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CN111435099A - 在阵列间具有亚微米y轴对准的多个线性传感器阵列 - Google Patents

在阵列间具有亚微米y轴对准的多个线性传感器阵列 Download PDF

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CN111435099A
CN111435099A CN201911290570.8A CN201911290570A CN111435099A CN 111435099 A CN111435099 A CN 111435099A CN 201911290570 A CN201911290570 A CN 201911290570A CN 111435099 A CN111435099 A CN 111435099A
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J·F·卡塞伊
G·D·雷丁
R·P·赫尔洛斯基
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Abstract

本发明题为“在阵列间具有亚微米Y轴对准的多个线性传感器阵列”。本公开提供了一种传感器阵列组件，其包括第一传感器阵列、第二传感器阵列和安装基板。第一传感器阵列包括第一进程方向宽度和第一感光基元，而第二传感器阵列包括第二进程方向宽度和第二感光基元。第一传感器阵列和第二传感器阵列单独地固定在安装基板上。第一感光基元与第二感光基元精确对准。

Description

在阵列间具有亚微米Y轴对准的多个线性传感器阵列
本发明所公开的实施方案涉及传感器阵列，更具体地涉及多个线性传感器阵列，并且甚至更具体地涉及在感光基元阵列之间具有亚微米y轴对准的多个线性传感器阵列。
包括多个线性对准的光电二极管或感光基元的传感器阵列是本领域中所熟知的。例如，通常被称为全宽度传感器阵列的线性传感器阵列包括长度等于或大于待扫描的基板的宽度的光电传感器/光电二极管/感光基元的一个阵列或多个阵列。然而，由于用于制造此类阵列的现有设备所致，阵列受到的局限性在于在每个传感器阵列包括固定数量的光电传感器行，例如四(4)行。
在一些情况下，可能需要的是形成具有多于四行的光电传感器的传感器阵列。然而，在此类情况下，相邻组的平行的四行光电传感器必须定位并粘结到安装基板。因此，具有多个平行形成的传感器阵列(其中每个阵列包括四行感光基元)的晶片必须被切成定位在安装基板上并且与之粘结的子阵列。常规的切片和放置操作固有的限制控制了传感器阵列组件可形成的精确度。简而言之，相邻传感器阵列的可重复且高度精确对准布置是一个困难而耗时的过程，其只能执行到特定的精准度水平。
本公开给出了在传感器阵列组(例如，上部传感器阵列和下部传感器阵列)之间具有近乎完美对准的多个线性传感器阵列的实施方案，这就带来了优于标准单阵列组件的若干优点。
多个线性传感器阵列的前述实施方案提供了优于已知的传感器阵列的多种优点。例如，本文所公开的传感器阵列通过偏移上部阵列和下部阵列的抽样极大地提高了图像扫描速度。此外，此类传感器阵列提供了执行二重抽样、三重抽样等能力以减小噪声，即，检测相同的点两次或更多次，或者换句话讲，用每个分组的传感器阵列检测相同的点。另外，本公开的传感器阵列可包括优于已知颜色扫描系统的各种构型的滤色器。例如，以每英寸一千两百(1,200)点(dpi)的真正的四色扫描以及八(8)色图像扫描是可能的。各种实施方案允许通过已知扫描系统在整个阵列上的改进空间分辨的分光光度测量。
根据本文所示的方面，提供了一种传感器阵列组件，其包括第一传感器阵列、第二传感器阵列和安装基板。第一传感器阵列包括第一进程方向宽度和第一感光基元，而第二传感器阵列包括第二进程方向宽度和第二感光基元。第一传感器阵列和第二传感器阵列固定在安装基板上。第一传感器阵列被定位成与第二传感器阵列相距第一距离，该第一距离大于或等于第一进程方向宽度或第二进程方向宽度，并且第一感光基元与第二感光基元精确对准。
根据本文所示的其他方面，提供了一种传感器阵列组件，其包括第一传感器阵列、第二传感器阵列、牺牲区和安装基板。第一传感器阵列包括第一感光基元，而第二传感器阵列包括第二感光基元。牺牲区布置在第一传感器阵列和第二传感器阵列之间并且连接第一传感器阵列和第二传感器阵列。第一传感器阵列和第二传感器阵列粘结在安装基板上。在第一传感器阵列和第二传感器阵列粘结到安装基板上并且第一感光基元与第二感光基元精确对准之后，将牺牲区移除。
根据本文所示的其他方面，提供了一种传感器阵列组件，其包括第一传感器阵列、第二传感器阵列、牺牲区和安装基板。第一传感器阵列包括第一行感光基元和第二行感光基元，其中第一行感光基元包括第一感光基元，并且第二行感光基元包括第二感光基元。第二传感器阵列包括第三行感光基元和第四行感光基元，其中第三行感光基元包括第三感光基元，并且第四行感光基元包括第四感光基元。牺牲区布置在第一传感器阵列和第二传感器阵列之间。第一传感器阵列和第二传感器阵列粘结在安装基板上。在第一传感器阵列和第二传感器阵列粘结到安装基板上并且第一感光基元与第二感光基元、第三感光基元、第四感光基元精确对准之后，将牺牲区移除。
图1为本发明所公开的多个线性传感器阵列(例如，双线性传感器阵列)的实施方案的俯视平面图；
图2为图1的被圈起来的区域2的俯视平面图；
图3为第一线性传感器阵列的一部分的一个实施方案的放大俯视平面图；
图4为第二线性传感器阵列的一部分的一个实施方案的放大俯视平面图；
图5为图3所示的第一线性传感器阵列的一部分和图4所示的第二线性传感器阵列的一部分相对于彼此精确对准的一个实施方案的放大俯视平面图；
图6为第一线性传感器阵列的一部分的一个实施方案的放大俯视平面图；
图7为第二线性传感器阵列的一部分的一个实施方案的放大俯视平面图；
图8为图6所示的第一线性传感器阵列的一部分和图7所示的第二线性传感器阵列的一部分相对于彼此精确对准的放大俯视平面图；
图9为第一线性传感器阵列的一部分和第二线性传感器阵列的一部分相对于彼此精确对准的一个实施方案的放大俯视平面图；
图10为包括掩模的实施方案的单个感光基元的一个实施方案的俯视平面图；
图11为包括掩模的实施方案的单个感光基元的一个实施方案的俯视平面图；
图12为包括掩模的实施方案的单个感光基元的一个实施方案的俯视平面图；
图13为第一线性传感器阵列、第二线性传感器阵列和两者间的牺牲部分的一部分的放大俯视平面图，其中第一线性传感器阵列和第二线性传感器阵列相对于彼此精确对准；
图14为第一线性传感器阵列的一部分和第二线性传感器阵列的一部分相对于彼此精确对准的一个实施方案的放大俯视平面图，其中相应一行的感光基元中的每个感光基元包括滤波器；并且
图15为第一线性传感器阵列、第二线性传感器阵列、第三线性传感器阵列、第一线性传感器阵列和第二线性传感器阵列之间的第一牺牲部分，以及第二线性传感器阵列和第三线性传感器阵列之间的第二牺牲部分的一部分的放大俯视平面图，其中第一线性传感器阵列、第二线性传感器阵列和第三线性传感器阵列相对于彼此精确对准。
除非另有定义，否则本文中使用的所有技术和科学术语具有与这些实施方案所属领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。如本文所用，“进程方向”旨在表示通过打印机、复印机、扫描仪等的介质传送方向，而“跨进程方向”旨在表示垂直于通过打印机、复印机、扫描仪等的介质传送方向，或换句话讲垂直于进程方向。应当理解，如本文所用，“上部”和“下部”传感器阵列是指在进程方向上偏移的两个阵列。例如，上部传感器阵列是相对于进程方向扫描在该进程方向上移动的介质的第一传感器阵列，而下部传感器阵列是相对于进程方向扫描在该进程方向上移动的介质的第二传感器阵列。如本文所用，“精确对准”和“亚微米对准”旨在表示在微米或更小范围内的对准。例如，上述术语可被理解为是指对准至+/-0.9微米(μm)范围内的感光基元中心线；然而，这些术语不限于该准确度。此外，应当理解，据信本文所述的精确/亚微米对准保持在低于用于将传感器阵列固定到安装基板的粘结材料(例如，粘合剂)的玻璃化转变温度(Tg)的温度下。另外，据信对于粘结到安装基板的每个传感器阵列应当进行等量运动，前提条件是每个传感器阵列使用等量的粘结材料。此外，如本文所用，“梯形”包括锐角梯形、直角梯形、钝角梯形、等腰梯形、平行四边形、三边相等梯形、矩形、菱形和正方梯形。
此外，如本文所用，“打印机”、“打印机系统”、“打印系统”、“打印机设备”和“打印设备”涵盖出于任何目的执行打印输出功能的任何装置，诸如数字复印机、簿册机、传真机、多功能机等，而如本文所用，“多功能设备”和“MFD”旨在表示包括多个不同成像设备的设备，包括但不限于打印机、复印机、传真机和/或扫描仪，并且可进一步通过有线连接或无线连接提供到局域网、广域网、基于以太网的网络或互联网的连接。MFD可进一步指代在一个单元中结合了若干功能的任何硬件。例如，MFD可包括但不限于独立打印机、一台或多台个人计算机、独立扫描仪、移动电话、MP3播放器、音频电子器件、视频电子器件、GPS系统、电视、记录和/或复制介质或任何其他类型的消费或非消费模拟和/或数字电子器件。另外，如本文所用，“片材”、“纸片”、“介质”、“可打印介质”和“纸”是指例如纸、透明胶片、羊皮纸、膜、织物、塑料、照相洗印纸或幅材形式的其他涂覆或非涂覆基材介质，在其上可以可视化和/或复制信息或标记。
应当理解，如本文所用，术语诸如“光电传感器”、“感光基元”和“光电二极管”可互换地使用，并且旨在表示将光转换为电能诸如电流的元件(例如半导体器件)，所述电能随后可用于量化光照射在元件上的量，例如强度、持续时间等。“光电传感器阵列”旨在表示感光基元的二维(2D)阵列，诸如例如具有四(4)个平行且相邻行的一百二十八(128)个感光基元的阵列。
如本文所用，术语“平均”应广义地理解为包括其中基于多个输入数据获得结果基准或判定的任何计算，可包括但不限于加权平均、基于滚动输入的是或否的判定，等等。此外，如本文所用，与系统或元件结合使用的短语“包括…中的至少一者”(“comprises atleast one of”/“comprising at least one of”)旨在表示该系统或元件包括该短语后面列出的一个或多个元件。例如，包括以下各项中的至少一者的设备：第一元件；第二元件；和第三元件，旨在被理解为以下结构布置中的任一种：包括第一元件的设备；包括第二元件的设备；包括第三元件的设备；包括第一元件和第二元件的设备；包括第一元件和第三元件的设备；包括第一元件、第二元件和第三元件的设备；或包括第二元件和第三元件的设备。当在本文中使用短语“用于…中的至少一个”时，意在进行类似的解释。此外，如本文所用，“和/或”旨在表示用于指示可以包括或出现所述要素或条件中的一个或多个的语法连词。例如，包括第一元件、第二元件和/或第三元件的设备旨在被理解为以下结构布置中的任一种：包括第一元件的设备；包括第二元件的设备；包括第三元件的设备；包括第一元件和第二元件的设备；包括第一元件和第三元件的设备；包括第一元件、第二元件和第三元件的设备；或包括第二元件和第三元件的设备。
此外，尽管类似于或等同于本文所述的那些方法、设备或材料的任何方法、设备或材料都可以用于这些实施方案的实践或测试中，但是现在描述方法、设备和材料的一些实施方案。
广义地讲，本公开包括传感器阵列组件的各种实施方案。在一些实施方案中，传感器阵列组件50包括传感器阵列52、传感器阵列54和安装基板56。应当理解，为清楚起见，进程方向由双向箭头58指定。传感器阵列52包括进程方向宽度60和至少感光基元62。传感器阵列54包括进程方向宽度64和至少感光基元66。传感器阵列52和54单独地固定在安装基板56上。如本文所用，“单独地固定”旨在表示传感器阵列52和54彼此不接触；然而，也可以将传感器阵列52和54两者同时固定到安装基板56。感光基元62与感光基元66精确对准。在一些实施方案中，传感器阵列52定位成距第二阵列54距离68。距离68大于或等于进程方向宽度60或进程方向宽度64。
应当理解，每个传感器阵列52和54可分别由多个子阵列例如子阵列70和72形成。在一些实施方案中，传感器阵列52包括至少两个子阵列70，每个子阵列包括多个感光基元，并且传感器阵列54包括至少两个子阵列72，每个子阵列包括多个感光基元。至少两个子阵列70的多个感光基元中的每个感光基元与至少两个子阵列72的多个感光基元中的每个互补感光基元精确对准。如本文所用，“互补感光基元”旨在表示来自彼此相符的对准阵列中的感光基元，例如，每个阵列的第一感光基元、每个阵列的第二感光基元等。此外，传感器阵列52和54中的每一者均包括多个感光基元，但为了清楚起见，附图中仅标记了每行的每个感光基元中的一者。另外，传感器阵列52和54中的每一者可包括多行感光基元。
如在附图中可见，传感器阵列52和54相对于彼此精确对准，这继而使得感光基元62和感光基元66相对于彼此精确对准。精确对准由虚线74表示，该虚线示出了感光基元相对于进程方向58的线性排列。迄今为止，传感器阵列52和54之间可能的对准水平受到切片和放置操作的限制。由于其制造方法，传感器阵列组件50包括传感器阵列52和54之间的精确对准的感光基元，还包括精确对准的感光基元62和66。
在一些实施方案中，感光基元62包括掩蔽部分76和未掩蔽部分78，而感光基元66包括掩蔽部分80和未掩蔽部分82。在一些实施方案中，掩蔽部分76与未掩蔽部分82对准并且掩蔽部分80与未掩蔽部分78对准。前述对准由虚线84和86表示，这些虚线示出了掩蔽部分和未掩蔽部分相对于进程方向58的线性排列。此外，在一些实施方案中，未掩蔽部分78不与掩蔽部分80完全对准。在此类实施方案中，来自上部传感器阵列和下部传感器阵列的未掩蔽部分可彼此部分重叠。例如，如图9所示，未掩蔽部分88与未掩蔽部分90部分地重叠。
在一些实施方案中，未掩蔽部分78和未掩蔽部分82中的每一者均包括一形状。例如，该形状可包括但不限于：梯形；三角形；圆形；椭圆形；包括多于四个边的多边形；以及它们的组合。前述形状的实施方案由图10至图12中所示的各种可能的掩蔽区域91来表示，其中区域91中的一者或多者可包括在每个感光基元上。然而，应当理解，据信当各种形状的未掩蔽部分的布置共同形成完全未掩蔽的感光基元时，传感器阵列组件的性能得到改善。例如，四个对准的感光基元(每个感光基元包括不同的四分之一部分未掩蔽)将共同形成完全未掩蔽的感光基元。根据未掩蔽部分的尺寸和布置，可扫描不同数量的每英寸点数(dpi)。因此，例如，对于包括被布置成在进程方向和跨进程方向上以600dpi扫描的感光基元的阵列，引入等于每个感光基元的一半的未掩蔽部分(参见图3至图5)导致在跨进程方向上进行1,200dpi的扫描，而引入等于每个感光基元的四分之一的未掩蔽部分(参见图6至图8)导致同时在进程方向和跨进程方向上进行1,200dpi的扫描。
在一些实施方案中，未掩蔽部分78包括滤波器92，并且未掩蔽部分82包括滤波器94。在一些实施方案中，滤波器92通过第一光谱，例如，在约480nm至约530nm范围内的波长，并且滤波器94通过第二光谱，例如，在约530nm至约580nm范围内的波长。在一些实施方案中，第一光谱不同于第二光谱，而在一些实施方案中，第一光谱与第二光谱相同。
在一些实施方案中，传感器阵列52包括感光基元行96和感光基元行98，而传感器阵列54包括感光基元行100和感光基元行102。感光基元行96至少包括感光基元62，感光基元行98至少包括感光基元104，感光基元行100至少包括感光基元66，感光基元行102至少包括感光基元106。感光基元62与感光基元66、感光基元104和感光基元106精确对准。前述对准由虚线74表示，该虚线示出了掩蔽部分和未掩蔽部分相对于进程方向58的线性排列。
在一些实施方案中，感光基元62包括遮蔽部分76和未遮蔽部分78，感光基元66包括遮蔽部分80和未遮蔽部分82，感光基元104包括遮蔽部分108和未遮蔽部分110，并且感光基元106包括遮蔽部分112和未遮蔽部分114。在一些实施方案中，掩蔽部分76与未掩蔽部分82对准，掩蔽部分80与未掩蔽部分78对准，掩蔽部分108与未掩蔽部分114对准，并且掩蔽部分112与未掩蔽部分为110对准。前述对准由虚线84和86表示，这些虚线示出了掩蔽部分和未掩蔽部分相对于进程方向58的线性排列。此外，在一些实施方案中，未掩蔽部分78不与掩蔽部分80完全对准，并且未掩蔽部分110不与掩蔽部分112完全对准。在此类实施方案中，来自上部传感器阵列和下部传感器阵列的未掩蔽部分可彼此部分重叠。例如，如图9所示，未掩蔽部分88与未掩蔽部分90部分地重叠，并且未掩蔽部分116与未掩蔽部分118部分地重叠。
在一些实施方案中，未掩蔽部分78、未掩蔽部分82、未掩蔽部分110和未掩蔽部分114中的每一者均包括一形状。例如，该形状可包括但不限于：梯形；三角形；圆形；椭圆形；包括多于四个边的多边形；以及它们的组合。上述形状的实施方案在图10至图12中表示。然而，应当理解，据信当各种形状的未掩蔽部分的布置共同形成完全未掩蔽的感光基元时，传感器阵列组件的性能得到改善。例如，四个对准的感光基元(每个感光基元包括不同的四分之一部分未掩蔽)将共同形成完全未掩蔽的感光基元。根据未掩蔽部分的尺寸和布置，可扫描不同数量的每英寸点数(dpi)。因此，例如，对于包括被布置成在进程方向和跨进程方向上以600dpi扫描的感光基元的阵列，引入等于每个感光基元的一半的未掩蔽部分(参见图3至图5)导致在跨进程方向上进行1,200dpi的扫描，而引入等于每个感光基元的四分之一的未掩蔽部分(参见图6至图8)导致同时在进程方向和跨进程方向上进行1,200dpi的扫描。
在一些实施方案中，未掩蔽部分78包括滤波器92、未掩蔽部分82包括滤波器94、未掩蔽部分110包括滤波器120，并且未掩蔽部分114包括滤波器122。在一些实施方案中，滤波器92通过第一光谱，例如，在约400nm至约450nm范围内的波长，滤波器94通过第二光谱，例如，在约490nm至约520nm范围内的波长，滤波器120通过第三光谱，例如，在约560nm至约590nm范围内的波长，并且滤波器122通过第四光谱，例如，在约635nm至约700nm范围内的波长。在一些实施方案中，第一光谱不同于第二光谱、第三光谱和第四光谱。在一些实施方案中，第一光谱与第二光谱、第三光谱和第四光谱中的至少一者相同。
广义地讲，本公开包括传感器阵列组件的其他实施方案。在一些实施方案中，传感器阵列组件150包括传感器阵列152、传感器阵列154、牺牲区156和安装基板158。传感器阵列152至少包括感光基元160，而传感器阵列154至少包括感光基元162。牺牲区156布置在传感器阵列152和154之间并连接传感器阵列152和154。将传感器阵列152和154粘结到安装基板158。在将传感器阵列152和154粘结到安装基板158之后，将牺牲区156移除。感光基元160与感光基元162精确对准。精确对准由虚线163表示，该虚线示出了感光基元相对于进程方向58的线性排列。鉴于以上所述，在移除牺牲区156之后，将传感器阵列152和154分别固定到安装基板158。
应当理解，传感器阵列152和154中的每一者均可由多个子阵列(例如，类似于图1所示的子阵列)形成。此外，传感器阵列152和154中的每一者均包括多个感光基元，但为了清楚起见，附图中仅标记了每行的每个感光基元中的一者。另外，传感器阵列152和154中的每一者可包括多行感光基元。
广义地讲，本公开包括传感器阵列组件的其他实施方案。在一些实施方案中，传感器阵列组件150包括传感器阵列152、传感器阵列154、牺牲区156和安装基板158。传感器阵列152包括感光基元行164和感光基元行166。感光基元行164至少包括感光基元160并且感光基元行166至少包括感光基元172。传感器阵列154包括感光基元行168和感光基元行170。感光基元行168至少包括感光基元162，并且感光基元行170至少包括感光基元174。牺牲区156布置在传感器阵列152和传感器阵列154之间。将传感器阵列152和154粘结到安装基板158。在将传感器阵列152和154粘结到安装基板158之后，将牺牲区156移除。感光基元160与感光基元162、感光基元172和感光基元174精确对准。鉴于以上所述，在移除牺牲区156之后，将传感器阵列152和154分别固定到安装基板158。
应当理解，传感器阵列152和154中的每一者均可由多个子阵列(例如，类似于图1所示的子阵列)形成。此外，传感器阵列152和154中的每一者均包括多个感光基元，但为了清楚起见，附图中仅标记了每行的每个感光基元中的一者。
在一些实施方案中，传感器阵列152还包括感光基元行176和感光基元行178，并且传感器阵列154还包括感光基元行180和感光基元行182。感光基元行176至少包括感光基元184，感光基元行178至少包括感光基元186，感光基元行180至少包括感光基元188，感光基元行182至少包括感光基元190。感光基元160与感光基元162、感光基元172、感光基元174、感光基元184、感光基元186、感光基元188和感光基元190精确对准。
在一些实施方案中，感光基元160包括滤波器192，感光基元162包括滤波器194，感光基元172包括滤波器196，感光基元174包括滤波器198，感光基元184包括滤波器200，感光基元186包括滤波器202，感光基元188包括滤波器204，并且感光基元190包括滤波器206。在一些实施方案中，滤波器192通过第一光谱，例如在约400nm至约450nm范围内的波长，滤波器194通过第二光谱，例如在约450nm至约490nm范围内的波长，滤波器196通过第三光谱，例如在约490nm至约520nm范围内的波长，滤波器198通过第四光谱，例如在约520nm至约560nm范围内的波长，滤波器200通过第五光谱，例如在约560nm至约590nm范围内的波长，滤波器202通过第六光谱，例如在约590nm至约635nm范围内的波长，滤波器204通过第七光谱，例如在约635nm至约700nm范围内的波长，并且滤波器206通过第八光谱，例如在约700nm至约730nm范围内的波长。在一些实施方案中，第一光谱不同于第二光谱、第三光谱、第四光谱、第五光谱、第六光谱、第七光谱和第八光谱。在一些实施方案中，第一光谱与第二光谱、第三光谱、第四光谱、第五光谱、第六光谱、第七光谱和第八光谱中的至少一者相同。
应当理解，上述传感器阵列的实施方案可包括位于精确对准的感光基元上的一个或多个滤色器。因此，每列感光基元可用作提供来自一个或多个测量值的光谱数据的分光光度计。例如，在具有八个独特滤色器的实施方案中，相对于彼此精确对准的八个感光基元可为同一扫描区域提供八个独特的光谱输出。
此外，应当理解，上述传感器阵列的实施方案可包括两个以上精确对准的传感器阵列。例如，传感器阵列组件250包括分开并且由牺牲区256连接的传感器阵列252和传感器阵列254，并且还包括与传感器阵列254分开并且由牺牲区260连接的传感器阵列258。传感器阵列252、254、258粘结到安装基板262，与上文相对于其他实施方案所述的类似。传感器阵列252至少包括感光基元264，传感器阵列254至少包括感光基元266，并且传感器阵列258至少包括感光基元268。应当理解，如上文关于其他实施方案所述，传感器阵列252、254和258各自可包括多个感光基元和/或多个感光基元行。在将传感器阵列252、254和258粘结到安装基板262之后，将牺牲区256和260移除，从而仅保留粘结到安装基板262的传感器阵列252、254和258。在这些实施方案中，感光基元264、266和268并且由此传感器阵列252、254和258彼此精确对准。
应当理解，上述传感器阵列组件的各种实施方案允许对扫描操作和扫描装置增加先前实现起来更困难和/或不切实际的功能。例如，根据两个或更多个传感器阵列的精确对准，可容易地实现扫描装置内的组件的偏差校正。可以旋转均安装在公共基板上的两个或更多个传感器阵列，直到每个阵列以基本上相同、几乎完全相同或完全相同的方式检测到垂直图像(例如，垂直线)。另外，可在扫描装置的装配期间引入阵列的意图偏差。例如，可有意地使两个或更多个传感器阵列偏斜，使得第一传感器阵列相对于第二传感器阵列偏移半个像素的宽度，从而允许第一阵列感测落在第二传感器阵列中的像素(感光基元)之间的间隙内的图像数据。前述布置方式应当能够校正小的像素间间隙，例如可为十三微米。
鉴于上述情况，应当进一步理解，本公开包括制作在单个电路板上的多个线性传感器阵列，其中在阵列之间具有亚微米对准。此外，对阵列感光基元的适当掩蔽可制成具有在进程方向和/或跨进程方向上以每英寸一千二百(1,200)点(dpi)的分辨率进行扫描的能力的传感器。此外，第二、第三等精确对准的阵列提供了对传感器应用附加滤波从而提供更高保真度分光光度计的机会。本发明所公开的多个传感器阵列提高了扫描速度，提高了分辨率，允许冗余采样和/或过采样，并且易于扩展到八(8)个或更多个彩色图像传感器。

Claims (26)

1.一种传感器阵列组件，包括：
第一传感器阵列，所述第一传感器阵列包括第一进程方向宽度和第一感光基元；
第二传感器阵列，所述第二传感器阵列包括第二进程方向宽度和第二感光基元；和
安装基板，所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列被单独地固定于其上，
其中所述第一感光基元与所述第二感光基元精确对准。
2.根据权利要求1所述的传感器阵列组件，其中所述第一传感器阵列包括至少两个第一子阵列，所述至少两个第一子阵列各自包括多个感光基元，并且所述第二传感器阵列包括至少两个第二子阵列，所述至少两个第二子阵列各自包括多个感光基元，并且所述至少两个第一子阵列中的所述多个感光基元与所述至少两个第二子阵列中的所述多个感光基元精确对准。
3.根据权利要求1所述的传感器阵列组件，其中所述第一传感器阵列被定位成与所述第二传感器阵列相距第一距离，所述第一距离大于或等于所述第一进程方向宽度或所述第二进程方向宽度。
4.根据权利要求1所述的传感器阵列组件，其中所述第一感光基元包括第一掩蔽部分和第一未掩蔽部分，并且所述第二感光基元包括第二掩蔽部分和第二未掩蔽部分。
5.根据权利要求4所述的传感器阵列组件，其中所述第一掩蔽部分与所述第二未掩蔽部分对准，所述第二掩蔽部分与所述第一未掩蔽部分对准。
6.根据权利要求4所述的传感器阵列组件，其中所述第一未掩蔽部分与所述第二未掩蔽部分部分地重叠对准。
7.根据权利要求4所述的传感器阵列组件，其中所述第一未掩蔽部分和所述第二未掩蔽部分中的每一者包括选自以下的形状：梯形；三角形；包括多于四个边的多边形；以及它们的组合。
8.根据权利要求4所述的传感器阵列组件，其中所述第一未掩蔽部分包括第一滤波器，并且所述第二未掩蔽部分包括第二滤波器。
9.根据权利要求8所述的传感器阵列组件，其中所述第一滤波器通过第一光谱并且所述第二滤波器通过第二光谱。
10.根据权利要求9所述的传感器阵列组件，其中所述第一光谱不同于所述第二光谱。
11.根据权利要求1所述的传感器阵列组件，其中所述第一传感器阵列包括第一行感光基元和第二行感光基元，所述第二传感器阵列包括第三行感光基元和第四行感光基元，所述第一行感光基元包括所述第一感光基元，所述第二行感光基元包括第三感光基元，所述第三行感光基元包括所述第二感光基元，所述第四行感光基元包括第四感光基元，并且所述第一感光基元与所述第二感光基元、所述第三感光基元和所述第四感光基元精确对准。
12.根据权利要求11所述的传感器阵列组件，其中所述第一感光基元包括第一掩蔽部分和第一未掩蔽部分，所述第二感光基元包括第二掩蔽部分和第二未掩蔽部分，所述第三感光基元包括第三掩蔽部分和第三未掩蔽部分，并且所述第四感光基元包括第四掩蔽部分和第四未掩蔽部分。
13.根据权利要求12所述的传感器阵列组件，其中所述第一掩蔽部分与所述第二未掩蔽部分对准，所述第二掩蔽部分与所述第一未掩蔽部分对准，所述第三掩蔽部分与所述第四未掩蔽部分对准，并且所述第四掩蔽部分与所述第三未掩蔽部分对准。
14.根据权利要求12所述的传感器阵列组件，其中所述第一未掩蔽部分与所述第二未掩蔽部分部分地重叠对准，并且所述第三未掩蔽部分与所述第四未掩蔽部分部分地重叠对准。
15.根据权利要求12所述的传感器阵列组件，其中所述第一未掩蔽部分、所述第二未掩蔽部分、所述第三未掩蔽部分和所述第四未掩蔽部分中的每一者包括选自以下的形状：梯形；三角形；包括多于四个边的多边形；以及它们的组合。
16.根据权利要求12所述的传感器阵列组件，其中所述第一未掩蔽部分包括第一滤波器，所述第二未掩蔽部分包括第二滤波器，所述第三未掩蔽部分包括第三滤波器，并且所述第四未掩蔽部分包括第四滤波器。
17.根据权利要求16所述的传感器阵列组件，其中所述第一滤波器通过第一光谱，所述第二滤波器通过第二光谱，所述第三滤波器通过第三光谱，并且所述第四滤波器通过第四光谱。
18.根据权利要求17所述的传感器阵列组件，其中所述第一光谱不同于所述第二光谱、所述第三光谱和所述第四光谱。
19.根据权利要求1所述的传感器阵列组件，还包括：
第三传感器阵列，所述第三传感器阵列包括第三进程方向宽度和第三感光基元；
其中所述第三传感器阵列单独地固定到所述安装基板，并且所述第一感光基元、所述第二感光基元和所述第三感光基元彼此精确对准。
20.一种传感器阵列组件，包括：
第一传感器阵列，所述第一传感器阵列包括第一感光基元；
第二传感器阵列，所述第二传感器阵列包括第二感光基元；
第一牺牲区，所述第一牺牲区布置在所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列之间并且连接所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列；和
安装基板，所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列粘结到其上，
其中在所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列粘结到所述安装基板并且所述第一感光基元与所述第二感光基元精确对准之后，将所述第一牺牲区移除。
21.根据权利要求20所述的传感器阵列组件，还包括：
第三传感器阵列，所述第三传感器阵列包括第三感光基元；
第二牺牲区，所述第二牺牲区布置在所述第二传感器阵列和所述第三传感器阵列之间并且连接所述第二传感器阵列和所述第三传感器阵列；
其中所述第三传感器阵列粘结到所述安装基板，在所述第一传感器阵列、所述第二传感器阵列和所述第三传感器阵列粘结到所述安装基板并且所述第一感光基元、所述第二感光基元和所述第三感光基元彼此精确对准之后，将所述第二牺牲区移除。
22.一种传感器阵列组件，包括：
第一传感器阵列，所述第一传感器阵列包括第一行感光基元和第二行感光基元，所述第一行感光基元包括第一感光基元，并且所述第二行感光基元包括第二感光基元；
第二传感器阵列，所述第二传感器阵列包括第三行感光基元和第四行感光基元，所述第三行感光基元包括第三感光基元，并且所述第四行感光基元包括第四感光基元；
牺牲区，所述牺牲区布置在所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列之间；和
安装基板，所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列粘结到其上，
其中在所述第一传感器阵列和所述第二传感器阵列粘结到所述安装基板并且所述第一感光基元与所述第二感光基元、所述第三感光基元和所述第四感光基元精确对准之后，将所述牺牲区移除。
23.根据权利要求22所述的传感器阵列组件，其中所述第一传感器阵列还包括第五行感光基元和第六行感光基元，并且所述第二传感器阵列还包括第七行感光基元和第八行感光基元，所述第五行感光基元包括第五感光基元，所述第六行感光基元包括第六感光基元，所述第七行感光基元包括第七感光基元，所述第八行感光基元包括第八感光基元，并且所述第一感光基元与所述第二感光基元、所述第三感光基元、所述第四感光基元、所述第五感光基元、所述第六感光基元、所述第七感光基元和所述第八感光基元精确对准。
24.根据权利要求23所述的传感器阵列组件，其中所述第一感光基元包括第一滤波器，所述第二感光基元包括第二滤波器，所述第三感光基元包括第三滤波器，所述第四感光基元包括第四滤波器，所述第五感光基元包括第五滤波器，所述第六感光基元包括第六滤波器，所述第七感光基元包括第七滤波器，并且所述第八感光基元包括第八滤波器。
25.根据权利要求24所述的传感器阵列组件，其中所述第一滤波器通过第一光谱，所述第二滤波器通过第二光谱，所述第三滤波器通过第三光谱，所述第四滤波器通过第四光谱，所述第五滤波器通过第五光谱，所述第六滤波器通过第六光谱，所述第七滤波器通过第七光谱，并且所述第八滤波器通过第八光谱。
26.根据权利要求25所述的传感器阵列组件，其中所述第一光谱不同于所述第二光谱、所述第三光谱、所述第四光谱、所述第五光谱、所述第六光谱、所述第七光谱和所述第八光谱。
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