CN110076209A - 一种继电器用铜带的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种继电器用铜带的制备方法，采用上引连铸铜杆、矫直、吹扫、抛光、第二次吹扫、挤压成型、冷却、第二次抛光、卷取、第一道次轧制、退火、第二道次轧制、分切、修边的工艺；制备铜带的抗拉强度为300‑320MPa，伸长率为10‑15％，导电率为大于100％IACS。
Description
技术领域
本发明涉及一种有色金属材料的制备方法，尤其涉及一种继电器用铜带的制备方法。
背景技术
继电器是一种电控制器件，通常应用于自动化的控制电路中，在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。从我国继电器应用领域来看，通信和工业控制、家电和汽车是继电器最大市场。从某种程度上来说，继电器行业的材料和技术水平反映了的自动化水平。
我国通讯、汽车、工控、家电等主要的继电器消费行业快速发展，拉动了国内继电器产业的需求，继电器产业的竞争已从过去量产的竞争，发展到了新型继电器及关键材料、专用设备等核心基础部件研发制造的竞争，因此发展适应于高端继电器行业的铜合金材料就显得十分重要，不仅要求铜合金材料在导电性能上有出色表现，并具有高耐热性、折弯成型性以及出色的表面光泽性和平滑性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种继电器用铜带的制备方法，采用上引连铸铜杆、矫直、吹扫、抛光、第二次吹扫、挤压成型、冷却、第二次抛光、卷取、第一道次轧制、退火、第二道次轧制、分切、修边的工艺；制备的铜带的铜含量大于99.99％，氧含量小于3ppm，厚度为1.0-2.0mm，厚度纵向公差为±0.02mm，厚度横向公差为±0.002mm，宽度为10-300mm，宽度公差为±0.10mm，铜带的侧边弯曲度每米小于1mm，铜带的抗拉强度为300-320MPa，伸长率为10-15％，导电率为大于100％IACS。
为了达到上述目的，本发明的技术方案是：
(1)上引连铸铜杆：采用工频上引连铸炉，将高纯阴极铜烘干后投放进熔炼装置中，熔炼装置包括熔炼炉、隔仓、保温炉三部分组成，其中熔炼炉温度为1150-1200℃，保温炉温度为1100-1150℃，隔仓安装有在线除气装置，通过在线除气装置向铜液内充入99.996％的氩气，并通过受控的旋转石墨轴和转子，将氩气压入铜液中并打散成微小气泡，使其均匀的分散在铜液中，从而达到除气、脱氧的目的，气源出口压力0.5MPa，流量0.5～1.0Nm3/h，转子转速控制在150～200r/min，通过在线除气装置，使铜液中的氧含量小于3ppm，铜含量大于99.99％。
熔炼炉采用木炭覆盖，隔仓、保温炉采用石墨鳞片覆盖，采用牵引机组在保温炉内上引连铸铜杆，铜杆节距为2.5～3.0mm，上引连铸的速度为550-600mm/min，停拉比率为50％-55％，采用小节距、大停拉比率提高铜杆表面质量，避免铜杆拉断。上引连铸直径Ф30mm，结晶器的冷却循环水进水温度小于35℃，结晶器的冷却循环水进水和出水温度差小于8℃。
上引连铸使用的结晶器为石墨材质，同时，结晶器内表面镀铬，镀铬层的厚度为0.05～0.2mm。
(2)矫直：Ф30mm无氧铜杆通过矫直装置，将弯曲的铜杆内部残余应力得到释放，消除铜杆的形状缺陷。
(3)吹扫：采用0.2～0.3MPa的压缩空气，将铜杆表面的灰尘等污染物吹扫干净，保证无氧铜杆洁净的表面质量。
(4)抛光：采用钢刷将铜杆表面进行抛光。
(5)第二次吹扫：采用0.2～0.3MPa的压缩空气，将铜杆表面进行吹扫；
(6)挤压成型：依次通过扩展变形通道、垫片和模具一次挤压成型软态铜棒；挤压成型的速度为5m/min，温度为大于750℃，挤压成型制备的铜棒的直径为30mm。
(7)冷却：挤压成型的铜带坯通过真空防氧化管，采用10-20％的酒精与水的混合液进行冷却，冷却到30℃～50℃；
(8)第二次抛光：采用粗抛和精抛相结合的方法，将铜带坯的粗糙度达到0.05～0.15μm；其中粗抛采用100～300目的磨料刷进行抛光预处理，精抛2000～3000目的不织布刷辊；
(9)卷取：将铜带坯进行无芯卷取，其中内径500～600mm，外径1500～2500mm。
(10)第一道次轧制：第一道次轧制的加工率为50-80％，第一道次轧制的目的是将铜带厚度减薄，提高铜带的强度和硬度，使铜带的厚度横向公差小于±0.002mm。第一道次的轧制速度为150-200m/min，轧制前张力为16-18KN，轧制后张力为20-25KN，轧制时采用5％的乳化液冷却，采用0.3-0.5MPa的压缩空气进行吹扫，将乳化液吹扫干净，不需要酸洗。
(11)退火：将第一道次轧制后的铜带进行退火，退火温度为350℃，保温6小时。退火时采用气体保护，采用25％氢气和75％氮气的混合气体。
(12)第二道次轧制：第二道次轧制的加工率分别为20-30％，第二道次轧制的目的是控制铜带的板型，提高铜带的强度和硬度，使铜带的厚度横向公差小于±0.002mm。第二道次的轧制速度为80-100m/min，轧制前张力为10-12KN，轧制后张力为15-16KN。第二次轧制时采用7％的乳化液冷却，采用0.5-0.6MPa的压缩空气进行吹扫，将乳化液吹扫干净，不需要酸洗。
(13)分切：分切时刀片压下量为铜带厚度的50％，分切刀片的间隙为铜带厚度的10％。
(14)修边：将分切后的铜带进行修边，将铜带通过矫平、滚压、刮削、挤压、磨砂等步骤，将铜带边部的尖角、毛刺、翻边等缺陷进行去除。
本发明的有益效果是：
1.制备的继电器用铜带性能优异，其中铜含量大于99.99％，氧含量小于3ppm，厚度为1.0-2.0mm，厚度纵向公差为±0.02mm，厚度横向公差为±0.002mm，宽度为10-300mm，宽度公差为±0.10mm，铜带的侧边弯曲度每米小于1mm，铜带的抗拉强度为300-320MPa，伸长率为10-15％，导电率为大于100％IACS。
2.本发明采用高纯铜熔炼、上引连铸铜杆、矫直、吹扫、抛光、第二次吹扫、挤压成型、冷却、第二次抛光、卷取、第一道次轧制、退火、第二道次轧制、分切、修边的工艺，不需要酸洗、铜带坯铣面等工艺，节约了大量的时间和能耗。
具体实施方式
一种继电器用铜带的制备方法的具体步骤是：
(1)上引连铸铜杆：采用工频上引连铸炉，将高纯阴极铜烘干后投放进熔炼装置中，熔炼装置包括熔炼炉、隔仓、保温炉三部分组成，其中熔炼炉温度为1180℃，保温炉温度为1150℃，隔仓安装有在线除气装置，通过在线除气装置向铜液内充入99.996％的氩气，并通过受控的旋转石墨轴和转子，将氩气压入铜液中并打散成微小气泡，使其均匀的分散在铜液中，从而达到除气、脱氧的目的，气源出口压力0.5MPa，流量0.5～1.0Nm3/h，转子转速控制在150～200r/min，通过在线除气装置，使铜液中的氧含量小于3ppm，铜含量大于99.999％。
熔炼炉采用木炭覆盖，隔仓、保温炉采用石墨鳞片覆盖，采用牵引机组在保温炉内上引连铸铜杆，铜杆节距为2.5～3.0mm，上引连铸的速度为550-600mm/min，停拉比率为50％-55％，采用小节距、大停拉比率提高铜杆表面质量，避免铜杆拉断。上引连铸直径Ф30mm，结晶器的冷却循环水进水温度小于35℃，结晶器的冷却循环水进水和出水温度差小于8℃。
上引连铸使用的结晶器为石墨材质，同时，结晶器内表面镀铬，镀铬层的厚度为0.05～0.2mm。
(2)矫直：Ф30mm无氧铜杆通过矫直装置，将弯曲的铜杆内部残余应力得到释放，消除铜杆的形状缺陷。
(3)吹扫：采用0.3MPa的压缩空气，将铜杆表面的灰尘等污染物吹扫干净，保证无氧铜杆洁净的表面质量。
(4)抛光：采用钢刷将铜杆表面进行抛光。
(5)第二次吹扫：采用0.3MPa的压缩空气，将铜杆表面进行吹扫；
(6)挤压成型：依次通过扩展变形通道、垫片和模具一次挤压成型软态铜棒；挤压成型的速度为5m/min，温度为大于750℃，挤压成型制备的铜棒的直径为30mm。
(7)冷却：挤压成型的铜带坯通过真空防氧化管，采用10-20％的酒精与水的混合液进行冷却，冷却到30℃～50℃；
(8)第二次抛光：采用粗抛和精抛相结合的方法，将铜带坯的粗糙度达到0.05～0.15μm；其中粗抛采用100～300目的磨料刷进行抛光预处理，精抛2000～3000目的不织布刷辊；
(9)卷取：将铜带坯进行无芯卷取，其中内径500～600mm，外径1500～2500mm。
(10)第一道次轧制：第一道次轧制的加工率为50-80％，第一道次轧制的目的是将铜带厚度减薄，提高铜带的强度和硬度，使铜带的厚度横向公差小于±0.002mm。第一道次的轧制速度为150-200m/min，轧制前张力为16-18KN，轧制后张力为20-25KN，轧制时采用5％的乳化液冷却，采用0.3-0.5MPa的压缩空气进行吹扫，将乳化液吹扫干净，不需要酸洗。
(11)退火：将第一道次轧制后的铜带进行退火，退火温度为350℃，保温6小时。退火时采用气体保护，采用25％氢气和75％氮气的混合气体。
(12)第二道次轧制：第二道次轧制的加工率分别为20-30％，第二道次轧制的目的是控制铜带的板型，提高铜带的强度和硬度，使铜带的厚度横向公差小于±0.002mm。第二道次的轧制速度为80-100m/min，轧制前张力为10-12KN，轧制后张力为15-16KN。第二次轧制时采用7％的乳化液冷却，采用0.5-0.6MPa的压缩空气进行吹扫，将乳化液吹扫干净，不需要酸洗。
(13)分切：分切时刀片压下量为铜带厚度的50％，分切刀片的间隙为铜带厚度的10％。
(14)修边：将分切后的铜带进行修边，将铜带通过矫平、滚压、刮削、挤压、磨砂等步骤，将铜带边部的尖角、毛刺、翻边等缺陷进行去除。
本实例制备的继电器用铜带的铜含量大于99.99％，氧含量小于3ppm，厚度为1.0-2.0mm，厚度纵向公差为±0.02mm，厚度横向公差为±0.002mm，宽度为10-300mm，宽度公差为±0.10mm，铜带的侧边弯曲度每米小于1mm，铜带的抗拉强度为300-320MPa，伸长率为10-15％，导电率为大于100％IACS。
Claims (1)
1.一种继电器用铜带的制备方法，其特征在于：所述的制备方法是采用上引连铸铜杆、矫直、吹扫、抛光、第二次吹扫、挤压成型、冷却、第二次抛光、卷取、第一道次轧制、退火、第二道次轧制、分切、修边的工艺；制备的铜带的铜含量大于99.99％，氧含量小于3ppm，厚度为1.0-2.0mm，厚度纵向公差为±0.02mm，厚度横向公差为±0.002mm，宽度为10-300mm，宽度公差为±0.10mm，铜带的侧边弯曲度每米小于1mm，铜带的抗拉强度为300-320MPa，伸长率为10-15％，导电率为大于100％IACS；
所述的制备方法具体包括：
(1)上引连铸铜杆：采用工频上引连铸炉，将高纯阴极铜烘干后投放进熔炼装置中，熔炼装置包括熔炼炉、隔仓、保温炉三部分组成，其中熔炼炉温度为1150-1200℃，保温炉温度为1100-1150℃，隔仓安装有在线除气装置，通过在线除气装置向铜液内充入99.996％的氩气，并通过受控的旋转石墨轴和转子，将氩气压入铜液中并打散成微小气泡，使其均匀的分散在铜液中，从而达到除气、脱氧的目的，气源出口压力0.5MPa，流量0.5～1.0Nm3/h，转子转速控制在150～200r/min，通过在线除气装置，使铜液中的氧含量小于3ppm；
熔炼炉采用木炭覆盖，隔仓、保温炉采用石墨鳞片覆盖，采用牵引机组在保温炉内上引连铸铜杆，铜杆节距为2.5～3.0mm，上引连铸的速度为550-600mm/min，停拉比率为50％-55％，采用小节距、大停拉比率提高铜杆表面质量，避免铜杆拉断。上引连铸直径Ф30mm，结晶器的冷却循环水进水温度小于35℃，结晶器的冷却循环水进水和出水温度差小于8℃；
上引连铸使用的结晶器为石墨材质，同时，结晶器内表面镀铬，镀铬层的厚度为0.05～0.2mm；
(2)矫直：Ф30mm无氧铜杆通过矫直装置，将弯曲的铜杆内部残余应力得到释放，消除铜杆的形状缺陷；
(3)吹扫：采用0.2～0.3MPa的压缩空气，将铜杆表面的灰尘等污染物吹扫干净，保证无氧铜杆洁净的表面质量；
(4)抛光：采用钢刷将铜杆表面进行抛光；
(5)第二次吹扫：采用0.2～0.3MPa的压缩空气，将铜杆表面进行吹扫；
(6)挤压成型：依次通过扩展变形通道、垫片和模具一次挤压成型软态铜棒；挤压成型的速度为5m/min，温度为大于750℃，挤压成型制备的铜棒的直径为30mm；
(7)冷却：挤压成型的铜带坯通过真空防氧化管，采用10-20％的酒精与水的混合液进行冷却，冷却到30℃～50℃；
(8)第二次抛光：采用粗抛和精抛相结合的方法，将铜带坯的粗糙度达到0.05～0.15μm；其中粗抛采用100～300目的磨料刷进行抛光预处理，精抛2000～3000目的不织布刷辊；
(9)卷取：将铜带坯进行无芯卷取，其中内径500～600mm，外径1500～2500mm；
(10)第一道次轧制：第一道次轧制的加工率为50-80％，第一道次轧制的目的是将铜带厚度减薄，提高铜带的强度和硬度，使铜带的厚度横向公差小于±0.002mm，第一道次的轧制速度为150-200m/min，轧制前张力为16-18KN，轧制后张力为20-25KN，轧制时采用5％的乳化液冷却，采用0.3-0.5MPa的压缩空气进行吹扫，将乳化液吹扫干净，不需要酸洗；
(11)退火：将第一道次轧制后的铜带进行退火，退火温度为350℃，保温6小时，退火时采用气体保护，采用25％氢气和75％氮气的混合气体；
(12)第二道次轧制：第二道次轧制的加工率分别为20-30％，第二道次轧制的目的是控制铜带的板型，提高铜带的强度和硬度，使铜带的厚度横向公差小于±0.002mm。第二道次的轧制速度为80-100m/min，轧制前张力为10-12KN，轧制后张力为15-16KN。第二次轧制时采用7％的乳化液冷却，采用0.5-0.6MPa的压缩空气进行吹扫，将乳化液吹扫干净，不需要酸洗；
(13)分切：分切时刀片压下量为铜带厚度的50％，分切刀片的间隙为铜带厚度的10％；
(14)修边：将分切后的铜带进行修边，将铜带通过矫平、滚压、刮削、挤压、磨砂等步骤，将铜带边部的尖角、毛刺、翻边等缺陷进行去除。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20190802 |