CN201335815Y - X射线衍射-荧光双谱仪 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种X射线衍射－荧光双谱仪，包括X射线源，还包括：硅检测器、单道脉冲幅度分析器及多道脉冲幅度分析器，所述X射线源产生X射线照射待测样品；所述硅检测器对所述待测样品反射的X射线进行检测并将输出分别送入所述单道脉冲幅度分析器及多道脉冲幅度分析器；所述单道脉冲幅度分析器仅选通衍射波长，用于获取待测样品的X射线衍射谱；所述多道脉冲幅度分析器用于获取待测样品的X射线荧光能谱。本实用新型的技术方案在进行衍射图扫描的同时，获取样品的荧光散射能量谱，使仪器在工作时能够充分获取样品的信息，同时得到样品的X射线衍射谱和样品的X射线能谱。
Description
技术领域
本实用新型涉及物相分析技术，尤其涉及一种X射线衍射-荧光双谱仪。
背景技术
粉末X射线衍射法是物相分析的基本方法，其多数是通过粉末X射线衍射仪完成。晶态物质的X射线衍射图实质上是其微观结构图景的富里埃变换，理论上每种物质均有其独特的晶体结构，因而能够依据X射线衍射图进行物质的鉴别与测定。但是，其元素组成不同的物质而结构相像或结构相近的现象是较为常见的，因此，仅凭借样品的衍射图常不足以确定样品的物相组成。此时，样品组成的元素信息对于排除疑似物相的存在至关重要，但是现有技术的粉末X射线衍射仪仅能获得样品的粉末衍射图，而样品的组成元素通常需要另外进行元素分析才能知悉。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种X射线衍射-荧光双谱仪，以解决现有技术不能同时获取样品衍射信息及元素组成的缺陷。
为了达到上述目的，本实用新型的技术方案提出一种X射线衍射-荧光双谱仪，包括X射线源，还包括：硅检测器、单道脉冲幅度分析器及多道脉冲幅度分析器，
所述X射线源产生X射线照射待测样品；
所述硅检测器对所述待测样品反射的X射线进行检测并将输出分送入所述单道脉冲幅度分析器及多道脉冲幅度分析器；
所述单道脉冲幅度分析器仅选通衍射波长，用于获取待测样品的X射线衍射谱；
所述多道脉冲幅度分析器用于获取待测样品的X射线荧光能谱。
上述的X射线衍射-荧光双谱仪中，所述硅检测器的敏感区为长条形。
上述的X射线衍射-荧光双谱仪中，所述硅检测器的能量分辨率优于180eV。
本实用新型的技术方案还提出一种X射线衍射-荧光双谱仪，包括X射线源、常规检测器及单道脉冲幅度分析器，还包括：硅检测器及多道脉冲幅度分析器，
所述X射线源产生X射线照射待测样品；
所述常规检测器对所述待测样品反射的X射线进行检测并将输出送入所述单道脉冲幅度分析器，用于获取待测样品的X射线衍射谱；
所述硅检测器对所述待测样品反射的X射线进行检测并将输出送入所述多道脉冲幅度分析器，用于获取待测样品的X射线荧光能谱。
上述的X射线衍射-荧光双谱仪中，所述硅检测器的能量分辨率优于180eV。
本实用新型的技术方案是在衍射仪进行衍射图扫描的同时，获取样品的荧光散射能量谱，使仪器在工作时能够充分获取样品的信息，同时得到样品的X射线衍射谱和样品的X射线能谱。
附图说明
图1为本实用新型X射线衍射-荧光双谱仪的实施例一结构图；
图2为本实用新型X射线衍射-荧光双谱仪的实施例二结构图。
具体实施方式
以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
图1为本实用新型X射线衍射-荧光双谱仪的实施例一结构图，如图所示，本实施例的双谱仪包括X射线源11，以及一个敏感区为长条形(例如0.5×20mm)、能量分辨率为180eV或更佳的硅检测器12；硅检测器12的输出同时分送入一个单道脉冲幅度分析器13和一个多道(例如2048道)脉冲幅度分析器14。其中，单道脉冲幅度分析器13被设定为仅选通衍射波长(衍射常用CuKα波长)，以便获得衍射谱；多道脉冲幅度分析器14则用于分析样品散射的X射线能量谱，该谱图中的线状谱除相应波长为衍射波长的线外，其余的谱线应为样品的组成元素的特征谱线。依据多道脉冲幅度分析器14输出的能量谱即可确定样品的主要元素组成。
与使用高能量分辨率硅检测器的现代衍射仪一样，本实施例在获取衍射谱时不再需要使用石墨弯晶单色器等物理单色化方法，在使用同等强度的X射线源和扫描条件下能够得到质量更好(衍射强度增加约3倍)的衍射图，但是，由于增加了X射线能谱的获取通道，本实施例能同时获得X射线衍射-荧光双谱，对于物相分析将更有益。
图2为本实用新型X射线衍射-荧光双谱仪的实施例三结构图，如图所示，本实施例的双谱仪与传统的X射线粉末衍射仪相同，包括X射线源21，以及普通的X射线检测器22和单道脉冲幅度分析器23作为衍射强度的测量器件。而为了获取样品的X射线能谱，本实施例的双谱仪独立地增加了一个小型的高能量分辨率(180eV或更佳)硅检测器24和多道脉冲分析器25。这样的配置，也能同时获得X射线衍射-荧光双谱，并且与上述实施例一相比其配置成本更低。
以上为本实用新型的最佳实施方式，依据本实用新型公开的内容，本领域的普通技术人员能够显而易见地想到一些雷同、替代方案，均应落入本实用新型保护的范围。
Claims (5)
1、一种X射线衍射-荧光双谱仪，包括X射线源，其特征在于，还包括：硅检测器、单道脉冲幅度分析器及多道脉冲幅度分析器，
所述X射线源产生X射线照射待测样品；
所述硅检测器对所述待测样品反射的X射线进行检测并将输出分送入所述单道脉冲幅度分析器及多道脉冲幅度分析器；
所述单道脉冲幅度分析器仅选通衍射波长，用于获取待测样品的X射线衍射谱；
所述多道脉冲幅度分析器用于获取待测样品的X射线荧光能谱。
2、如权利要求1所述的X射线衍射-荧光双谱仪，其特征在于，所述硅检测器的敏感区为长条形。
3、如权利要求1所述的X射线衍射-荧光双谱仪，其特征在于，所述硅检测器的能量分辨率优于180eV。
4、一种X射线衍射-荧光双谱仪，包括X射线源、常规检测器及单道脉冲幅度分析器，其特征在于，还包括：硅检测器及多道脉冲幅度分析器，
所述X射线源产生X射线照射待测样品；
所述常规检测器对所述待测样品反射的X射线进行检测并将输出送入所述单道脉冲幅度分析器，用于获取待测样品的X射线衍射谱；
所述硅检测器对所述待测样品反射的X射线进行检测并将输出送入所述多道脉冲幅度分析器，用于获取待测样品的X射线荧光能谱。
5、如权利要求4所述的X射线衍射-荧光双谱仪，其特征在于，所述硅检测器的能量分辨率优于180eV。
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| CNU2009201051077U CN201335815Y (zh) | 2009-01-14 | 2009-01-14 | X射线衍射-荧光双谱仪 |
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Publications (1)
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2009
- 2009-01-14 CN CNU2009201051077U patent/CN201335815Y/zh not_active Expired - Lifetime
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| CP03 | Change of name, title or address |
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