CN109427939B - 一种qled器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。本发明在量子点发光层两侧设置一层超薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的超薄BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
背景技术
量子点由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近年来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。目前，尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。其中，载流子的注入不平衡是影响QLED器件效率的一个主要原因。因此，如何有效提高QLED器件中量子点层的载流子平衡，是研究的一个热点。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件的载流子注入不平衡，导致QLED器件的发光效率低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种QLED器件，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的碘氧化铋层（BiOI层），及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。
所述的QLED器件，其中，还包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。
所述的QLED器件，其中，还包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子功能层，所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。
所述的QLED器件，其中，所述BiOI层的厚度为1-10nm。
所述的QLED器件，其中，所述BiOI层由BiOI溶液制备而成，所述BiOI溶液的浓度为0.1-10mg/ml。
所述的QLED器件，其中，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS。
所述的QLED器件，其中，所述空穴传输层的材料为PVK、Poly-TPD中的一种或多种。
所述的QLED器件，其中，所述电子传输层的材料为n型氧化锌。
一种如上任一项所述的QLED器件的制备方法，其中，包括步骤：
制备阳极；
在阳极上制备BiOI层；
在BiOI层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备BiOI层；
在BiOI层上制备阴极，得到QLED器件。
所述的QLED器件的制备方法，其中，BiOI的制备方法包括步骤：
将Bi(NO3)3·5H2O 溶解于乙醇中，室温下搅拌，得到乙醇溶液；
将 NaI 加入到超纯水中，搅拌至溶液澄清后，加入到上述已制备好的乙醇溶液中，并搅拌，得到混合溶液；
将混合溶液在110-150 ℃下反应10-14 h后，将产物洗涤、干燥，得到BiOI。
有益效果：本发明在量子点发光层两侧设置一层超薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的超薄BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。
附图说明
图1为本发明提供的一种不含空穴功能层、电子功能层的正装结构的QLED器件的结构示意图。
图2为本发明提供的一种不含空穴功能层、电子功能层的倒装结构的QLED器件的结构示意图。
图3为本发明提供的一种含空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层的正装结构的QLED器件的结构示意图。
图4为本发明提供的一种含空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层的倒装结构的QLED器件的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种QLED器件及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种QLED器件较佳实施例，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。
根据所述QLED器件发光类型的不同，所述QLED器件可以分为正装结构的QLED器件和倒装结构的QLED器件。
作为一个具体实施例，当所述QLED器件为正装结构的QLED器件时，如图1所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阳极1、BiOI层2、量子点发光层3、BiOI层4和阴极5。
作为另一个具体实施例，当所述QLED器件为倒装结构的QLED器件时，如图2所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阴极5、BiOI层4、量子点发光层3、BiOI层2和阳极1。
本发明BiOI是一种半导体光催化剂，具有独特的层状结构，并且其较窄的带隙(~1.8 eV)能最大限度地吸收可见光，其特殊的层状结构和内部电场能有效地实现光生电子-空穴对的分离，从而表现出优异的可见光催化性能。本发明在量子点发光层两侧设置一层薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的薄的BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。
优选的，所述QLED器件还可以包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。换句话说，所述QLED器件可以包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴注入层；或是可以包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴传输层；亦或是同时包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述空穴注入层与所述阳极叠合。
优选的，所述QLED器件还可以包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子功能层，所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。换句话说，所述QLED器件可以包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子注入层；或是可以包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子传输层；亦或是同时包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子注入层和电子传输层，其中所述电子注入层与所述阴极叠合。
作为一个优选具体实施例，当所述QLED器件为正装结构的QLED器件时，如图3所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阳极1、空穴注入层6、空穴传输层7、BiOI层2、量子点发光层3、BiOI层4、电子传输层8、电子注入层9和阴极5。
作为另一个优选具体实施例，当所述QLED器件为倒装结构的QLED器件时，如图4所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阴极5、电子注入层9、电子传输层8、BiOI层4、量子点发光层3、BiOI层2、空穴传输层7、空穴注入层6和阳极1。
本发明空穴功能层的引入，可以提高空穴的注入/传输效率。电子功能层的引入，可以提高电子的注入/传输效率。更重要的是，当电子的注入/传输效果与量子点发光层另一端的空穴注入/传输效果相当时，能够尽可能地实现QLED器件内部电子与空穴的注入平衡，从而提高器件的发光性能。
需说明的是，本发明不限于上述结构的QLED器件，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。本发明所述QLED器件可以部分封装、全封装或不封装。
本发明中，所述BiOI层的厚度为1-10nm，在量子点发光层两侧设置该厚度范围的BiOI，可以进一步提高载流子平衡，从而进一步提高QLED器件的发光效率。
本发明中，所述BiOI层由BiOI溶液制备而成，所述BiOI溶液由制备好的BiOI溶于溶剂（如丙酮）中配制而成。所述BiOI溶液的浓度为0.1-10mg/ml。这是因为浓度过低无法起到增强电子或空穴浓度的作用，浓度过大，反而会阻碍电子和空穴的注入。本发明中，所述阳极可选自掺杂金属氧化物；其中，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）、镓掺杂氧化锌（GZO）、铟掺杂氧化锌（IZO）、镁掺杂氧化锌（MZO）、铝掺杂氧化镁（AMO）中的一种或多种。
本发明中，所述阳极还可选自掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，其中包括但不限于AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
本发明中，所述空穴注入层的材料可选自具有良好空穴注入性能的材料，例如可以为但不限于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲（HATCN）、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物包括但不限于MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO中的一种或多种；所述的金属硫系化合物包括但不限于MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。优选的，所述空穴注入层的材料为水溶性的PEDOT:PSS。
本发明中，所述空穴传输层可选自具有良好空穴传输能力的有机材料，例如可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（Poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60中的一种或多种。优选的，所述空穴传输层的材料为PVK、Poly-TPD中的一种或多种。
本发明中，所述空穴传输层还可选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的MoOx、VOx、WOx、CrOx、CuO、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS中的一种或多种。
本发明中，所述量子点发光层可以为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。具体地，所述量子点发光层使用的半导体材料包括但不限于II-VI半导体的纳米晶，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe和其他二元、三元、四元的II-VI化合物；III-V族半导体的纳米晶，比如GaP、GaAs、InP、InAs和其他二元、三元、四元的III-V化合物；所述的用于电致发光的半导体材料还不限于II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物、IV族单质等。
本发明中，所述量子点发光层还可以为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体；具体地，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为AMX3，其中A为Cs+离子；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-。所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为BMX3，其中B为有机胺阳离子，包括但不限于CH3(CH2)n-2NH3 + (n≥2)或NH3(CH2)nNH3 2+ (n≥2)。当n=2时，无机金属卤化物八面体MX6 4-通过共顶的方式连接，金属阳离子M位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子B填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当 n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体MX6 4-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层（质子化单胺）或有机胺阳离子单分子层（质子化双胺），有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；M为二价金属阳离子，包括但不限于Pb2+、Sn2+、Cu2+、Ni2+、Cd2+、Cr2+、Mn2+、Co2+、Fe2+、Ge2+、Yb2+、Eu2+；X为卤素阴离子，包括但不限于Cl-、Br-、I-。
本发明中，所述电子注入层的材料可以选择低功函数的Ca、Ba等金属，也可以选择CsF、LiF、CsCO3等化合物，还可以是其它电解质型电子注入层材料。
本发明中，所述电子传输层的材料可以选自具有良好电子传输性能的材料，例如可以为但不限于n型的ZnO、TiO2、Fe2O3、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO等中的一种或多种。优选地，所述电子传输层的材料为n型的ZnO。
本发明中，所述阴极为各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多孔碳中的一种或多种；导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO中的一种或多种；金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金；其中所述金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球中的一种或多种。优选地，所述阴极为Ag或Al。
本发明还提供一种QLED器件的制备方法较佳实施例，包括如下步骤：
制备阳极；
在阳极上制备BiOI层；
在BiOI层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备BiOI层；
在BiOI层上制备阴极，得到QLED器件。
本发明还提供一种QLED器件的制备方法具体实施例，包括如下步骤：
提供一含有阳极的基板；
在含有阳极的基板上依次制备空穴注入层和空穴传输层；
在空穴传输层上制备BiOI层；
在BiOI层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备BiOI层；
在BiOI层上依次制备电子传输层和电子注入层；
在电子注入层上制备阴极，得到QLED器件。
优选的，本发明在含有阳极的基板上制备空穴注入层之前，先对含有阳极的基板进行清洗，然后采用紫外臭氧或氧气等离子体处理基板表面，以进一步除去基板表面附着的有机物并提高基板的功函数。
优选的，本发明空穴注入层的厚度为10-100nm。
优选的，本发明在氮气气氛中，在空穴注入层上沉积一层空穴传输层，此层厚度为1-100nm。
优选的，本发明电子传输层的厚度为30-60nm。
优选的，本发明阴极的厚度为60-120nm。
上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液法，其中溶液法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
本发明还提供一种BiOI的制备方法，其包括步骤：
将Bi(NO3)3·5H2O 溶解于乙醇中，室温下搅拌，得到乙醇溶液；
将 NaI 加入到超纯水中，搅拌至溶液澄清后，加入到上述已制备好的乙醇溶液中，并搅拌，得到混合溶液；
将混合溶液在110-150 ℃下反应10-14 h后，将产物洗涤、干燥，得到BiOI。
作为其中一具体实施例，所述BiOI的制备方法具体包括步骤：
1）、将0.8 mmol的Bi(NO3)3·5H2O 溶解于38 mL的乙醇中，室温下搅拌 30 min，得到乙醇溶液；
2）、然后将0.8 mmol的NaI加入到2 mL的超纯水中，搅拌至溶液澄清后，缓慢滴入上述已制备好的乙醇溶液中，并不断搅拌，得到混合溶液；
3）、将混合溶液移到60 mL釜中，在130 ℃加热12 h。反应完成后，将产物用超纯水和乙醇各洗涤三次，最后放在真空干燥箱中，60 ℃下干燥 4 h，得到BiOI。
配制BiOI溶液：将制备好的BiOI溶于丙酮溶剂中，并超声分散均匀，浓度为0.1mg/ml。所述BiOI溶液即可用于制备BiOI层。
下面通过实施例对本发明进行详细说明。
实施例1
本实施例的QLED器件的制备步骤如下：
1）、首先，将图案化的ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO基板放置于洁净烘箱内烘干备用；
2）、待ITO基板烘干后，用紫外-臭氧处理处理ITO基板表面5分钟，以进一步除去ITO基板表面附着的有机物，并提高ITO的功函数；
3）、然后在处理过的ITO基板表面沉积一层空穴注入层PEDOT:PSS，此层厚度30nm，并将ITO基板置于150℃的加热台上加热30分钟以除去水分，此步需在空气中完成；
4）、紧接着，将干燥后的涂有空穴注入层的ITO基板置于氮气气氛中，沉积一层空穴传输层TFB，此层的厚度为30nm，并将其置于150℃的加热台上加热30分钟以除去溶剂；
5）、将浓度为0.1mg/ml的BiOI溶液沉积在TFB层上，随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂，厚度约2nm；
6）、待上一步处理的片子冷却后，将量子点发光层沉积在BiOI层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
7）、待片子冷却后，再将浓度为0.1mg/ml的BiOI溶液沉积在量子点层上，随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂，厚度约2nm；
8）、随后，再沉积电子传输层，其中电子传输层选择具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其厚度为30nm；
9）、最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极，QLED器件制备完成。
实施例2
本实施例的QLED器件的制备步骤如下：
1）、首先，将图案化的ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO基板放置于洁净烘箱内烘干备用；
2）、待ITO基板烘干后，用紫外-臭氧处理处理ITO基板表面5分钟，以进一步除去ITO基板表面附着的有机物，并提高ITO的功函数；
3）、将浓度为1mg/ml的BiOI溶液沉积在处理过的ITO基板上，随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂，厚度约5nm；
4）、待上一步处理的片子冷却后，将量子点发光层沉积在BiOI层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
5）、待片子冷却后，再将浓度为1mg/ml的BiOI溶液沉积在量子点层上，随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂，厚度约5nm；
6）、最后，将片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阴极，QLED器件制备完成。
实施例3
本实施例的QLED器件的制备步骤如下：
1）、首先，将图案化的ITO基板按次序置于丙酮，洗液，去离子水以及异丙醇中进行超声清洗，以上每一步超声均需持续15分钟左右。待超声完成后将ITO基板放置于洁净烘箱内烘干备用；
2）、待ITO基板烘干后，用紫外-臭氧处理处理ITO基板表面5分钟，以进一步除去ITO基板表面附着的有机物，并提高ITO的功函数；
3）、然后在处理过的ITO基板表面沉积一层电子传输层，其中电子传输层选择具有高的电子传输性能的n型氧化锌，其厚度为30nm；
4）、将浓度为5mg/ml的BiOI溶液沉积在ZnO层上，随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂，厚度约8nm；
5）、待上一步处理的片子冷却后，将量子点发光层沉积在BiOI层表面，其厚度为20nm。这一步的沉积完成后将片子放置在80℃的加热台上加热10分钟，除去残留的溶剂；
6）、待片子冷却后，再将浓度为5mg/ml的BiOI溶液沉积在量子点层上，随后将其置于80℃的加热台上加热10分钟以除去溶剂，厚度约8nm；
7）、最后，将沉积完各功能层的片子置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层100nm的铝作为阳极，QLED器件制备完成。
综上所述，本发明提供的一种QLED器件及其制备方法。本发明在量子点发光层两侧设置一层超薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的超薄BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层；
所述BiOI层由BiOI溶液制备而成，所述BiOI溶液的浓度为0.1-10mg/ml；
所述BiOI层的厚度为1-10nm。
2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子功能层，所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS。
5.根据权利要求2所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为PVK、Poly-TPD中的一种或多种。
6.根据权利要求3所述的QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为n型氧化锌。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括步骤：
制备阳极；
在阳极上制备BiOI层；
在BiOI层上制备量子点发光层；
在量子点发光层上制备BiOI层；
在BiOI层上制备阴极，得到QLED器件；
所述BiOI层由BiOI溶液制备而成，所述BiOI溶液的浓度为0.1-10mg/ml。
8.根据权利要求7所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，BiOI的制备方法包括步骤：将Bi(NO3)3·5H2O溶解于乙醇中，室温下搅拌，得到乙醇溶液；
将NaI加入到超纯水中，搅拌至溶液澄清后，加入到上述已制备好的乙醇溶液中，并搅拌，得到混合溶液；
将混合溶液在110-150℃下反应10-14h后，将产物洗涤、干燥，得到BiOI。
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