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CN113824419A - 压电薄膜的形成方法及体声波谐振装置的形成方法 - Google Patents

压电薄膜的形成方法及体声波谐振装置的形成方法 Download PDF

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CN113824419A
CN113824419A CN202111053898.5A CN202111053898A CN113824419A CN 113824419 A CN113824419 A CN 113824419A CN 202111053898 A CN202111053898 A CN 202111053898A CN 113824419 A CN113824419 A CN 113824419A
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CN
China
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forming
layer
substrate
piezoelectric
sacrificial layer
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CN202111053898.5A
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韩兴
周建
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Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Changzhou Chengxin Semiconductor Co Ltd
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Abstract

本发明实施例提供一种压电薄膜的形成方法及体声波谐振装置的形成方法,其中,压电薄膜的形成方法包括:提供第一基底;形成牺牲层,位于第一基底上;形成压电层,位于牺牲层上;采用激光照射第一基底,用于汽化所述牺牲层;去除第一基底,形成压电薄膜。本发明实施例采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除过渡基底,可以形成一层平坦的压电薄膜,压电薄膜不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值。

Description

压电薄膜的形成方法及体声波谐振装置的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,具体而言,本发明涉及一种压电薄膜的形成方法及体声波谐振装置的形成方法。
背景技术
无线通信设备的射频(Radio Frequency,RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中,射频滤波器包括压电声表面波(SurfaceAcoustic Wave,SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave,BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System,MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated PassiveDevices,IPD)滤波器等。
BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高,由BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器,即BAW滤波器,是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中,Q值是谐振器的品质因数值,定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。Q值越高,表明谐振器的性能越好,制作出的滤波器的性能越好。BAW谐振器在振动过程中,将机械能转变为电能,或将电能转变为机械能,这种表示能量相互变换的程度用机电耦合系数(electro-mechanical coupling factor,即
Figure BDA0003252898850000011
)。
Figure BDA0003252898850000012
其中,fs为谐振频率,fp为反谐振频率,当谐振器
Figure BDA0003252898850000013
越大的时候,谐振器可制作的滤波器的带宽越大。BAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。
当无线通信技术逐步演进,所使用的频段越来越多,同时随着载波聚合等频段叠加使用技术的应用,无线频段之间的相互干扰变得愈发严重。高性能的BAW技术可以解决频段间的相互干扰问题。随着5G时代的到来,无线移动网络引入了更高的通信频段,而且频段更宽,当前只有BAW技术可以解决高频段高带宽的滤波问题。
BAW滤波器是由BAW谐振器组成,BAW谐振器通过金属-压电薄膜-金属换能器将电信号转换为声信号,再通过金属-压电薄膜-金属换能器将声信号转换回电信号。BAW滤波器在声信号区间对信号进行滤波器,由于在同频率下,声信号速度是电信号速度的约十万分之一,因此同频率的BAW滤波器的尺寸远小于电学射频滤波器。由于金属-压电薄膜-金属换能器是BAW谐振器的最主要构成部分,BAW谐振器压电薄膜的晶体质量直接关系到BAW谐振器的机电耦合系数和Q值。5G移动通信技术对于BAW滤波器的通带带宽、插入损耗及带外抑制提出了更高的要求,上述三个指标与BAW谐振器的机电耦合系数和Q值相关,所以BAW谐振器压电薄膜的晶体质量有待进一步地提升。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种压电薄膜的形成方法,可以形成一层平坦的压电薄膜,所述压电薄膜不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值。
本发明实施例提供一种压电薄膜的形成方法,包括:提供第一基底;形成牺牲层,位于所述第一基底上;形成压电层,位于所述牺牲层上;采用激光照射所述第一基底,用于汽化所述牺牲层;去除所述第一基底,形成压电薄膜。
在一些实施例中,所述第一基底的材料包括但不限于以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
在一些实施例中,所述牺牲层的材料包括但不限于以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
在一些实施例中,所述压电层的材料包括但不限于以下之一:氮化铝、合金氮化铝。
在一些实施例中,所述激光的波长范围包括但不限于:120纳米至387纳米。
在一些实施例中,所述压电薄膜的形成方法还包括:提供第二基底;连接所述第二基底和所述压电层,所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧。在一些实施例中,连接所述第二基底和所述压电层包括:形成连接层,位于所述第二基底和所述压电层之间,用于键合所述第二基底和所述压电层。
在一些实施例中,所述压电薄膜包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒;沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高,其中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。在一些实施例中,所述第一晶粒对应第一坐标系,所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴;所述第二晶粒对应第二坐标系,所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。在一些实施例中,所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在一些实施例中,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。
在一些实施例中,所述压电薄膜包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
需要说明的是,采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,可以形成一层平坦的压电薄膜,所述压电薄膜不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值,其中,所述特定波长的激光可以穿过所述过渡基底,但是无法穿过所述牺牲层并汽化所述牺牲层。此外,牺牲层材料的晶格常数与压电层材料的晶格常数接近,形成于所述牺牲层上的所述压电层的晶体质量较好。
本发明实施例还提供一种体声波谐振装置的形成方法,包括:形成第一部,所述形成第一部包括:提供第一基底;形成第一牺牲层,位于所述第一基底上;形成压电层,位于所述第一牺牲层上,所述压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧,所述第一基底和所述第一牺牲层位于所述第一侧;形成第一电极层,位于所述第二侧,位于所述压电层上;形成空腔预处理层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第一电极层;形成第二部,所述形成第二部包括:提供第二基底;连接所述第一部和所述第二部,所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧;采用激光照射所述第一基底,用于汽化所述第一牺牲层;去除所述第一基底;形成第二电极层,位于所述第一侧,接触所述压电层;基于所述空腔预处理层,形成空腔。
在一些实施例中,所述第一基底的材料包括但不限于以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
在一些实施例中,所述第一牺牲层的材料包括但不限于以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
在一些实施例中,所述压电层的材料包括但不限于以下之一:氮化铝、合金氮化铝。
在一些实施例中,所述形成空腔预处理层包括:形成第二牺牲层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第一电极层的第一端;形成第一连接层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第二牺牲层及所述第一电极层的第二端,所述第一端和所述第二端水平方向上相对。在一些实施例中,所述形成第二部还包括:形成第二连接层,位于所述第二基底上。在一些实施例中,连接所述第一部和所述第二部包括:键合所述第一连接层和所述第二连接层,形成中间层,所述中间层位于所述第二侧,位于所述第二基底和所述压电层之间。
在一些实施例中,所述形成空腔包括:刻蚀所述第二牺牲层。
在一些实施例中,所述压电层包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒;沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高,其中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。在一些实施例中,所述第一晶粒对应第一坐标系,所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴;所述第二晶粒对应第二坐标系,所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。在一些实施例中,所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在一些实施例中,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。
在一些实施例中,所述压电层包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
需要说明的是,采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,可以形成一层平坦的压电层,所述压电层不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值,其中,所述特定波长的激光可以穿过所述过渡基底,但是无法穿过所述牺牲层并汽化所述牺牲层。此外,牺牲层材料的晶格常数与压电层材料的晶格常数接近,形成于所述牺牲层上的所述压电层的晶体质量较好。
附图说明
图1是本发明实施例的一种压电薄膜的形成方法100的流程示意图;
图2是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法200的流程示意图;
图3a至图3b是本发明实施例的一种压电薄膜的形成方法的剖面A结构示意图;
图3c是能带迁移原理示意图;
图3d是一种六方晶系晶粒的结构示意图;
图3e(i)是一种正交晶系晶粒的结构示意图;
图3e(ii)是一种四方晶系晶粒的结构示意图;
图3e(iii)是一种立方晶系晶粒的结构示意图;
图4a至图4e是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法的剖面A结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如背景技术部分所述,5G移动通信技术对于BAW滤波器的通带带宽、插入损耗及带外抑制提出了更高的要求,上述三个指标与BAW谐振器的机电耦合系数和Q值相关,所以BAW谐振器压电薄膜的晶体质量有待进一步地提升。
本发明的发明人发现采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,可以形成一层平坦的压电薄膜,所述压电薄膜不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值,其中,所述特定波长的激光可以穿过所述过渡基底,但是无法穿过所述牺牲层并汽化所述牺牲层。
本发明的还发明人发现牺牲层材料的晶格常数与压电层材料的晶格常数接近,形成于所述牺牲层上的所述压电层的晶体质量较好。
图1至图4示出了本发明的多个具体实施例,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
图1是本发明实施例的一种压电薄膜的形成方法100的流程示意图。
如图1所示,本发明实施例提供一种压电薄膜的形成方法100,包括:
步骤S101,提供第一基底;
步骤S102,形成牺牲层,位于所述第一基底上;
步骤S103,形成压电层,位于所述牺牲层上;
步骤S104,提供第二基底;
步骤S105,连接所述第二基底和所述压电层,所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧;
步骤S106,采用激光照射所述第一基底,用于汽化所述牺牲层;
步骤S107,去除所述第一基底,形成压电薄膜。
本实施例中,所述第一基底的材料包括但不限于以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
本实施例中,所述牺牲层的材料包括但不限于以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
本实施例中,所述压电层的材料包括但不限于以下之一:氮化铝、合金氮化铝。
本实施例中,所述激光的波长范围包括但不限于:120纳米至387纳米。
本实施例中,S105包括:形成连接层,位于所述第二基底和所述压电层之间,用于键合所述第二基底和所述压电层。
本实施例中,所述压电薄膜包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒;沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高,其中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。本实施例中,所述第一晶粒对应第一坐标系,所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴;所述第二晶粒对应第二坐标系,所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。
在另一个实施例中,所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。
本实施例中,所述压电薄膜包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
需要说明的是,采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,可以形成一层平坦的压电薄膜,所述压电薄膜不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值,其中,所述特定波长的激光可以穿过所述过渡基底,但是无法穿过所述牺牲层并汽化所述牺牲层。此外,牺牲层材料的晶格常数与压电层材料的晶格常数接近,形成于所述牺牲层上的所述压电层的晶体质量较好。
图2是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法200的流程示意图。
如图2所示,本发明实施例还提供一种体声波谐振装置的形成方法200,包括:
步骤S201,形成第一部,所述形成第一部包括:提供第一基底;形成第一牺牲层,位于所述第一基底上;形成压电层,位于所述第一牺牲层上,所述压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧,所述第一基底和所述第一牺牲层位于所述第一侧;形成第一电极层,位于所述第二侧,位于所述压电层上;形成空腔预处理层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第一电极层;
步骤S202,形成第二部,所述形成第二部包括:提供第二基底;
步骤S203,连接所述第一部和所述第二部,所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧;
步骤S204,采用激光照射所述第一基底,用于汽化所述第一牺牲层;
步骤S205,去除所述第一基底;
步骤S206,形成第二电极层,位于所述第一侧,接触所述压电层;
步骤S207,基于所述空腔预处理层,形成空腔。
本实施例中,所述第一基底的材料包括但不限于以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
本实施例中,所述第一牺牲层的材料包括但不限于以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
本实施例中,所述压电层的材料包括但不限于以下之一:氮化铝、合金氮化铝。
本实施例中,S201中的所述形成空腔预处理层包括:形成第二牺牲层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第一电极层的第一端;形成第一连接层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第二牺牲层及所述第一电极层的第二端,所述第一端和所述第二端水平方向上相对。本实施例中,S202还包括:形成第二连接层,位于所述第二基底上。本实施例中,S203包括:键合所述第一连接层和所述第二连接层,形成中间层,所述中间层位于所述第二侧,位于所述第二基底和所述压电层之间。
本实施例中,S207包括:刻蚀所述第二牺牲层。
本实施例中,所述压电层包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒;沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高,其中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。本实施例中,所述第一晶粒对应第一坐标系,所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴;所述第二晶粒对应第二坐标系,所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。
在另一个实施例中,所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。
本实施例中,所述压电层包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
需要说明的是,本发明实施例采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,可以形成一层平坦的压电层,所述压电层不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值,其中,所述特定波长的激光可以穿过所述过渡基底,但是无法穿过所述牺牲层并汽化所述牺牲层。此外,牺牲层材料的晶格常数与压电层材料的晶格常数接近,形成于所述牺牲层上的所述压电层的晶体质量较好。
为了更直观地示出本发明实施例的一种压电薄膜的形成方法及一种体声波谐振装置的形成方法,下面结合剖面结构示意图对本发明的两个具体实施例进行描述,但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
图3a和图3b是本发明实施例的一种压电薄膜的形成方法的剖面A结构示意图。
如图3a所示,本发明实施例提供一种压电薄膜的形成方法包括:提供过渡基底310;形成牺牲层330,位于所述过渡基底310上,覆盖所述过渡基底310;形成压电层350,位于所述牺牲层330上,覆盖所述牺牲层330,所述压电层350包括第一侧351及所述第一侧351相对的第二侧353,所述牺牲层330位于所述第一侧351,所述过渡基底310位于所述第一侧351;提供支撑基底370;连接所述支撑基底370和所述压电层350,所述支撑基底370位于所述第二侧353,位于所述压电层350上方。
本实施例中,所述过渡基底310的材料包括但不限于以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
本实施例中,所述牺牲层330的材料包括但不限于以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
本实施例中,所述压电层350为平层。本实施例中,所述压电层350的材料包括但不限于以下之一:氮化铝、合金氮化铝(例如,氮化铝钪等)。
需要说明的是,所述牺牲层330的材料和所述压电层350的材料的晶格匹配度较好,即两者的晶格常数(lattice constant)较为接近,从而在所述牺牲层330上形成所述压电层350可以获得较好晶体质量的压电层。
本实施例中,所述支撑基底370的材料包括但不限于以下之一:硅、碳化硅、玻璃、蓝宝石、陶瓷。
本实施例中,连接所述支撑基底370和所述压电层350包括:键合所述支撑基底370和所述压电层350。本实施例中,键合所述支撑基底370和所述压电层350包括:形成连接层(未示出),位于所述压电层350与所述支撑基底370之间。需要说明的是,所属技术领域的技术人员知晓的键合技术可以应用于本发明实施例。
如图3b所示,所述压电薄膜的形成方法还包括:采用激光照射所述过渡基底310,用于汽化所述牺牲层330;去除所述过渡基底310;去除所述第一侧351的残留物,形成压电薄膜355。
本实施例中,所述激光的波长范围包括但不限于:120纳米至387纳米。需要说明的是,参见图3c,采用所述波长的激光照射所述过渡基底310,所述激光的能量为:
Figure BDA0003252898850000101
其中,h为普朗克常数,c为真空中的光速,λ为激光的波长;若所述激光的能量小于所述过渡基底310的禁带(band gap),所述激光穿过所述过渡基底310;所述激光的能量大于所述牺牲层330的禁带,所述激光的能量被所述牺牲层330吸收,所述牺牲层330内的晶体中的电子发生能带跃迁,从价带(valence band)跃迁到导带(conductance band),成为自由电子,所述牺牲层330吸收所述激光的能量后升温汽化。
本实施例中,去除所述第一侧351的残留物包括:刻蚀所述第一侧351的残留物。
本实施例中,所述压电薄膜355包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒。所属技术领域的技术人员知晓晶粒的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图3d所示,对于六方晶系的晶粒,例如氮化铝晶粒,采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图3e所示,对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a=b≠c)、(iii)立方晶系(a=b=c)等的晶粒,采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例,晶粒还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示,因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中,所述第一晶粒可以基于第一立体坐标系表示,所述第二晶粒可以基于第二立体坐标系表示,其中,所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴,所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴,其中,所述第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,所述第二坐标轴对应所述第二晶粒的高。
本实施例中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是,所述第一方向和所述第二方向相同指:沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度;所述第一方向和所述第二方向相反指:沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中,所述第一立体坐标系为ac立体坐标系,其中,所述第一坐标轴为第一c轴,所述第三坐标轴为第一a轴;所述第二立体坐标系为ac立体坐标系,所述第二坐标轴为第二c轴,所述第四坐标轴为第二a轴,其中,所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中,所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是,所述第三方向和所述第四方向相同指:沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度;所述第三方向和所述第四方向相反指:沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中,所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系,其中,所述第一坐标轴为第一z轴,所述第三坐标轴为第一y轴,所述第五坐标轴为第一x轴;所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系,所述第二坐标轴为第二z轴,所述第四坐标轴为第二y轴,所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中,所述压电薄膜355包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是,摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小,通过平面坐标系表示,其中,横坐标为该晶面与样品面的夹角,纵坐标则表示在某一夹角下,该晶面的衍射强度,摇摆曲线用于表示晶格质量,半峰宽角度越小说明晶格质量越好。此外,半峰宽(Full Width at Half Maximum,FWHM)指在函数的一个峰当中,前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是,采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,形成一层平坦的压电薄膜,所述压电薄膜不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值。
此外,牺牲层材料和压电层材料的晶格常数接近,从而在所述牺牲层上形成所述压电层可以获得较好的晶体质量的压电层。
图4a至图4e是本发明实施例的一种体声波谐振装置的形成方法的剖面A结构示意图。
如图4a所示,本发明实施例提供一种体声波谐振装置的形成方法包括:
形成第一部,所述形成第一部包括:提供过渡基底410;形成牺牲层420,位于所述过渡基底410上,覆盖所述过渡基底410;形成压电层430,位于所述牺牲层420上,覆盖所述牺牲层420,所述压电层430包括第一侧431及所述第一侧431相对的第二侧432,所述牺牲层420位于所述第一侧431,所述过渡基底410位于所述第一侧431。
本实施例中,所述过渡基底410的材料包括但不限于以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
本实施例中,所述牺牲420的材料包括但不限于以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
本实施例中,所述压电层430为平层。本实施例中,所述压电层430的材料包括但不限于以下之一:氮化铝、合金氮化铝(如氮化铝钪等)。
需要说明的是,所述牺牲层420的材料和所述压电层430的材料的晶格匹配度较好,即两者的晶格常数较为接近,从而在所述牺牲层420上形成所述压电层430可以获得较好的晶体质量的压电层。
如图4b所示,所述形成第一部还包括:形成电极层440,位于所述第二侧432,位于所述压电层430上,所述电极层440包括第一端441及所述第一端441相对的第二端442;形成牺牲层450,位于所述第二侧432,位于所述压电层430上,覆盖所述第一端441;形成连接层460,位于所述第二侧432,位于所述压电层430上,覆盖所述牺牲层450及所述第二端442。
本实施例中,所述电极层440的材料包括但不限于以下至少之一:钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中,所述牺牲层450的材料包括但不限于以下至少之一:聚合物、二氧化硅、掺杂二氧化硅、多晶硅。本实施例中,所述聚合物包括但不限于以下至少之一:苯并环丁烯(即,BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如,SU-8)、聚酰亚胺。需要说明的是,所述掺杂二氧化硅为掺杂其他元素的二氧化硅。
本实施例中,所述连接层460的材料包括但不限于以下至少之一:聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中,所述聚合物包括但不限于以下至少之一:苯并环丁烯(即,BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如,SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中,所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一:氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
如图4c所示,所述体声波谐振装置的形成方法还包括:
形成第二部,所述形成第二部包括:提供基底470;形成连接层461,位于所述基底470上,覆盖所述基底470。
本实施例中,所述基底470的材料包括但不限于以下之一:硅、碳化硅、玻璃、蓝宝石、陶瓷。
本实施例中,所述连接层461的材料包括但不限于以下至少之一:聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中,所述聚合物包括但不限于以下至少之一:苯并环丁烯(即,BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如,SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中,所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一:氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
如图4d所示,所述体声波谐振装置的形成方法还包括:连接所述第一部和所述第二部。
本实施例中,连接所述第一部和所述第二部包括:键合所述连接层460和所述连接层461,形成中间层462,所述基底470位于所述第二侧432,所述中间层462位于所述第二侧432,所述中间层462位于所述基底470和所述压电层430之间。
需要说明的是,所属技术领域的技术人员知晓的键合技术可以应用于本发明实施例。
本实施例中,所述中间层462的材料包括但不限于以下至少之一:聚合物、绝缘电介质、多晶硅。本实施例中,所述聚合物包括但不限于以下至少之一:苯并环丁烯(即,BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如,SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中,所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一:氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。本实施例中,所述中间层462的厚度包括但不限于:0.1微米至10微米。
如图4e所示,所述体声波谐振装置的形成方法还包括:采用激光照射所述过渡基底410,用于汽化所述牺牲层420;去除所述过渡基底410;去除所述第一侧431的残留物;形成电极层480,位于所述第一侧431,接触所述压电层430;去除所述牺牲层450,形成空腔451。
本实施例中,所述激光的波长范围包括但不限于:120纳米至387纳米。
本实施例中,去除所述第一侧431的残留物包括:刻蚀所述第一侧431的残留物。
本实施例中,所述压电层430包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒。所属技术领域的技术人员知晓晶粒的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。
本实施例中,所述第一晶粒可以基于第一立体坐标系表示,所述第二晶粒可以基于第二立体坐标系表示,其中,所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴,所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴,其中,所述第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,所述第二坐标轴对应所述第二晶粒的高。
本实施例中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是,所述第一方向和所述第二方向相同指:沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度;所述第一方向和所述第二方向相反指:沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中,所述第一立体坐标系为ac立体坐标系,其中,所述第一坐标轴为第一c轴,所述第三坐标轴为第一a轴;所述第二立体坐标系为ac立体坐标系,所述第二坐标轴为第二c轴,所述第四坐标轴为第二a轴,其中,所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中,所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是,所述第三方向和所述第四方向相同指:沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度;所述第三方向和所述第四方向相反指:沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中,所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系,其中,所述第一坐标轴为第一z轴,所述第三坐标轴为第一y轴,所述第五坐标轴为第一x轴;所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系,所述第二坐标轴为第二z轴,所述第四坐标轴为第二y轴,所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中,所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中,所述压电层430包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
本实施例中,所述电极层480的材料包括但不限于以下至少之一:钼、钌、钨、铂、铱、铝、铍。
本实施例中,去除所述牺牲层450包括:刻蚀所述牺牲层450。
需要说明的是,采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,获得一层平坦的压电层,所述压电层不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值。
此外,牺牲层材料和压电层材料的晶格常数接近,从而在所述牺牲层上形成所述压电层可以获得较好的晶体质量的压电层。
综上所述,本发明实施例采用特定波长的激光汽化过渡基底和压电层之间的牺牲层,然后去除所述过渡基底,可以形成一层平坦的压电薄膜,所述压电薄膜不包括明显转向的晶粒,晶体质量较高,从而具有较高的机电耦合系数和Q值,其中,所述特定波长的激光可以穿过所述过渡基底,但是无法穿过所述牺牲层并汽化所述牺牲层;此外,牺牲层材料的晶格常数与压电层材料的晶格常数接近,形成于所述牺牲层上的所述压电层的晶体质量较好。
应该理解,此处的例子和实施例仅是示例性的,本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下,做出各种修改和更正。

Claims (25)

1.一种压电薄膜的形成方法,其特征在于,包括:
提供第一基底;
形成牺牲层,位于所述第一基底上;
形成压电层,位于所述牺牲层上;
采用激光照射所述第一基底,用于汽化所述牺牲层;
去除所述第一基底,形成压电薄膜。
2.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述第一基底的材料包括以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
3.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述牺牲层的材料包括以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
4.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述压电层的材料包括以下之一:氮化铝、合金氮化铝。
5.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述激光的波长范围包括:120纳米至387纳米。
6.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,还包括:提供第二基底;连接所述第二基底和所述压电层,所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧。
7.如权利要求6所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,连接所述第二基底和所述压电层包括:形成连接层,位于所述第二基底和所述压电层之间,用于键合所述第二基底和所述压电层。
8.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述压电薄膜包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒;沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高,其中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。
9.如权利要求8所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述第一晶粒对应第一坐标系,所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴;所述第二晶粒对应第二坐标系,所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。
10.如权利要求9所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。
11.如权利要求10所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。
12.如权利要求1所述的压电薄膜的形成方法,其特征在于,所述压电薄膜包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
13.一种体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,包括:
形成第一部,所述形成第一部包括:提供第一基底;形成第一牺牲层,位于所述第一基底上;形成压电层,位于所述第一牺牲层上,所述压电层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧,所述第一基底和所述第一牺牲层位于所述第一侧;形成第一电极层,位于所述第二侧,位于所述压电层上;形成空腔预处理层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第一电极层;
形成第二部,所述形成第二部包括:提供第二基底;
连接所述第一部和所述第二部,所述第一基底和所述第二基底位于所述压电层两侧;
采用激光照射所述第一基底,用于汽化所述第一牺牲层;
去除所述第一基底;
形成第二电极层,位于所述第一侧,接触所述压电层;
基于所述空腔预处理层,形成空腔。
14.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述第一基底的材料包括以下之一:蓝宝石、氮化铝、氮化铝镓。
15.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述第一牺牲层的材料包括以下之一:氮化镓、氮化铝镓。
16.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述压电层的材料包括以下之一:氮化铝、合金氮化铝。
17.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述形成空腔预处理层包括:形成第二牺牲层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第一电极层的第一端;形成第一连接层,位于所述第二侧,位于所述压电层上,覆盖所述第二牺牲层及所述第一电极层的第二端,所述第一端和所述第二端水平方向上相对。
18.如权利要求17所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述形成第二部还包括:形成第二连接层,位于所述第二基底上。
19.如权利要求18所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,连接所述第一部和所述第二部包括:键合所述第一连接层和所述第二连接层,形成中间层,所述中间层位于所述第二侧,位于所述第二基底和所述压电层之间。
20.如权利要求17所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述形成空腔包括:刻蚀所述第二牺牲层。
21.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述压电层包括多个晶粒,所述多个晶粒包括第一晶粒和第二晶粒,其中,所述第一晶粒和所述第二晶粒是所述多个晶粒中的任意两个晶粒;沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶粒的高,沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶粒的高,其中,所述第一方向和所述第二方向相同或相反。
22.如权利要求21所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述第一晶粒对应第一坐标系,所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴;所述第二晶粒对应第二坐标系,所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。
23.如权利要求22所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴,所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。
24.如权利要求23所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述第三方向和所述第四方向相同或相反。
25.如权利要求13所述的体声波谐振装置的形成方法,其特征在于,所述压电层包括多个晶粒,所述多个晶粒组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113992180A (zh) * 2021-12-27 2022-01-28 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置
CN114337581A (zh) * 2022-03-17 2022-04-12 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置的形成方法
CN114598286A (zh) * 2022-01-27 2022-06-07 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置的形成方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246687A1 (en) * 2003-01-31 2006-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a semiconductor component
US20090102319A1 (en) * 2005-06-30 2009-04-23 Hiroshi Nakatsuka Acoustic resonator and filter
CN106498395A (zh) * 2016-10-14 2017-03-15 清华大学 高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用
CN107093665A (zh) * 2017-05-15 2017-08-25 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
CN111530723A (zh) * 2020-06-19 2020-08-14 深圳市汇顶科技股份有限公司 超声换能器制备方法、超声换能器以及信息采集元件
CN111740718A (zh) * 2020-06-22 2020-10-02 深圳市信维通信股份有限公司 一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060246687A1 (en) * 2003-01-31 2006-11-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a semiconductor component
US20090102319A1 (en) * 2005-06-30 2009-04-23 Hiroshi Nakatsuka Acoustic resonator and filter
CN106498395A (zh) * 2016-10-14 2017-03-15 清华大学 高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用
CN107093665A (zh) * 2017-05-15 2017-08-25 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种压电薄膜换能器用WSiAlN薄膜及其制备方法
CN111530723A (zh) * 2020-06-19 2020-08-14 深圳市汇顶科技股份有限公司 超声换能器制备方法、超声换能器以及信息采集元件
CN111740718A (zh) * 2020-06-22 2020-10-02 深圳市信维通信股份有限公司 一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113992180A (zh) * 2021-12-27 2022-01-28 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置
CN114598286A (zh) * 2022-01-27 2022-06-07 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置的形成方法
CN114337581A (zh) * 2022-03-17 2022-04-12 常州承芯半导体有限公司 体声波谐振装置的形成方法

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