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CN112908886B - 半导体处理设备 - Google Patents

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CN112908886B
CN112908886B CN201911136133.0A CN201911136133A CN112908886B CN 112908886 B CN112908886 B CN 112908886B CN 201911136133 A CN201911136133 A CN 201911136133A CN 112908886 B CN112908886 B CN 112908886B
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Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd
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Abstract

本公开提供了一种半导体处理设备。半导体处理设备包括具有内部空间的腔室主体；设置在内部空间中的基板支撑台座；气体出口构件，其位于内部空间内的基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及气体引导装置，位于气体出口构件和基板支撑台座之间。所述气体引导装置包括多个瓣元件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且彼此周向重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。

Description

半导体处理设备
技术领域
本公开涉及一种用于半导体处理设备，更具体地，涉及一种气体出口构件 的半导体处理设备。
背景技术
现代集成电路(IC)被设计为包含高特征密度，可以包括数百万个组件， 例如晶体管，电容器，电阻器等。对于更大的电路密度的需求要求减小集成电 路组件的尺寸(或特征尺寸)。最小尺寸通常称为临界尺寸(critical dimension, CD)。CD可以表示特征的最小宽度，例如线，沟槽，节距，堆叠，开口，线 之间的间隔等。
随着CD的缩小，制造IC的工艺条件变得更加重要，以保持高产量。例如， 在半导体装置的处理室中，跨基板的处理均匀性对于维持高成品率至关重要。
发明内容
根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种半导体处理设备。半导体处 理设备包括具有内部空间的腔室主体；设置在内部空间中的基板支撑台座；气 体出口构件，其位于内部空间内的基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及 气体引导装置位于气体出口构件和基板支撑台座之间。所述气体引导装置包括 多个瓣元件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且 彼此周向重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。
根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种用于处理腔室内部的半导体 器件的方法。该方法包括：在腔室主体中执行蚀刻工艺；监视在蚀刻工艺中被 蚀刻的基板的特征；以及根据该特征，调节位于腔室主体内部的气体出口构件 与基板支撑台座之间的气体引导装置。气体引导装置限定了可调节的通道，该 通道具有基本上在圆周上连续的边界，从而可动态调节基板支撑台座上的输出 气体分布。
根据一实施例，本公开的一个方面提供了一种气体引导装置，其配置为布 置在具有多个分配喷嘴的气体出口构件与基板支撑台座之间。所述气体引导装 置包括：引导环，被配置为围绕分配喷嘴布置；以及多个瓣元件，以可枢转的 方式连接到引导环并且彼此周向重叠，被配置为动态地调节基板上的输出气体 分布。
附图说明
为可仔细理解本案以上记载之特征，参照实施态样可提供简述如上之本案 的更特定描述，一些实施态样系说明于随附图式中。然而，要注意的是，随附 图式仅说明本案的典型实施态样并且因此不被视为限制本案的范围，因为本案 可承认其他等效实施态样。
图1示出了根据本公开的一些实施例的半导体处理设备的截面图。
图2示出了根据本公开的一些实施例的半导体处理设备的截面图。
图3示出了根据本公开的一些实施例的气体引导装置的仰视图。
图4示出了根据本公开的一些实施例的气体引导装置的侧视图。
图5示出了根据本公开的一些实施例的气体引导装置的侧视图。
图6示出了根据本公开的一些实施例的具有在汇聚的路径中向下流动的气 体的半导体处理设备的截面图。
图7示出了根据本公开的一些实施例的用于处理半导体基板的方法的流程 图。
然而，应当注意，附图仅示出了本公开的示例性实施例，并且因此不应被 认为是对其范围的限制，因为本公开可以允许其他等效的实施例。
应该注意的是，这些附图旨在说明在某些示例实施例中使用的方法，结构 和/或材料的一般特性，并补充下面提供的书面描述。然而，这些附图不是按比 例绘制的，并且可能不能精确地反映任何给定实施例的精确的结构或性能特征， 并且不应被解释为定义或限制示例实施例所涵盖的值或特性的范围。例如，为 了清楚起见，可以减小或放大层，区域和/或结构组件的相对厚度和位置。在各 个附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示相似或相同的组件或特征的存 在。
主要元件符号说明
Figure RE-GDA0002466176720000031
Figure RE-GDA0002466176720000041
具体实施方式
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了本公开的 示例性实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释 为限于本文阐述的示例性实施例。相反，提供这些示例性实施例使得本公开将 是透彻和完整的，并将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。贯穿全文， 相似的参考标号指代相似的组件。
本文使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不意图限制本公 开。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”，“一个” 和“所述”旨在也包括复数形式。此外，当在本文中使用时，“包括”和/或“包含”或 “包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整数，步骤，操作，组件和/或组件，但 不排除存在或添加一个或多个其它特征，区域，整数，步骤，操作，组件，组 件和/或其群组。
除非另外定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与 本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。此外，除非文中明确 定义，诸如在通用字典中定义的那些术语应所述被解释为具有与其在相关技术 和本公开内容中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化或过于正式的含 义。
本公开的实施例总体上涉及一种用于在处理腔室中制造半导体衬底的方法 和设备，该方法和设备利用喷头(也称为气体分配板)将气体引入腔室中。本 领域技术人员将理解，可以使用其他形式的等离子体蚀刻室来实践本公开，包 括反应离子蚀刻(RIE)室，电子回旋共振(ECR)室等。此外，本公开的实 施例可用于其中处理过程中流量控制可改善整个衬底表面上的处理均匀性的任 何处理腔室，例如原子层沉积(ALD)腔室，化学气相沉积(CVD)腔室，等 离子体增强型腔室化学气相沉积(PECVD)腔室，磁增强等离子体处理腔室等。
以下将结合图1至图7对示例性实施例进行描述。具体实施方式将参考附 图来详细描述本公开，其中所描绘的元件不一定按比例示出。相同或类似的元 件将被赋予相同或相似的附图标记表示或类似的技术用语。
图1示出了根据本公开的半导体处理设备100的截面图。
示例性半导体处理设备100包括具有内部空间111的腔室主体110。内部 空间111耦合到用于抽真空内部空间111的真空泵(图1中未示出)。
基板支撑台座120设置在内部空间111中，位于腔室主体110底部，且在 气体出口构件130下方。基板支撑台座120被配置来支撑基板S1。在图1所 示的实施例中，参照图1，基板支撑台座120包括静电吸盘(electrostatic chuck, ESC)121和边缘环(edge ring)122，该边缘环122被配置为侧向围绕基板S1。
耦合至气体源(图1中未示出)的气体入口140位于气体出口构件130之 前。气体入口140用于将由气体源提供的气体引入气体出口构件130所定义出 的气室111a中。
气体出口构件130位于内部空间111内的基板支撑台座120上方。气体出 口构件130包括多个分配喷嘴(dispense nozzles)131。如图1所示，分配喷嘴 131是被配置为允许气室111a内部的气体朝着基板支撑台座120向下移动的 开口。
在本公开的一些实施例中，半导体处理设备100可以被配置为执行蚀刻工 艺。在这样的实施例中，当快速执行蚀刻过程时，半导体处理设备100的部件 可能随着时间逐渐被蚀刻，这可能导致工艺均匀性的恶化。例如，可能蚀刻环 绕在基板S1侧面的边缘环122。在一些情况下，边缘环122的面对基板S1的 内侧可能被等离子体(plasma)侵蚀凹入，从而定义出间隙122a，该间隙122a 暴露出基板S1的侧面。因此，内部空间111内的等离子体可流入间隙122a， 从而可扰乱基板S1上的等离子体分布。因此，在随后的工艺中，基板S1的侧 边缘附近的特征(features)的CD可能不能保持一致，这可能会严重影响成品率。 在这样的情况下，为了在基板S1上维持均匀的等离子体分布，可能需要缩短边 缘环122的维护周期(maintenance cycle)。
图2示出了根据本公开的半导体处理设备200的截面图。
半导体处理设备200包括具有内部空间211的腔室主体210。内部空间211 耦合至真空泵(图2中未示出)，用于对内部空间211进行真空。内部空间211 可通过穿过腔室主体210的壁的排气口(图2中未示出)连接至真空泵。
基板支撑台座220设置在内部空间211中，位于腔体210底部，在气体出 口构件230下方。基板支撑台座220可以耦合到RF偏置源(RF bias source)， RF偏置源(RF biassource)能够产生可调频率和功率的R F信号。可选地，RF 偏置源可以是DC或脉冲DC源。基板支撑台座220可以包括静电吸盘(ESC) 221以及边缘环222，静电吸盘(ESC)221用于在制程期间将基板S2同心地 保持在基板支撑台座220的表面上。边缘环222侧向地围绕基板S2。静电吸 盘221可由直流电源控制。
气体入口213连接至气体源(图2中未示出)，并位于气体出口构件230 上方。如图2所示，气体入口213位于腔室主体210的顶壁212中。气体入 口213用于将由气体源提供的气体引入由气体出口构件230定义出的气室 211a中。在本公开中，气体入口213也称为涡流诱导(vortex inducing)气体入 口，其配置来使得气体在穿过气体出口构件230之前形成围绕腔室主体210的 中心线的涡流。
气体出口构件230位于内部空间211内，在基板支撑台座220上方。如图 2所示，气体出口构件230包括安装板233，板主体231和环形外壁234。安 装板233安装于顶壁212，并通过环形外壁234连接到板主体231。气室211a 由安装板233，板主体231和环形外壁234限定。气室211a可以是圆柱形的。 在一些实施例中，气室211a可以具有其他几何形状。气室211a被配置为接受 来自至少一个气体入口213的气体。
板主体231包括多个分配喷嘴232。在本公开的一些实施例中，分配喷嘴 232可以是允许气室211a内的气体离开气室211a的结构。例如，分配喷嘴 232可以是通风口，或者是具有用于引导气流的锥形或收缩的短管。如图2所 示的实施例中，分配喷嘴232可以是形成在板主体231上的开口，该分配喷嘴 232被配置来允许充气室211a内部的气体向下朝基板支撑台座220移动。
气体引导装置240包括：引导环(guide ring)242，其配置来围绕分配喷嘴 232地布置；以及多个瓣元件(petal elements)241。瓣元件241可枢转地布置 在气体出口构件230的分配喷嘴232周围。瓣元件241彼此在引导环(guide ring)242的圆周方向上重叠。如图2所示的实施例中，引导环242安装在气体 出口构件230。瓣元件241以可枢转的方式枢转地附接到引导环242并且以环 绕布置(encircling arrangement)的方式在周向上彼此重叠。
气体引导装置240被配置为布置在气体出口构件230和基板S2之间。在根 据本公开的一些实施例中，气体引导装置240在高度方向上是位在气体出口构 件230和基板支撑台座220之间。例如，引导环242能够以使得瓣元件241 在高度方向上位于气体出口构件230和基板支撑台座220之间的方式横向地安 装在气体出口构件230上。在如图2所示的实施例中，引导环242安装在气体 出口构件230的底表面上，该引导环242和瓣元件241在高度方向上位于气体 出口构件230和基板支撑台座220之间。
引导环242可以包括金属。例如，引导环242可以选择性地包括钢和不锈 钢。在本公开的一些实施例中，引导环242包括不锈钢。在本公开的一些实施 例中，引导环242包括陶瓷材料。
在本公开的一些实施例中，每个瓣元件241可以包括涂层。在这样的实施 例中，瓣元件241能够承受等离子体并且较不可能在由设备200执行的处理(例 如蚀刻处理)期间损坏。在本公开的一些实施例中，引导环242也可以包括涂 层。
在根据本公开的一些实施例中，瓣元件241可以可枢转地连接到气体出口 构件230。在这样的实施例中，可以省略引导环242。
瓣元件241被配置來动态地调节基板支撑台座220上的输出气体分布。在 一种情况下，当基板S2被支撑在基板支撑台座220上时，输出气体被分布在 基板S2上。由气体引导装置240限定的通道P的形状是能否理想地调节输出 气体分布的关键因素。为此，在本示例性实施例中，瓣元件241以周向重叠的 方式布置，这使得它们能够协作地限定具有基本上周向连续的边界的可调节通 道P。例如，来自气体出口构件230且通过气体引导装置240的气流将被瓣元 件241的集合所偏转。气流可能保持层流并且连续地到达瓣元件241的周向边 缘而不会在瓣元件241之间泄漏。通道P的形状可以通过驱动瓣元件来控制。 瓣元件241可以被驱动以一起朝向或背离基板S2的中心线C的方式枢转，同 时保持環形重叠布置，从而能够调节通道P的形状。因此，输出气体在支撑台 座220的分布可以被控制。
在本公开的一些实施例中，多个瓣元件241中的至少一个配置來接收提供 致动作用的外部驱动源，从而，当提供驱动力时，能够控制瓣元件241朝向或 远离基板支撑台座220的中心C线地枢转。
图3可以是沿图2中的Ⅲ-Ⅲ线截取的气体引导装置240的仰视图。如前所 述，瓣元件241在圆周方上向以环绕布置的方式彼此重叠，因此，瓣元件241 可以互锁(interlocked)。因此，在图3所示的实施例中，当所述瓣元件241其 中一者枢转时，連动相邻的瓣元件241。在这样的实施例中，当仅一个瓣元件 241被驱动时，所有瓣元件241可同时枢转。
在图2所示的实施例中，每个瓣元件241耦接到致动器243，该致动器243 被配置为提供驱动力以调节瓣元件241的枢转运用。驱动机构可以包括马达 250，该马达250经由对应的致动器243联接到多个瓣元件241中的至少一个。 在这些实施例中，瓣元件241可以由马达250驱动。在来自致动器243的驱动 力的作用下，瓣元件241可以朝着或远离基板支撑台座220的中心线C枢转 地运动，同时保持周向重叠布置。
在本公开的一些实施例中，驱动机构可以进一步包括电连接至马达250的 控制器260和位于腔室主体210外部的用户界面270。在这样的实施例中，操 作员可以通过操作用户界面270来控制马达250。
在一些实施例中，瓣元件241可以经由铰链枢转地联接到引导环242，使 得瓣元件241可以用手驱动。在这样的实施例中，可以省略驱动机构和致动器 243。
在图2所示的实施例中，垂直线L和多个瓣元件241中的每一个之间的角 度α可以在大约0度至90度的范围内调节。在本公开的一些实施例中，角度α 在大约0度至45度的范围内。在角度α的这种范围内，通道P可以保持为有利 于调整输出气体在基板S2上的分布的形状。
在图2所示的实施例中，由多个瓣元件241的尖端所限定的开口的直径Dp与基板支撑台座220上的基板S2的直径DW之间的比率可以在大约90％至 110％的范围内调节。在一实施方案中，该比例为约95％至105％。通过这样 的比率，可以很好地调节输出气体在基板S2的侧面部分的分布。
在本公开的一些实施例中，由多个瓣元件241的尖端限定的开口的直径Dp可在约295mm至305mm的范围内调节。在一种情况下，基板S2的直径DW为300mm，因此开口与基板S2之间的直径变化小于5mm。在这种情况下，由 多个瓣元件241的尖端限定的开口的直径Dp与基板S2的直径DW之间的比在 大约98％至102％的范围内，该范围是落在大约95％至105％的范围內。
图4和图5分别示出由瓣元件的尖端限定的开口的两个不同直径Dp的示意 图。直径Dp可以通过将瓣元件241远离中心线C地枢转来增大，并且可以通 过将瓣元件241朝着中心线C枢转来减小。
在一些情况下，边缘环222可能被蚀刻，因此内部空间211内的等离子体 可以流到基板S2的侧边缘，使得其上的特征(feature)可以被过度蚀刻。在这样 的情况下，当监视基板S2的特征时，可能发现在侧边缘附近的特征的实际尺寸 小于预期的CD尺寸。为了在随后的过程中保持期望的CD大小的要求，可能 需要驱动瓣元件241朝向中心线C枢转。
参照图6，其示出了瓣元件241已经被驱动朝向中心线C枢转。从气体出 口构件230离开的气体601可以在汇聚的路径中向下流动，从而形成在基板 S2上的较窄的输出气体分布。结果，在后续工艺中在基板S2的侧面附近所监 视的特征的实际尺寸可能保持与预期的CD尺寸基本一致。
在某些情况下，在基板S2的侧面附近特征的实际尺寸被监控可能大于预期 的CD尺寸。例如，当瓣元件241事先朝着基板支撑台座220的中心线C枢转 时，在基板S2上的输出气体分布可能太窄。因此，基板S2的侧边缘中的特征 可能未被充分蚀刻。在这样的情况下，瓣元件241可以被驱动以枢转离开中心 线C以在基板S2上产生更宽的气体分布，以在后续工艺中在侧面附近保持特 征的实际尺寸。
图7是示出根据本公开的一些实施例的用于处理腔室主体(例如腔室主体 210)内部的半导体器件(例如基板S2)的方法的流程图。
程序P701：在腔室主体中执行蚀刻处理。
程序P702：监视在蚀刻过程中被蚀刻的基板(例如基板S2)的特征。
程序P703：根据基板的特征的尺寸，调整位于腔室主体内的气体出口构件 (例如，气体出口构件230)和基板支撑台座(例如，基板支撑台座220)之 间的气体引导装置(例如，气体引导装置240)，藉此动态调整基板支撑台座上 的输出气体分布。气体引导装置限定了具有基本上周向连续的边界的可调节通 道。
在本公开的一些实施例中，程序P703包括根据基板的特征来调节多个瓣 元件中的至少一个，使得瓣元件朝向或远离基板的中心线地枢转。瓣元件一起 保持环形重叠布置以调整通道的形状。
在本公开的一些实施例中，在程序P703中，垂直线(例如，垂直线L)与 多个瓣元件中的每个瓣元件之间的角度为大约0度至45度。
在本公开的一些实施例中，在程序P703中，由多个瓣元件的尖端限定的 开口的直径(例如，Dp)在大约295mm至305mm的范围内。
在本公开的一些实施例中，在程序P703中，基板的直径(例如Dw)与由 多个瓣元件的尖端限定的开口的直径之间的比率在大约95％至105％的范围 内。
在本公开的一些实施例中，在程序P703中，用户界面(例如，用户界面 270)被操作，使得电连接到用户界面的驱动机构(例如，与控制器260耦合 的电动机250)驱动多个瓣元素。
因此，本公开的一个方面提供了一种半导体处理设备。半导体处理设备包 括具有内部空间的腔室主体；设置在内部空间中的基板支撑台座；气体出口构 件，其位于内部空间内的基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及气体引导 装置位于气体出口构件和基板支撑台座之间。所述气体引导装置包括多个瓣元 件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且彼此周向 重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。
在本公开的一些实施例中，腔室主体包括顶壁。气体出口构件包括安装板, 环形外壁及板体。该安装板安装于顶壁。板体通过环形外壁耦接到安装板。安 装板,环形外壁和板体定义出气室。多个分配喷嘴形成在所述板体上，并且被配 置为允许气室内的气体朝着基板支撑台座向下移动。
在本公开的一些实施例中，气体引导装置还包括安装在气体出口构件上的 引导环。多个瓣元件枢转地连接到引导环。
在本公开的一些实施例中，该半导体处理设备还包括马达，该马达耦接至 所述瓣元件中的至少一个，使得瓣元件可朝着或远离基板支撑台座的中心线地 枢转，并保持周向重叠布置。
在本公开的一些实施例中，半导体处理设备还包括致动器、电连接至致动 器的控制器和位于腔室主体外部且电连接至控制器的用户界面。马达经由致动 器耦接至瓣元件。
在本公开的一些实施例中，垂直线与多个瓣元件中的每个瓣元件之间的角 度α可在大约0度至45度的范围内调节。
在本公开的一些实施例中，由所述瓣元件的尖端限定的开口的直径可在约 295mm至305mm的范围内调节。
在本公开的一些实施例中，由所述瓣元件的尖端限定的开口的直径与支撑 在基板支撑台座上的基板的直径之间的比率在大约95％至105％。
在本公开的一些实施例中，所述瓣元件包括金属。
在本公开的一些实施例中，所述引导环包括金属。
在本公开的一些实施例中，每個所述瓣元件还包括涂层。
因此，本公开的一个方面提供了一种用于处理腔室内部的半导体器件的方 法。该方法包括：在腔室主体中执行蚀刻工艺；监视在蚀刻工艺中被蚀刻的基 板的特征；以及根据该特征，调节位于腔室主体内部的气体出口构件与基板支 撑台座之间的气体引导装置。气体引导装置限定了可调节的通道，该通道具有 基本上在圆周上连续的边界，从而可动态调节基板支撑台座上的输出气体分布。
在本公开的一些实施例中，气体引导装置包括多个瓣元件，所述瓣元件围 绕所述气体出口构件枢转地布置并且彼此周向重叠，並配置來动态地调节基板 支撑台座上的输出气体分布。所述调节气体引导装置包括根据基底的特征调节 所述瓣元件中的至少一个，使得瓣元件保持環形重叠布置地朝向或远离基底的 中心线地枢转，从而为调整通道的形状。
在本公开的一些实施例中，当调节所述瓣元件中的至少一个时，垂直线与 所述瓣元件中的每个之间的角度在大约0度至45度的范围内。
在本公开的一些实施例中，当调节所述瓣元件中的至少一个时，由所述瓣 元件的尖端限定的开口的直径在大约295mm至305mm的范围内。
在本公开的一些实施例中，当调节所述瓣元件中的至少一个时，由所述瓣 元件的尖端限定的开口的直径与支撑在所述基板支撑台座上的基板的直径之间 的比的范围是从大约95％到105％。
在本公开的一些实施例中，当调节所述瓣元件中的至少一个时，操作用户 界面，使得电连接到所述用户界面的驱动机构驱动所述瓣元件。
因此，本公开的一个方面提供了一种气体引导装置，其配置为布置在具有 多个分配喷嘴的气体出口构件与基板支撑台座之间。所述气体引导装置包括： 引导环，被配置为围绕分配喷嘴布置；以及多个瓣元件，以可枢转的方式连接 到引导环并且彼此周向重叠，被配置为动态地调节基板上的输出气体分布。
在本公开的一些实施例中，垂直线与所述瓣元件中的每个瓣元件之间的角 度可调节地在大约0至45度的范围内。
在本公开的一些实施例中，由所述瓣元件的尖端限定的开口的直径可调节 地在大约295mm至305mm的范围内。
以上示出和描述的实施例仅是示例。在本领域中经常发现许多细节，例如 辐射测量面板和设备的其他特征。因此，没有示出或描述许多这样的细节。即 使在前面的描述中已经陈述了本技术的许多特征和优点以及结构和功能的细 节，但是本公开仅是说明性的，并且可以在细节上进行改变，尤其是在形状， 尺寸方面。以及在原则范围内的各个部分的排列，直至并包括由权利要求书中 所用术语的广义含义所确定的全部范围。因此，将理解，可以在权利要求的范 围内修改上述实施例。

Claims (10)

1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括
腔室主体，具有内部空间；
基板支撑台座，设置在所述内部空间中；
气体出口构件，位于所述内部空间内的所述基板支撑台座上方，具有多个分配喷嘴；及
气体引导装置，位于所述气体出口构件和所述基板支撑台座之间，所述气体引导装置包括多个瓣元件，所述瓣元件可枢转地围绕所述气体出口构件的分配喷嘴布置并且彼此周向重叠，并被配置来动态地调节在基板支撑台座上的输出气体分布。
2.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，
所述腔室主体包括顶壁；
所述气体出口构件包括安装板，环形外壁及板体；
所述安装板安装于顶壁；
所述板体通过环形外壁耦接到安装板；
所述安装板，环形外壁和板体定义出气室；及
所述分配喷嘴形成在所述板体上，并且被配置为允许所述气室内的气体朝着所述基板支撑台座向下移动。
3.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，
所述气体引导装置还包括安装在所述气体出口构件上的引导环；及
所述瓣元件枢转地连接到所述引导环。
4.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括马达，所述马达耦接至所述瓣元件中的至少一个，使得所述瓣元件可朝着或远离所述基板支撑台座的中心线地枢转，并保持周向重叠布置。
5.如权利要求4所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括
致动器，其中，所述马达经由所述致动器耦接至所述瓣元件；
控制器，电连接至所述致动器；及
用户界面，位于所述腔室主体外部且电连接至所述控制器。
6.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，垂直线与所述瓣元件中的每个瓣元件之间的角度α可在0度至45度的范围内调节。
7.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，由所述瓣元件的尖端限定的开口的直径可在295mm至305mm的范围内调节。
8.如权利要求7所述的半导体处理设备，其特征在于，由所述瓣元件的尖端限定的开口的直径与支撑在所述基板支撑台座上的基板的直径之间的比率在95％至105％。
9.如权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述瓣元件包括金属。
10.如权利要求3所述的半导体处理设备，其特征在于，所述引导环包括金属。
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