CN110164854B - 照明装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种照明装置,包括透光基板、对向基板以及设置于透光基板与对向基板之间的电致发光结构。透光基板具有第一区及邻设于第一区的第二区。电致发光结构设置于透光基板上。电致发光结构包括设置于第一区上的第一电极、设置于第二区上的光学调节层、设置于第一电极及光学调节层上的有机电致发光层以及设置于有机电致发光层上的共享电极。光学调节层设置于有机电致发光层与透光基板之间。本发明提供的照明装置,性能佳。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学装置,且特别是有关于一种照明装置。
背景技术
照明装置广泛应用于日常生活。举例而言,照明装置可应用在室内照明(例如:桌灯等)或应用在室外照明(例如:交通工具的发光元件等)。随着照明科技的进步,照明装置的光型是可调整的,以根据使用情境提供具有适当光型的照明光束。
以交通工具的应用为例,在行车过程中,主动式行车安全系统能依据多种行车状态做出综合判断,并实时且动态地调整交通工具的发光元件(例如:头灯或尾灯)的发光方向及/或发光强度。相较于传统照明,能根据使用情境而被调整的自适应性(Adaptive)照明装置能大幅提升驾驶及用路人的安全。
现有的自适应性照明装置包括发光元件(例如:发光二极管阵列)以及设置于发光元件外的调光元件(例如:液晶光闸)。由于调光元件设置于发光元件外,发光元件与调光元件的组装复杂,且导致照明装置的体积缩减不易缩减,应用范围局限。
发明内容
本发明的目的在于提供一种照明装置,使其性能佳。
为实现上述目的,本发明提供一种照明装置,包括透光基板、对向基板以及设置于透光基板与对向基板之间的电致发光结构。透光基板具有第一区及邻设于第一区的第二区。电致发光结构设置于透光基板上。电致发光结构包括设置于第一区上的第一电极、设置于第二区上的光学调节层、设置于第一电极及光学调节层上的有机电致发光层以及设置于有机电致发光层上的共享电极。光学调节层设置于有机电致发光层与透光基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的电致发光结构更包括:第二电极,设置于第二区,其中第二电极设置于有机电致发光层与透光基板之间,且光学调节层邻设于第二电极。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层与第二电极接触。
在本发明的一实施例中,上述的第二电极位于有机电致发光层与光学调节层之间。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层位于有机电致发光层与第二电极之间。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层包括金属层。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层包括折射率层,其中折射率层的折射率大于透光基板的折射率。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层包括布拉格反射器。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层用以驱动设置于第二区的一部分的有机电致发光层,且光学调节层的反射率大于第一电极的反射率。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层的材质与第一电极的材质不同。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层包括金属层,而第一电极包括透明导电层。
在本发明的一实施例中,上述的光学调节层的厚度小于第一电极的厚度。
在本发明的一实施例中,位于上述第一区的共享电极与第一电极之间具有第一光学共振腔,位于第二区的共享电极与光学调节层之间具有第二光学共振腔,且第二光学共振腔的共振强度大于第一光学共振腔的共振强度。
在本发明的一实施例中,自上述第一区发出的第一光束的光型与自第二区发出的第二光束的光型不同。
在本发明的一实施例中,上述的自第二区发出的第二光束的指向性高于自第一区发出的第一光束的指向性。
在本发明的一实施例中,上述的设置于第一区的第一部分的有机电致发光层接收第一电信号,设置于第二区的第二部分的有机电致发光层接收第二电信号,第一电信号与第二电信号实质上相等;在垂直于透光基板的方向上,第一区具有第一光强度,第二区具有第二光强度,而第二光强度大于第一光强度。
在本发明的一实施例中,上述的照明装置,更包括影像感测元件以及处理暨控制元件。影像感测元件用以接收外界影像。处理暨控制元件电性连接于影像感测元件与电致发光结构之间。第一部分的有机电致发光层设置于第一区,第二部分的有机电致发光层设置于第二区,而处理暨控制元件根据外界影像决定输入至第一部分的有机电致发光层的第一电信号以及输入至第二部分的有机电致发光层的第二电信号。
基于上述,本发明一实施例的照明装置的发光元件包括透光基板、对向基板以及设置于透光基板与对向基板之间的电致发光结构。电致发光结构能提供具有所欲光型的照明光束。也就是说,发光元件本身即具备提供具有所欲光型的照明光束的能力。照明装置不需通过设置于发光元件外的调光元件便能提供具有所欲光型的照明光束。因此,本发明一实施例的照明装置的构造简单、体积小及/或应用范围广。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明一实施例的照明装置的方块示意图。
图2为本发明一实施例的照明装置的发光元件的上视示意图。
图3为根据图2的剖线Ι-Ι’所绘的发光元件的剖面示意图。
图4为本发明一实施例的发光元件的第一部分P1及第二部分P2所发出的第一光束L1及第二光束L2的归一化的光强度的极坐标图。
图5为在电子传输图案127a具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第一部分P1所发出的第一光束L1的归一化的光强度的极坐标图。
图6为在电子传输图案127a具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第一部分P1所发出的第一光束L1的绝对光强度的极坐标图。
图7为本发明另一实施例的照明装置的发光元件的剖面示意图。
图8为本发明又一实施例的照明装置的发光元件的剖面示意图。
图9为光学调节层122B具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第二部分P2所发出的第二光束L2的归一化的光强度的极坐标图。
图10为在光学调节层122B具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第二部分P2所发出的第二光束L2的绝对光强度的极坐标图。
图11为由θ1=30°的第一光束L1与θ2=0°的第二光束L2混合出的照明光束的绝对光强度的极坐标图以及由θ1=15°的第一光束L1与θ2=30°的其它第一光束L1混合出的照明光束的绝对光强度的极坐标图。
其中,附图标记:
10:照明装置
100、100A、100B:发光元件
110:透光基板
112:单元区域
112a:第一区
112b:第二区
120:电致发光结构
121:第一电极
122、122B:光学调节层
123:有机电致发光层
123a、123b:有机电致发光图案
124:共享电极层
124a、124b:共享电极图案
125a、125b:电洞注入图案
126a、126b:电洞传输图案
127a、127b:电子传输图案
128a、128b:电子注入图案
129:第二电极
130:对向基板
140:封装结构
142:第一无机层
144:有机层
146:第二无机层
150:像素定义层
152:第一开口
154:第二开口
160:平坦层
162、164:接触窗
200:影像感测元件
300:处理暨控制元件
310:影像处理元件
320:电数据输出元件
C1、C2:光学共振腔
Ι-Ι’:剖线
L1:第一光束
L2:第二光束
P1:第一部分
P2:第二部分
T1、T2:主动元件
z:方向
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例,示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能,相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/ 或电性连接。再者,“电性连接”或“耦合”可为二元件间存在其它元件。
本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或±30%、±20%、±10%、±5%内。再者,本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。
请参照图1、图2及图3,图1为本发明一实施例的照明装置的方块示意图。图2为本发明一实施例的照明装置的发光元件的上视示意图。图3为根据图2 的剖线Ι-Ι’所绘的发光元件的剖面示意图。
请参照图2及图3,照明装置10包括发光元件100,发光元件100包括透光基板110、多个电致发光结构120及对向基板130。多个电致发光结构120 设置于透光基板110上。对向基板130设置于透光基板110的对向。多个电致发光结构120设置于透光基板110与对向基板130之间。透光基板110及对向基板130可以是硬质基板或可挠基板,端视照明装置10的应用而定。在本实施例中,透光基板110的材质可选用具有高透光率的材料,例如但不限于:玻璃、塑料等。在本实施例中,对向基板130的材质可选用具有高透光率或高反射率的材料,本发明并不加以限制。举例而言,若使用玻璃封装,对向基板130可为玻璃;若使用薄膜封装,对向基板130可整合于偏光片或保护膜等。
请参照图3,在本实施例中,发光元件100还可选择性地包括封装结构140,设置于电致发光结构120上。封装结构140用以隔离湿气、杂质等。举例而言,在本实施例中,封装结构140可包括第一无机层142、有机层144和第二无机层146,有机层144位于第一无机层142与第二无机层146之间,且第二无机层146位于有机层144上。第一无机层142的材质例如但不限于:氮化硅或氧化铝,有机层144的材质例如但不限于:丙烯酸树脂、环氧树脂或碳氧化硅,第二无机层146的材质例如但不限于:氮化硅或氧化铝。然而,本发明不限于此,在其它实施例中,封装结构140也可以是其它类型的结构。
请参照图2及图3,透光基板110具有多个单元区域112。每一单元区域 112包括彼此相邻的第一区112a及第二区112b。多个电致发光结构120分别设置于透光基板110的多个单元区域112。在本实施例中,每一电致发光结构120 包括第一部分P1及第二部分P2,分别设置于一个单元区域112的第一区112a 及第二区112b。电致发光结构120的第一部分P1及第二部分P2彼此电性独立。也就是说,电致发光结构120的第一部分P1及第二部分P2能独立地被驱动。电致发光结构120的第一部分P1及第二部分P2可分别与主动元件T1及主动元件T2电性连接。主动元件T1及主动元件T2例如但不限于包括薄膜晶体管。请参照图3,举例而言,在本实施例中,发光元件100还包括平坦层160,设置于主动元件T1及主动元件T2上。平坦层160具有分别与主动元件T1及主动元件T2重叠的接触窗162及接触窗164,第一部分P1及第二部分P2可分别通过接触窗162及接触窗164与主动元件T1及主动元件T2电性连接,但本发明不以此为限。
请参照图3,电致发光结构120的第一部分P1包括设置于第一区112a的第一电极121、设置于第一区112a的有机电致发光图案123a及设置于第一区 112a共享电极图案124a,其中有机电致发光图案123a设置于第一电极121上,共享电极图案124a设置于有机电致发光图案123a上。在本实施例中,电致发光结构120的第一部分P1还可选择性地包括电洞注入图案125a、电洞传输图案126a、电子传输图案127a及电子注入图案128a,其中第一电极121、电洞注入图案125a、电洞传输图案126a、有机电致发光图案123a、电子传输图案 127a、电子注入图案128a及共享电极图案124a沿着远离透光基板110的方向 z依序堆叠。然而,本发明不限于此,在其它实施例中,电致发光结构120的第一部分P1也可采用其它适当结构。
请参照图3,电致发光结构120的第二部分P2包括设置于第二区112b的光学调节层122、设置于第二区112b的有机电致发光图案123b及设置于第二区112b的共享电极图案124b,其中有机电致发光图案123b设置于光学调节层 122上,共享电极图案124b设置于有机电致发光图案123b上。在本实施例中,电致发光结构120的第二部分P2还可选择性地包括第二电极129、电洞注入图案125b、电洞传输图案126b、电子传输图案127b及电子注入图案128b,其中第二电极129、电洞注入图案125b、电洞传输图案126b、有机电致发光图案123b、电子传输图案127b、电子注入图案128b及共享电极图案124b沿着远离透光基板110的方向z依序堆叠。然而,本发明不限于此,在其它实施例中,电致发光结构120的第二部分P2也可采用其它适当结构。
在本实施例中,第一部分P1及第二部分P2可选择性地用以发出具有相同颜色的第一光束L1及第二光束L2,而第一部分P1的有机电致发光图案123a 及第二部分P2的有机电致发光图案123b可选择性形成于同一有机电致发光层123且彼此连接。然而,本发明不限于此,在一实施例中,第一部分P1的有机电致发光图案123a及第二部分P2的有机电致发光图案123b也可分别发出不同的颜色;在一实施例中,第一部分P1的有机电致发光图案123a与第二部分P2 的有机电致发光图案123b也可彼此分离。
第一部分P1的共享电极图案124a与第二部分P2的共享电极图案124b电性连接。举例而言,在本实施例中,第一部分P1的共享电极图案124a与第二部分P2的共享电极图案124b可形成于同一共享电极层124而彼此连接,但本发明不限于此。另外,在本实施例中,第一电极121与第二电极129可选择性地形成于同一透明导电层且彼此分离。然而,本发明不限于此,在其它实施例中,第一电极121与第二电极129也可选择形成于不同膜层。
请参照图3,在本实施例中,发光元件100还可包括像素定义层150,配置于第一电极121及第二电极129上。在本实施例中,像素定义层150具有第一开口152及第二开口154,分别与第一电极121及第二电极129重叠。电致发光结构120的第一部分P1及第二部分P2可分别位于像素定义层150的第一开口152及第二开口154。举例而言,在本实施例中,像素定义层150的材质可包括感旋光性聚亚酰胺材料、丙烯基材料、硅氧烷材料、酚醛树脂材料、氧化物、氮化物或氮氧化物,但本发明不以此为限。
值得注意的是,电致发光结构120的第二部分P2包括光学调节层122,设置于有机电致发光层123与透光基板110之间。举例而言,在本实施例中,第二电极129设置于有机电致发光层123与透光基板110之间,且光学调节层122 邻设于第二电极129。光学调节层122可与第二电极129接触。第二电极129 可位于有机电致发光层123与光学调节层122之间,但本发明不以此为限。举例而言,在本实施例中,光学调节层122可包括能透光的金属层、其折射率大于透光基板110的折射率的折射率层或布拉格反射器,但本发明不以此为限。
光学调节层122能使第二部分P2发出的第二光束L2的光型与第一部分P1 发出的第一光束L1的光型不同。详细而言,通过光学调节层122的设置,从有机电致发光图案123b发出且向透光基板110传递的第二光束L2会有较高的比例被第二电极129、光学调节层122及/或第二电极129与光学调节层122的交界反射回有机电致发光图案123b。被第二电极129、光学调节层122及/或第二电极129与光学调节层122的交界反射回有机电致发光图案123b的第二光束L2会在共享电极图案124b与第二电极129之间、共享电极图案124b与光学调节层122之间及/或共享电极图案124b与第二电极129和光学调节层122的交界之间来回反射;也就是说,共享电极图案124b与光学调节层122之间具有至少一部分的显著的第二光学共振腔C2。类似地,位于第一区112a的共享电极 124a与第一电极121之间具有第一光学共振腔C1,且第二光学共振腔C2的共振强度大于第一光学共振腔C1的共振强度。自透光基板110的第二区112b发出的第二光束L2(或者说,由显著的第二光学共振腔C2发出的第二光束L2) 的指向性会高于自透光基板110的第一区112a发出的第一光束L1的指向性;也就是说,有机电致发光图案123a接收第一电信号,有机电致发光图案123b 接收第二电信号,当第一电信号与第二电信号实质上相等,在垂直于透光基板 110的方向z上,自第一区112a发出的第一光束L1具有第一光强度,自第二区112b发出的第二光束L2具有第二光强度,而第二光强度会大于第一光强度。
图4为本发明一实施例的发光元件的第一部分P1及第二部分P2所发出的第一光束L1及第二光束L2的归一化的光强度的极坐标图。请参照图3及图4,发光元件100的第二部分P2所发出的第二光束L2集中在一个较窄的角度范围 (例如:-30°~30°),而发光元件100的第一部分P1所发出的第一光束L1分散在一个较宽的角度范围(例如:-60°~60°)。也就是说,位在第二区112b 的第二部分P2所发出的第二光束L2的指向性高于位在第一区112a的第一部分P1所发出的第一光束L1的指向性。
发光元件100的第一部分P1所发出的第一光束L1在角度为θ1的方向上具有最大的光强度。发光元件100的第二部分P2所发出的第二光束L2在角度为θ2的方向上具有最大的光强度。举例而言,在图4的实施例中,角度θ1及角度θ2可选择性地皆为0°。也就是说,发光元件100的第一部分P1所发出的第一光束L1在角度为0°的方向上具有最大的光强度,发光元件100的第二部分P2所发出的第二光束L2在角度为0°的方向上具有最大的光强度。然而,本发明不限于此,请参照图3,借由控制第一部分P1的有机层(例如但不限于:电洞注入图案125a、电洞传输图案126a、有机电致发光图案123a、电子传输图案127a、电子注入图案128a的至少一个)的光学参数(例如但不限于:折射率、厚度)能调整角度θ1,借由控制第二部分P2的有机层(例如但不限于:电洞注入图案125b、电洞传输图案126b、有机电致发光图案123b、电子传输图案127b、电子注入图案128b的至少一个)的光学参数(例如但不限于:折射率、厚度)或光学调节层122的光学参数(例如但不限于:折射率、反射率、厚度)能调整角度θ2。
举例来说,例如图5为在电子传输图案127a具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第一部分P1所发出的第一光束L1的归一化的光强度的极坐标图,例如图6为在电子传输图案127a具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第一部分P1所发出的第一光束L1的绝对光强度的极坐标图。请参照图3、图5及图6,随着电子传输图案127a厚度的增加,角度θ1 会变大。举例而言,随着电子传输图案127a厚度的增加,角度θ1可由0°变大至15°,再由15°变大至30°。
请参照图1,在本实施例中,除了发光元件100外,照明装置10还可选择性地包括影像感测元件200及处理暨控制元件300。影像感测元件200用以接收外界影像。处理暨控制元件300电性连接于影像感测元件200与发光元件100 的多个电致发光结构120之间。在本实施例中,处理暨控制元件300可包括影像处理元件310及电数据输出元件320,其中影像处理元件310电性连接于影像感测元件200与电数据输出元件320之间,而电数据输出元件320电性连接于影像处理元件310与发光元件100之间。
通过发光元件100、影像感测元件200及处理暨控制元件300的互相搭配能够实现自适应照明装置10,例如但不限于:自适应性头灯或尾灯。详细而言,影像感测元件200撷取外界影像,处理暨控制元件300能根据外界影像决定输入至发光元件100的第一部分P1(或者说,设置于第一区112a的有机电致发光图案123a)的第一电信号以及输入至发光元件100的第二部分P2(或者说,设置于第二区112b的有机电致发光图案123b)的第二电信号,进而使发光元件100整体发出具有所欲光型的照明光束。
图7为本发明另一实施例的照明装置的发光元件的剖面示意图。请参照图 3及图7,图7的发光元件100A与图3的发光元件100类似,两者的主要差异在于,发光元件100A的光学调节层122设置于第二电极129之上。也就是说,在图7的实施例中,光学调节层122位于有机电致发光层123与第二电极129 之间。本实施例的发光元件100A具有与前述的发光元件100类似的功效及优点,且也能选择性地搭配前述的影像感测元件200及处理暨控制元件300进而实现自适应照明装置。
图8为本发明又一实施例的照明装置的发光元件的剖面示意图。请参照图 3及图8,图8的发光元件100B与图3的发光元件100类似,两者的主要差异在于,发光元件100B可不包括图3的第二电极129。在图8的实施例中,发光元件100B的光学调节层122B具有导电性,而光学调节层122B还可做为驱动有机电致发光图案123b的电极使用。
请参照图8,在本实施例中,光学调节层122B用以驱动设置于第二区112b 的部分的有机电致发光层123(即有机电致发光图案123b),且光学调节层122B 的反射率大于第一电极121的反射率。举例而言,光学调节层122B的材质与第一电极121的材质不同;光学调节层122B包括金属层,而第一电极121包括透明导电层(例如但不限于:氧化铟锡)。光学调节层122B的厚度D2可能小于第一电极121的厚度D1;但本发明不以此为限。本实施例的发光元件100B 具有与前述的发光元件100类似的功效及优点,且也能选择性地搭配前述的影像感测元件200及处理暨控制元件300进而实现自适应照明装置。
举例来说,例如图9为光学调节层122B具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第二部分P2所发出的第二光束L2的归一化的光强度的极坐标图,例如图10为在光学调节层122B具有不同的厚度条件下本发明一实施例的发光元件的第二部分P2所发出的第二光束L2的绝对光强度的极坐标图。请参照图8、图9及图10,随着光学调节层122B厚度的减少,角度θ2会变大。举例而言,随着光学调节层122B厚度的减少,角度θ2可由0°变大至15°
图11为由θ1=30°的第一光束L1与θ2=0°的第二光束L2混合出的照明光束的绝对光强度的极坐标图以及由θ1=15°的第一光束L1与θ2=30°的其它第一光束L1混合出的照明光束的绝对光强度的极坐标图。
请参照图11,举例而言,通过混合具有角度θ1=30°的第一部分P1所发出的第一光束L1与具有角度θ2=0°的第二部分P2所发出的第二光束L2可使发光元件整体发出指向性较高的照明光束,以P1(30°)+P2(0°)标示的线段来代表;通过混合具有角度θ1=15°的发光元件的一个电致发光结构120的第一部分P1所发出的第一光束L1与具有角度θ1=30°的另一个电致发光结构120 的第一部分P1所发出的第一光束L1可使发光元件整体发出指向性较低的照明光束(以P1(15°)+P1(30°)标示的线段来代表),其光型较接近朗伯光源发出的光束的光型。然而,本发明不限于此,一个电致发光结构120除了第一部分P1及第二部分P2以外还可包括其它部分,发光元件100整体所发出的照明光束也可由第一部分P1、第二部分P2及所述其它部分所发出分别发出的第一光束、第二光束及其它光束混合而成。
综上所述,本发明一实施例的照明装置的发光元件包括透光基板、对向基板以及设置于透光基板与对向基板之间的电致发光结构。电致发光结构包括设置于透光基板的第一区上的第一部分以及设置于透光基板的第二区上的第二部分。电致发光结构的第一部分及第二部分用以发出第一光束及第二光束。电致发光结构的第二部分包括光学调节层,而使电致发光结构的第二部分所发出的第二光束的光型不同于电致发光结构的第一部分所发出的第一光束的光型。第一光束、第二光束或其组合能提供具有所欲光型的照明光束。
值得注意的是,能提供具有所欲光型的照明光束的电致发光结构是设置在透光基板与对向基板之间。也就是说,发光元件本身即具备提供具有所欲光型的照明光束的能力。照明装置不需通过设置于发光元件外的调光元件便能提供具有所欲光型的照明光束。因此,本发明一实施例的照明装置的构造简单、体积小及/或应用范围广。
虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明。当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (14)
1.一种照明装置,其特征在于,包括:
一透光基板,具有彼此相邻的一第一区及一第二区;
一电致发光结构,设置于该透光基板上,其中该电致发光结构包括:
一第一电极,设置于该第一区;
一光学调节层,设置于该第二区;
一第二电极,设置于该第二区;
一有机电致发光层,设置于该第一电极及该光学调节层上,其中该光学调节层设置于该有机电致发光层与该透光基板之间,该第二电极设置于该有机电致发光层与该透光基板之间,且该第二电极位于该有机电致发光层与该光学调节层之间,该光学调节层邻设于该第二电极;以及
一共享电极,设置于该有机电致发光层上;以及
一对向基板,其中该电致发光结构设置于该透光基板与该对向基板之间。
2.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层与该第二电极接触。
3.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层包括一金属层。
4.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层包括一折射率层,其中该折射率层的折射率大于该透光基板的折射率。
5.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层包括一布拉格反射器。
6.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层用以驱动设置于该第二区的一部分的该有机电致发光层,且该光学调节层的反射率大于该第一电极的反射率。
7.根据权利要求6所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层的材质与该第一电极的材质不同。
8.根据权利要求6所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层包括一金属层,而该第一电极包括一透明导电层。
9.根据权利要求6所述的照明装置,其特征在于,该光学调节层的厚度小于该第一电极的厚度。
10.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,位于该第一区的该共享电极与该第一电极之间具有一第一光学共振腔,位于该第二区的该共享电极与该光学调节层之间具有一第二光学共振腔,且该第二光学共振腔的共振强度大于该第一光学共振腔的共振强度。
11.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,自该第一区发出的一第一光束的光型与自该第二区发出的一第二光束的光型不同。
12.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,自该第二区发出的一第二光束的指向性高于自该第一区发出的一第一光束的指向性。
13.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,设置于该第一区的一第一部分的该有机电致发光层接收一第一电信号,设置于该第二区的一第二部分的该有机电致发光层接收一第二电信号,该第一电信号与该第二电信号实质上相等;在垂直于该透光基板的一方向上,该第一区具有一第一光强度,该第二区具有一第二光强度,而该第二光强度大于该第一光强度。
14.根据权利要求1所述的照明装置,其特征在于,更包括:
一影像感测元件,用以接收一外界影像;以及
一处理暨控制元件,电性连接于该影像感测元件与该电致发光结构之间,其中一第一部分的该有机电致发光层设置于该第一区,一第二部分的该有机电致发光层设置于该第二区,而该处理暨控制元件根据该外界影像决定输入至该第一部分的该有机电致发光层的一第一电信号以及输入至该第二部分的该有机电致发光层的一第二电信号。
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---|---|---|---|---|
JP7176552B2 (ja) * | 2020-08-31 | 2022-11-22 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
CN115830431B (zh) * | 2023-02-08 | 2023-05-02 | 湖北工业大学 | 一种基于光强分析的神经网络图像预处理方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160093678A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device |
US20180096648A1 (en) * | 2016-10-04 | 2018-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6569697B2 (en) * | 2001-08-20 | 2003-05-27 | Universal Display Corporation | Method of fabricating electrodes |
US20040140757A1 (en) * | 2003-01-17 | 2004-07-22 | Eastman Kodak Company | Microcavity OLED devices |
US20040217702A1 (en) * | 2003-05-02 | 2004-11-04 | Garner Sean M. | Light extraction designs for organic light emitting diodes |
JP2005302313A (ja) * | 2004-04-06 | 2005-10-27 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el表示装置及びフルカラーデバイス |
US7724321B2 (en) * | 2004-09-24 | 2010-05-25 | Epistar Corporation | Liquid crystal display |
RU2435249C2 (ru) | 2005-06-15 | 2011-11-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Устройство освещения |
JP4402069B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-01-20 | キヤノン株式会社 | 多色有機elディスプレイ |
TWM355846U (en) | 2008-09-26 | 2009-05-01 | jia-rong Zhang | Multi-functional intelligent car lamp control module |
US8461574B2 (en) * | 2009-06-12 | 2013-06-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device |
EP2521424A1 (en) * | 2009-12-28 | 2012-11-07 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Organic el element and organic el panel |
US9721998B2 (en) * | 2011-11-04 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2017-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6190709B2 (ja) * | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2017005054A (ja) * | 2015-06-08 | 2017-01-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
KR102406606B1 (ko) * | 2015-10-08 | 2022-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법 |
DE102016206347A1 (de) | 2016-04-15 | 2017-10-19 | Osram Gmbh | Beleuchtungseinrichtung und verfahren zum einstellen der beleuchtungseinrichtung |
KR20180041479A (ko) * | 2016-10-14 | 2018-04-24 | 한국과학기술원 | 컬러 필터 전극 일체형 유기 발광 소자 및 그 제조 방법 |
KR102694103B1 (ko) * | 2017-04-07 | 2024-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
KR102429881B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2022-08-05 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN112993131B (zh) * | 2019-12-17 | 2023-03-31 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置的制造方法 |
-
2019
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- 2019-07-22 US US16/517,680 patent/US11638380B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160093678A1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-Emitting Device, Electronic Device, and Lighting Device |
US20180096648A1 (en) * | 2016-10-04 | 2018-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and electronic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11638380B2 (en) | 2023-04-25 |
US20200035937A1 (en) | 2020-01-30 |
CN110164854A (zh) | 2019-08-23 |
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