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CN1945408A - 液晶显示器 - Google Patents

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CN1945408A
CN1945408A CNA2006101431537A CN200610143153A CN1945408A CN 1945408 A CN1945408 A CN 1945408A CN A2006101431537 A CNA2006101431537 A CN A2006101431537A CN 200610143153 A CN200610143153 A CN 200610143153A CN 1945408 A CN1945408 A CN 1945408A
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CN
China
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pixel electrode
lcd
pixel
electrode
voltage
Prior art date
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Pending
Application number
CNA2006101431537A
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English (en)
Inventor
申暻周
仓学璇
金贤昱
金妍周
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本发明的液晶显示器包括:衬底;多个设置在衬底上的第一子像素电极,每个第一子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘;多个设置在衬底上的第二子像素电极,每个第二子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘,每对第一和第二子像素电极设置在第一方向上并形成像素电极;以及面向包括所述像素电极的多个像素电极的公共电极,其中第一和第二子像素电极在基本上垂直于第一方向的第二方向上具有不同的长度。

Description

液晶显示器
技术领域
本申请涉及液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示装置之一。LCD包括一对板和插入在两个板之间的液晶(LC),每一个板上具有诸如各像素电极或是公共电极的场发生电极。通过对电极施加电压,LCD在LC层产生电场,并且通过控制电场的强度改变LC分子的取向、入射到LC层上的偏振光以及改变入射到LC层上的光的透光率来获得理想的图像。
LCD还包括连接到像素电极和诸如栅线和数据线的信号线上的开关元件,信号线用于将信号施加到开关元件上,由此将电压施加到各像素电极上。
在LCD中,垂直配向(VA)模式LCD排列LC分子使得不存在电场时LC分子的长轴垂直于各板,从而获得高对比度和大的参考视角。参考视角为对比度约1∶10或是灰度的亮度顺序开始反转时的视角。
VA模式LCD的大视角可通过场产生电极中的切口和场产生电极上或下方的突起来实现。因为切口和突起可确定LC分子的倾角方向,通过使用切口和突起加大参考视角,可使该倾角分布在几个方向上。
突起和切口可阻碍入射光的传输,并且因此随突起或是切口数量的增多而降低光透射率。为了增加光透射率,可扩大像素电极的面积。增大的像素电极需要与邻近的像素电极和数据线紧密设置,以便在像素电极的边缘附近产生较强的横向电场。横向电场影响LC分子的定向以产生纹理和光泄漏并且延长受到影响的像素的响应时间。
另外,与前方可见度相比,VA模式LCD的侧向可见度很差。例如,在传统的具有切口的LCD中,当其移动到LCD的侧向边缘时图像变亮,并且在严重的情况下,高灰度之间的亮度差消失使图像模糊。
发明内容
根据本发明实施例的液晶显示器包括:衬底;多个设置在衬底上的第一子像素电极,每个第一子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘;多个设置在衬底上的第二子像素电极,每个第二子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘,每对第一和第二子像素电极设置在第一方向上并形成像素电极;以及面向包括所述像素电极的多个像素电极的公共电极,其中第一和第二子像素电极在基本上垂直于第一方向的第二方向上具有不同的长度。
每个像素电极中的第一子像素电极的弯曲边缘之一与第二子像素电极的弯曲边缘之一可在第一方向上彼此对准。另外,每个像素电极中的第一子像素电极的中心和第二子像素电极的中心可在第一方向上彼此对准。
液晶显示器还包括:与像素电极耦合的多个薄膜晶体管;与薄膜晶体管耦合并在第一方向上彼此以基本上相同的距离分离开的多条第一信号线;以及与薄膜晶体管耦合并与第一信号线相交的多条第二信号线。
第一信号线可传输数据电压并可以是直线的。
每个第一和第二子像素电极可与薄膜晶体管之一耦合,并且可对每个像素中的第一和第二子像素电极提供由单个图像信息产生的不同数据电压。第一和第二子像素电极在不同的时间被供给相应的数据电压,或是在基本上相同的时间被供给基本相同的数据电压。
第二数据线可经过第一子像素电极或是第二子像素电极,并且可沿着第一子像素电极和第二子像素电极的边界延伸。
液晶显示器还可包括设置在像素电极和薄膜晶体管之间的有机层,以及第一和第二信号线。
液晶显示器还包括层叠第一像素电极和第二像素电极之一的多个存储电极线,并且其或是经过第一或第二子像素电极,或是沿着第一子像素电极和第二子像素电极的边界延伸。
第一和第二子像素电极的弯曲边缘的弯曲角度可基本上等于直角。
第一子像素电极和第二子像素电极在第一方向上具有基本上相同的长度。在第二方向上,第二子像素电极的长度可约为第一子像素电极长度的1.8倍至2倍。
每个像素电极上的第一子像素电极和第二子像素电极可彼此分离,并可具有单独的电压。第一子像素电极的面积可小于第二子像素电极的面积,并且第一子像素电极的电压可高于第二子像素电极的电压。尤其是,第二子像素电极的面积可约为第一子像素电极面积的1.8倍至2倍。
可对每个像素电极上的第一子像素电极和第二子像素电极提供由单个图像信息生成的独立的数据电压。或者,每个像素电极上的第一子像素电极和第二子像素电极可彼此电容耦合,或是彼此直接耦合。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的实施例,本发明将更显而易见,其中:
图1是根据本发明实施例的LCD的方框图;
图2根据本发明实施例的LCD一个像素的等效电路图;
图3是根据本发明实施例的LC面板组件中像素电极、公共电极、彩色滤光片和数据线的布图;
图4是图3所示的形成子像素电极基极的平面图;
图5和图6示意性示出了根据本发明实施例的像素电极和数据线;
图7A和图7B是根据本发明实施例的信号线和像素的等效电路图;
图8是根据本发明实施例的LC面板组件的布图;
图9和10分别是图8所示LC面板组件沿线IX-IX和X-X的截面图;
图11是根据本发明另一实施例的LC面板组件的布图;
图12是根据本发明另一实施例的信号线和像素的等效电路图;
图13、14和15是根据本发明另一实施例的LC面板组件的像素电极和切口的布图;以及
图16和17是根据本发明另一实施例的LC面板组件的布图。
具体实施方式
下文将参照附图更充分的说明本发明,其中示出了本发明的优选实施例。然而,本发明还可以以多种不同的形式实现,并且本发明不应局限于此处提出的实施例。
在各图中,为清楚起见,放大了各层、膜和区域的厚度。全文相同的标记表示相同的元件。应当理解,但例如层、膜或区域的一个元件被称为在另一元件“上”是,其可直接在另一元件上,或是也可出现插入元件。相反,当元件相对另一元件被称为“直接在......上”时,则就没有插入元件。
将参照图1和2详细地描述本发明的实施例。
图1是根据本发明实施例的LCD的方框图;图2是根据本发明实施例的LCD一个像素的等效电路图。
参照图1,根据一个实施例的LCD包括LC面板组件300、栅驱动器400、数据驱动器500、灰度电压发生器700和信号控制器600。
参照图1,面板组件300包括多条信号线(未示出)和多个连接到其上并且基本上呈矩阵排列的像素PX。在图2所示的结构图中,面板组件300包括下板100、上板200和插入在它们之间的LC层3。
设置在下板100上的信号线包括多个传输栅信号(也称为“扫描信号”)的栅线(未示出),和多个传输数据信号的数据线(未示出)。栅线基本上在行方向上延伸,并且彼此基本上平行排列,而数据线基本上在列方向上延伸,并且彼此基本上平行排列。
参照图2,每个像素PX包括一对子像素,并且每个子像素包括液晶(LC)电容器Clcm/Clcs。两个子像素中的至少一个还包括连接到栅线、数据线和LC电容器Clcm/Clcs的开关元件(未示出)。
LC电容器Clcm/Clcs包括作为两个端子的子像素电极PEm/PEs和设置在上板200上的公共电极CE。设置在电极PEm/PEs和CE之间的LC层3起到LC电容器Clcm/Clcs电介质的作用。成对的子像素电极PEm和PEs彼此分离并形成像素电极PE。公共电极CE被供给公共电压Vcom,并覆盖上板200的整个表面。LC层3具有负介电各向异性,并且可将LC层3中的LC分子这样定向,使得在没有电场的情况下,LC分子的长轴垂直于面板100和200的表面。
对于彩色显示器,每个像素PX唯一地呈现一种原色,其中空间分隔分离各颜色,或是每个像素PX按次序地顺序呈现一种原色,其中时间分隔分离各颜色,以便各原色的空间或时间之和被认为是所希望的颜色。虽然原色包括红、绿和蓝颜色,像素PX可呈现除原色之外的颜色。图2示出了空间分隔的例子,其中每个像素PX包括在面对像素电极PE的上板200的区域中呈现一种原色的彩色滤光片CF。或者,彩色滤光片CF设置在下板100上的子像素电极PEm或PEs的上面或其之下。
成对地偏振器(未示出)贴附在面板100和200的外表面上。两个偏振器的偏振轴可以交叉,以便交叉的偏振器阻挡入射到LC层3上的光。可省略一个偏振器。
再次参照图1,灰度电压发生器700产生多个与像素PX的透射率相关的灰度电压。灰度电压发生器700可只产生给定数量的灰度电压(称为参考灰度电压)而不是产生所有的灰度电压。
栅驱动器400连接到面板组件300上的栅线上,并与来自外部器件的栅导通电压Von和栅截止电压Voff同步以产生应用到栅线上的栅信号Vg。
数据驱动器500连接到面板组件300的数据线上,并将从来自灰度电压发生器700提供的各灰度电压中选择出来的数据电压Vd施加至数据线。当灰度电压发生器700产生参考灰度电压时,数据驱动器500可通过分离参考灰度电压产生用于所有的灰度的灰度电压,并从产生的灰度电压产生数据电压Vd。
信号控制器600控制栅驱动器400和数据驱动器500。
每个驱动单元400,500,600和700可包括至少一个安装在LC面板组件300或带载封装(TCP)形式的柔性印刷电路板(FPC)上的集成电路(IC)芯片。或者,至少一个处理单元400,500,600和700可以和信号线和开关元件一起集成为面板组件300。或者,所有处理单元400,500,600和700可集成为单个的IC芯片,但处理单元400,500,600和700至少之一或是在至少一个处理单元400,500,600和700中的至少一个电路元件设置在单个IC芯片外部。
将参照图3和4详细描述LC面板组件中像素电极、公共电极、彩色滤光片和数据线的详细结构。
图3是根据本发明实施例的LC面板组件中像素电极、公共电极、彩色滤光片和数据线的布图。图4是形成图3所示的子像素电极的基极的平面图。
参照图3和图4,LC面板组件的每个像素电极191包括第一子像素电极191m和第二子像素电极191s,它们彼此分离并在列方向上彼此相邻。子像素电极191m和191s具有切口91、92和93。公共电极270(见图2所示的CE和图9)具有多个面向子像素电极191m和191s的切口71、72和73。红色彩色滤光片230R,绿色彩色滤光片230G和蓝色彩色滤光片230B彼此相邻形成并沿着像素电极191在列方向延伸。
形成像素电极191的第一和第二子像素电极191m和191s都可以与各自的开关元件(未示出)相耦合。或者,第一子像素电极191m耦合到开关元件(未示出),第二子像素电极191s电容耦合到第一子像素电极191m上。每个开关元件可连接到栅线和数据线上。参考标记171表示数据线。
每个子像素电极191m和191s具有与图4所示的基极193基本相同的形状,或是具有这样的形状,即在行方向上相邻的成对的基极193其上端和下端彼此连接的形状等。公共电极270中每个切口71-73具有与图4所示的切口70基本相同的形状。通过在行方向和列方向上重复基极193和切口70的布置可获得子像素电极191m和191s以及切口71-73和91-93的布置。
如图4所示,基极193具有成对的弯曲边缘193o1和193o2,以及成对横向边缘193t,并且具有V字形状。弯曲边缘193o1和193o2包括与横边193t以钝角例如135度相交的凸边193o1,以及与横边193t以锐角例如45度相交的凹边193o2。由一对倾斜边缘以90度相交形成的弯曲边缘193o1和193o2具有约直角的弯曲角度。每个基极193具有从凹边缘193o2上凹顶点CV朝向凸边缘193o1上凸顶点VV延伸并且到达基极193中心附近的切口90。
公共电极270中的切口70包括具有弯曲点CP的弯曲部分70o,以及与弯曲部分70o的弯曲点CP连接的中心横向部分70t1,以及与弯曲部分70o的末端相连接的一对终端横向部分70t2。切口70的弯曲部分70o包括一对以大约直角相交的倾斜部分,基本上平行于基极193的弯曲边缘193o1和193o2延伸,并且将基极193切成左右两半。切口70的中心横向部分70t1与弯曲部分70o成钝角例如约135度,并朝向基极193的凸顶点VV延伸。终端横向部分70t2与基极193的横向边缘193t对准,并与弯曲部分70o成钝角例如约135度。
基极193被切口70和90分为四个子区域S1、S2、S3和S4。每个子区域S1-S4具有由切口70的弯曲部分70o和基极193的弯曲边缘193o限定的两个基本边缘。基本边缘之间的距离即每个子区域S1-S4的宽度可等于约22-26微米。
基极193和切口70关于与基极193的凸顶点VV和凹顶点CV相连接的假想直线(称为中心横线)呈反对称性。
如图3所示,第二子像素电极191s的形状为,其中两个基极193在其上端和下端连接,从而两个基极193之一的凸边缘可邻近两个基极193中另一个的凸边缘。两个基极193之间的缝隙和与该缝隙相交的切口90形成切口92。切口92包括将第二子像素电极191s分为左、右两半的弯曲部分和与该弯曲部分相交的横向部分。
参照图4,基极193的横向边缘193t的长度L被限定为基极193的长度,并且基极193的两个横向边缘193t之间的距离H被限定为基极193的高度。以上述方法限定包括基极193的子像素电极的长度和高度。在图3中,第一子像素电极191m的高度基本上等于第二像素电极191s的高度,并且第二子像素电极191s的长度约为第一子像素电极191m长度的1.8-2倍。因此,第二子像素电极191s的面积约为第一子像素电极191m的面积的1.8-2倍。
第一子像素电极191m和第二子像素电极191s在行和列方向上交替排列。
对于子像素电极191m和191s在行方向上的排列,第一子像素电极191m的中心横线与第二子像素电极191s的中心横线相一致。第一子像素电极191m的凸边缘与第二子像素电极191s的凹边缘相邻,并且第一子像素电极191m的凹边缘与第二子像素电极191s的凸边缘相邻。
对于在列方向上的排列,因为第一和第二子像素电极191m和191s的长度不同,可考虑几种排列。一种示例性的排列为,使子像素电极191m和191s之一的弯曲边缘与子像素电极191m和191s的另一个弯曲边缘相交。在图3所示的示例中,第一子像素电极191m和第二从像素电极191s的凸边缘(左边缘)和凹边缘(右边缘)交替排列。另一种示例性排列为,使两个子像素电极191m和191s之一的弯曲边界与两个子像素电极191m和191s的另一个的弯曲边界偏离。例如,第一子像素电极191m可与第二子像素电极191s的中心相对准。
更详细的说,在图3所示的例子中,第一子像素电极191m的凸边缘基本上与第二子像素电极191s的凸边缘对准,或是与将第二子像素电极191s平分的切口92的弯曲部分对准,并且第一子像素电极191m的凹边缘基本上与第二子像素电极191s的切口92的弯曲边缘对准,或是与第二子像素电极191s的凹边缘对准。子像素电极191m和191s的弯曲部分或者相邻的子像素列中切口的弯曲部分彼此基本上对准,并且相邻子像素列中的公共电极270的切口71-73的弯曲部分基本上彼此对准。
将详细描述图1-4中所示上述LCD的操作。
将输入信号R、G和B提供给信号控制器600以及来自外部图形控制器(未示出)的控制显示器的输入控制信号。该输入图像信号R、G和B包含每个像素PX的亮度信息,并且该亮度具有预定数量的灰度数,例如1024(=210),256(=28)或64(=26)。该输入控制信号包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、主时钟MCLK、数据使能信号DE等。
信号控制器600产生栅控制信号CONT1和数据控制信号CONT2,以及根据输入控制信号和输入图像信号R、G和B来处理适于面板组件300和数据驱动器500的操作的输入图像信号R、G和B。信号控制器600将栅控制信号CONT1传送到栅驱动器400,并且将已处理的图像信号DAT和数据控制信号CONT2传送到数据驱动器500。已处理的图像信号DAT是具有预定数量的数值(或灰度)的数字信号。
栅控制信号CONT1包括用于指示栅驱动器400开始扫描的扫描起始信号STV,以及至少一个用于控制栅导通电压Von的输出时间的时钟信号。栅控制信号CONT1还可包括用于限定栅导通电压Von持续时间的输出使能信号OE。
数据控制信号CONT2包括:水平同步开启信号STH,用于对于一组子像素向数据驱动器500传达数据传输的开始;负载信号LOAD,用于指示数据驱动器500施加数据电压到面板组件300;以及数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可包括用于相对于公共电压Vcom反转数据电压极性的反转信号RVS。
响应来自数据控制器600的数据控制信号CONT2,数据驱动器500从信号控制器600接收用于子像素电极组的图像数据DAT的数据包。数据驱动器500将图像数据DAT转换为模拟数据电压,由灰度电压发生器700提供的灰度电压中选择模拟数据电压,并将该数据电压施加到数据线上。
栅驱动器400响应来自信号控制器600的栅控制信号CONT1将栅导通电压Von施加到栅线上,由此打开连接到其上的开关元件。施加到数据线上的数据电压经过已开启的开关元件被提供给子像素。
参照图3,当形成像素电极191的第一子像素电极191m和第二子像素电极191s与各自的开关元件耦合时,例如,当每个子像素电极包括其拥有的开关元件时,可在不同的时间经过相同的数据线或是经过不同的数据线,或是在相同的时间经过不同的数据线将各个数据电压Vd提供给两个子像素。
当第一子像素电极191m与开关元件(未示出)耦合时,并且第二子像素电极191s与第一子像素电极191m电容耦合时,包括第一子像素电极191m的子像素可通过开关元件直接被提供给数据电压Vd,而包括第二子像素电极191s的其它子像素可具有根据第一子像素电极191m的电压而变化的电压。具有相对较小面积的第一子像素电极191m优选具有比面积较大的第二子像素电极191s较大的电压(相对于公共电压)。
当在LC电容器Clcm/Clcs的两个端子之间产生电压差时,在LC层3中产生基本上垂直于面板100和200的表面的主电场。像素电极PE和公共电极CE都统称为电场产生电极。LC电容器Clcm/Clcs中的LC分子响应电场易于改变取向,以使其长轴可垂直于电场方向。分子取向决定经过LC层3的光的偏振。偏振器透射某一偏振的光,该透射的光导致光的透射使像素PX显示由图像信号DAT呈现的亮度。
LC分子的倾斜角取决于电场的强度。因为LC电容器Clcm和Clcs的电压彼此不同,所以在子像素中各LC分子的角度可彼此不同,并且因此两个子像素的亮度彼此不同。所以,两个LC电容器Clcm和Clcs的电压可调整为从侧面观看到的图像接近从前方看到的图像,其中,侧面伽马系数曲线接近前方伽马系数曲线。当侧面伽马系数曲线接近前方伽马系数曲线时,侧面可见性提高。
另外,电压(相对于公共电压Vcom)高于第二子像素电极191s的电压的第一子像素电极191m可具有比第二子像素电极191s较小的面积,由此使侧面伽马系数曲线更接近前方伽马系数曲线。尤其是,当第一子像素电极191m和第二子像素电极191s的面积比等于约1∶2时,侧面伽马系数曲线更接近前方伽马系数曲线。
LC分子的倾斜方向由水平电场分量确定。水平电场分量由使主电场变形的电场发生电极191和270的切口71-73和91-93以及子像素电极191m和191s的边缘产生。水平电场分量基本上垂直于切口71-73和91-93以及子像素电极191m和191s的边缘。
参照图3,因为在由切口71-73和91-73分割开的每个子区域上的LC分子垂直于子区域的第一边缘而倾斜,倾斜方向的方位角分布局限于四个方向,由此增大了LCD的参考视角。
子区域的宽度,即,公共电极270的切口71-73的倾斜部分与子像素电极191m和191s的倾斜边缘或是切口91-93之间的距离优选约等于22-26微米,使主电场的水平分量可以被适当地使用并可降低由切口71-73和91-93所引起的开口率的减小。
由邻近像素电极191之间的电压差产生的次电场的方向垂直于子区域的主边缘。因此,次电场的电场方向与主电场的水平分量一致。所以,相邻像素电极191之间的次电场增强了LC分子的倾斜方向的确定。
通过在每个水平周期(其由“1H”表示,并且等于水平同步信号Hsync或是数据使能信号DE的一个周期)重复这种步骤,所有的像素PX都被施加了数据电压。
当一帧结束之后下一帧开始时,施加到数据驱动器500上的反转控制信号RVS受到控制,使得数据电压的极性被反转,其被称为“帧反转”。也可控制该反转控制信号RVS使得在数据线中流动的图像数据信号的极性在一帧中周期性的反转,例如,行反转和点反转,或是使在一个数据包中的图像数据信号的极性反转,例如,列反转和点反转。
在上述的反转类型中,点反转等,反转相邻数据线的极性并在正负之间反复地反转每个数据线的极性。在图3中,左和右数据线171的数据电压可具有正极性,而中间数据线171的数据电压可具有负极性。然而,它们的极性将会被反转并且极性的反转将会被重复。
将参照图5和6描述根据本发明实施例的各LCD中的寄生电容。
图5和6示意性的示出了根据本发明实施例的像素电极和数据线。
像素电极191和与其相邻的数据线171或171b形成改变像素电极191电压的寄生电容。例如,像素电极191的电压随着数据线171a或171b电压的升高而升高,而像素电极191的电压随着数据线171a或171b电压的下降而下降。当数据线171a或171b的电压从负极性转换为正极性时,像素电极191的电压升高。当数据线171a或171b的电压从正极性转换为负极性时,像素电极191的电压下降。如图5和6所示,由于像素电极191层叠了具有相反极性电压的两条数据线171a或171b,像素电极191和两条数据线171a和171b之一之间的寄生电容提高了像素电极191的电压,而像素电极191和两条数据线171a和171b另一个之间的寄生电容则降低了像素电极191的电压。
像素电极191的电压变化取决于像素电极191和数据线171a或171b之间的寄生电容,并且寄生电容与像素电极191和数据线171a或171b之间的层叠区域成比例。
尽管图5和6所示的每个像素电极191层叠两条数据线171a和171b,但是像素电极191和两条数据线171a和171b的每一个之间的层叠区域基本上与图5中的类似,其中在图6中,像素电极191和每条数据线171a和171b之间的层叠区域可不同于像素电极191之间的。
Cdp1表示像素电极191和数据线171a之间的寄生电容,Cdp2表示像素电极191和另一数据线171b之间的寄生电容。当像素电极191被供给电压Vp时,假设数据线171a和171b的电压分别为V1和V2。存储在像素电极191中的电荷总量Qp可确定为:
Qp=Cst×(Vp-Vbff+C1c×(Vp-Vcom)+Cdp 1×(Vp-V1)+Cdp2×(Vp-V2),(1)
其中Voff是像素电极191的初始电压。
如果当数据线171a和171b的电压分别从V1和V2变化为V1’和V2’时,像素电极191的电压从Vp变化到Vp’,那么存储在像素电极191中的电荷总量Qp’可确定为:
Qp’=Cst×(Vp’-Vbff)+Clc×(Vp’-Vcom)+Cdp1×(Vp’-V1’)+Cdp2×(Vp’-V2’),(2)
因为根据电荷守恒定律,Qp’和Qp相等,所以像素电极191的电压变化ΔVp可确定为:
ΔVp = Vp ′ - Vp = Cdp 1 ( V 1 ′ - V 1 ) + Cdp 2 ( V 2 ′ - V 2 ) Cst + Clc + Cdp 1 + Cdp 2 - - - ( 3 )
由像素电极191和数据线171a和171b之间的寄生电容引起的电压变化ΔVp可能引起垂直串扰。
当LCD使用点反转而不是列反转时,在一帧中像素电极191的电压变化ΔVp的时间平均基本上为零(0),而不产生缺陷。在每条数据线171a和171b中的电压可通过寄生电容的不同来改变。因此,优选施加在两条数据线171a和171b上的寄生电容基本上彼此相等。
图5和6所示的布置中数据线171a和171b为直线,并且以基本上恒定的距离排列,该布置可在一帧中产生电压变化的几乎等于零的时间平均,尽管在寄生电容中存在由像素电极191和数据线171a和171b之间的重叠区域不同引起的微小差异。因此,由寄生电容引起的电压升高和电压降低现象基本上被消除,减小了像素电极191的电压变化。
现在,参照图7A、7B,8,9和10以及图1-3详细描述根据本发明实施例的LC面板组件的结构。
图7A和图7B是信号线和像素的等效电路图。
示于图7A和7B的每个LC面板组件包括多条信号线和多个连接于其上的像素PX。信号线包括多个成对的栅线Gla和GLb,多条数据线DLL和DLR,以及多条基本上平行于栅线Gla和GLb延伸的存储电极线SL。
每个像素PX包括成对的子像素PXm和PXs。每个子像素PXm/PXs包括连接到栅线GLa和GLb之一以及数据线DLL和DLR之一的开关元件Qm/Qs,耦合到开关元件Qm/Qs的LC电容器Clcm/Clcs,以及连接在开关元件Qm/Qs和存储电极线SL之间的存储电容器Cstm/Csts。
开关元件Qm/Qs,例如薄膜晶体管(TFT),设置在下板100上并具有连接到栅线Gla/GLb上的控制端子,连接到数据线DLL或DLR上的输入端子,以及连接到LC电容器Clcm/Clcs和存储电容器Cstm/Csts的输出端子。示于图7A中的开关元件Qm和Qs连接到同一数据线DLL,而开关元件Qm和Qs连接到不同的数据线DLL和DLR。
存储电容器Cstm/Csts是LC电容器Clcm/Clcs的辅助电容器。存储电容器Cstm/Csts包括子像素电极和单独的信号线,其设置在下板100上,经绝缘体与子像素电极重叠,并且被供给例如公共电压Vcom的预定电压。或者,存储电容器Cstm/Csts包括子像素电极和称为前栅线的邻近栅线,其经过绝缘体重叠像素电极PEm/PEs。
上面已经参照图2对LC电容器Clcm/Clcs等进行了描述,此处省略了其详细描述。
在图7A和7B所示的LCD中,信号控制器600接收输入图像数据R、G和B,并将用于每个像素的输入图像数据R、G和B转换为用于两个子像素电极的PXm和PXs的输出图像数据DAT,以待提供到数据驱动器上。另外,灰度电压发生器700向两个子像素PXm和PXs产生独立的灰度电压组。该两个灰度电压组通过灰度电压发生器700交替地被施加到数据驱动器500或是通过数据驱动器500被交替地选择,以向两个子像素PXm和PXs施加不同的电压。
优选确定每个组中转换的输出图像信号的值和灰度电压的值以便两个子像素PXm和PXs的合成伽马系数曲线接近正面观看时的参考伽马系数曲线。例如,正面观看状态下合成的伽马系数曲线与正面观看状态下最适合的参考灰度曲线相一致,并且侧面观看状态下合成的伽马系数曲线与正面观看状态下的参考灰度曲线最相似。
将参照图8,9和10详细描述根据本发明实施例的图7B示出的LC面板组件的例子。
图8是根据本发明实施例的LC面板组件的布图,图9和图10是图8所示的LC面板组件分别沿IX-IX和X-X线的截面图。
参照图8-10,根据本发明实施例的LC面板组件包括下板100、面向下板100的上板200和插入在两个面板100和200之间的LC层3。
对于下板100,包括多个成对的上和下栅线121a和121b的栅导体以及多个存储电极线131形成在例如透明玻璃或塑料的绝缘衬底110上。
栅线121a和121b传输栅信号,基本在横向上延伸,并且分别设置在相对的上和下位置上。
每条上栅线121a包括多个向下突出的上栅电极124a和具有较大面积的端部129a,该端部用于连接另一层或外部驱动电路。每条下栅线121b包括多个向上突出的下栅电极124b以及具有较大面积的端部129b,该端部用于连接另一层或外部驱动电路。栅线121a和121b可延伸来与可在衬底110上集成的栅驱动器400连接。
存储电极线131被供给预定电压,例如公共电压Vcom,并基本上平行于栅线121a和121b延伸。每个存储电极线131设置在成对的栅线121a和下栅线121b之间。存储电极线131比下栅线121b更接近上栅线121a。存储电极线131包括多个向上和向下延伸的存储电极137。存储电极131可以有各种形状和排列。
栅导体121a,121b和131可由例如Al和Al合金的含铝(Al)金属,例如Ag和Ag合金的含有银(Ag)金属,例如Cu或Cu合金的含铜(Cu)金属,例如Mo和Mo合金的含钼(Mo)金属,铬(Cr),钽(Ta)或钛(Ti)制成。它们可具有包括物理特性不同的两个导电膜(未示出)的多层结构。两个膜之一可由含铝金属,含银金属和含铜金属的低电阻金属构成,以减小信号延迟或电压降。另一膜可由含Mo金属,Cr,Ta或Ti的材料构成,其与例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的其它材料具有良好的物理、化学特性以及良好的电连接特性。两个膜组合的一个较好的例子是下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。栅导体121a,121b就131可由各种材料或是导体构成。
栅导体121a,121b和131的横向侧相对于衬底的表面倾斜,其倾斜角度在约30-80度的范围内。
由镍化硅(SiNx)或是氧化硅(SiOx)形成的栅绝缘层140形成在栅导体121a,121b和131上。
可由氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)或是多晶硅构成的多个成对的上和下半导体岛154a和154b形成在栅绝缘层140上。上/下半导体岛154a/154b设置在上/下栅电极124a/124b上。
多个成对的欧姆接触岛163b和165b形成在下半导体岛154b上,多个成对的欧姆接触岛(未示出)形成在上半导体岛154a上,并且个欧姆接触岛163b和165b可由具有重掺杂例如磷的n型掺杂物的n+氢化a-Si(硅)构成,或它们可以由硅化物构成。
半导体岛154a和154b和欧姆接触163b和165b的横向侧面相对于衬底110的表面倾斜,并且其倾斜角可在约30-80度范围内。
包括多条数据线171和多个成对的下和上漏极175a和175b的多个数据导体形成在欧姆接触163b和165b以及栅绝缘层140上。
数据线171传输数据信号并基本在纵向上延伸,以与栅线121a和121b以及存储电极线131相交。数据线171具有弯曲部分并且每个弯曲部分包括两个以大约直角彼此连接的倾斜部分。每条数据线171包括多个分别向上和下栅电极124a和124b突出的上和下源电极173a和173b,并且弯曲成字母U形。每个数据线171还包括端部179,其具有用于与另一层或外部驱动电路接触的区域。数据线171可延伸到与可集成在衬底110上的数据驱动器500连接。
上和下漏极175a和175b彼此分离并与数据线171分离。上/下漏极175a/175b相对于上/下源极173a/173b设置,而上/下源极173a/173b相对于上/下栅电极124a/124b设置。
每个上漏极175a从其被上源极173a封闭的一端向下延伸,并包括在存储电极137上左右延伸的扩展部177a。每个下漏极175b从其被下源极173b封闭的一端向上延伸,并包括在存储电极137上左右延伸的扩展部177b。每个下漏极175b包括弯曲部分,该弯曲部分包括两个彼此成直角连接的倾斜部分,并且邻近数据线171之间的距离是基本均匀的。
上/下栅电极124a/124b,上/下源极173a/173b和上/下漏极175a/175b与上/下半导体岛154a/154b一起形成TFT Qm或Qs,该TFT Qm或Qs具有沟道,该沟道形成在设置于上/下源极173a/173b和上/下漏极175a/175b之间的上/下半导体岛154a/154b中。
数据导体171,175a和175b可由例如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金的难熔金属构成。然而,它们可具有多层结构,其包括难熔金属膜(未示出)和低电阻率膜(未示出)。多层结构的较好例子是双层结构,该双层结构包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜,也可以是三层结构,该三层结构包括下Mo(合金)膜,中间Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。数据导体171,175a和175b可由多种金属或导体构成。
数据导体171,175a和175b具有倾斜边缘轮廓,并且其倾斜角在约30-80度的范围内。
欧姆接触163b和165b仅插入在下面的半导体154a和154b以及在上面的数据导体171,175a和175b之间,并减小它们之间的接触电阻。半导体岛154a和154b包括一些暴露部分,该暴露部分不被数据导体171,175a和175b覆盖,例如位于源极173a和173b与漏极175a和175b之间的部分。
钝化层180形成在数据导体171,175a和175b以及半导体岛154a和154b的暴露部分上。钝化层180可由具有低介电常数的有机绝缘体构成,以使钝化层180具有较大的厚度。钝化层180还可具有平坦的上表面以及光敏性。钝化层180可由无机绝缘体构成,或可包括无机绝缘体构成的下层膜和由有机绝缘体构成的上层膜,以基本上防止半导体岛154a和154b的暴露部分受到有机绝缘体的侵害,同时具有良好的绝缘特性。
钝化层180具有多个暴露数据线171的端部179的接触孔182,多个暴露上漏极175a的扩展部分177a的接触孔185a,以及多个暴露下漏极175b的扩展部分177b的接触孔185b。钝化层180和栅绝缘层140具有多个暴露栅线121a和121b的端部129a和129b的接触孔181a和181b。
像素电极191和多个接触辅助81a,81b和82形成在钝化层180上。它们可由例如ITO或IZO透明导体或诸如Ag、Al、Cr或其合金的反射导体构成。
每个像素电极191包括成对的第一和第二子像素电极191m和191s。第一子像素电极具有切口91,第二子像素电极191s具有切口92和93。
每个子像素电极191m和191s通过接触孔185a或185b物理或电连接到漏极175a或者175b上。
存储电极线131,漏极175a和175b的扩展部分177a和177b,以及接触孔185a和185b邻近第一子像素电极191m和第二子像素电极191s之间的边界设置。相似地,下栅线121b设置在像素电极191之间的边界附近,上栅线121a位于连接子像素电极191m和191s弯曲点的直线上。连接子像素电极191m和191s的弯曲点的直线和第一和第二子像素电极191m和191s之间边界的线形成上述子区域的边界,并且覆盖可由靠近子区域边界的LC分子的扭曲而产生的纹理,由此提高开口率。
此处省略了上述参照图3和4对像素191特征的详细描述。
子像素电极191m或191s和公共电极270以及在它们之间设置的LC层3的一部分一起形成LC电容器Clcm或Clcs,其在TFT Qm或是Qs截止之后存储施加的电压。
每个子像素电极191m和191s和连接到其上的漏极175a或175b层叠包括存储电极137的存储电极线131,且在它们之间插设有栅绝缘层140以便形成存储电容器Cstm或Csts。存储电容器Cstm和Csts提高了LC电容器Clcm和Clcs的电荷存储能力。
因为钝化层180较厚并且具有较低的介电常数,所以尽管像素电极191和数据线171彼此层叠,但是像素电极191和数据线171之间的寄生电容较低。
接触辅助81a,81b和82分别通过接触孔181a,181b和182连接到栅线121a和121b的端部129a和129b以及数据线171的端部179。接触辅助81a,81b和82保护端部129a,129b和179并改善端部129a,129b和179与外部器件之间的附着状况。
对于上板200,光阻挡件220形成在例如透明玻璃和塑料的绝缘衬底210上。光阻挡件220可包括面向下板100上的像素电极191的弯曲边缘的弯曲部分(未示出),以及面向下板100上的TFTs Qm和Qs的展宽部分(未示出)。防止光泄漏的光阻挡件220靠近像素电极191的边界。光阻挡件220可具有其它各种形状。
多个彩色滤光片230也形成在衬底210和光阻挡件220上,彩色滤光片230基本上设置在由光阻挡件220封闭的区域中。彩色滤光片230基本上可沿着像素电极191在纵向上延伸。彩色滤光片230可呈现例如红、绿和蓝色这些原色之一。
覆层250形成在彩色滤光片230和光阻挡件220上。覆层250可由(有机)绝缘体构成,其防止彩色滤光片230暴露并提供平坦表面。覆层250可以省略。
公共电极270形成在覆层250上。公共电极270可由例如ITO和IZO的透明导电材料形成,并且具有多个切口71,72和73,上文已经参照图3予以描述。
可根据设计因素改变切口71-73的数量,并且光阻挡件220也可层叠切口71-73以阻挡切口71-73附近的光泄漏。
可以是同向扭曲的配向层11和21覆盖在面板100和200的内表面上。
偏振器12和22设置在面板100和200的外表面上,使它们的偏振轴交叉,并且偏振轴可关于子像素电极191m和191s的弯曲边缘成约45度角,从而提高光效率。当LCD是反射型LCD时,可省略偏振器12和22之一。
LCD还可包括背光单元(未示出),其经过偏振器12和22以及面板100和200对LC层3提供光。
优选LC层3具有负介电各向异性并且被垂直配向。
也可改变切口71a,72b,73b,92b和93b的形状和排列。
至少切口71-73和91-93之一可由突起(未示出)或是凹陷(未示出)代替。突起可由有机或无机材料制成,并且设置在电场发生电极191或270之上或之下。
数据线171的弯曲部分和下漏电极175b层叠像素电极191的切口92,公共电极270的切口71-73,或是像素电极191之间的缝隙。
将参照图11详细描述根据本发明实施例的图7B所示的LC面板组件的另一例子。
图11是根据本发明另一实施例的LC面板组件的布图。
参照图11,根据本发明实施例的LC面板组件包括下板(未示出),面向下板的上板(未示出),LC层(未示出),和一对偏振器(未示出)。
根据该实施例的LC面板组件的层状结构与图9和图10所示的几乎相同。
对于下板,包括多条成对的上和下栅线121c和121d的栅导体以及多条存储电极线131形成在衬底上(未示出)。每条上/下栅线121c/121d包括上/下栅电极124c/124d和端部129c/129d。存储电极线131包括存储电极137。栅绝缘层(未示出)形成在栅导体121c,121d和131上,并且多个成对的半导体岛154c和154d形成在栅绝缘层上。多个成对的欧姆接触岛(未示出)形成在半导体岛154c和154d上。包括多条数据线171和多个成对的上和下漏极175c和157d的数据导体形成在欧姆接触和栅绝缘层上。每条数据线171包括多个上和下源极173c和173d以及端部179。漏极175c和175d包括扩展部分177c和177d。钝化层(未示出)形成在数据导体171,175c和175d,栅绝缘层,以及半导体岛154c和154d的暴露部分上。多个接触孔181c,181d,182,185c和185d设置在钝化层和栅绝缘层上。包括第一和第二子像素电极191m和191s像素电极191和多个接触辅助物81a,81b和82形成在钝化层上,第一和第二子像素电极191c和191d具有切口91,92和93。配向层11形成在像素电极191和钝化层上。
对于上板,光阻挡件(未示出),彩色滤光片(未示出),覆层(未示出),具有多个切口71,72,73的公共电极(未示出),配向层(未示出)形成在绝缘衬底上。
下栅线121b设置在与子像素电极191m和191s的弯曲点连接的直线上,存储电极线131靠近像素电极191的边界设置。每个存储电极137层叠不同像素中的漏极175c和175d。
参照图8-10描述的LC面板组件的实施例可适用于图11所示的LC面板组件。
将参照图12,13,14,15,16和17详细描述本发明另一实施例的LC面板组件的结构。
图12是根据本发明实施例的信号线和像素的等效电路图。
图12所示的LC面板组件包括下板100,面向下板100的上板200和设置在两个面板100和200之间的LC层3。
包括栅线GL、数据线DL和存储电极线SL的多条信号线形成在下板100上。每个像素包括连接到栅线GL之一和数据线DL之一的开关元件Q,耦合到开关源极Q的LC电容器Clc,和在开关元件Q和存储电极线SL之间连接的存储电容器Cst。
例如薄膜晶体管(TFT)的开关元件Qc/Qd设置在下板100上,并具有连接到栅线GL上的控制端子,连接到数据线DL上的输入端子,以及连接到LC电容器Clc和存储电容器Cst上的输出端子。
LC电容器Clc包括作为两个端子的像素电极PE和设置在上板200上的公共电极CE。在电极PE和CE之间设置的LC层3起到LC电容器Clc电介质的作用。公共电极CE被供给公共电压Vcom并覆盖整个上板200的表面。LC层3具有负介电各向异性,并且可使LC层3中的LC分子取向为,在没有电场作用下LC分子的长轴垂直于面板100和200的表面。
存储电容Cst以及包括图12所示的面板组件的LCD的操作等与上述基本上相同,此处将省略其详细描述。应注意的是,像素PX不分为两个子像素。
将参照图13,14和15详细描述根据本发明实施例的图12所示的LC面板组件中像素电极和公共电极的例子。
图13,14和15是根据本发明实施例的LC平板组合的像素电极和切口的布图。
参照图13-15,每个像素电极191包括第一子像素电极191ml,191m2或191m3以及第二子像素电极191s1,191s2或191s3,并具有与图3所示的像素电极191基本上相同的平面形状。每个第一子像素电极191m1-191m3和第二子像素电极191s1-191s3包括一个基极(示于图4)或行方向上相邻的两个基极。第一和第二子像素电极191m1-191m3和191s1-191s3包括切口91a-93a,91b-93b和91c-93c,并且公共电极CE具有面向第一和第二子像素电极191ml-191m3和191s1-191s3的切口71a-73a,71b-73b和71c-73c。
示于图13-15中的每个像素电极191的两个子像素电极191m1-191m3和191s1-191s3彼此连接以具有相同的电压。
在描述第一和第二子像素电极191m1-191m3和191s1-191s3之间的连接之前,描述子像素电极191m1-191m3和191s1-191s3的布置,示于图14和15中第一和第二子像素电极191m2和191m3及191s2和191s3的凹边缘(左边缘)和凸边缘(右边缘)沿着行方向交替排列。参照图13,第一子像素电极191m1与第二子像素电极191s1的中心基本对准,图13所示的例子,平分第一子像素电极191m1的切口71a的弯曲部分几乎层叠平分第二子像素电极191s1的切口92a的弯曲部分。另外,第一子像素电极191m1的凸边缘和凹边缘几乎覆盖平分第二子像素电极191s1的切口72a和73a的弯曲部分。换言之,子像素行中的子像素电极191m1和191s1的弯曲边缘或切口92a的弯曲部分几乎覆盖与其邻接的子像素行中的公共电极270的切口71a-73a中的弯曲部分。
参照图13-15,当在列方向中排列的第一子像素电极191m1-191m3和第二子像素电极191s1-191s3彼此连接时,第一子像素电极191m1-191m3的横向边缘的一部分或多个部分,但不是全部,与第二子像素电极191s1-191s3相连。这种结构降低了第一子像素电极191m1-191m3和第二子像素电极191s1-191s3附近的纹理的出现率。
参照图13,设置在第二子像素电极191s1的两个基极之间的切口92a连接到第二子像素电极191s1的上和下横向边缘,具体而言,第一子像素电极191m1和第二子像素电极191s1之间缝隙的一部分形成切口92a的末端横向部分。第一子像素电极191m1的凸边缘与第二子像素电极191s1的横向边缘成锐角相交的部分形成凹部。
参照图14,仅是第一子像素电极191m2横向部分的大约一半与第二子像素电极191s2连接。第一子像素电极191m2的凸边缘与第二子像素电极191s2的横向边缘成锐角相交的部分,或是第一子像素电极191m2的凸边缘与第二子像素电极191s2的凸边缘成大约直角相交的部分形成凹部。
参照图15,第一子像素电极191m3和第二子像素电极191s3的基极之间的连接以及切口71c和73c之间的连接没有开口并形成字母W形。详细地说,第二子像素电极191s3的凹边缘的下倾斜边缘,和第二子像素电极191s3左基极中的凹边缘的上倾斜边缘彼此以大约直角相交,形成了凸边缘。同样的,第二子像素电极191s3的凸边缘的下倾斜边缘97和第二子像素电极191s3的左基极中的凸边缘的上倾斜边缘98彼此以大约直角相交,形成了凹边缘。在像素电极191中形成了一个横向切口94c,其从凹边缘的凹顶点开始以减小的宽度向内延伸。切口94c的两个横向边缘以大于约135度的角与倾斜边缘97和98相交,使液晶分子的取向更稳定。
另外,如图15所示,当公共电极270的两个切口71c和73c彼此连接时,两个切口71c和73c的相邻末端横向部分联合成一体。设置在第二子像素电极191s3的两个基极之间的切口92c与第二子像素电极191s3的上横向边缘相交。
将参照图16和17以及图14和15详细描述根据本发明实施例的图12所示的LC面板组件的例子。
图16和17是根据本发明实施例的LC面板组件的布图。
参照图16和17,LC面板组件包括下板(未示出),面向下板的上板(未示出),以及设置在两个面板之间的LC层(未示出)。
根据这些实施例的LC面板组件的层状结构与图8-10中所示的基本相同。
对于下板,包括栅线121的多个栅导体和存储电极线131形成在衬底上(未示出)。每条栅线121包括栅电极124和端部129,存储电极线131包括存储电极137。栅绝缘层(未示出)形成在栅导体121和131上。多个半导体岛154形成在栅绝缘层上,并且多个有机接触(未示出)形成在半导体岛154上。包括多条数据线171的数据导体和多个漏极175形成在欧姆接触和栅绝缘层上,每条数据线171包括多个源极173和端部179,并且每个漏极175包括展宽的端部177。钝化层形成在数据导体171和175,栅绝缘层和半导体岛154的暴露部分上。多个接触孔181,182和185设置在钝化层和栅绝缘层上。包括第一和第二子像素电极191m2和191s2或是191m3和191s3的像素电极191和多个接触辅助81和82形成在钝化层上。配向层(未示出)形成在像素电极191和钝化层180上。
对于上板,光阻挡件(未示出),多个彩色滤光片(未示出),覆层(未示出),具有多个切口71b,72b和73b或是71c,72c和73c的公共电极,以及配向层(未示出)形成在绝缘衬底上(未示出)。
示于图16中的像素电极191和切口71b-73b具有与图14所示的基本相同的形状,并且图17所示的像素电极191和切口71c-73c具有与图15所示的基本相同的形状。每个像素电极191的第一和第二子像素电极191m2和191s2或是191m3和191s3彼此电连接以具有相同的电压,并且像素电极191具有切口91b-93b或是91c-94c。
每个像素电极191仅耦合到一个TFT上,因此图16和17中所示的栅线191的数量是栅线121a和121b数量的一半。
参照图16和17,栅线121设置在列方向上相邻设置的像素电极191的边界附近。示于图16中的存储电极线131沿着第一子像素电极191m2和第二子像素电极191s2之间的连接部分延伸,而示于图17中的存储电极线131沿着第一和第二子像素电极191m3和191s3的弯曲点延伸,并靠近像素电极191下边缘设置。
参照图8-10描述的LC面板组件的实施例可适用于图16和17所示的LC面板组件。
已经参照附图详细地描述了实施例,但是在不脱离本发明精神和范围的情况下,本领域的技术人员可做出各种改型和替换。

Claims (20)

1、一种液晶显示器,包括:
衬底;
多个设置在所述衬底上的第一子像素电极,每个所述第一子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘;
多个设置在所述衬底上的第二子像素电极,每个所述第二子像素电极具有一对彼此基本上平行的弯曲边缘,每对所述第一和第二子像素电极设置在第一方向上并形成像素电极;以及
面向包括所述像素电极的多个像素电极的公共电极,
其中第一和第二子像素电极在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上具有不同的长度。
2、权利要求1的液晶显示器,其中每个所述像素电极中的所述第一子像素电极的弯曲边缘之一和所述第二子像素电极的弯曲边缘之一在所述第一方向上彼此对准。
3、权利要求1的液晶显示器,每个所述像素电极中的所述第一子像素电极的中心和所述第二子像素电极的中心在所述第一方向上彼此对准。
4、权利要求1的液晶显示器,还包括:
与所述像素电极耦合的多个薄膜晶体管;
与所述薄膜晶体管耦合并在所述第一方向上彼此以基本上相同的距离分离开的多条第一信号线;以及
与所述薄膜晶体管耦合并与所述第一信号线相交的多条第二信号线。
5、权利要求4的液晶显示器,其中所述第一信号线传输数据电压并是直线的。
6、权利要求4的液晶显示器,其中每个所述第一和第二子像素电极与所述薄膜晶体管之一耦合,并且在每个所述像素中的第一和第二子像素电极提供有从单个图像信息产生的不同数据电压。
7、权利要求6的液晶显示器,其中对每个所述像素电极中的第一和第二子像素电极在不同的时间供给相应的数据电压。
8、权利要求6的液晶显示器,其中每个所述像素电极中的第一和第二子像素电极在基本上相同的时间供给有基本相同的数据电压。
9、权利要求4的液晶显示器,其中所述第二数据线之一经过所述第一子像素电极和所述第二子像素电极之一,并且沿着所述第一子像素电极和所述第二子像素电极的边界延伸。
10、权利要求4的液晶显示器,还包括设置在所述像素电极和所述薄膜晶体管之间的有机层,以及所述第一和第二信号线。
11、权利要求1的液晶显示器,还包括:
层叠所述第一像素电极和第二像素电极至少之一的多条存储电极线,其中所述多条存储电极线之一经过所述第一子像素电极和第二子像素电极之一,并沿着所述第一子像素电极和第二子像素电极的边界延伸。
12、权利要求1的液晶显示器,其中所述第一和第二子像素电极的弯曲边缘的弯曲角度基本上等于直角。
13、权利要求1的液晶显示器,其中所述第一子像素电极和所述第二子像素电极在所述第一方向上具有基本上相同的长度。
14、权利要求13的液晶显示器,其中在所述第二方向上,所述第二子像素电极的长度约为所述第一子像素电极长度的1.8倍至2倍。
15、权利要求1的液晶显示器,其中每个所述像素电极中的第一子像素电极和第二子像素电极彼此分离,并具有单独的电压。
16、权利要求15的液晶显示器,其中每个所述像素电极中,所述第一子像素电极的面积小于所述第二子像素电极的面积,并且所述第一子像素电极的电压高于所述第二子像素电极的电压。
17、权利要求16的液晶显示器,其中每个所述像素电极中,所述第二子像素电极的面积约为所述第一子像素电极面积的1.8倍至2倍。
18、权利要求17的液晶显示器,其中每个所述像素电极上的第一子像素电极和第二子像素电极提供有由单个图像信息生成的分离的数据电压。
19、权利要求16的液晶显示器,其中每个所述像素电极上的第一子像素电极和第二子像素电极彼此电容耦合。
20、权利要求1的液晶显示器,其中每个所述像素电极上的第一子像素电极和第二子像素电极彼此耦合。
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