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CN111788863A - 有机el器件及其制造方法 - Google Patents

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CN111788863A
CN111788863A CN201880080201.3A CN201880080201A CN111788863A CN 111788863 A CN111788863 A CN 111788863A CN 201880080201 A CN201880080201 A CN 201880080201A CN 111788863 A CN111788863 A CN 111788863A
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Abstract

有机EL器件(100A)具有包含多个有机EL元件(3)的有源区域(R1)及周边区域(R2)，且具有：具有多个有机EL元件的元件基板(20)及覆盖多个有机EL元件的薄膜封装结构(10A)。薄膜封装结构具有：第一无机阻挡层(12)；与第一无机阻挡层的上表面相接的有机阻挡层(14)；及与第一无机阻挡层的上表面及有机阻挡层的上表面相接的第二无机阻挡层(16)。周边区域具有：第一突状结构体(22a)，其包含沿着有源区域的至少一个边延伸的部分；及第一无机阻挡层的延伸设置部(12e)，其延伸设置于第一突状结构体上，第一突状结构体包含第一部分及第二部分，第一部分比第二部分更靠近第一突状结构体的顶部，在从基板的法线方向观察时，第一部分的平行于基板面的截面包括与第二部分的平行于基板面的截面不重叠的部分。

Description

有机EL器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机EL器件及其制造方法。
背景技术
有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示装置开始投入实际使用。有机EL显示装置的特征之一是可获得柔性显示装置。有机EL显示装置在每个像素中具有至少一个有机EL元件(有机发光二极管，Organic Light Emitting Diode：OLED)和控制供给至各OLED的电流的至少一个TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)。以下，将有机EL显示装置称为OLED显示装置。如上所述地在每个OLED中具有TFT等开关元件的OLED显示装置被称为有源矩阵型OLED显示装置。并且，将形成有TFT及OLED的基板称为元件基板。
OLED(特别是有机发光层及阴极电极材料)容易受到水分的影响而劣化，容易产生显示不均。作为提供保护OLED免受水分的影响、且不损害柔软性的封装结构的技术，开发了薄膜封装(Thin Film Encapsulation：TFE)技术。薄膜封装技术通过交替层叠无机阻挡层与有机阻挡层来通过薄膜获得充分的水蒸气阻挡性。从OLED显示装置的耐湿可靠性的观点考虑，典型的是要求薄膜封装结构的水蒸气透过率(Water Vapor Transmission Rate：WVTR)为1×10-4g/m2/day以下。
目前市售的OLED显示装置中所使用的薄膜封装结构具有厚度约5μm～约20μm的有机阻挡层(高分子阻挡层)。如此较厚的有机阻挡层还起到使元件基板的表面平坦化的作用。
而且，于专利文献1及2中，记载了具有由分布不均匀的树脂构成的有机阻挡层的薄膜封装结构。专利文献1或2中所记载的薄膜封装结构不具有厚的有机阻挡层。因此，认为如果使用专利文献1或2中所记载的薄膜封装结构，则OLED显示装置的挠曲性得到改善。
于专利文献1中，揭示了如下薄膜封装结构，其在从元件基板侧起依次形成第一无机材料层(第一无机阻挡层)、第一树脂材料及第二无机材料层(第二无机阻挡层)时，使第一树脂材料不均匀地分布在第一无机材料层的凸部(包覆有凸部的第一无机材料层)的周围。根据专利文献1，使第一树脂材料不均匀地分布在可能未被第一无机材料层充分包覆的凸部的周围，由此抑制水分或氧自该部分侵入。而且，第一树脂材料发挥作为第二无机材料层的基底层的功能，因此能够适当地形成第二无机材料层，从而以所期望的膜厚适宜地包覆第一无机材料层的侧面。第一树脂材料可以以如下方式形成。将被加热气化的雾状有机材料供给至维持为室温以下温度的元件基板上，有机材料于基板上凝结、滴状化。滴状化的有机材料由于毛细管现象或表面张力在基板上移动，从而不均匀分布于第一无机材料层的凸部侧面与基板表面的边界部。其后，使有机材料固化，由此在边界部形成第一树脂材料。在专利文献2中也揭示了具有同样的薄膜封装结构的OLED显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2014/196137号
专利文献2：日本专利特开2016-39120号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
OLED显示装置例如如下所述地制造。首先，制作元件基板，其在母玻璃基板上具有分别与OLED显示装置对应的多个OLED显示装置部。其次，在元件基板上的每个OLED显示装置部上形成薄膜封装结构。其后，将其分割为单个的OLED显示装置部，视需要经过后处理来获得OLED显示装置。从耐湿可靠性的观点考虑，优选所获得的OLED显示装置的有源区域被第一无机阻挡层与第二无机阻挡层直接接触的部分完全包围。
然而，本发明者利用上述方法试制OLED显示装置时，产生无法获得足够的耐湿可靠性的问题。
根据本发明者的研究，在对元件基板进行分割的工序中，如果在分割线上存在构成薄膜封装结构的无机材料层(第一无机阻挡层及/或第二无机阻挡层)，则会从切断的部位在无机材料层产生龟裂(裂缝)。该龟裂由于热历史等原因，会随着时间经过发展，并且到达OLED显示装置的有源区域。
构成薄膜封装结构的无机材料层例如通过掩模CVD法以覆盖OLED显示装置的有源区域的方式形成。此时，考虑到掩模CVD装置的尺寸精度及掩模与元件基板的对准误差，将无机材料层形成得比应形成薄膜封装结构的区域宽。如果形成无机材料层的区域过大，则变得于元件基板的分割线上存在无机材料层，从而会产生上述问题。并且，为了使OLED显示装置的量产性提高，趋向于使由一枚母玻璃基板所形成的OLED显示装置数增加。其结果，邻接的OLED显示装置部的间隔变小(例如数mm)，从而变得容易产生上述问题。
上述问题不限于专利文献1及2中所记载的具有薄膜封装结构的OLED显示装置，在具备具有比较厚(例如厚度超过5μm)的有机阻挡层的薄膜封装结构的OLED显示装置中也是共通的问题。并且，虽然在此处说明了OLED显示装置所具有的薄膜封装结构的问题，但薄膜封装结构并不限于OLED显示装置，还用于有机EL照明装置等其他有机EL器件中。
本发明是为了解决上述问题而成的，其目的在于提供耐湿可靠性得到改善的具备薄膜封装结构的有机EL器件及其制造方法。
解决问题的方案
本发明的某一实施方式的有机EL器件是具有包含多个有机EL元件的有源区域及位于除所述有源区域以外的区域的周边区域的有机EL器件，其特征在于，其具有：元件基板，其具有基板及支承于所述基板上的所述多个有机EL元件；及薄膜封装结构，其覆盖所述多个有机EL元件；所述薄膜封装结构具有：第一无机阻挡层、与所述第一无机阻挡层的上表面相接的有机阻挡层、与所述第一无机阻挡层的所述上表面及所述有机阻挡层的上表面相接的第二无机阻挡层，所述周边区域具有：第一突状结构体，其支承于所述基板上，包含沿着所述有源区域的至少一个边延伸的部分；及所述第一无机阻挡层的延伸设置部，其延伸设置于所述第一突状结构体上；所述第一突状结构体包含第一部分及第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一突状结构体的顶部，在从所述基板的法线方向观察时，第一截面包括与第二截面不重叠的部分，其中，所述第一截面为所述第一部分的与所述基板面平行的面，所述第二截面为所述第二部分的与所述基板面平行的面。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体的高度大于所述第一无机阻挡层的厚度。此处，所述第一无机阻挡层的厚度例如设为所述有源区域的厚度。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体的高度是所述第一无机阻挡层的厚度的3倍以上。此处，所述第一无机阻挡层的厚度例如设为所述有源区域的厚度。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体包含突出部，且所述突出部包含所述第一部分，其中，在观察与所述第一突状结构体延伸的方向正交的截面时，该突出部在与所述第一突状结构体的高度方向大致正交的方向上突出。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体包含倒锥部，且所述倒锥部包含所述第一部分及所述第二部分，其中，在观察与所述第一突状结构体延伸的方向正交的截面时，该倒锥部的侧面的锥角超过90°。
在某一实施方式中，所述周边区域具有形成在所述第一无机阻挡层的所述延伸设置部上的所述第二无机阻挡层的延伸设置部。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体的高度是所述第一无机阻挡层的厚度与所述第二无机阻挡层的厚度之和的3倍以上。此处，所述第一无机阻挡层的厚度及所述第二无机阻挡层的厚度例如分别设为所述有源区域的厚度。
在某一实施方式中，在从所述基板的法线方向观察时，所述第二无机阻挡层不与所述第一突状结构体重叠。
在某一实施方式中，所述元件基板还具有堤层，该堤层对多个像素的每一个进行限定，多个像素的每一个分别具有所述多个有机EL元件的任一个，所述第一突状结构体的高度与所述堤层的厚度相同或比所述堤层的厚度大。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的三个边延伸的部分。
在某一实施方式中，所述元件基板具有分别与所述多个有机EL元件的任一个连接的多根栅极总线及分别与所述多个有机EL元件的任一个连接的多根源极总线，所述周边区域具有设于所述有源区域的某个边的附近区域的多个端子及将所述多个端子与所述多根栅极总线或所述多根源极总线的任一者连接的多根引出配线，所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的所述某个边以外的三个边延伸的部分。
在某一实施方式中，所述有机阻挡层具有离散地分布的多个实心部，所述第二无机阻挡层与所述第一无机阻挡层的所述上表面及所述有机阻挡层的所述多个实心部的上表面相接。
在某一实施方式中，所述有机阻挡层兼用作厚度为5μm以上的平坦化层。
在某一实施方式中，所述周边区域在所述有源区域与所述第一突状结构体之间具有第二突状结构体，该第二突状结构体包含沿着所述有源区域的至少一个边延伸的部分。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体包含多个子结构体。
本发明的某一实施方式的有机EL器件的制造方法的特征在于，包括：准备元件基板的工序，该元件基板具有基板及支承于所述基板上的分别包含多个有机EL元件的多个有源区域；在所述多个有源区域的各个区域中，形成覆盖所述多个有机EL元件的薄膜封装结构的工序；在形成所述薄膜封装结构的工序之后，将所述多个有源区域的各个区域分割的工序；准备所述元件基板的工序包含在所述多个有源区域的各个区域，形成包含沿着该有源区域的至少一个边延伸的部分的第一突状结构体的工序a1，所述第一突状结构体包含第一部分及第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一突状结构体的顶部，在从所述基板的法线方向观察时，第一截面包括与第二截面不重叠的部分，其中，所述第一截面为所述第一部分的与所述基板面平行的面，所述第二截面为所述第二部分的与所述基板面平行的面，形成所述薄膜封装结构的工序包含：在所述第一突状结构体上，以覆盖所述第一突状结构体的方式形成第一无机阻挡层的工序A；在所述工序A之后，在所述第一无机阻挡层上形成有机阻挡层的工序B；在所述工序B之后，在所述第一无机阻挡层及所述有机阻挡层上形成第二无机阻挡层的工序C；将所述多个有源区域的各个区域分割的工序包含：以包含形成在所述多个有源区域的各个区域的所述第一突状结构体及该有源区域的方式，将所述基板及所述第一无机阻挡层切断的工序。
在某一实施方式中，准备所述元件基板的工序还包含形成堤层的工序a2，该堤层对分别具有所述多个有机EL元件的任一个的多个像素的每一个进行限定，所述工序a1及所述工序a2包含对相同的树脂膜进行图案化的工序。
在某一实施方式中，所述第一突状结构体包含下侧层和形成在所述下侧层上的上侧层，在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的截面中，所述上侧层底部的宽度大于所述下侧层顶部的宽度，所述工序a1包含：在所述基板上形成下侧膜的工序a11，在所述下侧膜上形成上侧膜的工序a12，通过对所述上侧膜进行图案化而形成所述上侧层的工序a13，通过对所述下侧膜进行图案化而形成所述下侧层的工序a14。
在某一实施方式中，所述下侧膜包含丙烯酸树脂，所述上侧膜包含氮化硅。
在某一实施方式中，所述工序a13包含使用氢氟酸对所述上侧膜进行蚀刻的工序。
发明效果
根据本发明的实施方式，可提供耐湿可靠性得到改善的具备薄膜封装结构的有机EL器件及其制造方法。
附图说明
图1的(a)是本发明的实施方式的OLED显示装置100的有源区域的示意性局部剖视图，(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。
图2是示意性地示出本发明的第一实施方式的OLED显示装置100A的结构的俯视图。
图3的(a)及(b)是沿图2中的3A-3A'线的示意性剖视图，分别为示出OLED显示装置100A1及100A2的图。
图4是用以说明OLED显示装置100A的制造方法的示意图，其是示意性示出用以形成OLED显示装置100A的母面板200A的图。
图5的(a)～(c)是用以说明突状结构体22a2的形成方法的示意性剖视图。
图6的(a)～(c)是OLED显示装置100A的示意性剖视图，(a)是沿图2中的6A-6A'线的剖视图，(b)是沿图2中的6B-6B'线的剖视图，(c)是沿图2中的6C-6C'线的剖视图。
图7的(a)是图6的(a)的包含颗粒P的部分的放大图，(b)是表示颗粒P、与覆盖颗粒P的第一无机阻挡层(SiN层)、与有机阻挡层的大小的关系的示意性俯视图，(c)是覆盖颗粒P的第一无机阻挡层的示意性剖视图。
图8是示意性地示出本发明的第一实施方式的其他OLED显示装置100B的结构的剖视图。
图9是示意性地示出本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100C的结构的俯视图。
图10是沿图9中的9A-9A'线的OLED显示装置100C的示意性剖视图。
图11是示意性地示出本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100D的结构的俯视图。
图12是示意性地示出本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100E的结构的俯视图。
图13是示意性地示出本发明的第二实施方式的OLED显示装置所具有的薄膜封装结构10B的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式的有机EL器件及其制造方法加以说明。下面，例示OLED显示装置作为有机EL器件。另外，本发明的实施方式并不限定于以下例示的实施方式。
首先，参照图1的(a)及图1的(b)对本发明的实施方式的OLED显示装置100的基本构成加以说明。图1的(a)是本发明的实施方式的OLED显示装置100的有源区域的示意性局部剖视图，图1的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。后文说明的第一实施方式的OLED显示装置100A及第二实施方式的OLED显示装置也具有基本上相同的构成，特别是与TFE结构相关的结构以外的结构可以与OLED显示装置100相同。
OLED显示装置100具有多个像素，在每个像素中具有至少一个有机EL元件(OLED)。此处，为了简单起见，对与一个OLED对应的结构加以说明。
如图1的(a)所示那样，OLED显示装置100具有：基板(例如柔性基板。以下有时简称为“基板”)1、形成于基板1上的包含TFT的电路(背板)2、形成于电路2上的OLED3、形成于OLED3上的TFE结构10。OLED3例如为顶部发光型。OLED3的最上部例如为上部电极或盖层(折射率调整层)。有时将基板1和支承于基板1上的电路2及OLED3合称为元件基板20。TFE结构10形成于元件基板20上。于TFE结构10上配置有可选的偏振板4。以下，说明基板1为柔性基板的例子。
基板1例如是厚度为15μm的聚酰亚胺膜。包含TFT的电路2的厚度例如为4μm，OLED3的厚度例如为1μm，TFE结构10的厚度例如为1.5μm以下。
图1的(b)是形成于OLED3上的TFE结构10的局部剖视图。TFE结构10具有：第一无机阻挡层(例如SiN层)12；与第一无机阻挡层12的上表面相接的有机阻挡层(例如丙烯酸树脂层)14；及与第一无机阻挡层12的上表面及有机阻挡层14的上表面相接的第二无机阻挡层(例如SiN层)16。第一无机阻挡层12形成于OLED3的正上方。
TFE结构10以保护OLED显示装置100的有源区域(参照图2中的有源区域R1)的方式而形成，至少在有源区域中，如上所述地自靠近OLED3之侧起依次具有第一无机阻挡层12、有机阻挡层14及第二无机阻挡层16。
(第一实施方式)
参照图2至图4，对本发明的第一实施方式的OLED显示装置100A的结构及其制造方法加以说明。
图2是示意性地示出本发明的实施方式的OLED显示装置100A的俯视图。图3的(a)及(b)是沿图2中的3A-3A'线的剖视图。图3的(a)及(b)分别是示意性示出作为突状结构体22a的例子的具有突状结构体22a1及突状结构体22a2的OLED显示装置100A1及100A2的剖视图。有时将突状结构体22a1及22a2统称为突状结构体22a。有时将OLED显示装置100A1及100A2统称为OLED显示装置100A。
如图2所示，OLED显示装置100A具有：柔性基板1、形成于柔性基板1上的电路(背板)2、形成于电路2上的多个OLED3及形成于OLED3上的TFE结构10A。有时将排列有多个OLED3的层称为OLED层3。另外，电路2与OLED层3也可以共用一部分构成元件。还可以在TFE结构10A上进一步配置可选的偏振板(参照图1中的附图标记4)。而且，例如还可以在TFE结构10A与偏振板之间配置负责触摸面板功能的层。即，OLED显示装置100可改变为外嵌(On-cell)式的带触摸面板的显示装置。
电路2具有多个TFT(未图示)及分别与多个TFT(未图示)的任一个连接的多根栅极总线(未图示)及多根源极总线(未图示)。电路2也可以是用以对多个OLED3进行驱动的公知的电路。多个OLED3与电路2所具有的多个TFT的任一个连接。OLED3也可以是公知的OLED。
OLED显示装置100A还具有：多个端子38，其配置在配置有多个OLED3的有源区域(图2中的用虚线包围的区域)R1的外侧的周边区域R2；及多根引出配线30，其将多个端子38与多根栅极总线或多根源极总线的任一根连接，TFE结构10A形成于多个OLED3上及多根引出配线30的有源区域R1侧的部分上。即，TFE结构10A覆盖有源区域R1的全体，且选择性地形成于多根引出配线30的有源区域R1侧的部分上，引出配线30的端子38侧及端子38并未被TFE结构10A覆盖。
下面，对使用相同导电层一体地形成引出配线30与端子38的例子加以说明，但也可以使用相互不同的导电层(包括层叠结构)而形成。
如图2及图3所示，OLED显示装置100A的周边区域R2具有：沿有源区域R1的至少一个边延伸的突状结构体22a及延伸设置于突状结构体22a上的第一无机阻挡层12的延伸设置部12e。图3的(a)及图3的(b)中分别示出的突状结构体22a1及22a2均具有如下所示的形状。突状结构体22a包含第一部分及第二部分，第一部分比第二部分更靠近突状结构体22a的顶部，在从基板1的法线方向观察时，第一截面包括与第二截面不重叠的部分，其中，第一截面为第一部分的与基板面平行的面，第二截面为第二部分的与基板面平行的面。
具体而言，例如如图3的(a)所示那样，突状结构体22a1包含倒锥部ST，其中，在观察与突状结构体22a1延伸的方向正交的截面(例如图3的(a)所示的截面)时，该倒锥部ST的侧面的锥角θp超过90°。倒锥部ST包含上述的第一部分及/或第二部分。
或者，如图3的(b)的所示那样，突状结构体22a2包含突出部PP，在观察与突状结构体22a2延伸的方向正交的截面(例如图3的(b)所示的截面)时，该突出部PP在与突状结构体22a2的高度方向大致正交的方向上突出。突出部PP包含上述第一部分。
参照图4，对OLED显示装置100A的制造方法加以说明。图4是示意性示出用以形成OLED显示装置100A的母面板200A的图。
如图4所示，母面板200A具有：元件基板20'及形成于元件基板20'上的薄膜封装结构10A。元件基板20'形成于母玻璃基板(未图示。例如G4.5(730mm×920mm))上。元件基板20'具有分别成为OLED显示装置100A的多个OLED显示装置部100Ap。元件基板20'具有基板1'和支承于基板1'上的电路2及多个有机EL元件3。电路2及多个有机EL元件3设于每个OLED显示装置部100Ap上，且支承于共用的基板1'上。薄膜封装结构10A以保护各个OLED显示装置部100Ap的有源区域R1的方式形成。母面板200A通过分割线CL而分割为单个的OLED显示装置部100Ap，其后经过视需要进行的后处理获得OLED显示装置100A。通过分割基板1'，使其成为各OLED显示装置100A的基板1，从而获得各OLED显示装置100A所具有的元件基板20。
即，本发明的实施方式的制造OLED显示装置100A的方法包含以下的工序。
工序(1)：准备元件基板20'的工序，该元件基板20'具有基板1'及支承于基板1'上的分别包含多个有机EL元件3的多个有源区域R1；
工序(2)：在多个有源区域R1的各个区域中形成覆盖多个有机EL元件3的薄膜封装结构10A的工序；
工序(3)：在工序(2)之后，将多个有源区域R1的各个区域分割的工序。
工序(1)包含在多个有源区域R1的各个区域，形成包含沿着该有源区域R1的至少一个边延伸的部分的突状结构体22a的工序。
工序(2)包含以下的工序。
工序A：在突状结构体22a上，以覆盖突状结构体22a的方式形成第一无机阻挡层12的工序；
工序B：在工序A之后，在第一无机阻挡层12上形成有机阻挡层14的工序；
工序C：在工序B之后，在第一无机阻挡层12及有机阻挡层14上形成第二无机阻挡层16的工序。
工序(3)包含：以包含形成在多个有源区域R1的各个区域的突状结构体22a及该有源区域R1的方式，将基板1'及第一无机阻挡层12切断的工序。
于量产中，在母玻璃基板上形成多个元件基板20。工序(3)可以还包含将母玻璃基板切断的工序或将母玻璃基板部分性(例如从表面到一定深度)削去的工序。基板(例如柔性基板)1'的切断例如通过照射激光束而进行。激光束的波长可以在红外、可见光、紫外的任意区域。从减少切断对母玻璃基板所造成的影响的观点考虑，较理想的是波长包含于绿色至紫外线范围内的激光束。
本发明的实施方式的制造OLED显示装置100A的方法例如在将基板1'及第一无机阻挡层12切断的工序后，还包含从母玻璃基板剥离元件基板20的工序。
在从母玻璃基板剥离元件基板20之前，例如进行激光剥离(laser lift-off)，对基板1'(或基板1)照射透过母玻璃基板的紫外线激光。基板1'(或基板1)的一部分需要在与母玻璃基板的界面中，吸收此种紫外线激光而分解(消失)。在激光剥离后，从母玻璃基板剥离元件基板20。激光剥离可以在将基板1'及第一无机阻挡层12切断的工序之前进行，也可以在将基板1'及第一无机阻挡层12切断的工序之后进行。此处，“激光剥离”的术语是指通过激光照射而减弱母玻璃基板与元件基板20的接合(粘接)，不包括物理性剥离。
第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16例如通过使用掩模的等离子体CVD法，以覆盖各OLED显示装置部100Ap的有源区域R1的方式仅选择性地形成于规定区域。优选各OLED显示装置部100Ap的有源区域R1被第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16直接接触的部分(以下称为“无机阻挡层接合部”)完全包围。只要有源区域R1被无机阻挡层接合部完全包围，则第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16的形状可为任意形状。例如，第二无机阻挡层16可以与第一无机阻挡层12相同(外缘一致)，也可以形成为覆盖第一无机阻挡层12的整体。第一无机阻挡层12可以形成为覆盖第二无机阻挡层16的整体。TFE结构10A的外形例如被由第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16形成的无机阻挡层接合部划定。
在图2及图4的俯视图中，仅将应形成TFE结构10A的区域示出为TFE结构10A。应形成TFE结构10A的区域是至少覆盖有源区域R1，且包含无机阻挡层接合部的区域，且位于分割线CL的内侧。其原因在于：若第一无机阻挡层12及/或第二无机阻挡层16存在于分割线CL上，则在切割元件基板20'的工序中切断的层数增加，从而造成制造成本增加。图2及图4所示的应形成TFE结构10A的区域例如相当于用以形成第一无机阻挡层12及/或第二无机阻挡层16的CVD掩模的形状。
然而，实际上如图3的剖视图所示那样，例如由于掩模CVD装置的尺寸精度，形成第一无机阻挡层12及/或第二无机阻挡层16的区域有时比应形成TFE结构10A的区域大。并且，考虑到第一无机阻挡层12的掩模与元件基板20'的对准误差，第一无机阻挡层12有时形成得比应形成薄膜封装结构10A的区域宽。从提高OLED显示装置的量产性的观点考虑，优选形成在母玻璃基板上的相邻OLED显示装置部100Ap之间的距离较小(例如数mm(例如3mm))。在这些情况下，第一无机阻挡层12及/或第二无机阻挡层16有时存在于分割线CL上。在本说明书中，有时将第一无机阻挡层12中的在应形成TFE结构10A的区域以外的区域所形成的部分称为延伸设置部12e。关于第二无机阻挡层16，也同样地将第二无机阻挡层16中的形成在应形成TFE结构10A的区域以外的区域的部分称为延伸设置部16e。
如图3的(a)及(b)所示，在所获得的OLED显示装置100A中，在第一无机阻挡层12有时从所切断的部位(分割线CL)产生龟裂(裂缝)12d。裂缝12d由于热历史等原因，随时间经过而发展。如果没有突状结构体22a，则裂缝12d可能通过第一无机阻挡层12而到达有源区域R1。然而，OLED显示装置100A具有形成在第一无机阻挡层12下方的突状结构体22a，因此可抑制裂缝12d到达有源区域R1。OLED显示装置100A的耐湿可靠性得到改善。
如图3的(a)所示，在形成了突状结构体22a1的平坦面与突状结构体22a1的侧面的边界处，容易在第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)形成缺陷12f1。缺陷12f1特别容易形成于突状结构体22a1的侧面的倒锥部PT。其原因在于：在从平坦面生长的SiN膜与从侧面生长的SiN膜冲击(碰撞)的部位，形成(膜)密度低的部分。该缺陷在极端的情况下可能会成为裂缝。缺陷12f1沿着突状结构体22a1延伸的方向而形成为线状。在分割工序中，在第一无机阻挡层12内所产生的裂缝12d朝向有源区域R1发展，则裂缝12d的前端到达沿着突状结构体22a延伸的方向而形成的线状的缺陷12f1。然后，裂缝12d前端处的应力得到释放，从而防止裂缝12d超过线状缺陷12f1而发展。
在图3的(b)所示的例子中，在突状结构体22a2的突出部PP中，容易在第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)形成缺陷12f2。缺陷12f2例如可以是第一无机阻挡层12的不连续部分。缺陷12f2也沿着突状结构体22a2延伸的方向而形成为线状，因此防止裂缝12d超过线状缺陷12f2而发展。
在图示的例子中，第二无机阻挡层16还形成在分割线CL上。因此，如图3的(a)及(b)所示那样，在所获得的OLED显示装置100A中，在第二无机阻挡层16也会从所切断的部位(分割线CL)产生龟裂(裂缝)16d。第二无机阻挡层16具有形成在第一无机阻挡层12的延伸设置部12e上的延伸设置部16e。第二无机阻挡层16反映了由于作为基底的第一无机阻挡层12的缺陷12f1或12f2而产生的阶差，因此第二无机阻挡层16的延伸设置部16e具有缺陷16f1或16f2。由此，第二无机阻挡层16可抑制裂缝16d到达有源区域R1。
此处，对将第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16以覆盖有源区域R1的方式仅仅选择性形成于规定区域的情况进行了说明，但本实施方式并不限于该例。也可以在形成于母玻璃基板上的元件基板20'的整个面形成第一无机阻挡层12及/或第二无机阻挡层16。在这种情况下，也如上所述地通过具有突状结构体22a而改善所获得的OLED显示装置的耐湿可靠性。
另外，即便在第一无机阻挡层12及/或第二无机阻挡层16的突状结构体22a的有源区域R1侧形成由于突状结构体22a引起的缺陷(线状缺陷)，若各个有源区域R1被无机阻挡层接合部完全包围，则并不对OLED显示装置的耐湿可靠性产生影响。
突状结构体22a的形状并不限定于图示的例子。如上所述，突状结构体22a可以具有如下所示的形状。突状结构体22a包含第一部分及第二部分，第一部分比第二部分更靠近突状结构体22a的顶部，在从基板1的法线方向观察时，第一截面包括与第二截面不重叠的部分，其中，第一截面为第一部分的与基板面平行的面，第二截面为第二部分的与基板面平行的面。若具备具有此种形状的突状结构体22a，则在第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)中形成缺陷，因此可防止裂缝12d超过线状缺陷而发展。
例如，图3的(a)所示的突状结构体22a1在与突状结构体22a1延伸的方向正交的截面中，在两侧面具有倒锥部，但突状结构体可以仅在侧面的一部分具有倒锥部。即，仅侧面的一部分的锥角可以超过90°。
图3的(b)所示的突状结构体22a2包含下侧层LL和形成在下侧层LL上的上侧层TL。在与突状结构体22a2延伸的方向正交的截面中，上侧层TL底部的宽度Dp大于下侧层LL顶部的宽度Dl。由此形成突出部PP。即，突出部PP包括在上侧层TL的底部中从下侧层LL的顶部伸出的部分。如果从基板1的法线方向观察突状结构体22a2，则上侧层TL底部的截面包括与下侧层LL顶部的截面不重叠的部分。此处，上侧层TL的底部比下侧层LL的顶部更靠近突状结构体22a2的顶部。
在与突状结构体22a2延伸的方向正交的截面中，上侧层TL底部的宽度Dp优选为下侧层LL的高度Hl的2.5倍以上，更优选为3倍以上。在与突状结构体22a2延伸的方向正交的截面中，下侧层LL例如为大致梯形状，上侧层TL例如为大致矩形状。此处，例如上侧层TL底部的宽度Dp基本上等于上侧层TL顶部的宽度(也就是突状结构体22a2顶部的宽度)Dt。在图3的(b)所示的例子中，突状结构体22a2在图3的(b)所示的截面中，在左右两侧具有突出部PP。但并不限定于此，例如突状结构体可以仅在单侧具有突出部。并且，突出部只要在形成于突状结构体上的第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)产生缺陷即可，突出部的突出方向并不限定于与突状结构体的高度方向正交的方向。
突状结构体22a的高度Hp例如大于第一无机阻挡层12的厚度D12。如果突状结构体22a的高度Hp为第一无机阻挡层12的厚度D12的3倍以上，则变得更容易在第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)形成缺陷，因此优选。在第二无机阻挡层16具有形成在第一无机阻挡层12的延伸设置部12e上的延伸设置部16e的情况下，更优选突状结构体22a的高度Hp为第一无机阻挡层12的厚度D12与第二无机阻挡层16的厚度D16之和的3倍以上。此处，第一无机阻挡层12的厚度D12是指形成在第一无机阻挡层12中的有源区域R1的部分的厚度，第二无机阻挡层16的厚度D16是指形成在第二无机阻挡层16中的有源区域R1的部分的厚度。但是，突状结构体22a的高度Hp也可以是第一无机阻挡层12的厚度D12以下。即使在这种情况下，也可以通过使突状结构体22a具有如上所述的截面形状，而在第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)形成缺陷。
另外，第一无机阻挡层12的延伸设置部12e的厚度例如可以与有源区域R1的第一无机阻挡层12的厚度D12基本上相同。同样地，第二无机阻挡层16的延伸设置部16e的厚度例如可以与有源区域R1的第二无机阻挡层16的厚度D16基本上相同。但是，本实施方式并不限定于此。例如，第一无机阻挡层12的延伸设置部12e的厚度可以小于有源区域R1的第一无机阻挡层12的厚度D12，第二无机阻挡层16的延伸设置部16e的厚度可以小于有源区域R1的第二无机阻挡层16的厚度D16。在第一无机阻挡层12的延伸设置部12e的厚度较小的情况下，在突状结构体22a的顶面，也可能在第一无机阻挡层12形成缺陷。
突状结构体22a的与突状结构体22a延伸的方向正交的截面中的宽度Da例如为10μm以下。在这种情况下，即便设置突状结构体22a也不会对OLED显示装置100A的窄边框化造成较大影响。突状结构体22a的宽度Da是与突状结构体22a的高度方向正交的方向上的宽度。
在侧面具有倒锥部的突状结构体22a1例如可使用负型感光性树脂，利用光刻工艺而形成。在变得曝光不足的条件下对由负型感光性树脂形成的树脂膜进行曝光，其后进行过度显影，由此可形成具有倒锥侧面的突状结构体22a1。还可以使用在负型感光性树脂中添加有紫外线吸收剂的树脂组合物，以变得曝光不足的方式调节曝光条件。但并不限定该例子，可使用公知的光刻工艺而形成倒锥侧面。
形成突状结构体22a1的工序例如可以通过与形成限定多个像素中的每一个的堤层(有时也成为“PDL(像素限定层，Pixel Defining Layer)”)(未图示)的工序相同的工序而制造。即，突状结构体22a1及堤层可以通过对相同的树脂膜进行图案化而形成。形成突状结构体22a1的工序及形成堤层的工序可以包含对相同的树脂膜进行图案化的工序。堤层的锥角优选为90°以下，因此优选在不同条件下进行突状结构体22a1及堤层的图案化(包括曝光及显影)。在这种情况下，突状结构体22a1及堤层的图案化可使用不同的光掩模而通过不同的工序进行。并且，通过使用例如多色调掩模(半色调掩模或灰色调掩模)，可以使用同一光掩模及/或同一蚀刻剂来对突状结构体22a1及堤层进行图案化。所谓多色调掩模是包含具有三个等级(最小值、最大值及它们之间的中间值)以上的不同透射率的区域的光掩模。例如，在使用负型感光性树脂形成树脂膜之后，可以使用使与突状结构体22a1对应的区域和与堤层对应的区域的曝光量互不相同的光掩模来对树脂膜进行曝光。此处，可以使用光掩模以使与突状结构体22a1对应的区域的曝光量小于与堤层对应的区域的曝光量。另外，在与堤层对应的区域中，可以使期望减小侧面锥角的区域的曝光量小于其他区域。还可以说此种光掩模具有与堤层对应的多色调掩模部和与突状结构体22a1对应的二元掩膜部。
堤层例如形成在构成OLED3的阳极的下部电极与形成在下部电极上的有机层(有机发光层)之间。堤层的厚度为数μm(例如1μm～2μm)，因此可以使突状结构体22a1的高度与堤层的高度相同。也可以通过如上所述的使用多色调掩模的光刻工艺，使突状结构体22a1的高度与堤层的高度不同。或者，也可以通过使用与形成电路(背板)2的任意工序相同的工序而形成突状结构体22a1。例如可以由与成为OLED3的下部电极的基底的平坦化层相同的树脂膜形成突状结构体22a1。当然，也可以在与形成电路(背板)2的工序不同的工序中形成突状结构体22a1。
参照图5的(a)～(c)，对具有突出部PP的突状结构体22a2的形成方法的例子加以说明。
首先，如图5的(a)所示那样，在基板1上赋予下侧树脂膜LF'，通过例如等离子体CVD法在下侧树脂膜LF'上形成上侧膜TF'(例如SiN膜)。其后，使用光阻剂(例如负型)在上侧膜TF'上形成抗蚀剂层50。在此，在形成堤层之后形成下侧树脂膜LF'。下侧树脂膜LF'例如使用负型感光性树脂(例如丙烯酸树脂)。在形成上侧膜TF'之前，可以对下侧树脂膜LF'实施热处理(预烘烤)。上侧膜TF'的沉积优选在低温(例如80℃以下)且常压下进行。
其次，如图5的(b)所示那样，将抗蚀剂层50作为蚀刻掩模，对上侧膜TF'进行图案化，由此形成上侧层TL。上侧膜TF'的图案化例如使用氢氟酸作为蚀刻剂而进行。优选下侧树脂膜LF'对上侧膜TF'的蚀刻剂具有耐性。即，优选下侧树脂膜LF'的蚀刻速率低于上侧膜TF'的蚀刻速率。例如，丙烯酸树脂具有耐氢氟酸性。
其次，将抗蚀剂层50除去，其后将上侧层TL作为蚀刻掩模而对下侧树脂膜LF'进行图案化，由此如图5的(c)所示那样形成下侧层LL。通过湿式蚀刻而进行下侧树脂膜LF'的图案化。下侧树脂膜LF'的图案化进行了过度蚀刻，使得下侧树脂膜LF'中的作为蚀刻掩模的上侧层TL的下方部分也被蚀刻(侧蚀)。如此地进行而形成具有下侧层LL与上侧层TL的突状结构体22a2。下侧层LL顶部的宽度Dl小于上侧层TL底部的宽度Dp。上侧层TL底部的宽度Dp优选为下侧层LL的高度Hl的2.5倍以上，更优选为3倍以上。另外，可以在形成下侧层LL之后除去抗蚀剂层50。
突状结构体22a2还可以通过以下方法而形成。可以通过对相同树脂膜(也就是下侧树脂膜LF')进行图案化而形成突状结构体22a2的下侧层LL及堤层。在这种情况下，在形成上侧层TL并将抗蚀剂层50除去之后，重新形成具有与下侧层LL及堤层对应的开口部的抗蚀剂层作为下侧树脂膜LF'的蚀刻掩模即可。
或者，可以使用对光的敏感度互不相同的两种感光性树脂来形成突状结构体22a2。在这种情况下，上侧层TL及下侧层LL均为树脂层，上侧树脂膜TF'是使用对光的敏感度比下侧树脂膜LF'高的感光性树脂而形成的。感光性树脂的敏感度例如可以通过改变树脂所含的光聚合引发剂的量来调整。在基板1上赋予下侧树脂膜LF'后，在赋予上侧树脂膜TF'之前，可以对下侧树脂膜LF'实施热处理(预烘烤(例如在130℃下进行2分钟))。在赋予上侧树脂膜TF'之后，通过光刻工艺对下侧树脂膜LF'及上侧树脂膜TF'进行图案化。下侧树脂膜LF'及上侧树脂膜TF'由于其敏感度的不同而被图案化为不同的形状。
在通过掩模蒸镀法来形成OLED3的有机发光层的情况下，突状结构体22a还可以兼用作使蒸着掩模与元件基板的表面形成所期望的间隙的间隔件。或者，突状结构体22a还可以兼用作支承TFE结构10A上所配置的触摸传感器层或基板(保护层)的间隔件。在突状结构体22a兼用作间隔件的情况下，突状结构体22a的高度优选与堤层的厚度相同或者比堤层的厚度大。并且，在突状结构体22a兼用作间隔件的情况下，在与突状结构体22a延伸的方向正交的截面中，突状结构体22a顶部的宽度Dt优选为5μm以上，更优选为10μm以上。
突状结构体22a如图2所示地包含沿着有源区域R1的四个边中的、除设有多个端子38及多根引出配线30的边(在x轴方向上延伸的边中的图2的下侧的边)以外的三个边延伸的部分。例如，在中小型OLED显示装置中，需要减小有源区域R1的上下左右四个周边区域中的，除用以取出配线端子的一个周边区域以外的其他三个周边区域的宽度。因此，在其他三个周边区域中，如上所述地容易在分割线CL上形成无机阻挡层，因此可以通过设置突状结构体22a而改善耐湿可靠性。与此相比，关于取出配线端子的周边区域，所需的窄边框化程度较小，从而容易以不重叠于分割线CL上的方式形成无机阻挡层。因此，可以省略突状结构体22a。如图2所示，还可以除了设置有多个端子38的部分以外，沿着有源区域R1的四个边而设置突状结构体22a。优选将突状结构体22a设置为除了设置有多个端子38的部分以外，遮蔽连结分割线CL与有源区域R1的外缘的线(例如直线)。
突状结构体的平面形状(从基板的法线方向观察时的形状)并不限于例示的形状。突状结构体还可以沿着有源区域R1的四个边中的、除设有多个端子的两个边以外的另外两个边延伸。例如，在大型OLED显示装置中，有时构成为在有源区域R1的上下左右四个周边区域中的相对向的两个(上下或左右)周边区域中取出配线端子。并且，突状结构体不必一定要形成为一体，也可以由多个子结构体构成。多个子结构体整体构成为遮蔽分割线CL与有源区域R1的外缘之间即可。突状结构体的配置及平面形状的例子如后所述。
其次，参照图6的(a)～(c)而对OLED显示装置100A的TFE结构10A加以说明。于图6的(a)中示出沿图2中的6A-6A'线的剖视图，于图6的(b)中示出沿图2中的6B-6B'线的剖视图，于图6的(c)中示出沿图2中的6C-6C'线的剖视图。
如图6的(a)及图6的(b)所示，TFE结构10A具有：形成在OLED3上的第一无机阻挡层12；有机阻挡层14；及与第一无机阻挡层12及有机阻挡层14相接的第二无机阻挡层16。此处，有机阻挡层14与第一无机阻挡层12的上表面相接，且具有离散分布的多个实心部。第二无机阻挡层16与第一无机阻挡层12的上表面及有机阻挡层14的多个实心部的上表面相接。有机阻挡层14并不以覆盖有源区域的整个面的膜的方式存在，具有开口部。有时将在有机阻挡层14中的除开口部以外的实际上存在有机膜的部分称为“实心部”。而且，“开口部”(有时也称为“非实心部”)不必被实心部包围，包含切口等，在开口部中，第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16直接接触。有机阻挡层14所具有的开口部至少包含以包围有源区域R1的方式而形成的开口部，有源区域R1被第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16直接接触的部分(无机阻挡层接合部)完全包围。
例如，第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16例如是厚度为400nm的SiN层，有机阻挡层14是厚度不足100nm的丙烯酸树脂层。第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16的厚度分别独立为200nm以上1000nm以下，有机阻挡层14的厚度为50nm以上且不足200nm。TFE结构10A的厚度优选为400nm以上且不足2μm，更优选为400nm以上且不足1.5μm。
第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16如上所述地通过使用掩模的等离子体CVD法，以覆盖有源区域R1的方式仅选择性地形成于规定区域。通常情况下，通过薄膜沉积法(例如CVD法、溅射法、真空蒸镀法)而形成的层的表面反映了基底的阶差。有机阻挡层(实心部)14仅形成在第一无机阻挡层12表面的凸部的周边。第一无机阻挡层12以覆盖突状结构体22a的方式形成于突状结构体22a上。
有机阻挡层14例如可通过上述专利文献1或2中所记载的方法而形成。例如，在腔室内，将蒸气或雾状的有机材料(例如丙烯酸类单体)供给至维持为室温以下温度的元件基板上，使其于元件基板上凝结，由于成为液状的有机材料的毛细管现象或表面张力，不均匀分布于第一无机阻挡层12的凸部侧面与平坦部的边界部。其后，对有机材料照射例如紫外线，由此在凸部周边的边界部形成有机阻挡层(例如丙烯酸树脂层)14的实心部。通过该方法而形成的有机阻挡层14在平坦部实质上不存在实心部。关于有机阻挡层的形成方法，将专利文献1及2的揭示内容作为参考而引用至本说明书中。
如图3所示的例子那样，在第二无机阻挡层16形成于突状结构体22a上的情况下，优选在形成于突状结构体22a上的第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)上，并不形成有机阻挡层14。如果以填充第一无机阻挡层12的缺陷12f1、12f2的方式形成有机阻挡层14，则由于第一无机阻挡层12的缺陷12f1、12f2所引起的阶差并不反映于第二无机阻挡层16。在这种情况下存在如下的担忧：在第二无机阻挡层16上并未形成缺陷16f1、16f2，从而无法抑制第二无机阻挡层16所产生的裂缝16d到达有源区域R1。因此，优选在上述专利文献1或2所记载的方法中组合例如以下所说明的方法的任一种，在形成于突状结构体22a顶面及侧面上的第一无机阻挡层12(延伸设置部12e)上，并不形成有机阻挡层14。可以组合以下所说明的方法的任一种或多种。
另外，即便第二无机阻挡层16所产生的裂缝到达有源区域R1，若有源区域R1被第一无机阻挡层12充分覆盖，则OLED显示装置的耐湿可靠性降低可能性也较小。第二无机阻挡层16所产生的裂缝到达有源区域R1对耐湿可靠性造成的影响小于第一无机阻挡层12所产生的裂缝到达有源区域R1对耐湿可靠性造成的影响。因此，在以下所说明的方法中，在形成于突状结构体22a顶面及侧面上的第一无机阻挡层12上并不形成有机阻挡层14的方法是可选的，可以省略。并且，以下的方法不仅用于完全防止在形成于突状结构体22a顶面及侧面上的第一无机阻挡层12上形成有机阻挡层14的情况，而且还用于部分性防止(例如防止形成某厚度以上的有机阻挡层14)的情况。
例如，可以在通过上述专利文献1或2中所记载的方法而形成光固化树脂层之后，进行通过干式工艺而将光固化树脂层部分性除去的工序。所谓“通过干式工艺除去有机物”并不限于灰化，是指通过灰化以外的方法(例如溅射法)的干式工艺除去有机物，将有机物从表面除去。不仅包括完全除去有机物的情况，还包括部分性(例如从表面直到某深度)除去。另外，所谓干式工艺是指并非使用剥离液或溶剂等液体的湿式工艺。灰化可以在例如包含N2O、O2及O3中的至少一种的氛围下进行。灰化大致分为用高频波将上述任一种氛围气体等离子体化，利用其等离子体的等离子体灰化(或电晕放电处理)，对氛围气体照射紫外线等光而进行的光激发灰化，例如可使用公知的等离子体灰化装置、利用电晕放电的灰化处理装置、光激发灰化装置、UV臭氧灰化装置等而进行。在通过CVD法形成SiN膜而作为第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16的情况下，使用N2O作为原料气体，因此如果在灰化中使用N2O，则获得可使装置简略化的优点。
或者，在使光固化性树脂固化时，可以进行掩模曝光等选择性曝光。在与光掩模的遮光部对应的区域形成有机阻挡层14的开口部。因此，例如通过经由在从基板的法线方向观察时，在与突状结构体22a重叠的区域具有遮光部的光掩模对光固化性树脂进行曝光，可获得在与突状结构体22a重叠的区域具有开口部的有机阻挡层14。
在使光固化性树脂固化时，还可以通过用波长400nm以下的激光束，对规定区域的光固化性树脂进行照射而进行选择性曝光。例如由于使用从半导体激光元件射出的相干的激光束，故而光线的直线行进性高，从而在元件基板上并不密接掩模地实现选择性曝光。
并且，还可以通过对特定区域选择性照射红外线，防止在该区域形成光固化树脂层。形成有机阻挡层14的工序可以包含：工序A，在基板上形成光固化性树脂的液膜；工序B，通过对与突状结构体22a重叠的第一区域选择性照射例如红外线，使第一区域内的光固化性树脂气化；工序C，在工序B之后，对基板上的包括第一区域的第二区域(例如基板的整个面)照射光固化性树脂具有感光性的光(例如紫外线)，使第二区域内的光固化性树脂固化，由此获得光固化树脂层。代替红外光、并且与红外光一同照射的可见光的波长优选超过550nm。突状结构体22a可以由热容量大的材料形成。
突状结构体22a的表面(例如顶部及侧面)可以对光固化性树脂具有斥液性。例如，可以使用光刻工艺，使用硅烷偶联剂将突状结构体22a表面的特定区域改性为疏水性。或者，突状结构体22a可以由对光固化性树脂具有斥液性的树脂材料形成。
图6的(a)是沿图2中的6A-6A'线的剖视图，示出包含颗粒P的部分。颗粒P是在OLED显示装置的制造工艺中产生的微细的灰尘，例如玻璃的微细碎片、金属粒子、有机物粒子。如果使用掩模蒸镀法，则特别容易产生颗粒P。
如图6的(a)所示那样，有机阻挡层(实心部)14包含形成于颗粒P的周边的部分14b。其原因在于：形成第一无机阻挡层12后所赋予的丙烯酸类单体凝结、不均匀分布于颗粒P上的第一无机阻挡层12a的表面(锥角超过90°)的周边。第一无机阻挡层12的平坦部上成为有机阻挡层14的开口部(非实心部)。
此处，参照图7的(a)～(c)而对包含颗粒P的部分的结构加以说明。图7的(a)是图6的(a)的包含颗粒P的部分的放大图，图7的(b)是表示颗粒P、与覆盖颗粒P的第一无机阻挡层(SiN层)12、与有机阻挡层14的大小的关系的示意性俯视图，图7的(c)是覆盖颗粒P的第一无机阻挡层12的示意性剖视图。
如图7的(c)所示那样，如果存在颗粒(例如直径约1μm以上)P，则会在第一无机阻挡层12形成缺陷(裂缝)12c。认为其是由在从颗粒P的表面生长的SiN层12a与从OLED3表面的平坦部分生长的SiN层12b碰撞(冲击)而产生的。该缺陷12c是(膜)密度较低的部分，在极端的情况下也会成为裂缝12c。如果存在此种缺陷12c，则TFE结构10A的阻挡性降低。
在OLED显示装置100A的TFE结构10A中，如图7的(a)所示那样，以填充第一无机阻挡层12的缺陷12c的方式形成有机阻挡层14，且有机阻挡层14的表面将颗粒P上的第一无机阻挡层12a的表面与OLED3的平坦部上的与第一无机阻挡层12b的表面连续且平滑地连结。有机阻挡层14如上所述那样通过对液状光固化性树脂进行固化而形成，因此由于表面张力而形成凹状表面。此时，光固化性树脂对第一无机阻挡层12显示良好的润湿性。如果光固化性树脂对第一无机阻挡层12的润湿性差，则反而会成为凸状。另外，有机阻挡层14有时也会较薄地形成于颗粒P上的第一无机阻挡层12a的表面。
通过具有凹状表面的有机阻挡层(实心部)14，将颗粒P上的第一无机阻挡层12a的表面与平坦部上的与第一无机阻挡层12b的表面连续且平滑地连结，因此可于其上以并无缺陷的致密的膜形成第二无机阻挡层16。如此，即便存在颗粒P，也可以通过有机阻挡层14来维持TFE结构10A的阻挡性。
有机阻挡层(实心部)14如图7的(b)所示那样，在颗粒P的周围形成为环状。相对于从法线方向观察时的直径(等效圆面积直径)为例如1μm左右的颗粒P，例如环状的实心部的直径(等效圆面积直径)Do为2μm以上。
此处，针对仅在形成于颗粒P上的第一无机阻挡层12的不连续部分形成有机阻挡层14的例子，说明了在OLED3上形成第一无机阻挡层12之前便存在颗粒P的例子，但是颗粒P有时也存在于第一无机阻挡层12上。在这种情况下，可以仅在第一无机阻挡层12上所存在的颗粒P与第一无机阻挡层12的边界的不连续部分形成有机阻挡层14，从而与上述同样地维持TFE结构10A的阻挡性。有机阻挡层14有时也较薄地形成于颗粒P上的第一无机阻挡层12a的表面、或颗粒P的表面。在本说明书中，为了包含这些所有形态，是指有机阻挡层14存在于颗粒P的周边。
并不限于图6的(a)所示的例子，由于与上述同样的理由，有机阻挡层(实心部)14仅形成在第一无机阻挡层12表面的凸部的周边。以下示出形成有机阻挡层(实心部)14的部位的其他例子。
其次，参照图6的(b)对引出配线30上的TFE结构10A的结构加以说明。图6的(b)是沿图2中的6B-6B'线的剖视图，其是引出配线30的有源区域R1侧的部分32的剖视图。
如图6的(b)所示，有机阻挡层(实心部)14包含形成在反映引出配线30的部分32的截面形状的第一无机阻挡层12表面的凸部的周边的部分14c。
引出配线30例如通过与栅极总线或源极总线相同的工艺而图案化，因此于此处，形成于有源区域R1内的栅极总线及源极总线也具有与图6的(b)所示的引出配线30的有源区域R1侧的部分32相同的截面结构。然而，典型的是在形成于有源区域R1内的栅极总线及源极总线上形成平坦化层，在栅极总线及源极总线上的第一无机阻挡层12的表面并未形成阶差。
引出配线30的部分32例如可以具有侧面的锥角不足90°的顺锥侧面部分(倾斜侧面部分)。如果引出配线30具有顺锥侧面部分，则可以防止在其上所形成的第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16形成缺陷。即，可使TFE结构10A的耐湿可靠性提高。顺锥侧面部分的锥角优选为70°以下。
OLED显示装置100的有源区域R1除了选择性地形成了有机阻挡层14的部分，实质上被第一无机阻挡层12与第二无机阻挡层16直接接触的无机阻挡层接合部所覆盖。因此并不存在如下现象：有机阻挡层14A成为水分侵入的路径，水分到达OLED显示装置的有源区域R1。
本发明的实施方式的OLED显示装置100例如适合用于高清晰的中小型智能手机及平板终端中。在高清晰(例如500ppi)的中小型(例如5.7英寸)OLED显示装置中，为了以有限的线宽形成电阻足够低的配线(包括栅极总线及源极总线)，优选有源区域R1内的配线的平行于线宽方向的截面形状接近矩形(侧面的锥角约90°)。因此，为了形成低电阻的配线，可使顺锥侧面部分TSF的锥角超过70°且不足90°，也可以并不设置顺锥侧面部分TSF，使配线全长的锥角为约90°。
其次，参照图6的(c)。图6的(c)是并未形成TFE结构10A的区域的剖视图。此处，端子38也具有与图6的(c)所示的引出配线30的部分36相同的截面结构。图6的(c)所示的引出配线30的部分36例如锥角可以是约90°。
参照图8，对本发明的第一实施方式的其他OLED显示装置100B的结构加以说明。图8是OLED显示装置100B的示意性剖视图。
如图8所示，OLED显示装置100B的第二无机阻挡层16以从基板的法线方向观察时，不与突状结构体22a重叠的方式形成，这一点与OLED显示装置100A不同。第二无机阻挡层16的外缘位于突状结构体22a的内侧。
在具有此种结构的OLED显示装置100B中，也获得与OLED显示装置100A同样的效果。
另外，如上所述，只要有源区域R1被无机阻挡层接合部完全包围，则第一无机阻挡层12及第二无机阻挡层16的形状可为任意形状。
于图8中示出了具备具有倒锥侧面的突状结构体22a1的OLED显示装置100B，但并不限定于此，可以应用上述突状结构体的任一种。
以下，对突状结构体的变化例加以说明。以下所例示的OLED显示装置100C～100E的特征在于突状结构体的平面形状(从基板的法线方向观察时的形状)。OLED显示装置100C～100E可应用于上述OLED显示装置的任一者中。并且，作为OLED显示装置100C～100E所具有的突状结构体的截面形状(与突状结构体延伸的方向正交的截面的形状)，可应用上述突状结构体的任一者。
参照图9及图10，对本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100C的结构加以说明。图9是OLED显示装置100C的示意性俯视图，图10是OLED显示装置100C的示意性剖视图。另外，为了简单起见，在图10中省略了在无机阻挡层中产生的裂缝及缺陷的图示。
如图9及图10所示，OLED显示装置100C在突状结构体22a(有时称为“第一突状结构体22a”)与有源区域R1之间，还具有包含沿有源区域R1的至少一个边延伸的部分的突状结构体22b(有时称为“第二突状结构体22b”)，在这一点与OLED显示装置100A不同。
由于OLED显示装置100C具有第一突状结构体22a及第二突状结构体22b，因此可以比OLED显示装置100A更有效地防止裂缝到达有源区域R1。
第一突状结构体22a及第二突状结构体22b分别包含沿有源区域R1的四个边中的、除设有多个端子的边以外的三个边延伸的部分。此处，第一突状结构体22a及第二突状结构体22b包含相互大致平行地延伸的部分。
设有第一突状结构体22a及第二突状结构体22b的区域的宽度Dc例如为数100μm左右。因此，即便具有第一突状结构体22a及第二突状结构体22b，也不对OLED显示装置的窄边框化造成较大影响。
优选第一突状结构体22a及第二突状结构体22b的截面形状分别满足上述条件。第一突状结构体22a及第二突状结构体22b的截面形状可相同，也可以不同。例如，第一突状结构体22a的锥角θp1及第二突状结构体22b的锥角θp2可相同，也可以不同。
如图10所示，距有源区域R1较远的第一突状结构体22a的高度可以大于距有源区域R1较近的第二突状结构体22b的高度。在这种情况下，第一突状结构体22a可以如上所述地兼用作间隔件。
本实施方式的OLED显示装置当然可以具有三个以上突状结构体。
参照图11，对本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100D的结构加以说明。图11是OLED显示装置100D的示意性俯视图。
如图11所示，OLED显示装置100D所具有的突状结构体22D包含多个子结构体22s1、22s2、22s3、22s4及22s5。有时将多个子结构体22s1～22s5合称为突状结构体22D。突状结构体22D具有：沿着在有源区域R1的y轴方向上延伸的各个边延伸的子结构体22s1及22s3；沿着在有源区域R1的x轴方向上延伸的边中的、未设置多个端子38及多根引出配线30的边延伸的子结构体22s2；沿着在有源区域R1的x轴方向上延伸的边中的、设有多个端子38及多根引出配线30的边延伸的子结构体22s4及22s5。
参照图12，对本发明的第一实施方式的另一OLED显示装置100E的结构加以说明。图12是OLED显示装置100E的示意性俯视图。
如图12所示，OLED显示装置100E所具有的突状结构体22E包含多个子结构体22p。有时将多个子结构体22p统称为突状结构体22E。将多个子结构体22p配置为除了设有多个端子38的部分以外，遮蔽连结分割线CL与有源区域R1的外缘的线。
从基板的法线方向观察时的多个子结构体22p的各个的平面形状可为任意形状。可以将两个以上子结构体22p相互连结。并且，子结构体22p的上表面的大小可以实质上相等，也可以不同。如果设为相同平面形状且相同大小的子结构体，则例如获得以下优点：可简化使用光刻工艺而形成突状结构体22E时的光掩模。
(第二实施方式)
本实施方式的OLED显示装置在薄膜封装结构的构成方面与先前的实施方式不同。本实施方式的OLED显示装置的特征在于薄膜封装结构。本实施方式的薄膜封装结构可应用于上述OLED显示装置的任一者中。
图13是示意性地示出本发明的第二实施方式的OLED显示装置所具有的TFE结构10B的剖视图。在先前的实施方式中，构成TFE结构10A的有机阻挡层14具有离散地分布的多个实心部。本实施方式的OLED显示装置所具有的TFE结构10B如图13所示那样具有比较厚的有机阻挡层14(例如厚度约超过5μm且约为20μm以下)。有机阻挡层14例如兼用作厚度为5μm以上的平坦化层。比较厚的有机阻挡层14例如形成为覆盖元件基板上所形成的各个OLED显示装置部的有源区域。
于图13中，以P1表示在形成第一无机阻挡层12或第二无机阻挡层16之前便存在的颗粒，以P2表示在形成第一无机阻挡层12或第二无机阻挡层16期间产生的颗粒。
如果在形成第一无机阻挡层12之前便存在的颗粒P1上形成第一无机阻挡层12，则从颗粒P1的表面生长的部分12a与从OLED3的平坦部分生长的部分12b碰撞而形成缺陷12c。同样地，如果在形成第二无机阻挡层16的过程中产生颗粒P2，则于第二无机阻挡层16上形成缺陷(例如裂缝)16c。另外，颗粒P2是在第二无机阻挡层16的形成中产生的，因此形成于颗粒P2上的第二无机阻挡层16的部分16a的厚度图示得比形成于平坦部上的部分16b的厚度小。
此种比较厚的有机阻挡层14例如可使用喷墨法而形成。在使用喷墨法等印刷法而形成有机阻挡层的情况下，可以将有机阻挡层仅形成于元件基板上的有源区域，而并不形成于成为突状结构体的区域。
产业上的可利用性
本发明的实施方式可应用于有机EL显示装置、特别是柔性有机EL显示装置及其制造方法中。
附图标记说明
1：基板(柔性基板)
2：背板(电路)
3：有机EL元件
4：偏振板
10、10A、10B：薄膜封装结构(TFE结构)
12：第一无机阻挡层
14：有机阻挡层
16：第二无机阻挡层
22a、22a1、22a2、22b、22D、22E：突状结构体
30：引出配线
38：端子
100、100A、100A1、100A2：有机EL显示装置
100B、100C、100D、100E：有机EL显示装置
200A：母面板

Claims (20)

1.一种有机EL器件，其具有包含多个有机EL元件的有源区域及位于除所述有源区域以外的区域的周边区域，所述有机EL器件的特征在于，具有：
元件基板，其具有基板及支承于所述基板上的所述多个有机EL元件；及
薄膜封装结构，其覆盖所述多个有机EL元件；
所述薄膜封装结构具有：第一无机阻挡层；与所述第一无机阻挡层的上表面相接的有机阻挡层；及与所述第一无机阻挡层的所述上表面及所述有机阻挡层的上表面相接的第二无机阻挡层，
所述周边区域具有：第一突状结构体，其支承于所述基板上，且包含沿着所述有源区域的至少一个边延伸的部分；及所述第一无机阻挡层的延伸设置部，其延伸设置于所述第一突状结构体上；
所述第一突状结构体包含第一部分及第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一突状结构体的顶部，在从所述基板的法线方向观察时，第一截面包括与第二截面不重叠的部分，其中，所述第一截面为所述第一部分的与所述基板面平行的面，所述第二截面为所述第二部分的与所述基板面平行的面。
2.根据权利要求1所述的有机EL器件，其特征在于，
所述第一突状结构体的高度大于所述第一无机阻挡层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL器件，其特征在于，
所述第一突状结构体的高度是所述第一无机阻挡层的厚度的3倍以上。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述第一突状结构体包含突出部，且所述突出部包含所述第一部分，其中，在观察与所述第一突状结构体延伸的方向正交的截面时，所述突出部在与所述第一突状结构体的高度方向大致正交的方向上突出。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述第一突状结构体包含倒锥部，且所述倒锥部包含所述第一部分及所述第二部分，其中，在观察与所述第一突状结构体延伸的方向正交的截面时，所述倒锥部的侧面的锥角超过90°。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述周边区域具有形成在所述第一无机阻挡层的所述延伸设置部上的所述第二无机阻挡层的延伸设置部。
7.根据权利要求6所述的有机EL器件，其特征在于，
所述第一突状结构体的高度是所述第一无机阻挡层的厚度与所述第二无机阻挡层的厚度之和的3倍以上。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
在从所述基板的法线方向观察时，所述第二无机阻挡层不与所述第一突状结构体重叠。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述元件基板还具有堤层，所述堤层对多个像素的每一个进行限定，所述多个像素的每一个分别具有所述多个有机EL元件的某一个，所述第一突状结构体的高度与所述堤层的厚度相同或比所述堤层的厚度大。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的三个边延伸的部分。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述元件基板具有分别与所述多个有机EL元件的任一个连接的多根栅极总线及分别与所述多个有机EL元件的任一个连接的多根源极总线，
所述周边区域具有设于所述有源区域的某个边的附近区域的多个端子及将所述多个端子与所述多根栅极总线或所述多根源极总线的任一者连接的多根引出配线，
所述第一突状结构体包含沿着所述有源区域的所述某个边以外的三个边延伸的部分。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述有机阻挡层具有离散地分布的多个实心部，
所述第二无机阻挡层与所述第一无机阻挡层的所述上表面及所述有机阻挡层的所述多个实心部的上表面相接。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述有机阻挡层兼用作厚度为5μm以上的平坦化层。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述周边区域在所述有源区域与所述第一突状结构体之间具有第二突状结构体，所述第二突状结构体包含沿着所述有源区域的至少一个边延伸的部分。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的有机EL器件，其特征在于，
所述第一突状结构体包含多个子结构体。
16.一种有机EL器件的制造方法，其特征在于，包括：
准备元件基板的工序，所述元件基板具有基板及支承于所述基板上的分别包含多个有机EL元件的多个有源区域；在所述多个有源区域的各个区域中，形成覆盖所述多个有机EL元件的薄膜封装结构的工序；在形成所述薄膜封装结构的工序之后，将所述多个有源区域的各个区域分割的工序；
准备所述元件基板的工序包含工序a1，在所述工序a1中，在所述多个有源区域的各个区域形成包含沿着所述有源区域的至少一个边延伸的部分的第一突状结构体，
所述第一突状结构体包含第一部分及第二部分，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述第一突状结构体的顶部，在从所述基板的法线方向观察时，第一截面包括与第二截面不重叠的部分，其中，所述第一截面为所述第一部分的与所述基板面平行的面，所述第二截面为所述第二部分的与所述基板面平行的面，
形成所述薄膜封装结构的工序包含：
在所述第一突状结构体上，以覆盖所述第一突状结构体的方式形成第一无机阻挡层的工序A；
在所述工序A之后，在所述第一无机阻挡层上形成有机阻挡层的工序B；
在所述工序B之后，在所述第一无机阻挡层及所述有机阻挡层上形成第二无机阻挡层的工序C；
将所述多个有源区域的各个区域分割的工序包含：以包含形成在所述多个有源区域的各个区域的所述第一突状结构体及所述有源区域的方式，将所述基板及所述第一无机阻挡层切断的工序。
17.根据权利要求16所述的制造方法，其特征在于，
准备所述元件基板的工序还包含形成堤层的工序a2，所述堤层对分别具有所述多个有机EL元件的任一个的多个像素的每一个进行限定，
所述工序a1及所述工序a2包含对相同的树脂膜进行图案化的工序。
18.根据权利要求16或17所述的制造方法，其特征在于，
所述第一突状结构体包含下侧层和形成在所述下侧层上的上侧层，在与所述第一突状结构体延伸的方向正交的截面中，所述上侧层底部的宽度大于所述下侧层顶部的宽度，
所述工序a1包含：
在所述基板上形成下侧膜的工序a11；
在所述下侧膜上形成上侧膜的工序a12；
通过对所述上侧膜进行图案化来形成所述上侧层的工序a13；及
通过对所述下侧膜进行图案化来形成所述下侧层的工序a14。
19.根据权利要求18所述的制造方法，其特征在于，
所述下侧膜包含丙烯酸树脂，所述上侧膜包含氮化硅。
20.根据权利要求18或19所述的制造方法，其特征在于，
所述工序a13包含使用氢氟酸对所述上侧膜进行蚀刻的工序。
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