren
Zusammensetzungsgradienten so ist, daß der Brechungsindex
sich in Richtung ihrer Dicke unter Verringerung des
Oberflächen-Reflexionsgrads des Substrats ändert. Das heißt,
das Verfahren stellt ein Substrat mit einer Monolayer-
Antireflex-Beschichtung bereit, welche den Reflexionsgrad des
Substrats über einen breiten Wellenlängenbereich reduziert.
In einer bevorzugten Ausführungsform des
Beschichtungsverfahrens der ersten Ausführungsform kann ein
derartiger Zusammensetzungsgradient in Richtung der Dicke
erhalten werden, indem die an jede Kathode angelegte Energie
(power) während des Sputterns verändert wird.
Durch diese Manipulation kann der Beschichtungsfilm in
einfacher Weise einen Zusammensetzungsgradienten erhalten.
Wenn die Energie über einen vorher programmierten
Kontrollmechanismus an jede Kathode angelegt wird, kann
automatisch eine Beschichtung mit einem
Zusammensetzungsgradienten mit guter Reproduzierbarkeit
gebildet werden. In der vorliegenden Erfindung wird die Dicke
der Beschichtung, die abgeschieden wird, während das Substrat
vor einer Kathode vorbeibewegt wird, durch die Energie, die
an die Kathode angelegt wird, und die Anzahl der Umdrehungen
der Substrathalterung bestimmt.
Das zu beschichtende Substrat wird um eine drehbare
zylindrische Substrathalterung angeordnet und wird
beschichtet, während es sich vor den Targets vorbei bewegt.
Vorzugsweise ist die Beschichtungsdicke, die bei jeder
Bewegung des Substrats vor jedem Target vorbei (bzw. bei
jedem Durchgang) abgeschieden wird, 2 nm oder weniger.
Wenn die Beschichtungsdicke pro Bewegung vor jedem Target
vorbei 2 nm übersteigt, wird die Beschichtung eine Struktur
mit getrennten Schichten haben, was den Effekt einer
Reduzierung des Oberflächen-Reflexionsgrades des Substrats
selbst bei einem Zusammensetzungsgradienten von der
Substratseite zu der Beschichtungsoberfläche hin verringern
würde. Der Vorzug für 2 nm oder weniger als
Beschichtungsdicke pro Durchgang basiert auf diesem Grund. Es
ist eher bevorzugt, daß die Beschichtung bei
unterschiedlichen Zusammensetzungen undeutliche Grenzen hat,
wobei ein Material mit niedrigem Brechungsindex und ein
Material mit hohem Brechungsindex vermischt werden, als daß
sie eine Struktur mit klaren Schichten hat.
Vorzugsweise ist die Beschichtungsdicke, die pro Bewegung vor
einem Target vorbei abgeschieden wird, 0,2 nm oder mehr. Um
die Dicke kleiner als 0,2 nm zu machen, müßte eine
Verlängerung der Beschichtungszeit erfolgen, was
wirtschaftlich ungünstig ist. Wenn der wirtschaftliche
Nachteil durch Erhöhung der Rotationsgeschwindigkeit der
Substrathalterung kompensiert wird, kann dies zu einer
Beschädigung des Rotationsmechanismus der Halterung führen.
Die Energie, die an jede Kathode angelegt wird, kann gemäß
dem Reflexionsgrad oder dem Transmissionsgrad des Substrats
während des Beschichtens verändert werden. Durch diese
Manipulation kann der Zusammensetzungsgradient in Richtung
der Beschichtungsdicke genau mit zufriedenstellender
Reproduzierbarkeit erhalten werden.
Nach der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
wird auch ein Gegenstand mit einer Beschichtung
bereitgestellt, die einen Zusammensetzungsgradienten in
Richtung ihrer Dicke aufweist und die nach dem oben
beschriebenen Beschichtungsverfahren erhalten wird. Ein
solcher Artikel umfaßt z. B. ein Substrat mit einer
Beschichtung, die eine gute Adhäsion am Substrat und
ausgezeichnete Abriebfestigkeit (Verschleißfestigkeit) hat,
wobei die Beschichtung reich an einer Adhäsion-verbessernden
Komponente an der Substratseite ist, während sie reich an
einer abriebfesten Komponente an der Oberfläche ist.
Der obige Gegenstand umfaßt vorzugsweise ein transparentes
Glassubstrat und eine Beschichtung, die einen solchen
Zusammensetzungsgradienten hat, daß der Brechungsindex von
der Substratseite zu der Oberfläche derselben abnimmt.
In der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
können drei oder mehr Kathoden verwendet werden. In diesem
Fall können die Targets, die an zwei der drei Kathoden
befestigt sind, dieselbe Zusammensetzung haben und das Target
der verbleibenden Kathode hat eine von den zwei anderen
verschiedene Zusammensetzung. Die zwei Arten der Target-
Materialien werden gleichzeitig gesputtert, während die
Energie, die an jede Kathode angelegt wird, um der
Beschichtung einen Brechungsindexgradienten zu geben, der auf
dem Zusammensetzungsgradienten basiert, gesteuert wird.
Nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung wird ein
Verfahren zum Beschichten eines Substrats unter Bildung einer
Beschichtung, die einen Zusammensetzungsgradienten in
Richtung der Dicke hat, bereitgestellt, umfassend Anordnen
von zwei oder mehr Sputter-Kathoden, die die jeweiligen
Targets daran befestigt haben, nahe beieinander in einer
Vakuumkammer, die eine kontrollierte Vakuumatmosphäre hat;
gleichzeitiges Co-Sputtern der Targets unter Bildung einer
Beschichtung, die die Materialien der Targets umfaßt, wobei
mindestens eins der Targets sich von dem anderen Target (den
anderen Targets) unterscheidet und die Energie, die an jede
Kathode angelegt wird, während des Sputterns geändert wird.
Nach dem Beschichtungsverfahren der zweiten Ausführungsform
können der Teil der Beschichtung, der mit dem Substrat in
Kontakt steht, und die Oberfläche der Beschichtung mit
verschiedener Zusammensetzung hergestellt werden. Es besteht
keine Notwendigkeit, Schichten unterschiedlicher
Zusammensetzungen aufzubauen; eine großformatige Apparatur
zur Vakuum-Filmbildung, wie sie zur Herstellung einer
mehrschichtigen Beschichtung verwendet wurde, ist nicht mehr
erforderlich. Das heißt, es kann eine Vakuum-
Filmbildungsapparatur kleiner Größe entsprechend der Größe
eines Substrats gewählt werden, was zu einer Reduzierung der
Kosten für Geräte führt.
Das Beschichtungsverfahren der zweiten Ausführungsform macht
es möglich, die Zusammensetzung einer Beschichtung in
Richtung ihrer Dicke zu ändern, um die optischen
Charakteristika wie z. B. den Brechungsindex der Beschichtung
zu steuern; dadurch wird eine Antireflex-Beschichtung mit
einer Monolayer-Struktur durch Kontrolle der
Zusammensetzungsänderung gebildet. Die Energie, die an die
Sputter-Kathoden angelegt wird, wird in spezifischer Weise
geändert, um ein Substrat mit einem Monolayer-
Beschichtungsfilm zu überziehen, dessen Brechungsindex in
Richtung der Dicke von der Substratseite zu der Oberfläche
hin abnimmt, wodurch der Reflexionsgrad des Substrats
verringert wird.
In einer bevorzugten Ausführungsform des
Beschichtungsverfahrens der zweiten Ausführungsform wird die
Energie, die an jede Kathode angelegt wird, auf der Basis der
Messungen des Reflexionsgrads oder des Transmissionsgrads des
Substrats, während es beschichtet wird, geändert. Diese
bevorzugte Ausführungsform verwirklicht den ins Auge gefaßten
Zusammensetzungsgradienten exakt und mit guter
Reproduzierbarkeit.
Gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung wird auch ein
Gegenstand bereitgestellt, der ein Substrat und eine
Monolayer-Antireflex-Beschichtung, welche nach dem obigen
Beschichtungsverfahren erhalten wird, umfaßt.
Fig. 1 ist ein Querschnitt eines Gegenstandes gemäß der
ersten Ausführungsform und zeigt auch die
Brechungsindexverteilung des Gegenstands in Richtung der
Dicke.
Fig. 2 ist eine schematische Draufsicht der Sputter-
Apparatur, die zur Durchführung der ersten Ausführungsform
eingesetzt wird.
Fig. 3 ist ein Querschnitt von Fig. 2 entlang der Linie
A-A.
Fig. 4 ist ein Querschnitt der Fig. 2 entlang der Linie
B-B.
Fig. 5 ist ein Querschnitt eines beschichteten Gegenstands
nach der zweiten Ausführungsform.
Fig. 6 erläutert die Anordnung der Kathoden in einer
Sputter-Apparatur, die zur Durchführung der zweiten
Ausführungsform eingesetzt wird.
Fig. 7 ist eine schematische Draufsicht einer der Sputter-
Apparaturen, die zur Durchführung der zweiten Ausführungsform
eingesetzt werden können.
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden detailliert
anhand der beigefügten Zeichnungen beschrieben.
Der Gegenstand, der eine Glasplatte mit einer Antireflex-
Beschichtung, die einen Brechungsindex hat, der sich in
Richtung ihrer Dicke kontinuierlich verändert, umfaßt, wird
im folgenden detailliert beschrieben. Fig. 1 ist ein
Querschnitt eines beschichteten Gegenstandes gemäß der
Erfindung. Der in Fig. 1 dargestellte Gegenstand 1 umfaßt
eine Glasplatte 2 und eine Antireflex-Beschichtung 3, die
einen Brechungsindexgradienten in Richtung ihrer Dicke hat.
Die Beschichtung 3 besteht im wesentlichen aus Titandioxid
(TiO2) in der Grenzfläche zu der Glasplatte 2 und aus
Siliciumdioxid (SiO2) in der Oberfläche derselben. Die
Zusammensetzung der Beschichtung variiert in Richtung der
Dicke, so daß der Brechungsindex von der Substratseite zu der
Oberflächenseite hin abnimmt. Es ist bevorzugt, daß der
Brechungsindex des Teils auf der Substratseite höher ist als
der des Glassubstrats, während der Brechungsindex der
Oberfläche der Beschichtung kleiner als der des Glassubstrats
ist.
Fig. 2 ist eine schematische Draufsicht eines Beispiels der
Sputter-Apparatur, die zur Durchführung der vorliegenden
Erfindung eingesetzt werden kann. Die Fig. 3 und 4 sind
Querschnitte entlang der Linie A-A bzw. der B-B von Fig. 2.
Die Sputter-Apparatur des Karussell-Typs 10 hat eine
geschlossene zylindrische Form, die aus einer zylindrischen
Wand 10a, einem Boden 10b und einem oberen Teil 10c besteht.
Der geschlossene Zylinder hat einen Vakuumanschluß 16, der an
eine Vakuumpumpe (nicht gezeigt) angeschlossen ist, und eine
Sputter-Gaseinlaßöffnung 17, die zu einem
Gaszuführmechanismus (nicht gezeigt) führt. Das Innere des
Zylinders 10 wird mit Hilfe der Vakuumpumpe und dem
Gaszuführmechanismus in einer kontrollierten Vakuumatmosphäre
gehalten.
Ein Vielzahl von Substraten 19 werden um eine
Substrathalterung 14, die um ihre Achse 15 drehbar ist,
angeordnet. Kathoden 11A und 11B sind an der Innenfläche der
Zylinderwand 10a angeordnet, und Targets 12a und 12b, die
sich von dem Target 12a unterscheiden, sind an den Kathoden
11A bzw. 11B befestigt. Aus einer Energiequelle 13A und 13B
wird eine Spannung an die Kathoden 11A bzw. 11B angelegt, um
die Targets 12A und 12B gleichzeitig in einer Sputter-
Atmosphäre, die Argon enthält, zu sputtern, um dadurch die
Materialien der Targets 12A und 12B auf den umlaufenden
Substraten 19 an der sich drehenden Halterung 14
abzuscheiden.
Das Target 12A ist z. B. metallisches Titan zur Bildung eines
Films mit hohem Brechungsindex (TiO2-Film) und das Target 12B
ist z. B. Quarzglas zur Bildung eines Film mit niedrigem
Brechungsindex (SiO2-Film).
Die an die Kathoden angelegte Energie kann zur Herstellung
eines Beschichtungs-Zusammensetzungsgradienten wie folgt
geändert werden. Wenn metallisches Titan an der Kathode 11A
befestigt ist und Quarzglas an der Kathode 11B befestigt ist,
kann das Titandioxid : Siliciumdioxid-Verhältnis in der
Beschichtung beispielsweise 2 : 1 gemacht werden, indem die
angelegte Energie so gesteuert wird, daß die Sauerstoff
reaktive Sputter-Rate von metallischem Titan doppelt so hoch
sein kann wie die Siliciumdioxid-Sputter-Rate. Die
Zusammensetzung der Beschichtung kann auf diese Weise durch
Veränderung der Energie, die während des Sputterns an jede
Kathode angelegt wird, in Richtung der Dicke geändert werden.
Das Sputtern der Targets kann durch Gleichstrom-Magnetron-
Sputtern, RF-Magnetron-Sputtern und dgl. durchgeführt werden.
Die Steuerung für eine kontinuierliche Änderung der Energie,
die während der Filmbildung an jede Kathode angelegt wird,
wird herkömmlicherweise durch einen Monitor 18 für den
optischen Transmissionsgrad oder den Reflexionsgrad
durchgeführt, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist. Der
Monitor 18 für den Transmissionsgrad oder den Reflexionsgrad
ist gegenüber einem der Substrate angeordnet, um den
Transmissionsgrad oder den Reflexionsgrad der Beschichtung,
während diese gebildet wird, zu messen; die Daten werden in
einem Rechner verarbeitet und zu einem
Rückkoppelungskontrollsystem geschickt, um die anzulegende
Energie zu steuern. Durch dieses Rückkopplungskontrollsystem
kann die Beschichtungsrate auf eine vorher bestimmte
eingestellt werden, wodurch Schwankungen in den optischen
Charakteristika der Beschichtung unterdrückt werden.
Die an jede Kathode angelegte Energie wird vorzugsweise so
gesteuert, daß sie die Abscheidungsdicke pro Bewegung jedes
Substrats vor den beiden Targets vorbei auf 2 nm oder weniger
begrenzt. Wenn die Abscheidungsdicke pro Bewegung an Targets
vorbei 2 nm übersteigt, werden die Grenzen unter den
unterschiedlichen Zusammensetzungen klar, wobei jede Schicht,
die aus einer einzelnen Komponente besteht als optisch
unabhängige Schicht deutlich wird. Die Abscheidungsdicke pro
Durchgang kann auf 2 nm oder weniger begrenzt werden, indem
die Energie, die an das Target angelegt wird, reduziert wird
oder indem die Rotationsgeschwindigkeit der Substrathalterung
erhöht wird.
Fig. 5 ist ein Querschnitt eines Gegenstandes gemäß der
zweiten Ausführungsform. Der Gegenstand 20, der in Fig. 5
gezeigt ist, umfaßt eine Glasplatte und eine Monolayer-
Antireflex-Beschichtung 22 mit einem
Zusammensetzungsgradienten, so daß der Brechungsindex von der
Substratseite zu ihrer Oberfläche hin abnimmt.
Beispielsweise kann die Beschichtung 22 in der Nähe der
Grenzfläche zur Glasplatte 21 reich an Titandioxid sein und
in der Nähe ihrer Oberfläche reich an Siliciumdioxid sein;
dabei nimmt der Titandioxid-Gehalt kontinuierlich in Richtung
von der Substrat-Seite zu der Oberfläche der Beschichtung hin
ab, während der Siliciumdioxid-Gehalt zur Oberfläche hin
kontinuierlich zunimmt, wodurch ein Brechungsindexgradient in
Richtung der Filmdicke hergestellt wird. Um eine verstärkte
Antireflexfunktion zu erhalten, ist es wünschenswert, daß der
Brechungsindex des Teils der Beschichtung, der mit dem
Glassubstrat in Kontakt steht, höher ist als der des
Glassubstrats und daß der Brechungsindex der Oberfläche der
Beschichtung kleiner ist als der des Glassubstrats.
Fig. 6 veranschaulicht die Anordnung von Kathoden in einer
Sputter-Apparatur, die zur Durchführung der zweiten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird.
Kathoden 23A und 23B sind nahe nebeneinander mit einem
leichten Neigungswinkel der Vorderseiten zueinander
angeordnet, und ein Target 24A, z. B. metallisches Titan, bzw.
ein Target 24B, z. B. Quarzglas, sind daran befestigt. Die
Targets werden gleichzeitig, vermischt mit einem Sputter-Gas,
typischerweise Argon, oder wenn notwendig einem reaktiven
Sputter-Gas, z. B. einem Mischgas aus Argon und Sauerstoff und
Stickstoff co-gesputtert und auf einem Substrat 21
abgeschieden. Während des Sputterns wird die Energie, die an
die Kathoden 23A und 23B angelegt wird, verändert, um die
Sputter-Rate (Beschichtungsrate) zu verändern.
Fig. 7 ist ein schematischer Querschnitt einer der Sputter-
Apparaturen, die zur Durchführung der zweiten Ausführungsform
eingesetzt werden, und zwar eine des Karussell-Typs. Die
Targets 24A und 24B werden co-gesputtert, wobei eine
Beschichtung auf Substraten 21, welche an einem rotierenden
Karussellrad befestigt sind, gebildet wird.
Um eine hochfunktionelle optische Beschichtung zu erhalten,
sind ein sorgfältig ausgearbeiteter optischer Aufbau und eine
exakte Zusammensetzungskontrolle wünschenswert. Zu diesem
Zweck wird die Kontrolle zur kontinuierlichen Änderung der
Energie, die an jede Kathode angelegt wird, während der
Filmbildung wirksam mit Hilfe eines Monitors für den
optischen Transmissionsgrad oder den optischen Reflexionsgrad
durchgeführt. Das heißt, der Reflexionsgrad oder der
Transmissionsgrad der Beschichtung werden, während diese
gebildet wird, gemessen und die Sputter-Rate wird durch ein
Rückkopplungs-Kontrollsystem, das an einen Rechner
angeschlossen ist, gesteuert, wodurch Schwankungen der
optischen Charakteristika aufgrund geringer Veränderungen der
Beschichtungsrate unter Chargen unterdrückt werden.
Die vorliegende Erfindung wird nun anhand von Beispielen
näher erläutert. In jedem Beispiel wurde eine transparente
Glasplatte als Substrat verwendet. Das transparente
Glassubstrat hatte einen Brechungsindex von 1,52, einen
Transmissionsgrad von etwa 92% und einen Oberflächen-
Reflexionsgrad von etwa 4%.
Es wurde die in Fig. 2 dargestellte Sputter-Apparatur des
Karussell-Typs verwendet. Metallisches Titan und Quarzglas
wurden an den Kathoden 11A und 11B als die Targets 12A bzw.
12B befestigt; diese Targets wurden gleichzeitig gesputtert.
Ein Mischgas aus Argon und Sauerstoff wurde als Sputter-Gas
verwendet. Das Sputtern von metallischem Titan war ein
reaktives Gleichstromsputtern, während das Sputtern von
Quarzglas ein RF-Sputtern war. Die Substrate wurden mit
10 Umdrehungen/min bewegt, so daß eine Beschichtung mit einer
Abscheidungsdicke von 0,5 nm pro Vorbeibewegung vor jedem
Target (pro Durchgang) gebildet wurde. Während des Sputterns
wurde die Energie, die an jede Kathode angelegt wurde, so
gesteuert, daß die Beschichtung Titandioxid an der
Substratseite und Siliciumdioxid an der Oberfläche aufwies,
wobei sich ihre Zusammensetzung kontinuierlich dazwischen
veränderte. Das heißt, die Beschichtungszusammensetzung wurde
durch die Formel: xSiO2-(1 - x)TiO2, worin x zwischen 0 und 1
variiert, dargestellt.
Es wurde festgestellt, daß die resultierende beschichtete
Glasplatte bei einer Wellenlänge von 550 nm einen
Oberflächen-Reflexionsgrad von 0,2% hatte, was etwa 1/20 des
Oberflächen-Reflexionsgrads der Glasplatte (4%) ist; dadurch
wurde die Bestätigung geliefert, daß der Oberflächen-
Reflexionsgrad durch die Beschichtung deutlich verringert
wurde. Tatsächlich wurde derselbe Reflexionsgrad bei
Wellenlängen von 450 nm und 650 nm erhalten, was beweist, daß
die Antireflexfunktion über einen breiten Wellenlängenbereich
wirksam war.
Die Substrate wurden in der gleichen Weise wie in Beispiel 1
durch Sputtern beschichtet, allerdings mit der Ausnahme, daß
das metallische Titan durch Siliciumnitrid (SiN) als Target
12A ersetzt wurde und die an jede Kathode angelegte Energie
so gesteuert wurde, daß ein Beschichtung gebildet wurde, die
einen Zusammensetzungsgradienten hatte, der durch die Formel:
SiOxNy, worin x von 0 (in dem Teil, der mit dem Substrat in
Kontakt steht) bis 2 (an der Oberfläche der Beschichtung)
variiert und y von 1 (in dem Teil, der mit dem Substrat in
Kontakt steht) und 0 (an der Oberfläche der Beschichtung)
variiert, dargestellt wird.
Es wurde festgestellt, daß die resultierende beschichtete
Glasplatte bei einer Wellenlänge von 550 nm einen
Oberflächenreflexionsgrad von 0,3% hatte, was die
Bestätigung dafür liefert, daß dem Glassubstrat eine
Antireflexfunktion verliehen wurde. In der Tat wurde derselbe
Reflexionsgrad bei Wellenlängen von 450 nm und 650 nm
erhalten, was bestätigt, daß die Antireflex-Beschichtung über
einen breiten Wellenlängenbereich wirksam war.
Das Substrat wurde vor und in der Mitte von zwei Targets in
einer Sputter-Apparatur, wie sie in Fig. 6 dargestellt ist,
angeordnet. Eines der Targets war Quarzglas und das andere
war metallisches Titan. Das Sputter-Gas war ein Mischgas aus
Argon und Sauerstoff. Es wurde ein Co-Sputtern durchgeführt,
um eine 150 nm dicke Beschichtung zu bilden, während die
angelegte Spannung so verändert wurde, daß die
Beschichtungszusammensetzung sich in Richtung der Dicke
kontinuierlich ändern konnte. Die
Beschichtungszusammensetzung kann durch die Formel:
xSiO2-(1 - x)TiO2 (0 ≦ x ≦ 1) dargestellt werden.
Es wurde festgestellt, daß die resultierende beschichtete
Glasplatte bei einer Wellenlänge von 550 nm einen
Oberflächen-Reflexionsgrad von 0,2% hatte, was die
Bestätigung liefert, daß dem Substrat eine ausgeprägte
Antireflexfunktion verliehen worden war. Tatsächlich wurde
der gleiche Reflexionsgrad bei den Wellenlängen 450 nm und
650 nm erhalten, was bestätigt, daß die Antireflex-Beschichtung
über einen breiten Wellenlängenbereich wirksam war.
Das Substrat wurde durch Co-Sputtern in der gleichen Weise
wie in Beispiel 3 beschichtet, allerdings mit der Ausnahme,
daß das metallische Titan durch Siliciumnitrid (SiN) als
eines der Targets ersetzt wurde und daß Argon als Sputter-Gas
verwendet wurde, wobei eine 160 nm dicke Beschichtung mit der
Zusammensetzung SiOxNy (0 ≦ x ≦ 2, 0 ≦ y ≦ 1) gebildet wurde. Die
Beschichtung hatte einen Zusammensetzungsgradienten, der in
der Nähe des Substrats reich an Siliciumnitrid war und in der
Nähe der Beschichtungsoberfläche reich an Siliciumdioxid war.
Es wurde festgestellt, daß die resultierende beschichtete
Glasplatte bei einer Wellenlänge von 550 nm einen
Oberflächenreflexionsgrad von 0,3% hatte, was die
Bestätigung lieferte, daß dem Glassubstrat eine deutliche
Antireflexfunktion verliehen worden war. Tatsächlich wurde
derselbe Reflexionsgrad bei den Wellenlängen 450 nm und
650 nm erhalten, was beweist, daß die Antireflex-Beschichtung
über einen breiten Wellenlängenbereich wirksam war.
Erfindungsgemäß kann eine Beschichtung, die einen
Zusammensetzungsgradienten in Richtung ihrer Dicke hat,
effizient auf einem Substrat ausgebildet werden, indem zwei
oder mehr Targets, die unterschiedliche Zusammensetzungen
haben, gleichzeitig gesputtert werden, während die
Beschichtungszusammensetzung sich im wesentlichen
kontinuierlich in Richtung der Dicke ändert. Da ferner kein
großformatisches Sputter-System, wie es zur Bildung einer
mehrschichtigen Beschichtung verwendet wurde, mehr
erforderlich ist, kann eine Sputter-Apparatur kleiner Größe
entsprechend der Größe eines Substrats gewählt werden, was zu
einer Reduzierung der Gerätekosten führt.
Die Erfindung kann ein Substrat mit einer Beschichtung
bereitstellen, bei welcher sich der Brechungsindex in
Richtung ihrer Dicke verändert und die daher zur Reduzierung
des Reflexionsgrads des Substrates dient.
Die nach der vorliegenden Erfindung erhaltene Antireflex-
Beschichtung hat eine Monolayer-Struktur und hat damit kein
Problem bezüglich einer Delaminierung, das mit einer
mehrschichtigen Laminatstruktur verbunden ist.
Das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren liefert eine
Beschichtung, die keine mehrschichtige Struktur, sondern eine
Monolayer-Struktur hat. Da kein großformatisches Sputter-
System, wie es zur Bildung einer mehrschichtigen Beschichtung
verwendet wurde, mehr erforderlich ist, kann eine Sputter-
Apparatur kleiner Größe entsprechend der Größe eines
Substrats gewählt werden, was zu einer Reduzierung der
Gerätekosten führt.
Claims (11)
1. Verfahren zum Beschichten eines Substrats, umfassend
- - Anordnen des Substrats am Umfang einer zylindrischen Substrathalterung, die um ihre Achse drehbar ist,
- - Anordnen von zwei oder mehr Sputter-Kathoden, die die jeweiligen Targets daran befestigt haben, wobei die Oberflächen der Targets parallel zum Umfang der zylindrischen Substrathalterung sind und die Sputter-Kathoden voneinander beabstandet sind,
- - Sputtern der Targets, während sich die zylindrische Substrathalterung dreht, so daß das Substrat mindestens zweimal vor den Targets vorbeibewegt wird, unter Bildung einer Beschichtung auf dem Substrat, die die Materialien der Targets umfaßt, wobei die Targets mindestens zwei unterschiedliche Zusammensetzungsarten haben und das Sputtern so durchgeführt wird, daß eine im wesentlichen kontinuierliche Änderung in der Zusammensetzung der Beschichtung in Richtung der Dicke erreicht wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Änderung in der Zusammensetzung der Beschichtung
durchgeführt wird, indem die Energie (power), die
während des Sputterns an jede Kathode angelegt wird,
geändert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Beschichtungsdicke, die bei jeder Bewegung des
Substrats vor jedem Target vorbei abgeschieden wird,
2 nm oder weniger ist.
4. Verfahren nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Beschichtungsdicke, die bei jeder Bewegung des
Substrats vor jedem Target vorbei abgeschieden wird,
0,2 nm oder mehr ist.
5. Verfahren nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Energie, die an jede Kathode angelegt wird,
entsprechend dem Reflexionsgrad oder dem
Transmissionsgrad des Substrats, während es beschichtet
wird, geändert wird.
6. Gegenstand, umfassend ein Substrat und eine
Beschichtung, die einen Zusammensetzungsgradienten in
Richtung ihrer Dicke hat und die durch das Verfahren
nach Anspruch 1 erhalten wird.
7. Gegenstand nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, daß
das Substrat transparentes Glas ist und die
Beschichtung einen solchen Zusammensetzungsgradienten
hat, daß der Brechungsindex von der Substratseite zu
der Oberfläche hin abnimmt.
8. Verfahren zum Beschichten eines Substrats, umfassend
- - Anordnen von zwei oder mehr Sputter-Kathoden, die die jeweiligen Targets daran befestigt haben, nahe beieinander in einer Vakuumkammer, die eine kontrollierte Vakuum-Atmosphäre hat;
- - gleichzeitiges Co-Sputtern der Targets unter Bildung einer Beschichtung, die die Materialien der Targets umfaßt, wobei mindestens eines der Targets sich von dem anderen Target (den anderen Targets) unterscheidet und die Energie, die an jede Kathode angelegt wird, während des Sputterns unter Bildung einer Beschichtung, die einen Zusammensetzungsgradienten in Richtung ihrer Dicke hat, auf dem Substrat geändert wird.
9. Verfahren zum Beschichten eines Substrats nach
Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Energie, die an jede Kathode angelegt wird, derart
geändert wird, daß die resultierende Beschichtung einen
Brechungsindex haben kann, der in Richtung der Dicke
von der Substratseite zu der Oberfläche derselben hin
abnimmt.
10. Verfahren zum Beschichten eines Substrats nach
Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Energie, die an jede Kathode angelegt wird, gemäß
dem Reflexionsgrad oder gemäß dem Transmissionsgrad,
während beschichtet wird, geändert wird.
11. Gegenstand, umfassend ein Substrat und eine Monolayer-
Antireflex-Beschichtung, welche durch das Verfahren
nach Anspruch 8 erhalten wird.
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