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CN113130779B - 一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管 - Google Patents

一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管 Download PDF

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CN113130779B
CN113130779B CN201911401405.5A CN201911401405A CN113130779B CN 113130779 B CN113130779 B CN 113130779B CN 201911401405 A CN201911401405 A CN 201911401405A CN 113130779 B CN113130779 B CN 113130779B
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Abstract

本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料的制备方法包括步骤：将Zn源、磷钼酸和有机溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料。与现有普通ZnO纳米材料相比，本发明纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且其电子迁移率明显更高，这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构；另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。

Description

一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管
技术领域
本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管。
背景技术
量子点由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。但在蓝色QLED器件中，电子的注入传输会弱于空穴，这会导致产生较多的激子-空穴三粒子系统，通常空穴对激子的淬灭效应会强于电子，因此电子注入不足的蓝光器件面临严重的激子淬灭，从而严重限制了QLED器件的性能。ZnO因为具有高透过率，高电子迁移率、低成本、环境兼容和制备工艺简单等优势，并广泛用于电致发光器件的电子传输层，但仍不能解决器件中的载流子不平衡等问题，目前，已有大量关于改性ZnO来提高电子的注入传输性能的文献报道，例如Al掺杂的ZnO、In掺杂的ZnO等，但这些掺杂材料的性能还不能满足要求。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，旨在解决现有量子点发光二极管中ZnO电子传输层的电子传输效率不高的问题。
本发明的技术方案如下：
一种纳米材料的制备方法，其中，包括步骤：
将Zn源、磷钼酸和溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料。
一种纳米材料，其中，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、与所述ZnO纳米颗粒结合的磷钼酸，所述纳米材料为纳米片。
一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层材料包括本发明所述的制备方法制备得到的纳米材料；和/或所述电子传输层材料包括本发明所述的纳米材料。
有益效果：本发明通过在ZnO成核阶段引入PMA干预成核，ZnO晶核与PMA团聚共组装的方法实现二维杂化ZnO-PMA超细纳米片的可控合成。与现有普通ZnO纳米材料相比，本发明纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且其电子迁移率明显更高，这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构；另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。
附图说明
图1为本发明实施例中提供的一种正型结构的量子点发光二极管的结构示意图。
图2为本发明实施例中提供的一种反型结构的量子点发光二极管的结构示意图。
图3为图1结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
图4为图2结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种纳米材料的制备方法，其中，包括步骤：将Zn源、磷钼酸和溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料。
磷钼酸(PMA)是一种多酸，是由过渡金属离子和氧构成的多金属氧簇，属于一种络合物。ZnO晶核与多酸之间存在很强的静电作用，在ZnO晶核形成初期，磷钼酸与ZnO晶核通过静电作用，吸附在ZnO晶核表面，阻止其进一步长大，这样磷钼酸与ZnO就组装成了尺寸非常小的二维杂化的纳米片。
本实施例将Zn源与PMA混合于溶剂中，Zn源经水解反应生成ZnO晶核，生成的所述ZnO晶核与PMA团聚共组装，并且可以连续生长形成具有超细纳米结构的材料。本实施例通过在ZnO成核阶段引入PMA干预成核，ZnO晶核与PMA团聚共组装的方法实现二维杂化ZnO-PMA超细纳米片的可控合成。本实施例通过上述方法，可以制备得到二维稳定的简单四方构型的纳米片，并且尺寸分布均匀，厚度小于2nm，长度小于5nm，进一步地长度小于2nm。制备得到的尺寸越小，性能更优异，更有利于电子传输。
与现有普通ZnO纳米材料相比，本实施例纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且与现有普通ZnO纳米材料相比，本实施例的二维杂化的超细纳米片具有更高的电子迁移率。另外本实施例所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。
在一种实施方式中，所述纳米材料的制备方法，具体包括步骤：将Zn源、磷钼酸和溶剂混合，并不断搅拌；在一定温度下经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装；将获得的沉淀进行离心、洗涤、烘干，制备得到二维杂化的ZnO-PMA纳米材料。将制备得到的所述ZnO-PMA纳米材料通过超声的方法分散到醇溶剂中，备好用于制备量子点发光二极管。其中所述醇溶剂可以为甲醇、乙醇等，纳米材料浓度可以为10～100mg/ml。
在一种实施方式中，所述反应的温度为20～80℃，因为温度过高，ZnO晶核碰撞机率增大，可能造成尺寸过大。所述反应的时间为2～48h，反应时间过长，ZnO晶核碰撞机率增大，可能造成尺寸过大。
在一种实施方式中，所述将Zn源、磷钼酸和溶剂混合的步骤中，所述Zn源与磷钼酸的摩尔比为1:1～1:5，以保证ZnO成核初期，有充足的PMA与其共组装，又不影响Zn源的水解反应，即不影响ZnO晶核的形成。
在一种实施方式中，所述锌盐为可溶性无机锌盐或可溶性有机锌盐。作为举例，所述锌盐包括醋酸锌、硝酸锌、氯化锌、硫酸锌和二水合乙酸锌等不限于此中的一种或多种。
在一种实施方式中，所述溶剂包括去离子水、碱溶液、醇类(如甲醇、乙醇等)、胺类(如乙醇胺等)等不限于此中的一种或多种。
本发明实施例提供一种纳米材料，其中，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、与所述ZnO纳米颗粒结合的磷钼酸，所述纳米材料为纳米片。
在一种实施方式中，所述纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片。
本实施例纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片。与现有普通ZnO纳米材料相比，本实施例纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且其电子迁移率明显更高，这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构；另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。本实施例纳米材料为二维稳定的简单四方构型的纳米片，并且尺寸分布均匀，厚度小于2nm，长度小于5nm，进一步地长度小于2nm。
本发明实施例提供一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层材料包括包括本发明实施例所述的制备方法制备得到的纳米材料，和/或所述电子传输层材料包括本发明实施例所述纳米材料。
在一种实施方式中，所述电子传输层材料为本发明实施例所述的制备方法制备得到的纳米材料；和/或所述电子传输层材料为本发明实施例所述的纳米材料。
本实施例电子传输层材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的二维杂化的ZnO-PMA纳米材料，该纳米材料为二维杂化的超细纳米片。与现有普通ZnO电子传输材料相比，本实施例所述纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；另外，二维杂化的超细纳米片结构可提升材料的电子迁移率；此外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。
本实施例中，量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管分正型结构和反型结构，其中正型结构的量子点发光二极管将主要以如图1所示的结构为例进行介绍。具体地，如图1所示，所述量子点发光二极管包括从下往上层叠设置的含阳极的基板11、空穴注入层12、空穴传输层13、量子点发光层14、电子传输层15和阴极16；其中，所述电子传输层15材料为本实施例所述纳米材料，所述纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片。
在一种实施方式中，所述电子传输层的厚度为20nm-60nm。若所述电子传输层的厚度过薄，则无法保证载流子的传输性能，导致电子无法到达量子点发光层而引起的传输层空穴-电子复合，从而引起淬灭；若所述电子传输层的厚度过厚，则会引起膜层透光性下降，并引起器件载流子通过性降低，导致器件整体导电率下降。
本实施例中，所述基板可以为刚性材质的基板，如玻璃等，也可以为柔性材质的基板，如PET或PI等中的一种。
本实施例中，所述阳极可以选自铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)和铝掺杂氧化锌(AZO)等中的一种或多种。
本实施例中，所述空穴注入层的材料可以是水溶性的PEDOT:PSS，也可以是其它具有良好空穴注入性能的材料，如NiO、MoO3、WO3或V2O5等。进一步地，选择PEDOT:PSS作为空穴注入层材料。所述空穴注入层的厚度为10-100nm。
本实施例中，所述空穴传输层的材料可以选自具有良好空穴传输性能的材料，例如可以包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)(PFB)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPB)等中的一种或多种。所述空穴传输层的厚度为1-100nm。
本实施例中，所述量子点发光层的材料可以为油溶性量子点，所述油溶性量子点包括二元相、三元相、四元相量子点等中的一种或多种；其中二元相量子点包括CdS、CdSe、CdTe、InP、AgS、PbS、PbSe、HgS等中的一种或多种，三元相量子点包括ZnCdS、CuInS、ZnCdSe、ZnSeS、ZnCdTe、PbSeS等中的一种或多种，四元相量子点包括ZnCdS/ZnSe、CuInS/ZnS、ZnCdSe/ZnS、CuInSeS、ZnCdTe/ZnS、PbSeS/ZnS等中的一种或多种。所述量子点发光层的材料可以为常见的红、绿、蓝三种中的任意一种量子点或者其它黄光均可以，该量子点可以为含镉或者不含镉。该材料的量子点发光层具有激发光谱宽并且连续分布，发射光谱稳定性高等特点。
本实施例中，所述阴极可选自铝(Al)电极、银(Ag)电极和金(Au)电极等中的一种，还可选自纳米铝线、纳米银线和纳米金线等中的一种。上述材料具有较小的电阻，使得载流子能顺利的注入。本实施例中，所述阴极的厚度约为60nm-120nm。
需说明的是，本发明量子点发光二极管还可以包含以下功能层的一层或者多层：设置于空穴传输层与阳极之间的空穴注入层，设置于电子传输层与阴极之间的电子注入层。
本实施例中，量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管可以为正型结构，也可以为反型结构，其中反型结构的量子点发光二极管将主要以如图2所示的结构为例进行介绍。具体地，如图2所示，所述反型结构的量子点发光二极管包括从下往上依次设置的含阴极的基板21、电子传输层22、量子点发光层23、空穴传输层24、空穴注入层25和阳极26；其中，所述电子传输层22材料为本实施例所述纳米材料，所述纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片。
在一种实施方式中，所述阴极可以选自铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)和铝掺杂氧化锌(AZO)等中的一种或多种。进一步地，所述阴极为铟掺杂氧化锡(ITO)。
在一种实施方式中，所述阳极可选自铝(Al)电极、银(Ag)电极和金(Au)电极等中的一种，还可选自纳米铝线、纳米银线和纳米金线等中的一种。
上述器件中，其余各层的材料选择在上文有记载，在此不再赘述。
请参阅图3，图3为本发明实施例提供的一种图1所示正型结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图3所示，包括步骤：
S11、提供含阳极的基板；
S12、在含阳极的基板上制备空穴注入层；
S13、在空穴注入层上制备空穴传输层；
S14、在空穴传输层上制备量子点发光层；
S15、在量子点发光层制备电子传输层；所述电子传输层材料为本实施例所述纳米材料；
S16、在电子传输层上制备阴极，得到量子点发光二极管。
本实施例中，为了得到高质量的空穴注入层，含阳极的基板需要经过预处理过程。其中所述预处理过程具体包括：将含阳极的基板用清洁剂清洗，初步去除含阳极的基板表面存在的污渍，随后将干净的基板用紫外-臭氧或氧气等离子体处理，以进一步除去基板表面附着的有机物并提高基板的功函数。
在一种实施方式中，所述在基板上制备空穴注入层的步骤包括：将含阳极的基板置于匀胶机上，用配制好的空穴注入材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下热退火处理，得到所述空穴注入层。
在一种实施方式中，所述在空穴注入层上制备空穴传输层的步骤包括：将基片置于匀胶机上，用配制好的空穴传输材料的溶液旋涂成膜；通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下热退火处理，得到所述空穴传输层。
在一种实施方式中，所述在空穴传输层上制备量子点发光层的步骤包括：将已制备好空穴传输层的基片置于匀胶机上，将配制好一定浓度的发光物质溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制量子点发光层的厚度，最后在适当温度下干燥，得到所述量子点发光层。
在一种实施方式中，所述在量子点发光层制备电子传输层的步骤包括：将已制备好量子点发光层的基片置于匀胶机上，将配制好一定浓度的电子传输材料溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度(优选地，转速在3000rpm-5000rpm之间)和旋涂时间来控制电子传输层的厚度，然后退火成膜，得到所述电子传输层。此步骤可以在空气中退火、亦可以在氮气氛围中退火，具体根据实际需要选择退火氛围。
在一种实施方式中，对得到的量子点发光二极管进行封装处理。其中所述封装处理可采用常用的机器封装，也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0.1ppm，以保证器件的稳定性。
本实施例中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于溶液法(如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等)、蒸镀法(如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控溅射法或多弧离子镀膜法等)、沉积法(如物理气相沉积法、元素层沉积法、脉冲激光沉积法等)中的一种或多种。
请参阅图4，图4为本发明实施例提供的一种图2所示反型结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图，如图4所示，包括步骤：
S21、提供含阴极的基板；
S22、在所述含阴极的基板上制备电子传输层；所述电子传输层材料为本实施例所述纳米材料；
S23、在所述电子传输层上制备量子点发光层；
S24、在所述量子点发光层上制备空穴传输层；
S25、在所述空穴传输层上制备空穴注入层；
S26、在所述空穴注入层上制备阳极，得到量子点发光二极管。
上述制备方法中，各层的详细制备过程在上文有记载，在此不再赘述。
下面通过具体的实施例对本实施例进行详细说明。
实施例1:本实施例的二维杂化ZnO-PMA超细纳米片的制备方法，具体步骤如下：
将1g醋酸锌和1.8g磷钼酸溶于0.28g乙醇胺和10ml乙二醇单甲醚中，并不断搅拌12小时；然后将获得的沉淀进行离心、洗涤、烘干，制备得到二维杂化ZnO-PMA超细纳米片；最后将制备得到的二维杂化ZnO-PMA超细纳米片通过超声的方法分散到乙醇溶液中，浓度为30mg/ml。
实施例2:结合提供的量子点发光二极管器件结构示意图1，量子点发光二极管器件制备步骤如下：
首先，将图案化的ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO基板放置于洁净烘箱内烘干备用；待ITO基板烘干后，用紫外臭氧处理ITO基板表面5分钟以进一步除去ITO基板表面附着的有机物并提高ITO基板的功函数；
然后，在处理过的ITO基板表面旋涂一层PEDOT:PSS，此层厚度30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成；
紧接着，将干燥后的涂有空穴注入层的基板置于氮气气氛中，旋涂一层空穴传输层材料PVK，此层的厚度为30nm，并将基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
待上一步处理的片子冷却后，将蓝色量子点发光材料旋涂在空穴传输层表面，其厚度为20nm，这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
随后，再旋涂一层二维杂化ZnO-PMA纳米材料，作为电子传输层，其厚度为30nm，沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂。
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层铝作为阴极，厚度为100nm。器件制备完成。
测试结果表明使用二维杂化ZnO-PMA纳米片的器件与使用ZnO纳米颗粒的器件相比，发光更均匀，无黑点，而使用ZnO纳米颗粒的器件，有少量黑点，同时EQE提高约30％，由9.2％提高到12％。这是因为相比于ZnO纳米颗粒，二维杂化ZnO-PMA纳米片具有更高的电子迁移率；此外所述二维杂化ZnO-PMA纳米片与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。
实施例3：结合提供的量子点发光二极管器件结构示意图2，量子点发光二极管器件制备步骤如下：
首先，将图案化的ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO放置于洁净烘箱内烘干备用；待ITO基板烘干后，用紫外臭氧处理ITO基板表面5分钟以进一步除去ITO基板表面附着的有机物；
然后，在处理过的ITO基板表面打印一层二维杂化ZnO-PMA纳米材料，作为电子传输层，其厚度为25nm，沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
待片子冷却后，将蓝色量子点发光材料打印在电子传输层表面，其厚度为20nm，这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
紧接着蒸镀一层空穴传输层材料NPB，此层的厚度为10nm；
随后，再蒸镀一层空穴注入层材料MoO3，此层的厚度为30nm；
最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层银作为阳极，厚度为80nm。器件制备完成。
测试结果表明使用二维杂化ZnO-PMA纳米片的器件与使用ZnO纳米颗粒的器件相比，发光更均匀，无黑点，而使用ZnO纳米颗粒的器件，有少量黑点，同时EQE提高约30％，由7.8％提高到10％。
综上所述，本发明提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管。本发明通过通过在ZnO成核阶段引入PMA干预成核，ZnO晶核与PMA团聚共组装的方法实现二维杂化ZnO-PMA超细纳米片的可控合成。与现有普通ZnO纳米材料相比，本发明纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且其电子迁移率明显更高，这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构；另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：
将Zn源、磷钼酸和溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料，其中，所述纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片，所述纳米片的厚度小于2nm，长度小于5nm。
2.根据权利要求1所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述将Zn源、磷钼酸和溶剂混合的步骤中，所述Zn源与磷钼酸的摩尔比为1:1～1:5。
3.根据权利要求1所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为20～80℃；和/或所述反应的时间为2～48h。
4.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、与所述ZnO纳米颗粒结合的磷钼酸，所述纳米材料为纳米片，其中，所述纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片，所述纳米片的厚度小于2nm，长度小于5nm。
5.根据权利要求4所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米片的长度小于2nm。
6.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料包括权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到的纳米材料；和/或所述电子传输层材料包括权利要求4-5任一项所述的纳米材料。
7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料为权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到的纳米材料；和/或所述电子传输层材料为权利要求4-5任一项所述的纳米材料。
8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-60nm。
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