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CN214588855U - 一种芯片集成封装结构 - Google Patents

一种芯片集成封装结构 Download PDF

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CN214588855U
CN214588855U CN202023148991.8U CN202023148991U CN214588855U CN 214588855 U CN214588855 U CN 214588855U CN 202023148991 U CN202023148991 U CN 202023148991U CN 214588855 U CN214588855 U CN 214588855U
Authority
CN
China
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chip
electrode
circuit layer
layer
circuit
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Active
Application number
CN202023148991.8U
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English (en)
Inventor
方涛
侯君凯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Kehui Semiconductor Research Institute Co Ltd
Changzhou Institute Of Technology Research For Solid State Lighting
Changzhou Wujin Semiconductor Lighting Application Technology Institute
Original Assignee
Jiangsu Kehui Semiconductor Research Institute Co Ltd
Changzhou Institute Of Technology Research For Solid State Lighting
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Jiangsu Kehui Semiconductor Research Institute Co Ltd, Changzhou Institute Of Technology Research For Solid State Lighting filed Critical Jiangsu Kehui Semiconductor Research Institute Co Ltd
Priority to CN202023148991.8U priority Critical patent/CN214588855U/zh
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Publication of CN214588855U publication Critical patent/CN214588855U/zh
Active legal-status Critical Current
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Abstract

本实用新型涉及半导体领域,具体公开了一种芯片集成封装结构,该芯片集成封装结构包括至少两个芯片、固化层和电路层,所述芯片设置在载体上,所述固化层将所述芯片进行固定,所述电路层连接所述芯片的电极,本实用新型可以简化芯片封装工艺及成本,提高产品良率,本实用新型采用电路层后制作的方法,并且直接使用电极做为电路层的连接点,可以有效解决因为电极过小,预制电路连接点与电极连接不良问题,且在发现芯片电极不良,电路层与电极接触不良的时候可以进行返修。

Description

一种芯片集成封装结构
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,具体涉及半导体芯片集成封装方法及集成封装结构。
背景技术
现有mini LED一般采用巨量转移的方式完成,因为转移设备精度、承载基板精度,转移前排片和承载基板匹配等问题,巨量转移存在缺陷过多,良率不高的问题,而且返工比较困难,难以实现大批量生产。
现有的三种精准抓取(Fine Pick/Place)的技术:“静电力”、“凡德瓦力”和“磁力”、选择性释放(Selective Release)、自组装 (Self-Assembly)及转印(RollPrinting),都是将芯片通过各种方法转移到固定的电路基板上去,由于芯片本身的尺寸比较小(100um以下),现有设备精度很难保证芯片电极和基板电极能够精确对准。
实用新型内容
本实用新型为解决现有技术中将芯片通过转移到固定的电路基板上,由于芯片本身的尺寸比较小(100um以下),现有设备精度很难保证芯片电极和基板电极能够精确对准,容易造成产品良率低的问题,提供一种芯片集成封装方法。
本实用新型采用的技术方案:
一种芯片集成封装结构,包括:
至少两个芯片,所述芯片设置在载体上;
固化层,所述固化层将所述芯片进行固定;
电路层,所述电路层连接所述芯片的电极。
进一步地,所述芯片放在载体上进行排列,所述载体包括膜或者玻璃。
进一步地,所述芯片为正装芯片或倒装芯片。
进一步地,当芯片为正装芯片时,所述固化层设置在所述芯片的背面,将固化后的芯片翻转,露出芯片电极,然后制作电路层。
进一步地,当芯片为正装芯片且背面没有反射层时,所述固化层设置在所述芯片的正面,在涂布固化剂前,用模具将所述芯片的电极进行遮挡,当固化完成后,拿下所述模具,露出芯片电极,然后制作电路层。
进一步地,所述芯片为倒装芯片时,所述固化层设置在所述芯片的背面,在涂布固化剂前,用模具将所述芯片的电极进行遮挡,当固化完成后,拿下所述模具,露出芯片电极。
进一步地,所述电路层通过打线、印刷电路或3D打印电路连接所述芯片的电极。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果:
1、本实用新型提供的芯片集成封装方法通过将芯片排列后填充固化剂进行固化,将固化后的芯片作为整体,在这个固化整体上制作电路,使得本实用新型无需额外电路基板做为转移载体,从而不需要进行转移工艺,解决了现有技术因转移设备精度不高、承载基板精度不高,容易造成产品良率低的问题,本实用新型可以简化芯片封装工艺及成本,提高产品良率;
2、本实用新型采用了后制作电路层的方法,并且直接使用电极做为电路层的连接点,可以有效解决因为电极过小,预制电路连接点和电极连接不良问题,且在发现芯片电极不良,以及电路层与电极接触不良的时候可以进行返修。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他附图。
图1为本实用新型实施例提供的芯片集成封装方法的流程图;
图2为本实用新型实施例提供的芯片排列后的示意图;
图3为本实用新型实施例提供的填充固化剂后的结构示意图;
图4为本实用新型实施例提供的露出电极的结构示意图;
图5为本实用新型实施例提供的制作电路层的结构示意图。
图中,1为红光芯片,2为绿光芯片,3为蓝光芯片,4为固化层, 5为电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
需要注意的是,这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式,而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也意图包括复数形式,此外,还应当理解的是,当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时,其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。同时,应当明白,为了便于描述,附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有示例中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,方位词如“前、后、上、下、左、右”、“横向、竖向、垂直、水平”和“顶、底”等所指示的方位或位置关系通常是基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,在未作相反说明的情况下,这些方位词并不指示和暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位或者以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制;方位词“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内外。
为了便于描述,在这里可以使用空间相对术语,如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等,用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是,空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的器件被倒置,则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而,示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位),并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
此外,需要说明的是,使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件,仅仅是为了便于对相应零部件进行区别,如没有另行声明,上述词语并没有特殊含义,因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
图1示出了本实用新型实施例提供的一种芯片集成封装方法,该方法包括:
将芯片进行排列;
对排列后的芯片填充固化剂,形成固化层4;
露出芯片电极5;
制作电路层,将电路层与芯片电极5连接。
进一步地,所述芯片放在载体上进行排列,所述载体包括膜或者玻璃,通过自动化设备将芯片夹起或吸起后依次进行排列放置,如图 2所示,以LED芯片为例,本实施例先将红光芯片1、绿光芯片2和蓝光芯片3按照预先设计进行排列。
进一步地,本实施中所述芯片可以采用正装芯片或倒装芯片。
具体地,作为本实施例的第一具体实施例,当芯片为正装芯片时,如图3所示,所述固化剂设置在所述芯片的背面,将固化后的芯片翻转后,露出芯片电极5(如图4所示),然后制作电路层(如图5所示)。
具体地,作为本实施例的第二具体实施例,当芯片为正装芯片且背面没有反射层时,所述固化剂设置在所述芯片的正面,在涂布固化剂前,用模具将所述芯片的电极5进行遮挡,当固化完成后,拿下所述模具,露出芯片电极5,然后制作电路层。
具体地,作为本实施例的第三具体实施例,所述芯片为倒装芯片时,所述固化剂设置在所述芯片的背面,在涂布固化剂前,用模具将所述芯片的电极5进行遮挡,当固化完成后,拿下所述模具,露出芯片电极5。
本实用新型还提供一种芯片集成封装结构,如图5所示,该芯片集成封装结构包括至少两个芯片、固化层4和电路层,所述芯片设置在载体上,所述固化层4将所述芯片进行固定,所述电路层连接所述芯片的电极5。
进一步地,所述电路层通过打线、印刷电路或3D打印电路连接所述芯片的电极5。
需要说明的是,本实施例通过将芯片排列后填充固化剂进行固化,将固化后的芯片作为整体,在这个固化整体上制作电路,可以避免巨量转移工艺,以及由此造成的芯片电极5和转移基板的电路连接缺陷,本实施例由于采用固化层,芯片在后续的工艺过程中不会产生偏移,提高了工艺的精度,提高良品率;本实用新型中电路层为后制作,并且直接使用电极5做为电路层的连接点,可以有效解决因为电极5过小,预制电路连接点和电极5连接不良问题,且在发现芯片电极5不良,以及电路层与电极5接触不良的时候可以进行返修。
以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种芯片集成封装结构,其特征在于,包括:
至少两个芯片,所述芯片设置在载体上;
固化层(4),所述固化层(4)将所述芯片进行固定;
电路层,所述电路层连接所述芯片的电极(5)。
2.根据权利要求1所述的芯片集成封装结构,其特征在于,所述芯片放在载体上进行排列,所述载体包括膜或者玻璃。
3.根据权利要求1所述的芯片集成封装结构,其特征在于,所述芯片为正装芯片或倒装芯片。
4.根据权利要求3所述的芯片集成封装结构,其特征在于,当芯片为正装芯片时,所述固化层(4)设置在所述芯片的背面,将固化后的芯片翻转,露出芯片电极(5),然后制作电路层。
5.根据权利要求3所述的芯片集成封装结构,其特征在于,当芯片为正装芯片且背面没有反射层时,所述固化层(4)设置在所述芯片的正面,在涂布固化剂前,用模具将所述芯片的电极(5)进行遮挡,当固化完成后,拿下所述模具,露出芯片电极(5),然后制作电路层。
6.根据权利要求3所述的芯片集成封装结构,其特征在于,所述芯片为倒装芯片时,所述固化层(4)设置在所述芯片的背面,在涂布固化剂前,用模具将所述芯片的电极(5)进行遮挡,当固化完成后,拿下所述模具,露出芯片电极(5)。
7.根据权利要求1所述的芯片集成封装结构,其特征在于,所述电路层通过打线、印刷电路或3D打印电路连接所述芯片的电极(5)。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112563301A (zh) * 2020-12-23 2021-03-26 常州市武进区半导体照明应用技术研究院 一种芯片集成封装方法及集成封装结构

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