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CN111524953B - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents

显示基板及其制作方法、显示装置 Download PDF

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CN111524953B
CN111524953B CN202010377434.9A CN202010377434A CN111524953B CN 111524953 B CN111524953 B CN 111524953B CN 202010377434 A CN202010377434 A CN 202010377434A CN 111524953 B CN111524953 B CN 111524953B
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李伟
程磊磊
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Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,显示基板包括:衬底基板;位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层;位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的钝化层;位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的像素界定层,所述像素界定层限定出像素开口区;位于所述像素界定层远离所述衬底基板一侧的平坦层,所述平坦层的厚度小于所述像素界定层的厚度,所述平坦层未覆盖所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面;位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的发光单元。本发明的技术方案能够保证显示装置的显示品质。

Description

显示基板及其制作方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
近来大尺寸OLED(有机电致发光二极管)因其高对比度、自发光等优点逐渐成为显示行业发展主流。
相关技术中,在制作OLED显示基板时,在薄膜晶体管阵列基板上形成平坦层,在平坦层上制作OLED发光单元的阳极,再制作像素界定层,像素界定层限定出像素开口区,之后可以通过喷墨打印技术将发光材料溶液精确滴入像素开口区中,溶剂挥发成膜形成发光层。
为了避免发光材料溶液在像素界定层顶部粘附,像素界定层需要与发光材料溶液呈现疏液性质,因此,像素界定层材料极性较小,与平坦层之间极性相差较大,像素界定层与平坦层之间的粘附力较小,这样导致像素界定层容易从平坦层上脱落,造成显示不良,影响显示品质。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够保证显示装置的显示品质。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种显示基板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层;
位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的钝化层;
位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的像素界定层,所述像素界定层限定出像素开口区;
位于所述像素界定层远离所述衬底基板一侧的平坦层,所述平坦层的厚度小于所述像素界定层的厚度,所述平坦层未覆盖所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面;
位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的发光单元。
一些实施例中,所述像素界定层的厚度为2.5~4.5um。
一些实施例中,所述平坦层的厚度为1~3um。
一些实施例中,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面。
一些实施例中,所述发光单元包括与所述平坦层接触的阳极,所述阳极在所述衬底基板上的第二正投影位于所述像素开口区在所述衬底基板上的第一正投影内,且所述第一正投影的边界与所述第二正投影的边界相距一定距离。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层;
在所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧形成钝化层;
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层,所述像素界定层限定出像素开口区;
在所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧形成平坦层,所述平坦层的厚度小于所述像素界定层的厚度,所述平坦层未覆盖所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面;
在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧形成发光单元。
一些实施例中,所述平坦层采用热固型有机硅氧烷树脂,形成所述平坦层包括:
在形成有所述像素界定层的衬底基板上涂覆一层热固型有机硅氧烷树脂;
对所述热固型有机硅氧烷树脂固化后,在所述热固型有机硅氧烷树脂上涂覆一层光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域,所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面位于所述光刻胶去除区域内;
采用干法刻蚀去除所述光刻胶去除区域的热固型有机硅氧烷树脂,形成平坦层的图形,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面。
一些实施例中,所述平坦层采用感光型有机硅氧烷树脂,形成所述平坦层包括:
在形成有所述像素界定层的衬底基板上涂覆一层感光型有机硅氧烷树脂;
对感光型有机硅氧烷树脂进行曝光,形成感光型有机硅氧烷树脂待保留区域和感光型有机硅氧烷树脂待去除区域,所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面位于所述感光型有机硅氧烷树脂待去除区域内;
对曝光后的所述感光型有机硅氧烷树脂显影,形成平坦层的图形,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面。
一些实施例中,所述发光单元包括与所述平坦层接触的阳极,形成所述阳极包括:
在所述平坦层上形成阳极材料层;
对所述阳极材料层进行构图,形成阳极的图形,所述阳极在所述衬底基板上的第二正投影位于所述像素开口区在所述衬底基板上的第一正投影内,且所述第一正投影的边界与所述第二正投影的边界相距一定距离。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,在钝化层上设置像素界定层,钝化层一般采用无机绝缘材料,比如氧化硅或氮化硅,像素界定层材料与钝化层材料之间的极性相差较小,像素界定层与钝化层之间的粘附力较大,这样不容易导致像素界定层从钝化层上脱落,能够保证显示装置的显示品质;另外,在形成阳极之前形成像素界定层,像素界定层形成在平坦的钝化层上,像素界定层的上表面平整,不会出现喷墨打印的发光材料溶液残留的现象;另外,像素界定层与发光材料溶液呈现疏液性质,像素界定层顶部未被平坦层覆盖的部分与喷墨打印的发光材料溶液相斥,在像素开口区底部平坦层与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色,另外能够保证发光材料溶液涂布在像素开口区内;另外,由于在像素开口区内填充有平坦层,这样即使像素界定层的厚度比较大,像素开口区内能够容纳的发光材料溶液也比较少,因此,可以提高像素界定层的厚度,避免像素界定层材料在进行涂布时容易出现uncoating(即部分未涂布上)的问题。
附图说明
图1-图5为本发明实施例制作显示基板的流程示意图。
附图标记
1 基板
2 钝化层
3 像素界定层
4 平坦层
5 阳极
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
相关技术中,在制作OLED显示基板时,在薄膜晶体管阵列基板上形成钝化层,再形成平坦层,平坦层是为了保证后续蒸镀的均一性,保证显示效果。在形成平坦层后,在平坦层上制作阳极,之后需要制作像素界定层,在平坦层上形成像素界定层材料,对像素界定层材料进行曝光显影固化等工艺后,形成像素界定层的图形,像素界定层的图形限定出像素开口区。
之后可以通过喷墨打印技术将发光材料溶液精确滴入像素开口区中,溶剂挥发成膜形成发光层。为了避免发光材料溶液在像素界定层顶部粘附,像素界定层需要与发光材料溶液呈现疏液性质,因此,像素界定层材料极性较小,与平坦层材料之间极性相差较大,像素界定层与平坦层之间的粘附力较小,这样导致像素界定层容易从平坦层上脱落,造成显示不良,影响显示装置的显示品质。同时由于像素界定层材料极性较小,发光材料溶液与之互斥,粘附力不足,容易导致发光材料溶液涂布不上或者是涂布不全的问题;另外,为了控制喷墨打印的发光材料溶液的容量,一般像素界定层的厚度小于1.5um,在平坦层上会涂覆厚度较小的像素界定层材料,但是较薄的像素界定层材料在进行涂布时容易出现uncoating(即部分未涂布上)的问题。
另外,相关技术中在形成阳极之后形成像素界定层,由于阳极具有一定的厚度,并且像素界定层的图形位于相邻的两个阳极之间,这样会导致像素界定层的上表面不平整,有一定的凹陷,容易残留喷墨打印的发光材料溶液。
本发明的实施例提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够保证显示装置的显示品质。
本发明的实施例提供一种显示基板,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层;
位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的钝化层;
位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的像素界定层,所述像素界定层限定出像素开口区;
位于所述像素界定层远离所述衬底基板一侧的平坦层,所述平坦层的厚度小于所述像素界定层的厚度,所述平坦层未覆盖所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面;
位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的发光单元。
本实施例中,在钝化层上设置像素界定层,钝化层一般采用无机绝缘材料,比如氧化硅或氮化硅,像素界定层材料与钝化层材料之间的极性相差较小,像素界定层与钝化层之间的粘附力较大,这样不容易导致像素界定层从钝化层上脱落,能够保证显示装置的显示品质;另外,在形成阳极之前形成像素界定层,像素界定层形成在平坦的钝化层上,像素界定层的上表面平整,不会出现喷墨打印的发光材料溶液残留的现象;另外,像素界定层与发光材料溶液呈现疏液性质,像素界定层顶部未被平坦层覆盖的部分与喷墨打印的发光材料溶液相斥,在像素开口区底部平坦层与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色,另外能够保证发光材料溶液涂布在像素开口区内;另外,由于在像素开口区内填充有平坦层,这样即使像素界定层的厚度比较大,像素开口区内能够容纳的发光材料溶液也比较少,因此,可以提高像素界定层的厚度,避免像素界定层材料在进行涂布时容易出现uncoating的问题。
一具体示例中,如图5所示,显示基板包括:基板1,基板1包括位于衬底基板上的遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层以及源漏金属层等膜层;位于基板1上的钝化层2;位于钝化层2上的像素界定层3;位于像素界定层3限定出的像素开口区内的平坦层4;位于平坦层4上的阳极5。其中,钝化层2可以采用无机绝缘材料,比如氮化硅、氧化硅;平坦层4可以采用热固型有机硅氧烷树脂(SOG)或感光型有机硅氧烷树脂,SOG具有高平坦能力。
由于平坦层4占据了像素开口区内的空间,因此,可以将像素界定层3的厚度设置的比较大,所述像素界定层的厚度可以为2.5~4.5um,相应地,所述平坦层的厚度可以为1~3um。
一些实施例中,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面,这样在像素开口区内喷墨打印发光材料溶液时,像素界定层的侧表面的平坦层材料与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以避免发光材料溶液涂布不上的问题,另外还可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色。
一些实施例中,所述发光单元包括与所述平坦层接触的阳极,所述阳极在所述衬底基板上的第二正投影位于所述像素开口区在所述衬底基板上的第一正投影内,且所述第一正投影的边界与所述第二正投影的边界相距一定距离,即像素开口区底部会暴露出平坦层,这样在像素开口区内喷墨打印发光材料溶液时,像素开口区底部的平坦层材料与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以避免发光材料溶液涂布不上的问题,另外还可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
该显示装置包括但不限于:射频单元、网络模块、音频输出单元、输入单元、传感器、显示单元、用户输入单元、接口单元、存储器、处理器、以及电源等部件。本领域技术人员可以理解,上述显示装置的结构并不构成对显示装置的限定,显示装置可以包括上述更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件布置。在本发明实施例中,显示装置包括但不限于显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
所述显示装置可以为:电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件,其中,所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层;
在所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧形成钝化层;
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层,所述像素界定层限定出像素开口区;
在所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧形成平坦层,所述平坦层的厚度小于所述像素界定层的厚度,所述平坦层未覆盖所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面;
在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧形成发光单元。
本实施例中,在钝化层上形成像素界定层,钝化层一般采用无机绝缘材料,比如氧化硅或氮化硅,像素界定层材料与钝化层材料之间的极性相差较小,像素界定层与钝化层之间的粘附力较大,这样不容易导致像素界定层从钝化层上脱落,能够保证显示装置的显示品质;另外,在形成阳极之前形成像素界定层,像素界定层形成在平坦的钝化层上,像素界定层的上表面平整,不会出现喷墨打印的发光材料溶液残留的现象;另外,像素界定层与发光材料溶液呈现疏液性质,像素界定层顶部未被平坦层覆盖的部分与喷墨打印的发光材料溶液相斥,在像素开口区底部平坦层与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色,另外能够保证发光材料溶液涂布在像素开口区内;另外,由于在像素开口区内填充有平坦层,这样即使像素界定层的厚度比较大,像素开口区内能够容纳的发光材料溶液也比较少,因此,可以提高像素界定层的厚度,避免像素界定层材料在进行涂布时容易出现uncoating的问题。
一些实施例中,所述平坦层可以采用热固型有机硅氧烷树脂,形成所述平坦层包括:
在形成有所述像素界定层的衬底基板上涂覆一层热固型有机硅氧烷树脂;
对所述热固型有机硅氧烷树脂固化后,在所述热固型有机硅氧烷树脂上涂覆一层光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域,所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面位于所述光刻胶去除区域内;
采用干法刻蚀去除所述光刻胶去除区域的热固型有机硅氧烷树脂,形成平坦层的图形,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面,这样在像素开口区内喷墨打印发光材料溶液时,像素界定层的侧表面的平坦层材料与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以避免发光材料溶液涂布不上的问题,另外还可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色。
一些实施例中,所述平坦层可以采用感光型有机硅氧烷树脂,形成所述平坦层包括:
在形成有所述像素界定层的衬底基板上涂覆一层感光型有机硅氧烷树脂;
对感光型有机硅氧烷树脂进行曝光,形成感光型有机硅氧烷树脂待保留区域和感光型有机硅氧烷树脂待去除区域,所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面位于所述感光型有机硅氧烷树脂待去除区域内;
对曝光后的所述感光型有机硅氧烷树脂显影,形成平坦层的图形,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面,这样在像素开口区内喷墨打印发光材料溶液时,像素界定层的侧表面的平坦层材料与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以避免发光材料溶液涂布不上的问题,另外还可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色。
一些实施例中,所述发光单元包括与所述平坦层接触的阳极,形成所述阳极包括:
在所述平坦层上形成阳极材料层;
对所述阳极材料层进行构图,形成阳极的图形,所述阳极在所述衬底基板上的第二正投影位于所述像素开口区在所述衬底基板上的第一正投影内,且所述第一正投影的边界与所述第二正投影的边界相距一定距离,即像素开口区底部会暴露出平坦层,这样在像素开口区内喷墨打印发光材料溶液时,像素开口区底部的平坦层材料与喷墨打印的发光材料溶液吸引,可以避免发光材料溶液涂布不上的问题,另外还可以防止喷墨打印的发光材料溶液溢流到相邻的像素开口区内,避免发光材料溶液串色。
一具体示例中,如图1-图5所示,显示基板的制作方法包括以下步骤:
步骤1、提供衬底基板,在衬底基板上形成遮光层、缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅金属层、层间绝缘层以及源漏金属层等膜层,得到基板1;
步骤2、如图1所示,在基板1上形成钝化层2;
具体地,可以在基板1上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成膜方法沉积厚度为
Figure BDA0002480501420000091
的钝化层2,钝化层2可以选用氧化物、氮化物或者氧氮化合物,具体地,钝化层2材料可以是SiNx,SiOx或Si(ON)x,钝化层还可以使用Al2O3。钝化层可以是单层结构,也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构。其中,硅的氧化物对应的反应气体可以为SiH4,N2O;氮化物或者氧氮化合物对应气体可以是SiH4,NH3,N2或SiH2Cl2,NH3,N2
步骤3、如图2所示,形成像素界定层3;
具体地,在钝化层2上涂覆一层感光的像素界定层材料,对像素界定层材料进行曝光显影后形成像素界定层3的图形,像素界定层3的厚度为2.5~4.5um。
步骤4、如图3所示,在经过步骤3的基板1上形成一层平坦层4的材料;
平坦层4可以采用热固型SOG或感光型SOG,具有高平坦能力。
步骤5、如图4所示,对平坦层4进行构图,形成平坦层4的图形,平坦层4覆盖像素界定层3的侧表面,暴露出像素界定层3的上表面,平坦层4的厚度可以为1~3um;
若平坦层4采用感光型有机硅氧烷树脂,对感光型有机硅氧烷树脂进行曝光,形成感光型有机硅氧烷树脂待保留区域和感光型有机硅氧烷树脂待去除区域,对曝光后的感光型有机硅氧烷树脂显影,形成平坦层4的图形。
若平坦层4采用热固型有机硅氧烷树脂,对热固型有机硅氧烷树脂固化后,在热固型有机硅氧烷树脂上涂覆一层光刻胶;对光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域,像素界定层远离衬底基板的上表面位于光刻胶去除区域内;采用干法刻蚀去除光刻胶去除区域的热固型有机硅氧烷树脂,形成平坦层4的图形。
步骤6、如图5所示,形成阳极5。
在经过步骤5的基板1上通过溅射或热蒸发的方法沉积一层反射金属层,反射金属层可以采用MoAl-ITO结构、Al-ITO结构或合金-ITO结构,在反射金属层上涂覆一层光刻胶,采用掩膜板对光刻胶进行曝光,使光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶保留区域对应于阳极5的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的反射金属层,剥离剩余的光刻胶,形成阳极5的图形。
之后可以在经过步骤5的基板1上喷墨打印发光材料溶液,并形成阴极、封装层等。
需要说明,本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其,对于实施例而言,由于其基本相似于产品实施例,所以描述得比较简单,相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中,具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层;
位于所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板一侧的钝化层;
位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的像素界定层,所述像素界定层限定出像素开口区;
位于所述像素界定层远离所述衬底基板一侧的平坦层,所述平坦层的厚度小于所述像素界定层的厚度,所述平坦层未覆盖所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面;
位于所述平坦层远离所述衬底基板一侧的发光单元。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述像素界定层的厚度为2.5~4.5um。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述平坦层的厚度为1~3um。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述发光单元包括与所述平坦层接触的阳极,所述阳极在所述衬底基板上的第二正投影位于所述像素开口区在所述衬底基板上的第一正投影内,且所述第一正投影的边界与所述第二正投影的边界相距一定距离。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-5中任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层;
在所述薄膜晶体管阵列层远离所述衬底基板的一侧形成钝化层;
在所述钝化层远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层,所述像素界定层限定出像素开口区;
在所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧形成平坦层,所述平坦层的厚度小于所述像素界定层的厚度,所述平坦层未覆盖所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面;
在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧形成发光单元。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述平坦层采用热固型有机硅氧烷树脂,形成所述平坦层包括:
在形成有所述像素界定层的衬底基板上涂覆一层热固型有机硅氧烷树脂;
对所述热固型有机硅氧烷树脂固化后,在所述热固型有机硅氧烷树脂上涂覆一层光刻胶;
对所述光刻胶进行曝光显影,形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域,所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面位于所述光刻胶去除区域内;
采用干法刻蚀去除所述光刻胶去除区域的热固型有机硅氧烷树脂,形成平坦层的图形,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面。
9.根据权利要求7所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述平坦层采用感光型有机硅氧烷树脂,形成所述平坦层包括:
在形成有所述像素界定层的衬底基板上涂覆一层感光型有机硅氧烷树脂;
对感光型有机硅氧烷树脂进行曝光,形成感光型有机硅氧烷树脂待保留区域和感光型有机硅氧烷树脂待去除区域,所述像素界定层远离所述衬底基板的上表面位于所述感光型有机硅氧烷树脂待去除区域内;
对曝光后的所述感光型有机硅氧烷树脂显影,形成平坦层的图形,所述平坦层覆盖所述像素界定层的侧表面。
10.根据权利要求8或9所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述发光单元包括与所述平坦层接触的阳极,形成所述阳极包括:
在所述平坦层上形成阳极材料层;
对所述阳极材料层进行构图,形成阳极的图形,所述阳极在所述衬底基板上的第二正投影位于所述像素开口区在所述衬底基板上的第一正投影内,且所述第一正投影的边界与所述第二正投影的边界相距一定距离。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080049910A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
CN105826358A (zh) * 2016-05-24 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN108281467A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示基板及其制作方法、显示装置
CN108878472A (zh) * 2017-05-12 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN108922867A (zh) * 2018-06-25 2018-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080049910A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법
CN105826358A (zh) * 2016-05-24 2016-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN108878472A (zh) * 2017-05-12 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN108281467A (zh) * 2018-01-22 2018-07-13 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层、显示基板及其制作方法、显示装置
CN108922867A (zh) * 2018-06-25 2018-11-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

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