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CN1574631A - 高频开关装置和半导体装置 - Google Patents

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CN1574631A
CN1574631A CNA2004100490543A CN200410049054A CN1574631A CN 1574631 A CN1574631 A CN 1574631A CN A2004100490543 A CNA2004100490543 A CN A2004100490543A CN 200410049054 A CN200410049054 A CN 200410049054A CN 1574631 A CN1574631 A CN 1574631A
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

将多个电阻元件的第1端子与多个FET的串联电路的中间连接点连接，对多个电阻元件的第2端子施加与施加在多个FET的栅端子上的电压反相的电压。由此，可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降。其结果是，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降，所以抑制了起因于多个FET的串联电路的中间连接点的电位的下降的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。

Description

高频开关装置和半导体装置
技术领域
本发明涉及在移动体通信机等中进行高频信号的放大、切换等的高频开关装置和将该高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置。
背景技术
如图15所示，作为高频开关装置的现有技术之一的SPDT(单刀双掷)开关装置将电阻元件并联连接在构成高频开关电路部的各FET的漏-源之间(例如，参照特开2002-232278号公报(第13页、图7))。在图15中，符号130～137分别表示耗尽型FET。符号250～257分别表示具有电阻值R1的电阻元件。符号260～267分别表示具有电阻值R2的电阻元件。符号270、271分别表示具有电阻值R3的电阻元件。符号510～512分别表示高频信号输入输出端子。符号610、611分别表示控制端子。符号I1、I2分别表示电流。
在该结构中，例如在对控制端子610施加3V的电压、对控制端子611施加0V的电压的情况下，FET130～133变为导通，FET134～137变为关断。由此，可使从高频输入输出端子510至高频输入输出端子511的路径处于导通状态，并且使从高频输入输出端子510至高频输入输出端子512的路径处于关断状态。
但是，在上述现有技术的结构中，对于导通路径而言，栅正向电流从控制端子610通过电阻元件250～253、FET130～133、电阻元件270流到控制端子611。为了使电阻元件250～253、260～263和270对高频特性没有影响，必须设定电阻值在50kΩ以上。
图中，如假定FET的内建电压(正向电压)为0.4V，则B点的DC电位VB为
3V-0.4V＝(R1/4+R3)×I1
从而，
I1＝2.6V/(R1+4R3)。
另外，
VB＝R3×4I1
从而被表示为
VB＝10.4×R3/(R1+4R3)                        …(1)
例如，当上述电阻元件250～253、260～263和270的值均为50kΩ的情况下，如假定控制端子610的电位为3V、控制端子611的电位为0V，则B点的DC电位VB约为2.1V。由于FET130～133的导通电阻值各低达数Ω左右，至可以忽略的程度，所以B点、A点、C点的电位变得大致相等。其结果是，关断路径的FET134的反向偏置电压与B点大致相同，约为2.1V，流过电阻值R3的电阻270的电流4I1为40μA。
串联连接n个FET而构成的开关电路能处理的最大功率Pmax可用下式表示
Pmax＝2{n(VH-VL+VT))2/Z0                       …(2)
式中，VH表示施加在FET上的高电平电压，VL表示施加在FET上的低电平电压，VT表示FET的阈值电压，Z0表示电路的特性阻抗，一般为50Ω，此时也假定50Ω。若从上述结果代入VH＝2.1V、VL＝0V，并就VT＝-0.6V的情形进行计算，则得到最大功率Pmax为1.40W。因此，几乎得不到附加了电阻元件260～263和电阻元件264～267后所产生的效果。
为了增高B点的DC电位VB，同时减少消耗电流，曾考虑采取增大电阻值R3的方法。可是，当增大了电阻值时，却产生了D点的电位VD降低的问题。
即，对于关断路径而言，从控制端子610起，经过电阻元件271、FET134～137、电阻元件254～257，流过栅反向电流。图中，D点的电位VD用下式表示
VD＝3.0-(4×R3+6×R2)I1                         …(3)
对于电阻元件254～257、271的电阻值，由于往往将其路径作为导通路径使用，故必须与上述导通路径的条件相同。例如，为了从式(1)得到VB的电位为2.4V以上，必须设定电阻值R3为300kΩ。可是，此时若假定以流过1μA左右的电流作为栅反向电流(I2)为前提，则D点的电位VD通常为1.5V，最大功率Pmax进一步下降。
这样，在现有技术中，由于容易引起因FET的漏-源电位的降低导致的处理功率的降低，并且无法减小电阻值R3，所以还是有消耗电流增大的问题。
再有，在特开2002-232278号公报中，为了避免该问题，提出了在高频输入输出端子与开关电路部之间插入电容器，将两者在直流(DC)方面隔离的方法。可是，如果使以半导体工艺制成的电容器直接与高频输入输出端子连接，则有ESD耐压(静电耐压)显著恶化，从而组装了电容器的半导体芯片的面积也增大的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种比现有技术能处理的功率大的高频开关装置和半导体装置。
本发明的另一目的在于提供一种还能减少消耗电流的高频开关装置和半导体装置。
本发明是为解决上述现有技术的课题而进行的，在多个场效应晶体管的串联电路中，具有将电阻元件的一端各自与场效应晶体管彼此之间的连接点(源/漏)独立地连接，对各电阻元件的另一端施加规定的电压的结构。由此，能处理比现有技术大的功率。另外，还可以减少消耗电流。
本发明第1方面的高频开关装置包括输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子和在多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部。多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态。以上的结构对后述本发明的第3、第5、第7方面是共同的。
在多个高频开关电路部的每一个中，还将电阻元件的第1端子与多个场效应晶体管的中间连接点连接，对电阻元件的第2端子施加与施加在连接了电阻元件的第1端子的多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。
本发明第2方面的高频开关装置包括输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子、在多个高频输入输出端子之间配置的多个串联(串接)高频开关电路部以及在多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联(分路)高频开关电路部。多个串联高频开关电路部的每一个和多个并联高频开关电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态。以上的结构对后述本发明的第4、第6、第8方面是共同的。
在多个串联高频开关电路部的每一个和多个并联高频开关电路部的每一个中，还将电阻元件的第1端子与多个场效应晶体管的中间连接点连接，对电阻元件的第2端子施加与施加在连接了电阻元件的第1端子的多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。另外，由于可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
本发明第3方面的高频开关装置具有与第1方面相同的基本结构。此外，还将电阻元件的第1端子与多个场效应晶体管的中间连接点连接，将二极管的阴极与电阻元件的第2端子连接，对二极管的阳极施加与施加在连接了电阻元件的第1端子的多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压，这一点与第1方面不同。
按照该结构，与第1方面具有相同的效果，而通过设置二极管，在经电阻连接二极管的阴极的场效应晶体管导通时，可抑制场效应晶体管的正向电流，可谋求减少消耗电流。
本发明第4方面的高频开关装置具有与第2方面相同的基本结构。此外，还将电阻元件的第1端子与多个场效应晶体管的中间连接点连接，将二极管的阴极与电阻元件的第2端子连接，对二极管的阳极施加与施加在连接了电阻元件的第1端子的多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压，这一点与第2方面不同。
按照该结构，与第1方面具有相同的效果，而通过设置二极管，在经电阻连接二极管的阴极的场效应晶体管导通时，可抑制场效应晶体管的正向电流，可谋求减少消耗电流。
本发明第5方面的高频开关装置具有与第1方面相同的基本结构。此外，在多个高频开关电路部中，在做互相相反的动作的第1和第2高频开关电路部之中，将第1电阻元件的第1端子与构成第1高频开关电路部的第1的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第2电阻元件的第1端子与构成第2高频开关电路部的第2的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将连接在第2高频开关电路部上的第2电阻元件的第2端子与连接在第1高频开关电路部上的第1电阻元件的第2端点连接，这一点与第1方面不同。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。
另外，由于电流常时地从导通状态的场效应晶体管流到关断状态的场效应晶体管，所以确保了稳定的偏置电位，其结果是，可增大能处理的功率，并且可得到优良的高频特性。
本发明第6方面的高频开关装置具有与第2方面相同的基本结构。此外，在多个串联(串接)高频开关电路部的每一个和多个并联(分路)高频开关电路部的每一个中，在做互相相反的动作的第1和第2高频开关电路部之中，将第1电阻元件的第1端子与构成第1高频开关电路部的第1的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第2电阻元件的第1端子与构成第2高频开关电路部的第2的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将连接在第2高频开关电路部上的第2电阻元件的第2端子与连接在第1高频开关电路部上的第1电阻元件的第2端子连接，这一点与第2方面不同。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。另外，由于可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，由于电流常时地从导通状态的场效应晶体管流到关断状态的场效应晶体管，所以确保了稳定的偏置电位，其结果是，可增大能处理的功率，并且可得到优良的高频特性。
本发明第7方面的高频开关装置具有与第1方面相同的基本结构。此外，将电阻元件的第1端子与分别构成多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，这一点与第1方面不同。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。
另外，由于对从导通状态的场效应晶体管流到关断状态的场效应晶体管的电流进行了平均，所以在电路复杂化并且不存在总是做相反的动作的FET的情况下，也可施加稳定的偏置电压。
本发明第8方面的高频开关装置具有与第2方面相同的基本结构。而且，将电阻元件的第1端子与分别构成串联高频开关电路部的每一个和并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，这一点与第2方面不同。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。另外，由于可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，由于对从导通状态的场效应晶体管流到关断状态的场效应晶体管的电流进行了平均，所以在电路复杂化并且不存在总是做相反的动作的FET的情况下，也可施加稳定的偏置电压。
本发明第9方面的高频开关装置包括输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子以及在多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部。
多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过第1和第2控制端子中的某一个对多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压，从而实现导通状态和关断状态。以上的结构与后述本发明的第11方面是共同的。
在多个高频开关电路部的每一个中，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成多个开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，第1电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，将第1二极管的阳极与第1控制端子连接，将第2二极管的阳极与第2控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与第1和第2二极管的阴极连接，将第2电阻元件的第2端子接地，将第1和第2二极管跟第2电阻元件的第1端子的连接点与第1电阻元件的第2端子连接。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。
另外，通过由二极管构成的电压“或”电路，可对场效应晶体管施加总是恒定的偏置电压。
本发明第10方面的高频开关装置包括输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子、在多个高频输入输出端子之间配置的多个串联(串接)高频开关电路部以及在多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联(分路)高频开关电路部。多个串联高频开关电路部的每一个和多个并联高频开关电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过第1和第2控制端子中的某一个对多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压，从而实现导通状态和关断状态。以上的结构与后述本发明的第12方面是共同的。
在多个串联高频开关电路部的每一个和多个并联高频开关电路部的每一个中，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成多个串联高频开关电路部的每一个和多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，第1电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，将第1二极管的阳极与第1控制端子连接，将第2二极管的阳极与第2控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与第1和第2二极管的阴极连接，将第2电阻元件的第2端子接地，将第1和第2二极管跟第2电阻元件的第1端子的连接点与第1电阻元件的第2端子连接。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。另外，由于可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，通过由二极管构成的电压“或”电路，可对场效应晶体管施加总是恒定的偏置电压。
本发明第11方面的高频开关装置具有与第9方面相同的基本结构。此外，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第1二极管的阳极与第1控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与第1二极管的阴极连接，将第2电阻元件的第2端子与第2控制端子连接，将第2二极管的阳极与第2控制端子连接，将第3电阻元件的第1端子与第2二极管的阴极连接，将第3电阻元件的第2端子与第1控制端子连接，将第1二极管的阴极与连接在第1控制端子跟栅端子连结在一起的多个场效应晶体管上的第1电阻元件的第2端子连接，将第2二极管的阴极与连接在第2控制端子跟栅端子连结在一起的多个场效应晶体管上的第1电阻元件的第2端子连接，这一点与第9方面不同。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。
另外，利用二极管与电阻的组合，可对导通的场效应晶体管施加低的偏置电压，可对关断的场效应晶体管施加高的偏置电压。
本发明第12方面的高频开关装置具有与第10方面相同的基本结构。此外，将第1电阻元件的第1端子与分别构成多个串联高频开关电路部的每一个和多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第1二极管的阳极与第1控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与第1二极管的阴极连接，将第2电阻元件的第2端子与第2控制端子连接，将第2二极管的阳极与第2控制端子连接，将第3电阻元件的第1端子与第2二极管的阴极连接，将第3电阻元件的第2端子与第1控制端子连接，将第1二极管的阴极与连接在第1控制端子跟栅端子连结在一起的多个场效应晶体管上的第1电阻元件的第2端子连接，将第2二极管的阴极与连接在第2控制端子跟栅端子连结在一起的多个场效应晶体管上的第1电阻元件的第2端子连接，这一点与第10方面不同。
按照该结构，可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大，并且与现有技术相比，也可减少消耗电流。另外，由于可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，利用二极管与电阻的组合，可对导通状态的场效应晶体管施加低的偏置电压，可对关断状态的场效应晶体管施加高的偏置电压。
在本发明的上述第1至第8方面的高频开关装置中，最好设置电压反转电路和分别施加电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，从第1和第2控制端子中的某一个对多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一个。
按照该结构，在用电压反转电路使单一的控制电压反转并使用的情况下，虽然利用负载电阻后，电压反转电路的输出电压比电源电压下降，但可避免其影响，使能处理的功率的降低或者失真特性或者隔离特性等的高频特性的恶化限制在最小限度。
另外，在本发明的上述第9至第12方面的高频开关装置中，最好设置电压反转电路，将电压反转电路的输入信号和输出信号分别施加给第1和第2控制端子。
按照该结构，在用电压反转电路使单一的控制电压反转并使用的情况下，虽然利用负载电阻后，电压反转电路的输出电压比电源电压下降，但可避免其影响，使能处理的功率的降低或者失真特性或者隔离特性等的高频特性的恶化限制在最小限度。
本发明的半导体装置是将本发明第1至第12方面的某一方面的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置。
按照该结构，得到了与本发明第1至第12方面的高频开关装置同样的作用效果。
如上所述，按照本发明，由于可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低，所以与现有技术相比，可使能处理的功率增大。另外，抑制了起因于多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
附图说明
图1是表示本发明实施例1的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图2是表示本发明实施例2的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图3是表示本发明实施例2的SPDT开关装置的高频特性的特性图。
图4是表示本发明实施例3的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图5是表示本发明实施例4的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图6是表示本发明实施例4的SPDT开关装置的高频特性的特性图。
图7是表示本发明实施例5的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图8是表示本发明实施例6的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图9是表示本发明实施例7的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图10是表示本发明实施例8的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图11是表示本发明实施例8的SPDT开关装置的高频特性的特性图。
图12是表示本发明实施例9的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图13是表示本发明实施例10的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
图14是表示本发明实施例10的SPDT开关装置的高频特性的特性图。
图15是表示现有技术的SPDT开关装置的等效电路的电路图。
具体实施方式
(实施例1)
图1是示出作为本发明的高频开关装置的实施例1的SPDT开关装置的结构的电路图。在图1中，符号101～108分别表示耗尽型FET。符号201～208分别表示具有电阻值R1的电阻元件。符号217～219、221～223分别表示具有电阻值R2的电阻元件。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号I1～I6分别表示电流。
对如上述图1构成的SPDT开关装置，以下说明其工作。
在将从第1高频信号输入输出端子501输入的信号输出给第2高频信号输入输出端子502时，对控制端子601施加高电平电压，对控制端子602施加低电平电压。
在图1中，对于FET101～108使用了阈值为-0.6V左右的耗尽型FET。因此，在上述电压条件下，施加高电平电压的FET101～104成为导通状态，施加低电平电压的FET105～108成为关断状态。
图中B点的电位VB和D点的电位VD用下式分别表示为
VB＝10.4×R2/(3×R1+4×R2)                   …(4)
VD＝3.0-R2×I5                               …(5)
I3＝3×VB/R2
I5＝I4×4/3
当高电平电压为3.0V，低电平电压为0V，FET的栅正向电压为0.4V，FET的栅反向漏泄电流I4为1μA，电阻值R1为50kΩ，电阻值R2为450kΩ时，得到
VB＝VA＝VC＝VD＝2.4V
式中，符号VA表示A点的电位，符号VC表示C点的电位。另一方面，关于消耗电流，在上述条件下，电流I3为16μA，与现有技术中的40μA相比，可大幅度地降低功耗。
与现有技术一样，如假设FET的阈值为-0.6V，从式(2)可知，此时的最大功率Pmax为2.07W。因此，与现有技术相比，在本实施例中，可处理至约1.5倍的功率。
按照本实施例，电阻元件217～219、221～223的第1端子与FET101～108的中间连接点(源/漏)连接，由于对电阻元件217～219、221～223的第2端子施加与施加在连接了电阻元件217～219、221～223的第1端子的FET101～108的栅端子上的电压反相的电压，所以可抑制FET101～108的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大。
(实施例2)
图2是示出作为本发明的高频开关装置的实施例2的SPDT开关装置的结构的电路图，图3是示出图2的SPDT开关装置的高频特性的特性图。在图2中，符号101～116分别表示耗尽型FET。符号201～219、221～223、225～228、230～233分别表示电阻元件。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号301、302分别表示电容器。符号701、702分别表示接地端子。
对如上述图2构成的SPDT开关装置，以下说明其工作。
为了使从第1高频信号输入输出端子501到第2高频信号输入输出端子502的路径成为导通状态，使从第1高频信号输入输出端子501到第3高频信号输入输出端子503的路径成为关断状态，对控制端子601施加3V的电压，对控制端子602施加0V的电压。
由此，FET101～104和FET113～116导通，FET105～108和FET109～112关断。
其结果是，从高频信号输入输出端子501到高频信号输入输出端子503漏泄的高频信号经由FET113～116，至接地端子702逃逸，在高频信号输入输出端子501、503之间确保了优良的隔离。
另外，在大功率信号输入时，对SPDT开关装置也要求FET105～112不导通，但通过将电阻值设定为与本发明的实施例1相同的值，可承受至2.0W的输入功率。
在图3中，示出了现有技术的结构的SPDT开关装置与本发明实施例2的SPDT开关装置中的3次谐波和隔离特性与输入功率的依赖关系。虚线表示现有技术的结构的特性，实线表示实施例2的特性。在图3的特性图中，输入功率在超过某电平时开始增大，这是3次谐波特性。另外，输入功率在超过某功率时开始减小，这是隔离特性。后述的图6、图11、图14也与图3一样。
谐波特性和隔离特性与能处理的最大功率成正比，在现有技术的结构中，输入功率如超过31.5dBm，则3次谐波特性、隔离特性也开始恶化。可是，在本发明的实施例2中，直至输入功率至33dBm均表现出优良的特性，与现有技术的结构相比，可知能对应于大1.5dBm的输入功率。另外，消耗电流为32μA，与在现有技术的结构中构成同样的电路的情况的80μA相比，可大幅度地减少。
按照本实施例，电阻元件217～219、221～223、225～228、230～233的第1端子与FET101～116的中间连接点连接，由于对电阻元件217～219、221～223、225～228、230～233的第2端子施加与施加在连接了电阻元件217～219、221～223、225～228、230～233的第1端子的FET101～116的栅端子上的电压反相的电压，所以可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于FET101～116的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
(实施例3)
图4是示出作为本发明的高频开关装置的实施例3的SPDT开关装置的结构的电路图。在图4中，符号101～108分别表示耗尽型FET。符号201～208分别表示具有电阻值R1的电阻元件。符号217～219分别表示具有电阻值R2的电阻元件。符号221～223分别表示具有电阻值R2的电阻元件。符号235、236分别表示具有电阻值R4的电阻元件。符号239、240分别表示具有电阻值R3的电阻元件。符号401、402分别表示二极管。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号I1、I2、I4、I5分别表示电流。
对如上述图4构成的SPDT开关装置，以下说明其工作。
基本的工作与实施例1相同。与实施例1的不同之处是，在连接到FET的中间点的电阻元件217～219与控制端子602之间插入二极管401，并且在电阻元件221～223与控制端子601之间插入二极管402。
通过设置二极管401，可限制从FET101至FET104为导通状态的正向电流I2。电阻239用于控制正向电流I2的值，电阻235用于防止因来自控制端子602的ESD(静电放电)而造成的二极管401的击穿。对于二极管402也是一样的。再有，电阻235、239可以省去。
在图4中，如假想对控制端子601施加3V，对控制端子602施加0V的情况，则因为有FET101～104的正向电流I1流过，故FET101～104导通。此时，B点的电位VB表示为
VB＝(3-ΦB){1-R1/(3×R1+4×R2+12×R3)}         …(6)
式中，ΦB是栅的内建电压。从式(6)可知，电阻R1和电阻R3对B点的电位VB起决定性的作用，通过增大电阻R3的值，可增高B点的电位VB。如上所述，由于减小电阻R1使插入损耗恶化，因而是不希望的。
通过假设R1＝R2＝50kΩ、R3＝500kΩ，由于可使电流I4的值为1μA以下的充分小的值，此时的内建电压ΦB低至0.2V左右。从而，B点的电位VB为2.78V。
另一方面，关于关断路径，由于D点的电位VD和电流I5用下式表示
VD＝3-ΦB-R2×I5                               …(7)
I5＝(4/3)×I4
同样地，如将ΦB＝0.2V、I4＝1μA、R2＝50kΩ代入式(7)，则VD＝2.73V。
如将上述结果代入式(2)进行计算，则实施例3的电路的最大功率Pmax为2.90W，与实施例1的电路结构相比，更可处理高0.9W的功率。
按照本实施例，得到与实施例1同样的效果。此外，通过设置二极管401、402，在经电阻连接二极管401、402的阴极的FET导通时，可抑制FET的正向电流，可谋求减小消耗电流。
另外，实施例3的电路的消耗电流为1μA左右，与现有技术的40μA相比，可大幅度减小消耗电流。
(实施例4)
图5是示出作为本发明的高频开关装置的实施例4的SPDT开关装置的结构的电路图，图6是示出图5的SPDT开关装置的高频特性的特性图。
在图5中，符号101～116分别表示耗尽型FET。符号201～219、221～223、225～228、230～233、235～242分别表示电阻元件。符号403～406分别表示二极管。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号301、302分别表示电容器。符号701、702分别表示接地端子。
对如上述图5构成的SPDT开关装置，以下说明其工作。
图5的电路是将图4中所示的实施例3的电路应用于SPDT电路的例子。基本的工作与实施例2的SPDT电路相同。与实施例2的不同之处是，在连接到FET的中间点的电阻元件217～219与控制端子602之间插入由二极管403和电阻元件235、239构成的电路，并且在电阻元件221～223与控制端子601之间插入由二极管404和电阻元件236、240构成的电路，在电阻元件225～228与控制端子601之间插入由二极管405和电阻元件237、241构成的电路，并且在电阻元件230～233与控制端子602之间插入由二极管406和电阻元件238、242构成的电路。
设置由二极管403和电阻元件235、239构成的电路、由二极管404和电阻元件236、240构成的电路、由二极管405和电阻元件237、241构成的电路、由二极管406和电阻元件238、242构成的电路所得到的作用效果与实施例3相同。
在图6中，示出了现有技术的结构的SPDT电路与本发明实施例4的SPDT电路中的3次谐波和隔离特性与输入功率的依赖关系。谐波特性和隔离特性与能处理的最大功率成正比，在现有技术的结构中，输入功率在超过31.5dBm时3次谐波特性和隔离特性也开始恶化。可是，在本发明的实施例4的SPDT电路中，输入功率直至34.5dBm均表现出优良的特性，与现有技术的结构相比，可知能对应于大3.0dBm的输入功率。另外，电路整体的消耗电流也在5μA以下，可同时实现优良的特性和低消耗电流。
按照本实施例，得到与实施例1同样的效果。此外，通过设置二极管401～404，在经电阻连接二极管401～404的阴极的FET导通时，可抑制FET的正向电流，可谋求减小消耗电流。
另外，实施例4的电路的消耗电流为数μA左右，与现有技术中构成了同样的电路时的80μA相比，可大幅度减小消耗电流。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
(实施例5)
图7是示出作为本发明的高频开关装置的实施例5的SPDT开关装置的结构的电路图。在图7中，符号101～108分别表示耗尽型FET。符号201～208分别表示具有电阻值R1的电阻元件。符号217～219、221～223分别表示具有电阻值R2的电阻元件。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号I1～I3分别表示电流。
对如上述图7构成的开关装置，以下说明其工作。
基本的工作与实施例1相同。与实施例1的不同之处是，将其一端与FET101～104的中间点连接的电阻元件217～219的另一端与将其一端与FET105～108的中间点连接的电阻元件221～223的另一端直接连接。
如假想对控制端子601施加3V，对控制端子602施加0V的情况，则B点的电位VB和D点的电位VD表示为
VB＝3-R1×I1-ΦB                              …(8)
VD＝VB-2×R2×I2                              …(9)
如将R1＝50kΩ、I1＝1μA、ΦB＝0.2V代入式(8)、(9)，则得到VB＝2.75V、VD＝2.62V的值。另外，从式(2)得到Pmax＝2.61W，与现有技术相比，得到约1.8倍的值。
这样，按照本实施例，利用将电阻元件217～219的第1端子与做互相相反的动作的第1开关电路部(FET101～104)和第2开关电路部(FET105～108)之中构成第1开关电路部的FET101～104的中间连接点连接，将电阻元件221～223的第1端子与构成第2开关电路部的FET105～108的中间连接点连接，将连接到第2开关电路部的电阻元件221～223的第2端子与连接到第1开关电路部的电阻元件217～219的第2端子连接的简单的结构，可抑制FET101～108的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大。
另外，实施例5的电路的消耗电流为16μA左右，与现有技术的40μA相比，可大幅度减小消耗电流。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
(实施例6)
图8是示出作为本发明的高频开关装置的实施例6的SPDT开关装置的结构的电路图。
在图8中，符号101～116分别表示耗尽型FET。符号201～219、221～223、225～228、230～233分别表示电阻元件。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号301、302分别表示电容器。符号701、702分别表示接地端子。
对如上述图8构成的开关装置，以下说明其工作。
图8的电路是将图7中所示的实施例5的电路应用于SPDT电路的例子。基本的工作与实施例2的SPDT电路相同。与实施例2的不同之处是，将其一端与FET101～104的中间点连接的电阻元件217～219的另一端与将其一端与FET105～108的中间点连接的电阻元件221～223的另一端连接，将其一端与FET109～112的中间点连接的电阻元件225～228的另一端与将其一端与FET113～116的中间点连接的电阻元件230～233的另一端连接。
按照图8的结构，由于从导通状态的FET到关断状态的FET总是有电流流过，确保了稳定的偏置电位，其结果是，可得到很高的最大功率Pmax和优良的高频特性。
再有，FET101～108的栅宽度为4mm的同一尺寸，并且FET109～116的栅宽度为1mm的同一尺寸。这样，通过将尺寸相同或尺寸相近的FET配成对，可使电流值恒定，得到稳定的特性。
这样，按照本实施例，在得到与实施例5同样的作用效果的基础上，由于可抑制多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于多个场效应晶体管的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，实施例6的电路的消耗电流为32μA，与现有技术中构成了同样的电路时的80μA相比，可大幅度减小消耗电流。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
(实施例7)
图9是示出作为本发明的高频开关装置的实施例7的SPDT开关装置的结构的电路图。
在图9中，符号101～116分别表示耗尽型FET。符号201～219、221～223、225～228、230～233分别表示电阻元件。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号301、302分别表示电容器。符号701、702分别表示接地端子。
对如上述图9构成的开关装置，以下说明其工作。
图9的电路的基本的工作与实施例6的SPDT电路相同。与实施例6的不同之处是，将其一端与FET101～104的中间点连接的电阻元件217～219的另一端与将其一端与FET105～108的中间点连接的电阻元件221～223的另一端的连接点，跟将其一端与FET109～112的中间点连接的电阻元件225～228的另一端与将其一端与FET113～116的中间点连接的电阻元件230～233的另一端的连接点是共同连接的点。
按照图9的结构，由于对从导通状态的FET流到关断状态的FET的电流进行了平均，所以在电路复杂化并且不存在总是做相反的动作的FET的情况下，也可施加稳定的偏置电压。
这样，按照本实施例，通过将电阻元件217～219、221～223、225～228、230～233的第1端子与构成多个开关电路部的FET101～116的连接点连接，将电阻元件217～219、221～223、225～228、230～233的第2端子互相共同连接在一起，可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于FET101～116的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，由于对从导通状态的FET流到关断状态的FET的电流进行了平均，所以在电路复杂化并且不存在总是做相反的动作的FET的情况下，也可施加稳定的偏置电压。
另外，实施例7的电路的消耗电流为数μA，与现有技术中构成了同样的电路时的80μA相比，可大幅度减小消耗电流。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
(实施例8)
图10是示出作为本发明的高频开关装置的实施例8的SPDT开关装置的结构的电路图，图11是示出图10的SPDT开关装置的高频特性的特性图。
在图10中，符号101～116分别表示耗尽型FET。符号201～233、243、244、245分别表示电阻元件。符号407、408分别表示二极管。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号301、302分别表示电容器。符号701、702、703分别表示接地端子。
对如上述图10构成的开关装置，以下说明其工作。
图10的电路的基本的工作与实施例6的SPDT电路相同。与实施例6的不同之处是，经电阻元件243将二极管407的阳极与第1控制端子601连接，经电阻元件244将二极管408的阳极与第2控制端子602连接，将二极管407、408的阴极与电阻元件245的一端连接，将电阻元件245的另一端接地，将二极管407、408与电阻元件245的连接点P跟连接到FET101～116的中间点的电阻元件217～233的另一方的端子共同地连接在一起。
按照图10的结构，当控制端子601为高电平时，电流从控制端子601通过电阻元件243、二极管407和电阻元件245流到接地端子703。另外，当控制端子602为高电平时，电流从控制端子602通过电阻元件244、二极管408和电阻元件245流到接地端子。由此，P点的电位保持恒定。另外，通过改变电阻元件245的值，可任意地设定P点的电位。再有，电阻元件243、244是出于ESD保护的目的而被插入的。现在，通过将电阻元件243、244的电阻值设定为1kΩ，将电阻元件245的电阻值设定为500kΩ，可将P点的电位设定为2.8V，图10的开关装置能处理的最大功率Pmax为3.10W，得到现有技术的2.2倍的值。
在图11中，示出了现有技术的SPDT电路与本发明实施例8的SPDT电路中的3次谐波和隔离特性与输入功率的依赖关系。谐波特性和隔离特性与能处理的最大功率成正比，在现有技术中，输入功率在超过31.5dBm时3次谐波特性、隔离特性也开始恶化。可是，在本发明的实施例8的SPDT电路中，输入功率直至34.5dBm均表现出优良的特性，与现有技术相比，可知能对应于大3.0dBm的输入功率。
按照本实施例，通过将电阻元件217～219、221～223、224～228、229～233的第1端子与构成多个开关电路部的FET101～116的中间连接点连接，将电阻元件217～219、221～223、224～228、229～233的第2端子互相共同连接在一起，将第1二极管407的阳极与第1控制端子601连接，将第2二极管408的阳极与第2控制端子602连接，将电阻元件245的第1端子与第1和第2二极管407、408的阴极连接，将电阻元件245的第2端子接地，将第1和第2二极管407、408与电阻元件245的第1端子的连接点P跟连接到FET101～116的中间点的电阻元件217～219、221～223、224～228、229～233的第2端子连接，可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于FET101～116的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，利用由二极管407、408构成的电压“或”电路，可将总是恒定的偏置电压施加于FET101～116上。
另外，实施例8的电路的消耗电流为40μA左右，与现有技术中构成了同样的电路时的80μA相比，可大幅度减小消耗电流。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
另外，在图10的结构中，也可省去分路FET109～116的电路部。
(实施例9)
图12是示出作为本发明的高频开关装置的实施例9的SPDT开关装置的结构的电路图。
在图12中，符号101～116分别表示耗尽型FET。符号201～219、221～223、225～228、230～233、246～249分别表示电阻元件。符号409、410分别表示二极管。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号601表示第1控制端子。符号602表示第2控制端子。符号301、302分别表示电容器。符号701、702分别表示接地端子。
对如上述图12构成的开关装置，以下说明其工作。
图12的电路的基本的工作与实施例6的SPDT电路相同。与实施例6的不同之处是，经电阻元件246将二极管409的阳极与第1控制端子601连接，将电阻元件248的一端与二极管409的阴极连接，将控制端子602与电阻元件248的另一端连接，经电阻元件247将二极管410的阳极与第2控制端子602连接，将电阻元件249的一端与二极管410的阴极连接，将控制端子601与电阻元件249的另一端连接，将二极管409的阴极与电阻元件217～219和230～233连接，将二极管410的阴极与电阻元件221～223和225～228连接。
按照图12的结构，当控制端子601为高电平时，电流经电阻元件246、二极管409、电阻元件248流到控制端子602，当控制端子602为高电平时，电流经电阻元件247、二极管410、电阻元件249流到控制端子601，以此固定Q点和R点的电位，通过改变电阻元件248、249的电阻值，可将Q点和R点的电位设定为独立的任意值。再有，电阻元件246、247是出于ESD保护的目的而被插入的。
现在，通过将电阻元件246、247的电阻值设定为1kΩ，将电阻元件248、249的电阻值设定为100kΩ，可将Q点的电位设定为2.5V，将R点的电位设定为2.9V。其结果是，可将导通状态FET的正向偏置电压扩大，同时可将关断状态FET的反向偏置电压扩大。在上述条件下，图12的开关装置能处理的最大功率Pmax为3.4W，得到现有技术的2.4倍的值，另一方面，由于导通状态的FET的正向偏置电压的扩大，插入损耗可减少0.1dB。
这样，按照本实施例，由于将第1电阻元件217～219、221～223、225～228、230～233的第1端子与分别构成串联高频开关电路部和并联高频开关电路部的FET101～116的中间连接点连接，将第1二极管409的阳极与第1控制端子601连接，将第2电阻元件248的第1端子与第1二极管409的阴极连接，将第2电阻元件248的第2端子与第2控制端子602连接，将第2二极管410的阳极与第2控制端子602连接，将第3电阻元件249的第1端子与第2二极管410的阴极连接，将第3电阻元件249的第2端子与第1控制端子601连接，将第1二极管409的阴极与连接在第1控制端子601跟栅连结在一起的场效应晶体管FET101～104、113～116上的第1电阻元件217～219、230～233的第2端子连接，将第2二极管410的阴极与连接在第2控制端子602跟栅连结在一起的FET105～108、109～112上的第1电阻元件221～223、225～228的第2端子连接，所以可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低。其结果是，与现有技术相比，可使能处理的功率增大。另外，由于可抑制FET101～116的中间连接点的电位的降低，所以抑制了起因于FET101～116的中间连接点的电位的降低的失真特性和隔离特性的恶化，得到优良的高频特性。
另外，利用二极管409、410与电阻246～249的组合，可对导通状态的FET施加低的偏置电压，可对关断状态的FET施加高的偏置电压。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
另外，在图12的结构中，也可省去分路FET109～116的电路部。
(实施例10)
图13是示出作为本发明的高频开关装置的实施例10的SPDT开关装置的结构的电路图，图14是示出图13的SPDT开关装置的高频特性的特性图。
在图13中，符号101～116分别表示耗尽型FET。符号120表示增强型FET。符号201～216分别表示栅偏置电阻，其电阻值为50kΩ。符号217～219、221～223、225～228、230～233分别表示FET的电压固定用电阻，其电阻值为100kΩ。符号280表示电压反转FET，即增强型FET120的栅电阻，其电阻值为100kΩ。符号281表示电压反转电路的负载电阻，其电阻值为100kΩ。符号301、302分别表示电容器，其电容值为10pF。符号501表示第1高频信号输入输出端子。符号502表示第2高频信号输入输出端子。符号503表示第3高频信号输入输出端子。符号607表示控制端子。符号701、702、704分别表示接地端子。符号801表示电源端子。符号901表示SPDT电路。符号902表示电压反转电路。
对如上述图13构成的SPDT电路901和电压反转电路902，以下说明其工作。
SPDT电路901的部分的基本的工作与实施例2相同。与实施例2的不同之处是，同时使用电压反转电路902的输入信号和输出信号，作为SPDT电路901的控制用信号。
在本实施例中，对控制端子607施加3V作为高电平电压，施加0V作为低电平电压。对控制端子607施加的电压经栅电阻280施加在增强型FET120的栅端子上，从漏端子作为反相的信号被取出。即，当电压反转电路902的输入电压为低电平时，输出电压成为高电平，当输入电压为高电平时，输出电压成为低电平，形成互相反相的电位关系。从而，如采用电压反转电路902的输入电压和输出电压，则可使SPDT电路901工作。
在图14中将使用了本实施例的SPDT电路901的情况的特性与将现有技术的SPDT电路和电压反转电路组合在一起的情况进行比较后示出。一般来说，在使用了增强型FET的电压反转电路902中，当输出电压为高电平(输入电压为低电平)时，因负载电阻的缘故而输出电压比电源电压低，如使用该电压反转电路902，并以单一的控制端子607使现有技术的SPDT电路工作，则往往得不到充分的电压。可是，通过采用本发明的结构，即使用单一的控制电压，也能得到优良的高频特性。
再有，不言而喻，本发明的结构同样地也可应用于SPDT开关装置以外的高频开关装置。
另外，即使对图1、图4、图5、图7、图8、图9、图10、图12的SPDT开关装置，电压反转电路902也可与图13同样地应用。
另外，将上述各实施例的SPDT开关装置各自集成在半导体衬底上的装置就是本发明的半导体装置。

Claims (36)

1.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，对上述电阻元件的第2端子施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
2.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，对上述电阻元件的第2端子施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
3.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，将二极管的阴极与上述电阻元件的第2端子连接，对上述二极管的阳极施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
4.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，将二极管的阴极与上述电阻元件的第2端子连接，对上述二极管的阳极施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
5.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还在上述多个高频开关电路部中，在做互相相反的动作的第1和第2高频开关电路部之中，将第1电阻元件的第1端子与构成第1高频开关电路部的第1的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第2电阻元件的第1端子与构成上述第2高频开关电路部的第2的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将连接在上述第2高频开关电路部上的上述第2电阻元件的第2端子与连接在上述第1高频开关电路部上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
6.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还在上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个中，在做互相相反的动作的第1和第2高频开关电路部之中，将第1电阻元件的第1端子与构成第1高频开关电路部的第1的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第2电阻元件的第1端子与构成上述第2高频开关电路部的第2的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将连接在上述第2高频开关电路部上的上述第2电阻元件的第2端子与连接在上述第1高频开关电路部上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
7.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与分别构成上述多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述电阻元件的第2端子都共同地连接在一起。
8.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与分别构成上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述电阻元件的第2端子都共同地连接在一起。
9.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子以及在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述第1电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1和第2二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子接地，将上述第1和第2二极管跟上述第2电阻元件的第1端子的连接点与上述第1电阻元件的第2端子连接。
10.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高
频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述第1电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1和第2二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子接地，将上述第1和第2二极管跟上述第2电阻元件的第1端子的连接点与上述第1电阻元件的第2端子连接。
11.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子以及在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子与上述第2控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第3电阻元件的第1端子与上述第2二极管的阴极连接，将上述第3电阻元件的第2端子与上述第1控制端子连接，将上述第1二极管的阴极与连接在上述第1控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接，将上述第2二极管的阴极与连接在上述第2控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
12.一种高频开关装置，它包括输入输出高频信号用的多个高频
输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子与上述第2控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第3电阻元件的第1端子与上述第2二极管的阴极连接，将上述第3电阻元件的第2端子与上述第1控制端子连接，将上述第1二极管的阴极与连接在上述第1控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接，将上述第2二极管的阴极与连接在上述第2控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
13.如权利要求1所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
14.如权利要求2所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
15.如权利要求3所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
16.如权利要求4所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
17.如权利要求5所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
18.如权利要求6所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
19.如权利要求7所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
20.如权利要求8所述的高频开关装置，具有电压反转电路和分别被施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号的第1和第2控制端子，以便从上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压。
21.如权利要求9所述的高频开关装置，具有电压反转电路，以便对上述第1和第2控制端子分别施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号。
22.如权利要求10所述的高频开关装置，具有电压反转电路，以便对上述第1和第2控制端子分别施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号。
23.如权利要求11所述的高频开关装置，具有电压反转电路，以便对上述第1和第2控制端子分别施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号。
24.如权利要求12所述的高频开关装置，具有电压反转电路，以便对上述第1和第2控制端子分别施加上述电压反转电路的输入信号和输出信号。
25.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，对上述电阻元件的第2端子施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
26.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个
高频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，对上述电阻元件的第2端子施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
27.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，将二极管的阴极与上述电阻元件的第2端子连接，对上述二极管的阳极施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
28.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个
高频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与上述多个场效应晶体管的中间连接点连接，将二极管的阴极与上述电阻元件的第2端子连接，对上述二极管的阳极施加与施加在连接了上述电阻元件的第1端子的上述多个场效应晶体管的栅端子上的电压反相的电压。
29.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还在上述多个高频开关电路部中，在做互相相反的动作的第1和第2高频开关电路部之中，将第1电阻元件的第1端子与构成第1高频开关电路部的第1的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第2电阻元件的第1端子与构成上述第2高频开关电路部的第2的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将连接在上述第2高频开关电路部上的上述第2电阻元件的第2端子与连接在上述第1高频开关电路部上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
30.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个
高频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还在上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个中，在做互相相反的动作的第1和第2高频开关电路部之中，将第1电阻元件的第1端子与构成第1高频开关电路部的第1的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第2电阻元件的第1端子与构成上述第2高频开关电路部的第2的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将连接在上述第2高频开关电路部上的上述第2电阻元件的第2端子与连接在上述第1高频开关电路部上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
31.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子和在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连
接电路构成，通过时上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与分别构成上述多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述电阻元件的第2端子都共同地连接在一起。
32.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个
高频输入输出端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将电阻元件的第1端子与分别构成上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述电阻元件的第2端子都共同地连接在一起。
33.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子以及在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述第1电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1和第2二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子接地，将上述第1和第2二极管跟上述第2电阻元件的第1端子的连接点与上述第1电阻元件的第2端子连接。
34.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个
高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，上述第1电阻元件的第2端子都共同地连接在一起，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1和第2二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子接地，将上述第1和第2二极管跟上述第2电阻元件的第1端子的连接点与上述第1电阻元件的第2端子连接。
35.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子以及在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个高频开关电路部的每一个由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个高频开关电路部的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子与上述第2控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第3电阻元件的第1端子与上述第2二极管的阴极连接，将上述第3电阻元件的第2端子与上述第1控制端子连接，将上述第1二极管的阴极与连接在上述第1控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接，将上述第2二极管的阴极与连接在上述第2控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
36.一种半导体装置，它是将包括了输入输出高频信号用的多个
高频输入输出端子、被给予相位互相相反的电压的第1和第2控制端子、在上述多个高频输入输出端子之间配置的多个串联高频开关电路部以及在上述多个高频输入输出端子与地端子之间配置的多个并联高频开关电路部的高频开关装置集成在半导体衬底上的半导体装置，
上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关
电路部的每一个各自由多个场效应晶体管的串联连接电路构成，通过上述第1和第2控制端子中的某一个对上述多个场效应晶体管的栅端子施加高电平电压或者低电平电压中的某一电压而实现导通状态和关断状态，还将第1电阻元件的第1端子与分别构成上述多个串联高频开关电路部的每一个和上述多个并联高频开关电路部的每一个的多个场效应晶体管的中间连接点连接，将第1二极管的阳极与上述第1控制端子连接，将第2电阻元件的第1端子与上述第1二极管的阴极连接，将上述第2电阻元件的第2端子与上述第2控制端子连接，将第2二极管的阳极与上述第2控制端子连接，将第3电阻元件的第1端子与上述第2二极管的阴极连接，将上述第3电阻元件的第2端子与上述第1控制端子连接，将上述第1二极管的阴极与连接在上述第1控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接，将上述第2二极管的阴极与连接在上述第2控制端子跟栅端子连结在一起的上述多个场效应晶体管上的上述第1电阻元件的第2端子连接。
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TW (1) TWI279082B (zh)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102270982A (zh) * 2010-04-16 2011-12-07 思佳讯公司 大功率半导体开关中偏压晶体管开关的系统和方法
CN101494451B (zh) * 2008-01-22 2012-09-05 瑞萨电子株式会社 开关电路
CN102891700A (zh) * 2011-07-19 2013-01-23 三星电机株式会社 Rf天线开关电路、高频天线部件和移动通信装置
CN102959863A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 飞思卡尔半导体公司 用于高压端子的传输门电路
CN101536327B (zh) * 2006-11-09 2013-03-13 瑞萨电子株式会社 半导体集成电路、内置它的rf模块和安装它的无线通信终端装置
CN103219979A (zh) * 2012-01-06 2013-07-24 立积电子股份有限公司 射频切换器及其辅助电压产生单元和产生辅助电压的方法
CN103219974A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 三星电机株式会社 高频开关
CN103684382A (zh) * 2012-08-29 2014-03-26 立积电子股份有限公司 具有路径充放电路的射频切换器
CN103888119A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 三星电机株式会社 射频开关电路
CN104242881A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 瑞昱半导体股份有限公司 半导体开关
CN110419163A (zh) * 2017-03-22 2019-11-05 索尼半导体解决方案公司 半导体装置及模块
JP2021132249A (ja) * 2020-02-18 2021-09-09 新日本無線株式会社 高周波スイッチ回路
US11870445B2 (en) 2020-12-25 2024-01-09 Richwave Technology Corp. Radio frequency device and voltage generation and harmonic suppressor thereof

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP2005006072A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置および半導体装置
JP2005348206A (ja) * 2004-06-04 2005-12-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ回路及びそれを用いた半導体装置
JP4659826B2 (ja) 2004-06-23 2011-03-30 ペレグリン セミコンダクター コーポレーション Ｒｆフロントエンド集積回路
JP4300171B2 (ja) * 2004-09-17 2009-07-22 株式会社ルネサステクノロジ アンテナスイッチ回路及びそれを搭載した高周波モジュール
JP2006121187A (ja) * 2004-10-19 2006-05-11 Toshiba Corp 半導体切替回路
US8081928B2 (en) * 2005-02-03 2011-12-20 Peregrine Semiconductor Corporation Canceling harmonics in semiconductor RF switches
JP2006304013A (ja) * 2005-04-21 2006-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd スイッチ回路
JP2006332416A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Nec Electronics Corp 半導体装置
US8742502B2 (en) 2005-07-11 2014-06-03 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US20080076371A1 (en) 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US9653601B2 (en) 2005-07-11 2017-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
US7755222B2 (en) * 2006-01-09 2010-07-13 Raytheon Company Method and system for high power switching
US7492209B2 (en) * 2006-04-17 2009-02-17 Skyworks Solutions, Inc. High-frequency switching device with reduced harmonics
US7459988B1 (en) * 2006-09-18 2008-12-02 Rf Micro Devices, Inc. High linearity wide dynamic range radio frequency antenna switch
US7982243B1 (en) 2006-05-05 2011-07-19 Rf Micro Devices, Inc. Multiple gate transistor architecture providing an accessible inner source-drain node
GB0612794D0 (en) * 2006-06-28 2006-08-09 Filtronic Compound Semiconduct A linear antenna switch arm and a field effect transistor
GB2439622B (en) * 2006-06-28 2011-03-30 Filtronic Compound Semiconductors Ltd A linear antenna switch arm
JP4939857B2 (ja) * 2006-07-04 2012-05-30 パナソニック株式会社 スイッチ回路
US7839234B2 (en) * 2006-10-02 2010-11-23 Skyworks Solutions, Inc. Switching module with harmonic phase tuning filter
US7808342B2 (en) * 2006-10-02 2010-10-05 Skyworks Solutions, Inc. Harmonic phase tuning filter for RF switches
JP4538016B2 (ja) * 2007-03-23 2010-09-08 パナソニック株式会社 高周波スイッチ装置および半導体装置
US7960772B2 (en) * 2007-04-26 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand
US7719383B2 (en) * 2007-04-30 2010-05-18 Zeji Gu High isolation electronic multiple pole multiple throw switch
US7848712B2 (en) * 2007-05-03 2010-12-07 Intel Corporation CMOS RF switch for high-performance radio systems
US7646260B2 (en) * 2007-07-13 2010-01-12 Skyworks Solutions, Inc. Switching device with selectable phase shifting modes for reduced intermodulation distortion
US7817966B2 (en) * 2007-07-13 2010-10-19 Skyworks Solutions, Inc. Switching device with reduced intermodulation distortion
US8098088B1 (en) * 2007-10-16 2012-01-17 Synopsys, Inc. High-voltage switch using three FETS
US20090108911A1 (en) 2007-10-30 2009-04-30 Rohm Co., Ltd. Analog switch
EP2760136B1 (en) 2008-02-28 2018-05-09 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device
US8723260B1 (en) * 2009-03-12 2014-05-13 Rf Micro Devices, Inc. Semiconductor radio frequency switch with body contact
US8451044B2 (en) * 2009-06-29 2013-05-28 Sige Semiconductor, Inc. Switching circuit
US8395435B2 (en) * 2009-07-30 2013-03-12 Qualcomm, Incorporated Switches with bias resistors for even voltage distribution
US9570974B2 (en) * 2010-02-12 2017-02-14 Infineon Technologies Ag High-frequency switching circuit
JP5358476B2 (ja) * 2010-02-15 2013-12-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 アンテナスイッチおよびそれを内蔵した高周波モジュール
JP5498825B2 (ja) * 2010-03-17 2014-05-21 新日本無線株式会社 半導体スイッチ集積回路
US8368451B2 (en) 2010-03-31 2013-02-05 Auriga Measurement Systems, LLC High power radio frequency (RF) switch
US9209784B2 (en) 2010-04-27 2015-12-08 Rf Micro Devices, Inc. Switchable capacitive elements for programmable capacitor arrays
US8970278B2 (en) 2010-04-27 2015-03-03 Rf Micro Devices, Inc. High power FET switch
US8217705B2 (en) * 2010-05-06 2012-07-10 Micron Technology, Inc. Voltage switching in a memory device
US8179205B2 (en) * 2010-05-21 2012-05-15 Samsung Electro-Mechanics Linearization systems and methods for variable attenuators
US8275336B2 (en) * 2010-06-23 2012-09-25 Richwave Technology Corp. Apparatus and method for digitally controlling capacitance
US8330519B2 (en) 2010-07-09 2012-12-11 Sige Semiconductor Inc. System and method of transistor switch biasing in a high power semiconductor switch
DE102010040512B4 (de) * 2010-09-09 2016-03-10 Infineon Technologies Ag Chip mit einer Hochfrequenzschalteranordnung und Schaltungsanordnung, Verfahren zur Herstellung einer Hochfrequenzschaltungsanordnung
WO2012038947A1 (en) * 2010-09-21 2012-03-29 Dsp Group Ltd. Rf switch implementation in cmos process
US20130252562A1 (en) * 2010-09-21 2013-09-26 Dsp Group, Ltd. High power high isolation low current cmos rf switch
JP5366911B2 (ja) * 2010-10-18 2013-12-11 パナソニック株式会社 高周波用スイッチ回路
JP5366914B2 (ja) * 2010-11-25 2013-12-11 パナソニック株式会社 高周波半導体スイッチ回路
TWI430315B (zh) * 2010-12-02 2014-03-11 Richwave Technology Corp 雙極雙投開關裝置
US9728532B2 (en) * 2011-04-13 2017-08-08 Qorvo Us, Inc. Clamp based ESD protection circuits
US9627883B2 (en) 2011-04-13 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Multiple port RF switch ESD protection using single protection structure
US8368453B2 (en) * 2011-05-25 2013-02-05 Analog Devices, Inc. Switch circuits
US9124265B2 (en) * 2011-07-13 2015-09-01 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for transistor switch isolation
US8587361B2 (en) * 2011-09-28 2013-11-19 Infineon Technologies Ag RF switch circuit including a series connection of a plurality of transistors, RF switch including an RF switch circuit and method for switching RF signals
US9543929B2 (en) 2012-01-06 2017-01-10 Richwave Technology Corp. Apparatus and method for obtaining power voltage from control signals
JP6120227B2 (ja) * 2012-08-09 2017-04-26 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 高周波半導体スイッチ回路とそれを備えた高周波無線システム
US8729952B2 (en) * 2012-08-16 2014-05-20 Triquint Semiconductor, Inc. Switching device with non-negative biasing
KR101378866B1 (ko) * 2012-08-23 2014-03-27 주식회사 하이딥 저전력 ｒｆ 스위치
US8854111B2 (en) * 2012-08-29 2014-10-07 Richwave Technology Corp. RF switch with adaptive drain and source voltage and associated method
KR101616597B1 (ko) * 2012-11-26 2016-04-28 삼성전기주식회사 고주파 스위치
CN103036554B (zh) * 2012-12-11 2015-07-08 国网浙江省电力公司电力科学研究院 一种开关量信号转换装置及方法
US9590674B2 (en) 2012-12-14 2017-03-07 Peregrine Semiconductor Corporation Semiconductor devices with switchable ground-body connection
JP5938357B2 (ja) * 2013-02-26 2016-06-22 株式会社東芝 半導体スイッチ回路
US20140253217A1 (en) * 2013-03-06 2014-09-11 International Rectifier Corporation RF Switch Gate Control
US20150236748A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
US8994448B2 (en) * 2013-03-29 2015-03-31 Peregrine Semiconductor Corporation Systems and methods for generation of internal chip supply bias from high voltage control line inputs
TWI514761B (zh) * 2013-06-17 2015-12-21 Realtek Semiconductor Corp 半導體開關
KR20150035219A (ko) * 2013-09-27 2015-04-06 삼성전기주식회사 고주파 스위치
JP2015076839A (ja) * 2013-10-11 2015-04-20 株式会社東芝 シャントスイッチ
KR101630019B1 (ko) * 2013-11-13 2016-06-13 삼성전기주식회사 엘디엠오에스 알에프 스위치
US20150171860A1 (en) 2013-11-13 2015-06-18 Skyworks Solutions, Inc. Circuits and methods for improved quality factor in a stack of transistors
US9406695B2 (en) 2013-11-20 2016-08-02 Peregrine Semiconductor Corporation Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed
US9871512B2 (en) * 2014-08-29 2018-01-16 Skyworks Solutions, Inc. Switch stand-by mode isolation improvement
US10270438B2 (en) 2014-12-12 2019-04-23 Fairchild Semiconductor Corporation Switch device with switch circuits that provide high voltage surge protection
KR102041655B1 (ko) * 2015-01-07 2019-11-07 삼성전기주식회사 고주파 스위치
US9831857B2 (en) 2015-03-11 2017-11-28 Peregrine Semiconductor Corporation Power splitter with programmable output phase shift
KR102117478B1 (ko) * 2015-03-13 2020-06-01 삼성전기주식회사 고주파 스위치
JP2016174240A (ja) * 2015-03-16 2016-09-29 株式会社東芝 半導体スイッチ
CN106160717B (zh) 2015-04-03 2020-08-18 恩智浦美国有限公司 传输门电路
US9948281B2 (en) 2016-09-02 2018-04-17 Peregrine Semiconductor Corporation Positive logic digitally tunable capacitor
KR102624466B1 (ko) 2017-01-12 2024-01-15 삼성전자주식회사 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치 및 다중 대역 안테나를 구비한 전자 장치에서 스위칭 방법
US10211830B2 (en) 2017-04-28 2019-02-19 Qualcomm Incorporated Shunt termination path
US10910714B2 (en) 2017-09-11 2021-02-02 Qualcomm Incorporated Configurable power combiner and splitter
US10250251B1 (en) * 2018-02-07 2019-04-02 Infineon Technologies Ag RF sensor in stacked transistors
US10236872B1 (en) 2018-03-28 2019-03-19 Psemi Corporation AC coupling modules for bias ladders
US10505530B2 (en) 2018-03-28 2019-12-10 Psemi Corporation Positive logic switch with selectable DC blocking circuit
US10886911B2 (en) 2018-03-28 2021-01-05 Psemi Corporation Stacked FET switch bias ladders
US10277205B1 (en) 2018-06-05 2019-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. SPDT switch with high linearity
TWI676366B (zh) 2018-08-10 2019-11-01 立積電子股份有限公司 射頻裝置及其電壓產生電路
US20200243484A1 (en) * 2019-01-30 2020-07-30 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Radio frequency (rf) switch device including rf switch integrated circuit (ic) divided between sides of pcb
US10784862B1 (en) * 2019-09-10 2020-09-22 Nxp Usa, Inc. High speed switching radio frequency switches
TWI734221B (zh) 2019-10-16 2021-07-21 立積電子股份有限公司 射頻裝置及其電壓產生裝置
CN115085759B (zh) 2019-10-17 2024-10-01 立积电子股份有限公司 射频装置
US11476849B2 (en) 2020-01-06 2022-10-18 Psemi Corporation High power positive logic switch
US20230060745A1 (en) * 2021-08-16 2023-03-02 Psemi Corporation Signal Switch with Reduced Parasitic Capacitance

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63238716A (ja) 1986-11-14 1988-10-04 Nec Corp スイッチ回路
US4929855A (en) * 1988-12-09 1990-05-29 Grumman Corporation High frequency switching device
US5350957A (en) * 1989-10-20 1994-09-27 Texas Instrument Incorporated Electronic switch controlled by plural inputs
JPH0685641A (ja) 1992-08-31 1994-03-25 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波スイッチ
JP3288209B2 (ja) 1994-12-16 2002-06-04 松下電器産業株式会社 半導体集積回路
US5903178A (en) * 1994-12-16 1999-05-11 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor integrated circuit
JPH08204530A (ja) * 1995-01-23 1996-08-09 Sony Corp スイツチ回路
JPH08204528A (ja) 1995-01-23 1996-08-09 Sony Corp スイツチ回路及び複合スイツチ回路
JP3284015B2 (ja) 1995-02-02 2002-05-20 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP3441236B2 (ja) 1995-04-24 2003-08-25 ソニー株式会社 半導体集積回路装置
US5917362A (en) * 1996-01-29 1999-06-29 Sony Corporation Switching circuit
US5777530A (en) * 1996-01-31 1998-07-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Switch attenuator
JPH10126176A (ja) 1996-10-15 1998-05-15 Sony Corp 伝送回路装置
JPH10215128A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Sony Corp 伝送回路
JPH10242829A (ja) 1997-02-24 1998-09-11 Sanyo Electric Co Ltd スイッチ回路装置
JP3137055B2 (ja) 1997-11-17 2001-02-19 日本電気株式会社 半導体スイッチ回路、この回路の制御方法及びアッテネータ回路
JP3426993B2 (ja) 1999-02-03 2003-07-14 三洋電機株式会社 スイッチ回路装置
US6218890B1 (en) * 1998-07-14 2001-04-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Switching circuit device and semiconductor device
JP2000277703A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd スイッチ回路装置
JP3598959B2 (ja) * 1999-11-12 2004-12-08 株式会社村田製作所 ストリップ線路フィルタ、デュプレクサ、フィルタ装置、通信装置およびストリップ線路フィルタの特性調整方法
WO2001067602A2 (en) * 2000-03-03 2001-09-13 Alpha Industries, Inc. Electronic switch
EP1223634A3 (en) * 2000-12-26 2003-08-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High-frequency switch, laminated high-frequency switch, high-frequency radio unit, and high-frequency switching method
JP3736356B2 (ja) 2001-02-01 2006-01-18 日本電気株式会社 高周波スイッチ回路
TWI252582B (en) * 2001-02-27 2006-04-01 Sanyo Electric Co Switch circuit device
EP1261130B1 (en) * 2001-05-25 2008-09-17 Kabushiki Kaisha Toshiba High-frequency switching device incorporating an inverter circuit
JP2003086767A (ja) 2001-09-14 2003-03-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US6489856B1 (en) * 2001-09-17 2002-12-03 Tyco Electronics Corporation Digital attenuator with combined bits
US6804502B2 (en) * 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US6853235B2 (en) * 2002-04-26 2005-02-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High frequency switch, amplifying circuit, and mobile communication terminal
JP4009553B2 (ja) * 2002-05-17 2007-11-14 日本電気株式会社 高周波スイッチ回路
US6642578B1 (en) * 2002-07-22 2003-11-04 Anadigics, Inc. Linearity radio frequency switch with low control voltage
US6803680B2 (en) * 2002-09-13 2004-10-12 Mia-Com, Inc. Apparatus, methods, and articles of manufacture for a switch having sharpened control voltage
JP3790227B2 (ja) * 2003-04-16 2006-06-28 松下電器産業株式会社 高周波スイッチ回路
US7030515B2 (en) * 2003-05-21 2006-04-18 M/A-Com, Inc. Individually biased transistor high frequency switch
JP2005006072A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置および半導体装置
US7098755B2 (en) * 2003-07-16 2006-08-29 Analog Devices, Inc. High power, high linearity and low insertion loss single pole double throw transmitter/receiver switch
JP4202852B2 (ja) * 2003-08-27 2008-12-24 株式会社ルネサステクノロジ 通信用電子部品および送受信切替え用半導体装置
KR20060048619A (ko) * 2004-06-30 2006-05-18 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 고주파 스위치 회로장치
JP2007110469A (ja) * 2005-10-14 2007-04-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波スイッチ装置

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101536327B (zh) * 2006-11-09 2013-03-13 瑞萨电子株式会社 半导体集成电路、内置它的rf模块和安装它的无线通信终端装置
CN101494451B (zh) * 2008-01-22 2012-09-05 瑞萨电子株式会社 开关电路
CN102270982B (zh) * 2010-04-16 2015-01-21 思佳讯公司 大功率半导体开关中偏压晶体管开关的系统和方法
CN102270982A (zh) * 2010-04-16 2011-12-07 思佳讯公司 大功率半导体开关中偏压晶体管开关的系统和方法
CN102959863A (zh) * 2010-06-28 2013-03-06 飞思卡尔半导体公司 用于高压端子的传输门电路
CN102959863B (zh) * 2010-06-28 2015-09-23 飞思卡尔半导体公司 用于高压端子的传输门电路
CN102891700A (zh) * 2011-07-19 2013-01-23 三星电机株式会社 Rf天线开关电路、高频天线部件和移动通信装置
CN102891700B (zh) * 2011-07-19 2015-05-20 三星电机株式会社 Rf天线开关电路、高频天线部件和移动通信装置
CN103219979A (zh) * 2012-01-06 2013-07-24 立积电子股份有限公司 射频切换器及其辅助电压产生单元和产生辅助电压的方法
CN103219974A (zh) * 2012-01-19 2013-07-24 三星电机株式会社 高频开关
CN103684382A (zh) * 2012-08-29 2014-03-26 立积电子股份有限公司 具有路径充放电路的射频切换器
CN103684382B (zh) * 2012-08-29 2017-04-12 立积电子股份有限公司 具有路径充放电路的射频切换器
CN103888119A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 三星电机株式会社 射频开关电路
CN103888119B (zh) * 2012-12-21 2017-08-01 三星电机株式会社 射频开关电路
CN104242881A (zh) * 2013-06-24 2014-12-24 瑞昱半导体股份有限公司 半导体开关
CN110419163A (zh) * 2017-03-22 2019-11-05 索尼半导体解决方案公司 半导体装置及模块
CN110419163B (zh) * 2017-03-22 2023-12-01 索尼半导体解决方案公司 半导体装置及模块
JP2021132249A (ja) * 2020-02-18 2021-09-09 新日本無線株式会社 高周波スイッチ回路
JP7425623B2 (ja) 2020-02-18 2024-01-31 日清紡マイクロデバイス株式会社 高周波スイッチ回路
US11870445B2 (en) 2020-12-25 2024-01-09 Richwave Technology Corp. Radio frequency device and voltage generation and harmonic suppressor thereof

Also Published As

Publication number Publication date
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EP1487103A3 (en) 2006-05-03

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