[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN112575297B - 成膜装置及埋入处理装置 - Google Patents

成膜装置及埋入处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN112575297B
CN112575297B CN202010974944.4A CN202010974944A CN112575297B CN 112575297 B CN112575297 B CN 112575297B CN 202010974944 A CN202010974944 A CN 202010974944A CN 112575297 B CN112575297 B CN 112575297B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sheet
protective sheet
electronic component
component
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010974944.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112575297A (zh
Inventor
西垣寿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
Publication of CN112575297A publication Critical patent/CN112575297A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112575297B publication Critical patent/CN112575297B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50Substrate holders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

本发明提供一种埋入处理装置及成膜装置,埋入处理装置进行使电子零件的电极露出面与保护片良好地密接的埋入处理,成膜装置对进行了埋入处理的电子零件进行成膜处理。实施方式的成膜装置包括埋入处理部、成膜处理部,其中埋入处理部包括:腔室,能够使内部成为真空;片加压体,设置在腔室内,且位于隔着保护片与电子零件相反的一侧;零件加压体,设置在腔室内,且位于隔着电子零件与保护片相反的一侧;片侧弹性体,设置在片加压体上,且具有与保护片相向的平坦的片相向面;平坦的零件相向面,设置在零件加压体上,与电子零件相向;以及驱动机构,使片加压体与零件加压体相对移动,从而在片相向面与零件相向面之间,将电子零件与保护片按压贴合。

Description

成膜装置及埋入处理装置
技术领域
本发明涉及一种在已被粘贴在保护片上的电子零件上进行成膜的成膜装置、及将电子零件埋入保护片的粘着面的埋入处理装置。
背景技术
在以移动手机为代表的无线通信机器中搭载有许多半导体装置等电子零件。电子零件为了经过各种处理而被从处理装置朝处理装置搬送。作为处理的代表例,可列举电磁波屏蔽膜的形成。为了防止对于通信特性的影响,电磁波屏蔽膜抑制电磁波朝外部的泄漏等电磁波对于内外的影响。通常,电子零件通过密封树脂来形成外形而成,为了遮蔽电磁波,在此密封树脂的顶面及侧面设置导电性的电磁波屏蔽膜(参照专利文献1)。
作为电磁波屏蔽膜的形成方法,已知有电镀法。但是,电镀法需要前处理工序、电镀处理工序、及如水洗那样的后处理工序等湿式工序,因此无法避免电子零件的制造成本的上升。因此,作为干式工序的溅射法正受到关注。在溅射法中,将惰性气体导入配置有靶的真空容器中,并施加电压。于是,已等离子体化的惰性气体的离子碰撞成膜材料的靶,并使已被从靶中打出的粒子堆积在电子零件上。此堆积层成为电磁波屏蔽膜。
实现溅射法的成膜装置包括:内部成为真空室的圆柱状的腔室、被收容在腔室内并具有与此腔室同轴的旋转轴的旋转台、及在腔室内经划分的成膜位置。将电子零件载置在旋转台上,并使旋转台沿着圆周方向进行旋转,由此使电子零件到达成膜位置,而使电磁波屏蔽膜成膜。如此,在处理装置内也存在电子零件的旋转搬送。
在此种在装置内外的电子零件的搬送中,存在电子零件因加减速或旋转等而受到惯性力,产生电子零件的颠倒、或从成膜位置上的脱落的担忧。因此,电子零件被粘贴在粘着膜上来搬送,接受电磁波屏蔽膜的成膜。可通过抵抗惯性力的粘着力而阻拦电子零件并将其保持在适当位置上。以下,将此种粘着膜称为保护片。
保护片不仅提高电子零件的阻拦性,而且防止成膜处理时电磁波屏蔽膜的粒子附着在电极上,维持电极间的绝缘。电子零件的电极一般被称为焊球凸块,通过将直径为几十μm~几百μm的球状焊料(焊球)与电子零件的焊盘电极接合而形成。电极从电子零件的电极露出面露出,配置成矩阵(行列)状。
将此种电极埋入具有柔软性的粘着膜,使电极露出面与保护片密接。电极的埋入通过将电子零件载置在保护片的粘着面上并按压来进行。由此,电极及电极露出面被保护片覆盖,所以电磁波屏蔽膜的粒子无法进入电极露出面与保护片之间,不会到达电极。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]国际公开第2013/035819号公报
[专利文献2]日本专利特开平6-97268号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
如上所述,为了将电子零件的电极埋入保护片中,即使将电子零件按压在保护片上,保护片的表面有时也不会依照电极的表面以及电极露出面而变形。于是,在电极露出面与保护片之间有可能产生与外部相通的间隙、或不与外部相通的空隙。
在成膜处理时,电磁波屏蔽膜的粒子从与外部相通的间隙进入。如果进入间隙的电磁波屏蔽膜的粒子以在电极间交联的方式附着,则无法维持电极间的绝缘性。
另外,当产生不与外部相通的空隙时,则会导致电子零件与保护片的密接性降低。因此,在装置之间搬送电子零件时、或在成膜装置内搬送电子零件时,抵挡不住惯性力的电子零件从保护片剥离,如上所述,成为在电极露出面和保护片之间产生与外部相通的间隙的原因。
为了防止以上那样的电磁波屏蔽膜的粒子的进入,排列成矩阵状的多个电极中的最外周的电极与电极露出面的外缘之间,需要由保护片堵塞。但是,近年来,随着电子零件的小型化,不仅是电极间的间隙,从最外周的电极到电极露出面的外缘的距离也变得非常短。于是,由于电极露出面的外缘附近的面积变小,保护片的表面以依照电极的表面及电极露出面的方式变形难以确保密接面积。因此,在小型化不断发展的电子零件的情况下,更容易产生所述的间隙或空隙的问题。
本发明是为了解决所述课题而提出,其目的在于提供一种进行使电子零件的电极露出面与保护片良好地密接的埋入处理的埋入处理装置。并且,本发明的目的在于,提供一种对进行了使电极露出面与保护片良好地密接的埋入处理的电子零件进一步进行成膜处理的成膜装置。
[解决问题的技术手段]
为了达成上述目的,本发明的成膜装置是一种针对形成有电极的电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件的成膜装置,包括:埋入处理部,将所述电极埋入所述保护片的粘着面;以及成膜处理部,将成膜材料成膜在所述电极埋入所述保护片中的所述电子零件,其中,所述埋入处理部包括:腔室,能够使内部成为真空;片加压体,设置在所述腔室内,且位于隔着所述保护片与所述电子零件相反的一侧;零件加压体,设置在所述腔室内,且位于隔着所述电子零件与所述保护片相反的一侧;片侧弹性体,设置在所述片加压体上,且具有与所述保护片相向的平坦的片相向面;平坦的零件相向面,设置在所述零件加压体上,与所述电子零件相向;以及驱动机构,使所述片加压体与所述零件加压体相对移动,从而在所述片相向面与所述零件相向面之间,将所述电子零件与所述保护片按压贴合。
[发明的效果]
根据本发明的埋入处理装置,能够进行使电子零件的电极露出面与保护片良好地密接的埋入处理。并且,根据本发明的成膜装置,能够对进行了使电极露出面与保护片良好地密接的埋入处理的电子零件进一步进行成膜处理。
附图说明
图1是表示经成膜处理的电子零件的侧面图。
图2是表示受到成膜处理后的电子零件的形态的侧面图。
图3是表示受到成膜处理时的电子零件的形态的分解立体图。
图4是表示电子零件的成膜工艺流程的变迁图。
图5是表示成膜装置的结构的框图。
图6是表示埋入处理部的结构的示意图。
图7是示意性地表示埋入处理部在各工序中的状态的变迁图。
图8是示意性地表示埋入处理部在各工序中的状态的变迁图。
图9是表示埋入处理部中的电子零件的状态的变迁图。
图10是表示保护片与零件侧弹性体接触的状态的图。
图11是表示板安装部的示意图。
图12是表示成膜处理部的示意图。
图13是表示板解除部的示意图。
图14是表示剥离处理部的示意图。
符号的说明
1:埋入处理部
2:板安装部
3:成膜处理部
4:板解除部
5:剥离处理部
7:成膜装置
10、31:腔室
11:盖部
11a、12a:相向面
12:载置部
12b、120b、121b、224、424、631:推杆插通孔
12c、115、132b、215、415:密封构件
12d:排气孔
13、23、43:推杆
21、41:顶部
22、42、51:载置台
24b、45:密闭空间
32:取样室
33:分隔部
34:旋转台
35:表面处理部
36:溅射源
44:夹持块
52:夹头
53:引导部
54:片止动部
55:零件止动部
60:电子零件
61:保护片
62:框架
63:冷却板
64:粘着片
65:零件未载置片
66:零件已载置片
67:零件已埋入片
68:零件搭载板
73:搬送部
74:控制部
75:气压回路
111、512、211、411:内部空间
120:片加压体
120a、130a、212、412、511:平坦面
121:片侧弹性体
121a:片相向面
130:零件加压体
131:零件侧弹性体
131a:零件相向面
132:驱动机构
132a:驱动轴
213、413、513、632:空气孔
214、223、414、423、514:气压供给孔
221、421:开口
222、422:缘部
311:处理位置
312:成膜位置
361:靶
601:电极露出面
602:电极
603:顶面
604:侧面
605:电磁波屏蔽膜
611:粘着面
612:非粘着面
613:外框区域
614:中框区域
615:零件排列区域
621:引导部插通孔
H1、H2:高度
Ts、Te:厚度
Wb:距离
具体实施方式
[电子零件]
图1是表示经成膜处理的电子零件60的侧面图。在电子零件60的表面上形成电磁波屏蔽膜605。再者,在图1中仅以剖面示出了电磁波屏蔽膜605。电子零件60是半导体芯片、二极管、晶体管、电容器或表面声波(Surface Acoustic Wave,SAW)滤波器等表面封装零件。半导体芯片是将多个电子元件集成化而成的集成电路(Integrated Circuit,IC)或大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit,LSI)等集成电路。此电子零件60具有球栅阵列(Ball Grid Array,BGA)、接点栅格阵列(Land Grid Array,LGA)、小外形封装(Small Outline Package,SOP)、四面扁平封装(Quad Flat Package,QFP)、晶片级封装(Wafer Level Package,WLP)等的大致长方体形状,一面成为电极露出面601。电极露出面601是电极602露出,与封装基板相对来与封装基板连接的面。电极602被称为球形凸块或焊球凸块,其是将形成为直径几十μm~几百μm的球状的焊料(焊球)搭载在焊盘电极上而形成。
电磁波屏蔽膜605遮蔽电磁波。电磁波屏蔽膜605例如由Al、Ag、Ti、Nb、Pd、Pt、Zr等材料形成。电磁波屏蔽膜605也可以由Ni、Fe、Cr、Co等磁性体材料形成。另外,也可以形成SUS、Ni、Ti、V、Ta等的膜来作为电磁波屏蔽膜605的基底层,另外,也可以形成SUS、Au等的膜来作为最表面的保护层。
电磁波屏蔽膜605形成在电子零件60的顶面603及侧面604,即电极露出面601以外的外表面上。顶面603是与电极露出面601相反的面。侧面604是将顶面603与电极露出面601连接,以与顶面603及电极露出面601不同的角度延长的外周面。为了获得阻断电磁波的屏蔽效果,电磁波屏蔽膜605只要至少形成在顶面603上即可。但是,为了获得良好的屏蔽效果,优选不仅在顶面603的整体,而且在侧面604的整体也形成电磁波屏蔽膜605。在侧面604上存在未图示的接地引脚(ground pin)。针对侧面604的电磁波屏蔽膜605的形成也是为了电磁波屏蔽膜605的接地。
[保护片]
图2是表示接受成膜处理后的电子零件60的状态的侧面图。在图2中,用剖面表示电子零件60以外的构件。另外,图3是表示支撑受到成膜处理时的电子零件60的形态的分解立体图。如图2及图3所示,电子零件60的电极602在成膜处理前被埋设在保护片61中,电极露出面601密接在保护片61上。通过将电极602埋设在保护片61中,阻止电磁波屏蔽膜605的粒子到达电极602中。另外,由于电极露出面601与保护片61密接,电磁波屏蔽膜605的粒子进入电极露出面601与保护片61之间的余地丧失,而使电磁波屏蔽膜605的粒子到达电极602中的可能性下降。
保护片61是聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene naphthalate,PEN)、聚酰亚胺(Polyimide,PI)等具有耐热性的合成树脂。保护片61的一面成为具有电极602陷入的柔软性、及电极露出面601进行密接的粘着性的粘着面(粘着层)611。作为粘着面611,可使用硅酮系、丙烯酸系的树脂,以及氨基甲酸酯树脂,环氧树脂等具有粘接性的各种材料。
粘着面611被划分成:从保护片61的端部朝内侧到达规定距离为止的外框区域613、从外框区域613的内周朝内侧到达规定距离为止的中框区域614、及比中框区域614更内侧的零件排列区域615。电子零件60被粘贴在零件排列区域615中。在外框区域613中粘贴框状的框架62。中框区域614是产生保护片61的翘曲的范围,既不粘贴框架62也不粘贴电子零件60。再者,粘着面611的相反面为非粘着面612。
保护片61经由粘着片64而粘附在冷却板63上。冷却板63由SUS等的金属、陶瓷、树脂、或其他导热性高的材质形成。此冷却板63是将电子零件60的热放出,抑制过度的蓄热的散热通道。粘着片64的两面具有粘着性,提高保护片61与冷却板63的密接性,并确保朝冷却板63中的传热面积。
从零件排列区域615的表面至框架62的上端面为止的高度H1比从零件排列区域615的表面至电子零件60的顶面603为止的高度H2高(参照图4)。再者,高度H1是将电子零件60与保护片61按压贴合的方向、即与保护片61的平面正交的方向的长度,为了方便也存在将高度H1改称为厚度H1的情况,但含义相同。总之,若设为将平板放置在框架62上者,则电子零件60的顶面603未达此平板。
在框架62的一端部贯设有引导部插通孔621。引导部插通孔621沿着框架62的端部具有长的椭圆、矩形、圆形等的开口,贯穿粘贴在保护片61上的面及其相反的露出面而设置。即,例如若将棒状构件插入引导部插通孔621中,并按压保护片61的端部(参照图14),则保护片61的一端部从框架62上剥离。
在冷却板63及粘着片64上形成有推杆(pusher)插通孔631。推杆插通孔631与引导部插通孔621不一致,贯设在由框架62堵塞的位置上。以如下方式贯设多个推杆插通孔631:若将例如棒状构件插入推杆插通孔631中,并通过棒状构件的前端来向上推框架62,则框架62整体平行地升起。例如,若框架62是外形为矩形的框体,则推杆插通孔631位于四角、或进而位于各边中心。就维持框架62的平行的观点而言,棒状构件理想的是具有矩形形状的前端面,即理想的是细板状或剖面L字型形状等,但并不限定于此,也可以具有圆形形状的前端面。推杆插通孔631相对应地具有矩形形状、L字状或圆形状。
进而,在冷却板63及粘着片64上,在粘贴保护片61的中框区域614及零件排列区域615的范围的整个区域中,等间隔地形成有许多微细的空气孔632。此空气孔632例如为微小圆筒形状或狭缝状。空气孔632是为了如下目的而设置:均匀地对粘贴在冷却板63上的保护片61的至少零件排列区域615赋予负压或正压。此空气孔632的数量或贯设间隔及贯设范围并不限定于此,例如,也可以仅设置在与零件排列区域615对应的范围内,也可以在冷却板63及粘着片64的中心密集地配置空气孔632,另一方面,在外侧稀疏地配置,另外,也可以在与零件排列区域615的中央对应的位置上仅设置一个。
[成膜工艺流程]
在成膜工艺中,经过零件载置工序、零件埋入工序、板安装工序、成膜工序、板解除工序及零件剥离工序,而获得形成有电磁波屏蔽膜605且已分离成单片的电子零件60。
图4是表示电子零件60的成膜工艺流程的图。如图4所示,在零件载置工序中,在使电子零件60的电极露出面601与框架62已粘附在保护片61上的零件未载置片65相向的状态下,将电子零件60排列在零件排列区域615中。将粘贴有框架62,进而排列有电子零件60,但电极602尚未被埋设的状态的保护片61称为:零件已载置片66。
在零件埋入工序中,针对零件已载置片66,将电极602埋入保护片61中,并使电极露出面601密接在保护片61上。将不论形成及未形成电磁波屏蔽膜605,均已埋设电极602的状态的保护片61称为零件已埋入片67。在板安装工序中,使零件已埋入片67经由粘着片64而密接在冷却板63上。将此密接有零件已埋入片67的状态的冷却板63称为零件搭载板68。
在成膜工序中,使电磁波屏蔽膜605的粒子从电子零件60的顶面603侧进行堆积,而在电子零件60上形成电磁波屏蔽膜605。此时,电子零件60的电极602埋设在保护片61中。另外,电极露出面601密接在保护片61上。因此,防止电磁波屏蔽膜605的粒子附着在电极602上。
在板解除工序中,卸下冷却板63,而恢复成零件已埋入片67的形态。然后,在零件剥离工序中,从保护片61上剥下电子零件60,而分离成零件未载置片65与各个电子零件60。另外,从框架62上剥下保护片61,以备框架62的再次使用。通过以上方式而结束成膜处理。
[成膜装置]
将担负以上的成膜工艺流程中的零件埋入工序、板安装工序、成膜工序、板解除工序及零件剥离工序的成膜装置7示于图5中。成膜装置7包括:埋入处理部1、板安装部2、成膜处理部3、板解除部4及剥离处理部5。各部间通过搬送部73来连接,投入各工序中所需要的构件,并排出已在各工序中完成处理的构件。搬送部73例如为输送机,也可以是通过滚珠螺杆等沿着直线轨道可动的搬送台。
另外,在成膜装置7中收容有计算机或微型计算机等的控制部74,具有中央处理器(Central Processing Unit,CPU)、只读存储器(Read Only Memory,ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)及信号发送电路,用以控制埋入处理部1、板安装部2、成膜处理部3、板解除部4及剥离处理部5所包括的各构成元件的动作时机(timing)。进而,收容有气压回路75,对埋入处理部1、板安装部2、成膜处理部3、板解除部4及剥离处理部5供给正压或负压。控制部74也对气压回路75内的电磁阀进行控制,而对产生负压、解除负压、产生正压及解除正压进行切换。
[埋入处理部]
(结构)
对担负零件埋入工序的埋入处理部1进行说明。图6是表示埋入处理部1的结构的示意图。将零件已载置片66投入埋入处理部1中。埋入处理部1在真空中在片加压体120与零件加压体130之间夹持零件已载置片66,并将电子零件60按压在保护片61上。由此,埋入处理部1使电子零件60的电极602埋入保护片61中,进而使电极露出面601密接在保护片61上。
如图6所示,埋入处理部1包括腔室10、片加压体120、零件加压体130。腔室10是能够使内部成为真空的容器。腔室10包括相向配置的盖部11、载置部12。盖部11是朝向载置部12的底部开口,且形成有内部空间111的箱状的构件,所述内部空间111收容要埋入处理的零件已载置片66。载置部12是长方体形状的构件。盖部11的开口与载置部12的缘部附近成为相互相对、平行配置的相向面11a、相向面12a。
在盖部11的相向面11a上,设有O形环等密封构件115。盖部11以能够利用未图示的气压或液压缸等驱动机构,在接近及远离载置部12的方向上移动的方式设置。由此,盖部11在密闭位置与开放位置之间移动,在密闭位置,盖部11的相向面11a与载置部12的相向面12a经由密封构件115吻合而将内部空间111密闭;在开放位置,相向面11a远离载置部12的相向面12a而将内部空间111大气开放。
在载置部12设置有作为贯通孔的推杆插通孔12b。推杆插通孔12b的位置是与放置在片加压体120上的零件已载置片66的框架62对应的位置。后述的推杆13插通在推杆插通孔12b中。在推杆13与推杆插通孔12b内之间,设置有将推杆13可滑动地密封的O形环、密封件等密封构件12c。
另外,在载置部12形成有排气孔12d。排气孔12d连接到气压回路75。利用气压回路75,经由排气孔12d,可将密闭的腔室10的内部空间111减压。
片加压体120是设置在腔室10内,且位于隔着保护片61与电子零件60相反的一侧的构件。在本实施方式中,片加压体120是固定在载置部12上的板。片加压体120中的与零件已载置片66相向的面是平坦面120a。平坦面120a的面积具有零件已载置片66的面积以上的大小。再者,在平坦面120a上设有未图示的多个引导销,引导销抵接于框架62的外缘,由此防止零件已载置片66的错位。
另外,在平坦面120a上设置有片侧弹性体121。片侧弹性体121是弹性变形的片,具有与零件已载置片66相向的平坦的片相向面121a。例如,可以将硅橡胶等橡胶用作片侧弹性体121。再者,片侧弹性体121只要是能获得后述弹性变形所产生的作用效果的材质的弹性体即可。例如可适用氨基甲酸酯橡胶、丁腈橡胶、乙烯橡胶、氟橡胶、减震胶圈等各种材质。所谓平坦,只要是能够均匀地按压零件已载置片66的电子零件60的程度的平坦即可,允许微小的凹凸和表面粗糙度。在本实施方式中,片侧弹性体121的片相向面121a相反侧的面利用接着剂等粘贴在片加压体120的平坦面120a上。片侧弹性体121的片相向面121a的面积只要大于零件排列区域615的面积即可。
如图6所示,片侧弹性体121的高度即厚度Ts比电极602的厚度Te(参照图1及图2)厚。另外,片侧弹性体121的硬度优选为肖氏A15以上、肖氏A50以下。在片侧弹性体121的片相向面121a上载置零件已载置片66。此时,如上所述,设置在片加压体120的平坦面120a上的引导销接触框架62的外缘。再者,作为将零件已载置片66固定于片侧弹性体121的方法,也可使用机械式夹头、真空夹头、静电夹头。
在片加压体120及片侧弹性体121上分别设有供推杆13插通的贯通孔即推杆插通孔120b、推杆插通孔121b。由此,在推杆插通孔12b、推杆插通孔120b、推杆插通孔121b内进退的推杆13能够从片侧弹性体121的片相向面121a出没。推杆13以当已从推杆插通孔121b突出时,使零件已载置片66从片侧弹性体121分离,并可与片相向面121a平行地抬起、支撑的程度的刚性、数量及配置间隔来设置。例如框架62的外形为矩形时,对应于框架62的各角来设置推杆插通孔12b、推杆插通孔120b、推杆插通孔121b,并分别配置推杆13。
推杆13是设置成通过未图示的驱动机构而能够在推杆插通孔12b、推杆插通孔120b、推杆插通孔121b内进退的棒状构件。驱动机构例如由凸轮机构构成。即,推杆13的后端部变成凸轮从动件(cam follower)。凸轮从动件在卵形的凸轮的圆周面上进行从动。凸轮轴支在旋转马达上,可在圆周方向上旋转。若旋转马达进行驱动,凸轮进行旋转,则凸轮从动件使凸轮的膨出部上升,推杆13被向上推,推杆13的前端从推杆插通孔121b突出。
零件加压体130是设置在腔室10内,位于隔着电子零件60与保护片61相反的一侧的构件。零件加压体130中的与电子零件60相向的面是平坦面130a。平坦面130a具有零件排列区域615以上的大小。本实施方式的零件加压体130是以平坦面130a为底面的锥体。即,零件加压体130具有以与平坦面130a相反侧的中央为顶点而向平坦面130a侧扩大的形状。
零件加压体130设置成通过驱动机构132而能够在接近以及远离零件已载置片66的方向上移动。驱动机构132例如是气压或液压缸,其驱动轴132a利用O形环等密封构件132b而气密地贯通设置在盖部11的顶面的贯通孔。驱动轴132a连接于零件加压体130的锥体的顶点。
另外,在平坦面130a上设有零件侧弹性体131。零件侧弹性体131是弹性变形的片,具有与零件已载置片66相向的平坦的零件相向面131a。例如,可将硅橡胶等用作零件侧弹性体131。能够应用作零件侧弹性体131的材质与片侧弹性体121相同。所谓平坦,只要是能够均匀地按压零件已载置片66的电子零件60的程度的平坦即可,允许微小的凹凸和表面粗糙度。在本实施方式中,零件侧弹性体131的与零件相向面131a相反侧的面利用接着剂等粘贴在零件加压体130的整个平坦面130a上。零件侧弹性体131的面积只要比零件排列区域615的面积大即可。
当设零件相向面131a与保护片61的粘着面611的粘着力为Fa,设电极露出面601与保护片61的粘着面的粘着力为Fb时,Fa<Fb。因此,即使保护片61与零件相向面131a接触,也维持对电极露出面601的粘着,并且容易从零件相向面131a剥离。另外,零件相向面131a的表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度)为1.6以上且25以下。由此,零件相向面131a容易从电子零件60的顶面603剥离。但是,由于零件相向面131a不易产生与电子零件60的顶面603平行的方向的滑动,所以不易产生电子零件60向保护片61的平面方向的偏移。
(运作)
参照图7~图10对所述埋入处理部1的运作的流程进行说明。图7及图8是示意性地表示埋入处理部1在各工序中的状态的变迁图。图9是表示埋入处理部1中的电子零件60的状态的变迁图。图10是表示保护片61与零件侧弹性体131接触的状态的图。
首先,如图7的(A)所示,盖部11相对于载置部12充分分离,推杆13的前端从片侧弹性体121的片相向面121a突出。在此状态下,零件已载置片66投入埋入处理部1。所投入的零件已载置片66的框架62由推杆13支撑。
如图7的(B)所示,当使推杆13向推杆插通孔12b、推杆插通孔120b、推杆插通孔121b内后退时,零件已载置片66与片侧弹性体121的片相向面121a接触。此时,引导销抵接在零件已载置片66的外缘。
如图7的(C)所示,当使盖部11朝向载置部12而移动至密闭位置时,盖部11的相向面11a与载置部12的相向面12a经由密封构件115吻合。因此,零件已载置片66被封入在由密封构件115密封的内部空间111内。
而且,通过使载置部12的排气孔12d中产生负压,对封入零件已载置片66的内部空间111内进行减压来进行抽真空。在此阶段,如图9的(A)所示,电子零件60在电极602未埋设于保护片61的粘着面611的状态下载置于保护片61,因此在电极露出面601与粘着面611之间存在间隙,此间隙也被减压。
如图8的(A)所示,使零件加压体130向片加压体120移动,将零件侧弹性体131的零件相向面131a按压在电子零件60上。于是,在保护片61的粘着面611埋入电子零件60的电极602。而且,如图9的(B)所示,片侧弹性体121与保护片61一起以沉入的方式变形,由此,以依照电极602的表面及其周围的电极露出面601的方式,电极602的表面及电极露出面601密接在保护片61。因此,防止在零件排列区域615的端部产生电极602向保护片61的埋设不足、电极露出面601向保护片61的密接不足。
如上所述,所述电极露出面601与保护片61的密接在减压环境下进行,密闭的内部空间111中没有空气或空气变得非常少。因此,气泡侵入电极露出面601与保护片61之间的可能性变低。另外,由于零件加压体130为从驱动轴132a扩大至平坦面130a的锥体,所以来自驱动轴132a的压力不会集中在中央,而是均匀地分散在平坦面130a上。因此,不会像平坦的板那样驱动轴132a的压力集中在中央部而弯曲,从而对所有的电子零件60均等地加压。
再者,如图9的(B)所示,被如此按压的电子零件60的正下方的保护片61与片侧弹性体121一起沉入。因此,被加压的电子零件60的周围的保护片61朝向零件侧弹性体131的零件相向面131a暂时隆起。
接着,如图8的(B)所示,使零件加压体130向远离片加压体120的方向移动,使零件侧弹性体131相对于电子零件60分离。于是,如图9的(C)所示,随着片侧弹性体121恢复到原来的形状,保护片61的隆起的部分恢复到原来的平坦的面。因此,确保保护片61相对于电极露出面601的密接,并且保护片61不与电子零件60的侧面604下部密接。因此,在后面的成膜工序中,能够将电磁波屏蔽膜605成膜至电子零件60的侧面604下部,还能够良好地进行从侧面侧入射的电磁波的屏蔽。
再者,如图10所示,由于保护片61的隆起,粘着面611有时会到达零件侧弹性体131的零件相向面131a。在此种情况下,随着按压解除后的片侧弹性体121恢复到原来的形状,保护片61恢复到原来的形状,因此容易从零件侧弹性体131剥离。而且,由于零件侧弹性体131的零件相向面131a与保护片61的粘着面611之间的粘着力Fa比电子零件60的电极露出面601与保护片61的粘着面611之间的粘着力Fb小,因此保护片61的粘着面611维持对电极露出面601的粘着,并且更容易从零件侧弹性体131剥离。
进而,零件相向面131a的表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度)为1.6以上且25以下。因此,在零件加压体130解除对电子零件60的加压时,零件侧弹性体131的零件相向面131a容易从电子零件60剥离。
如上所述,当电子零件60的电极602埋设在保护片61中、电子零件60的电极露出面601与保护片61密接时,停止基于气压回路75的从排气孔12d的减压,解除腔室10内的抽真空。伴随于此,使推杆13沿着推杆插通孔12b、推杆插通孔120b、推杆插通孔121b在轴向上移动,并从片侧弹性体121的片相向面121a再次突出。
然后,如图8的(C)所示,使盖部11向离开载置部12的方向移动。最后,使推杆13停止,使盖部11在远离载置部12的位置停止。由此,利用埋入处理部1的电子零件60朝保护片61中的埋入完成。
再者,零件加压体130对电子零件60的加压的解除需要在解除腔室10内的抽真空之前进行。如果在解除电子零件60的加压之前,解除腔室10内的抽真空,则如上所述,在保护片61隆起的状态下,周围成为大气压。这是因为,在保护片61的粘着面611附着于电子零件60的侧面604的情况下,或者附着于零件侧弹性体131的零件相向面131a的情况下,附着的状态通过周围的大气压而被固定,从而不能剥离。
[板安装部]
继而,对担负板安装工序的板安装部2进行说明。图11是表示板安装部2的示意图。将预先粘贴有粘着片64的冷却板63、及由埋入处理部1所制作的零件已埋入片67投入板安装部2中。板安装部2将零件已埋入片67按压在冷却板63上,另外,将零件已埋入片67吸引至冷却板63上,由此使零件已埋入片67经由粘着片64而密接在冷却板63上。
板安装部2包括顶部21与载置台22。顶部21与载置台22相向配置。另一方面,顶部21相对于载置台22可升降。顶部21是具有内部空间211的块体,在朝向载置台22的面上具有平坦面212。载置台22具有有底的杯状。载置台22的开口221朝向顶部21。
在此载置台22中,其缘部222支撑冷却板63,开口221由冷却板63堵塞。冷却板63的与粘贴有粘着片64的面相反的面抵接在缘部222上。进而,零件已埋入片67与粘着片64相对而被放置在冷却板63上。在载置台22的底部贯设有气压供给孔223。气压供给孔223与气压回路75连接。
进而,在载置台22的缘部222中贯设有贯穿载置台22的推杆插通孔224。推杆23插通在此推杆插通孔631中,并由O形环等密封构件气密地密封。此推杆23可贯穿载置台22、冷却板63及粘着片64而出没。
顶部21的平坦面212上贯设有通往内部空间211的许多空气孔213。在顶部21的内部空间211中,在与平坦面212不同的部位上贯设有气压供给孔214。气压供给孔214与气压回路75连接。
进而,在顶部21的平坦面212上,沿着放置在载置台22上的零件已埋入片67的框架62,设置有包围空气孔213的贯设范围的O形环等密封构件215。即,顶部21的平坦面212的外周部经由密封构件215而按压框架62,并将保护片61的外周部按压在冷却板63上。
如图11的(A)所示,此种板安装部2将冷却板63搭载在载置台22的缘部222上,在使推杆23支撑零件已埋入片67的框架62的状态下,使顶部21下降,使内部空间211产生负压,从而将电子零件60吸附在平坦面212上。当使推杆23和顶部21下降,将框架62经由保护片61按压在粘着片64上时,在设置有粘着片64的冷却板63和保护片61之间形成密闭空间。
如图11的(B)所示,在维持顶部21的负压的状态下,使载置台22中也产生负压之后,使顶部21的负压逐渐变化成正压。于是,零件已埋入片67按压并安装在粘贴于冷却板63的粘着片64上。
[成膜处理部]
继而,对担负成膜工序的成膜处理部3进行说明。图12是表示成膜处理部3的示意图。成膜处理部3通过溅射而在零件搭载板68上的各个电子零件60上形成电磁波屏蔽膜605。如图12的(A)所示,此成膜处理部3具有腔室31与取样(load-lock)室32。腔室31是朝比轴方向更靠近半径方向进行了扩径的圆柱形状的真空室。腔室31内通过沿着半径方向延设的分隔部33而分隔成多个扇状区域。处理位置311及成膜位置312被分配在一部分的扇状区域中。
分隔部33从腔室31的顶面朝底面延长,但未达底面。在无分隔部33的底面侧空间中设置有旋转台34。旋转台34是搬送冷却板63的搬送装置。在此冷却板63搭载有埋入保护片61的电子零件60。旋转台34具有与腔室31同轴的圆盘形状,在圆周方向上进行旋转。从取样室32投入至腔室31内的零件搭载板68被载置在旋转台34上,一面以圆周的轨迹进行回旋移动,一面环绕处理位置311及成膜位置312。
再者,为了维持零件搭载板68相对于旋转台34的位置,在旋转台34上例如设置有槽、孔、突起、夹具、固定器、机械式夹头、或粘着夹头等保持零件搭载板68的保持部件。
在处理位置311上设置有表面处理部35。此表面处理部35导入有氩气等工艺气体,通过高频电压的施加来将工艺气体等离子体化,而产生电子、离子及自由基等。例如,此表面处理部35是在旋转台34侧开口的筒形电极,由射频(Radio Frequency,RF)电源施加高频电压。
在成膜位置312上设置有构成溅射源36的靶361,且导入有作为氩气等惰性气体的溅射气体。溅射源36对靶361施加电力,使溅射气体等离子体化,并使所产生的离子等碰撞靶361,而打出粒子。靶361包含电磁波屏蔽膜605的材料。即,从靶361中打出电磁波屏蔽膜605的粒子,已被打出的电磁波屏蔽膜605的粒子堆积在旋转台34上的电子零件60上。
例如在两个部位设置有所述成膜位置312。各个成膜位置312的靶材料可设为相同的材料,也可以设为不同的材料来形成层叠的电磁波屏蔽膜605。对各个成膜位置312的溅射源36施加电力的电源例如可应用直流(Direct Current,DC)电源、DC脉冲电源、RF电源等众所周知的电源。另外,对溅射源36施加电力的电源可针对各溅射源36来设置,也可以利用切换器对共同的电源进行切换来使用。
在此种成膜处理部3中,在处理位置311上对电子零件60进行蚀刻或利用灰化的表面的清洗及粗面化,而提高电磁波屏蔽膜605对于电子零件60的密接性,另外,在成膜位置312上使靶361的粒子堆积在电子零件60上,由此在电子零件60上形成电磁波屏蔽膜605。电极602被埋设在保护片61中,电极露出面601密接在保护片61上,因此阻止电磁波屏蔽膜605的粒子附着在电极602上,另外,阻止电磁波屏蔽膜605的粒子进入电极露出面601与保护片61之间。进而,电子零件60的热被传导至冷却板63中,电子零件60的过剩的蓄热得到抑制。
再者,此成膜处理部3是使用溅射法在电子零件60上进行成膜者,但成膜方法并不限定于此。例如,成膜处理部3也可以是通过蒸镀、喷涂及涂布等而使电磁波屏蔽膜605在电子零件60上成膜的装置。
[板解除部]
继而,对担负板解除工序的板解除部4进行说明。图13是表示板解除部4的示意图。在电子零件60上形成了电磁波屏蔽膜605的零件搭载板68投入板解除部4中。作为用于获得各个电子零件60的最初的工序,板解除部4从冷却板63上剥下零件已埋入片67。
如图13的(A)所示,板解除部4包括顶部41与载置台42。顶部41与载置台42相向配置。另一方面,顶部41相对于载置台42可升降。顶部41是具有内部空间411的块体,在朝向载置台42的面上具有平坦面412。载置台42具有有底的杯状,开口421朝向顶部41。
在此载置台42中,其缘部422支撑零件搭载板68,开口421由零件搭载板68堵塞。冷却板63抵接在缘部422上。在载置台42的底部贯设有气压供给孔423。气压供给孔423与气压回路75连接。
进而,在载置台42的缘部422中贯设有贯穿载置台42的推杆插通孔424。推杆43插通在此推杆插通孔424中,并利用O形环等密封构件气密地密封。推杆43以可使前端朝比已被放置在载置台42上的零件搭载板68的框架62高的位置突出的方式在轴方向上移动。
另外,在载置台42的两侧配置有一对夹持块44。夹持块44仅夹入放置在载置台42上的零件搭载板68中的冷却板63。夹持块44能够以冷却板63为中心而相互接触·分离。
继而,在顶部41的平坦面412上贯设有通往内部空间411的许多空气孔413。在顶部41的内部空间411中,在与平坦面412不同的部位上贯设有气压供给孔414。气压供给孔414与气压回路75连接。
进而,在顶部41的平坦面412上,沿着放置在载置台42上的零件搭载板68的框架62,设置有包围空气孔413的贯设范围的O形环等密封构件415。
在所述板解除部4中,在载置台42上载置粘贴有冷却板63的零件搭载板68。如图13的(A)所示,使顶部41朝载置台42下降,而使顶部41的平坦面412抵接在零件搭载板68的框架62上。如图13的(B)所示,使顶部41的密闭的内部空间411中产生负压,并使载置台42中产生正压。由此,足以从冷却板63上剥离零件排列区域615的力作用于零件排列区域615中,零件排列区域615从冷却板63上剥落。
若零件排列区域615从冷却板63上剥离,通过伴随推杆43的前进的顶部41的移动,粘贴有框架62的外框区域613从冷却板63上剥落,保护片61整体从冷却板63上剥离。
[剥离处理部]
进而,对担负零件剥离工序的剥离处理部5进行说明。图14是表示剥离处理部5的示意图。将经由板解除部4而卸下了冷却板63的零件已埋入片67投入剥离处理部5中,从保护片61上剥离各个电子零件60。
此剥离处理部5包括:载置台51,载置零件已埋入片67;夹头52,握持保护片61并连续地移动;引导部53,挂住保护片61的端部来制造出夹头52握持保护片61的机会;片止动部54,制造保护片61的剥离基点;以及零件止动部55,防止电子零件60的上浮。
载置台51具有载置零件已埋入片67的平坦面511。零件已埋入片67使电子零件60朝向此平坦面511,使电子零件60的顶面603接触载置面,并使保护片61朝上来载置。
此载置台51是具有内部空间512的块体。在载置台51的平坦面511上,在与零件排列区域615相对的区域中贯设有多个空气孔513。空气孔513与载置台51的内部空间512连通。在载置台51的内部空间512中,在与平坦面511不同的部位上贯设有气压供给孔514。气压供给孔514与气压回路75连接。
夹头52是使握持面相向的一对块体。一对块体可接触·分离。此夹头52由在水平方向及垂直方向上可动的移动装置支撑,沿着放置在载置台51的平坦面511上的保护片61,相对于平坦面511以45度的迎角连续地移动。
片止动部54是具有横断保护片61的一边的长轴的圆筒体形状,并可进行轴旋转的辊。此片止动部54以载置台51的平坦面511为基准保持高度固定,维持夹头52的正下方,沿着与长轴正交的方向将载置在载置台51上的保护片61纵断。
零件止动部55是具有横断保护片61的至少零件排列区域615整个区域的长轴的圆筒体形状,并可进行轴旋转的辊。此零件止动部55以可与片止动部54接近及分离的方式配置。
引导部53配置在使轴与框架62的引导部插通孔621的轴相同的位置上。引导部53的前端面对框架62的引导部插通孔621。此引导部53在轴方向上可动,朝保护片61的端部突出,并朝夹头52向上顶保护片61的端部,在保护片61的端部到达夹头52之前,在框架62的引导部插通孔621内前进。此引导部53通过上顶来将保护片61的一边剥下。
在此种剥离处理部5中,如图14的(A)所示,在已使电子零件60的顶面603接触平坦面511的状态下,将零件已埋入片67载置在载置台51上。使载置台51的空气孔513中产生负压,而先在平坦面511上吸住电子零件60。引导部53朝轴方向上侧移动,使保护片61的端部朝从框架62离开的方向突出,保护片61的端部剥落,并被朝夹头52引导。
如图14的(B)所示,若保护片61的端部到达夹头52中,则将一对块体闭合,通过夹头52来握持保护片61的端部。若夹头52握持保护片61的端部,则使零件止动部55移动,并使零件止动部55与片止动部54接近至未满电子零件60的长度的距离为止。
使夹头52与片止动部54沿着保护片61移动,并将夹头52吊起。于是,保护片61以片止动部54为基点被夹头52吊起,电子零件60以片止动部54为基点从保护片61上剥离。由此,所有电子零件60从保护片61上剥离,并排列在载置台51的平坦面511上。如此,回收从保护片61剥离的电子零件60。
(作用效果)
(1)本实施方式是针对形成有电极602的电极露出面601被粘贴在保护片61的粘着面611的电子零件60的成膜装置7,其包括:埋入处理部1,将电极602埋入保护片61的粘着面611;以及成膜处理部3,将成膜材料成膜在电极602埋入保护片61中的电子零件60。
埋入处理部1包括:腔室10,能够使内部成为真空;片加压体120,设置在腔室10内,且位于隔着保护片61与电子零件60相反的一侧;零件加压体130,设置在腔室10内,且位于隔着电子零件60与保护片61相反的一侧;片侧弹性体121,设置在片加压体120上,且具有与保护片61相向的平坦的片相向面121a;平坦的零件相向面131a,设置在零件加压体130上,与电子零件60相向;以及驱动机构132,使片加压体120与零件加压体130相对移动,从而在片相向面121a与零件相向面131a之间,将电子零件60与保护片61按压贴合。
因此,当电子零件60被按压在保护片61上时,片侧弹性体121弹性变形,由此,保护片61依照电极602的表面以及电极露出面601变形并密接。也就是说,在保护片61由硬质的板等支撑的情况下,仅保护片61的变形量是有限的。与此相对,在本实施方式中,由于利用片侧弹性体121支撑保护片61,因此能够加深电极602沉入的厚度,并且保护片61容易沿着电极602的表面以及电极露出面601的凹凸而变形。因此,能够抑制保护片61与电极602的表面以及电极露出面601之间产生间隙、空隙,使保护片61密接,防止成膜时电磁波屏蔽膜605的粒子从间隙进入。另外,在仅依赖于保护片61的变形的情况下,为了压接于保护片61而需要高的压力,但在本实施方式中,由于片侧弹性体121发生变形,所以即使利用比较低的压力的驱动机构132也能够容易地变形,从而能够实现装置整体的小型化。
由此,例如,即使在从最外周的电极602到电极露出面601的外缘的距离Wb(参照图2)狭窄的情况下,也能够使保护片61与电极602的表面及电极露出面601密接。另外,保护片61需要比较薄,以便在成膜时蓄积在电子零件60中的热容易通过热传导而放出到成膜处理部3侧。然而,当保护片61薄时,缓冲性弱,并且变形量进一步减小。因此,仅保护片61的变形无法吸收从电极露出面601突出几十μm~几百μm的电极602,保护片61难以以依照电极602的表面及电极露出面601的方式变形。在本实施方式中,如上所述片侧弹性体121变形,而能够确保保护片61的变形量,所以能够抑制间隙、空隙的产生。
另外,由于片侧弹性体121的变形为弹性变形,所以,通过将电子零件60和保护片61按压贴合,片相向面121a以沉入的方式变形之后,通过解除按压,恢复成原来的平坦的形状。于是,即使在由于沉入而使保护片61与电子零件60的侧面604接触的情况下,保护片61也与片侧弹性体121一起恢复到原来的形状,由此能够防止向侧面604的附着。由此,不会因附着在侧面604上的保护片61而阻碍电磁波屏蔽膜605的成膜,而能够防止电磁波屏蔽膜605向侧面604的成膜不足、与接地配线的连接不良。此外,即使在保护片61变形至与零件相向面131a接触的情况下,通过与片侧弹性体121一起恢复到原来的形状,也防止与零件相向面131a密接。
(2)成膜处理部3包括:腔室31,导入溅射气体;溅射源36,设置在腔室31内,通过溅射使成膜材料堆积而成膜;冷却板63,搭载埋入保护片61中的电子零件60;以及搬送装置,搬送冷却板63。
如上所述,片侧弹性体121进行变形,由此,保护片61能够以依照电极602的表面以及电极露出面601的方式变形,因此,能够使保护片61变薄,使电子零件60的热容易放出到冷却板63,从而能够提高散热效果。
(3)片侧弹性体121的厚度Ts比电极602的厚度Te厚,硬度为肖氏A15以上、肖氏A50以下。因此,片侧弹性体121具有适用于电极602沉入,与保护片61一起变形的厚度。另外,保护片61具有对于以依照电极602的表面及电极露出面601的方式变形,并且恢复到原来的形状而从侧面604或零件相向面131a剥离而言的优选的硬度。更具体地说,当片侧弹性体121的硬度小于肖氏A15时,在埋入电子零件60时被加压而变形的片侧弹性体121难以恢复,保护片61与片侧弹性体121一起难以恢复到原来的形状。因此,在保护片61与零件侧弹性体131或电子零件60的侧面604接触的情况下,难以剥离。在本实施方式中,由于片侧弹性体121的硬度为肖氏A15以上,因此即使在所述情况下保护片61也容易剥离。另一方面,当片侧弹性体121的硬度大于肖氏A50时,即使在埋入电子零件60时进行加压,片侧弹性体121也难以变形,保护片61也与片侧弹性体121一起难以变形。因此,在从最外周的电极602到电极露出面601的外缘的距离Wb狭窄的情况下,难以使保护片61与电极602的表面及电极露出面601密接。在本实施方式中,由于片侧弹性体121的硬度为肖氏A50以下,所以保护片61容易变形而与电极602的表面及电极露出面601密接。
(4)如果设零件相向面131a与保护片61的粘着力为Fa,设电子零件60的电极露出面601与保护片61的粘着面611的粘着力为Fb,则Fa<Fb。因此,即使在保护片61与零件相向面131a接触的情况下,也维持对电极露出面601的粘着,同时变得容易剥离。由此,维持保护片61附着于零件相向面131a的状态,防止与电子零件60的侧面604等接触而附着,产生未成膜的部位。
(5)零件相向面131a的表面粗糙度Ra(算术平均粗糙度)为1.6以上且25以下。因此,防止相对于电子零件60的粘贴,在按压被解除时,防止电子零件60追随而浮起。
(6)在零件加压体130上设置有具有零件相向面131a的零件侧弹性体131。因此,能够提高保护片61与零件相向面131a接触时的剥离性。
[其他实施方式]
本发明并不限定于所述实施方式,也包含如下的形态。例如,可省略零件侧弹性体131。在此种情况下,零件加压体130的平坦面130a作为零件相向面131a发挥功能。即使在此种情况下,为了容易从保护片61的粘着面611以及电子零件60的顶面603剥离,也可以在平坦面130a的表面形成凹凸,或者进行粗面化。另外,也可如剥离片那样,将容易剥离的材料施加至平坦面130a。
盖部11的驱动机构以及零件加压体130的驱动机构132能够应用公知的机构,不限于上述机构。例如,可应用滑动器随着滚珠螺杆的旋转而沿着导轨移动的线性引导件。另外,片加压体120和零件加压体130只要能够通过相对移动将电子零件60和保护片61按压贴合即可。因此,驱动机构132可设置在片加压体120和零件加压体130的至少一方,也可以设置在双方。即,片加压体120和零件加压体130不仅包含通过相对于加压对象移动而加压的构件,也包含在相对于加压对象静止的状态下,通过反作用而加压的构件。
板安装部2、成膜处理部3、板解除部4以及剥离处理部5的结构不限定于上述的形态。也就是说,这些只要是能够进行板安装、成膜、板解除、零件剥离的装置即可。例如,板安装部2也可以是像埋入处理部1那样,通过利用加压体加压,在保护片61上安装冷却板63的装置。剥离处理部5也可以是利用销经由保护片61向上推电子零件60,利用吸嘴等的拾取机构,使电子零件60从保护片61脱离的机构。另外,成膜装置7也可以包括担负零件载置工序的移载部。移载部担负零件载置工序,将电子零件60从载置有成膜处理前的电子零件60的托盘向零件未载置片65转移。
另外,虽然将成膜装置7设为包括埋入处理部1、板安装部2、成膜处理部3、板解除部4及剥离处理部5的装置,但也可以将所述各部作为独立的装置来构成,并进行系统化。即,埋入处理部1也可以是独立的埋入处理装置,板安装部2也可以是独立的板安装装置,成膜处理部3也可以是独立的成膜处理装置,板解除部4也可以是独立的板解除装置,剥离处理部5也可以是独立的剥离处理装置。
以上,对本发明的实施方式及各部的变形例进行了说明,但所述实施方式或各部的变形例是作为一例来提示者,并不意图限定发明的范围。所述这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施,可在不脱离发明的主旨的范围内进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变形包含在发明的范围或主旨中,并且包含在权利要求的范围中记载的发明中。

Claims (7)

1.一种成膜装置,其特征在于,是针对形成有电极的电极露出面已被粘贴在保护片的粘着面上的电子零件的成膜装置,包括:
埋入处理部,将所述电极埋入所述保护片的粘着面;以及
成膜处理部,将成膜材料成膜在所述电极埋入保护片中的电子零件上,
其中,所述埋入处理部包括:
腔室,能够使内部成为真空;
片加压体,设置在所述腔室内,且位于隔着所述保护片与所述电子零件相反的一侧;
零件加压体,设置在所述腔室内,且位于隔着所述电子零件与所述保护片相反的一侧;
片侧弹性体,设置在所述片加压体上,且具有与所述保护片相向的平坦的片相向面,且所述片侧弹性体的硬度为肖氏A15以上且肖氏A50以下;
平坦的零件相向面,设置在所述零件加压体上,与所述电子零件相向;以及
驱动机构,使所述片加压体与所述零件加压体相对移动,从而在所述片相向面与所述零件相向面之间,将所述电子零件与所述保护片按压贴合。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
所述成膜处理部包括:
腔室,导入溅射气体;
溅射源,设置在所述腔室内,通过溅射使成膜材料堆积而成膜;
冷却板,搭载埋入至所述保护片的所述电子零件;以及
搬送装置,搬送所述冷却板。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
所述片侧弹性体的厚度比所述电极的厚度厚。
4.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
将所述零件相向面与所述保护片的所述粘着面的粘着力设为Fa,
将所述电极露出面与所述保护片的所述粘着面的粘着力设为Fb,则
Fa<Fb。
5.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
所述零件相向面的表面粗糙度为1.6以上、25以下。
6.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
在所述零件加压体上设置有具有所述零件相向面的零件侧弹性体。
7.一种埋入处理装置,其特征在于,在保护片的粘着面埋入形成于电子零件的电极露出面的电极,所述埋入处理装置包括:
腔室,能够使内部成为真空;
片加压体,设置在所述腔室内,且位于隔着所述保护片与所述电子零件相反的一侧;
零件加压体,设置在所述腔室内,且位于隔着所述电子零件与所述保护片相反的一侧;
片侧弹性体,设置在所述片加压体上,且具有与所述保护片相向的平坦的片相向面,且所述片侧弹性体的硬度为肖氏A15以上且肖氏A50以下;
平坦的零件相向面,设置在所述零件加压体上,与所述电子零件相向;以及
驱动机构,使所述片加压体与所述零件加压体相对移动,从而在所述片相向面与所述零件相向面之间,将所述电子零件与所述保护片按压贴合。
CN202010974944.4A 2019-09-27 2020-09-16 成膜装置及埋入处理装置 Active CN112575297B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-177947 2019-09-27
JP2019177947A JP7132198B2 (ja) 2019-09-27 2019-09-27 成膜装置及び埋込処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112575297A CN112575297A (zh) 2021-03-30
CN112575297B true CN112575297B (zh) 2023-02-24

Family

ID=75119591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010974944.4A Active CN112575297B (zh) 2019-09-27 2020-09-16 成膜装置及埋入处理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7132198B2 (zh)
KR (2) KR102520784B1 (zh)
CN (1) CN112575297B (zh)
TW (1) TWI736426B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022154398A (ja) 2021-03-30 2022-10-13 セイコーエプソン株式会社 白色インクジェットインク組成物及びインクジェット記録方法

Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05117606A (ja) * 1991-04-12 1993-05-14 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 導電性接着テープ
JPH10321634A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Citizen Watch Co Ltd 突起電極の製造方法
JPH11145345A (ja) * 1997-11-12 1999-05-28 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH11260974A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Hitachi Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
EP1006581A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-07 Nec Corporation Ferroelectric memory device having a protective layer
JP2000294578A (ja) * 1996-07-12 2000-10-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
JP2004055628A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Dainippon Printing Co Ltd ウエハレベルの半導体装置及びその作製方法
JP2004207268A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Sharp Corp 半導体装置、および、その製造方法
CN1619784A (zh) * 2003-09-30 2005-05-25 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
WO2017038466A1 (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 株式会社アルバック ワーク保持体および成膜装置
JP2017208388A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 株式会社アルバック 電子部品の製造方法および処理システム
JP2018006461A (ja) * 2016-06-29 2018-01-11 株式会社ディスコ デバイスのパッケージ方法
WO2018199507A1 (ko) * 2017-04-25 2018-11-01 (주) 씨앤아이테크놀로지 전자 부품 캐리어 시트, 및 이를 이용한 점착 장치와 박막 형성장치
CN109778124A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 芝浦机械电子装置株式会社 成膜装置及埋入处理装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0697268A (ja) 1992-09-11 1994-04-08 Nitto Denko Corp ウエハへの粘着テープ貼付け装置
JPH11330149A (ja) * 1998-03-18 1999-11-30 Hitachi Cable Ltd 半導体装置、配線基板、電子装置及びその製造方法
KR100697268B1 (ko) 2000-08-07 2007-03-21 삼성전자주식회사 반도체 제조 공정에 사용되는 노광 장치
JP4221271B2 (ja) * 2003-10-28 2009-02-12 Necエンジニアリング株式会社 テープ貼付装置
JP4657840B2 (ja) * 2005-07-14 2011-03-23 新藤電子工業株式会社 半導体装置、およびその製造方法
JP2008016751A (ja) * 2006-07-10 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体チップの保護テープ貼付方法
WO2010116654A1 (ja) * 2009-03-30 2010-10-14 芝浦メカトロニクス株式会社 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2011153292A (ja) * 2009-12-29 2011-08-11 Shibaura Mechatronics Corp 基板の貼り合せ方法及び装置
JP5741274B2 (ja) * 2011-07-22 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び電子機器
WO2013035819A1 (ja) 2011-09-08 2013-03-14 株式会社村田製作所 電子部品モジュール及び該電子部品モジュールの製造方法
CN103165474A (zh) * 2011-12-16 2013-06-19 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法
JP5589045B2 (ja) * 2012-10-23 2014-09-10 日東電工株式会社 半導体ウエハのマウント方法および半導体ウエハのマウント装置
JP6096017B2 (ja) * 2013-03-19 2017-03-15 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
JP6736902B2 (ja) * 2016-02-12 2020-08-05 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP7000129B2 (ja) * 2017-11-15 2022-01-19 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
JP6935306B2 (ja) * 2017-11-16 2021-09-15 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05117606A (ja) * 1991-04-12 1993-05-14 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 導電性接着テープ
JP2000294578A (ja) * 1996-07-12 2000-10-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
JPH10321634A (ja) * 1997-05-22 1998-12-04 Citizen Watch Co Ltd 突起電極の製造方法
JPH11145345A (ja) * 1997-11-12 1999-05-28 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPH11260974A (ja) * 1998-03-12 1999-09-24 Hitachi Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
EP1006581A1 (en) * 1998-11-30 2000-06-07 Nec Corporation Ferroelectric memory device having a protective layer
JP2004055628A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Dainippon Printing Co Ltd ウエハレベルの半導体装置及びその作製方法
JP2004207268A (ja) * 2002-12-20 2004-07-22 Sharp Corp 半導体装置、および、その製造方法
CN1619784A (zh) * 2003-09-30 2005-05-25 松下电器产业株式会社 半导体装置及其制造方法
WO2017038466A1 (ja) * 2015-09-02 2017-03-09 株式会社アルバック ワーク保持体および成膜装置
JP2017208388A (ja) * 2016-05-16 2017-11-24 株式会社アルバック 電子部品の製造方法および処理システム
JP2018006461A (ja) * 2016-06-29 2018-01-11 株式会社ディスコ デバイスのパッケージ方法
WO2018199507A1 (ko) * 2017-04-25 2018-11-01 (주) 씨앤아이테크놀로지 전자 부품 캐리어 시트, 및 이를 이용한 점착 장치와 박막 형성장치
CN109778124A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 芝浦机械电子装置株式会社 成膜装置及埋入处理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021057423A (ja) 2021-04-08
JP7132198B2 (ja) 2022-09-06
KR20210037559A (ko) 2021-04-06
CN112575297A (zh) 2021-03-30
KR20230031258A (ko) 2023-03-07
TWI736426B (zh) 2021-08-11
TW202114140A (zh) 2021-04-01
KR102520784B1 (ko) 2023-04-11
KR102649868B1 (ko) 2024-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI688037B (zh) 成膜裝置及零件剝離裝置
TWI679293B (zh) 成膜裝置
CN107836040B (zh) 电子部件的制造方法以及处理系统
TWI669406B (zh) Film forming device and embedded processing device
CN112575297B (zh) 成膜装置及埋入处理装置
CN109763105B (zh) 成膜装置及零件剥离装置
TWI713931B (zh) 成膜裝置
JP2023050875A (ja) 成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant