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CN110178181B - 布线电路基板及其制造方法 - Google Patents

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CN110178181B CN201880006618.5A CN201880006618A CN110178181B CN 110178181 B CN110178181 B CN 110178181B CN 201880006618 A CN201880006618 A CN 201880006618A CN 110178181 B CN110178181 B CN 110178181B
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Abstract

布线电路基板具备：金属支撑基板、配置于金属支撑基板的厚度方向一侧的绝缘层及导体层、配置于金属支撑基板的厚度方向另一侧的镀金层、以及配置于金属支撑基板与镀金层之间的密合层。金属支撑基板的材料为耐腐蚀性合金。在密合层中，金及耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在。

Description

布线电路基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及布线电路基板及其制造方法。
背景技术
已知带电路的悬挂基板等布线电路基板具备：由不锈钢形成且具备端子的金属支撑基板、依次配置于金属支撑基板上的绝缘层及导体图案、以及配置于端子下的镀金层(例如，参照下述专利文献1。)。
专利文献1中，在端子与镀金层之间进而配置包含铜层的导电层，由此利用该导电层来提高端子与镀金层的密合性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-104189号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，由于布线电路基板中的金属支撑基板必须长期表现出耐久性，因此对导电层要求优异的腐蚀性。
但是，对于专利文献1的导电层，铜层容易腐蚀。因此，存在无法满足上述要求的不良情况。
另一方面，同时也要求金属支撑基板与镀金层的密合性。
本发明提供具备耐腐蚀性优异、能够提高金属支撑基板与镀金层的密合性的密合层的布线电路基板。
用于解决问题的方案
本发明(1)包含一种布线电路基板，其具备：金属支撑基板、配置于前述金属支撑基板的前述厚度方向一侧的绝缘层、配置于前述绝缘层的厚度方向一侧的导体层、配置于前述金属支撑基板的前述厚度方向另一侧的镀金层、以及配置于前述金属支撑基板及前述镀金层之间的密合层，前述金属支撑基板的材料为耐腐蚀性合金，在前述密合层中，金及前述耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在。
本发明(2)包含(1)所述的布线电路基板，其中，前述密合层的厚度为2nm以上。
本发明(3)包含(1)或(2)所述的布线电路基板，其中，前述密合层具备：与前述金属支撑基板邻接的第1层、和与前述镀金层邻接的第2层，前述第1层中，前述金的原子比例比前述金属的原子比例高，前述第2层中，前述金的原子比例比前述金属的原子比例低。
本发明(4)包含(1)～(3)中任一项所述的布线电路基板，其中，前述耐腐蚀性合金为不锈钢，前述金属为铬。
本发明(5)包含(1)～(4)中任一项所述的布线电路基板，其中，前述金属支撑基板具备端子部，在前述端子部的厚度方向另一侧依次配置有前述密合层及前述镀金层。
本发明(6)包含(1)所述的布线电路基板，其为带电路的悬挂基板。
本发明(7)包含一种布线电路基板的制造方法，所述制造方法具备如下工序：准备布线电路基板的工序，所述布线电路基板具备：金属支撑基板、配置于前述金属支撑基板的前述厚度方向一侧的绝缘层、配置于前述绝缘层的厚度方向一侧的导体层、配置于前述金属支撑基板的前述厚度方向另一侧的镀金层、以及配置于前述金属支撑基板及前述镀金层之间的密合层；以及、对前述金属支撑基板及前述镀金层进行加热，形成配置于前述金属支撑基板与前述镀金层之间的密合层的工序，前述金属支撑基板的材料为耐腐蚀性合金，在前述密合层中，金及前述耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在。
本发明(8)包括(7)所述的布线电路基板的制造方法，其中，形成前述密合层的工序中，以200℃以上的温度对前述金属支撑基板及前述镀金层进行加热。
发明的效果
本发明的布线电路基板中，在密合层中，金及耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在。因此，密合层的耐腐蚀性优异。
另外，上述密合层被配置于金属支撑基板与镀金层之间，因此密合层能够提高金属支撑基板与镀金层的密合性。
其结果，该布线电路基板的耐久性优异。
根据本发明的布线电路基板的制造方法，通过对金属支撑基板及镀金层进行加热，能够形成金及耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在的密合层，因此能够简便地形成腐蚀性优异、并且能够提高金属支撑基板与镀金层的密合性的密合层。
附图说明
图1中，图1的A～图1的C为作为本发明的布线电路基板的一实施方式的带电路的悬挂基板的制造工序图，图1的A表示准备带电路的悬挂基板的第1工序，图1的B表示配置镀金层的第2工序，图1的C表示形成密合层的第3工序。
图2中，图2的A及图2的B为实施例1的端子及镀金层的TEM照片的图像处理图，图2的A表示第2工序后、第3工序前的端子及镀金层的TEM照片的图像处理图，图2的B表示第3工序后的端子、密合层及镀金层的TEM照片的图像处理图。
具体实施方式
参照图1的C对作为本发明的布线电路基板的一实施方式的带电路的悬挂基板1进行说明。
该带电路的悬挂基板1例如搭载设置有用于搭载磁头(未图示)的滑块(未图示)和激光二极管(发光元件)等光源(未图示)的滑块/光源单元，用于采用光辅助法的硬盘驱动器。带电路的悬挂基板1具备：金属支撑基板2、作为绝缘层的一例的基础绝缘层3、导体层4、覆盖绝缘层(未图示)、镀金层5、和密合层6。
金属支撑基板2具有沿与厚度方向正交的面方向延伸的大致平板(片)形状。金属支撑基板2为用于对带电路的悬挂基板1赋予韧性的支撑构件。金属支撑基板2具有：主体部21、开口部22、和端子部23。
主体部21的外形形状为与带电路的悬挂基板1的外形形状相同的形状。
开口部22形成于主体部21的内侧，在厚度方向贯通金属支撑基板2。开口部22的周围的主体部21具有底面视大致框架形状(未图示)。
端子部23供于与未图示的光源的电连接。该情况下，端子部23借助密合层6(后述)及镀金层5(后述)与配置于端子部23的厚度方向另一侧的光源(未图示)电连接。这样的端子部23与光源的连接例如记载于日本特开2017-162540号公报、日本特开2016-103305号公报、日本特开2016-018576号公报、日本特开2016-009514号公报等中。
或者，端子部23也能够与检测设备的端子(探针等)(未图示)暂时电连接(其后，连接被解除)。这样的端子部23与检测设备的连接例如记载于日本特开2012-104189号公报等中。
端子部23配置于开口部22内。端子部23的外端缘(周端缘)是从主体部21的内端缘起在面方向(与厚度方向正交的方向)内侧隔开间隔地配置。由此，端子部23与主体部21绝缘。
金属支撑基板2的材料为耐腐蚀性合金。作为耐腐蚀性合金，例如可列举出不锈钢、镍合金、铝合金等，优选的是，从得到更优异的耐腐蚀性的观点出发，可列举出不锈钢。需要说明的是，对于耐腐蚀性合金，从形成与后述的镀金层5的金一起混合存在的密合层6的观点出发，优选不含有金。
不锈钢含有铁作为基本成分，进而，例如含有铬作为必需成分，含有镍、钼等作为任意成分。
铬在不锈钢中的含有比例例如为10质量％以上，优选为18质量％以上，另外，例如为30质量％以下，优选为20质量％以下。
作为不锈钢，基于AISI(美国钢铁协会)的标准，例如可列举出SUS301、SUS304、SUS305、SUS309、SUS310、SUS316、SUS317、SUS321、SUS347等。
耐腐蚀性合金可以单独使用或组合使用2种以上。
金属支撑基板2的厚度例如为10μm以上，优选为15μm以上，另外，例如为50μm以下，优选为30μm以下。
基础绝缘层3配置于金属支撑基板2的厚度方向一个面。基础绝缘层3具有沿面方向延伸的大致平板(片)形状。基础绝缘层3具有与接下来说明的导体层4相对应的图案。另外，基础绝缘层3的厚度方向另一面的一部分从上述开口部22露出至下方，并支撑端子部23。基础绝缘层3例如由聚酰亚胺等绝缘材料形成。基础绝缘层3的厚度根据用途及目的来适宜设定。
导体层4配置于基础绝缘层3的厚度方向一个面。导体层4连续地具有导体布线(未图示)和与其连接的导体端子9。导体端子9与滑块(未图示)电连接。导体端子9与滑块(未图示)的连接例如记载于日本特开2017-162540号公报、日本特开2016-103305号公报、日本特开2016-018576号公报、日本特开2016-009514号公报等。
作为导体层4的材料，例如可列举出铜、镍、它们的合金等。导体层4的厚度例如为3μm以上，优选为5μm以上，另外，例如为50μm以下，优选为20μm以下。
覆盖绝缘层(未图示)为带电路的悬挂基板1的最上层。覆盖绝缘层(未图示)具有使导体端子9露出、并覆盖导体布线(未图示)的图案。
镀金层5以与端子部23的厚度方向另一面及侧面(包括周侧面)这两面相对的方式，隔着接下来说明的密合层6配置成薄膜状。即，镀金层5间接地配置于端子部23的厚度方向另一面及周侧面。
镀金层5的厚度例如为10nm以上，优选为50nm以上，另外，例如为2000nm以下，优选为1000nm以下。
密合层6配置于端子部23与镀金层5之间。具体而言，密合层6是夹在端子部23的厚度方向另一面及周侧面与镀金层5的厚度方向一个面及内侧面之间的夹杂层。密合层6具有沿端子部23的厚度方向另一面及周侧面这两面的薄膜状。
该密合层6中，金及耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在。
金源自作为上述镀金层5的材料的金。
耐腐蚀性合金源自上述金属支撑基板2的材料，作为所述耐腐蚀性合金中所含的金属，例如，可列举出铬、镍、钼等，优选可列举出铬。耐腐蚀性合金中所含的金属为铬时，所述金属在密合层6(后述)中与金一起混合存在，从而能够提高密合层6的耐腐蚀性、进而提高带电路的悬挂基板1的耐久性。
具体而言，密合层6具备：与端子部23邻接的第1层7、和与镀金层5邻接的第2层8。详细而言，密合层6从端子部23向镀金层5依次具备第1层7和第2层8。密合层6优选仅由第1层7和第2层8构成。
第1层7具有接触(追随)端子部23的厚度方向另一面及周侧面的薄膜状。第2层8具有接触(追随)第1层7中从端子部23朝向镀金层5的方向的一面、即第1层7中与接触端子部23的面处于相反侧的一面的薄膜状。
第1层7及第2层8的材料可列举出至少含有铁、金及金属(不包括金在内)的合金。
第1层7的材料例如为含有较多金的第2合金，详细而言，第2合金中的金的原子比例比第2合金中的金属的原子比例高。第2合金中，金属的原子比例相对于金的原子比例的比(金的原子比例/金属的原子比例)例如超过1，优选为1.1以上、更优选为1.2以上、进一步优选为1.3以上、特别优选为1.35以上，另外，例如为5以下。具体而言，第2合金中的金的原子比例例如为10原子％以上，优选为15原子％以上、更优选为20原子％以上，另外，例如为40原子％以下。第2合金中的金属的原子比例例如为5原子％以上，优选为10原子％以上、更优选为15原子％以上，另外，例如为25原子％以下，优选不足20原子％。
第2层8的材料为含有较少的金、而含有较多的除金以外的上述金属的第2合金，详细而言，第2合金中的金的原子比例比第2合金中的金属的原子比例低。第2合金中，金属的原子比例相对于金的原子比例的比(金的原子比例/金属的原子比例)例如不足1，优选为0.99以下、更优选为0.9以下、进一步优选为0.8以下、特别优选为0.7以下，另外，例如为0.2以上。具体而言，第2合金中的金的原子比例例如为5原子％以上，优选为10原子％以上，另外，例如为25原子％以下、优选为20原子％以下、更优选不足20原子％。第2合金中的金属的原子比例例如为10原子％以上，优选为15原子％以上、更优选为20原子％以上，另外，例如为40原子％以下。
第1层7的厚度例如为0.5nm以上，优选为1nm以上，另外，例如为20nm以下，优选为10nm以下。
第2层8的厚度例如为0.5nm以上，优选为1nm以上，另外，例如为20nm以下，优选为10nm以下。
密合层6的厚度T例如为第1层7的厚度及第2层8的厚度的总和，例如为2nm以上，优选为3nm以上，另外，例如为40nm以下，优选为20nm以下。
密合层6的厚度T相对于镀金层5的厚度的比(密合层6的厚度T/镀金层5的厚度)例如为0.1以上，优选为0.5以上，另外，例如为3以下，优选为2以下。
密合层6的厚度T为上述下限以上时，能够充分提高镀金层5对端子部23的密合性。
密合层6的厚度T为上述上限以下时，能够充分确保镀金层5的厚度，从而确保基于镀金层5的优异的导通性。
对于密合层6的存在、进而第1层7及第2层8的存在、进而它们的厚度(包括密合层6的厚度T)，例如通过截面TEM照片观察等来确定及测定。
接着，对制造带电路的悬挂基板1的方法进行说明。
带电路的悬挂基板1的制造方法具备：准备带电路的悬挂基板1的第1工序(参照图1的A)，所述带电路的悬挂基板1具备金属支撑基板2、基础绝缘层3、导体层4、和覆盖绝缘层(未图示)；配置镀金层5的第2工序(参照图1的B)；及形成密合层6的第3工序(参照图1的C)。
如图1的A所示，第1工序中，准备具备金属支撑基板2、基础绝缘层3、导体层4、和覆盖绝缘层(未图示)的带电路的悬挂基板1。需要说明的是，该带电路的悬挂基板1处于制造途中，镀金层5及密合层6均未配置(形成)于端子部23。
如图1的B所示，接着，第2工序中，在端子部23的厚度方向另一面及周侧面形成镀金层5。
镀金层5通过将制造途中的带电路的悬挂基板1浸渍于镀金液的镀金而形成于端子部23的厚度方向另一面及周侧面。另外，作为镀金，例如可列举出电镀金、化学镀金等，优选可列举出电镀金。
上述镀金可以实施单次或多次。
实施多次镀金的情况下，例如使用种类不同的镀金液，进而根据需要，适宜变更电流密度、施加时间等镀覆条件。详细而言，可以依次实施闪镀镀金和软镀金(即，实施2次镀金)。对于闪镀镀金，例如，使端子部23与不含有强酸(例如无机酸)、而含有弱酸(例如有机酸)及金化合物(例如氰化金钾等金前体)的第1镀金液接触。对于软镀金，不含有酸(例如上述强酸、弱酸)、而含有金化合物(例如上述金前体)。闪镀镀金中的电流密度比软镀金中的电流密度高，例如，闪镀镀金的电流密度相对于软镀金的电流密度的比为2以上。
由此，使镀金层5在端子部23的厚度方向另一面及周侧面形成为薄膜状。
需要说明的是，即使为实施多次镀金的情况下，对于镀金层5而言，与多种镀金对应的多层也均由金形成，因此，在它们之间未形成(观察到)界面，因此，构成单层。
需要说明的是，第2工序中的镀金层5的厚度比第3工序后的镀金层5厚。
如图1的C所示，第3工序中，形成密合层6。
为了形成密合层6，对端子部23及镀金层5进行加热。具体而言，将具备镀金层5的制造途中的带电路的悬挂基板1投入至加热炉15中。
加热温度例如为100℃以上，优选为150℃以上、更优选为200℃以上，另外，为400℃以下，优选为350℃以下。需要说明的是，加热温度为加热炉15内的设定温度，由于端子部23及镀金层5均薄，因此实质上被加热至上述设定温度。
加热温度为上述下限以上时，能够形成具有充分的厚度T的密合层6。加热温度为上述上限以下时，能够抑制基础绝缘层3及覆盖绝缘层(未图示)的劣化(损伤等)。
对于加热时间，只要为端子部23及镀金层5变为上述设定温度、能够形成密合层6的时间，就没有特别限定，例如为1分钟以上，优选为5分钟以上、更优选为10分钟以上、进一步优选为20分钟以上、特别优选为30分钟以上，另外，例如为2小时以下，优选为1小时以下。
第3工序中，通过对上述端子部23及镀金层5进行加热，从而端子部23及镀金层5的界面成为作为端子部23的材料的耐腐蚀性合金中所含的金属(优选铬)(不包括金在内)与作为镀金层5的材料的金混合存在的(即，金属与金混入的)密合层(混合存在层)6。
详细而言，通过加热，金属从端子部23的表面(密合层6的厚度T)向镀金层5的内部行进(移动)(迁移)，而金从镀金层5的表面(相对于端子部23的接触面)向端子部23的内部行进(移动)(迁移)。这样，形成上述金属及金混合存在(混和)的密合层6。
特别是，在密合层6中，与端子部23邻接的部分的金的浓度高，形成上述第1层7。另一方面，与镀金层5邻接的部分的金属(不包括金在内)的浓度高，形成上述第2层8。
需要说明的是，金及金属均存在(混合存在)于第1层7及第2层8两者中。
金在第1层7中浓度高，在第2层8中浓度低。因此，密合层6中，第1层7的金浓度比第2层8的金浓度高，有金的浓度梯度。
另一方面，金属在第2层8中浓度高，在第1层7中浓度低。因此，密合层6中，第2层8中的金属浓度比第1层7中的金属浓度高，具有金属的浓度梯度。
这样，制造具备金属支撑基板2、作为绝缘层的一例的基础绝缘层3、导体层4、覆盖绝缘层(未图示)、镀金层5、和密合层6(第1层7及第2层8)的带电路的悬挂基板1。
其后，例如，将光源的端子(未图示)相对向地配置于端子部23及镀金层5的厚度方向另一侧，使端子(未图示)与镀金层5接触，由此，借助镀金层5及密合层6将端子(未图示)和端子部23电连接。其后，根据需要，也可以将端子(未图示)(探针等)从镀金层5分离。这样的连接例如也可以使用焊料等合金、各向异性导电性树脂组合物等接合构件。
而且，对于该带电路的悬挂基板1，在密合层6中，金及耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在。因此，密合层6的耐腐蚀性优异。
另外，由于上述密合层6被配置于端子部23及镀金层5之间，因此密合层6能够提高端子部23与镀金层5的密合性。
其结果，该带电路的悬挂基板1的耐久性优异。
另外，根据带电路的悬挂基板1的制造方法，通过对端子部23及镀金层5进行加热，由此能够形成金及金属(不包括金在内)混合存在的密合层6，因此能够简便地形成腐蚀性优异、并且能够提高端子部23与镀金层5的密合性的密合层6。
<变形例>
以下的各变形例中，对与上述一实施方式同样的构件及工序标记相同的参照符号，并省略其详细的说明。另外，各变形例除了特别说明以外，都发挥与一实施方式同样的作用效果。进而，一实施方式及变形例可以适宜组合。
如图1的C的放大图所示，一实施方式中，明确地显示出了密合层6(第1层7)与端子部23(金属支撑基板2)的界面、密合层6(第2层8)与镀金层5的界面、以及第1层7与第2层8的界面，但本发明包括这些界面不明确的情况。
如图1的C所示，一实施方式中，镀金层5及密合层6仅配置于端子部23，但例如虽然未图示，也可以将镀金层5及密合层6配置于端子部23及主体部21这两者上。或者也可以不将镀金层5及密合层6配置于端子部23，而仅配置于主体部21上。
优选将镀金层5及密合层6至少配置于端子部23。将镀金层5及密合层6配置于端子部23时，即使与光源的端子连接，也能够表现端子部23的良好的耐久性及耐腐蚀性。
如图1的C所示，一实施方式中，将镀金层5及密合层6配置于端子部23的厚度方向另一面(图中的下表面)及侧面(周侧面)这两面，但例如虽然未图示，也可以不配置于端子部23的侧面、而仅配置于端子部23的厚度方向另一面。
需要说明的是，金属支撑基板2也可以包含设置于其表层的钝化膜(未图示)。详细而言，图1的A所示的、第1工序中准备的制造途中的带电路的悬挂基板1的端子部23包含配置于其厚度方向另一侧及侧方侧的最表层的钝化膜，所述钝化膜例如通过图1的B所示的第2工序中的闪镀来去除。或者钝化膜也可以不通过第2工序来去除，允许其存在。
进而，虽然未图示，但密合层6在第1层7与第2层8之间也可以具备以同等原子比例含有金及金属的第3层。
一实施方式中，作为本发明的布线电路基板的例示，例示出了带电路的悬挂基板1，但不限定于此。例如，也可以将本发明的布线电路基板应用于具备金属支撑基板2作为加强层的柔性布线电路基板等其他布线电路基板。
实施例
以下示出实施例，更具体地对本发明进行说明，但本发明不限定于任何实施例。以下的记载中使用的配混比例(含有比例)、物性值、参数等具体的数值可以替换为上述的“具体实施方式”中记载的与它们相对应的配混比例(含有比例)、物性值、参数等该记载的上限值(定义为“以下”、“不足”的数值)或下限值(定义为“以上”、“超过”的数值)。
实施例1
如图1的A所示，实施第1工序，准备带电路的悬挂基板1。具体而言，第1工序中，如图1的A所示，准备如下带电路的悬挂基板1，其具备：具有端子部23的金属支撑基板2、配置于金属支撑基板2的厚度方向一个面的基础绝缘层3、配置于基础绝缘层3的厚度方向一个面且具有导体端子9的导体层4、在基础绝缘层3的厚度方向一个面露出导体端子9的覆盖绝缘层(未图示)。
金属支撑基板2(包含端子部23)由SUS304(为奥氏体系不锈钢、铬浓度：18质量％、镍浓度：8质量％)构成，其厚度为25μm。基础绝缘层3由聚酰亚胺形成，其厚度为10μm。导体层4(导体端子9)由铜形成，其厚度为20μm。覆盖绝缘层由聚酰亚胺形成。
接着，如图1的B所示，通过镀金，在端子部23的厚度方向另一面及周侧面形成厚度200nm的镀金层5。
其后，如图1的C所示，将形成有镀金层5的带电路的悬挂基板1投入到加热炉中，根据表1中记载的条件，对带电路的悬挂基板1进行加热。
由此，形成夹在端子部23及镀金层5之间的密合层6。
需要说明的是，密合层6及其厚度通过截面TEM照片观察来确认及测定。
其结果，密合层6从端子部23向镀金层5依次具备铬的原子比例为22原子％、金的原子比例为16原子％的第1层7、和铬的原子比例为16原子％、金的原子比例为23原子％的第2层8，密合层6的厚度为100nm。
需要说明的是，第1层7的第2合金中，铬的原子比例相对于金的原子比例的比(铬的原子比例/金的原子比例)为1.38(＝22/16)，第2层8的第2合金中的上述比为0.69(＝16/23)。
实施例2～实施例17
如图1的A所示，变更第3工序的加热条件，除此以外，与实施例1同样地进行处理，准备带电路的悬挂基板1。密合层6通过截面TEM照片观察来确认。
比较例1
不实施第3工序，除此以外，与实施例1同样地处理，准备带电路的悬挂基板1。
需要说明的是，该带电路的悬挂基板1在端子部23及镀金层5之间不具有密合层6。
比较例2
将制造方法中的工序的顺序变更为第1工序、第3工序、第2工序的顺序，并且，在第3工序中，不对带电路的悬挂基板1进行加热，通过溅射，在端子部23的厚度方向另一面及周侧面形成厚度70nm的铜层作为密合层6，进而，在第2工序中在密合层6的表面形成镀金层5，除此以外，与实施例1同样地处理，准备带电路的悬挂基板1。
[评价]
对各实施例及各比较例的带电路的悬挂基板1，实施下述评价。将它们的结果示于表1。
<腐蚀性试验>
将各实施例及各比较例的带电路的悬挂基板1在85℃、85％RH的条件下放置500小时后，用光学显微镜观察密合层6(对于比较例1为端子部23及镀金层5的界面)，按照下述的基准评价密合层6的腐蚀性。
(腐蚀性的基准)
○：在密合层6未观察到腐蚀。
×：在密合层6观察到腐蚀。
<密合性试验>
对于各实施例及各比较例，准备20个带电路的悬挂基板1。
然后，实施对带电路的悬挂基板1赋予基于下述条件的超声波振动的剥离试验，求出20个带电路的悬挂基板1中镀金层5发生剥离的百分率(％)。
(超声波振动的条件)
Figure GDA0002956752330000141
Figure GDA0002956752330000151
[表1]
表1
Figure GDA0002956752330000152
※1：比较例1不具有密合层。
需要说明的是，上述发明作为本发明的例示的实施方式来提供，但这仅仅是例示，并不作限定性解释。对于本领域技术人员显而易见的本发明的变形例包含在上述权利要求书中。
产业上的可利用性
本发明的布线电路基板例如可以用作带电路的悬挂基板等。
附图标记说明
1 带电路的悬挂基板
2 金属支撑基板
3 基础绝缘层
4 导体层
5 镀金层
6 密合层
7 第1层
8 第2层
23 端子部
T 密合层的厚度

Claims (7)

1.一种布线电路基板，其特征在于，具备：金属支撑基板、配置于所述金属支撑基板的厚度方向一侧的绝缘层、配置于所述绝缘层的厚度方向一侧的导体层、配置于所述金属支撑基板的所述厚度方向另一侧的镀金层、以及配置于所述金属支撑基板及所述镀金层之间的密合层，
所述金属支撑基板的材料为耐腐蚀性合金，
在所述密合层中，金及所述耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在，
所述密合层具备：
与所述金属支撑基板邻接的第1层、和
与所述镀金层邻接的第2层，
所述第1层中，所述金的原子比例比所述金属的原子比例高，
所述第2层中，所述金的原子比例比所述金属的原子比例低。
2.根据权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，所述密合层的厚度为2nm以上。
3.根据权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，
所述耐腐蚀性合金为不锈钢，
所述金属为铬。
4.根据权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，
所述金属支撑基板具备端子部，
在所述端子部的厚度方向另一侧依次配置有所述密合层及所述镀金层。
5.根据权利要求1所述的布线电路基板，其特征在于，其为带电路的悬挂基板。
6.一种布线电路基板的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
准备布线电路基板的工序，所述布线电路基板具备：金属支撑基板、配置于所述金属支撑基板的厚度方向一侧的绝缘层、配置于所述绝缘层的厚度方向一侧的导体层、配置于所述金属支撑基板的所述厚度方向另一侧的镀金层、以及配置于所述金属支撑基板及所述镀金层之间的密合层；以及
对所述金属支撑基板及所述镀金层进行加热，形成配置于所述金属支撑基板与所述镀金层之间的密合层的工序，
所述金属支撑基板的材料为耐腐蚀性合金，
在所述密合层中，金及所述耐腐蚀性合金中所含的金属混合存在，
所述密合层具备：
与所述金属支撑基板邻接的第1层、和
与所述镀金层邻接的第2层，
所述第1层中，所述金的原子比例比所述金属的原子比例高，
所述第2层中，所述金的原子比例比所述金属的原子比例低。
7.根据权利要求6所述的布线电路基板的制造方法，其特征在于，形成所述密合层的工序中，以200℃以上的温度对所述金属支撑基板及所述镀金层进行加热。
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