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CN113099730B - 阵列基板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制造方法、显示装置 Download PDF

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CN113099730B
CN113099730B CN202080000171.8A CN202080000171A CN113099730B CN 113099730 B CN113099730 B CN 113099730B CN 202080000171 A CN202080000171 A CN 202080000171A CN 113099730 B CN113099730 B CN 113099730B
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Abstract

本公开提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，该阵列基板，其中，有机材料层(02)包括依次连接的第一平面部(021)、弯折部(022)和第二平面部(023)，第一平面部(021)和第二平面部(023)位于衬底基板(01)的两侧；引线结构(03)包括依次连接的第一引线部(031)、弯折引线部(032)和第二引线部(033)，第一引线部(031)位于第一平面部(021)外侧，弯折引线部(032)位于弯折部(022)外侧，第二引线部(033)位于第二平面部(023)外侧；LED层(04)和控制电路(05)分别位于衬底基板(01)上述两侧。

Description

阵列基板及其制造方法、显示装置
本申请要求于2019年11月08日提交的申请号为PCT/CN2019/116824、发明名称为“阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置”的专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本申请涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，拼接模式的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示装置得到了广泛的应用，该显示装置包括多个拼接的LED阵列基板，具有较大的显示区域。
但是，由多个拼接的LED阵列基板中各个LED阵列基板之间具有较宽的拼缝，影响LED显示装置的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种阵列基板，包括：衬底基板、有机材料层、引线结构、LED层和控制电路；
所述衬底基板包括相对的第一侧和第二侧，以及分别与所述第一侧和所述第二侧邻接的第三侧；
所述有机材料层包括依次连接的第一平面部、弯折部和第二平面部，所述第一平面部位于所述第一侧，所述第二平面部位于所述第二侧，所述弯折部位于所述第三侧；
所述引线结构包括依次连接的第一引线部、弯折引线部和第二引线部，所述第一引线部位于所述第一平面部远离所述衬底基板的一侧，所述弯折引线部位于所述弯折部远离所述衬底基板的一侧，所述第二引线部位于所述第二平面部远离所述衬底基板的一侧；
所述LED层位于所述第一引线部远离所述衬底基板的一侧，且与所述第一引线部连接；
所述控制电路位于所述衬底基板的第二侧，且与所述第二引线部连接，所述控制电路用于控制所述LED层发光。
在一些实施例中，所述第二侧与所述第三侧的连接处包括倒角结构。
在一些实施例中，所述阵列基板满足以下至少一种条件：
b≥0.6a；
b＜P/2；
其中，所述LED层包括多个LED，2a表示在所述衬底基板的延伸方向上所述多个LED中任一个的长度，b表示所述多个LED中靠近所述弯折部的LED与所述弯折部的间距，所述多个LED中任意两个LED的中心的距离为P。
在一些实施例中，所述弯折引线部的表面具有凹陷区域。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述弯折部之间的第一隔垫结构。
在一些实施例中，所述第一隔垫结构具有粘性。
在一些实施例中，所述第一隔垫结构远离所述衬底基板的表面包括弧面。
在一些实施例中，所述弧面为半圆弧面，在所述衬底基板和所述第一隔垫结构的排布方向上，所述第一隔垫结构的最大长度大于所述半圆弧面的半径。
在一些实施例中，所述第一隔垫结构远离所述衬底基板的表面包括：依次连接的n个第一弧面、平面和n个第二弧面，n≥1。
在一些实施例中，n＝1，且所述第一弧面的半径等于所述第二弧面的半径。
在一些实施例中，n＞1，n个第一弧面的半径互不相同，第i个第一弧面的半径等于第n-i+1个第二弧面的半径，1≤i≤n。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述第二平面部之间的第二隔垫结构，且所述第二隔垫结构与所述第一隔垫结构连接。
在一些实施例中，所述第一隔垫结构靠近所述第二隔垫结构的一侧位于所述第三侧的延伸平面上，所述第二隔垫结构靠近所述第一隔垫结构的一侧位于所述第三侧的延伸平面上。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述第二平面部之间的绑定基板。
在一些实施例中，所述衬底基板与所述绑定基板的材质相同，且所述衬底基板的厚度与所述绑定基板的厚度相同。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板和所述第一平面部之间的反光层。
在一些实施例中，所述反光层与所述弯折部的间距大于零。
第二方面，提供了一种阵列基板的制造方法，用于制造第一方面提供的任一所述的阵列基板，所述方法包括：
形成初始结构；其中，所述初始结构包括：衬底基板、有机材料层、引线结构、LED层和控制电路；所述衬底基板包括相对的第一侧和第二侧，以及分别与所述第一侧和所述第二侧邻接的第三侧；所述有机材料层、所述引线结构和所述LED层均位于所述衬底基板的第一侧，且沿远离所述衬底基板的方向依次排布，所述控制电路与所述LED层位于同层；所述有机材料层在所述衬底基板所在面上的正投影与所述衬底基板在所述衬底基板所在面上的正投影部分重叠；所述引线结构覆盖所述有机材料层远离所述衬底基板的一侧，且与所述LED层以及所述控制电路均连接；
弯折所述有机材料层和所述引线结构，以使所述控制电路从所述衬底基板的第一侧移动至所述衬底基板的第二侧；其中，弯折后的所述有机材料层包括依次连接的第一平面部、弯折部和第二平面部，所述第一平面部位于所述衬底基板的第一侧，所述第二平面部位于所述衬底基板的第二侧，所述弯折部位于所述第三侧；弯折后的所述引线结构包括：依次连接的第一引线部、弯折引线部和第二引线部，所述第一引线部位于所述第一平面部远离所述衬底基板的一侧，且与所述LED层连接，所述弯折引线部位于所述弯折部远离所述衬底基板的一侧，所述第二引线部位于所述第二平面部远离所述衬底基板的一侧，且与所述控制电路连接。
在一些实施例中，所述形成初始结构，包括：
形成依次叠加的初始基板、所述有机材料层、所述引线结构和所述LED层；其中，所述有机材料层在所述初始基板所在面上的正投影位于所述初始基板在所述初始基板所在面上的正投影内；所述引线结构覆盖所述有机材料层远离所述初始基板的一侧，且与所述LED层连接；
在所述引线结构远离所述初始基板的一侧，将控制电路与所述引线结构连接；
去除所述初始基板的部分区域，得到所述初始结构，其中，所述部分区域在所述初始基板所在面上的正投影位于所述LED层在所述初始基板所在面上的正投影外。
在一些实施例中，所述初始结构还包括：与所述衬底基板间隔设置的绑定基板；
所述有机材料层的两端分别搭接在所述衬底基板和所述绑定基板上；在弯折所述有机材料层和所述引线结构之后，所述绑定基板位于所述衬底基板与所述第二平面部之间。
在一些实施例中，所述初始结构还包括：位于所述衬底基板和所述有机材料层之间的反光层；所述形成初始结构，还包括：
在所述初始基板上形成所述有机材料层之前，在所述初始基板上形成所述反光层，所述反光层在所述初始基板所在面上的正投影位于所述部分区域在所述初始基板所在面上的正投影之外；
所述去除所述初始基板的部分区域，包括：
从所述初始基板远离所述反光层的一侧向所述初始基板照射激光，以使所述部分区域与所述有机材料层分离；
对所述初始基板上的所述部分区域的边沿进行切割；
剥离所述部分区域。
在一些实施例中，所述形成初始结构，还包括：
在所述初始基板上形成所述有机材料层之前，在所述初始基板上形成解离层，所述部分区域在所述初始基板所在面上的正投影位于所述解离层在所述初始基板所在面上的正投影内，且所述解离层与所述有机材料层之间的粘度小于所述初始基板与所述有机材料层之间的粘度；
所述去除所述初始基板的部分区域，包括：
对所述初始基板上的所述部分区域的边沿进行切割；
剥离所述部分区域，以及所述解离层中覆盖所述部分区域的部分。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一方面任一所述的阵列基板。
在一些实施例中，所述显示装置包括相互拼接的多个所述阵列基板。
在一些实施例中，所述阵列基板中的LED层包括位于所述第一平面部上的多个LED，所述多个LED中任意两个LED的中心的距离为P；
所述显示装置中任意两个相邻的所述阵列基板中，距离最近的两个LED的中心的距离为Q，P＝Q。
附图说明
图1为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图2为本公开实施例提供的一种衬底基板的结构示意图；
图3至图6为本公开实施例提供的有机材料层的局部结构的不同实施例示意图；
图7和图8为本公开实施例提供的弯折引线部和弯折部的不同实施例展开示意图；
图9为本公开实施例提供的LED层中多个LED的示意图；
图10至图17为本公开实施例提供的阵列基板的部分结构的不同实施例展开示意图；
图18至图25为本公开实施例提供的第一隔垫结构的不同实施例示意图；
图26至图28为本公开实施例提供的阵列基板的不同实施例结构示意图；
图29为本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图30至图34为本公开实施例提供的显示装置中任意两个阵列基板的不同实施例拼接处示意图；
图35为本公开实施例提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；
图36为本公开实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
图37至图49均为本公开实施例提供的阵列基板的制造过程示意图；
图50至图57为本公开实施例提供的不同实施例中初始结构的示意图。
具体实施方式
为使本申请的原理、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
相关技术中，包括多个LED阵列基板拼接而成的LED显示装置中，各个LED阵列基板的边框较宽，从而使LED显示装置中形成人眼可见的拼缝，影响LED显示装置的显示效果。本公开实施例提供了一种阵列基板，至少通过减小各个LED阵列基板的边框，从而解决拼接LED显示装置的拼缝较宽的问题。
图1为本公开实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，如图1所示，该阵列基板0包括：衬底基板01、有机材料层02、引线结构03、LED层04和控制电路05。
衬底基板01包括相对的第一侧X1和第二侧X2，以及分别与第一侧X1和第二侧X2邻接的第三侧X3。
有机材料层02包括依次连接的第一平面部021、弯折部022和第二平面部023。其中，第一平面部021位于衬底基板01的第一侧X1，第二平面部023位于衬底基板01的第二侧X2，弯折部022位于第三侧X3。
引线结构03包括依次连接的第一引线部031、弯折引线部032和第二引线部033。其中，第一引线部031位于第一平面部021远离衬底基板01的一侧，弯折引线部032位于弯折部022远离衬底基板01的一侧，第二引线部033位于第二平面部023远离衬底基板01的一侧。
LED层04位于第一引线部031远离衬底基板01的一侧，且与第一引线部031连接。
控制电路05位于衬底基板01的第二侧X2，且与第二引线部033连接，控制电路05用于控制LED层04发光。
综上所述，本公开实施例提供的阵列基板中，将有机材料层和引线结构均弯折至衬底基板的第二侧，以使引线结构在LED层所在侧(第一侧)的另一侧(第二侧)与控制电路绑定。从而避免了在LED层所在侧(第一侧)绑定引线结构和控制电路导致阵列基板的边框较宽的问题。在多个显示基板拼接时，能够有效减小显示基板间的拼缝。
在一些实施例中，上述衬底基板01的材质可以包括刚性材质(如玻璃等)，也可以包括有一定强度的柔性材质(如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneterephthalate，PET)或者金属等。本公开实施例中以衬底基板01的材质为刚性材质为例，此时该衬底基板01为刚性基板。
图2为本公开实施例提供的一种衬底基板的结构示意图，如图2所示，在图1的基础上，衬底基板01包括与第一侧X1和第二侧X2分别邻接的第三侧X3，其中第二侧X2的表面和第三侧X3的表面的连接处可以包括倒角结构011。在该倒角结构011的作用下，有机材料层02在从第一侧X1弯折至第二侧X2时，能够减小有机材料层02被衬底基板01的直角损伤的概率，实现对有机材料层02的保护。
上述有机材料层02的材质可以为任一种柔性材质，如聚酰亚胺(Polyimide，PI)等材质。有机材料层02的厚度可以在[5微米，10微米]中取值，或者在其他范围(如[2微米，11微米])中取值。引线结构03的材质可以为任一种导电材质，如铜、铁等材质。
需要说明的是，本公开实施例提供的任一种阵列基板中，有机材料层02可以包括一个第一平面部021，m个弯折部022和m个第二平面部023。当衬底基板01为多边形时，m≥1。图1中为m＝2的实施例示意；当m＞2时，m个弯折部022分别位于衬底基板01不同的第三侧X3，而m个第二平面部023都位于衬底基板01的第二侧X2。第一平面部021整面铺设在衬底基板01的第一侧X1，且第一平面部021分别通过第i个弯折部022与第i个第二平面部023依次连接为一体结构，1≤i≤m。
引线结构03包括n个第一引线部031，n个弯折引线部032和n个第二引线部033，第j个第一引线部031通过第j个第二引线部033与第j个第二引线部031连接，1≤j≤n。n个第一引线部031全部位于所述第一平面部021上；n个弯折引线部032可以全部位于同一个弯折部022上，也可以分组并且每组数量相同或者不同的多个弯折引线部032分别位于多个弯折部022上；n个第二引线部031可以全部位于同一个第二平面部023上，也可以分组并且每组数量相同或者不同的多个第二引线部031分别位于多个第二平面部023上。
其中，n个第一引线部031包括电源线、驱动线、数据线以及扇出走线等信号线构成的集合中的全部或者部分。引线结构03用于连接LED层中的每个LED和控制电路，使得控制电路中的电学信号能够高质量地传输至每个LED，以使LED发光。在一些实施例中，第一引线部还包括与每个LED直接接触且电连接的连接电极。
此外，一个弯折部022远离衬底基板01的表面和与位于其上的一个或多个弯折引线部032远离衬底基板01的表面共形。其中，至少两个表面共形是指这至少两个表面的延伸方向和起伏形态相同或相似。
示例地，图3、图4、图5和图6示出了有机材料层02的不同种局部结构示意图，且图3、图4、图5和图6中仅示出了有机材料层02中的第一平面部021和弯折部022，并未示出第二平面部023。并且，图3、图4、图5和图6中弯折部022相对第一平面部021的位置可以与衬底基板的形状匹配。其中，图3中以m＝1为例，图4中以m＝2为例，图5中以m＝3为例，图6中以m＝4为例。在一些实施例中，衬底基板所在平面为五边形时，第一平面部021也呈五边形，此时m＝5；或者，衬底基板所在平面为六边形时，第一平面部021也呈六边形，此时m＝6等。并且，当m＝1时，弯折部022也可以不如图3所示位于第一平面部021的右侧，比如弯折部022位于第一平面部021除右侧外的任意一侧；当m＝2时，两个弯折部022也可以不如图4所示位于第一平面部021的左侧和右侧，比如两个弯折部022中一个位于第一平面部021的上侧，另一个位于第一平面部021的右侧等；当m＝3时，三个弯折部022也可以不如图5所示位于第一平面部021的左侧、右侧和上侧，比如三个弯折部022分别位于第一平面部021的左侧、右侧和下侧等。本公开实施例中以有机材料层的第一平面部021呈矩形为例，当然，该第一平面部021也可以不呈矩形，如呈圆形、椭圆形、三角形等。图1中的有机材料层02的展开示意图可以参考图4。
在一些实施例中，为了提高弯折引线部的表面张力，减小弯折引线部在弯折过程中断裂的风险，本公开实施例中可以在弯折引线部032的表面设置凹陷区域。示例地，本公开实施例中以弯折引线部032远离衬底基板01的表面具有凹陷区域为例。当然，也可以是弯折引线部032靠近衬底基板01的表面具有凹陷区域，或者，弯折引线部032靠近和远离衬底基板01的表面均具有凹陷区域，本公开实施例对此不做限定。
示例地，对于本公开实施例提供的任一种阵列基板，图7示出了弯折引线部和弯折部的一种展开示意图。如图7所示，可以通过对弯折引线部032远离衬底基板的表面挖槽和/或设置凸起的方式，以在弯折引线部032远离衬底基板的表面设置第一凹陷区域0321，该弯折引线部032远离衬底基板的表面中除该第一凹陷区域0321之外的区域为第一凸起区域0322。其中，对于弯折引线部032中第一凹陷区域0321所在的位置，弯折引线部032远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面的最小距离为Y1；对于弯折引线部032中第一凸起区域0322所在的位置，弯折引线部032远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面的距离为Y2，Y1小于Y2。本公开实施例中弯折引线部032中的凹陷区域(如上述第一凹陷区域)可以通过在弯折引线部上形成凹槽的方式形成。在形成凹槽时可以采用曝光和干刻工艺。
又示例地，对于本公开实施例提供的任一种阵列基板，图8示出了弯折引线部和弯折部的另一种展开示意图。如图8所示，可以通过对弯折部022远离衬底基板的表面挖槽和/或设置凸起的方式，以在弯折部022远离衬底基板的表面设置第二凹陷区域0221，该弯折部022远离衬底基板的表面中除第二凹陷区域0221之外的区域为第二凸起区域0222。在弯折部022上第二凹陷区域0221的作用下，弯折引线部032远离衬底基板的表面具有第一凹陷区域0321，该弯折引线部032远离衬底基板的表面中除第一凹陷区域0321之外的区域为第一凸起区域0322。
其中，对于弯折引线部032中第一凹陷区域0321所在的位置，弯折引线部032远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面的最小距离为Y1；对于弯折引线部032中第一凸起区域0322所在的位置，弯折引线部032远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面的距离为Y2，Y1等于Y2。对于弯折部022中第二凹陷区域0221所在的位置，弯折部022远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面的最小距离为Y3；对于弯折部022中第二凸起区域0222所在的位置，弯折部022远离衬底基板的表面与靠近衬底基板的表面的距离为Y4，Y3小于Y4。
本公开实施例中的第二凹陷区域可以通过在弯折部上形成凹槽的方式形成。在形成凹槽时可以采用曝光和干刻工艺。
在一些实施例中，上述任一种凹陷区域的形状可以是任意形状，如V形、U型或者梯形等，本公开实施例对此不做限定。
在一些实施例中，本公开实施例提供的任一种阵列基板中，LED层可以包括多个LED。该LED可以为普通LED或微LED。其中，上述微LED的尺寸小于普通LED的尺寸，示例地，微LED的最小尺寸可以达到微米级。本发明实施例中的微LED可以包括：微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)或迷你发光二极管(mini Light EmittingDiode，mini-LED)。LED层中的LED可以通过任一种方式(如回流焊方式或者共晶焊方式)固定在设置有连接电极的柔性基材上。
示例地，对于本公开实施例提供的任一种阵列基板，图9示出了LED层04中多个LED041的示意图。如图9所示，这些LED 041均位于第一引线部031远离衬底基板01的一侧，任一LED 041在衬底基板01的延伸方向D上的长度可以表示为2a，多个LED 041中任意两个LED041的中心的距离可以表示为P，多个LED 041中靠近弯折部的LED 041与弯折部022(图9中未示出，请参考图1)的间距可以表示为b。该阵列基板可以满足b≥0.6a以及b＜P/2中的至少一种条件。比如该阵列基板满足b≥0.6a，或者b＜P/2，或者b≥0.6a和b＜P/2。经过测试验证，当b≥0.6a时，LED 041的发光效果较好，LED层04的显示效果较好。当b＜P/2时，阵列基板之间的拼接效果较好，由多个阵列基板拼接而成的显示装置的显示效果较好。
在一些实施例中，本公开实施例提供的阵列基板还可以包括：黑胶(如图1中的06)。该黑胶填充在上述多个LED之间，用于提升各个LED的对比度。黑胶也可以稍微覆盖LED远离衬底基板的一侧，且LED发出的至少部分光能够透过黑胶，本公开实施例对此不作限定。
在一些实施例中，本公开实施例提供的控制电路可以是任一种控制电路，以下将以其中的八种控制电路为例进行说明。
(1)图10为本公开实施例提供的图1中部分结构的展开示意图，请结合图1和图2，控制电路05包括：FPC 051和印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)052。其中，FPC 051位于引线结构(如引线结构中的第二引线部033)远离衬底基板01的一侧，且与第二引线部033以及PCB 052均连接。PCB 052可以位于FPC 051的任一侧，本公开实施例中以PCB 052与第二引线部033位于FPC 051的同一侧为例。
(2)图11为本公开实施例提供的一种阵列基板中部分结构的展开示意图，如图11所示，在图10的基础上，控制电路05包括：FPC 051，而并不包括PCB 052。其中，FPC 051位于第二引线部033远离衬底基板01的一侧，且与第二引线部033连接。
(3)图12为本公开实施例提供的另一种阵列基板中部分结构的展开示意图，如图12所示，在图10的基础上，控制电路05不仅包括：FPC 051和PCB 052，还包括芯片053。其中，FPC 051位于第二引线部033远离衬底基板01的一侧，且与第二引线部033以及PCB 052均连接；PCB 052可以位于FPC 051的任一侧，本公开实施例中以PCB 052与第二引线部033位于FPC 051的同一侧为例。芯片053位于第二引线部033远离衬底基板01的一侧，且与第二引线部033连接。芯片053与FPC 051位于同层。
(4)图13为本公开实施例提供的另一种阵列基板中部分结构的展开示意图，如图13所示，在图12的基础上，控制电路05也可以不包括上述PCB 052。
(5)图14为本公开实施例提供的另一种阵列基板中部分结构的展开示意图，如图14所示，在图10的基础上，控制电路05不仅包括：FPC 051和PCB 052，还包括芯片053。其中，FPC 051位于第二引线部033远离衬底基板01的一侧。PCB 052可以位于FPC 051的任一侧，本公开实施例中以PCB 052与第二引线部033位于FPC 051的同一侧为例。芯片053位于FPC051远离衬底基板01的一侧，且FPC 051与第二引线部033、PCB 052以及芯片053均连接。当芯片053位于FPC 051上时，芯片053和FPC 051可以统称为覆晶薄膜(Chip On Film，COF)。
(6)图15为本公开实施例提供的另一种阵列基板中部分结构的展开示意图，如图15所示，在图14的基础上，控制电路05也可以不包括上述PCB 052。
(7)图16为本公开实施例提供的另一种阵列基板中部分结构的展开示意图，如图16所示，在图10的基础上，控制电路05包括连接器054。其中，连接器054位于第二引线部033远离衬底基板01的一侧，且与第二引线部033以及PCB 052均连接。PCB 052可以位于连接器054的任一侧，本公开实施例中以PCB 052与第二引线部033位于连接器054的同一侧为例。
(8)图17为本公开实施例提供的另一种阵列基板中部分结构的展开示意图，如图17所示，在图10的基础上，控制电路05包括端子(LEAD)055。其中，端子055位于第二引线部033远离衬底基板01的一侧，且与第二引线部033以及PCB 052均连接。PCB 052可以位于端子055的任一侧，本公开实施例中以PCB 052与第二引线部033位于端子055的同一侧为例。
在一些实施例中，无论控制电路05以哪种方式实现，本公开实施例提供的阵列基板还可以包括：位于衬底基板01和控制电路05之间的粘接胶(如图1中的粘接胶07)。在该粘接胶的作用下，控制电路05能够有效地固定在衬底基板01上，从而保证了阵列基板的稳定性。该粘接胶可以为rubber胶。示例地，当控制电路05包括PCB时，上述粘接胶可以用于粘接PCB和衬底基板。当控制电路不包括PCB时，上述粘接胶可以用于粘接FPC与衬底基板。
进一步地，如图1所示，本公开实施例提供的阵列基板还可以包括：位于衬底基板01和弯折部022之间的第一隔垫结构08。该第一隔垫结构08能够对弯折部022进行支撑，以防止弯折部022断裂。
在一些实施例中，该第一隔垫结构08的材质可以为任一种材质，比如具有粘性的材质，或者不具有粘性的材质。当第一隔垫结构08具有粘性时，第一隔垫结构08不仅能够对弯折部022进行支撑，还能够将弯折部022与衬底基板01固定，以提升阵列基板的稳定性。
在一些实施例中，本公开实施例提供的阵列基板中，第一隔垫结构远离衬底基板的表面可以包括弧面。弧面能够提升该第一隔垫结构对弯折部的支撑效果。示例地，该第一隔垫结构的形状多种多样，以下将以第一隔垫结构的四种形状为例进行说明。
(1)图18为本公开实施例提供的一种第一隔垫结构的示意图(图18中未示出导线结构)，如图18所示，第一隔垫结构08远离衬底基板01的表面为半圆弧面。并且，在衬底基板01和第一隔垫结构08的排布方向Z1上，第一隔垫结构08的最大长度Z2大于该半圆弧面的半径R。
(2)图19为本公开实施例提供的另一种第一隔垫结构的示意图(图19中未示出导线结构)，如图19所示，在图18的基础上，阵列基板还包括：位于衬底基板01和第二平面部022之间的第二隔垫结构09，且第二隔垫结构09与第一隔垫结构08连接。此时，第一隔垫结构08和第二隔垫结构09组成的整体与衬底基板01的接触面积较大，使得阵列基板的稳定性较好，且较容易装配。在一些实施例中，第一隔垫结构08靠近所述第二隔垫结构09的一侧位于第三侧X3的延伸平面上，第二隔垫结构09靠近第一隔垫结构08的一侧位于第三侧X3的延伸平面上。可以理解的是，当第二侧X2与第三侧X3的连接处包括倒角结构时，第一隔垫结构08靠近第二隔垫结构09的一侧，和第二隔垫结构09靠近第一隔垫结构08的一侧均位于第三侧X3除倒角结构外的主体区域所在平面的延伸平面上。该第一隔垫结构08与第二隔垫结构09可以为一体结构。
需要说明的是，本公开实施例不对第二隔垫结构09的延伸长度进行限定。示例地，当衬底基板的第二侧需要设置某一结构(如图1中的粘接胶07)时，该第二隔垫结构09可以延伸至该结构所在位置，并位于衬底基板与该结构之间；或者，第二隔垫结构09也可以延伸过该结构所在位置，并位于衬底基板与该结构之间；或者，第二隔垫结构09也可以并未延伸至该结构所在位置，此时该第二隔垫结构09与该结构并排设置在衬底基板的第二侧。
(3)图20为本公开实施例提供的另一种第一隔垫结构的示意图(图20中未示出导线结构)，如图20所示，第一隔垫结构08远离衬底基板01的表面包括：依次连接的第一弧面、平面和第二弧面，且第一弧面的半径R1等于第二弧面的半径R2。
(4)图21为本公开实施例提供的另一种第一隔垫结构的示意图(图21中未示出导线结构)，如图21所示，在图20的基础上，阵列基板还包括：第二隔垫结构09，图21中的第二隔垫结构09可以参考图19中的第二隔垫结构09，本公开实施例在此不做赘述。
(5)图22为本公开实施例提供的另一种第一隔垫结构的示意图(图22中未示出导线结构)，如图22所示，第一隔垫结构08远离衬底基板01的表面包括：依次连接的n个第一弧面、平面和n个第二弧面，n＞1，n个第一弧面的半径互不相同，且第i个第一弧面的半径等于第(n-i+1)个第二弧面的半径，1≤i≤n。图22中以n＝2为例，此时，第一隔垫结构08具有两个第一弧面和两个第二弧面，且第一个第一弧面的半径R11等于第二个第二弧面的半径R22，第二个第一弧面的半径R12等于第一个第二弧面的半径R21。
(6)图23为本公开实施例提供的又一种第一隔垫结构的示意图(图23中未示出导线结构)，如图23所示，上述n＝3，第一隔垫结构08具有三个第一弧面和两个第二弧面，且第一个第一弧面的半径R11等于第三个第二弧面的半径R23，第二个第一弧面的半径R12等于第二个第二弧面的半径R22，第三个第一弧面的半径R13等于第一个第二弧面的半径R21。
(7)图24为本公开实施例提供的再一种第一隔垫结构的示意图(图24中未示出导线结构)，如图24所示，在图22的基础上，阵列基板还包括：第二隔垫结构09，图24中的第二隔垫结构09可以参考图19中的第二隔垫结构09，本公开实施例在此不做赘述。
(8)图25为本公开实施例提供的另一种第一隔垫结构的示意图(图25中未示出导线结构)，如图25所示，在图23的基础上，阵列基板还包括：第二隔垫结构09，图25中的第二隔垫结构09可以参考图19中的第二隔垫结构09，本公开实施例在此不做赘述。
进一步地，图26为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，如图26所示，在图1的基础上，该阵列基板还包括：位于衬底基板01和第二平面部023之间的绑定基板10。在一些实施例中，衬底基板01与绑定基板10的材质可以相同，且衬底基板01的厚度与绑定基板10的厚度相同。该衬底基板01可以用于对第二平面部进行支撑。需要说明的是，图26所示的阵列基板可以包括上述隔垫结构(如第一隔垫结构和第二隔垫结构)，也可以不包括隔垫结构，图26中并未示出隔垫结构。
在一些实施例中，阵列基板还包括：位于衬底基板和第一平面部之间的反光层。示例地，图27为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，如图27所示，在图1的基础上，阵列基板还包括：反光层11。在一些实施例中，该反光层11与弯折部022的间距大于零。
又在一些实施例中，图28为本公开实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，如图28所示，在图26的基础上，阵列基板还包括：反光层11。该反光层11包括：位于衬底基板01和第一平面部021之间的第一反光部分111，以及位于绑定基板10和第二平面部023之间的第二反光部分112,。在一些实施例中，该第一反光部分111与弯折部022的间距大于零，该第二反光部分112与弯折部022的间距也大于零。
综上所述，本公开实施例提供的阵列基板中，将有机材料层和引线结构均弯折至衬底基板的第二侧，以使引线结构在LED层所在侧(第一侧)的另一侧(第二侧)与控制电路绑定。从而避免了在LED层所在侧(第一侧)绑定引线结构和控制电路导致阵列基板的边框较宽的问题。在多个显示基板拼接时，能够有效减小显示基板间的拼缝。
本公开实施例提供了一种显示装置，该显示装置可以包括本公开实施例提供的任一种阵列基板。在一些实施例中，该显示装置还可以包括与本公开实施例提供的阵列基板一一对应的盖板，且每个盖板位于对应的阵列基板中LED层远离衬底基板的一侧。
示例地，该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在一些实施例中，图29为本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图，如图29所示，该显示装置20可以包括相互拼接的多个阵列基板0。由于本公开实施例提供的阵列基板的边框较窄，因此本公开实施例提供的阵列基板0的边框较窄，包括拼接的多个阵列基板0的显示装置20中，各个阵列基板间的拼缝较窄。可以理解的是，沿第一方向排列(如图29的竖直方向)的多个阵列基板0中的任意相邻两个阵列基板0中，在第一方向上距离最近的两个LED的距离为Q1，而每个阵列基板0中沿第一方向排列的两个LED的间距均为P1，P1＝Q1。沿第二方向排列(如图29的水平方向)的多个阵列基板0中的任意相邻两个阵列基板0中，在第二方向上距离最近的两个LED的距离为Q2，而每个阵列基板0中沿第二方向排列的两个LED的间距均为P2，P2＝Q2。如此设置，当显示装置20在显示画面时，观看者将很难注意到相邻阵列基板边框的存在，也即难以甚至无法观看到各阵列基板由于拼接产生的拼缝。
在一些实施例中，显示装置20还可以包括位于多个阵列基板0非显示侧的框体支架(图29中未示出)，该显示装置中的多个阵列基板0可以通过机械力、粘结力、磁力等方式均固定在该框体支架上(比如阵列基板中的衬底基板的第二侧与支架连接)，从而使多个阵列基板0拼接形成显示装置。
在一些实施例中，每个阵列基板中的LED层包括位于第一平面部上的多个LED，多个LED中任意两个LED的中心的距离为P；显示装置中任意两个相邻的阵列基板中，距离最近的两个LED的中心的距离为Q，P＝Q。在一些实施例中，该显示装置中任意两个相邻的阵列基板的间距大于零或等于零。
示例地，图30、图31、图32、图33和图34为本公开实施例提供的五种显示装置中任意两个阵列基板的拼接处示意图。其中，图30、图31、图32、图33中以相邻的阵列基板的间距大于零为例，图34中以相邻的阵列基板的间距等于零为例。图30中的隔垫结构可以参考图18，图31中的隔垫结构可以参考图21，图32中的隔垫结构可以参考图24，图33中的隔垫结构可以参考图25，图34中的隔垫结构可以参考图19。
需要说明的是，当显示装置中相邻的阵列基板的间距大于零时，拼接多个阵列基板时的难度较低。当阵列基板中第一隔垫结构在衬底基板和第一隔垫结构的排布方向上的长度越小时，显示装置中相邻的阵列基板的间距越大，多个阵列基板的拼接难度越低。因此，本公开实施例中可以根据拼接阵列基板的难度，合理的设置相邻阵列基板的间距，以及第一隔垫结构的上述长度。
本公开实施例提供了一种阵列基板的制造方法，用于制造本公开实施例提供的任一种阵列基板，如图35所示，该方法可以包括：
步骤3501：形成初始结构；其中，初始结构包括：衬底基板、有机材料层、引线结构、LED层和控制电路；衬底基板包括相对的第一侧和第二侧，以及分别与第一侧和第二侧邻接的第三侧；有机材料层、引线结构和LED层均位于衬底基板的第一侧，且沿远离衬底基板的方向依次排布，控制电路与LED层位于同层；有机材料层在衬底基板所在面上的正投影与衬底基板在衬底基板所在面上的正投影部分重叠；引线结构覆盖有机材料层远离衬底基板的一侧，且与LED层以及控制电路均连接。
步骤3502：弯折有机材料层和引线结构，以使控制电路从衬底基板的第一侧移动至衬底基板的第二侧；其中，弯折后的有机材料层包括依次连接的第一平面部、弯折部和第二平面部，第一平面部位于衬底基板的第一侧，第二平面部位于衬底基板的第二侧，弯折部位于第三侧；弯折后的引线结构包括：依次连接的第一引线部、弯折引线部和第二引线部，第一引线部位于第一平面部远离衬底基板的一侧，且与LED层连接，弯折引线部位于弯折部远离衬底基板的一侧，第二引线部位于第二平面部远离衬底基板的一侧，且与控制电路连接。
本公开实施例提供的阵列基板的制造方法较容易实施，因此，能够便于量产。
图36为本公开实施例提供的另一种阵列基板的制造方法的流程图，用于制造如图1所示的阵列基板，如图36所示，该方法可以包括：
步骤3601：形成依次叠加的初始基板、有机材料层、引线结构和LED层。
如图37所示，有机材料层02在平行于初始基板U1的初始基板所在面U2上的正投影位于初始基板U1在初始基板所在面U2上的正投影内。引线结构03覆盖有机材料层02远离初始基板U1的一侧，且与LED层04连接。
一方面，在步骤3601中，可以在初始基板上依次形成有机材料层、引线结构和LED层。
另一方面，在步骤3601中，也可以首先在一个基础基板上依次形成柔性膜层(该柔性膜层可以局部覆盖该基础基板)和引线层。之后，再将形成有柔性膜层和引线层的基础基板切割为多个基板单元，每个基板单元包括由基础基板切割得到的初始基板，由柔性膜层切割得到的有机材料层，以及由引线层切割得到的引线结构。最后，再通过巨量转移技术在每个基板单元的引线结构上形成多个LED，从而在每个基板单元上形成LED层。
在一些实施例中，在步骤3601之后，还可以在LED层远离初始基板的一侧涂覆黑胶。黑胶能够提升LED层的显示效果，并对LED层起到保护作用，增加LED层的焊接强度。
步骤3602：在引线结构远离初始基板的一侧，将控制电路与引线结构连接。
在将控制电路05与引线结构03连接后得到的结构可以如图38所示，本公开实施例中以控制电路05包括FPC 051和PCB 052，且引线结构03与FPC 051；连接，FPC 051与PCB052连接为例。
步骤3603：去除初始基板的部分区域，得到包括衬底基板、有机材料层、引线结构、LED层和控制电路的初始结构。
其中，该部分区域在初始基板所在面上的正投影位于LED层在初始基板所在面上的正投影外。示例地，在去除初始基板的部分区域后，便可以将初始基板变为如图39所示的衬底基板01。其中，有机材料层02、引线结构03和LED层04均位于衬底基板01的第一侧X1，且沿远离衬底基板01的方向依次排布；控制电路05与LED层04位于同层；有机材料层02在平行于衬底基板01的衬底基板所在面U3上的正投影与衬底基板01在衬底基板所在面U3上的正投影部分重叠；引线结构03覆盖有机材料层02远离衬底基板01的一侧，且与LED层04以及控制电路05均连接。
步骤3604：弯折有机材料层和引线结构，以使控制电路从衬底基板的第一侧移动至衬底基板的第二侧。
其中，如图1所示，第二侧X2与第一侧X1相对，弯折后的有机材料层02包括依次连接的第一平面部021、弯折部022和第二平面部023，第一平面部021位于衬底基板01的第一侧X1，弯折部022从衬底基板022的第一侧X1弯折至第二侧X2，第二平面部023位于衬底基板01的第二侧X2；弯折后的引线结构03包括：依次连接的第一引线部031、弯折引线部032和第二引线部033，第一引线部031位于第一平面部021远离衬底基板01的一侧，且与LED层04连接，弯折引线部032位于弯折部022远离衬底基板01的一侧，第二引线部033位于第二平面部023远离衬底基板01的一侧，且与控制电路05连接。
在一些实施例中，上述步骤3603可以有多种实现方式，本公开实施例将以其中的两种实现方式为例进行说明。
(1)步骤3603的一种实现方式中，如图40所示，可以首先从初始基板U1远离有机材料层02的一侧向初始基板U1的待分离区域U4照射激光，以使该待分离区域U4与有机材料层02分离。其中，上述待去除的部分区域U5可以位于该待分离区域U4内，且小于该待分离区域U4。之后，如图41所示，可以对初始基板U1上的该部分区域U5的边沿进行切割。最后，如图42所示，剥离该部分区域U5即可。
在一些实施例中，若制备得到的衬底基板具有靠近弯折部的倒角结构，则可以在对初始基板U1上的该部分区域U5的边沿进行切割的过程中形成该倒角结构。
(2)步骤3603的另一种实现方式中，在初始基板上形成有机材料层之前，如图43所示，可以在初始基板U1上形成反光层11。该反光层11在初始基板所在面U2上的正投影位于初始基板中待去除的上述部分区域U5在初始基板所在面U2上的正投影之外。在一些实施例中，该反光层11在初始基板所在面U2上的正投影与部分区域U5在初始基板所在面U2上的正投影可以存在间隔。
步骤3603：如图44所示，可以首先从初始基板U1远离反光层11的一侧向初始基板U1照射激光，以使初始基板U1中照射到激光的区域(包括上述部分区域U5)与有机材料层02分离。由于反光层11能够反射激光(如对激光的反射率可以大于80％，或90％等)，阻止激光通过，因此，初始基板U1中被反光层11覆盖的区域不会与有机材料层02分离。之后，如图45所示，可以对初始基板U1上的该部分区域U5的边沿进行切割。最后，如图46所示，剥离该部分区域U5即可。
在上述实现方式中，步骤3603形成的初始结构还包括：位于衬底基板和有机材料层之间的反光层。
可以看出，在第二种实现方式中，在照射激光时，由于反光层能够有效地限定出有机材料层中被激光照射的区域，因此可以无需对照射激光的设备所发出的激光进行设置，且能够使得激光照射的精度小于1微米。
在一些实施例中，若制备得到的衬底基板具有靠近弯折部的倒角结构，则可以在对初始基板U1上的该部分区域U5的边沿进行切割的过程中形成该倒角结构。
(3)步骤3603的再一种种实现方式中，在初始基板上形成有机材料层之前，如图47所示，可以在初始基板U1上形成解离层12。初始基板U1中待去除的部分区域U5在初始基板所在面U2上的正投影位于解离层12在初始基板所在面U2上的正投影内，且解离层12与有机材料层02之间的粘度小于初始基板U1与有机材料层02之间的粘度。示例地，该解离层12的材质可以包括：聚酰亚胺体系材料，或者改性的紫外(UV)减粘胶等材料。在一些实施例中，该部分区域U5在初始基板所在面U2上的正投影的面积可以小于解离层12在初始基板所在面U2上的正投影的面积。
在步骤3603中，如图48所示，可以首先对初始基板U1上的该部分区域U5的边沿进行切割。之后，如图49所示，剥离该部分区域U5，以及解离层11中覆盖该部分区域U5的部分即可。由于初始基板U1中被去除的上述部分区域U5与初始基板U1中与有机材料层02分离的区域相同，在切割上述部分区域U5时，无需将切割位置外移，能够进一步减小制备得到的阵列基板的边框(比如减小约30微米)。在这种情况下，制备得到的阵列基板可以包括该解离层11中未覆盖该部分区域U5的部分。
在一些实施例中，若制备得到的衬底基板具有靠近弯折部的倒角结构，则可以在对初始基板U1上的该部分区域U5的边沿进行切割的过程中形成该倒角结构。
在一些实施例中，若制备得到的阵列基板需要包括如图26所示的绑定基板10，则步骤3603中将初始基板中的部分区域去除之后，不仅能够得到衬底基板，还能够得到该绑定基板。可以看出，在初始基板中，衬底基板和绑定基板分别位于该部分区域的两侧。步骤3603得到的初始结构也还可以包括：与衬底基板间隔设置的绑定基板。该有机材料层的两端分别搭接在衬底基板和绑定基板上。
示例地，当包括如图10所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图50所示。当包括如图11所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图51所示。当包括如图12所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图52所示。当包括如图13所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图53所示。当包括如图14所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图54所示。当包括如图15所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图55所示。当包括如图16所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图56所示。当包括如图17所示的控制电路的阵列基板包括辅助基板10，则步骤3603得到的初始结构可以如图57所示。
在一些实施例中，若制备得到的阵列基板需要包括隔垫结构(如第一隔垫结构，或者第一隔垫结构和第二隔垫结构)，则在步骤3604之前，可以在衬底基板的侧面装配该隔垫结构。在步骤3604中，需要将有机材料层绕过该隔垫结构弯折至衬底基板的第二侧。
需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本公开中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
需要说明的是，本公开实施例提供的方法实施例之间能够相互参考，本公开实施例对此不做限定。本公开实施例提供的方法实施例步骤的先后顺序能够进行适当调整，步骤也能够根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本公开的保护范围之内，因此不再赘述。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (24)

1.一种阵列基板，包括：衬底基板（01）、有机材料层（02）、引线结构（03）、LED层（04）和控制电路（05）；
所述衬底基板（01）包括相对的第一侧和第二侧，以及分别与所述第一侧和所述第二侧邻接的第三侧；
所述有机材料层（02）包括依次连接的第一平面部（021）、弯折部（022）和第二平面部（023），所述第一平面部（021）位于所述第一侧，所述第二平面部（023）位于所述第二侧，所述弯折部（022）位于所述第三侧；
所述引线结构（03）包括依次连接的第一引线部（031）、弯折引线部（032）和第二引线部（033），所述第一引线部（031）位于所述第一平面部（021）远离所述衬底基板（01）的一侧，所述弯折引线部（032）位于所述弯折部（022）远离所述衬底基板（01）的一侧，所述第二引线部（033）位于所述第二平面部（023）远离所述衬底基板（01）的一侧；
所述LED层（04）位于所述第一引线部（031）远离所述衬底基板（01）的一侧，且与所述第一引线部（031）连接；
所述控制电路（05）位于所述衬底基板（01）的第二侧，且与所述第二引线部（033）连接，所述控制电路（05）用于控制所述LED层（04）发光；
所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面具有第一凹陷区域（0321），所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面中除所述第一凹陷区域（0321）之外的区域为第一凸起区域（0322），所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的最小距离为Y1，所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的距离为Y2，Y1小于Y2；
所述弯折部（022）远离所述衬底基板（01）的表面具有第二凹陷区域（0221），所述弯折部（022）远离所述衬底基板（01）的表面中除所述第二凹陷区域（0221）之外的区域为第二凸起区域（0222），所述弯折部（022）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的最小距离为Y3，所述第二凸起区域（0222）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的距离为Y4，Y3小于Y4。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，所述第二侧与所述第三侧的连接处包括倒角结构（011）。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，所述阵列基板满足以下至少一种条件：
b≥0.6a；
b＜P/2；
其中，所述LED层（04）包括多个LED（041），2a表示在所述衬底基板（01）的延伸方向上所述多个LED（041）中任一个的长度，b表示所述多个LED（041）中靠近所述弯折部（022）的LED（041）与所述弯折部（022）的间距，所述多个LED（041）中任意两个LED（041）的中心的距离为P。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板（01）和所述弯折部（022）之间的第一隔垫结构（08）。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，所述第一隔垫结构（08）具有粘性。
6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，所述第一隔垫结构（08）远离所述衬底基板（01）的表面包括弧面。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，所述弧面为半圆弧面，在所述衬底基板（01）和所述第一隔垫结构（08）的排布方向上，所述第一隔垫结构（08）的最大长度大于所述半圆弧面的半径。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，所述第一隔垫结构（08）远离所述衬底基板（01）的表面包括：依次连接的n个第一弧面、平面和n个第二弧面，n≥1。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，n=1，且所述第一弧面的半径等于所述第二弧面的半径。
10.根据权利要求8所述的阵列基板，n＞1，n个第一弧面的半径互不相同，第i个第一弧面的半径等于第n-i+1个第二弧面的半径，1≤i≤n。
11.根据权利要求4所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板（01）和所述第二平面部（023）之间的第二隔垫结构（09），且所述第二隔垫结构（09）与所述第一隔垫结构（08）连接。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，所述第一隔垫结构（08）靠近所述第二隔垫结构（09）的一侧位于所述第三侧的延伸平面上，所述第二隔垫结构（09）靠近所述第一隔垫结构（08）的一侧位于所述第三侧的延伸平面上。
13.根据权利要求1或2所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板（01）和所述第二平面部（023）之间的绑定基板（10）。
14.根据权利要求13所述的阵列基板，所述衬底基板（01）与所述绑定基板（10）的材质相同，且所述衬底基板（01）的厚度与所述绑定基板（10）的厚度相同。
15.根据权利要求1或2所述的阵列基板，所述阵列基板还包括：位于所述衬底基板（01）和所述第一平面部（021）之间的反光层（11）。
16.根据权利要求15所述的阵列基板，所述反光层（11）与所述弯折部（022）的间距大于零。
17.一种阵列基板的制造方法，用于制造权利要求1至16任一所述的阵列基板，所述方法包括：
形成初始结构；其中，所述初始结构包括：衬底基板、有机材料层、引线结构、LED层和控制电路；所述衬底基板包括相对的第一侧和第二侧，以及分别与所述第一侧和所述第二侧邻接的第三侧；所述有机材料层、所述引线结构和所述LED层均位于所述衬底基板的第一侧，且沿远离所述衬底基板的方向依次排布，所述控制电路与所述LED层位于同层；所述有机材料层在所述衬底基板所在面上的正投影与所述衬底基板在所述衬底基板所在面上的正投影部分重叠；所述引线结构覆盖所述有机材料层远离所述衬底基板的一侧，且与所述LED层以及所述控制电路均连接；
弯折所述有机材料层和所述引线结构，以使所述控制电路从所述衬底基板的第一侧移动至所述衬底基板的第二侧；其中，弯折后的所述有机材料层包括依次连接的第一平面部、弯折部和第二平面部，所述第一平面部位于所述衬底基板的第一侧，所述第二平面部位于所述衬底基板的第二侧，所述弯折部位于所述第三侧；弯折后的所述引线结构包括：依次连接的第一引线部、弯折引线部和第二引线部，所述第一引线部位于所述第一平面部远离所述衬底基板的一侧，且与所述LED层连接，所述弯折引线部位于所述弯折部远离所述衬底基板的一侧，所述第二引线部位于所述第二平面部远离所述衬底基板的一侧，且与所述控制电路连接，所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面具有第一凹陷区域（0321），所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面中除所述第一凹陷区域（0321）之外的区域为第一凸起区域（0322），所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的最小距离为Y1，所述弯折引线部（032）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的距离为Y2，Y1小于Y2；所述弯折部（022）远离所述衬底基板（01）的表面具有第二凹陷区域（0221），所述弯折部（022）远离所述衬底基板（01）的表面中除所述第二凹陷区域（0221）之外的区域为第二凸起区域（0222），所述弯折部（022）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的最小距离为Y3，所述第二凸起区域（0222）远离所述衬底基板（01）的表面与靠近所述衬底基板（01）的表面的距离为Y4，Y3小于Y4。
18.根据权利要求17所述的方法，所述形成初始结构，包括：
形成依次叠加的初始基板、所述有机材料层、所述引线结构和所述LED层；其中，所述有机材料层在所述初始基板所在面上的正投影位于所述初始基板在所述初始基板所在面上的正投影内；所述引线结构覆盖所述有机材料层远离所述初始基板的一侧，且与所述LED层连接；
在所述引线结构远离所述初始基板的一侧，将控制电路与所述引线结构连接；
去除所述初始基板的部分区域，得到所述初始结构，其中，所述部分区域在所述初始基板所在面上的正投影位于所述LED层在所述初始基板所在面上的正投影外。
19.根据权利要求18所述的方法，所述初始结构还包括：与所述衬底基板间隔设置的绑定基板；
所述有机材料层的两端分别搭接在所述衬底基板和所述绑定基板上；在弯折所述有机材料层和所述引线结构之后，所述绑定基板位于所述衬底基板与所述第二平面部之间。
20.根据权利要求18或19所述的方法，所述初始结构还包括：位于所述衬底基板和所述有机材料层之间的反光层；所述形成初始结构，还包括：
在所述初始基板上形成所述有机材料层之前，在所述初始基板上形成所述反光层，所述反光层在所述初始基板所在面上的正投影位于所述部分区域在所述初始基板所在面上的正投影之外；
所述去除所述初始基板的部分区域，包括：
从所述初始基板远离所述反光层的一侧向所述初始基板照射激光，以使所述部分区域与所述有机材料层分离；
对所述初始基板上的所述部分区域的边沿进行切割；
剥离所述部分区域。
21.根据权利要求18或19所述的方法，所述形成初始结构，还包括：
在所述初始基板上形成所述有机材料层之前，在所述初始基板上形成解离层，所述部分区域在所述初始基板所在面上的正投影位于所述解离层在所述初始基板所在面上的正投影内，且所述解离层与所述有机材料层之间的粘度小于所述初始基板与所述有机材料层之间的粘度；
所述去除所述初始基板的部分区域，包括：
对所述初始基板上的所述部分区域的边沿进行切割；
剥离所述部分区域，以及所述解离层中覆盖所述部分区域的部分。
22.一种显示装置，所述显示装置包括权利要求1至21任一所述的阵列基板。
23.根据权利要求22所述的显示装置，所述显示装置包括相互拼接的多个所述阵列基板。
24.根据权利要求23所述的显示装置，所述阵列基板中的LED层包括位于所述第一平面部上的多个LED，所述多个LED中任意两个LED的中心的距离为P；
所述显示装置中任意两个相邻的所述阵列基板中，距离最近的两个LED的中心的距离为Q，P=Q。
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