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CN114303318B - 体声波谐振装置、体声波滤波装置 - Google Patents

体声波谐振装置、体声波滤波装置 Download PDF

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CN114303318B
CN114303318B CN201980098451.4A CN201980098451A CN114303318B CN 114303318 B CN114303318 B CN 114303318B CN 201980098451 A CN201980098451 A CN 201980098451A CN 114303318 B CN114303318 B CN 114303318B
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Abstract

一种体声波谐振装置(200)，包括：第一层，其中，第一层包括位于第一侧的第一空腔；第一电极层，位于第一侧，第一电极层的第一端接触第一层，第一电极层的第二端位于第一空腔内；第二层，位于第一电极层上；以及第二电极层，位于第二层上，其中，第一电极层上与第二电极层重合的第一部分位于第一空腔内。由于谐振区(209)与第一层没有重合部，谐振区(209)相对于第一空腔悬空，可以提升谐振区(209)和非谐振区的声学阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，第二层包括压电层(205)，压电层(205)不包括明显转向的晶体，从而可以有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及Q值。

Description

体声波谐振装置、体声波滤波装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言，本发明涉及一种体声波谐振装置、一种体声波滤波装置。
背景技术
无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、双工器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括声表面波(Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW)滤波器、微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装置(IntegratedPassive Devices，IPD)滤波器等。SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW谐振器制作成的低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器的品质因数值，定义为中心频率除以谐振器3dB带宽。SAW滤波器的使用频率一般为0.4GHz至2.7GHz，BAW滤波器的使用频率一般为0.7GHz至7GHz。
与SAW谐振器相比，BAW谐振器的性能更好，但是由于工艺步骤复杂，BAW谐振器的制造成本比SAW谐振器高。然而，当无线通信技术逐步演进，所使用的频段越来越多，同时随着载波聚合等频段叠加使用技术的应用，无线频段之间的相互干扰变得愈发严重。高性能的BAW技术可以解决频段间的相互干扰问题。随着5G时代的到来，无线移动网络引入了更高的通信频段，当前只有BAW技术可以解决高频段的滤波问题。
图1a示出了一种BAW滤波器电路，包括由多个BAW谐振器组成的梯形电路，其中，f1、f2、f3、f4分别表示4种不同的频率。每个BAW谐振器内，谐振器压电层两侧的金属电极产生交替正负电压，压电层通过交替正负电压产生声波，该谐振器内的声波沿垂直于压电层的方向传播。为了形成谐振，声波需要在上金属电极的上表面和下金属电极的下表面产生全反射，以形成驻声波。声波反射的条件是与上金属电极的上表面和下金属电极的下表面接触区域的声阻抗与金属电极的声阻抗有较大差别。
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Wave Resonator，FBAR)是一种可以把声波能量局限在器件内的BAW谐振器，该谐振器的谐振区上方是空气，下方存在一个空腔。空气声阻抗与金属电极声阻抗差别较大，声波可以在上金属电极的上表面和下金属电极的下表面全反射，形成驻波。
图1b示出了一种FBAR 100的剖面A结构示意图。所述FBAR 100包括：基底101，所述基底101上包括空腔101a；以及有源层103，位于所述基底101上。其中，所述有源层103包括压电层105以及分别位于所述压电层105两侧的电极层107(即，下电极层)和109(即，上电极层)，其中，所述电极层107接触所述基底101。所述有源层103上的谐振区111与所述基底101有重合部，因此所述谐振区111并不相对于所述空腔101a悬空。如果所述谐振区111的声学阻抗和非谐振区的声学阻抗相近，所述谐振区111的能量会向非谐振区扩散，从而造成谐振器的Q值降低。此外，由于所述电极层107凸起，直接在所述电极层107上形成所述压电层105，会造成所述压电层105中部分晶体(例如，所述压电层105水平方向上两侧边缘处的晶体)出现明显转向，与其他晶体不平行，从而降低FBAR的机电耦合系数及Q值。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种体声波谐振装置，所述体声波谐振装置的谐振区相对于中间层或支撑层或基底上的空腔悬空，可以提升谐振区和非谐振区声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，所述体声波谐振装置的压电层不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种体声波谐振装置，包括：第一层，所述第一层包括位于第一侧的第一空腔；第一电极层，所述第一电极层的第一端接触所述第一层，所述第一电极层的第二端位于所述第一空腔内；第二层，位于所述第一侧，位于所述第一电极层上，所述第二层为平层，覆盖所述第一空腔；以及第二电极层，位于所述第一侧，位于所述第二层上，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层重合的第一部分位于所述第一空腔内。
需要说明的是，通过调整所述第一电极层和所述第二电极层的位置，使谐振区与所述第一层没有重合接触部，所述谐振区相对于所述第一空腔悬空，可以提升所述谐振区和非谐振区的声阻抗的区别，提高谐振装置的Q值。
在一些实施例中，所述第一层还包括：中间层，所述中间层包括所述第一空腔。在一些实施例中，所述中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。在一些实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在一些实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。在一些实施例中，所述中间层的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
在一些实施例中，所述第一层还包括：支撑层，所述支撑层包括所述第一空腔。在一些实施例中，所述支撑层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。在一些实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在一些实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。在一些实施例中，所述支撑层的厚度包括但不限于：20微米至100微米。
在一些实施例中，所述第一层还包括：第一基底，所述第一基底包括所述第一空腔。在一些实施例中，所述第一基底的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
在一些实施例中，所述第一层还包括：刻蚀屏蔽层，至少覆盖所述第一空腔的底部或侧壁。在一些实施例中，所述刻蚀屏蔽层的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、钻石、氮化硅、二氧化硅、氧化铝、二氧化钛。在一些实施例中，所述刻蚀屏蔽层的厚度包括但不限于：0.1微米至3微米。在一些实施例中，所述刻蚀屏蔽层的厚度包括但不限于：2微米至6微米。需要说明的是，所述刻蚀屏蔽层，在刻蚀形成所述第一空腔时，可以起到保护所述中间层或所述支撑层或所述第一基底的作用。此外，所述刻蚀隔屏蔽层可以保护谐振装置不受水和氧气腐蚀。
在一些实施例中，所述第一层还包括位于所述第一侧的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通，所述第一端位于所述第一凹槽内。需要说明的是，所述第一凹槽的深度小于所述第一空腔的深度，并且所述第一凹槽的深度至少对应所述第一电极层的厚度(例如，所述第一凹槽的深度等于所述第一电极层的厚度或所述第一电极层的厚度与所述刻蚀隔屏蔽层的厚度之和)。
在一些实施例中，所述第二层包括：压电层，所述压电层包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体；沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶体的高，沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶体的高，其中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在一些实施例中，所述第一晶体对应第一坐标系，所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴；所述第二晶体对应第二坐标系，所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。
在一些实施例中，所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在一些实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在一些实施例中，所述压电层的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
在一些实施例中，所述第二层包括：压电层，所述压电层包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width atHalf Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层可以使所述压电层不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
在一些实施例中，所述第二电极层上与所述第一电极层重合的第二部分位于所述第一空腔上方，所述第二部分垂直于所述第一层的投影位于所述第一空腔内。
在一些实施例中，所述第一电极层的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述第二电极层的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
在一些实施例中，所述第一电极层包括第一极性，所述第二电极层包括第二极性。在一些实施例中，所述第一电极层包括所述第一极性和所述第二极性，所述第二电极层包括所述第一极性和所述第二极性。其中，所述第一极性和所述第二极性不同。需要说明的是，电极极性包括正极和负极。
在一些实施例中，所述谐振装置还包括：第二基底，位于所述第一层的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对。在一些实施例中，所述第二基底的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。需要说明的是，所述第一层的声学阻抗可较小，从而阻隔声波从谐振区漏入所述第二基底。
在一些实施例中，所述谐振装置还包括：薄膜，位于所述第一层和所述第二基底之间。在一些实施例中，所述薄膜包括但不限于：多晶薄膜。在一些实施例中，所述多晶薄膜的材料包括但不限于以下至少之一：多晶硅、多晶氮化硅、多晶碳化硅。需要说明的是，所述薄膜有助于防止所述第二基底表面形成自由电子层，从而减少所述第二基底造成的电损耗。
本发明实施例还提供一种体声波滤波装置，包括：至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置。
附图说明
图1a是一种体声波滤波器电路的示意图；
图1b是一种FBAR 100的剖面A结构示意图；
图2是本发明实施例的一种体声波谐振装置200的剖面A结构示意图；
图3是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的剖面A结构示意图；
图4是本发明实施例的一种体声波谐振装置400的剖面A结构示意图；
图5是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的剖面A结构示意图；
图6是本发明实施例的一种体声波谐振装置600的剖面A结构示意图；
图7是本发明实施例的一种体声波谐振装置700的剖面A结构示意图；
图8是本发明实施例的一种体声波谐振装置800的剖面A结构示意图；
图9是本发明实施例的一种体声波谐振装置900的剖面A结构示意图；
图10是本发明实施例的一种体声波谐振装置1000的剖面A结构示意图；
图11是本发明实施例的一种体声波谐振装置1100的剖面A结构示意图；
图12是本发明实施例的一种体声波谐振装置1200的剖面A结构示意图；
图13是一种六方晶系晶体的结构示意图；
图14(i)是一种正交晶系晶体的结构示意图；
图14(ii)是一种四方晶系晶体的结构示意图；
图14(iii)是一种立方晶系晶体的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
如背景技术部分所述，参见图1b，所述谐振区111并不相对于所述空腔101a悬空，并且与所述基底101有重合部。如果所述谐振区111的声学阻抗和非谐振区的声学阻抗相近，所述谐振区111的能量会向非谐振区扩散，从而造成谐振器的Q值降低。此外，由于所述电极层107凸起，直接在所述电极层107上形成所述压电层105，会造成所述压电层105中部分晶体(例如，所述压电层105水平方向上两侧边缘处的晶体)出现明显转向，与其他晶体不平行，从而降低谐振装置的机电耦合系数及谐振装置的Q值。
本发明的发明人发现，通过调整两个电极层的位置，使谐振区与中间层或支撑层或第一基底没有重合接触部，所述谐振区相对于所述中间层或所述支撑层或所述第一基底的空腔悬空，可以提升所述谐振区和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。
本发明的发明人还发现在平面上形成压电层可以使所述压电层不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本发明的发明人还发现采用声学阻抗较小的所述中间层，可以阻隔声波从谐振区漏入第二基底。
本发明的发明人还发现所述中间层与所述第二基底之间设置薄膜有助于防止所述第二基底表面形成自由电子层，从而减少所述第二基底造成的电损耗。
本发明实施例提供一种体声波谐振装置，包括：第一层，所述第一层包括位于第一侧的第一空腔；第一电极层，所述第一电极层的第一端接触所述第一层，所述第一电极层的第二端位于所述第一空腔内；第二层，位于所述第一侧，位于所述第一电极层上，所述第二层为平层，覆盖所述第一空腔；以及第二电极层，位于所述第一侧，位于所述第二层上，其中，所述第一电极层上与所述第二电极层重合的第一部分位于所述第一空腔内。
需要说明的是，通过调整所述第一电极层和所述第二电极层的位置，使谐振区与所述第一层没有重合接触部，所述谐振区相对于所述第一空腔悬空，可以提升所述谐振区和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。
在一些实施例中，所述第一层还包括：中间层，所述中间层包括所述第一空腔。在一些实施例中，所述中间层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。在一些实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在一些实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。在一些实施例中，所述中间层的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
在一些实施例中，所述第一层还包括：支撑层，所述支撑层包括所述第一空腔。在一些实施例中，所述支撑层的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。在一些实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。在一些实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。在一些实施例中，所述支撑层的厚度包括但不限于：20微米至100微米。
在一些实施例中，所述第一层还包括：第一基底，所述第一基底包括所述第一空腔。在一些实施例中，所述第一基底的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
在一些实施例中，所述第一层还包括：刻蚀屏蔽层，至少覆盖所述第一空腔的底部或侧壁。在一些实施例中，所述刻蚀屏蔽层的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、钻石、氮化硅、二氧化硅、氧化铝、二氧化钛。在一些实施例中，所述刻蚀屏蔽层的厚度包括但不限于：0.1微米至3微米。在一些实施例中，所述刻蚀屏蔽层的厚度包括但不限于：2微米至6微米。
需要说明的是，所述刻蚀屏蔽层，在刻蚀形成所述第一空腔时，可以起到保护所述中间层或所述支撑层或所述第一基底的作用。此外，所述刻蚀隔屏蔽层可以保护谐振装置不受水和氧气腐蚀。
在一些实施例中，所述第一层还包括位于所述第一侧的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通，所述第一端位于所述第一凹槽内。需要说明的是，所述第一凹槽的深度小于所述第一空腔的深度，并且所述第一凹槽的深度至少对应所述第一电极层的厚度(例如，所述第一凹槽的深度等于所述第一电极层的厚度或所述第一电极层的厚度与所述刻蚀屏蔽层的厚度之和)。
在一些实施例中，所述第二层包括：压电层，所述压电层包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体；沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶体的高，沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶体的高，其中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在一些实施例中，所述第一晶体对应第一坐标系，所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴；所述第二晶体对应第二坐标系，所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。
在一些实施例中，所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在一些实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在一些实施例中，所述压电层的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
在一些实施例中，所述第二层包括：压电层，所述压电层包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width atHalf Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层可以使所述压电层不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
在一些实施例中，所述第二电极层上与所述第一电极层重合的第二部分位于所述第一空腔上方，所述第二部分垂直于所述第一层的投影位于所述第一空腔内。
在一些实施例中，所述第一电极层的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述第二电极层的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
在一些实施例中，所述第一电极层包括第一极性，所述第二电极层包括第二极性。在一些实施例中，所述第一电极层包括所述第一极性和所述第二极性，所述第二电极层包括所述第一极性和所述第二极性。其中，所述第一极性和所述第二极性不同。需要说明的是，电极极性包括正极和负极。
在一些实施例中，所述谐振装置还包括：第二基底，位于所述第一层的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对。在一些实施例中，所述第二基底的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。需要说明的是，所述第一层的声学阻抗可较小，从而阻隔声波从谐振区漏入所述第二基底。
在一些实施例中，所述谐振装置还包括：薄膜，位于所述第一层和所述第二基底之间。在一些实施例中，所述薄膜包括但不限于：多晶薄膜。在一些实施例中，所述多晶薄膜的材料包括但不限于以下至少之一：多晶硅、多晶氮化硅、多晶碳化硅。
需要说明的是，所述薄膜有助于防止所述第二基底表面形成自由电子层，从而减少所述第二基底造成的电损耗。
本发明实施例还提供一种体声波滤波装置，包括：至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置。
图2是本发明实施例的一种体声波谐振装置200的剖面A结构示意图。
如图2所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置200包括：基底201，所述基底201的上表面侧包括空腔201a；电极层203，所述电极层203的第一端接触所述空腔201a的侧壁，所述电极层203的第二端位于所述空腔201a内；压电层205，位于所述基底201和所述电极层203上，所述压电层205为平层，覆盖所述空腔201a；电极层207，位于所述压电层205上。由图2可见，谐振区209(即，所述电极层203和所述电极层207的重合区域)相对于所述空腔201a悬空，与所述基底201没有重合接触部。所述谐振区209垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔201a之内，可以提升所述谐振区209和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。
本实施例中，所述基底201的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述压电层205还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层205的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层205包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层205包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层205可以使所述压电层205不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层203上与所述电极层207重合的部分位于所述空腔201a内；所述电极层207上与所述电极层203重合的部分位于所述空腔201a上方。
本实施例中，所述电极层203的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层207的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层203包括负电极，所述电极层207包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层203包括正电极，所述电极层207包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层203包括正电极和负电极，所述电极层207包括正电极和负电极。
图3是本发明实施例的一种体声波谐振装置300的剖面A结构示意图。
如图3所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置300包括：基底301，所述基底301的上表面侧包括空腔301a和凹槽301b，其中，所述凹槽301b位于所述空腔301a水平方向上的一侧并和所述空腔301a相通，所述凹槽301b的深度小于所述空腔301a的深度；电极层303，所述电极层303的第一端位于所述凹槽301b内，所述电极层303的第二端位于所述空腔301a内，其中，所述凹槽301b的深度等于所述电极303的厚度；压电层305，位于所述基底301和所述电极层303上，所述压电层305为平层，覆盖所述空腔301a；电极层307，位于所述压电层305上。由图3可见，谐振区309(即，所述电极层303和所述电极层307的重合区域)相对于所述空腔301a悬空，与所述基底301没有重合接触部。所述谐振区309的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔301a之内，可以提升所述谐振区309和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。
本实施例中，所述基底301的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述压电层305还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层305的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层305包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层305包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层305可以使所述压电层305不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层303上与所述电极层307重合的部分位于所述空腔301a内；所述电极层307上与所述电极层303重合的部分位于所述空腔301a上方。
本实施例中，所述电极层303的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层307的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层303包括负电极，所述电极层307包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层303包括正电极，所述电极层307包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层303包括正电极和负电极，所述电极层307包括正电极和负电极。
图4是本发明实施例的一种体声波谐振装置400的剖面A结构示意图。
如图4所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置400包括：基底401，所述基底401的上表面侧包括空腔401a；刻蚀屏蔽层411，位于所述空腔401a内，覆盖所述空腔401a的底部及侧壁；电极层403，所述电极层403的第一端接触所述刻蚀屏蔽层411，所述电极层403的第二端位于所述空腔401a内；压电层405，位于所述基底401和所述电极层403上，所述压电层405为平层，覆盖所述空腔401a；电极层407，位于所述压电层405上。由图4可见，谐振区409(即，所述电极层403和所述电极层407的重合区域)相对于所述空腔401a悬空，与所述基底401没有重合接触部。所述谐振区409的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔401a之内，可以提升所述谐振区409和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。
本实施例中，所述基底401的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述刻蚀屏蔽层411的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、钻石、氮化硅、二氧化硅、氧化铝、二氧化钛。
需要说明的是，所述刻蚀屏蔽层411，在刻蚀形成所述空腔401a时，可以起到保护所述基底401的作用。此外，所述刻蚀隔屏蔽层411可以保护谐振装置不受水和氧气腐蚀。
本实施例中，所述刻蚀屏蔽层411的厚度包括但不限于：0.1微米至3微米。在另一个实施例中，所述刻蚀屏蔽层411的厚度包括但不限于：2微米至6微米。
本实施例中，所述压电层405还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层405的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层405包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层405包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层405可以使所述压电层405不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层403上与所述电极层407重合的部分位于所述空腔401a内；所述电极层407上与所述电极层403重合的部分位于所述空腔401a上方。
本实施例中，所述电极层403的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层407的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层403包括负电极，所述电极层407包括正电极。本发明的另一个实施例中，所述电极层403包括正电极，所述电极层407包括负电极。本发明的另一个实施例中，所述电极层403包括正电极和负电极，所述电极层407包括正电极和负电极。
图5是本发明实施例的一种体声波谐振装置500的剖面A结构示意图。
如图5所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置500包括：基底501；中间层502，位于所述基底501上，所述中间层502的上表面侧包括空腔502a；电极层503，所述电极层503的第一端接触所述空腔502a的侧壁，所述电极层503的第二端位于所述空腔502a内；压电层505，位于所述中间层502和所述电极层503上，所述压电层505为平层，覆盖所述空腔502a；电极层507，位于所述压电层505上。由图5可见，谐振区(未示出，即，所述电极层503和所述电极层507的重合区域)相对于所述空腔502a悬空，与所述中间层502没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔502a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，所述中间层502的声学阻抗可较小，从而阻隔声波从所述谐振区(未示出)漏入所述基底501。
本实施例中，所述基底501的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述中间层502的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述中间层502的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
本实施例中，所述压电层505还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层505的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层505包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层505包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层505可以使所述压电层505不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层503上与所述电极层507重合的部分位于所述空腔502a内；所述电极层507上与所述电极层503重合的部分位于所述空腔502a上方。
本实施例中，所述电极层503的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层507的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层503包括负电极，所述电极层507包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层503包括正电极，所述电极层507包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层503包括正电极和负电极，所述电极层507包括正电极和负电极。
图6是本发明实施例的一种体声波谐振装置600的剖面A结构示意图。
如图6所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置600包括：基底601；中间层602，位于所述基底601上，所述中间层602的上表面侧包括空腔602a和凹槽602b，其中，所述凹槽602b位于所述空腔602a水平方向上的一侧并和所述空腔602a相通，所述凹槽602b的深度小于所述空腔602a的深度；电极层603，所述电极层603的第一端位于所述凹槽602b内，所述电极层603的第二端位于所述空腔602a内，其中，所述凹槽602b的深度等于所述电极603的厚度；压电层605，位于所述中间层602和所述电极层603上，所述压电层605为平层，覆盖所述空腔602a；电极层607，位于所述压电层605上。由图6可见，谐振区(未示出，即，所述电极层603和所述电极层607的重合区域)相对于所述空腔602a悬空，与所述中间层602没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔602a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，所述中间层602的声学阻抗可较小，从而可以阻隔声波从所述谐振区(未示出)漏入所述基底601。
本实施例中，所述基底601的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述中间层602的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述中间层602的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
本实施例中，所述压电层605还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层605的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层605包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层605包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层605可以使所述压电层605不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层603上与所述电极层607重合的部分位于所述空腔602a内；所述电极层607上与所述电极层603重合的部分位于所述空腔602a上方。
本实施例中，所述电极层603的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层607的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层603包括负电极，所述电极层607包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层603包括正电极，所述电极层607包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层603包括正电极和负电极，所述电极层607包括正电极和负电极。
图7是本发明实施例的一种体声波谐振装置700的剖面A结构示意图。
如图7所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置700包括：基底701；中间层702，位于所述基底701上，所述中间层702的上表面侧包括空腔702a和凹槽702b，其中，所述凹槽702b位于所述空腔702a水平方向上的一侧并和所述空腔702a相通，所述凹槽702b的深度小于所述空腔702a的深度；刻蚀屏蔽层711，覆盖所述空腔702a的底部及侧壁、所述凹槽702b的底部及侧壁、以及所述中间层702的上表面侧；电极层703，所述电极层703的第一端位于所述凹槽702b内，所述电极层703的第二端位于所述空腔702a内，其中，所述凹槽702b的深度等于所述刻蚀屏蔽层711的厚度与所述电极层703的厚度之和；压电层705，位于所述刻蚀屏蔽层711和所述电极层703上，所述压电层705为平层，覆盖所述空腔702a；电极层707，位于所述压电层705上。由图7可见，谐振区(未示出，即，所述电极层703和所述电极层707的重合区域)相对于所述空腔702a悬空，与所述中间层702及所述刻蚀屏蔽层711没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔702a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，所述中间层702的声学阻抗可较小，从而可以阻隔声波从所述谐振区(未示出)漏入所述基底701。
本实施例中，所述基底701的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述中间层702的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述中间层702的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
本实施例中，所述刻蚀屏蔽层711的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、钻石、氮化硅、二氧化硅、氧化铝、二氧化钛。
需要说明的是，所述刻蚀屏蔽层711，在刻蚀形成所述空腔702a时，可以起到保护所述中间层702的作用。此外，所述刻蚀隔屏蔽层711可以保护谐振装置不受水和氧气腐蚀。
本实施例中，所述刻蚀屏蔽层711的厚度包括但不限于：0.1微米至3微米。
本实施例中，所述压电层705还覆盖所述刻蚀屏蔽层711。本实施例中，所述压电层705的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层705包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层705包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层705可以使所述压电层705不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层703上与所述电极层707重合的部分位于所述空腔702a内；所述电极层707上与所述电极层703重合的部分位于所述空腔702a上方。
本实施例中，所述电极层703的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层707的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层703包括负电极，所述电极层707包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层703包括正电极，所述电极层707包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层703包括正电极和负电极，所述电极层707包括正电极和负电极。
图8是本发明实施例的一种体声波谐振装置800的剖面A结构示意图。
如图8所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置800包括：支撑层802，所述支撑层802的上表面侧包括空腔802a；电极层803，所述电极层803的第一端接触所述空腔802a的侧壁，所述电极层803的第二端位于所述空腔802a内；压电层805，位于所述支撑层802和所述电极层803上，所述压电层805为平层，覆盖所述空腔802a；电极层807，位于所述压电层805上。由图8可见，谐振区(未示出，即，所述电极层803和所述电极层807的重合区域)相对于所述空腔802a悬空，与所述支撑层802没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔802a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，本发明实施例提供的谐振装置800不包括基底，从而可以消除基底造成的电损耗。
本实施例中，所述支撑层802的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述支撑层802的厚度包括但不限于：20微米至100微米。
本实施例中，所述压电层805还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层805的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层805包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层805包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层805可以使所述压电层805不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层803上与所述电极层807重合的部分位于所述空腔802a内；所述电极层807上与所述电极层803重合的部分位于所述空腔802a上方。
本实施例中，所述电极层803的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层807的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层803包括负电极，所述电极层807包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层803包括正电极，所述电极层807包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层803包括正电极和负电极，所述电极层807包括正电极和负电极。
图9是本发明实施例的一种体声波谐振装置900的剖面A结构示意图。
如图9所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置900包括：支撑层902，所述支撑层902的上表面侧包括空腔902a和凹槽902b，其中，所述凹槽902b位于所述空腔902a水平方向上的一侧并和所述空腔902a相通，所述凹槽902b的深度小于所述空腔902a的深度；电极层903，所述电极层903的第一端位于所述凹槽902b内，所述电极层903的第二端位于所述空腔902a内，其中，所述凹槽902b的深度等于所述电极层903的厚度；压电层905，位于所述支撑层902和所述电极层903上，所述压电层905为平层，覆盖所述空腔902a；电极层907，位于所述压电层905上。由图9可见，谐振区(未示出，即，所述电极层903和所述电极层907的重合区域)相对于所述空腔902a悬空，与所述支撑层902没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔902a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，本发明实施例提供的谐振装置900不包括基底，从而可以消除基底造成的电损耗。
本实施例中，所述支撑层902的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述支撑层902的厚度包括但不限于：20微米至100微米。
本实施例中，所述压电层905还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层905的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层905包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层905包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层905可以使所述压电层905不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层903上与所述电极层907重合的部分位于所述空腔902a内；所述电极层907上与所述电极层903重合的部分位于所述空腔902a上方。
本实施例中，所述电极层903的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层907的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层903包括负电极，所述电极层907包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层903包括正电极，所述电极层907包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层903包括正电极和负电极，所述电极层907包括正电极和负电极。
图10是本发明实施例的一种体声波谐振装置1000的剖面A结构示意图。
如图10所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1000包括：支撑层1002，所述支撑层1002的上表面侧包括空腔1002a和凹槽1002b，其中，所述凹槽1002b位于所述空腔1002a水平方向上的一侧并和所述空腔1002a相通，所述凹槽1002b的深度小于所述空腔1002a的深度；刻蚀屏蔽层1011，覆盖所述空腔1002a的底部及侧壁、所述凹槽1002b的底部及侧壁、以及所述支撑层1002的上表面侧；电极层1003，所述电极层1003的第一端位于所述凹槽1002b内，所述电极层1003的第二端位于所述空腔1002a内，其中，所述凹槽1002b的深度等于所述刻蚀屏蔽层1011的厚度与所述电极层1003的厚度之和；压电层1005，位于所述刻蚀屏蔽层1011和所述电极层1003上，所述压电层1005为平层，覆盖所述空腔1002a；电极层1007，位于所述压电层1005上。由图10可见，谐振区(未示出，即，所述电极层1003和所述电极层1007的重合区域)相对于所述空腔1002a悬空，与所述支撑层1002及所属刻蚀屏蔽层1011没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔1002a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，本发明实施例提供的谐振装置1000不包括基底，从而可以消除基底造成的电损耗。
本实施例中，所述支撑层1002的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述支撑层1002的厚度包括但不限于：20微米至100微米。
本实施例中，所述刻蚀屏蔽层1011的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、碳化硅、钻石、氮化硅、二氧化硅、氧化铝、二氧化钛。
需要说明的是，所述刻蚀屏蔽层1011，在刻蚀形成所述空腔1002a时，可以起到保护所述支撑层1002的作用。此外，所述刻蚀隔屏蔽层1011可以保护谐振装置不受水和氧气腐蚀。
本实施例中，所述刻蚀屏蔽层1011的厚度包括但不限于：2微米至6微米。
本实施例中，所述压电层1005还覆盖所述刻蚀屏蔽层1011。本实施例中，所述压电层1005的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层1005包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层1005包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层1005可以使所述压电层1005不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层1003上与所述电极层1007重合的部分位于所述空腔1002a内；所述电极层1007上与所述电极层1003重合的部分位于所述空腔1002a上方。
本实施例中，所述电极层1003的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层1007的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层1003包括负电极，所述电极层1007包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层1003包括正电极，所述电极层1007包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层1003包括正电极和负电极，所述电极层1007包括正电极和负电极。
图11是本发明实施例的一种体声波谐振装置1100的剖面A结构示意图。
如图11所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1100包括：基底1101；薄膜1104，位于所述基底1101上；中间层1102，位于所述薄膜1104上，所述中间层1102的上表面侧包括空腔1102a；电极层1103，所述电极层1103的第一端接触所述空腔1102a的侧壁，所述电极层1103的第二端位于所述空腔1102a内；压电层1105，位于所述中间层1102和所述电极层1103上，所述压电层1105为平层，覆盖所述空腔1102a；电极层1107，位于所述压电层1105上。由图11可见，谐振区(未示出，即，所述电极层1103和所述电极层1107的重合区域)相对于所述空腔1102a悬空，与所述中间层1102没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔1102a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，所述中间层1102的声学阻抗可较小，从而阻隔声波从所述谐振区(未示出)漏入所述基底1101。此外，所述薄膜1104有助于防止所述基底1101表面形成自由电子层，以减少所述基底1101造成的电损耗。
本实施例中，所述基底1101的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述薄膜1104包括但不限于多晶薄膜。本实施例中，所述多晶薄膜的材料包括但不限于以下至少之一：多晶硅、多晶氮化硅、多晶碳化硅。
本实施例中，所述中间层1102的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述中间层1102的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
本实施例中，所述压电层1105还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层1105的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层1105包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层1105包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层1105可以使所述压电层1105不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层1103上与所述电极层1107重合的部分位于所述空腔1102a内；所述电极层1107上与所述电极层1103重合的部分位于所述空腔1102a上方。
本实施例中，所述电极层1103的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层1107的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层1103包括负电极，所述电极层1107包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层1103包括正电极，所述电极层1107包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层1103包括正电极和负电极，所述电极层1107包括正电极和负电极。
图12是本发明实施例的一种体声波谐振装置1200的剖面A结构示意图。
如图12所示，本发明实施例提供一种体声波谐振装置1200包括：基底1201；薄膜1204，位于所述基底1201上；中间层1202，位于所述薄膜1204上，所述中间层1202的上表面侧包括空腔1202a和凹槽1202b，其中，所述凹槽1202b位于所述空腔1202a水平方向上的一侧并和所述空腔1202a相通，所述凹槽1202b的深度小于所述空腔1202a的深度；电极层1203，所述电极层1203的第一端位于所述凹槽1202b内，所述电极层1203的第二端位于所述空腔1202a内，其中，所述凹槽1202b的深度等于所述电极层1203的厚度；压电层1205，位于所述中间层1202和所述电极层1203上，所述压电层1205为平层，覆盖所述空腔1202a；电极层1207，位于所述压电层1205上。由图12可见，谐振区(未示出，即，所述电极层1203和所述电极层1207的重合区域)相对于所述空腔1202a悬空，与所述中间层1202没有重合接触部，从而所述谐振区(未示出)的垂直于所述上表面的垂直投影位于所述空腔1202a之内。
本发明实施例可以提升所述谐振区(未示出)和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，所述中间层1202的声学阻抗可较小，从而可以阻隔声波从所述谐振区(未示出)漏入所述基底1201。此外，所述薄膜1204有助于防止所述基底1201表面形成自由电子层，以减少所述基底1201造成的电损耗。
本实施例中，所述基底1201的材料包括但不限于以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
本实施例中，所述薄膜1204包括但不限于多晶薄膜。本实施例中，所述多晶薄膜的材料包括但不限于以下至少之一：多晶硅、多晶氮化硅、多晶碳化硅。
本实施例中，所述中间层1202的材料包括但不限于以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。本实施例中，所述聚合物包括但不限于以下至少之一：苯并环丁烯(即，BCB)、光感环氧树脂光刻胶(例如，SU-8)、聚酰亚胺。本实施例中，所述绝缘电介质包括但不限于以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
本实施例中，所述中间层1202的厚度包括但不限于：0.1微米至10微米。
本实施例中，所述压电层1205还覆盖所述上表面侧。本实施例中，所述压电层1205的材料包括但不限于以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
本实施例中，所述压电层1205包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体。所属技术领域的技术人员知晓晶体的晶向、晶面等可以基于坐标系表示。如图13所示，对于六方晶系的晶体，例如氮化铝晶体，采用ac立体坐标系(包括a轴及c轴)表示。如图14所示，对于(i)正交晶系(a≠b≠c)、(ii)四方晶系(a＝b≠c)、(iii)立方晶系(a＝b＝c)等的晶体，采用xyz立体坐标系(包括x轴、y轴及z轴)表示。除上述两个实例，晶体还可以基于其他所属技术领域的技术人员知晓的坐标系表示，因此本发明不受上述两个实例的限制。
本实施例中，所述第一晶体可以基于第一立体坐标系表示，所述第二晶体可以基于第二立体坐标系表示，其中，所述第一立体坐标系至少包括沿第一方向的第一坐标轴及沿第三方向第三坐标轴，所述第二立体坐标系至少包括沿第二方向的第二坐标轴及沿第四方向的第四坐标轴，其中，所述第一坐标轴对应所述第一晶体的高，所述第二坐标轴对应所述第二晶体的高。
本实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。需要说明的是，所述第一方向和所述第二方向相同指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第一方向和所述第二方向相反指：沿所述第一方向的向量和沿所述第二方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为ac立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一c轴，所述第三坐标轴为第一a轴；所述第二立体坐标系为ac立体坐标系，所述第二坐标轴为第二c轴，所述第四坐标轴为第二a轴，其中，所述第一c轴和所述第二c轴的指向相同或相反。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二立体坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。在另一个实施例中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。需要说明的是，所述第三方向和所述第四方向相同指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括0度至5度；所述第三方向和所述第四方向相反指：沿所述第三方向的向量和沿所述第四方向的向量的夹角范围包括175度至180度。
在另一个实施例中，所述第一立体坐标系为xyz立体坐标系，其中，所述第一坐标轴为第一z轴，所述第三坐标轴为第一y轴，所述第五坐标轴为第一x轴；所述第二立体坐标系为xyz立体坐标系，所述第二坐标轴为第二z轴，所述第四坐标轴为第二y轴，所述第六坐标轴为第二x轴。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相同，所述第一y轴和所述第二y轴的指向相反。在另一个实施例中，所述第一z轴和所述第二z轴的指向相反,所述第一y轴和所述第二y轴的指向相同。
本实施例中，所述压电层1205包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。需要说明的是，摇摆曲线(Rocking curve)描述某一特定晶面(衍射角确定的晶面)在样品中角发散大小，通过平面坐标系表示，其中，横坐标为该晶面与样品面的夹角，纵坐标则表示在某一夹角下，该晶面的衍射强度，摇摆曲线用于表示晶体质量，半峰宽角度越小说明晶体质量越好。此外，半峰宽(Full Width at Half Maximum，FWHM)指在函数的一个峰当中，前后两个函数值等于峰值一半的点之间的距离。
需要说明的是，在平面上形成所述压电层1205可以使所述压电层1205不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。
本实施例中，所述电极层1203上与所述电极层1207重合的部分位于所述空腔1202a内；所述电极层1207上与所述电极层1203重合的部分位于所述空腔1202a上方。
本实施例中，所述电极层1203的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述电极层1207的材料包括但不限于以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
本实施例中，所述电极层1203包括负电极，所述电极层1207包括正电极。在另一个实施例中，所述电极层1203包括正电极，所述电极层1207包括负电极。在另一个实施例中，所述电极层1203包括正电极和负电极，所述电极层1207包括正电极和负电极。
本发明实施例还提供一种体声波滤波装置，包括但不限于：至少一个上述实施例其中之一提供的体声波谐振装置。
综上所述，本发明通过调整两个电极层的位置，使谐振区与中间层或支撑层或第一基底没有重合接触部，所述谐振区相对于所述中间层或所述支撑层或所述第一基底的空腔悬空，可以提升所述谐振区和非谐振区的声阻抗的区别，从而提高谐振装置的Q值。此外，在平面上形成压电层可以使所述压电层不包括明显转向的晶体，从而有助于提高谐振装置的机电耦合系数以及谐振装置的Q值。此外，采用声学阻抗较小的所述中间层，可以阻隔声波从所述谐振区漏入第二基底。此外，所述中间层与所述第二基底之间设置薄膜有助于防止所述第二基底表面形成自由电子层，从而减少所述第二基底造成的电损耗。
应该理解，此处的例子和实施例仅是示例性的，本领域技术人员可以在不背离本申请和所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，做出各种修改和更正。

Claims (33)

1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：
第一层，所述第一层包括位于第一侧的第一空腔；
第一电极层，所述第一电极层的第一端接触所述第一层，所述第一电极层的第二端位于所述第一空腔内；
第二层，位于所述第一侧，位于所述第一电极层上，所述第二层为平层，覆盖所述第一空腔；以及
第二电极层，位于所述第一侧，位于所述第二层上；
其中，所述第一电极层上与所述第二电极层重合的第一部分位于所述第一空腔内；
所述第二层包括：压电层，所述压电层包括多个晶体，所述多个晶体包括第一晶体和第二晶体，其中，所述第一晶体和所述第二晶体是所述多个晶体中的任意两个晶体；沿第一方向的第一坐标轴对应所述第一晶体的高，沿第二方向的第二坐标轴对应所述第二晶体的高，其中，所述第一方向和所述第二方向相同或相反。
2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一层还包括：中间层，所述中间层包括所述第一空腔。
3.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述中间层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。
4.如权利要求3所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述聚合物包括以下至少之一：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶、聚酰亚胺。
5.如权利要求3所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述绝缘电介质包括以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
6.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述中间层的厚度包括：0.1微米至10微米。
7.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一层还包括：支撑层，所述支撑层包括所述第一空腔。
8.如权利要求7所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述支撑层的材料包括以下至少之一：聚合物、绝缘电介质。
9.如权利要求8所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述聚合物包括以下至少之一：苯并环丁烯、光感环氧树脂光刻胶、聚酰亚胺。
10.如权利要求8所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述绝缘电介质包括以下至少之一：氮化铝、二氧化硅、氮化硅、氧化钛。
11.如权利要求7所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述支撑层的厚度包括：20微米至100微米。
12.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一层还包括：第一基底，所述第一基底包括所述第一空腔。
13.如权利要求12所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一基底的材料包括以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
14.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一层还包括：刻蚀屏蔽层，至少覆盖所述第一空腔的底部或侧壁。
15.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述刻蚀屏蔽层的材料包括以下至少之一：氮化铝、碳化硅、钻石、氮化硅、二氧化硅、氧化铝、二氧化钛。
16.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述刻蚀屏蔽层的厚度包括：0.1微米至3微米。
17.如权利要求14所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述刻蚀屏蔽层的厚度包括：2微米至6微米。
18.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一层还包括位于所述第一侧的第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第一空腔水平方向上的一侧并与所述第一空腔相通，所述第一端位于所述第一凹槽内。
19.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一晶体对应第一坐标系，所述第一坐标系包括所述第一坐标轴和沿第三方向的第三坐标轴；所述第二晶体对应第二坐标系，所述第二坐标系包括所述第二坐标轴和沿第四方向的第四坐标轴。
20.如权利要求19所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一坐标系还包括沿第五方向的第五坐标轴，所述第二坐标系还包括沿第六方向的第六坐标轴。
21.如权利要求20所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第三方向和所述第四方向相同或相反。
22.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述压电层的材料包括以下至少之一：氮化铝、氮化镓、氧化锌、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、铌镁酸铅—钛酸铅。
23.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二层包括：压电层，所述压电层包括多个晶体，所述多个晶体组成的晶体的摇摆曲线半峰宽低于2.5度。
24.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二电极层上与所述第一电极层重合的第二部分位于所述第一空腔上方，所述第二部分垂直于所述第一层的投影位于所述第一空腔内。
25.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层的材料包括以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝；所述第二电极层的材料包括以下至少之一：钼、钌、钨、铂、铱、铝。
26.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层包括第一极性，所述第二电极层包括第二极性。
27.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层包括第一极性和第二极性，所述第二电极层包括所述第一极性和所述第二极性。
28.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：第二基底，位于所述第一层的第二侧，所述第二侧与所述第一侧相对。
29.如权利要求28所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二基底的材料包括以下至少之一：硅、碳化硅、玻璃。
30.如权利要求28所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：薄膜，位于所述第一层和所述第二基底之间。
31.如权利要求30所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述薄膜包括：多晶薄膜。
32.如权利要求31所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述多晶薄膜的材料包括以下至少之一：多晶硅、多晶氮化硅、多晶碳化硅。
33.一种体声波滤波装置，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至32其中之一所述的体声波谐振装置。
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