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CN1306550C - 一种表面放电等离子体显示面板 - Google Patents

一种表面放电等离子体显示面板 Download PDF

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CN1306550C
CN1306550C CNB2004100055725A CN200410005572A CN1306550C CN 1306550 C CN1306550 C CN 1306550C CN B2004100055725 A CNB2004100055725 A CN B2004100055725A CN 200410005572 A CN200410005572 A CN 200410005572A CN 1306550 C CN1306550 C CN 1306550C
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Abstract

一种表面放电型等离子体显示面板(PDP),它包括一对其间有一放电空间(30)的前、后基片(11,21)和在前或后基片的内表面上的多个成对电极。显示电极沿各显示行L延伸。PDP还包括一个具有沿显示行延伸、形成在前基片(11)的内表面或外表面上以便与相邻显示行(L)之间的各区域(S2)重叠、并夹在显示电极X和Y之间的带状光遮挡膜(45)。

Description

一种表面放电等离子体显示面板
技术领域
本发明涉及一个具有矩阵显示方式的表面等离子体显示面板(下文称之为表面放电PDP)和一种制造此等离子体显示面板的方法。
背景技术
表面放电PDP是这样一类PDP,在其中,确定了一个初始放电单元的成对显示电极,互相相邻地位于一个单一基片上的。由于这样的PDP通过使用荧光物质完全可作为彩色显示器用,所以它们广泛地用作电视的薄型图象显示设备。此外,由于PDP还是最有可能作为高清晰度图象的大屏幕显示器,因此在这样的情况下,需求一种通过增加分辨率和屏幕尺寸及增强对比度而提高显示质量的PDP。
图14是一个传统PDP90的内部结构截面图。PDP90是一个具有三电极结构和一个矩阵显示方式的表面放电PDP,而且根据其荧光物质的排列方式,可划归为放射型的PDP。
在PDP90的前面,在一个玻璃基片的内表面上,互相并行排列成对的显示电极X和Y,并成为显示器的每一行显示电极,以便使它们沿玻璃基片的表面引起一个表面放电。形成一个用于AC驱动的介质层17,以覆盖成对的显示电极X和Y,并把它们和一个放电空间30分开。通过蒸镀法在介质层17的表面上形成一个保护膜18。介质层17和保护膜18均为透明的。
每一个显示电极X和Y都包含一个由一种ITO薄膜形成的宽而直的透明电极41和一个由一种薄金属膜(Cr/Cu/Cr)形成的窄而直的总线电极42。总线电极42是一种用于获得合适的传导率的辅助电极,并位于透明电极41的边缘,远离平面放电空间。采用这样的一种电极结构,可以使显示光的遮挡减至最小,而同时使表面放电区域扩展,以增加光发射效率。
在背面,一个地址A电极被提供在一个玻璃基片21的内表面上,并使其与成对电极X和Y以直角相交。一个荧光层28形成于并覆盖着含有地址电极A的玻璃基片21。地址电极A与显示电极X和Y之间的反向放电,控制着壁电荷在介质层17上积累的状态。当荧光层28被表面放电所产生的紫外线部分地激励时,即产生预定颜色的可见光发射。透过玻璃基片21的可见光发射形成了显示光线。
排成一行的成对电极X和Y之间的间隙被称为放电间隙S1,而选择放电间隙S1的宽度W1(在成对电极X和Y互相相对放置方向上的宽度),使加到显示电极的电压为100-200V时产生表面放电。一个成对电极X和Y的行与一个相邻行之间的间隙S2被称为一个反转间隙,它具有大于放电间隙S1宽度W1的宽度W2,足以防止放置在反转间隙的相对面上的显示电极X和Y间的放电。因此,成对显示电极以其间具有一个放电间隙S1放置在一行上,而此行与另外一行分开一个反转间隙S2的间隙。可有选择地使每一行变亮。因此,和反转间隙相对应的显示屏幕部分为非发光区或非显示区,而和放电空间相对应的部分为发光区或显示区。
从一个传统显示面板的前面,透过反转间隙S2,在非发光状态下可以看见荧光层28,而荧光层28在非发光状态下为白色或灰色。因此,当一个传统的显示面板用于一个特别亮的场合时,外来光在荧光层28上散射,而行间的非发光区呈白色,导致显示器的对比度的降低。
作为用于彩色显示器PDP增加对比度的一种方式,所提出的是一个通过在前基片11的外表面上涂覆一种相应于荧光材料发光颜色的半透明涂料以提供彩色滤光器的方法;一种在一个PDP的前面放置一个单独制作的滤光器的方法,和一个将介质层17染以R、G和B色的方法。
然而,在相应于最小象素位置上单独地涂覆彩色染料是非常困难的。在前面放置分离滤光器的情况下,PDP和滤光器间的间隙导致显示图象的变形。而在对介质层17染色的情况下,由于染色剂色度的不同,染色导致介电常数均匀性的变坏,而且放电特性变得不稳定。此外,对介质层染色如对彩色染料的涂覆时,定位也是困难的。
发明内容
因此本发明的一个目的是在使行之间的非发光区变得微不足道同时增加显示对比度。
本发明的另外一个目的是,提供一个在显示行之间的非发光区,形成含有黑色颜料的光遮挡膜的优化结构,及其一种制造方法。
对应于显示屏上的相邻行之间的间隙(下文称之为反转间隙)的区域是一个非发光区,相应于每一个非发光区放置光遮挡膜。由于单独遮挡膜的平面图案以带状形成,所以对整个显示屏来讲形成一个条纹遮挡图案。遮挡膜遮挡了可能透过反转间隙的可见光。因此可以防止由于外来光线和从一个显示行泄漏的光线引起的非发光区变亮现象的出现,从而增加了显示对比度。
根据本发明,提供了一种表面放电等离子体显示面板,具有:
一对相互面对的前、后基片,在所述前、后基片之间有一放电空间;
在所述前基片的内表面上形成的多个显示电极对,所述显示电极对分别沿每个显示行延伸,在所述显示行之间有非显示区;
在所述后基片的内表面上形成的多个寻址电极,所述寻址电极与限定显示行的所述显示电极对交叉;以及
形成在所述后基片上的多个荧光物质;
其特征在于,所述表面放电等离子体显示面板还包括:
与所述显示电极对形成在所述前基片的相同内表面上的黑色条纹层;
其中所述黑色条纹层沿所述显示线延伸,以在相邻的对应于所述显示电极对的显示线之间,位于所述非显示区上。
本发明还提供了一种表面放电等离子体显示面板,具有:
一对相互面对的前、后基片,在所述前、后基片之间有一放电空间;
在所述前基片的内表面上形成的多个显示电极对,每一对所述显示电极对之间形成有一个放电间隙,所述放电电极对分别沿每个显示行延伸,在每对放电电极对和每个显示行之间有一个反转间隙;
在所述后基片的内表面上形成的多个寻址电极和荧光物质,所述寻址电极和荧光物质与限定显示行的所述显示电极对交叉;
其特征在于,所述表面放电等离子体显示面板还包括:
一个黑色条纹形的光遮挡层,所述光遮挡层与所述显示电极对形成在所述前基片的相同内表面上,并且位于所述显示电极对之间的反转间隙;
其中所述光遮挡层还形成在有效显示区域的外围区域上,所述光遮挡层由含有黑色颜料的绝缘材料形成。
根据本发明,可以对显示行间的非发光区加以遮挡,使该非发光区不被注意到,从而增加显示器的对比度。
根据本发明,可以防止荧光层表面上的外来光的反射,而且提供一个具有高对比度的显示器。
根据本发明,不仅在显示行间的区域,还可在金属电极的表面防止外来光的反射,可以得到一个具有高对比度的显示器。
根据本发明,在形成介质层的处理中,可以防止光遮挡膜的延伸,因而可以防止亮度的降低。
根据本发明,由于可以不增加用于图案形成掩模定位处理的次数,可以维持高的生产率,并可以增加显示器的对比度。
根据本发明,在形成显示电极后,可以一起形成光遮挡膜和介质层,并进行退火,并可以进行相对稳定的处理。
附图说明
图1是一个说明与本发明相关的一个PDP的基本结构的透视图;
图2是一个根据第一实施方案的PDP的主要部分的截面图;
图3是一个光遮挡膜的平面图;
图4A至4F是说明制作PDP的前面部分的示意图;
图5是一个根据本发明的第二实施方案的PDP的主要部分的截面图;
图6是一个根据本发明的第三实施方案的PDP的主要部分的截面图;
图7是一个根据本发明的第四实施方案的PDP的主要部分的截面图;
图8是一个根据本发明的第五实施方案的PDP的主要部分的截面图;
图9A至9E是解释制造本发明的第二、四和五实施方案的PDP的方法的截面图;
图10A至10C是解释制造本发明的第二、四和五实施方案的PDP的方法的截面图;
图11是一个光遮挡膜形成在面板的显示区域周围的PDP的平面图;
图12是一个在图11中沿线XX-YY的截面图;
图13是一个PDP的改进方案的截面图;
图14是一个传统PDP的内部结构的主要部分的截面图。
具体实施方式
图1是一个说明根据本发明的一个PDP的基本结构的透视图。如图14中使用的相同的参考数字也在图1中用来表示相应的或相同的部分,不考虑在形状和材料上的不同。类似地也应用于下面的图中。
和传统的PDP90一样,PDP1是一个具有矩阵显示方式的三电极结构的表面放电PDP,也称之为反射型。外表面由其间有一介入放电空间30、互相相对的成对玻璃基片11和21形成。玻璃基片11和21由沿相对基片的边缘形成的、具有低熔点的一个玻璃封装框层固定。
在前玻璃基片11的内表面上,为沿基片表面产生一个表面放电,对一个矩阵显示的每一行安置一对并列的直的显示X和Y,行间距为,例如,660微米。
每一个显示电极X和Y包含一个由一种ITO薄膜形成的宽而直的透明电极41和一个由一种具有多层结构的薄金属膜形成的窄而直的总线电极42。作为特定的举例尺寸,透明电极为0.1微米厚、180微米宽,而总线电极42为1微米厚、60微米宽。
总线电极42是一个用于获得适当的传导率的辅助电极,并位于离开放电空间的一个表面的透明电极的边缘上。
对于PDP1,形成由用于AC驱动的一个介质层17(例如,低熔点PbO玻璃层)以覆盖显示电极X和Y,并将其和放电空间30分离开。一个由例如MgO(氧化镁)做成的保护膜18,通过蒸镀法沉积在介质层17的表面上。介质层17的厚度大约为30微米,并且保护膜18的厚度,例如近似为5000埃。
后玻璃基片21,例如ZnO低熔点玻璃,它的内表面涂以近似为10微米的底基层22。地址电极A以等间距(例如220微米)安置在低基层22上,因此它们以直角和成对显示电极X和Y相交。通过例如对银胶进行退火而产生地址电极A,并且其厚度大约为10微米。底基层22防止地址电极A的电迁移。
在介质层17上的壁电荷的积累状态由地址电极A和显示电极Y间的放电来控制。地址电极也被覆盖以介质层24,它可以由与底基层22有相同组份的低熔点玻璃组成。在地址电极A的上边部分的介质层24,例如,大约厚10微米。
在介质层24上,平面排布的多个大约150微米高、直栅栏凸棱29,分别排布在地址电极A之间。
然后,荧光层28R、28G和28B(以后称为荧光层28,当不特殊要求颜色之间的区分时)作为一个全彩色显示的三基色R(红)、G(绿)和B(蓝)被形成,以覆盖介质层24表面,它包括地址电极A的上部和直栅栏凸棱29的边。有表面放电产生的紫外线激励时,这些荧光层28发光。
由直栅栏凸棱29沿行(沿平行于显示电极X和Y的象素的放置)方向,以光发射面积为单位确定了放电空间30,放电空间30之间的间隙的尺寸也被确定。在PDP1中,没有沿一个矩阵显示器列方向(沿成对显示电极X和Y的排列方向或地址行方向)确定放电空间的栅栏凸棱。然而,由于一个沿所排列的成对电极X和Y的显示行L的间隙的大小(反转间隙的宽度),设定为从100至400微米,与一个50微米的行表面放电间隙(放电间隙的宽度)相比是足够大,所以在行L之间并不出现放电干扰。
PDP1的一个显示象素包括在各行L上三个相邻的单位光发射区域(子象素)。在同一列中所有行L的发光颜色是相同的,并通过丝网印刷提供荧光层28R、28B、28G,以使它们沿地址电极连续排列在各列中。由于这种丝网印刷,提供了极好的制作效率。与荧光层以每一行划分的排列相比,沿一个连续荧光层28的排列可以容易地为子象素提供均匀的荧光层厚度。
图2是一个PDP1的基本部分的截面图,而图3是一个光遮挡膜45的平面图。如图2所示,对一个反转间隙形成一个遮挡可见光的光遮挡膜45。因此,光遮挡膜45和玻璃基片11的内表面相接触。如图3所示,光遮挡膜45按带状图案沿显示行形成,并放置和夹在相邻行L间的显示电极X和Y之间的区域重叠。对整个显示屏,互相分离开的光遮挡膜45形成一个条纹遮挡图案。因此,使得荧光屏被遮掩在显示行之间,而使显示器的对比度得到提高。由于沿显示行L的条纹图案并不沿显示行L移动,不象围绕子象素或象素的矩阵图案。在制作PDP1期间容易定位和放置玻璃基片11和21。
更为可取的是,栅栏凸棱29的上端部分具有和光遮挡膜同样的黑颜色,通过使栅栏凸棱和光遮挡膜相交,形成一个暗栅格图案,而且各子象素的轮廓变得清晰。尤其是,一种黑色颜料,如铬(Cr)和用于栅栏凸棱的材料相混合,以提供均匀的暗栅栏凸棱。
图4A至4F是说明制造PDP1的前侧部分的示意图。通过对玻璃基片11和21分别提供预定的部件,并在之后,在其互相相对放置的情况下,通过围绕其周围将基片11和21固定在一起,而制成PDP1。
对于前面部分的制作,首先通过溅射,将一种暗颜色的绝缘材料沉积在玻璃基片11上,形成一个表面反射系数低于金属电极42的反射系数的绝缘膜(未示出)。可以用氧化铬(CrO)或氧化硅作为绝缘材料。希望绝缘膜的厚度为0.1微米或更小,以减小透明电极41的间距误差。然后,通过光刻,使用一个第一曝光掩模对绝缘膜进行图案形成,而一次产生多个如上所述的光遮挡膜条纹45(图4A)。
接着,将一个ITO膜沉积在上面形成光遮挡膜45的玻璃基片11上。并通过光刻,使用第二个曝光掩模对ITO膜进行图案形成。这样形成透明电极41,使得它们部分和光遮挡膜45相重叠(图4B)。
在最终结构上涂覆一种在紫外线下曝光不可逆转地固化的负感光材料61,使其覆盖光遮挡膜45和透明电极41。感光材料从玻璃基片11(图4C)的相反边全部曝光。然后,对感光材料显影,形成一个仅覆盖光遮挡膜45之间的一个区域的抗蚀层62(图4D)。
紧接着,有选择地电镀(图4E),在透明电极41的曝光部分形成具有多层结构,如Cr/Cu/Cr的金属电极42。
去掉抗蚀层62,依次沉积介质层17和保护膜18。这样就完成PDP1前面部分的制作(图4F)。
在上述的处理中,所需要的曝光掩模的数目为2(图4A和图4B),和传统的PDP90的制作处理所需要的一样。而对曝光掩模的定位处理的数目为1,也和传统的处理一样。换言之,根据图4的制造方法,可以不降低由于在定位中的移动导致的生产率,形成光遮挡膜45。
图5是根据本发明的第二实施方案,一个PDP2的基本部分的截面图,它示出了放电空间的前面部分。在PDP2中,具有和反转间隙S2同样宽度的光遮挡膜46提供在一个玻璃基片11的内表面上。和图3的光遮挡膜45一样,在平面图中,光遮挡膜46以带状形沿显示行延伸,并形成一个条纹光遮挡图案。
对于PDP2的制作,在玻璃基片11上形成成对电极X和Y。并在反转间隙S2上涂覆具有600度或更高温度的耐热性的黑色颜料,如氧化铁或氧化钴,形成光遮挡膜46。涂覆低熔点的玻璃,并在500度至600度下退火,形成介质层17。
更为可取的是,光遮挡膜46的厚度小于单个显示电极厚度,以便得到平坦的介质层17表面。另外,希望以两层形成介质层17,而且对每一层进行退火。尤其是,对涂在基片上的相对薄的低熔点的玻璃粘剂涂层和粘剂进行退火,形成下面的介质层17a。接着涂覆另外一种低熔点的玻璃粘剂覆层,得到所要求厚度的介质层17,对玻璃粘剂退火得到上面的介质层17b。由于和光遮挡膜46相接触而形成的下介质层17a较薄,可以减少在退火期间由于低熔点玻璃的软化引起的黑色颜料的延伸,而且可以防止由于不需要光遮挡膜的扩散所引起的亮度的降低。当设置下介质层17a的厚度,使其为光遮挡膜46宽度的1/10或更小时,基本上不出现颜料的延伸。
应当注意,可以通过设定对下介质层17a的退火温度低于软化低熔点玻璃的温度来防止光遮挡膜46的不必要扩散。在这种情况下,可以以同样的厚度形成下介质层17a和上介质层17b,比下介质层17a薄形成上介质层17b。
图6是根据本发明第三个实施方案的PDP3的基本部分的截面图,并示出放电空间的前面结构。在PDP3中,在介质层17高的方向上的中间部分,对每一个反转间隙提供一个光遮挡膜47。和图3的光遮挡膜45一样,在平面图中,光遮挡膜47以带状形沿显示行延伸,并形成一个条纹光遮挡图案。
光遮挡膜47的宽度W47大于反转间隙S2的宽度W2,而小于靠近将反转间隙S2夹在期间的金属电极42的放电间隙S1的边的间隔W22,换言之,选择光遮挡膜47的平面尺寸,使其部分和金属电极42重叠。在这种结构下,可以容易地排列光遮挡膜47,使其完全和反转间隙S2重叠,而不和显示行中的光发射部分重叠。光遮挡膜47和电极41及42分开这一点很重要。
图7是根据本发明第四个实施方案的PDP4的基本部分的截面图。在X和Y电极41及42和玻璃基片11之间形成图2中所示的光遮挡膜45。在图7所示的PDP4中,在X和Y电极41及42间的反转间隙S2区域形成光遮挡膜49,以使它们部分地和X和Y电极41及42重叠,这类似于图2中的结构。由于光遮挡膜49的形成,使得其遮挡显示行L间的反转间隙S2区域。然而,这种结构的制作过程不同于在图2中的制作过程,含有黑色颜料的光遮挡膜49在提供X和Y电极41及42之后形成。在后面将详细说明这个制作过程。
在图7所示的PDP4的结构中,重要的是使光遮挡膜49和电极X和Y一直重叠到总线电极42的中部附近,形成Cr/Cu/Cr三层的结构。换言之,在总线电极42为用于透明电极41的高电阻材料提供一个高导电率的同时,电极42本身具有光遮挡层的特性。当形成光遮挡膜49,使其与总线电极42重叠时,除显示区域L外的部分,全部被遮挡。
图8是一个根据本发明的第五个实施方案的PDP5的基本部分截面图。在PDP5中,在X和Y电极41及42之间,以一定的间隔形成光遮挡膜48而不和它们相接触。当在X和Y电极41及42之间的非显示区的距离为500微米时(作为一个例子,一个42英寸的PDP),从电极41和42,以大约20微米的间隔形成光遮挡膜48。从制作处理的观点来看,这种结构是可取的,即使显示行L间的空间不完全闭合。更特殊地,和图7中的PDP4一样,可以在X和Y电极41及42提供之后形成光遮挡膜48。另外,光遮挡膜48的退火可以和由低熔点的玻璃制成、形成在其上的介质层17的退火过程一起进行。由于在高温的退火处理中,光遮挡膜48不和电极41和42接触,可以完成稳定的处理。这将在后面详细说明。
在图8所示的PDP5的结构中,由于光遮挡膜48的宽度明显小于非显示区域W22,有足够的空间,使得在进行光遮挡膜48的对准(定位)时,可以容易地形成光遮挡膜48,而不与显示行L重叠。
图9A至9E和10A至10C是说明分别制作如图5、7和8所示的第二、第四和第五个实施方案的PDP的方法的示意图。
如图9A所示,在一个玻璃基片11上形成钝化膜例如氧化硅膜(未示出)之后,通过溅射,横跨整个表面形成一个透明电极层41。用ITO,以大约0.1微米的厚度形成透明电极41。然后,用普通的光刻处理中,以条纹图案形成透明电极,提供宽度大约为180微米的电极41。
接着,如图9B所示,通过溅射,在整个表面上形成作为总线电极、厚度大约为1微米的具有三层结构Cr/Cu/Cr的一个金属层42。进行普通的光刻处理,将金属层42形成大约为60微米的图案。如先前所述,形成总线电极42,使得其位于和紧密相对的电极41的侧边相的一边的一端。
为形成X和Y电极41和42,在玻璃基片11放于一个高真空室中后,在其上面进行溅射。由于不在玻璃基片11上形成含由黑色颜料的光遮挡膜,可以稳定地进行真空下的溅射。
然后,如图9C所示,通过丝网印刷,形成一个含有黑色颜料的光敏抗蚀剂层。例如,黑色颜料可为锰(Mn)、铁(Fe)或铜(Cu)的氧化物。这样的一种颜料和含有光敏材料的光敏抗蚀剂混合。例如使用TokyoOhka Kogyo联合有限公司的一种颜料色散光敏抗蚀剂(产品名称:CFPRBK)。
在此之后,如图9D所示,最终结构通过预定的掩模图案曝光而形成。然后,在例如120度-200度的干燥空气中对这个结构进行大约2-5分钟的烘干(干燥),形成光遮挡膜49。在图9D所示的例子中,对于图7所示的PDP,对光遮挡膜49进行图案形成,以与X和Y电极41及42重叠。
当使用不同的掩模图案时,光遮挡膜48可以和X和Y电极41及42分开,如图9E所示。这个结构相应于图8所示的PDP5的结构。类似地,可以如图5中所示的结构形成光遮挡膜46。
如上所述,聚合物有机材料的光敏抗蚀层用于光遮挡膜48和49。如果为稳定起见,先于电极41的形成,形成光遮挡膜,并进行退火,就可能由于光遮挡膜的不均匀表面导致电极41的接触变差。根据这个观点,图9中的处理是一个有效的处理。
图10A至10C是在光遮挡膜上形成一个介质层17和一个MgO保护膜的一种方法的截面图。利用如图8和9E所示的、电极41和42相分开形成的光遮挡膜48,给出这个例子的说明。
在图10中所示的介质层17的制作过程中,对光遮挡膜48的退火也和对介质层17的退火过程一起进行。为了介质层17的形成,在基片的表面,涂一种含有作为主要元素的氧化铅(PbO)的低熔点玻璃粘剂,然后进行退火。这个处理至少涉及两个过程:下介质层17a和上介质层17b的涂覆和退火。特别地,作为一种用于下介质层17a的材料,选择一种其粘性在退火环境中并不降低而且不容易与透明电极41的ITO和总线电极42的铜(Cu)反应的混合物。例如这样的混合物可为含有PbO/SiO2/B2O3/ZNO的玻璃粘剂,并且含有相对大量的SiO2
作为一种用于上介质层17b的材料,选择一种其粘性在退火环境中降低足够多而表面得到平整的混合物。对于这样的混合物,可为选择含有PbO/SiO2/B2O3/ZNO的玻璃粘剂,并且含有相对少量的SiO2
如图10A所示,在玻璃基片11的表面上涂覆含有PbO/SiO2/B2O3/ZNO、并含有相对大量SiO2的玻璃粘剂,然后在580度至590度的干燥空气中对基片11退火大约60分钟。在退火温度下,玻璃粘剂的粘性并不降低很大而且不容易与透明电极41的ITO和总线电极42的铜(Cu)反应。另外,玻璃粘剂和光遮挡膜48同时进行退火,因此和光遮挡膜48先于电极41和42的形成的例子相比,可以实现退火过程中的时间及劳动量的节省。
然后,如图10B所示,形成上介质层17b。以和下介质层17a相同的方式,使用玻璃粘剂涂覆基片,并在580度至590度的干燥环境中对其退火大约60分钟。可取的是玻璃粘剂为一种含有PbO/SiO2/B2O3/ZNO、并含有相对少量SiO2的粘剂,如上所述。结果,形成一个具有平坦表面的介质层17。
最后,围绕玻璃基片11(未示出)的边缘形成用于密封的一种低熔点的厚层,然后如图10C所示,形成作为保护膜的MgO膜18。
虽然在图10所示的处理中,和电极41和42分离开形成光遮挡膜48,但是如先前所述,光遮挡膜可能如图5和7中所示的PDP2和4,和电极41相接触。虽然道理不好理解,当其上的光遮挡膜和电极41及42相接触的基片位于接近600度的退火环境时,光遮挡膜可能变成褐色,为防止这种情形,和光遮挡膜48的方式一样,把光遮挡膜和电极41及42分离开可能是有效的。为方便起见,在这种情况下,将分离间隔称为防止颜色变化间隙。
图11是一个光遮挡膜48形成在面板显示区外围的一个PDP的平面图。图12是一个沿图11中的XX-YY线剖开的局部截面图。如上所述,通过在显示行L1,L2和L3间的区域中的X和Y电极之间形成光遮挡膜48,增加了显示器的对比度。在图11中,光遮挡膜48也形成在外围区域。
在PDP中,为防止偶然放电的出现,在公用为显示电极的成对电极X和Y电极X1,Y1,X2,Y2,X3和Y3的外围部分形成虚设X和Y电极DX和DY。也通过虚设电极DX和DY间的频繁放电,阻止显示器中不需要的壁电荷的积累。在外围区域放电和荧光层的曝光引起显示区域中对比度的降低。因此,如图11所示,在虚设电极DX和DY(在图11中表示为DUMMY)和形成总线42的引线42R的外围区域PE上形成光遮挡膜48。由点划线表示的EX为面板上的显示屏框,并且在框EX的一个位置上形成一个封装件50,用以封装玻璃基片。在图12的截面图中,示出形成在MgO膜18上的前玻璃基片11和封装件50,而省略了后玻璃基片。
通过一个软电缆线(未示出),总线电极42的引线42R和外围的控制器相连。因此,由封装件50,在总线电极42的引线42R的部分,将两个玻璃基片密封在一起。
已经给出了在光遮挡膜48上形成介质层17并在大约600度退火的说明,如图10A至10C所示。如果显示电极和光遮挡膜互相接触,光遮挡膜48的黑色可能改变。虽然这个道理不是很清楚,但可能在退火处理中,互相接触的显示电极和光遮挡膜趋于电离,而低熔点的玻璃粘剂从含在黑色材料中Mn,Fe和Cu的氧化物中吸收氧离子,而使氧元素减少。因此,为防止颜色变化的有效办法是将活跃电离氧的氧化剂和形成在光遮挡膜中、含有黑色颜料的感光剂混合。
在这种方法下,使用的特定氧化剂为NaNO3,BeO2等,证实没有出现颜色变化,即使完成退火处理过程后。
由于没有光从PDP的内部泄漏到外部,光遮挡膜可以增加PDP中的显示器的对比度。然而,由于黑颜色的缘故,外部光有规律地从光遮挡膜48和玻璃基片11之间的物相边界处反射,而由于这种有规律的反射,出现一个作为镜象的图象。有时,看显示屏很吃力。即使在不形成光遮挡膜的传统结构中,成对电极间的反射也出现在后基片的地址电极的表面。为防止在光遮挡膜48和玻璃基片11间的物相边界处出现有规律的反射,在光遮挡膜中混入一种低熔点的玻璃粉末。
低熔点的玻璃粉末和介质层17的材料一样,并在例如有机光敏抗蚀剂中含大约50%。因此,感光剂含有一种黑色颜料和低熔点的玻璃粉末。虽然,如在传统方式中,外来光有规律的反射出现在前玻璃基片11的外表面,光遮挡膜48的折射率在物相边界接近玻璃基片11,而反射率因此降至1/2。另外,光被含在光遮挡膜48中的黑色颜料吸收,反射光也因此减少了。因此,基本上减少了显示屏上有规律的反射,使由于镜象图象引起的不清晰显示得到改进。
当低熔点的玻璃粉末没有混入光遮挡膜48中时,正常折射率大约为8%(玻璃外表面为4%而物相边界处为4%),当低熔点的玻璃粉末混入光遮挡膜48中时,正常折射率降为6%(玻璃外表面为4%而物相边界处为2%)。
如上所述,形成光遮挡膜以增加显示屏的对比度。为此,在有机光敏抗蚀剂中混入一种氧化剂,以防止在退火处理中颜色的变化。并且混入低熔点的玻璃,以防止有规律的反射。
作为防止光遮挡膜变色的一种方法,提出了一种在显示电极涂有一个薄绝缘膜如SiO2,以防止光遮挡膜和显示电极相接触的方法。
图13是一个PDP的改进方案的截面图,示出了前玻璃基片11和一个后玻璃基片21。在改进方案中,对光遮挡膜48,在显示行L间的区域中的前玻璃基片11的外表面上形成光遮挡膜48A;在介质层17的内部形成光遮挡膜48B;而在位于后玻璃基片21上的荧光膜24上方形成光遮挡膜48C。
不管光遮挡膜48所形成的位置如何,可防止发自荧光膜24的光泄漏到前面。
虽然上面所说明的是发射型PDP1-5,但本发明也可应用于一个荧光层28形成在一个前玻璃基片11上的透射型PDP。而且光遮挡膜可以形成在玻璃基片11的外表面。应注意,在这种情况下,需要进行玻璃基片间的定位处理。

Claims (2)

1.一种表面放电等离子体显示面板,具有:
一对相互面对的前、后基片,在所述前、后基片之间有一放电空间;
在所述前基片的内表面上形成的多个显示电极对,所述显示电极对分别沿每个显示行延伸,在所述显示行之间有非显示区;
在所述后基片的内表面上形成的多个寻址电极,所述寻址电极与限定显示行的所述显示电极对交叉;以及
形成在所述后基片上的多个荧光物质;
其特征在于,所述表面放电等离子体显示面板还包括:
与所述显示电极对形成在所述前基片的相同内表面上的一个黑色条纹层;
其中所述黑色条纹层沿所述显示线延伸,以在相邻的对应于所述显示电极对的显示线之间位于所述非显示区上。
2.一种表面放电等离子体显示面板,具有:
一对相互面对的前、后基片,在所述前、后基片之间有一放电空间;
在所述前基片的内表面上形成的多个显示电极对,每一对所述显示电极对之间形成有一个放电间隙,所述放电电极对分别沿每个显示行延伸,在每对放电电极对和每个显示行之间有一个非显示区;
在所述后基片的内表面上形成的多个寻址电极和荧光物质,所述寻址电极和荧光物质与限定显示行的所述显示电极对交叉;
其特征在于,所述表面放电等离子体显示面板还包括:
一个黑色条纹形的光遮挡层,所述光遮挡层与所述显示电极对形成在所述前基片的相同内表面上,并且位于所述显示电极对之间的非显示区上;
其中所述光遮挡层还形成在有效显示区域的外围区域上,所述光遮挡层由含有黑色颜料的绝缘材料形成。
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C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HITACHI PLASMA PATENT LICENSING CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: HITACHI CO., LTD.

Effective date: 20070720

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20070720

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Hitachi plasma Patent Licensing Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Hitachi, Ltd.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HITACHI LTD.

Free format text: FORMER OWNER: HITACHI PLASMA PATENT LICENSING CO., LTD.

Effective date: 20130328

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130328

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: HITACHI CONSUMER ELECTRONICS Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Hitachi plasma Patent Licensing Corp.

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: HITACHI MAXELL LTD.

Free format text: FORMER OWNER: HITACHI LTD.

Effective date: 20150318

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Yokohama City, Kanagawa Prefecture, Japan

Patentee after: Hitachi Consumer Electronics Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Hitachi Consumer Electronics Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20150318

Address after: Japan Osaka

Patentee after: Hitachi Maxell, Ltd.

Address before: Yokohama City, Kanagawa Prefecture, Japan

Patentee before: Hitachi Consumer Electronics Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070321

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