CN110867396A - 晶片的保护方法 - Google Patents
晶片的保护方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110867396A CN110867396A CN201910710463.XA CN201910710463A CN110867396A CN 110867396 A CN110867396 A CN 110867396A CN 201910710463 A CN201910710463 A CN 201910710463A CN 110867396 A CN110867396 A CN 110867396A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sheet
- wafer
- protective member
- adhesive force
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 105
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 83
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 133
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 33
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 17
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 13
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 11
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 11
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 11
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/79—Apparatus for Tape Automated Bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Dicing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
提供晶片的保护方法，不会使器件的品质降低。根据本发明，提供晶片的保护方法，在晶片(10)的面上配设片状的保护部件(22a)而对晶片(10)进行保护，其中，该晶片的保护方法至少包含如下的工序：片准备工序，准备作为保护部件(22a)的基材的聚烯烃系的片或聚酯系的片；粘接力生成工序，对片(20)的面进行加热而生成粘接力；片压接工序，将生成了粘接力的片(20)的面敷设于要保护的晶片(10)的面(正面(10a))上并赋予按压力，从而将片(20)压接在晶片(10)的面(10a)上；以及粘接力强化工序，对压接在晶片(10)的面上的片(20)进行加热而使粘接力强化。
Description
技术领域
本发明涉及晶片的保护方法，在晶片的面上配设片状的保护部件而对晶片进行保护。
背景技术
晶片由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件，该晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而形成为规定的厚度之后，通过切割装置分割成各个器件，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
磨削装置至少包含：卡盘工作台，其具有对晶片进行保持的保持面；磨削单元，其以能够旋转的方式具有对该卡盘工作台所保持的晶片的上表面进行磨削的磨削磨轮；以及进给单元，其将磨削磨具进行磨削进给，该磨削装置能够将晶片加工成期望的厚度(例如，参照专利文献1)。
另外，为了使形成于晶片的正面上的多个器件不会因卡盘工作台的保持面与晶片的正面的接触而划伤，在晶片的正面上粘贴具有粘接糊料的保护带。
专利文献1：日本特开2005-246491号公报
在实施了磨削加工之后，将作为保护部件而粘贴于晶片的正面上的保护带从晶片的正面剥离，但存在如下的问题：当从晶片剥离时，保护带的粘接糊料的一部分附着于晶片的正面而残留，会使器件的品质降低。
另外，在利用激光加工装置或切割装置等加工装置对晶片进行加工的情况下，将晶片收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状的框架中，利用粘接带将晶片的背面和该框架粘贴，形成借助粘接带而利用框架对晶片进行支承的状态，保持于各加工装置而实施加工。在将借助该粘接带而利用框架进行支承的晶片分割成各个器件芯片之后，当从粘接带拾取器件芯片时，仍然存在如下的问题：粘接带的糊料剂的一部分附着于器件芯片的背面而残留，会使器件芯片的品质降低。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的保护方法，不会使器件的品质降低。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的保护方法，在晶片的面上配设片状的保护部件而对晶片进行保护，其中，该晶片的保护方法至少包含如下的工序：片准备工序，准备作为保护部件的基材的聚烯烃系的片或聚酯系的片；粘接力生成工序，对该片的面进行加热而生成粘接力；片压接工序，将生成了粘接力的片的面敷设于要保护的晶片的面上，赋予按压力而将该片压接在晶片的面上；以及粘接力强化工序，对压接在该晶片的面上的片进行加热而使粘接力强化。
优选在该粘接力生成工序中，从第一加热单元喷射热风而吹送到片的面上，将该片加热至不使片本身熔融并且被赋予粘接力的温度，从而使该片生成粘接力。另外，优选在该粘接力强化工序中，从第二加热单元喷射热风而吹送到片的面上，将该片加热至不使片本身熔融并且被赋予粘接力的温度，从而使粘接力强化。另外，优选将在该粘接力强化工序中对片进行加热时的片的目标温度设定成等于或高于在该粘接力生成工序中对片进行加热时的片的目标温度。
本发明的晶片的保护方法至少包含如下的工序：片准备工序，准备作为保护部件的基材的聚烯烃系的片或聚酯系的片；粘接力生成工序，对该片的面进行加热而生成粘接力；片压接工序，将生成了粘接力的片的面敷设于要保护的晶片的面上，赋予按压力而将该片压接在晶片的面上；以及粘接力强化工序，对压接在该片的面上的片进行加热而使粘接力强化，因此能够将保护部件可靠地粘贴于晶片上，并且即使将保护部件从晶片剥离，也不会在晶片的正面上附着粘接糊料的一部分，解决了使器件的品质降低的问题。另外，根据该晶片的保护方法，在将晶片分割成各个器件芯片时将该保护部件作为粘接带使用的情况下，在将晶片分割成各个器件芯片之后，即使从粘接带拾取器件芯片，也不会在器件芯片的背面上附着粘接糊料的一部分，解决了使器件芯片的品质降低的问题。
附图说明
图1是作为保护部件的基材的片的整体立体图。
图2是示出对图1所示的片实施粘接力生成工序的方式的立体图。
图3是示出准备要应用保护部件的晶片的工序的立体图。
图4是示出为了实施片压接工序而进行准备的状态的立体图。
图5是示出片压接工序的实施方式的立体图。
图6是示出在图5所示的片压接工序之后所实施的片切断工序的实施方式的立体图。
图7是示出实施粘接力强化工序的方式的立体图。
图8是示出将粘贴有保护部件的晶片载置于磨削装置的卡盘工作台上的状态的立体图。
图9是示出对图8所示的晶片的背面进行磨削的背面磨削工序的实施方式的立体图。
图10是示出本发明的其他实施方式的图，其中，(a)是示出片压接工序的其他实施方式的立体图，(b)是示出片切断工序的其他实施方式的立体图。
图11的(a)是示出对通过图10所示的其他实施方式实施了片压接工序的片实施粘接力强化工序的其他实施方式的立体图，图11的(b)是示出将图11的(a)所示的实施了粘接力强化工序的晶片借助粘接片而支承于框架的状态的立体图。
图12是示出实施将借助粘接片而支承于框架的晶片分割成各个器件芯片的切割加工的方式的立体图。
标号说明
10：晶片；12：器件；14：分割预定线；20：片；20A：片卷；22：保护部件区域；22a：保护部件；24：保护部件；30A：第一加热单元；30B：第二加热单元；32A：第一加热器主体部；32B：第二加热器主体部；34A：第一喷射部；34B：第二喷射部；40：保持工作台；52：辊切割器；60：磨削装置；62：卡盘工作台；70：磨削单元；80：保持工作台；90：切割装置；F：框架。
具体实施方式
以下，参照附图对根据本发明构成的晶片的保护方法的实施方式进行详细说明。
在实施本实施方式的晶片的保护方法时，首先实施片准备工序，准备作为在本实施方式中所用的保护部件的基材的片。
在图1中示出作为保护部件的基材的片20的立体图。片20设定成比作为保护对象的晶片的直径大的宽度尺寸。片20可以从聚烯烃系的片或聚酯系的片中进行选择，在本实施方式中，从聚烯烃系的片中选择聚乙烯片。图1示出如下的状态：从在未生成粘接性的状态下将片20卷绕至芯A1而成的片卷20A将片20的一部分向箭头X所示的方向拉出并将片20的始端卷绕至芯A2。片卷20A的芯A1和芯A2均旋转自如地支承于保护部件生成装置(省略图示)的未图示的支承部件，对卷绕侧的芯A2配置未图示的旋转驱动单元，通过作业者的未图示的开关操作，能够卷绕片20。片20具有正面20a、背面20b，在正面20a上赋予有微小的凹凸即所谓的压纹加工，而背面20b侧是平坦面。
若如上所述准备了作为保护部件的基材的片20，则实施粘接力生成工序，使片20生成粘接力而成为作为保护部件发挥功能的状态。以下，参照图2对粘接力生成工序进行更具体的说明。
如图2所示，在实施粘接力生成工序时，将第一加热单元30A定位于从片卷20A拉出规定长度的片20的背面20b的下方。第一加热单元30A具有第一加热器主体部32A和第一喷射部34A。在第一加热器主体部32A中内置有未图示的加热器、温度传感器、送风机构等。第一喷射部34A按照喷射从第一加热器主体部32A输送的热风的方式形成为圆筒形状，在第一加热器主体部32A中生成的热风W1从第一喷射部34A的喷射口34a朝向上方喷射。该第一加热单元30A与未图示的电源和控制装置连接，通过具有该温度传感器，将从喷射口34a喷射的热风W1调整为期望的温度(在本实施方式中为300℃)。
当使第一加热单元30A进行动作而朝向片20的下表面20b喷射热风W1时，热风W1在从喷射口34a至片20的距离上被冷却等，从而将片20的规定的保护部件区域22加热至90℃～110℃。该90℃～110℃的温度是未达到作为片20所选择的聚乙烯片的熔融温度(120℃～140℃)而未熔解(流动化)的温度，并且是使片20生成粘接力的温度(粘接力生成温度)。另外，根据实施粘接力生成工序的作业现场的气温、从喷射口34a至片20的背面20b的距离等而适当调整从第一加热单元30A喷射的热风W1的温度，以便使片20的温度成为上述的粘接力生成温度。
在片20中被加热至粘接力生成温度的保护部件区域22至少设定成比要保护的晶片大的区域，但也可以将从片卷20A拉出而露出的片20整体作为保护部件区域22进行加热。在能够从第一喷射部34A喷送热风W1的面积较窄的情况下，通过使片20、第一加热单元30A中的任意一者在水平方向上适当移动，能够对期望的保护部件区域22整体进行加热。另外，在图2、图4至图6中，为了便于说明，将生成了粘接力的保护部件区域22强调示出，以便能够与未生成粘接力的区域进行区别，但实际上在生成粘接力的保护部件区域22和未生成粘接力的其他区域中，没有能够明确视觉辨认程度的区别。通过以上，完成粘接力生成工序，成为对片20赋予了粘接力而保护部件区域22作为保护部件发挥功能的状态。
如上所述，若对片20的面进行加热而使片20生成了粘接力，则实施片压接工序，将生成了粘接力的片20的面(保护部件区域22)敷设于要保护的晶片的面上，赋予按压力而将片压接在晶片的面上。以下，参照图3至图5对片压接工序进行更具体的说明。
在实施片压接工序时，如图3所示，准备晶片10，该晶片10需要粘贴保护部件以备进行磨削加工。晶片10由半导体基板构成，由分割预定线14划分而在正面10a上形成有多个器件12。在本实施方式中，该晶片10的正面10a是要进行保护的面，因此使背面10b侧朝向下方而将晶片10载置于吸附卡盘42上，该吸附卡盘42形成于用于实施片压接工序的保持工作台40上，具有通气性。在保持工作台40上连接有未图示的吸引单元，使该吸引单元进行动作，从而将晶片10吸引保持于保持工作台40(晶片准备工序)。另外，该晶片准备工序只要在片压接工序之前完成即可，可以在粘接力形成工序的实施之前、实施之后的任意时刻。
若将晶片10保持于保持工作台40上，则如图4所示，代替定位于保护部件区域22的下方的第一加热单元30A而将通过晶片准备工序而准备的保持工作台40定位于保护部件区域22的下方。若将保持工作台40定位于保护部件区域22的下方，则按照保持工作台40所保持的晶片10与保护部件区域22的下表面接触的方式调整片20或保持工作台40的高度。
若将晶片10定位于保护部件区域22的下表面，则将图5所示的按压辊50定位于保护部件区域22的上方。按压辊50由具有弹性的硬质聚氨酯橡胶等构成。若将按压辊50定位于保护部件区域22的上方，则使按压辊50向箭头Z所示的方向下降而按压至保护部件区域22，使按压辊50一边向箭头R1所示的方向旋转一边从近前侧端部向箭头D所示的方向移动，从而将保护部件区域22按压至晶片10的整个正面10a而进行压接，从而完成片压接工序。另外，如上所述，片20的保护部件区域22预先进行加热而生成粘接力，即使温度降低也维持粘接力，因此保护部件区域22粘贴于晶片10的正面10a上。另外，在片20的正面20a侧形成有微小的凹凸，因此即使实施上述的粘接力生成工序而对保护部件区域22赋予粘接力，也能够防止片20粘贴于按压辊50上。
若完成了上述的片压接工序，则实施片切断工序，考虑到后述的磨削加工而根据晶片10的形状将片20切断。以下，参照图6对片切断工序进行说明。
在实施片切断工序时，如图6所示，代替在片压接工序中所使用的按压辊50而将圆盘状的辊切割器52定位于保护部件区域22的上方(晶片10的外周缘的上方)。若将辊切割器52定位于晶片10的外周缘上，则接下来使辊切割器52一边向箭头R2的方向旋转一边沿着晶片10的外缘移动而将片20切割成圆形状。通过以上，完成片切断工序。
若完成了上述的片切断工序，则使保持工作台40下降或者使片20整体上升而使片20和晶片10分离。由此，成为保护部件区域22中的沿着晶片10的外周缘切割得到的保护部件22a粘贴于晶片10上的状态。另外，在从片20切割保护部件22a而分离之后，通过使卷绕侧的芯A2旋转而将被切下了保护部件22a的区域卷绕，能够从片卷20A拉出尚未实施粘接力生成工序的区域而成为能够再次实施粘接力生成工序的状态。并且，通过适当地重复上述的粘接力生成工序、片压接工序以及片切断工序，能够对多个晶片10配设保护部件22a。
在上述的实施方式中，说明了通过适当重复进行粘接力生成工序、片压接工序以及片切断工序而对多个晶片10配设保护部件22a的内容。但是，本发明不限于此，例如也可以将卷绕于片卷20A的片20拉出而卷绕于芯A2，同时从片20的始端至终端连续地实施根据图2进行说明的粘接力生成工序。通过对片20进行加热而赋予的粘接力即使温度降低也会维持，但在片20的上表面20a上实施了凹凸加工(压纹加工)，因此在赋予了粘接力而卷绕片20之后，片20重叠的部分也不会粘固。这样，预先对片20整体赋予了粘接力，从而能够不加入粘接力生成工序而连续地对晶片10实施压接保护部件22a的片压接工序以及片切断工序。
如上所述，通过粘接力生成工序生成粘接力时的温度设定成低于熔融温度的值，因此在片20未熔融且未过度软化的状态下生成粘接力而进行压接。因此，在片压接工序中，将片20压接在晶片10上时的操作性优异，作业性良好，并且即使在片压接工序时在片20上产生褶皱等，剥离而重新进行作业也能够容易地执行。另一方面，从将从片20切下的保护部件22a可靠地粘贴于晶片10上而进行一体化的观点来看，即使经过上述粘接力生成工序和片压接工序，也还存在进一步提高一体化的余地。因此，在本实施方式中，还实施粘接力强化工序。以下，参照图7对粘接力强化工序进行具体的说明。
在实施粘接力强化工序时，首先如图7所示，将第二加热单元30B定位于保持工作台40所保持的晶片10的上方。第二加热单元30B具有第二加热器主体部32B和第二喷射部34B。在第二加热器主体部32B内置有未图示的加热器、温度传感器、送风机构等。第二喷射部34B按照喷射从第二加热器主体部32B输送的热风的方式形成为圆筒形状，在第二加热器主体部32B生成的热风W2从第二喷射部34B朝向下方喷射。该第二加热单元30B与未图示的电源和控制装置连接，使用该温度传感器，将从第二喷射部34B喷射的热风W2调整为期望的温度(例如300℃)。
当使第二加热单元30B进行动作而朝向从片20形成的保护部件22a喷射热风W2时，热风W2在从第二喷射部34B至保护部件22a的距离上被冷却等，从而将保护部件22a加热至100℃～120℃。该100℃～120℃的温度是未达到作为片20所选择的聚乙烯片的熔融温度(120℃～140℃)而未熔解(流动化)的温度，并且是生成保护部件22a的粘接力即对粘接力进行强化的温度(粘接力强化温度)。另外，根据实施粘接力强化工序的作业现场的气温、从第二喷射部34B的喷射口至保护部件22a的距离等而适当调整从第二加热单元30B喷射的热风W2的温度，以便使保护部件22a的温度成为上述的粘接力强化温度，优选将对保护部件22a进行加热时的目标温度设定成与在粘接力生成工序中对片20进行加热时的温度相同或更高的温度。通过这样实施粘接力强化工序，保护部件22a发生软化，保护部件22a融合于晶片10的正面10a的凹凸而提高一体化程度，防止在实施后述的背面磨削加工时产生预料之外的剥离等。如上所述，完成粘接力强化工序。
通过实施粘接力强化工序，能够将保护部件22a可靠地粘贴于晶片10的正面10a上，能够实施对晶片10的背面10b进行磨削的背面磨削加工。以下，参照图8和图9对背面磨削加工进行说明。
如图8所示，在对晶片10实施背面磨削工序时，使粘接力已得到强化的压接有保护部件22a的晶片10的保护部件22a侧朝向下方，在背面10b向上方露出的状态下载置于磨削装置60(仅示出一部分)的卡盘工作台62上。在卡盘工作台62的上表面上形成有具有通气性的吸附卡盘62a，与未图示的吸引单元连接。使该吸引单元进行动作，从而隔着保护部件22a而对载置于卡盘工作台62的晶片10进行吸引保持。
如图9所示，磨削装置60具有用于对卡盘工作台62上所吸引保持的晶片10的背面10b进行磨削而薄化的磨削单元70。磨削单元70具有：旋转主轴72，其通过未图示的旋转驱动机构进行旋转；安装座74，其安装于旋转主轴72的下端；以及磨削磨轮76，其安装于安装座74的下表面上，在磨削磨轮76的下表面上呈环状配设有多个磨削磨具78。
若将晶片10吸引保持于卡盘工作台62上，则一边使磨削单元70的旋转主轴72向图9中箭头R3所示的方向例如按照3000rpm进行旋转，一边使卡盘工作台62向箭头R4所示的方向例如按照300rpm进行旋转。并且，通过未图示的磨削水提供单元，一边将磨削水提供至晶片10的背面10b上，一边使磨削磨具78与晶片10的背面10b接触，使磨削磨轮76例如按照1μm/秒的磨削进给速度朝向下方进行磨削进给。此时，能够一边通过未图示的接触式的测量仪对晶片10的厚度进行测量一边进行磨削，若对晶片10的背面10b磨削规定的量而使晶片10成为规定的厚度，则使磨削单元70停止，经由清洗、干燥工序等而完成对晶片10的背面10b进行磨削的背面磨削加工。
若完成了上述的背面磨削加工，则将保护部件22a从晶片10的正面10a剥离(保护部件剥离工序)。若完成了该保护部件剥离工序，则适当地搬送至下一工序。在本实施方式中，如上所述，将通过对从聚烯烃系的片或聚酯系的片中进行选择的聚乙烯片进行加热而赋予了粘接力的保护部件22a压接在晶片10上，进一步经过粘接力强化工序而进行粘贴，从而保护部件22a与晶片10的正面10a不借助粘接糊料等而进行粘贴。由此，即使将保护部件22a从晶片10的正面10a剥离，也不会在晶片上附着而残留有粘接糊料等的一部分，从而解决了使器件的品质降低等的问题。
根据本发明，不限于上述的实施方式，可提供各种变形例。在上述的实施方式中，示出了粘贴对聚乙烯片的面进行加热而生成了粘接力的保护部件22a作为对要实施背面磨削加工的晶片10的正面10a进行保护的保护部件22a的例子，但本发明不限于此。作为其他实施方式，可以将通过本发明提供的保护部件应用于下述情况下的粘接带，该情况是指：将晶片收纳于具有对晶片进行收纳的开口的环状的框架中，利用粘接带将晶片的背面和该框架粘贴，成为借助该粘接带而利用框架对晶片进行支承的状态。以下，参照图10和图11对其他实施方式进行说明。
在图10的(a)中示出将作为粘接带发挥功能的保护部件压接在晶片10的背面10b上的片压接工序的实施方式的立体图。图10的(a)所示的片20’是聚乙烯片，预先实施上述的粘接力生成工序而对片20’的整体赋予了粘接力，将片20’切割成能够覆盖实施片压接工序的保持工作台80整体的大小，形成保护部件24。保持工作台80的上表面82以平坦面形成，按照能够载置具有能够收纳晶片10的开口的环状框架F整体的尺寸进行设定。
在实施片压接工序时，如图10的(a)所示，在保持工作台80的上表面82上载置具有开口Fa的环状的框架F以及收纳在该开口Fa中且背面10b朝向上方的晶片10。然后，在保持工作台80上按照覆盖晶片10和框架F的方式敷设上述保护部件24，与根据图5进行说明的片压接工序同样地，使按压辊50’旋转并向箭头D所示的方向移动，从而夹着保护部件24而对晶片10和框架F的整体赋予按压力，将保护部件24压接在框架F和晶片10上。通过以上，完成片压接工序。
若完成了片压接工序，则如图10的(b)所示，使用辊切割器52沿着框架F将保护部件24切割成圆形(线L所示)，留下修剪成圆形的保护部件24a，将多余的外周部去除(片切断工序)。
若如上所述实施了片切断工序，则实施粘接力强化工序。以下，参照图11对粘接力强化工序进行说明。
在实施粘接力强化工序时，首先如图11的(a)所示，将第二加热单元30B定位于载置在保持工作台80上的晶片10和框架F的上方。第二加热单元30B是具有与根据图7进行说明的第二加热单元30B同样的功能的加热单元，其具有第二加热器主体部32B和第二喷射部34B。该第二加热单元30B也与未图示的电源和控制装置连接，使用该温度传感器，将从第二喷射部34B喷射的热风W2调整为期望的温度(例如300℃)。另外，从第二喷射部34B喷射热风W2时的喷射区域可以适当调整。
当使第二加热单元30B进行动作而朝向粘贴于晶片10和框架F的保护部件24a喷射热风W2时，热风W2在从第二喷射部34B至保护部件24a的距离上被冷却等，从而将保护部件24a加热至100℃～120℃。该100℃～120℃的温度是未到达作为片20所选择的聚乙烯片的熔融温度(120℃～140℃)而未熔解(流动化)的温度，并且是生成保护部件24a的粘接力的温度，作为结果，是对粘接力进行强化的温度(粘接力强化温度)。另外，根据实施粘接力生成工序的作业现场的气温、从第二喷射部34B的喷射口至保护部件24a的距离等而适当调整从第二加热单元30B喷射的热风W2的温度，以便使保护部件24a的温度成为上述的粘接力强化温度。优选对保护部件24a进行加热时的目标温度是低于熔融温度的温度，并且被设定成与在粘接力生成工序中对片20进行加热时的温度相同或更高的温度。通过这样实施粘接力强化工序，将保护部件24a可靠地粘贴于晶片10和框架F上，防止在实施后述的分割加工时产生预料之外的剥离等。如上所述，完成粘接力强化工序。
图11的(b)示出了结束片切断工序而将支承于框架F的晶片10与框架F一起翻转使晶片10的正面10a向上方露出的状态，由图可以理解，利用作为粘接带发挥功能的保护部件24a将晶片10的背面10b和框架F粘贴，成为借助保护部件24a而利用框架F对晶片10进行保持的状态。若像这样成为借助保护部件24a而利用框架F对晶片10进行保持的状态，则例如能够搬送至图12所示的切割装置90而实施切割加工。以下，参照图12对切割加工进行说明。
如图12所示，切割装置90具有主轴单元91。主轴单元91具有刀具罩94，该刀具罩94对固定于旋转主轴92的前端部的切削刀具93进行保持。在刀具罩94上，在与切削刀具93相邻的位置配设有切削水提供单元95，朝向切削刀具93对晶片10的切削位置提供切削水。在通过切削刀具93实施切削之前，使用未图示的对准单元，进行切削刀具93与形成于晶片10的正面10a侧的分割预定线14的对位(对准)。该对准单元至少具有未图示的照明单元和拍摄单元，构成为能够对正面10a的分割预定线14进行拍摄、检测。
若实施了该对准单元的对准，则将高速旋转的切削刀具93从未图示的卡盘工作台所保持的晶片10的正面10a定位于分割预定线14并使该切削刀具93下降而切入，并使晶片10相对于切削刀具93在箭头X所示的X方向(加工进给方向)上移动。由此，形成对晶片10进行切削而分割的分割槽100。该分割槽100是将晶片10完全分割的槽。分割槽100按照如下方式形成：一边使未图示的移动单元进行动作而使保持着晶片10的卡盘工作台40在X方向上、与箭头X垂直的Y方向以及旋转方向适当移动，一边实施上述的切削刀具93的切削加工，从而沿着晶片10的所有分割预定线14形成分割槽100。通过以上，完成切割工序。根据这样的实施方式，不使用粘接糊料等而通过作为粘接带发挥功能的保护部件24a对晶片10的背面10b进行保护，并且能够良好地实施切割加工。并且，在晶片10通过切割加工而分割成各个器件芯片之后，即使按照每个器件芯片进行拾取，在器件芯片的背面上也不会附着而残留有粘接糊料等的一部分，解决了器件芯片的品质降低等的问题。
在上述的实施方式中，对于作为保护部件的基材的片20、片20’，选择了聚乙烯片，但不限于此，可以从聚烯烃系的片或聚酯系的片中适当选择。在从聚烯烃系的片中进行选择的情况下，除了上述的聚乙烯片以外，例如可以选择聚丙烯片、聚苯乙烯片。另外，在从聚酯系的片中进行选择的情况下，例如可以从聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中进行选择。
对于作为上述的保护部件的基材的片，在选择聚乙烯片以外的片的情况下，由于不使片本身熔融且赋予粘接力的粘接力生成温度和粘接力强化温度根据片的材质而不同，因此在粘接力生成工序和粘接力强化工序中，根据所选择的片的材质而调整对片进行加热时的目标温度。例如在选择熔融温度为160℃～180℃的聚丙烯片的情况下，按照粘接力生成工序中的目标温度为130℃～150℃左右、粘接力强化工序中的目标温度为140℃～160℃左右的方式进行加热。另外，在选择熔融温度为220℃～240℃的聚苯乙烯片的情况下，按照粘接力生成工序中的目标温度为190℃～210℃左右、粘接力强化工序中的目标温度为200℃～220℃左右的方式进行加热。同样地，在选择熔融温度为250℃～270℃的聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下，可以按照粘接力生成工序中的目标温度为220℃～240℃左右、粘接力强化工序中的目标温度为230℃～250℃左右的方式进行加热，在选择熔融温度为160℃～180℃的聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，可以按照粘接力生成工序中的目标温度为130℃～150℃左右、粘接力强化工序中的目标温度为140℃～160℃左右的方式进行加热。如上所述，使作为保护部件的基材的片生成适当的粘接力的温度根据制品而不同，因此作为在粘接力生成工序和粘接力强化工序中对片进行加热时的目标温度，优选考虑实际选择的片的熔融温度并且通过实验确定适当地生成粘接力的温度。
在上述的实施方式中，通过未图示的加热器、温度传感器、送风机构等构成第一加热单元30A、第二加热单元30B、第三加热单元30C，构成为喷射热风而对片(保护部件)进行加热，但本发明不限于喷射热风而进行加热的单元，也可以构成为使形成为平板状的发热板与片(保护部件)直接接触而进行加热。
Claims (4)
1.一种晶片的保护方法，在晶片的面上配设片状的保护部件而对晶片进行保护，其中，
该晶片的保护方法至少包含如下的工序：
片准备工序，准备作为保护部件的基材的聚烯烃系的片或聚酯系的片；
粘接力生成工序，对该片的面进行加热而生成粘接力；
片压接工序，将生成了粘接力的片的面敷设于要保护的晶片的面上并赋予按压力，从而将该片压接在晶片的面上；以及
粘接力强化工序，对压接在该晶片的面上的片进行加热而使粘接力强化。
2.根据权利要求1所述的晶片的保护方法，其中，
在该粘接力生成工序中，从第一加热单元喷射热风而吹送到片的面上，将该片加热至不使片本身熔融并且被赋予粘接力的温度，从而使该片生成粘接力。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的保护方法，其中，
在该粘接力强化工序中，从第二加热单元喷射热风而吹送到片的面上，将该片加热至不使片本身熔融并且被赋予粘接力的温度，从而使粘接力强化。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的晶片的保护方法，其中，
将在该粘接力强化工序中对片进行加热时的片的目标温度设定成等于或高于在该粘接力生成工序中对片进行加热时的片的目标温度。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018-158913 | 2018-08-28 | ||
| JP2018158913A JP7173792B2 (ja) | 2018-08-28 | 2018-08-28 | ウエーハの保護方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110867396A true CN110867396A (zh) | 2020-03-06 |
| CN110867396B CN110867396B (zh) | 2024-02-20 |
Family
ID=69652153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910710463.XA Active CN110867396B (zh) | 2018-08-28 | 2019-08-02 | 晶片的保护方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7173792B2 (zh) |
| KR (1) | KR20200024709A (zh) |
| CN (1) | CN110867396B (zh) |
| TW (1) | TWI811436B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191297A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 |
| JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2008166459A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tateyama Machine Kk | 保護テープ貼付方法と装置 |
| CN108022876A (zh) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005246491A (ja) | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及びウェーハの研削方法 |
| JP5895676B2 (ja) * | 2012-04-09 | 2016-03-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6276988B2 (ja) * | 2013-12-27 | 2018-02-07 | 日東精機株式会社 | 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置 |
-
2018
- 2018-08-28 JP JP2018158913A patent/JP7173792B2/ja active Active
-
2019
- 2019-07-22 KR KR1020190088278A patent/KR20200024709A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-08-02 CN CN201910710463.XA patent/CN110867396B/zh active Active
- 2019-08-23 TW TW108130335A patent/TWI811436B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005191297A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Jsr Corp | ダイシングフィルム及び半導体ウェハの切断方法 |
| JP2007165636A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nippon Zeon Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2008166459A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Tateyama Machine Kk | 保護テープ貼付方法と装置 |
| CN108022876A (zh) * | 2016-11-02 | 2018-05-11 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202010009A (zh) | 2020-03-01 |
| CN110867396B (zh) | 2024-02-20 |
| JP7173792B2 (ja) | 2022-11-16 |
| KR20200024709A (ko) | 2020-03-09 |
| JP2020035803A (ja) | 2020-03-05 |
| TWI811436B (zh) | 2023-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110783249A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| KR20210054986A (ko) | 웨이퍼의 처리 방법 | |
| CN110429062B (zh) | 晶片的加工方法 | |
| CN110867396A (zh) | 晶片的保护方法 | |
| KR20200042849A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| CN110858537A (zh) | 晶片的保护方法、保护部件和保护部件的生成方法 | |
| JP7374657B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP2019186489A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP7461118B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| US20240312824A1 (en) | Processing method of wafer | |
| US20220037160A1 (en) | Processing method of wafer, protective sheet, and protective sheet laying method | |
| TWI858112B (zh) | 晶圓加工方法 | |
| JP2023080511A (ja) | ウエーハの処理方法 | |
| JP7404109B2 (ja) | 一体化方法 | |
| JP2022027441A (ja) | ウエーハの加工方法、保護シート、及び保護シート敷設方法 | |
| CN113725137A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| KR20220118311A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
| KR20240002696A (ko) | 마스크의 형성 방법 | |
| KR20240018368A (ko) | 칩의 처리 방법 | |
| CN116640371A (zh) | 热压接片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |