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CN1326228C - 基板输送装置和基板输送方法及真空处理装置 - Google Patents

基板输送装置和基板输送方法及真空处理装置 Download PDF

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CN1326228C
CN1326228C CNB2004100455287A CN200410045528A CN1326228C CN 1326228 C CN1326228 C CN 1326228C CN B2004100455287 A CNB2004100455287 A CN B2004100455287A CN 200410045528 A CN200410045528 A CN 200410045528A CN 1326228 C CN1326228 C CN 1326228C
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Abstract

本发明可进行输送经由真空预备室的较大型的基板而不增大真空预备室的容积。在与真空处理室连接的负载锁定室(20)的内部，设置：层叠有基座板(71)和多个滑动板(72-74)的、进行多级滑动式地输送动作的基板输送机构(70)；和具有支撑基板G的周边部分的缓冲板(81，82)和支撑基板G的中心的支撑销(85)的基板交接机构(80)。这样，在设在大气侧的大气侧输送机构(50)的输送臂(51)和基板输送机构(70)之间进行基板G的交接动作而可以不挠曲基板G。

Description

基板输送装置和基板输送方法及真空处理装置
技术领域
本发明涉及基板输送技术和真空处理技术，特别是涉及液晶显示装置(LCD)和等离子体显示器等平面显示器用的玻璃基板等的基板输送工序和在对上述玻璃基板进行干蚀刻等真空处理的真空处理装置中使用的有效技术。
背景技术
例如，在LCD制造过程中，大多使用对作为被处理基板的LCD玻璃基板进行干蚀刻或喷溅、CVD(化学气相成长)等的真空处理。
在进行这种真空处理的真空处理装置中，设有与保持真空、进行上述处理的真空处理室邻近的真空预备室。当被处理的基板搬入搬出时，应极力减小真空处理室内的环境的变动。
具体的是，在配置于大气中的箱盒和进行蚀刻处理等的真空处理之间，设有起大气和真空的接口作用的负载锁定室作为真空预备室。由于在这种负载锁定室中，当每次被处理基板通过，都反复进行向大气开放、和达到真空处理室同等的高真空度的排气，因此，可以在可能的限度内减小容积，缩短排气至高真空所要的时间，在提高生产率方面是重要的要素。
另一方面，在这种真空处理装置中，为了在安装在负载锁定室内部的输送机构和负载锁定室外的输送机构之间，交接被处理的基板，要进行下列动作：在包围设在负载锁定室内的输送机构的位置上，设置升降的缓冲板，使放置在负载锁定室内的输送机构上的被处理基板浮起，放置至负载锁定室外的输送机构上，在浮起状态下，接受放置在负载锁定室外的输送机构上到来的被处理基板，再下降到负载锁定室内的输送机构上进行交接等动作(例如，专利文献1)
然而，近来，对LCD玻璃基板的大型化要求强烈，甚至会使用一个边超过1m的巨大的基板。在这种巨大的基板上，当利用上述缓冲板支撑周边，进行浮起动作时，自重产生的挠度变形量大，为了将基板从输送机构完全浮起离开，要增大必要的升降行程长度。然而，与升降行程长度增大相应，设置缓冲板的负载锁定室的高度尺寸变高，负载锁定室的容积增大至超过必要，真空排气所要的时间增加，生产率降低。另外，输送机构本身在高度方向的设置空间，也增大至超过必要，这都是问题。
特许文献1：特开2001-148410号公报。
发明内容
考虑到上述问题，本发明的目的是要提供一种不增大高度尺寸即可以延长输送距离的基板输送技术。
另外，本发明的另一个目的是要提供一种不增大设置对象的真空预备室的容积，可以经由真空预备室输送较大型基板的基板输送技术。
本发明的再一个目的是提供可提高较大型的基板的真空处理的生产率的真空处理装置，
本发明的再一个目的是要提供一种不需要在高度方向设置超过必要的空间的、可进行较大型的基板输送的基板输送技术。
为了解决上述问题，根据本发明的第一观点，提供一种基板输送装置，其特征为，它具有：
将在第一位置上交接的基板输送至第二位置，将在上述第二位置上接收的基板，输送至第一位置的输送机构；和
基板交接机构，具有在上述第一位置上，支撑上述基板的周边的第一支撑部和支撑较上述基板的上述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部；可在上述第一位置上，在上述输送机构和其他输送机构之间进行基板的交接动作。
根据本发明的第二观点，提供一种基板输送装置，它设置在真空处理装置中的真空预备室中，该真空处理装置具有在真空中对基板进行处理的真空处理室；和在上述基板搬入搬出上述真空处理室的过程中，暂时收容该基板，其内部保持真空的真空预备室；其特征为，该基板输送装置具有：
输送机构，其将在上述真空预备室内的第一位置上交接的基板，输送至上述真空处理室的第二位置，将在上述真空处理室内的第二位置上接收的基板，输送至真空预备室的第一位置上；
基板交接机构，该机构设在上述真空预备室中，在其中的上述第一位置上具有支撑上述基板的周边的第一支撑部，和支撑较上述基板的上述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部，可以在上述真空预备室中，在上述输送机构和其他输送机构之间，进行基板的交接动作。
根据本发明的第三观点，提供一种基板输送方法，它可在将第一位置上交接的基板输送于第二位置、将第二位置上接收的基板输送至第一位置的第一输送机构，与将基板对处于上述第一位置的上述第一输送机构进行交接的第二输送机构之间，进行基板的交接；
使用由支撑基板的周边的第一支撑部，和支撑较基板的上述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部构成的基板交接机构，在进行上述基板输送动作的第一和第二输送机构之间，进行上述基板的交接动作。
根据本发明的第四个观点，提供一种基板输送方法，在具有在真空中对基板进行处理的真空处理室，和在上述基板搬入搬出上述真空处理室的过程中暂时收容该基板、其内部保持真空的真空预备室的真空处理装置中，
在第一输送机构和第二输送机构之间，进行基板的交接动作，其中，第一输送机构设置在上述真空预备室内，将在上述真空预备室内的第一位置上交接的基板，输送至上述真空处理室的第二位置，将在上述真空处理室内的第二位置上接收的基板，输送至真空预备室的第一位置上；第二输送机构从大气中将基板对位于上述真空预备室的上述第一位置的上述第一输送机构进行交接，其特征在于，
使用由支撑基板的周边部的第一支撑部，和支撑较基板的上述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部构成的基板交接机构，在进行上述基板输送动作的第一和第二输送机构之间，进行上述基板的交接动作。
根据本发明的第五个观点，提供一种真空处理装置，该真空处理装置具有
真空处理室，在真空中对基板进行预定的处理；
真空预备室，在上述基板搬入搬出上述真空处理室的过程中，暂时收容该基板，其内部保持真空；
第一输送机构，设置在上述真空预备室中，在其中的第一位置和上述真空处理室内的第二位置之间输送基板，同时在与设在外部的第二输送机构之间进行上述基板的交接；和
基板交接机构，该机构设在上述真空预备室中，具有支撑上述基板的周边部的第一支撑部和支撑较上述基板的上述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部，可以在上述第二输送机构和上述第一输送机构之间进行上述基板的交接动作。
发明的效果
根据本发明，当在将在第一位置上交接的基板输送至第二位置上、将在上述第二位置上接收的基板输送至第一位置的输送机构，和其他输送机构之间交接基板时，由于用第一支撑部支撑基板的周边部分，同时用第二支撑部支撑较该基板的上述第一支撑部更靠内侧部分，因此将使基板从其他输送机构上浮起而不挠曲，并移至输送机构上，进行基板的交接。因此，即使在为大型、挠度量大的基板情况下，也不需要增大第一支撑部的升降动作行程。因此，不需要确保高度方向的大的空间，对比较大型的基板的输送有效。例如，为了输送比较大型的基板，在真空预备室中设置本发明的输送机构的真空处理装置中，为了确保支撑基板的部件的行程，可以不需要增大真空预备室的高度尺寸，从而防止真空预备室容积的增大。
结果，可以抑制由真空预备室容积增大造成的该真空预备室排气所要的时间的增加，可提高随着由真空预备室的输送动作的基板真空处理工序的生产率。此外，还可减小输送大型基板的输送机构本身的设置空间。
附图说明
图1为具有本发明的第一实施例的基板输送装置的真空处理装置的真空预备室的纵截面图；
图2为具有本发明的第一实施例的基板输送装置的真空处理装置的真空预备室的纵截面图；
图3为具有本发明的第一实施例的基板输送装置的真空处理装置的真空预备室的水平截面图；
图4为表示本发明的第一实施例的基板输送装置的基板输送机构的结构的一个例子的立体图；
图5为表示具有本发明的第一实施例的基板输送装置的真空处理装置的外观的立体图；
图6为表示本发明的参考技术的基板输送装置的动作的一个例子的说明图；
图7为具有本发明的第二实施例的基板输送装置的真空处理装置的真空预备室的纵截面图；
图8为具有本发明的第二实施例的基板输送装置的真空处理装置的真空预备室的纵截面图；
图9为表示本发明第二实施例的基板输送装置的基板输送机构与第一缓冲板和二个缓冲板的配置关系的水平截面图；
符号说明：10-真空处理室；20-负载锁定室；30-闸阀；40-闸阀；50-大气侧输送机构；51-输送臂；52-切口部；55-基板台架；60-真空泵；70，70’-基板输送机构；70a-滑动电机；71，71’-基座板；71c-销贯通孔；72-74，72’-74’-第一-第三滑动板；72c-74c-销贯通孔；80，90-基板交接机构；81，82-缓冲板；83，84-缓冲器升降机构；85-支撑销；86-销升降机构；91，92-第一缓冲板；93，94-第一缓冲器升降机构；95，96-第二缓冲板；97，98-第二缓冲器升降机构；100-真空处理装置。
具体实施方式
以下，参照附图，来具体地说明本发明的实施例。
(第一实施例)
图1和图2为具有本发明的第一实施例的基板输送装置的真空处理装置的真空预备室的纵截面图；图3为表示具有本发明的第一实施例的基板输送装置的真空处理装置的水平截面图；图4为表示本发明的第一实施例的基板输送装置的基板输送机构的结构的一个例子的立体图；图5为表示具有本发明的第一实施例的基板输送装置的真空处理装置的外观的立体图。
本实施例的真空处理装置100具有：在真空环境中，对LCD玻璃基板等基板G进行等离子体蚀刻处理和薄膜形成处理等所希望的真空处理的真空处理室10；与真空处理室外10连接，可起真空预备室功能的负载锁定室20；设在真空处理室10和负载锁定室20之间的闸阀30；和将负载锁定室20和外部的大气侧输送机构50隔开的闸阀40。
真空泵60通过排气控制阀61与真空处理室10连接，可以在基板G规定的真空处理时，真空排气至必要的真空度。另外，处理气体供给部12通过气体控制阀11与真空处理室10连接，在真空处理室10内部形成规定压力的处理气体环境。在真空处理室10的内部设置处理台13，用于放置处理对象的基板G。
真空泵60通过排气控制阀62与负载锁定室20连接，可以真空排气至与真空处理室10同等的真空度。
在闸阀30中，设置使真空处理室10和负载锁定室20连通、支撑在后述的基板输送机构70上的基板G可以通过的大小的开口部31，和进行该开口31的开闭动作的阀体32。
在闸阀40中设置使负载锁定室20和外部大气连通、大小是支撑在上述大气侧的输送机构50上的基板G可以通过的开口部41，和进行该开口41的开闭动作的阀体42。
在负载锁定室20的内部安装着直动式的基板输送机构70。该基板输送机构70具有固定在负载锁定室20的底部上的基座板71，多层层叠在该基座板71上的第一滑动板72、第二滑动板73和兼作基板支撑台的第三滑动板74。由这些基座板71和第一-第三滑动板74构成基板输送机构主体。
在基座板71上设置支撑着在其上面的第一滑动板72且在水平方向可以自由滑动导向的一对滑动轨道71a，和将水平方向的推力给与滑动板72且使其在滑动轨道71a上往复运动的滑动驱动机构71b。
在第一滑动板72上设置支撑着在其上面的第二滑动板73且在水平方向可以自由滑动导向的一对滑动轨道72a，和将水平方向的推力给与滑动板73且使其在滑动轨道72a上往复运动的滑动驱动机构72b。
在第二滑动板73上设置支撑着在其上面的第三滑动板74且在水平方向可以自由滑动导向的一对滑动轨道73a，和将水平方向的推力给与滑动板74且使其在滑动轨道73a上往复运动的滑动驱动机构73b。
在最上部的第三滑动板74上设置大致为コ字形的，起支撑被载置的基板G的下表面的基板支撑部作用的滑动拾取部件74a。
滑动驱动机构71b-73b由皮带构成，该皮带的两端架设在设在基座板71和滑动板72-73上的、图中没有示出的皮带轮上。使该皮带的各自的一部分与位于上部的滑动板72-74的底部接合，通过使配置在基座板71的底部的滑动电机70a，在正/反方向旋转驱动，可在第一-第三滑动板72-74上，产生伸长/退缩移动方向的推力。另外，基板输送机构70，可进行使第一-第三滑动板72、74在水平方向多级伸长，夹持支撑在第三滑动板74上的基板G，搬入真空处理室10内的动作；和使第一-第三滑动板72-74在水平方向多级退缩，和在真空处理室10内，使在第三滑动板74上接收的基板G取出至负载锁定室20中的输出动作。
在负载锁定室20的内部，设在基板交接机构80。基板交接机构80具有：安装在夹住基板输送机构70的位置上的缓冲板81和82；使该缓冲板81和82升降的缓冲器升降机构83和84；设在基座板71的底部中心的支撑销85；和使该支撑销85升降的销升降机构86。另外，第一支撑部由缓冲板81和82及缓冲器升降机构83和84构成；第二支撑部则由支撑销85和销升降机构86构成。
基板交接机构80，利用缓冲板81和82，从下方支撑支撑在基板输送机构70的第三滑动板74上的滑动拾取部件74a上的基板G的周边部分，进行使基板G从该滑动拾取部件74a上浮起的动作，和使从大气侧输送机构50接收的基板G降下至滑动拾取部件74a上的动作等的基板交接动作。这时，利用支撑销85支撑基板G的中心。
分别在构成上述基板输送机构70的基座板71，第一-第三滑动板72-74的中心部分上作出可使上述支撑销85通过的销贯通孔71c，销贯通孔72c，销贯通孔73c和销贯通孔74c。在第一-第三滑动板72-74进入负载锁定室20内的层叠状态(退缩状态)下，销贯通孔71c和销贯通孔72c-74c成为在垂直方向连通的状态。通过该销贯通孔71c，72c-74c，支撑销85在最上部的滑动板74上突出出来，可以与放置在该滑动板74上的基板G的底部中心(在本实施例的情况下，作为一个例子，为基板G的大致重心位置)接触。
即：在支撑销85与负载锁定室20内的上述进行基板交接动作中缓冲板81和82同步升降；进行在水平方向支撑周边部分的动作，便由缓冲板81和82支撑的基板G的中心不会因自重而向下方挠曲。
大气侧的输送机构50具有可以转动和伸缩的输送臂51。它可进行由输送臂51从容纳多块基板G的基板台架55中取出一块未处理的基板G，通过闸阀40，交给负载锁定室20内的基板输送机构70的动作；和从负载锁定室20内的基板输送机构70上接受处理完的基板G，通过闸阀40，取出至大气侧，收存在基板台架55中的动作。在输送臂51设有切口部52，使得在负载锁定室20内进行基板G内交接时，不与支撑销85干扰。
其次来说明动作。
首先，基板输送机构70处在退缩在负载锁定室20内的状态，闸阀30的阀体32关闭，利用真空泵60将真空处理室10的内部排气至必要的真空度。
大气侧的输送机构50，利用输送臂51将未处理的基板G从基板台架55中取出，通过闸阀40的开口部41，输入负载锁定室20内，在基板输送机构70的第三滑动板74的上部定位。
其次，缓冲板81和82上升，从两侧抬起基板G的周边部分，同时，支撑销85通过销贯通孔71c-74c上升，再通过输送臂51的缺口部52，与基板G的底部中心接触抬起。如图1所示，基板G以不挠曲的大致水平的姿势，从输送臂51浮起。
然后，将输送臂51在大气侧上拔出，退避在负载锁定室20的外部后，通过使缓冲板81和82，及支撑销85下降，如图2所示，基板G移动放置在基板输送机构70中第三滑动板74的滑动拾取部件74a上。
另外，关闭阀门40的阀体42，使负载锁定室20处在密闭状态，打开排气控制阀62，在排气至与真空处理室10相同的真空度后，打开闸阀30的阀体32。这时，由于负载锁定室20真空排气，真空处理室10的真空度和环境不受损。再通过闸阀30的开口部31，使基板输送机构70的第一-第三滑动板72-74向着真空处理室10的内部多级伸长，将基板G送入真空处理室10的处理台13的上部，通过设在处理台13上的图中没有示出的突起销等，放置在处理台13上。然后，第一-第三滑动板72-74退缩至负载锁定室20内进行退避，关闭闸阀30的阀体32，将真空处理室10密闭。
然后，将必要的气体从处理气体供给部12导入密闭真空处理室10内，形成处理气体的环境，对基板G进行必要的处理。
经过规定时间后，停止导入处理气体，打开闸阀30的阀体32，使负载锁定室20内的基板输送机构70的第一-第三滑动板72-74，在真空处理室10内部多级伸长，按照与上述搬入动作相反的次序，将真空处理室10中处理完的基板G，从处理台13上移至第三滑动板74的滑动拾取部件74a上，使滑动板72-74退缩；从负载锁定室20内搬出后，关闭闸阀30的阀体32，将真空处理室10密闭。这时，负载锁定室20内的基板输送机构70为图2的状态。
然后，停止负载锁定室20的排气，同时，导入N2气等，使压力接近大气压，使缓冲板81，82和支撑销85上升，支撑基板G的周边部分和中心并在大致水平的姿势下浮起。另外，打开闸阀40的阀体42，使大气侧的输送机构50的输送臂51插入浮起的基板G的下侧，在这种状态下，使缓冲板81，82和支撑销85下降，将基板G移至输送臂51上。
另外，通过将输送臂51退出至大气侧，将处理完的基座G从负载锁定室20输出至大气侧，放入基板台架55中。
先前，如图6所示，当经由以上这样的负载锁定室20的基板G出入真空处理室10时，当基板G尺寸大，利用缓冲板进行浮起操作时的挠度量B大时，用于确保输送臂51的插入间隙(间隙C)的缓冲板的行程S增大。为了确保该行程S的可动范围，必需增大负载锁定室20的高度尺寸。
与此相对，在本实施例中，如上述图1那样，通过支撑基板G的周边部分的缓冲板81，82和支撑中心部分的支撑销85的协同动作，可使基板G不产生挠曲。由于可以通过基板G的浮起进行交接动作，因此缓冲板81，82的行程S1比先前的图6所示的行程S大幅缩短，负载锁定室20的高度尺寸H也可以减小这个量。结果，可以减小负载锁定室20的容积，缩短该负载锁定室20的真空排气所要的时间，提高包含有负载锁定室20的排气所要时间的基板G的真空处理工序的生产率。
特别是，在收容1边超过1m的大型的基板G的负载锁定室20中，水平截面积变大，削减负载锁定室20的高度尺寸，使容积削减的效果大，排气所要的时间可大大缩短。
(第二实施例)
其次，说明本发明的第二实施例。
图7和图8为具有本发明的第二实施例的基板输送装置的真空处理装置的真空预备室的纵截面图；图9为表示本发明的第二实施例的基板输送装置的基板输送机构和第一缓冲板与第二缓冲板的配置关系的水平截面图。在这些图中，与第一实施例相同的零件用相同的符号表示，省略其说明。另外，除真空预备室以外，与第一实施例结构相同。
在本实施例中，在负载锁定室20内部，具有与第一实施例的基板输送机构70相同的直动式的基板输送机构70’。该基板输送机构70’具有分别与基板输送机构70的基座板71和第一与第三滑动板72-74功能相同的基座板71’和第一-第三滑动板72’-74’。由这些基板座板71’和第一-第三滑动板72’-74’构成基板输送机构主体。
在第三滑动板74’上安装着拾取部件75，它向侧面伸出，具有基板支撑部的功能。该拾取部件75与基板输送机构主体有一定间隔。
在负载锁定室20内部设有基板交接机构90。基板交接机构90具有：设在夹住基板输送机构70’的位置上、与基板周边接触支撑的一对第一缓冲板91和92；使该第一缓冲板91和92升降的第一缓冲器升降机构93和94；设置在第一缓冲板91和92的内侧，夹住基板输送机构70’，作为较基板G的基板输送机构主体更靠外侧的部分的、与拾取部件75的内侧部分接触支撑的一对第二缓冲板95和96；和使该第二缓冲板95和96升降的第二缓冲器升降机构97和98。另外，第一支撑部由第一缓冲板91和92与第一缓冲升降机构93和94构成；第二支撑部由第二缓冲板95和96与第二缓冲器升降机构97和98构成。第一缓冲板91和92与第二缓冲板95和96，由第一缓冲器升降机构93和94与第二缓冲器升降机构97和98互相个别独立地驱动。
基板交接机构90进行下列动作；利用第一缓冲板91和92，从下方支撑被支撑在基板输送机构70’的拾取部件75上的基板G的周边部分；而且，利用第二缓冲板95和96，从下方支撑作为较基板G的基板输送机构主体更靠外侧的部分的、拾取部件75的内侧部分，使基板G从拾取部件75浮起的动作；和将从大气侧输送机构50接受的基板G，下降至拾取部件75上的动作等的基板交接动作。
其次，对动作进行说明。
首先，基板输送机构70’处在退缩在负载锁定室20内的状态，闸阀30的阀体32关闭，利用真空泵60将真空处理室10的内部排气至必要的真空度。
大气侧的输送机构50，利用输送臂51将未处理的基板G从基板台架55中取出，通过闸阀40的开口部41，输入负载锁定室20内，在基板输送机构70’的第三滑动板74’的上部定位。
其次，第一缓冲板91和92上升，从两侧抬起基板G的周边部分，同时，通过第二缓冲板95和96抬起作为较基板G的基板输送机构主体更靠外侧部分的、拾取部件75的内侧部分，如图7所示；基板G以不挠曲的大致水平的姿势，从输送臂51浮起。
然后，将输送臂51在大气侧上拔出，退避在负载锁定室20的外部后，通过使第一缓冲板91和92，及第二缓冲板95和96下降，如图8所示，基板G移动放置在基板输送机构70’的拾取部件75上。
另外，以下按照与第一实施例相同的顺序，进行基板的输送动作。即：关闭闸门40的阀体42，使负载锁定室20处在密闭状态，打开排气控制阀62，在排气至与真空处理室10相同的真空度后，打开闸阀30的阀体32。通过闸阀30的开口部31，使基板输送机构70’的第一-第三滑动板72’-74’向着真空处理室10的内部多级伸长，将基板G送入真空处理室10的处理台13的上部，通过设在处理台13上的图中没有示出的突起销等，放置在处理台13上。然后，第一-第三滑动板72’-74’退缩至负载锁定室20内进行退避，关闭闸阀30的阀体32，将真空处理室10密闭。
然后，将必要的气体从处理气体供给部12导入密闭真空处理室10内，形成处理气体的环境，对基板G进行必要的处理。
经过规定时间后，停止导入处理气体，打开闸阀30的阀体32，使负载锁定室20内的基板办送机构70’的第一-第三滑动板72’-74’，在真空处理室10内部多级伸长，按照与上述搬入动作相反的次序，将真空处理室10中处理室完的基板G，从处理台13上移至拾取部件75上，使滑动板72-74’退缩；搬出至负载锁定室20内后，关闭闸阀30的阀体32，将真空处理室10密闭。这时，负载锁定室20内的基板输送机构70’为图8的状态。
然后，停止负载锁定室20的排气，同时，导入N2气等，使压力接近大气压，使第一缓冲板91，92和第二缓冲板95，96上升，支撑基板G的周边部分、和基板输送机构主体与拾取部件75之间的部分，并使其在大致水平的姿势下浮起，其间，开闸阀40的阀体42，使大气侧的输送机构50的输送臂51插入浮起的基板G的下侧，在这种状态下，使第一缓冲板91，92和第二缓冲板95，96下降，将基板G移至输送臂51上。
另外，通过将输送臂51退出至大气侧，将处理完的基座G从负载锁定室20输出至大气侧，放入基板台架55中。
在本实施例中，如上述图7那样，通过支撑基板G的周边部分的第一缓冲板91，92和支撑基板G的基板输送机构主体和拾取部件75之间的部分的第二缓冲板95，96的协同动作，可以与第一实施例同样，可使基板G不产生挠曲，通过基板G的浮起进行交接动作，因此第一缓冲板91，92和第二缓冲板95，96的行程比以往的大幅缩短，负载锁定室20的高度尺寸也可以减小这个量。结果，可以减小负载负锁定室20的容积，缩短该负载锁定室20的真空排气所要的时间，提高包含负载锁定室20的排气所要时间的基板G的真空处理工序的生产率。特别是，在大型基板的情况下，这种提高生产率的效果大。
本发明不是仅限于上述实施例，在本发明的思想范围内，可作各种变形。例如，作为设在负载锁定室等的真空预备室中的基板输送机构，不是仅限于进行将滑动板层叠的线性的输送动作结构的输送机构，具有回转的多个机器臂的多关节机器人等也可以。在这种情况下，为了进行基板的交接，可在多关节机器人退缩至真空预备室内的状态下，将支撑销配置在不与机械手臂相干扰的位置，或贯通机械手臂的位置上。
另外，作为基板，也不是仅限于LCD和等离子体显示器等的平面显示器的基板，在其他的基板中也可采用。
产业上利用的可能性
由于可以抑制交接基板时的基板挠度，因此本发明特别在大型基板的输送中有效。

Claims (34)

1.一种基板输送装置，其特征为，它具有：
将在第一位置上交接的基板输送至第二位置，将在所述第二位置上接收的基板，输送至第一位置的输送机构；和
基板交接机构，该机构在所述第一位置上具有支撑所述基板的周边部分的第一支撑部，和支撑较所述基板的所述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部，可在所述第一位置上，在所述输送机构和其他输送机构之间进行基板的交接动作。
2.如权利要求1所述的基板输送装置，其特征为，所述输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构，
在所述基板交接机构中，所述第一支撑部具有配置在所述传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的平板和使平该板升降的板升降机构；所述第二支撑部具有：在所述输送机构的所述基板支撑部将所述基板保持在所述第一位置上时，贯通所述输送机构主体，与所述基板的中央接触的支撑销，和使该支撑销升降的销升降机构。
3.如权利要求2所述的基板输送装置，其特征为，所述第二支撑部的所述支撑销，配置在与所述基板的重心位置接触的位置上。
4.如权利要求1所述的基板输送装置，其特征为，
所述输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
所述第一支撑部具有配置在所述传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的第一平板和使该第一平板升降的第一平板升降机构；所述第二支撑部具有：与较所述基板的所述输送机构主体更靠外侧部分接触的第二平板和使该第二平板升降的第二升降机构。
5.如权利要求4所述的基板输送装置，其特征为，所述基板支撑部，以一定间隔，从所述输送机构主体向侧面伸出，所述第二平板接触所述基板的部位为：处于所述输送机构主体和所述基板支撑部之间的基板。
6.如权利要求2-5中任一项所述的基板输送装置，其特征为，所述输送机构主体具有在所述基板支撑部的下部层叠的多个板状臂，所述驱动机构使所述基板支撑部和多个所述的板状臂在宽度方向多阶段地滑动、并进行伸缩驱动，所述多个板状臂可在退缩的状态下，将基板保持在所述第一位置上，所述多个板状臂可在伸长状态下，将基板保持在所述第二位置上。
7.一种基板输送装置，设置在真空处理装置中的真空预备室中，该真空处理装置具有在真空中对基板进行处理的真空处理室；和在所述基板搬入搬出所述真空处理室的过程中，暂时收容该基板，其内部保持真空的真空预备室，其特征为，该基板输送装置具有：
将在所述真空预备室内的第一位置上交接的基板，输送至所述真空处理室内的第二位置，将在所述真空处理室内的第二位置上接收的基板，输送至真空预备室的第一位置上的输送机构；和
基板交接机构，该机构设在所述真空预备室中，在其中的所述第一位置上，具有支撑所述基板的周边部分的第一支撑部，和支撑较所述基板的所述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部，可以在所述真空预备室中，在所述输送机构和其他输送机构之间，进行基板的交接动作。
8.如权利要求7所述的基板输送装置，其特征为，所述输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构，
在所述基板交接机构中，所述第一支撑部具有配置在所述传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的平板和使平该板升降的板升降机构；所述第二支撑部具有：在所述输送机构的所述基板支撑部将所述基板保持在所述第一位置上时，贯通所述输送机构主体，与所述基板的中央接触的支撑销，和使该支撑销升降的销升降机构。
9.如权利要求8所述的基板输送装置，其特征为，所述第二支撑部的所述支撑销，配置在与所述基板的重心位置接触的位置上。
10.如权利要求7所述的基板输送装置，其特征为，
所述输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
所述第一支撑部具有配置在所述传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的第一平板和使该第一平板升降的第一平板升降机构；所述第二支撑部具有：与较所述基板的所述输送机构主体更靠外侧部分接触的第二平板和使该第二平板升降的第二升降机构。
11.如权利要求10所述的基板输送装置，其特征为，所述基板支撑部，以一定间隔，从所述输送机构主体向侧面伸出，所述第二平板接触所述基板的部位为：处于所述输送机构主体和所述基板支撑部之间的基板。
12.如权利要求8-11中任一项所述的基板输送装置，其特征为，所述输送机构主体具有在所述基板支撑部的下部层叠的多个板状臂，所述驱动机构使所述基板支撑部和多个所述的板状臂在宽度方向多阶段地滑动、并进行伸缩驱动，所述多个板状臂可在退缩的状态下，将基板保持在所述第一位置上，所述多个板状臂可在伸长状态下，将基板保持在所述第二位置上。
13.一种基板输送方法，在将第一位置上交接的基板输送至第二位置、将第二位置上接收的基板输送至第一位置的第一输送机构，和将基板对处在所述第一位置的所述第一输送机构进行交接的第二输送机构之间，进行基板的交接，其特征为，
使用由支撑基板的周边部分的第一支撑部，和支撑较基板的所述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部构成的基板交接机构，在进行所述基板输送动作的第一和第二输送机构之间，进行所述基板的交接动作。
14.如权利要求13所述的基板输送方法，其特征为，它具有下列工序：
将放置在所述第二输送机构上的基板，移动至所述第一输送机构的上部的工序；
使所述基板交接机构的所述第一和第二支撑部上升，将所述基板从所述第二输送机构上浮起的工序；
使所述第二输送机构从所述第一输送机构的上方退避的工序；和
使所述第一和第二支撑部下降，将所述基板移动至所述第一输送机构上的工序。
15.如权利要求13所述的基板输送方法，其特征为，它具有下列工序；
利用所述第一支撑部和所述第二支撑部，使放置在所述第一输送机构上的所述基板上升、从该第一输送机构浮起的工序；
将所述第二输送机构插入至所述基板和所述第一输送机构之间的工序；和
使所述第一和第二支撑部下降，将所述基板移至所述第二输送机构的工序。
16.如权利要求13～15中任一项所述的基板输送方法，其特征为，
所述第一输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
在所述基板交接机构中，所述第一支撑部具有配置在所述第一输送机构周围、与所述基板的周边下部接触的平板和使该平板升降的平板升降机构；所述第二支撑部具有：在所述第一输送机构的所述基板支撑部将所述基板保持在所述第一位置上时，贯通所述输送机构主体，与所述基板的中央部接触的支撑销，和使该支撑销升降的销升降机构。
17.如权利要求16所述的基板输送方法，其特征为，所述第二支撑部的所述支撑销，配置在与所述基板的重心位置接触的位置上。
18.如权利要求13～15中任一项所述的基板输送方法，其特征为，
所述第一输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
所述第一支撑部具有配置在所述第一传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的第一平板和使该第一平板升降的第一平板升降机构；所述第二支撑部具有：与较所述基板的所述输送机构主体更靠外侧部分接触的第二平板和使该第二平板升降的第二升降机构。
19.如权利要求18所述的基板输送方法，其特征为，所述基板支撑部以一定的间隔，从所述输送机构主体向侧面伸出，所述第二平板接触所述基板的部位为：处于所述输送机构主体和所述基板支撑部之间的基板。
20.如权利要求16所述的基板输送方法，其特征为，所述输送机构主体具有在所述基板支撑部的下部层叠的多个板状臂，所述驱动机构可使所述基板支撑部和多个所述板状臂在宽度方向多阶段地滑动、伸缩驱动，在所述多个板状臂为退缩状态下，可将基板保持在所述第一位置上，而在所述多个板状臂伸长的状态下，可将基板保持在所述第二位置上。
21.一种基板输送方法，在具有在真空中对基板进行处理的真空处理室，和在所述基板搬入搬出所述真空处理室的过程中暂时收容该基板、其内部保持真空的真空预备室的真空处理装置中，
在第一输送机构和第二输送机构之间，进行基板的交接动作，其中，第一输送机构设置在所述真空预备室内，将在所述真空预备室内的第一位置上交接的基板，输送至所述真空处理室的第二位置，将在所述真空处理室内的第二位置上接收的基板，输送至真空预备室的第一位置上；第二输送机构从大气中将基板对位于所述真空预备室的所述第一位置的所述第一输送机构进行交接，其特征在于，
使用由支撑基板的周边部分的第一支撑部，和支撑较基板的所述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部构成的基板交接机构，在进行所述基板输送动作的第一和第二输送机构之间，进行所述基板的交接动作。
22.如权利要求21所述的基板输送方法，其特征为，它具有下列工序：
将放置在所述第二输送机构上的基板，移动至所述第一输送机构的上部的工序；
使所述基板交接机构的所述第一和第二支撑部上升，将所述基板从所述第二输送机构上浮起的工序；
使所述第二输送机构从所述第一输送机构的上方退避的工序；和
使所述第一和第二支撑部下降，将所述基板移动至所述第一输送机构上的工序。
23.如权利要求21所述的基板输送方法，其特征为，它具有下列工序；
利用所述第一支撑部和所述第二支撑部，使放置在所述第一输送机构上的所述基板上升、从该第一输送机构浮起的工序；
将所述第二输送机构插入至所述基板和所述第一输送机构之间的工序；和
使所述第一和第二支撑部下降，将所述基板移至所述第二输送机构的工序。
24.如权利要求21～23中任一项所述的基板输送方法，其特征为，
所述第一输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
在所述基板交接机构中，所述第一支撑部具有配置在所述第一输送机构周围、与所述基板的周边下部接触的平板和使该平板升降的平板升降机构；所述第二支撑部具有：在所述第一输送机构的所述基板支撑部将所述基板保持在所述第一位置上时，贯通所述输送机构主体，与所述基板的中央部接触的支撑销，和使该支撑销升降的销升降机构。
25.如权利要求24所述的基板输送方法，其特征为，所述第二支撑部的所述支撑销，配置在与所述基板的重心位置接触的位置上。
26.如权利要求21～23中任一项所述的基板输送方法，其特征为，
所述第一输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
所述第一支撑部具有配置在所述第一传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的第一平板和使该第一平板升降的第一平板升降机构；所述第二支撑部具有：与较所述基板的所述输送机构主体更靠外侧部分接触的第二平板和使该第二平板升降的第二升降机构。
27.如权利要求26所述的基板输送方法，其特征为，所述基板支撑部以一定的间隔，从所述输送机构主体向侧面伸出，所述第二平板接触所述基板部位为：处于所述输送机构主体和所述基板支撑部之间的基板。
28.如权利要求24所述的基板输送方法，其特征为，所述输送机构主体具有在所述基板支撑部的下部层叠的多个板状臂，所述驱动机构可使所述基板支撑部和多个所述板状臂在宽度方向多阶段地滑动、伸缩驱动，在所述多个板状臂为退缩状态下，可将基板保持在所述第一位置上，而在所述多个板状臂伸长的状态下，可将基板保持在所述第二位置上。
29.一种真空处理装置，其特征为，该真空处理装置具有
在真空中对基板进行处理的真空处理室；
在所述基板搬入搬出所述真空处理室的过程中，暂时收容该基板、其内部保持真空的真空预备室；
设置在所述真空预备室中，在其中的第一位置和所述真空处理室内的第二位置之间输送基板，同时在与设在外部的第二输送机构之间进行所述基板的交接的第一输送机构；和
基板交接机构，该机构设在所述真空预备室中，具有支撑所述基板的周边部分的第一支撑部和支撑较所述基板的所述第一支撑部更靠内侧部分的第二支撑部，在所述第二输送机构和所述第一输送机构之间进行基板的交接动作。
30.如权利要求29所述的真空处理装置，其特征为，
所述第一输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
在所述基板交接机构中，所述第一支撑部具有配置在所述第一传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的平板和使该平板升降的平板升降机构；所述第二支撑部具有：在所述第一输送机构的所述基板支撑部将所述基板保持在所述第一位置上时，贯通所述输送机构主体，与所述基板的中央部接触的支撑销，和使该支撑销升降的销升降机构。
31.如权利要求30所述的真空处理装置，其特征为，所述第二支撑部的所述支撑销配置在与所述基板的重心位置接触的位置上。
32.如权利要求29所述的真空处理装置，其特征为，
所述第一输送机构具有输送机构主体、支撑基板的基板支撑部、和驱动所述输送机构主体和所述基板支撑部的驱动机构；
所述第一支撑部具有配置在所述第一传输机构周围、与所述基板的周边下部接触的第一平板和使该第一平板升降的第一平板升降机构；所述第二支撑部具有：与较所述基板的所述输送机构主体更靠外侧部分接触的第二平板和使该第二平板升降的第二升降机构。
33.如权利要求32所述的真空处理装置，其特征为，所述基板支撑部以一定间隔从所述输送机构主体向侧面伸出，所述第二平板接触所述基板的部位为：处于所述输送机构主体和所述基板支撑部之间的基板。
34.如权利要求30～33中任一项所述的真空处理装置，其特征为，所述输送机构主体具有在所述基板支撑部的下部层叠的多个板状臂，所述驱动机构可使所述基板支撑部和多个所述的板状臂在宽度方向多阶段地滑动、伸缩驱动，所述多个板状臂可在退缩的状态下，将基板保持在所述第一位置上，所述多个板状臂可在伸长状态下，将基板保持在所述第二位置上。
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