CN104674162A - 一种掩膜板、oled器件封装方法及oled器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜板、OLED器件封装方法及OLED器件，涉及显示技术领域。掩膜板，所述掩膜板具有至少一个用于形成封装层图案的开口；所述掩膜板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层。采用这样一种结构的掩膜板进行OLED器件的封装能够有效消除掩膜阴影现象的影响，提高OLED产品的封装质量，进一步缩短封装边框的宽度，实现了OLED器件的窄边框设计。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种掩膜板、OLED器件封装方法及OLED器件。
背景技术
OLED(英文：Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件，通过有机层自主发光显示，由于其不需要背光源，因此其有更快的响应时间，更大的可视角度，具有对比度更高，重量更轻，低功耗和可使用灵活的基板制备等优点，被认为是最有发展潜力的平板显示器件。
但是，OLED器件的寿命问题制约了其产业化的步伐。由于OLED器件中的各部件很容易受到水氧的侵蚀，导致像素受损，器件寿命缩短，因此OLED器件需要有效的封装工艺防止水汽和氧气的浸入，防止有机材料老化，延长OLED器件寿命。
在柔性基板上制备的OLED器件也同样需要进行封装，柔性OLED器件的封装主要有盖板式封装和薄膜封装两种。由于薄膜封装易于实现OLED器件的柔性封装，因而得到了广泛的应用。薄膜封装通常采用掩膜板进行真空镀膜，即将不需要封装的区域、后续工艺引线及电路引线区域露在表面，便于后续工艺的操作。但是在真空镀膜时，常常发生如图1所示的掩膜阴影现象，即镀膜时，封装层2薄膜会生长到掩膜板1下方覆盖区域，这将有可能覆盖到电路引线部分，从而严重影响后续工艺及产品质量，此外，掩膜阴影现象也会造成薄膜2的尺寸增加，从而影响精准对位，造成OLED器件有效发光区域封装不完全或在过分宽度区域封装，影响电路布线部分，不能实现窄边框的设计。
发明内容
为了消除掩膜阴影现象的影响，本发明实施例提供了一种掩膜板、OLED器件封装方法及OLED器件。所述技术方案如下：
本发明实施例的一方面，提供了一种掩膜板，所述掩膜板具有至少一个用于形成封装层图案的开口；
所述掩膜板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层。
本发明实施例的另一方面，提供了一种OLED器件封装方法，所述OLED器件封装方法采用如上所述的掩膜板，所述方法包括：
在待封装的OLED基板表面通过所述掩膜板形成封装层，所述掩膜板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层；
当所述掩膜板的刻蚀层与所述掩膜板覆盖区域下的封装层反应结束时，移除所述掩膜板。
本发明实施例的又一方面，提供了一种采用如上所述的OLED器件封装方法封装制得的OLED器件，所述OLED器件包括OLED基板和封装层，在封装的过程中，所述封装层图案的尺寸与掩膜板开口的尺寸相同。
本发明实施例提供的掩膜板、OLED器件封装方法及OLED器件，通过在掩膜板靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，这样一来，在进行薄膜封装的过程中，刻蚀层能够与掩膜阴影区域的封装层材料发生反应，从而消除这一区域内的封装层材料。采用这样一种结构的掩膜板有效消除了掩膜阴影现象的影响，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中OLED器件发生掩膜阴影的示意图；
图2是本发明实施例提供的一种OLED器件的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种OLED器件封装方法的流程示意图；
图4是本发明实施例提供的另一OLED器件封装方法的流程示意图；
图5是本发明另一实施例中采用第一掩膜板进行封装层沉积的示意图；
图6是本发明另一实施例中第一层封装层形成后的OLED基板结构示意图；
图7是本发明另一实施例中采用第二掩膜板进行封装层沉积的示意图；
图8是本发明另一实施例中第二层封装层形成后的OLED基板结构示意图。
附图标记：
1-掩膜板，11-开口，12-刻蚀层，2-封装层，3-OLED基板。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供的掩膜板，如图2所示，其中，掩膜板1具有至少一个用于形成封装层2图案的开口11。
掩膜板1靠近待封装OLED基板3一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层12。
本发明实施例提供的掩膜板，通过在掩膜板靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，这样一来，在进行薄膜封装的过程中，刻蚀层能够与掩膜阴影区域的封装层材料发生反应，从而消除这一区域内的封装层材料。采用这样一种结构的掩膜板有效消除了掩膜阴影现象的影响，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
需要说明的是，在本发明实施例中，掩膜板1上具有的开口11的数量与OLED基板3上的OLED器件面板数量相同。
进一步的，刻蚀层12可以采用酸性液体涂布形成。
为了实现有效的水氧隔绝，封装层2通常采用硅化合物，如氮化硅或氧化硅材料。因此，为了使刻蚀层12与封装层2反应，在本发明实施例中，刻蚀层12可以采用氢氟酸溶液或三氟化氮溶液通过液体涂布工艺得到。时实际使用的过程中，可以根据封装层2的材料有针对性地选择与之能够反应的酸性溶液，以上也仅是举例说明，本发明实施例对此并不做限定。
进一步的，刻蚀层12可以设置在掩膜板1的开口11附近预设距离范围内。
具体的，可以通过考察掩膜阴影区域的实际影响范围，相应的在掩膜板开口11的附近涂覆刻蚀层12，确保刻蚀层12的面积能够覆盖掩膜阴影区域的封装层2。通过刻蚀层12与掩膜阴影区域的封装层2较为精确的对位，能够降低刻蚀层12对其他区域的影响，有效保证了封装的质量。
本发明实施例提供了一种OLED器件封装方法，该OLED器件封装方法采用如上所述的掩膜板，如图3所示，方法包括：
步骤302、在待封装的OLED基板表面通过掩膜板形成封装层，该掩膜板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层。
步骤303、当掩膜板的刻蚀层与掩膜板覆盖区域下的封装层反应结束时，移除掩膜板。
本发明实施例提供的OLED器件封装方法，采用掩膜板形成封装层，该掩膜板通过在靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，这样一来，在进行薄膜封装的过程中，刻蚀层能够与掩膜阴影区域的封装层材料发生反应，从而消除这一区域内的封装层材料。采用这样一种结构的掩膜板有效消除了掩膜阴影现象的影响，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
进一步的，如图4所示，在形成封装层之前，方法还包括：
步骤301、在掩膜板的表面通过液体涂布形成刻蚀层，掩膜板具有至少一个用于形成封装层图案的开口。
需要说明的是，在本发明实施例中，掩膜板1上具有的开口11的数量与OLED基板3上的OLED器件面板数量相同。
其中，与前述实施例类似的，刻蚀层可以采用酸性液体涂布形成。
刻蚀层可以设置在所述掩膜板开口附近预设距离范围内。
进一步的，如图4所示，方法还可以包括：
步骤304、在形成封装层图案后，抽真空排出反应废气。
以下以采用掩膜板逐层形成多层封装层的OLED器件为例，对本发明实施例提供的OLED器件封装方法进行详细的说明。
第一掩膜板进行表面涂覆工艺处理形成刻蚀层，涂覆面为面向待封装的OLED面板的面，涂覆材料为酸类，例如HF，可以刻蚀掉氮化硅或者氧化硅的材料。
进行第一层无机封装层镀膜，具体的，如图5所示，采用第一掩膜板进行封装层的沉积，膜厚为a，第一掩膜板开口边缘与OLED器件水平方向之间的开口宽度设定为a1，掩膜阴影区域宽度为a2。
第一掩膜板下方的封装层与刻蚀层材料反应，生成气体，在下一次镀膜之前抽真空排到废气收集管道。刻蚀层材料刻蚀掉a2区域，第一层完成后，如图6所示，封装边框宽度为第一掩膜板与OLED器件之间的开口宽度a1，相比于现有技术第一层完成后封装边框宽度为a2+a1，采用本发明实施例提供的OLED器件封装方法能够有效改善掩膜阴影的影响。
重复上述步骤，所不同的是，在此阶段采用第二掩膜板，该第二的开口尺寸大于第一掩膜板的开口尺寸，该第二掩膜板的开口附近同样涂覆形成有刻蚀层。
进行第二层无机封装层镀膜，与前述步骤类似，如图7所示，采用第二掩膜板进行封装层的沉积，膜厚为b，现有技术第二掩膜板开口边缘与OLED器件水平方向之间的开口宽度设定为b1，掩膜阴影区域宽度为为b2，并且b1通常大于a2+a1，按照现有技术镀膜完成后第二层封装层边框宽度为b1+b2。采用本发明刻蚀处理，可以减少第二掩膜板开孔宽度为b3，a1<b3<b1，第二层掩膜阴影区域宽度为为b4
第二掩膜板下方的封装层与刻蚀层材料反应，刻蚀第二掩膜板下方的掩膜阴影区域b4，第二层完成后，如图8所示，封装边框宽度为b5，b3<b5<b1+b2。小于现有技术封装边框宽度b1+b2。
后续层级的无机封装层也可以同样采用上述方法步骤，采用这样一种OLED封装方法可以有效减少器件的边框宽度，实现窄边框封装技术。
本发明实施例还提供了一种OLED器件，采用如上所述的OLED器件封装方法封装制得，其中，如图2所示，OLED器件包括OLED基板3和封装层2，在封装的过程中，封装层2图案的尺寸与掩膜板1开口的尺寸相同。
其中，OLED器件封装方法已在前述实施例中做了详细的描述，此处不做赘述。
本发明实施例提供的OLED器件，采用掩膜板形成封装层，该掩膜板通过在靠近待封装OLED基板一侧形成用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层，这样一来，在进行薄膜封装的过程中，刻蚀层能够与掩膜阴影区域的封装层材料发生反应，从而消除这一区域内的封装层材料。采用这样一种结构的掩膜板有效消除了掩膜阴影现象的影响，提高了OLED产品的封装质量，实现了OLED器件的窄边框设计。
本发明实施例提供的OLED器件可以应用于各种已知的OLED显示装置，如采用OLED显示装置作为显示器的手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等产品或器件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板具有至少一个用于形成封装层图案的开口；
所述掩膜板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述刻蚀层采用酸性液体涂布形成。
3.根据权利要求1或2所述的掩膜板，其特征在于，所述刻蚀层设置在所述掩膜板开口附近预设距离范围内。
4.一种OLED器件封装方法，所述OLED器件封装方法采用如权利要求1-3任一所述的掩膜板，其特征在于，所述方法包括：
在待封装的OLED基板表面通过所述掩膜板形成封装层，所述掩膜板靠近待封装OLED基板一侧具有用于刻蚀掉封装层材料的刻蚀层；
当所述掩膜板的刻蚀层与所述掩膜板覆盖区域下的封装层反应结束时，移除所述掩膜板。
5.根据权利要求4所述的OLED器件封装方法，其特征在于，在形成封装层之前，所述方法还包括：
在掩膜板的表面通过液体涂布形成刻蚀层，所述掩膜板具有至少一个用于形成封装层图案的开口。
6.根据权利要求5所述的OLED器件封装方法，其特征在于，所述刻蚀层采用酸性液体涂布形成。
7.根据权利要求5所述的OLED器件封装方法，其特征在于，所述刻蚀层设置在所述掩膜板开口附近预设距离范围内。
8.根据权利要求4所述的OLED器件封装方法，其特征在于，所述方法还包括：
在形成封装层图案后，抽真空排出反应废气。
9.一种采用如权利要求4-8任一所述的OLED器件封装方法封装制得的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件包括OLED基板和封装层，在封装的过程中，所述封装层图案的尺寸与掩膜板开口的尺寸相同。
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| CN (1) | CN104674162B (zh) |
| WO (1) | WO2016119381A1 (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016119381A1 (zh) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、oled器件封装方法及oled器件 |
| CN106567052A (zh) * | 2016-10-24 | 2017-04-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 掩膜板及oled器件的封装方法 |
| CN107331799A (zh) * | 2017-08-11 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板、母板及测试其切割区域和对其切割的方法 |
| WO2019033559A1 (zh) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种 oled 薄膜封装用掩膜板 |
| CN111276627A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 薄膜封装方法及其应用 |
| CN111788863A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-16 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el器件及其制造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102768994A (zh) * | 2011-05-02 | 2012-11-07 | 万国半导体股份有限公司 | 在功率mosfet内集成肖特基二极管 |
| CN103477452A (zh) * | 2011-04-07 | 2013-12-25 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体芯片 |
| CN203503649U (zh) * | 2012-09-27 | 2014-03-26 | 意法半导体公司 | 半导体器件 |
| CN104022233A (zh) * | 2014-05-28 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的封装方法和有机发光显示面板 |
| CN203883009U (zh) * | 2014-05-29 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR930008616B1 (ko) * | 1990-06-25 | 1993-09-10 | 삼성전관 주식회사 | 칼라브라운관의 제조방법 |
| CN101697343B (zh) | 2009-10-27 | 2011-06-15 | 苏州纳科显示技术有限公司 | 一种薄膜封装方法 |
| WO2012109113A2 (en) * | 2011-02-07 | 2012-08-16 | Applied Materials, Inc. | Method for encapsulating an organic light emitting diode |
| WO2012109038A2 (en) * | 2011-02-08 | 2012-08-16 | Applied Materials, Inc. | Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode |
| CN102956675A (zh) * | 2012-10-18 | 2013-03-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 干燥剂层制备方法、有机发光二极管显示屏及其封装方法 |
| KR101420332B1 (ko) * | 2012-11-14 | 2014-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| CN104051495B (zh) * | 2014-05-28 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 封装装置和封装设备 |
| CN104201189B (zh) * | 2014-08-22 | 2017-03-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示装置及有机发光二极管的封装方法 |
| CN104674162B (zh) * | 2015-01-29 | 2018-06-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板、oled器件封装方法及oled器件 |
-
2015
- 2015-01-29 CN CN201510046592.5A patent/CN104674162B/zh active Active
- 2015-06-23 WO PCT/CN2015/082017 patent/WO2016119381A1/zh active Application Filing
- 2015-06-23 US US14/906,101 patent/US9647212B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103477452A (zh) * | 2011-04-07 | 2013-12-25 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 光电子半导体芯片 |
| CN102768994A (zh) * | 2011-05-02 | 2012-11-07 | 万国半导体股份有限公司 | 在功率mosfet内集成肖特基二极管 |
| CN203503649U (zh) * | 2012-09-27 | 2014-03-26 | 意法半导体公司 | 半导体器件 |
| CN104022233A (zh) * | 2014-05-28 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的封装方法和有机发光显示面板 |
| CN203883009U (zh) * | 2014-05-29 | 2014-10-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016119381A1 (zh) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、oled器件封装方法及oled器件 |
| US9647212B2 (en) | 2015-01-29 | 2017-05-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask plate, method for packaging OLED device and OLED device |
| CN106567052A (zh) * | 2016-10-24 | 2017-04-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 掩膜板及oled器件的封装方法 |
| CN106567052B (zh) * | 2016-10-24 | 2018-11-23 | 武汉华星光电技术有限公司 | 掩膜板及oled器件的封装方法 |
| CN107331799A (zh) * | 2017-08-11 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板、母板及测试其切割区域和对其切割的方法 |
| CN107331799B (zh) * | 2017-08-11 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板、母板及测试其切割区域和对其切割的方法 |
| WO2019033559A1 (zh) * | 2017-08-16 | 2019-02-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种 oled 薄膜封装用掩膜板 |
| CN111788863A (zh) * | 2018-02-21 | 2020-10-16 | 堺显示器制品株式会社 | 有机el器件及其制造方法 |
| CN111276627A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 薄膜封装方法及其应用 |
Also Published As
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