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CN112585298A - 气化器 - Google Patents

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CN112585298A CN201980035271.1A CN201980035271A CN112585298A CN 112585298 A CN112585298 A CN 112585298A CN 201980035271 A CN201980035271 A CN 201980035271A CN 112585298 A CN112585298 A CN 112585298A
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Abstract

提供在不使用喷雾器的方法中抑制突沸且气化空间的压力变动非常少的气化器。气化器(1)由容器主体(10)、设置于气化器(1)内并被加热的多孔质构件(30)、向多孔质构件(30)供给液体原料(L)的导入管(40)以及将气化的原料气体(G)排出到外部的气体排出路径(7)构成。导入管(40)的出口(41)与多孔质构件(30)接触或接近地配置。出口(41)与多孔质构件(30)接近地配置的情况下的从所述出口(41)到多孔质构件(30)的分离距离(H)在不超过从所述出口(41)到由于表面张力而从所述出口(41)成为液滴并垂下的液体原料(L)的下端的大小的范围内。

Description

气化器
技术领域
本发明涉及不使用用于在气化之前使液体原料雾化的喷雾用载气的气化器，更详细而言，涉及通过使将液体原料向气化器导入的导入管(毛细管)接触或接近多孔质构件(烧结过滤器)，气化过程中的压力变动极小的气化器。
背景技术
在半导体器件的制造工序中有制膜工序、蚀刻工序及扩散工序等，在这些工序中，大多使用气体作为原料。然而，近年来，大多使用液体原料代替原料气体。
该液体原料由气化器转换为气体并供给到反应工序。在原料为气体的情况下，由于利用质量流量控制器进行流量控制，所以流量的稳定性良好。
另一方面，在液体原料的情况下，将进行了流量控制的液体原料导入气化器，在气化器内部利用喷雾气体使其雾化后，通过加热使其气化，但与原料为气体的情况相比，压力变动较大。为了稳定地制作均匀的膜，需要尽可能抑制这种压力变动。
在这种半导体成膜工序中，在最新的半导体成膜工序中，不使用载气的情况增加。在这种不使用喷雾气体或载气的气化工序中，由于后述的理由，与使用喷雾气体或载气的情况相比，压力变动显著地变大。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利3650543号公报
专利文献2：日本专利4601535号公报
发明内容
发明要解决的课题
为了使液体原料高效且稳定地气化，采用了如上所述利用喷雾器将液体原料喷雾并导入气化室内的方法。由此，进行稳定的气化且抑制气化室内部的压力变动。
但是，在不使用喷雾器的最新的方法中，液体原料从较细的导入管滴下，在大粒的液滴的状态下导入气化室。被导入的液滴依次与被加热的气化室的内壁接触并瞬间气化。因此，在气化室的内壁不断产生突沸，气化器的内部压力(气化室的内压)大幅变动。该变动导致向成膜装置供给的原料气体的不均匀并显现。这对成膜装置是致命的，妨碍均匀的成膜。这成为不使用喷雾器的情况下的气化工序中的较大的问题。
本发明鉴于该以往的问题点而作出，其课题在于，提供在不使用喷雾器的方法中抑制液体原料与加热面接触时产生的突沸而气化器内部的压力变动非常少的气化器。
用于解决课题的手段
技术方案1记载的发明为一种气化器1，由容器主体10、多孔质构件30、导入管40及气体排出路径7构成，
所述容器主体10在内部具有气化空间5，
所述多孔质构件30设置在所述气化空间5内并被加热，
所述导入管40从外部插通到气化空间5，并向多孔质构件30供给液体原料L，
所述气体排出路径7将通过多孔质构件30气化而生成的原料气体G从气化空间5排出到外部，其特征在于，
导入管40的出口41与多孔质构件30接触或接近地配置，
所述出口41与多孔质构件30接近地配置的情况下的从所述出口41到多孔质构件30的分离距离H在不超过从所述出口41到由于表面张力而从所述出口41成为液滴并垂下的液体原料L的下端的大小的范围内。
技术方案2记载的发明为，根据技术方案1所述的气化器1，其特征在于，
在导入管40的出口41的附近的侧面贯穿设置有微小贯通孔45。
技术方案3记载的发明为，根据技术方案1或2所述的气化器1，其特征在于，
在多孔质构件30的表面形成有供导入管40的出口41插入的凹部34。
技术方案4记载的发明为，根据技术方案1～3中任一项所述的气化器1，其特征在于，
多孔质构件30由金属烧结体、陶瓷、金属丝网层叠体或金属纤维无纺布的烧结体构成。
技术方案5记载的发明为，根据技术方案1或2所述的气化器1，其特征在于，
多孔质构件30由多块多孔质板30a、30b的层叠体构成。
技术方案6记载的发明为，根据技术方案3所述的气化器1，其特征在于，
多孔质构件30由多块多孔质板30a、30b的层叠体构成，在导入管40的出口41侧的多孔质板30a上设置有用于形成凹部34的贯通孔34a，远离所述出口41的多孔质板30b构成为平板状。
技术方案7记载的发明为，根据技术方案1所述的气化器1，其特征在于，
到达导入管40的出口41的端面42的切口48设置在所述出口41的附近。
发明的效果
由于本发明的气化器1的导入管40的出口41与多孔质构件30接触或以上述范围内的分离距离H接近地配置，所以从出口41流出的液体原料L在与多孔质构件30接触的同时比气化快地渗透到多孔质构件30内，以与出口41一致的点为中心向其周围急速扩散。
而且，在与导入管40的出口41一致的点的周围，液体原料L从多孔质构件30的表面逐渐连续地蒸发。由此，大幅抑制气化器1内的压力变动。
附图说明
图1是本发明的气化器和与其连接的液体流量控制阀的纵剖视图。
图2是使导入管与本发明的多孔质构件接触的状态下的纵剖视图。
图3是图2的X-X线剖面向视图。
图4是在图2的情况下出口闭塞且液体原料从微小贯通孔流出的情况下的纵剖视图。
图5是使导入管与本发明的多孔质构件分离的状态下的纵剖视图。
图6是使导入管插入本发明的多孔质构件的凹部的状态下的纵剖视图。
图7是本发明的多孔质构件为金属丝网层叠体的烧结体的情况下的纵剖视图。
图8是本发明的多孔质构件为金属纤维无纺布烧结体的情况下的纵剖视图。
图9是本发明的多孔质构件由多块构成的状态下的纵剖视图。
图10是本发明的多孔质构件由多块构成且在最上部的多孔质板上设置有贯通孔的状态下的纵剖视图。
图11是在本发明的导入管的出口端部设置有切口的状态下的纵剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明。图1是本发明的气化器1的纵剖视图，由容器主体10、多孔质构件30、导入管40、加热器50a、50b及热电偶60a、60b构成。
容器主体10由外块11和内块21构成，它们由耐液体原料L的耐蚀性材料构成。在外块11上形成有下表面开口的收纳孔12，且贯穿设置有从外块11的上表面到达收纳孔12的顶面的插通孔13。而且，在将收纳孔12包围的外块11的侧壁14中嵌入有一至多个加热器50a，将外块11加热至设定温度。在外块11的顶板部分安装有测定外块11的温度的热电偶60a。为了正确地测量与顶板部分接触的气化空间5的温度，热电偶60a的前端插入到与顶板部分接近的部分。
内块21由基台22和在该基台22的上表面中央突出设置的台部23构成，在从内块21的底部到达台部23的上表面附近的部分安装有一至多根内块21用的加热器50b。
在台部23的上表面与外块11的收纳孔12的顶面之间设置有空间，将该空间作为气化空间5。另外，在收纳孔12的内周面与台部23的外周面之间，在整周设置有间隙，将该间隙作为构成气体排出路径7的一部分的气体排出间隙17。
而且，在内块21内，从下表面朝向台部23的上表面设置有下表面开口的中心孔24。中心孔24的下表面由盖构件27闭塞。设置有从该中心孔24的上端部的侧面与气体排出间隙17连通的气体导入孔25，设置有从中心孔24的底部附近的侧面与气体排出喷嘴29的前端连通的气体排出孔26，所述气体排出喷嘴29设置于基台22的侧面。由这些气体排出间隙17、气体导入孔25、中心孔24及气体排出孔26形成气体排出路径7。而且，在该情况下也为了检测气化空间5内的温度，为了测定台部23的上表面附近的温度，从内块21的底部到台部23的上表面附近安装有热电偶60b。
此外，在能够用外块11的加热器50a将气化空间5内的温度充分地保持在能够气化的温度的情况下，省略内块21的加热器50b。相反，在能够用内块21的加热器50b将气化空间5内的温度充分地保持在能够气化的温度的情况下，省略外块11的加热器50a。
多孔质构件30是厚板圆板状的构件，能够利用耐蚀性优异的不锈钢、哈斯特洛伊(Hastelloy)合金、坡莫合金(Permalloy)等合金的粒子31的烧结体，根据液体原料L的种类的不同，也能够利用其他金属例如铜、铝、铁等的烧结体，而且，也能够利用陶瓷的烧结体等。
设置于这些多孔质构件30的粒子31之间的间隙38相互连通(所谓的连续气泡型)且在多孔质构件30的表面(进一步而言为后述的凹部34的内周面和底面)上有无数个开口。厚度比气化空间5的高度(从台部23到收纳孔12的顶面的高度)薄，最大的大小为覆盖台部23的上表面整体的大小。当然，只要不妨碍渗透的液体原料L的气化，可以小于台部23的上表面。
作为多孔质构件30的其他例子，可列举图7所示的耐蚀性、耐化学药品性优异的金属丝网层叠体的烧结体32、图8所示的耐蚀性、耐化学药品性优异的金属纤维的较厚的无纺布状烧结体33。它们的高度及面积与上述粒子31的烧结体相同。这些金属丝网、纤维的间隙成为间隙38，液体原料L逐渐渗透。
作为这些多孔质构件30的形状的变形例，如图6所示，有在多孔质构件30的上表面中心部形成有凹部34的多孔质构件30。作为后述的导入管40的下端的出口41插入该凹部34。如上所述，在该凹部34的内周面及底面，无数的间隙38开口。该凹部34也形成于金属丝网层叠体的烧结体32、金属纤维的较厚的无纺布状烧结体33。该多孔质构件30固定于内块21的台部23的上表面。
图9是多孔质构件30由多块多孔质板30a、30b的层叠体构成的例子。在图中为上下两块，当然不限于此，也可以是三块以上。这些多孔质板30a、30b的空隙率可以设为相同，也可以增大最上层(接近导入管40的多孔质板30a)的空隙率(即稀疏)，使其以下的多孔质板30b的空隙率小于最上层的多孔质板30a的空隙率(即致密)。因此，也可以改变构成多孔质板30a、30b的原材料(以上所示)。
由于最上层的多孔质板30a与其以下的多孔质板30b相比容易堵塞，所以在产生堵塞的情况下仅更换最上层的多孔质板30a即可。
图10是图6的变形例，可以在多块多孔质板30a、30b中的上层(导入管40的出口41侧)的多孔质板30a上设置用于形成凹部34的贯通孔34a，将下侧(远离出口41的一方)的多孔质板30b构成为平板状，使图6所示的凹部34位于导入管40的出口41的正下方。
导入管40是从设置在气化器1的上方并将所设定的质量流量的液体原料L供给到下游的气化器1的例如液体流量控制阀9这样的装置导出的毛细管。在图1中，导入管40用一根构件表示，但也可以将多个构件接合。该导入管40也与多孔质构件30同样地用耐蚀性、耐化学药品性优异的原材料构成。
该导入管40可以用一根毛细管构成整体，也可以如图2、图3所示在前端部分的侧面设置微小贯通孔45。在图中，设置有四个微小贯通孔45。
而且，该导入管40有如图2所示使其前端的出口41与多孔质构件30的表面接触而设置的情况和如图5所示在多孔质构件30的表面与出口41之间隔开少许的分离距离H而设置的情况这两种情况。关于其区别使用，原则上，对于液体原料L容易热分解而容易形成反应生成物中的堆积物70的情况，隔开少许的分离距离H而设置，不是这种情况下使其接触而使用。
上述分离距离H通常为0.5mm～1.0mm左右，最大的分离距离H设为使液体原料L从导入管40的出口41滴下时从出口41到该液滴的下端的大小。由于当该分离距离H过大时，在使液体原料L从导入管40滴下时，该液滴从出口离开，成为球状并与多孔质构件30的上表面碰撞，在该碰撞的瞬间产生突沸而在气化空间5内产生较大的气压变动，所以，上述最大的分离距离H的设置是为了防止这种情况。即，在将分离距离H设为液体原料L的液滴的大小的情况下，从出口41滴下的液体原料L的液滴在离开出口41前与多孔质构件30的表面接触，在该瞬间渗透到多孔质构件30内而不会产生上述那样的突沸。
图11是导入管40的其他例，在上述出口41的附近(从端面42起1mm～5mm的范围内)设置有一至多个到达导入管40的出口41的端面42的切口48。该切口48可以是如图所示正面观察时趋向出口41的端面42而切口宽度扩大的三角形，也可以是切口宽度不变的线状。
接着，说明本发明的气化器1的使用例。当向气化器1的外块11用的加热器50a通电时，将外块11加热到设定温度。用设置于外块11的热电偶60a通过反馈控制进行温度管理。由此，气化空间5内保持在适合于气化的温度，由此，多孔质构件30也保持在该温度。
在图2的情况下，导入管40在其前端部分设置有微小贯通孔45，在图11的情况下，导入管40在其前端部分设置有切口48，该出口41设置成与多孔质构件30的上表面接触。液体原料L选择难以通过加热而产生反应生成物的原料。
在这样的状态下，当从导入管40向多孔质构件30供给例如由液体流量控制阀9进行了质量流量控制的液体原料L时，到达导入管40的出口41的液体原料L不气化而瞬时从多孔质构件30的表面渗透到间隙38，向周围急速地扩散。
由于多孔质构件30固定于内块21的台部23的上表面，并如上所述被保持在设定温度，所以渗透到多孔质构件30中的液体原料L在多孔质构件30中被加热。被加热的液体原料L在导入管40的周围从在多孔质构件30的表面露出的间隙38以不产生突沸的方式依次静态地逐渐气化。其结果是，气化空间5内的压力变动变得极小，进行稳定的气化。气化的原料气体G通过由外块11与内块21之间的气体排出间隙17、气体导入孔25、中心孔24及气体排出孔26构成的气体排出路径7送到下一工序。由此，能够进行高精度的成膜。
在上述说明中，在外块11仅使用加热器50a，但在超过该加热器50a的能力而供给了液体原料L的情况下或者由于液体原料L的特性而不容易气化的情况下，一并使用内块21的加热器50b。由于多孔质构件30固定于内块21的台部23的上表面，所以当向内块21的加热器50b供电时，该热传递给多孔质构件30。
当然，由于两个加热器50a、50b利用热电偶60a、60b进行热管理，所以即使在最初的情况下也可以一并使用两个加热器50a、50b。
当长时间进行上述气化作业时，即使是难以产生反应生成物的液体原料L，也存在反应生成物堆积在导入管40的出口41，最终将出口41闭塞的情况。在该情况下，在出口41附近的侧面从微小贯通孔45推出液体原料L，顺着导入管40的外表面静态地流下到多孔质构件30并立刻渗透于多孔质构件30。当预先如上所述在出口附近设置微小贯通孔45时，即使在出口41闭塞的情况下，也能够不中断地进行气化作业。
图11所示的切口48与微小贯通孔45相同，即使反应生成物堆积于出口41，也在切口48的反应生成物堆积高度以上的部分开口，液体原料L从该部分静态地流下并立刻渗透于多孔质构件。
与之相对，图5是使导入管40的出口41从多孔质构件30的表面分离地配置的情况。即使应用的液体原料L容易形成反应生成物，也能够应用。
在该情况下，如上所述，即使反应生成物在从导入管40的出口41到多孔质构件30的间隙38的范围内逐渐堆积，也在堆积物70与导入管40的出口41之间确保供液体原料L流出的间隙，所以能够不中断地进行气化作业。流出的液体原料L在气化前被多孔质构件30吸收，与无间隙的情况同样地，在保持稳定的状态的同时气化。
在此，虽然是导入管40的出口与多孔质构件30的分离距离H，但当导入管40的出口与多孔质构件30的分离距离H过大时，从出口41流出的液体原料L由于其表面张力而成为球状，落下到多孔质构件30的表面，在该瞬间瞬时气化而产生突沸，在气化空间5中产生较大的压力变动。因此，该分离距离H在执行静态的气化作业方面成为重要的要素。
分离距离H通常在0.5mm～1.0mm之间设定，但最大成为从出口41到从出口41垂下的液滴的下端的距离。该值根据液体原料L的表面张力而不固定，选定比该值小的值即可，实际上选定上述那样的值。从该意义来说，上述数值在本发明中具有重要的意义。
此外，在该情况下，在最上层(及包含最上层的上层)的多孔质板30a形成为比下层的多孔质板30b稀疏的情况下，液体原料L向最上层(及包含最上层的上层)的多孔质板30a的渗透速度变快，能够更良好地抑制上述突沸。
图6是在多孔质构件30的表面中央设置凹部34，使导入管40的出口41与该凹部34的底部接触或者在上述分离距离H的范围内分离地插入的情况。在该情况下，除了上述作用效果之外，由于液体原料L积存在凹部34内，所以液体原料L不仅从凹部34的底部也从内侧面逐渐渗透到多孔质构件30内，渗透面积增加。由此，与不设置凹部34的情况相比，液体原料L向多孔质构件30的渗透速度变大。除此以外与上述相同。
此外，在该情况下，多孔质构件30由多块多孔质板30a、30b构成，使用将形成有凹部34用的贯通孔34a的多孔质板30a和没有形成凹部34用的贯通孔34a的平板状的多孔质板30b中的最上层的多孔质板如上所述稀疏地形成的多孔质构件30，在如上所述使平板状的多孔质板30b中的比最上层的多孔质板靠下方的多孔质板致密的情况下，在稀疏的部分，液体原料L的渗透速度变快，与上述同样地，能够更良好地抑制突沸。
附图标记的说明
1：气化器，5：气化空间，7：气体排出路径，9：液体流量控制阀，10：容器主体，11：外块，12：收纳孔，13：插通孔，14：侧壁，17：气体排出间隙，21：内块，22：基台，23：台部，24：中心孔，25：气体导入孔，26：气体排出孔，27：盖构件，29：气体排出喷嘴，30：多孔质构件，30a、30b：多孔质板，31：粒子，32：金属丝网层叠体的烧结体，33：金属纤维的较厚的无纺布状烧结体，34：凹部，34a：贯通孔，38：间隙，40：导入管，41：出口，42：端面，45：微小贯通孔，48：切口，50a、50b：加热器，60a、60b：热电偶，70：堆积物，G：原料气体，H：分离距离，L：液体原料

Claims (7)

1.一种气化器，由容器主体、多孔质构件、导入管及气体排出路径构成，
所述容器主体在内部具有气化空间，
所述多孔质构件设置在所述气化空间内并被加热，
所述导入管从外部插通到气化空间，并向多孔质构件供给液体原料，
所述气体排出路径将通过多孔质构件气化而生成的原料气体从气化空间排出到外部，
其特征在于，
导入管的出口与多孔质构件接触或接近地配置，
所述出口与多孔质构件接近地配置的情况下的从所述出口到多孔质构件的分离距离在不超过从所述出口到由于表面张力而从所述出口成为液滴并垂下的液体原料的下端的大小的范围内。
2.根据权利要求1所述的气化器，其特征在于，
在导入管的出口的附近的侧面贯穿设置有微小贯通孔。
3.根据权利要求1或2所述的气化器，其特征在于，
在多孔质构件的表面形成有供导入管的出口插入的凹部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的气化器，其特征在于，
多孔质构件由金属烧结体、陶瓷、金属丝网层叠体和金属纤维无纺布的烧结体中的任一种构成。
5.根据权利要求1或2所述的气化器，其特征在于，
多孔质构件由多块多孔质板的层叠体构成。
6.根据权利要求3所述的气化器，其特征在于，
多孔质构件由多块多孔质板的层叠体构成，在导入管的出口侧的多孔质板上设置有用于形成凹部的贯通孔，远离所述出口的多孔质板构成为平板状。
7.根据权利要求1所述的气化器，其特征在于，
到达导入管的出口的端面的切口设置在所述出口的附近。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7495334B2 (ja) 2020-11-26 2024-06-04 株式会社リンテック 気化器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445838A (ja) * 1990-06-09 1992-02-14 Stec Kk 液体材料供給システムにおける気化器
JPH0528960U (ja) * 1991-09-26 1993-04-16 サンデン株式会社 液体混入検知機構
US7332040B1 (en) * 1999-09-09 2008-02-19 Tokyo Electron Limited Semiconductor manufacturing system having a vaporizer which efficiently vaporizes a liquid material
JP2009147356A (ja) * 2009-02-02 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 気化器及び成膜装置
CN102060268A (zh) * 2005-03-29 2011-05-18 卡西欧计算机株式会社 蒸发装置以及液体吸收件
JP2011156485A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Tokyo Gas Co Ltd 気化装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS461535Y1 (zh) 1970-02-16 1971-01-20
JPH06300197A (ja) * 1993-04-14 1994-10-28 Canon Inc 液体原料気化供給装置
JPH1085581A (ja) * 1996-05-24 1998-04-07 Ebara Corp 気化器
JP3650543B2 (ja) 1999-07-01 2005-05-18 株式会社リンテック 気化装置
JP2001239151A (ja) * 2000-03-01 2001-09-04 Toho Gas Co Ltd 気化装置
CN101495190B (zh) * 2005-03-16 2013-05-01 高级技术材料公司 用于从固体源递送试剂的系统
JP4601535B2 (ja) * 2005-09-09 2010-12-22 株式会社リンテック 低温度で液体原料を気化させることのできる気化器
JP5179823B2 (ja) * 2007-09-28 2013-04-10 東京エレクトロン株式会社 気化器及び成膜装置
US8495973B2 (en) * 2009-11-03 2013-07-30 Protonex Technology Corporation Thin film vaporizer
WO2013094680A1 (ja) * 2011-12-20 2013-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および気化装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0445838A (ja) * 1990-06-09 1992-02-14 Stec Kk 液体材料供給システムにおける気化器
JPH0528960U (ja) * 1991-09-26 1993-04-16 サンデン株式会社 液体混入検知機構
US7332040B1 (en) * 1999-09-09 2008-02-19 Tokyo Electron Limited Semiconductor manufacturing system having a vaporizer which efficiently vaporizes a liquid material
CN102060268A (zh) * 2005-03-29 2011-05-18 卡西欧计算机株式会社 蒸发装置以及液体吸收件
JP2009147356A (ja) * 2009-02-02 2009-07-02 Tokyo Electron Ltd 気化器及び成膜装置
JP2011156485A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Tokyo Gas Co Ltd 気化装置

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