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CN111933659A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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CN111933659A
CN111933659A CN202010400630.3A CN202010400630A CN111933659A CN 111933659 A CN111933659 A CN 111933659A CN 202010400630 A CN202010400630 A CN 202010400630A CN 111933659 A CN111933659 A CN 111933659A
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display device
pixel
display
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田宇植
吴彦锡
金相烈
赵汉戈奇努莉
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底，包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域包括第一像素，并且第二显示区域包括第二像素和透射区域；第一像素电极和第一发射层，位于第一像素中；第二像素电极和第二发射层，位于第二像素中；对电极，在第一显示区域和第二显示区域中布置为一体；以及顶层，布置在对电极上，其中，对电极和顶层均具有与透射区域对应的开口区域，并且其中，凸部位于透射区域周围，凸部在基底的顶表面方向上凸出。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
本申请要求于2019年5月13日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0055838号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开的各方面涉及一种显示装置。
背景技术
近来，显示装置的使用目的已经变得更加多样化。例如，随着显示装置已经变得较薄且更轻质，其使用范围已经逐渐扩大。另外，可以与显示装置组合或关联的功能随着时间正在增加。
由于显示装置可以以不同的方式使用，因此在设计显示装置的形状时可以有各种方法。
发明内容
一些实施例的方面涉及一种显示装置，所述显示装置包括在第一显示区域内部的第二显示区域、布置在第二显示区域中的传感器等。然而，应理解的是，这里描述的实施例应仅以描述性的含义来考虑，而不是为了限制公开。
附加方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过呈现的实施例的实践而获知。
根据一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域包括第一像素，并且第二显示区域包括第二像素和透射区域；第一像素电极和第一发射层，位于第一像素中；第二像素电极和第二发射层，位于第二像素中；对电极，在第一显示区域和第二显示区域中布置为一体；以及顶层，布置在对电极上，其中，对电极和顶层均具有与透射区域对应的开口区域，并且其中，凸部位于透射区域周围，凸部在基底的顶表面方向上凸出。
在一些实施例中，凸部是顶层的一部分。
在一些实施例中，显示装置还包括：有机功能层，位于第一像素电极与对电极之间，其中，有机功能层与透射区域对应。
在一些实施例中，多个突起图案位于有机功能层的顶表面上。
在一些实施例中，多个突起图案以设定间隔彼此分开，多个突起图案中的每个在一个方向上延伸。
在一些实施例中，显示装置还包括：第二薄膜晶体管，位于第二显示区域中；以及底部电极层，位于基底与第二薄膜晶体管之间。
在一些实施例中，显示装置还包括：像素限定层，使第一像素电极和第二像素电极中的每个的中心部分暴露，并且覆盖第一像素电极和第二像素电极中的每个的边缘，其中，像素限定层包括与透射区域对应的第一开口。
在一些实施例中，显示装置还包括：平坦化层，位于基底与像素限定层之间，其中，平坦化层包括与透射区域对应的第二开口。
在一些实施例中，第一开口的宽度小于第二开口的宽度。
在一些实施例中，显示装置还包括：无机绝缘层，布置在基底上，其中，无机绝缘层包括与透射区域对应的第三开口。
在一些实施例中，开口区域的宽度小于第三开口的宽度。
在一些实施例中，第一显示区域和第二显示区域通过面对基底的封装基底密封。
在一些实施例中，显示装置还包括：薄膜封装层，包括顺序堆叠在顶层上的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
根据一些实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底，包括像素和透射区域，像素包括显示元件；像素电极和发射层，位于像素中；对电极，位于发射层上；以及顶层，位于对电极上，其中，对电极和顶层均具有与透射区域对应的开口，并且其中，顶层包括凸部，凸部与透射区域相邻，并且比其周围的厚度厚。
在一些实施例中，显示装置还包括：有机功能层，位于像素电极与对电极之间，其中，有机功能层与透射区域对应。
在一些实施例中，多个突起图案位于有机功能层的顶表面上。
根据一些实施例，提供了一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括基底，基底包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域包括第一像素，并且第二显示区域包括第二像素和透射区域，所述方法包括：在基底的顶表面上方在第一显示区域和第二显示区域中形成对电极和顶层；从基底的背面向对电极的与透射区域对应的区域照射激光，激光具有红外波长；以及通过使对电极的从基底向其照射激光的所述区域剥离，在对电极和顶层中形成开口区域。
在一些实施例中，顶层包括在透射区域周围的凸部，凸部通过激光形成。
在一些实施例中，激光的波长为大约1000nm至大约1100nm。
在一些实施例中，从基底到对电极布置的层相对于激光的吸收率为20％或更小。
在一些实施例中，所述方法还包括：设置与透射区域对应的有机功能层，其中，有机功能层包括通过激光形成的突起图案。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得明显且更容易理解，在附图中：
图1是根据示例实施例的显示装置的透视图；
图2是根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；
图3A-图3B是根据示例实施例的显示面板的平面图；
图4A是根据示例实施例的可以布置在显示装置的第一显示区域和/或第二显示区域中的像素的等效电路图；
图4B是根据另一示例实施例的可以布置在显示装置的第一显示区域和/或第二显示区域中的像素的等效电路图；
图5是图3A的第二显示区域的一部分的平面图；
图6A是沿着图3A的线I-I'和图5的线II-II'截取的显示装置的剖视图；
图6B是图6A的区域III的放大图；
图7A至图7C是根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图8A是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图8B是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图8C是根据另一示例实施例的显示装置的平面图；
图9是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图10是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图11是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图12是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；
图13是根据另一示例实施例的显示装置的剖视图；以及
图14A-图14B是在剥离对电极之后捕获的透射区域周围的图像。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例示出在附图中，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例以解释本说明书的各方面。
由于公开允许各种改变和许多实施例，因此示例实施例将在附图中被示出并且在书面描述中被详细描述。当参考参照附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现这些的方法将是明显的。然而，本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于这里阐述的示例实施例。
在下文中，将参照附图更充分地描述公开，公开的示例实施例示出在附图中。当参照附图进行描述时，附图中同样的附图标记表示同样或对应的元件，并且可以省略其重复描述。
为了便于说明，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
当可以不同地实施特定实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
图1是根据实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1包括显示图像的第一显示区域DA和不显示图像的第一非显示区域NDA。显示装置1可以通过使用从布置在第一显示区域DA中的多个第一像素Pm发射的光来显示图像。
显示装置1包括第二显示区域SA。如以下参照图2描述的，第二显示区域SA可以包括其中在其下部中布置有使用红外光、可见光或声音的诸如传感器的组件的区域。第二显示区域SA可以包括透射区域TA，透射区域TA可以使从组件输出到外部或者从外部朝向组件行进的光和/或声音透射。在实施例中，在红外光穿过第二显示区域SA的情况下，透光率可以是30％或更大，更优选地，50％或更大、75％或更大、80％或更大、85％或更大或者90％或更大。
在本实施例中，多个第二像素Pa可以布置在第二显示区域SA中。显示装置1可以通过使用从第二像素Pa发射的光来显示设定或预定图像。在第二显示区域SA上显示的图像是辅助图像，并且可以具有比在第一显示区域DA上显示的图像的分辨率低的分辨率。也就是说，由于第二显示区域SA包括可以透射光和/或声音的透射区域TA，因此每单位面积可以布置的第二像素Pa的数量可以小于第一显示区域DA中每单位面积可以布置的第一像素Pm的数量。
第二显示区域SA可以布置在第一显示区域DA的一侧上。在实施例中，图1示出了第二显示区域SA布置在第一显示区域DA上，第二显示区域SA布置在第一非显示区域NDA与第一显示区域DA之间。然而，实施例不限于此。例如，第二显示区域SA可以被第一显示区域DA围绕。可以进行各种合适的修改。
尽管作为示例将根据实施例的显示装置1描述为有机发光显示装置，但是根据本公开的显示装置1不限于此。在另一实施例中，可以使用各种合适的显示装置，诸如无机发光显示装置和量子点发光显示装置。
尽管图1中示出了第二显示区域SA布置在具有四边形形状的第一显示区域DA上，但是实施例不限于此。例如，第一显示区域DA的形状可以包括圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。第二显示区域SA的位置和数量可以以合适的方式进行各种改变。
图2是根据实施例的显示装置1的剖视图，并且可以与沿着图1的线A-A'截取的剖面对应。
参照图2，显示装置1可以包括包含显示元件的显示面板10以及与第二显示区域SA对应的组件20。
显示面板10可以包括基底100、显示元件层200和薄膜封装层300，显示元件层200布置在基底100上方，并且薄膜封装层300作为密封构件密封显示元件层200。此外，显示面板10还可以包括布置在基底100上方的绝缘层IL'以及布置在基底100下方的下保护膜175。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚烯丙基酯(化物)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或醋酸丙酸纤维素(CAP)等。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
显示元件层200可以包括电路层、作为显示元件的有机发光二极管OLED和OLED'以及位于它们之间的绝缘层IL，电路层包括薄膜晶体管TFT和TFT'。
第一像素Pm可以布置在第一显示区域DA中，第一像素Pm包括主薄膜晶体管TFT和连接到其的有机发光二极管OLED。第二像素Pa可以布置在第二显示区域SA中，第二像素Pa包括第二薄膜晶体管TFT'和连接到其的有机发光二极管OLED'。
此外，透射区域TA可以布置在第二显示区域SA中，第二薄膜晶体管TFT'和显示元件不布置在透射区域TA中。可以理解的是，透射区域TA是使从组件20发射的光/信号或者入射到组件20的光/信号透射的区域。
组件20可以位于第二显示区域SA中。组件20可以包括使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以是发射和/或接收光的诸如红外传感器的传感器、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种合适的波长带中的光，诸如可见光、红外光和紫外光。布置在第二显示区域SA中的组件20可以被设置为多个组件。例如，作为组件20，发光元件和光接收元件可以一起设置在第二显示区域SA中。在一些示例中，光发射器和光接收器可以共同地(例如，同时地)设置为一个组件20。
底部电极层BSM可以布置在第二显示区域SA中。底部电极层BSM可以布置在第二薄膜晶体管TFT'下方。底部电极层BSM可以防止或基本防止外部光到达包括第二薄膜晶体管TFT'的第二像素Pa。例如，底部电极层BSM可以防止或基本防止从组件20发射的光到达第二像素Pa。
在实施例中，可以将恒定电压或信号施加到底部电极层BSM以防止或基本防止像素电路被静电放电损坏。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。对此，图2示出了第一无机封装层310、第二无机封装层330和有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以均包括无机绝缘材料中的至少一种，所述无机绝缘材料包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯等。
下保护膜175可以附着在基底100的背面上以支撑和保护基底100。下保护膜175可以包括与第二显示区域SA对应的开口175OP。由于下保护膜175包括开口175OP，因此可以提高第二显示区域SA的透光率。下保护膜175可以包括PET或PI。
第二显示区域SA的面积可以大于其中布置有组件20的区域的面积。因此，下保护膜175的开口175OP的面积可以不与第二显示区域SA的面积一致。例如，开口175OP的面积可以小于第二显示区域SA的面积。
此外，多个组件20可以布置在第二显示区域SA中。多个组件20可以具有不同的功能。
输入感测构件、防反射构件和透明窗可以进一步布置在显示面板10上，输入感测构件感测触摸输入，防反射构件包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵。
尽管示出的实施例示出了薄膜封装层300用作密封显示元件层200的封装构件，但是实施例不限于此。例如，作为密封显示元件层200的构件，可以使用密封基底，该密封基底通过密封剂或玻璃料附着在基底100上。
图3A是根据实施例的显示面板10的平面图。
参照图3A，显示面板10布置在第一显示区域DA中并且包括多个第一像素Pm。第一像素Pm可以均包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个第一像素Pm可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，可以理解的是，第一像素Pm是发射如上所述的红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的子像素。第一显示区域DA可以被参照图2描述的封装构件覆盖，因此可以保护第一显示区域DA免受外部空气或湿气的影响。
第二显示区域SA可以布置在第一显示区域DA的一侧上。多个第二像素Pa布置在第二显示区域SA中。第二像素Pa可以均包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个第二像素Pa可以通过有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在本说明书中，可以理解的是，第二像素Pa是发射如上所述的红色、绿色、蓝色和白色中的一种颜色的光的子像素。透射区域TA可以布置在第二显示区域SA中，透射区域TA布置在第二像素Pa之间。至少一个组件20可以布置在显示面板10的第二显示区域SA下方。
在实施例中，第一像素Pm的像素电路可以与第二像素Pa的像素电路相同。然而，实施例不限于此。例如，包括在第一像素Pm中的像素电路可以与包括在第二像素Pa中的像素电路不同。
由于第二显示区域SA包括透射区域TA，因此第二显示区域SA的分辨率可以小于第一显示区域DA的分辨率。例如，第二显示区域SA的分辨率可以是第一显示区域DA的分辨率的大约1/2。在实施例中，第一显示区域DA的分辨率可以是400ppi或更高，并且第二显示区域SA的分辨率可以是200ppi或更高。
第一像素Pm和第二像素Pa中的每个可以电连接到布置在第一非显示区域NDA中的外围电路。第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170可以布置在第一非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL向第一像素Pm和第二像素Pa中的每个提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以通过发射控制线EL向第一像素Pm和第二像素Pa中的每个提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置，且第一显示区域DA位于它们之间。布置在第一显示区域DA中的第一像素Pm中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，并且其余的第一像素Pm可以连接到第二扫描驱动电路120。在另一实施例中，可以省略第二扫描驱动电路120。
端子140可以布置在基底100的一侧上。端子140可以通过不被绝缘层覆盖而被暴露，并且因此电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB将控制器的信号或电力传输到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB被传输到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120中的每个。控制器可以通过第一连接线161和第二连接线171分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS(见将在下面描述的图4A和图4B)。第一电力电压ELVDD可以通过连接到第一电源线160的驱动电压线PL被提供到第一像素Pm和第二像素Pa中的每个，并且第二电力电压ELVSS(也称为共电压)可以被提供到第一像素Pm和第二像素Pa中的每个的连接到第二电源线170的对电极。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL被提供到第一像素Pm和第二像素Pa中的每个。尽管在图3A中示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB上，但是数据驱动电路150可以替代地布置在基底100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163在x方向上彼此平行地延伸，且第一显示区域DA位于它们之间。第二电源线170具有包括一个敞开侧的环形形状，并且可以部分地围绕第一显示区域DA。
尽管在图3A中示出了第二显示区域SA布置在第一显示区域DA的一侧上，但是实施例不限于此。例如，如图3B中所示，第二显示区域SA可以设置为与布置在其下方的传感器对应的区域。在这种情况下，第二显示区域SA可以布置在第一显示区域DA内部，并因此被第一显示区域DA围绕。
图4A和图4B是根据实施例的可以包括在显示面板10中的第一像素Pm和/或第二像素Pa的等效电路图。
参照图4A，第一像素Pm和第二像素Pa中的每个包括像素电路PC和有机发光二极管OLED，像素电路PC连接到扫描线SL和数据线DL，有机发光二极管OLED连接到像素电路PC。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn而将数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1，数据信号Dm通过数据线DL输入。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压和通过驱动电压线PL供应的第一电力电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过使用驱动电流来发射具有设定或预定亮度的光。
尽管图4A描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，但是实施例不限于此。例如，如图4B中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图4B，第一像素Pm和第二像素Pa中的每个包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和多个存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
尽管在图4B中示出了第一像素Pm和第二像素Pa中的每个连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL，但是实施例不限于此。在另一实施例中，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL中的至少一条可以被相邻像素共用。
多个薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
信号线包括扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和数据线DL。扫描线SL传输扫描信号Sn，前一扫描线SL-1将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7，发射控制线EL将发射控制信号En传输到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6，数据线DL与扫描线SL交叉并传输数据信号Dm。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL传输使驱动薄膜晶体管T1和像素电极初始化的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一电极Cst1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源电极S2连接到数据线DL，开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1，并且通过操作控制薄膜晶体管T5同时连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且执行将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1，并且通过发射控制薄膜晶体管T6同时连接到有机发光二极管OLED的像素电极，补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一电极Cst1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且通过将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1电连接到驱动漏电极D1来使驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一电极Cst1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极D3和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4响应于通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，并且执行将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的初始化操作，从而使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1的电压初始化。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL传输的发射控制信号En而同时(或并发)导通，以使驱动电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED，因此使驱动电流IOLED流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7响应于通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，并且使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
尽管图4B示出了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫描线SL-1的情况，但是实施例不限于此。在另一实施例中，第一初始化薄膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SL-1，并且响应于前一扫描信号Sn-1而被驱动，第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)，并且响应于通过单独的信号线传输的信号而被驱动。
存储电容器Cst的第二电极Cst2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极连接到传输共电压ELVSS的信号线。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED并发光，从而显示图像。
尽管在图4B中示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4均具有双栅电极，但是补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以均具有一个栅电极。
在本实施例中，第一像素Pm和第二像素Pa可以包括相同的像素电路PC。然而，实施例不限于此。例如，第一像素Pm和第二像素Pa可以包括具有不同结构的像素电路PC。例如，第一像素Pm可以采用图4B的像素电路，第二像素Pa可以采用图4A的像素电路。可以进行各种合适的修改。
图5是图3A的第二显示区域SA的一部分的平面图，图6A是沿着图3A的线I-I'和图5的线II-II'截取的显示装置1的剖视图，图6B是图6A的区域III的放大图。
参照图5，根据实施例，第二像素Pa和透射区域TA布置在显示装置1的第二显示区域SA中。第二像素Pa可以连续地布置以构成一个像素组Pg。像素组Pg可以包括至少一个第二像素Pa。在图5中示出了一个像素组Pg包括布置成两列的四个第二像素Pa。然而，实施例不限于此。可以以合适的方式对包括在一个像素组Pg中的第二像素Pa的数量和第二像素Pa的布置进行各种修改。例如，一个像素组Pg可以包括并排布置成一列的三个第二像素Pa。在一些示例中，一个像素组Pg可以包括布置成四列的八个第二像素Pa。第二像素Pa可以以各种合适的布置来布置，诸如条纹布置、马赛克布置(mosaic arrangement)和pentile布置。
透射区域TA是不包括显示元件的区域，并且因此具有高的透光率。透射区域TA可以在第二显示区域SA中设置为多个透射区域TA。透射区域TA和像素组Pg可以在第一方向(例如，x方向)和/或第二方向(例如，y方向)上交替地布置。在一些示例中，透射区域TA可以围绕像素组Pg。在一些示例中，第二像素Pa可以围绕透射区域TA。
参照图6A，根据实施例的显示装置1包括第一显示区域DA和第二显示区域SA。第一像素Pm布置在第一显示区域DA中，第二像素Pa和透射区域TA布置在第二显示区域SA中。
第一像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。第二像素Pa可以包括第二薄膜晶体管TFT'、辅助存储电容器Cst'和辅助有机发光二极管OLED'。第二显示区域SA可以包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。
组件20可以布置在第二显示区域SA下方。组件20可以包括发送/接收红外线的红外(IR)传感器。由于透射区域TA布置在第二显示区域SA中，因此从/向组件20发送/接收的红外信号可以穿过第二显示区域SA。例如，从组件20发射的光可以穿过透射区域TA在z方向上行进，并且从显示装置1的外部产生并入射到组件20的光可以穿过透射区域TA在(-)z方向上行进。在另一实施例中，组件20可以包括捕获图像的图像传感器。在实施例中，组件20可以包括多个图像传感器，并且一个图像传感器可以与透射区域TA对应。
在下文中，描述其中堆叠有根据实施例的显示装置1的元件的结构。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚烯丙基酯(化物)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和/或醋酸丙酸纤维素(CAP)等。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以包括多层结构，多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层。
缓冲层111可以位于基底100上，可以减少或阻挡异物、湿气或外部空气从基底100下方的渗透，并且在基底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括无机材料、有机材料或有机/无机复合材料，无机材料包括氧化物和氮化物。缓冲层111可以具有无机材料和有机材料的单个结构或多层结构。阻挡层可以进一步布置在基底100与缓冲层111之间，阻挡层阻挡外部空气的渗透。在实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。缓冲层111可以包括堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
在第二显示区域SA中，底部电极层BSM可以布置在第一缓冲层111a与第二缓冲层111b之间。在另一实施例中，底部电极层BSM可以布置在基底100与第一缓冲层111a之间。底部电极层BSM可以布置在第二薄膜晶体管TFT'下方，并且可以防止或基本防止第二薄膜晶体管TFT'的特性因从组件20等发射的光而劣化。
此外，底部电极层BSM可以通过接触孔连接到布置在不同层上的布线GCL。底部电极层BSM可以从布线GCL接收恒定电压或信号。例如，底部电极层BSM可以接收驱动电压ELVDD或扫描信号。由于底部电极层BSM接收恒定电压或信号，所以可以显著降低发生静电放电的可能性。底部电极层BSM可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu。底部电极层BSM可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
主薄膜晶体管TFT和第二薄膜晶体管TFT'可以布置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。第二薄膜晶体管TFT'包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以在第一显示区域DA中连接到主有机发光二极管OLED，以驱动主有机发光二极管OLED。第二薄膜晶体管TFT'可以在第二显示区域SA中连接到辅助有机发光二极管OLED'，以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括非晶硅。在另一实施例中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以均包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区可以掺杂有杂质。
第二半导体层A2可以与底部电极层BSM叠置，且第二缓冲层111b位于它们之间。在实施例中，第二半导体层A2的宽度可以小于底部电极层BSM的宽度。因此，在垂直于基底100的方向上，第二半导体层A2可以与底部电极层BSM完全叠置。
第一栅极绝缘层112可以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或过氧化锌(ZnO2)。第一栅极绝缘层112可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2布置在第一栅极绝缘层112上，以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2叠置。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以均包括Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种，并且具有单层或多层结构。例如，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以均包括单个Mo层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或过氧化锌(ZnO2)。第二栅极绝缘层113可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
主存储电容器Cst的第一顶部电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二顶部电极CE2'可以布置在第二栅极绝缘层113上。
在第一显示区域DA中，第一顶部电极CE2可以与其下方的第一栅电极G1叠置。第一栅电极G1和第一顶部电极CE2可以构成主存储电容器Cst，第一栅电极G1和第一顶部电极CE2彼此叠置，且第二栅极绝缘层113位于它们之间。第一栅电极G1可以用作主存储电容器Cst的第一底部电极CE1。
在第二显示区域SA中，第二顶部电极CE2'可以与其下方的第二栅电极G2叠置。第二栅电极G2和第二顶部电极CE2'可以构成辅助存储电容器Cst'，第二栅电极G2和第二顶部电极CE2'彼此叠置，且第二栅极绝缘层113位于它们之间。第二栅电极G2可以用作辅助存储电容器Cst'的第二底部电极CE1'。
第一顶部电极CE2和第二顶部电极CE2'可以均包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
层间绝缘层115可以覆盖第一顶部电极CE2和第二顶部电极CE2'。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或过氧化锌(ZnO2)等。
当将第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115统称为无机绝缘层IL时，其中无机绝缘层IL堆叠在基底100上的结构可以具有90％或更大的透射率。例如，具有从大约900nm至大约1100nm范围内的波长且穿过基底100和无机绝缘层IL的光可以具有大约90％的透射率。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2布置在层间绝缘层115上。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以覆盖源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。平坦化层117可以具有平坦的顶表面，使得布置在其上的第一像素电极221和第二像素电极221'是平坦的。
平坦化层117可以具有包括有机材料的单层或多层结构。平坦化层117可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其共混物。
开口设置在平坦化层117中，开口使主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的一个暴露。第一像素电极221可以经由开口通过接触第一源电极S1或第一漏电极D1电连接到主薄膜晶体管TFT。
此外，开口设置在平坦化层117中，开口使第二薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的一个暴露。第二像素电极221'可以经由开口通过接触第二源电极S2或第二漏电极D2电连接到第二薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极221和第二像素电极221'可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'可以均包括反射层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其混合物。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'还可以包括位于反射层上/下方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在另一实施例中，第一像素电极221和第二像素电极221'可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以覆盖第一像素电极221和第二像素电极221'中的每个的边缘。像素限定层119包括第一开口OP1和第二开口OP2，第一开口OP1和第二开口OP2分别与第一像素电极221和第二像素电极221'叠置并且限定像素的发射区域。像素限定层119可以通过增大第一像素电极221和第二像素电极221'的边缘与第一像素电极221和第二像素电极221'之上的对电极223之间的距离来防止或基本防止在像素电极的边缘处(即，在第一像素电极221和第二像素电极221'的边缘处)产生弧(例如，电弧)等。像素限定层119可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂。像素限定层119可以通过诸如旋涂的方法形成。
当将平坦化层117和像素限定层119称为有机绝缘层OL时，有机绝缘层OL可以相对于红外波长的光具有90％或更大的透射率。例如，具有从大约900nm至大约1100nm范围内的波长且穿过有机绝缘层OL的光可以具有大约90％的透射率。
第一发射层222b和第二发射层222b'分别布置在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2中，第一发射层222b和第二发射层222b'分别与第一像素电极221和第二像素电极221'对应。第一发射层222b和第二发射层222b'可以包括聚合物材料或低分子量材料，并且发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层222e可以布置在第一发射层222b和第二发射层222b'上和/或下方。有机功能层222e可以包括第一功能层222a和第二功能层222c。可以省略第一功能层222a或第二功能层222c。
第一功能层222a可以布置在第一发射层222b和第二发射层222b'下方。第一功能层222a可以具有包括有机材料的单层或多层结构。第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。在一些示例中，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层222a可以设置为一体(例如，一个连续体)，以与包括在第一显示区域DA和第二显示区域SA中的第一像素Pm和第二像素Pa对应。因此，第一功能层222a可以与透射区域TA对应。
第二功能层222c可以布置在第一发射层222b和第二发射层222b'上。第二功能层222c可以具有包括有机材料的单层或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以设置为一体(例如，一个连续体)，以与包括在第一显示区域DA和第二显示区域SA中的第一像素Pm和第二像素Pa对应。因此，第二功能层222c可以与透射区域TA对应。
对电极223布置在第二功能层222c上。对电极223可以包括具有小逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括(半)透明层，(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金。在一些示例中，对电极223还可以包括位于包括上述材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极223可以设置为一体(例如，一个连续体)，以与包括在第一显示区域DA和第二显示区域SA中的第一像素Pm和第二像素Pa对应。
在第一显示区域DA中从第一像素电极221至对电极223范围内的层可以构成主有机发光二极管OLED。在第二显示区域SA中从第二像素电极221'至对电极223范围内的层可以构成辅助有机发光二极管OLED'。
顶层250可以形成在对电极223上，顶层250包括有机材料。顶层250可以包括用于保护对电极223并同时提高光提取效率的层。顶层250可以包括具有比对电极223的折射率大的折射率的有机材料。在一些示例中，顶层250可以包括堆叠的具有不同折射率的层。例如，顶层250可以包括堆叠的具有高折射率的层、具有低折射率的层和具有高折射率的层。在这种情况下，具有高折射率的层的折射率可以为1.7或更大，并且具有低折射率的层的折射率可以为1.3或更小。
顶层250还可以包括LiF。在一些示例中，顶层250还可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)。
在本实施例中，对电极223和顶层250可以均包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。也就是说，对电极223和顶层250可以分别具有均与透射区域TA对应的开口223H和开口250H。在实施例中，构成开口区域TAH的开口223H和250H的宽度可以基本相同。例如，对电极223的开口223H的宽度可以与开口区域TAH的宽度基本相同。开口区域TAH与透射区域TA对应可以意味着开口区域TAH与透射区域TA叠置。
由于形成与透射区域TA对应的开口区域TAH意味着去除诸如对电极223的构件，因此可以显著增大透射区域TA的透光率。
基底100、无机绝缘层IL、有机绝缘层OL和有机功能层222e可以布置在透射区域TA中。在这种情况下，其中基底100、无机绝缘层IL、有机绝缘层OL和有机功能层222e堆叠在透射区域TA中的结构相对于红外光的吸收率可以为20％或更少。
参照图6B，开口区域TAH可以包括对电极223的开口223H和顶层250的开口250H。对电极223的开口223H可以使有机功能层222e的顶表面暴露。顶层250的开口250H可以与对电极223的开口223H对应并且使有机功能层222e的顶表面暴露。对电极223的开口223H可以具有与顶层250的开口250H的面积基本相同的面积。
在本实施例中，顶层250包括与开口区域TAH相邻的凸部250c。凸部250c可以具有比相邻厚度t2大的厚度t1。尽管在附图中示出了凸部250c的厚度逐渐增加然后逐渐减小，但是实施例不限于此。例如，凸部250c可以包括具有比相邻厚度t2大的厚度t1的平坦的顶表面。可以在形成开口区域TAH的工艺中形成凸部250c。下面描述形成凸部250c的工艺。
图7A至图7C是根据实施例的制造显示装置1的方法的剖视图。
参照图7A，在第一显示区域DA和第二显示区域SA中将对电极223形成为一体(例如，一个连续体)，并且在其上形成顶层250。也就是说，将对电极223和顶层250形成为覆盖透射区域TA。
对电极223可以包括吸收红外波段(例如，大约800nm至大约3000nm)中的光的金属。对电极223可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金。
对电极223的厚度可以为大约
Figure BDA0002489301940000191
至大约
Figure BDA0002489301940000192
顶层250可以包括有机材料。在实施例中，顶层250可以包括具有比对电极223的折射率大的折射率的有机材料。在一些示例中，顶层250可以包括堆叠的具有不同折射率的层。例如，顶层250可以包括堆叠的具有高折射率的层、具有低折射率的层和具有高折射率的层。在这种情况下，具有高折射率的层的折射率可以为1.7或更大，并且具有低折射率的层的折射率可以为1.3或更小。
顶层250还可以包括LiF。在一些示例中，顶层250还可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)。
接下来，参照图7B，将激光LP从基底100的背面照射在布置在透射区域TA中的对电极223上。也就是说，激光LP可以从基底100的背面在与透射区域TA对应的激光区域LPA中在z方向上行进，并且可以照射在对电极223的背面上。激光LP可以具有红外波长。在激光LP是红外线的情况下，由于基底100、缓冲层111、无机绝缘层IL、有机绝缘层OL和有机功能层222e的透射率为大约80％至大约90％，因此激光LP可以有效地到达对电极223。
由于对电极223包括吸收红外光的金属，因此对电极223可以吸收激光LP。因此，对电极223的热膨胀发生，并且其上照射有激光LP的对电极223可以从其下方的有机功能层222e剥离。
当对电极223被剥离时，也可以将布置在被剥离的对电极223上的顶层250与对电极223一起去除。因此，如图7C中所示，可以同时(或并发)形成对电极223的开口223H和顶层250的开口250H。可以由对电极223的开口223H和顶层250的开口250H形成开口区域TAH。
在这种情况下，顶层250包括在开口区域TAH周围的凸部250c。由于与激光LP的吸收对应的热不仅可以传递到其上照射有激光LP的对电极223，而且可以传递到对电极223的周围，因此包括在顶层250中的有机材料因热而聚集以构成凸部250c。
在激光LP不照射在对电极223上而照射在布置在与其上布置有对电极223的层不同的层上的牺牲金属层上的情况下，由于顶层250与牺牲金属层分开，因此不形成凸部。
相反，根据本实施例，由于激光LP照射在与顶层250直接接触的对电极223上并且激光LP被吸收在对电极223中，因此可以在顶层250的一部分中形成凸部250c。
对于激光LP，可以使用具有800nm或更大的波长的光。在实施例中，对于激光LP，可以使用具有从大约1000nm至大约1100nm范围内的波长的光。在实施例中，激光LP可以被设置为具有纳秒持续时间的脉冲。可以通过诸如频率、波长和光斑重叠度的参数来调节激光LP的功率。
激光LP可以在一个方向的扫描方向上在透射区域TA上扫描多次。因此，可以在对电极223下方的有机功能层222e和/或像素限定层119中形成因激光LP引起的图案。
由于可以在根据实施例的显示装置1的第二显示区域SA中布置组件20(见图6A)，因此可以在第二显示区域SA中设置相对于红外线均具有高透射率的基底100、缓冲层111、无机绝缘层IL和有机绝缘层OL。
因此，对于用于形成开口区域TAH的激光LP，使用具有红外波段的激光，由于激光LP穿过布置在对电极223下方且具有高透射率的层，因此大部分激光LP被对电极223吸收，可以容易地使对电极223剥离。
图8A和图8B是根据另一实施例的显示装置的一部分的剖视图，并且具体示出了透射区域TA的周围。图8C是图8A或图8B的实施例的平面图。在图8A至图8C中，由于与图6B中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复的描述。
参照图8A和图8B，根据实施例的显示装置的对电极223和顶层250中的每个包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。顶层250包括与开口区域TAH相邻的凸部250c。
在本实施例中，多个突起图案222S可以设置在有机功能层222e的与开口区域TAH对应的顶表面上。可以在通过使用激光LP使对电极223剥离的工艺中形成突起图案222S。如上所述，在本实施例中，激光LP照射在对电极223上，以形成开口区域TAH。因此，与开口区域TAH对应的对电极223通过激光LP吸收热。由于这样的热传递到布置在对电极223下方的有机功能层222e，因此因激光LP的热引起的突起图案222S可以形成在有机功能层222e的顶表面上。
突起图案222S的形状和尺寸可以根据激光LP的光斑的尺寸和扫描激光LP时的重叠程度而不同。在实施例中，突起图案222S的突出程度可以为大约
Figure BDA0002489301940000211
有机功能层222e可以包括堆叠的第一功能层222a和第二功能层222c。在这种情况下，突起图案222S可以形成在第二功能层222c的顶表面上。此外，如图8A中所示，突起图案222S'可以形成在第一功能层222a的顶表面上。在另一实施例中，如图8B中所示，突起图案119S可以形成在像素限定层119的顶表面上。
参照图8C，突起图案222S的压纹部分可以在一个方向上延伸。这可以意味着在一个方向上已经执行了激光LP的扫描。此外，突起图案222S可以设置为多个突起图案。多个突起图案可以以设定或预定间隔彼此分开。间隔可以与激光LP的光斑尺寸对应。
可以根据激光LP的扫描方向和光斑尺寸来不同地设置突起图案222S的压纹部分的形状和间隔距离。例如，在以Z字形或圆形形状执行激光LP的扫描的情况下，突起图案222S的压纹部分的形状可以设置为Z字形或圆形形状。
图9是根据另一实施例的显示装置的剖视图。在图9中，由于与图6B中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复的描述。
参照图9，根据本实施例的显示装置包括第一显示区域DA和第二显示区域SA，第二显示区域SA包括透射区域TA。显示装置的对电极223和顶层250中的每个包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。顶层250包括与开口区域TAH相邻的凸部250c。
在本实施例中，像素限定层119可以包括位于透射区域TA中的第一开口H1。由于第一开口H1形成在像素限定层119中，因此可以提高透射区域TA的透光率。开口区域TAH可以形成在第一开口H1内部。在实施例中，开口区域TAH的宽度可以小于第一开口H1的宽度。因此，有机功能层222e、对电极223和顶层250可以布置在第一开口H1的内壁上。然而，实施例不限于此。
例如，开口区域TAH的宽度可以大于第一开口H1的宽度，并且开口区域TAH的侧壁可以布置在像素限定层119的顶表面上。
图10是根据另一实施例的显示装置的剖视图。在图10中，由于与图6A中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复的描述。
参照图10，根据本实施例的显示装置包括第一显示区域DA和第二显示区域SA，第二显示区域SA包括透射区域TA。显示装置的对电极223和顶层250中的每个包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。顶层250包括与开口区域TAH相邻的凸部250c。
在本实施例中，像素限定层119可以包括位于透射区域TA中的第一开口H1，并且平坦化层117可以包括位于透射区域TA中的第二开口H2。第二开口H2可以与第一开口H1叠置。尽管在附图中示出了第二开口H2的下宽度大于第一开口H1的下宽度，因此像素限定层119覆盖第二开口H2的内壁，但是实施例不限于此。例如，平坦化层117的第二开口H2的宽度可以小于像素限定层119的第一开口H1的宽度。由于形成了第一开口H1和第二开口H2，因此可以提高透射区域TA的透光率。
开口区域TAH可以形成在第一开口H1和第二开口H2内部。在实施例中，开口区域TAH的宽度可以小于第一开口H1和第二开口H2的宽度。因此，有机功能层222e、对电极223和顶层250可以布置在第一开口H1的内壁上。然而，实施例不限于此。
例如，开口区域TAH的宽度可以大于第一开口H1的宽度，并且开口区域TAH的侧壁可以布置在像素限定层119的顶表面上。
图11是根据另一实施例的显示装置的剖视图。在图11中，由于与图6A中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复的描述。
参照图11，根据本实施例的显示装置包括第一显示区域DA和第二显示区域SA，第二显示区域SA包括透射区域TA。显示装置的对电极223和顶层250中的每个包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。顶层250包括与开口区域TAH相邻的凸部250c。
在本实施例中，像素限定层119可以包括位于透射区域TA中的第一开口H1，并且平坦化层117可以包括位于透射区域TA中的第二开口H2。第二开口H2可以与第一开口H1叠置。此外，第三开口H3可以布置在无机绝缘层IL中。
第三开口H3可以使缓冲层111或基底100的顶表面暴露。第三开口H3可以包括彼此叠置的第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口以及层间绝缘层115的开口。开口可以通过单独的工艺分别形成，或者可以通过同一工艺同时(或并发)形成。在一些示例中，可以同时(或并发)形成第一栅极绝缘层112的开口和第二栅极绝缘层113的开口，并且可以单独形成层间绝缘层115的开口。可以进行各种合适的修改。在通过单独的工艺形成开口的情况下，在第三开口H3的侧表面上可以形成台阶差。
此外，无机绝缘层IL可以包括沟槽而不是使缓冲层111暴露的第三开口H3。例如，无机绝缘层IL的第一栅极绝缘层112可以连续地布置为与透射区域TA对应，并且第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以分别包括与透射区域TA对应的开口。
在一些示例中，第一栅极绝缘层112和第二栅极绝缘层113可以连续地布置为与透射区域TA对应，并且层间绝缘层115可以包括与透射区域TA对应的开口。可以进行各种合适的修改。
第三开口H3可以与第一开口H1和第二开口H2叠置。由于形成了第一开口H1、第二开口H2和第三开口H3，因此可以提高透射区域TA的透光率。有机功能层222e、对电极223和顶层250可以布置在第一开口H1、第二开口H2和第三开口H3的内壁上。
图12是根据另一实施例的显示装置的剖视图。在图12中，由于与图6A中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复的描述。
参照图12，根据本实施例的显示装置包括第一显示区域DA和第二显示区域SA，第二显示区域SA包括透射区域TA。显示装置的对电极223和顶层250中的每个包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。顶层250包括与开口区域TAH相邻的凸部250c。
在本实施例中，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以被封装基底300A覆盖。封装基底300A包括透明材料。例如，封装基底300A可以包括玻璃材料。在一些示例中，封装基底300A可以包括聚合物树脂。封装基底300A可以防止或基本防止外部湿气或异物渗透到主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'。
诸如密封剂的密封材料可以布置在基底100与封装基底300A之间，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'设置在基底100上。密封材料可以阻挡可能通过基底100与封装基底300A之间的空间渗透的外部湿气或异物。
图13是根据另一实施例的显示装置的剖视图。在图13中，由于与图6A中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，因此省略其重复的描述。
参照图13，根据本实施例的显示装置包括第一显示区域DA和第二显示区域SA，第二显示区域SA包括透射区域TA。显示装置的对电极223和顶层250中的每个包括与透射区域TA对应的开口区域TAH。顶层250包括与开口区域TAH相邻的凸部250c。
在根据本实施例的显示装置中，薄膜封装层300布置在顶层250上。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。对此，图13中示出了薄膜封装层300具有其中堆叠有第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330的结构。在另一实施例中，可以修改有机封装层的数量、无机封装层的数量和堆叠顺序。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以均包括至少一种无机绝缘材料，并可以通过化学气相沉积(CVD)形成，所述至少一种无机绝缘材料包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯等。
第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以均形成为一体(例如，一个连续体)以覆盖第一显示区域DA和第二显示区域SA。因此，第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以布置在开口区域TAH内部。
在另一实施例中，有机封装层320可以形成为一体(例如，一个连续体)以覆盖第一显示区域DA和第二显示区域SA，并且可以不存在于透射区域TA中。换言之，有机封装层320可以包括与透射区域TA对应的开口。在这种情况下，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在开口区域TAH内部彼此接触。
图14A和图14B是根据本实施例的在剥离对电极223之后捕获的透射区域TA周围的图像。
参照图14A和图14B，透射区域TA周围的顶层250包括凸部250c，凸部250c具有比其周围的相邻厚度t2大的厚度t1。有机功能层222e和像素限定层119可以布置在透射区域TA中，并且突起图案222S可以形成在有机功能层222e的顶表面上。
参照图14B，已知的是有机功能层222e的顶表面上的突起图案222S在激光LP的扫描方向上形成。
在根据实施例的显示装置中，由于像素区域和具有提高的透光率的透射区域布置在与组件(诸如传感器)对应的第二显示区域中，因此可以确保组件可以在其下运行的环境，并且同时地(或并发地)，可以在与组件叠置的区域中显示图像。
因此，可以提供具有各种功能并且同时改善质量的显示装置。然而，提供这些效果作为示例，并且通过以上描述详细描述了根据实施例的效果。
将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离发明构思的精神和范围的情况下，可以将下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，从而描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不意图限制发明构思。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。
出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个(者/种)”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个(者/种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个(者/种)或更多个(者/种)的任何组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。
此外，当描述发明构思的实施例时，“可以(可)”的使用指“发明构思的一个或更多个实施例”。此外，术语“示例性”意图指示例或图示。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”另一元件或层、或者“与”另一元件或层“相邻”时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到、直接结合到所述另一元件或层、或者与所述另一元件或层直接相邻，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”另一元件或层、或者“与”另一元件或层“紧邻”时，不存在中间元件或层。
如这里使用的，术语“基本”、“大约”和类似的术语被用作近似术语而不是程度术语，并且意图说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。
如这里使用的，可以认为术语“使用”及其变型分别与术语“利用”及其变型同义。
此外，这里陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。所有这些范围意图在本说明书中进行固有描述。
可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的合适的组合来实现根据这里描述的本发明的实施例的显示装置和/或任何其他相关装置或组件。例如，显示装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或单独的IC芯片上。此外，显示装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装件(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者形成在同一基底上。此外，显示装置的各种组件可以是执行计算机程序指令并与其他系统组件进行交互以执行这里所描述的各种功能的在一个或更多个计算装置中的在一个或更多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，存储器可以使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器装置在计算装置中实现。计算机程序指令也可以被存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应认识到，在不脱离本发明的示例性实施例的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或更多个其他计算装置上。
应理解的是，这里描述的实施例应仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物所限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式上和细节上的各种合适的改变。

Claims (21)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域包括第一像素，并且所述第二显示区域包括第二像素和透射区域；
第一像素电极和第一发射层，位于所述第一像素中；
第二像素电极和第二发射层，位于所述第二像素中；
对电极，在所述第一显示区域和所述第二显示区域中布置为一体；以及
顶层，布置在所述对电极上，
其中，所述对电极和所述顶层均具有与所述透射区域对应的开口区域，并且
其中，凸部位于所述透射区域周围，所述凸部在所述基底的顶表面方向上凸出。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述凸部是所述顶层的一部分。
3.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
有机功能层，位于所述第一像素电极与所述对电极之间，
其中，所述有机功能层与所述透射区域对应。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，多个突起图案位于所述有机功能层的顶表面上。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述多个突起图案以设定间隔彼此分开，所述多个突起图案中的每个在一个方向上延伸。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二薄膜晶体管，位于所述第二显示区域中；以及
底部电极层，位于所述基底与所述第二薄膜晶体管之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素限定层，使所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每个的中心部分暴露，并且覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每个的边缘，
其中，所述像素限定层包括与所述透射区域对应的第一开口。
8.根据权利要求7所述的显示装置，所述显示装置还包括：
平坦化层，位于所述基底与所述像素限定层之间，
其中，所述平坦化层包括与所述透射区域对应的第二开口。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一开口的宽度小于所述第二开口的宽度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
无机绝缘层，布置在所述基底上，
其中，所述无机绝缘层包括与所述透射区域对应的第三开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述开口区域的宽度小于所述第三开口的宽度。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一显示区域和所述第二显示区域通过面对所述基底的封装基底密封。
13.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
薄膜封装层，包括顺序堆叠在所述顶层上的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括像素和透射区域，所述像素包括显示元件；
像素电极和发射层，位于所述像素中；
对电极，位于所述发射层上；以及
顶层，位于所述对电极上，
其中，所述对电极和所述顶层均具有与所述透射区域对应的开口，并且
其中，所述顶层包括凸部，所述凸部与所述透射区域相邻，并且比所述凸部的周围的厚度厚。
15.根据权利要求14所述的显示装置，所述显示装置还包括：
有机功能层，位于所述像素电极与所述对电极之间，
其中，所述有机功能层与所述透射区域对应。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，多个突起图案位于所述有机功能层的顶表面上。
17.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括基底，所述基底包括第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域包括第一像素，并且所述第二显示区域包括第二像素和透射区域，所述方法包括：
在所述基底的顶表面上方在所述第一显示区域和所述第二显示区域中形成对电极和顶层；
从所述基底的背面向所述对电极的与所述透射区域对应的区域照射激光，所述激光具有红外波长；以及
通过使所述对电极的从所述基底向所述对电极照射所述激光的所述区域剥离，在所述对电极和所述顶层中形成开口区域。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述顶层包括在所述透射区域周围的凸部，所述凸部通过所述激光形成。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述激光的波长为1000nm至1100nm。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，从所述基底到所述对电极布置的层相对于所述激光的吸收率为20％或更小。
21.根据权利要求17所述的方法，所述方法还包括：
设置与所述透射区域对应的有机功能层，
其中，所述有机功能层包括通过所述激光形成的突起图案。
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