CN117812821A - 电路板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电路板及其制造方法。此方法包含填充第一硅橡胶材料在第一屏蔽层中，并包覆连接第一线路层的第一导电盲孔；以及填充第二硅橡胶材料在第二屏蔽层中，并包覆连接第二线路层的第二导电盲孔，且第一屏蔽层及第二屏蔽层中分别包含低频屏蔽层及高频屏蔽层。由于硅橡胶材料可作为电磁辐射的屏蔽材料，故本发明的电路板可有效地在信号导出的路线中屏蔽电磁辐射。

Description

电路板及其制造方法

技术领域

本发明是关于一种电路板及其制造方法，特别是关于一种具有电磁屏蔽效果的电路板及其制造方法。

背景技术

电子设备产生的信号包含高频信号及低频信号，且其均会产生电磁波。每一个电子设备产生的电磁波可能对彼此造成干扰，即所谓电磁干扰(electromagneticinterference，EMI)。再者，随着电子设备产品的小型化，其产生的辐射电磁场干扰也更为严重。因此，为了减少电磁干扰的问题，须改善电子元件的电磁屏蔽效果。

发明内容

本发明的一态样是提供一种电路板的制造方法，其包含设置多个硅橡胶材料在线路层上，以屏蔽信号产生的电磁辐射。

本发明的另一态样是提供一种电路板，由上述态样的方法所制得。

根据本发明的一态样，提供一种电路板的制造方法，其包含形成凹槽在绝缘基板中；放置电子元件于所述凹槽中，其中所述电子元件包含第一线路层；形成第一屏蔽层在所述绝缘基板及所述电子元件上，其中所述第一屏蔽层包含第一低频屏蔽层及第一高频屏蔽层；形成多个第一开口在所述第一屏蔽层中，以暴露出所述第一线路层；填充多个第一硅橡胶材料在所述多个第一开口内；形成多个第一导电盲孔在所述多个第一硅橡胶材料中，其中所述多个第一导电盲孔电性连接所述第一线路层；形成复合层在所述第一屏蔽层及所述多个第一硅橡胶材料上，其中所述复合层包含石墨烯层及金属层；图案化所述复合层，以形成第二线路层；形成第二屏蔽层在所述第二线路层上，其中所述第二屏蔽层包含第二低频屏蔽层及第二高频屏蔽层；形成多个第二开口在所述第二屏蔽层上，以暴露出所述第二线路层；填充多个第二硅橡胶材料在所述多个第二开口内；以及形成多个第二导电盲孔在所述多个第二硅橡胶材料中。

根据本发明的一实施例，在形成所述第二屏蔽层之前，上述方法还包含形成多个导电孔在所述第二线路层中，其中所述多个导电孔分别电性连接所述多个第一导电盲孔。

根据本发明的一实施例，形成所述复合层的步骤包含形成绝缘层在所述第一屏蔽层及所述多个第一硅橡胶材料上；形成所述石墨烯层在所述绝缘层上；以及形成所述金属层在所述石墨烯层上。

根据本发明的一实施例，上述方法还包含形成至少一个第三开口在所述第二屏蔽层上并在所述多个第二开口之间，以暴露出所述绝缘层；以及填充第三硅橡胶材料于所述至少一个第三开口内。

根据本发明的一实施例，上述图案化所述复合层的步骤包含移除所述金属层；以及利用等离子体图案化所述石墨烯层。

根据本发明的一实施例，在放置所述电子元件于所述凹槽中之前，上述方法还包含形成粘接层在所述凹槽的底部；以及放置所述电子元件于所述粘接层上。

根据本发明的一实施例，形成所述第一屏蔽层的步骤包含形成第一介质层在所述绝缘基板及所述电子元件上；形成所述第一低频屏蔽层在所述第一介质层上；以及形成所述第一高频屏蔽层在所述第一低频屏蔽层上。

根据本发明的一实施例，形成所述第二屏蔽层的步骤形成第二介质层在所述第二线路层上；形成所述第二低频屏蔽层在所述第二介质层上；形成所述第二高频屏蔽层在所述第二低频屏蔽层上；以及形成第三介质层在所述第二高频屏蔽层上。

根据本发明的另一态样，提供一种电路板，其包含具有凹槽的绝缘基板、设置在所述凹槽中的电子元件、设置在所述电子元件的顶表面上的第一线路层、设置在所述绝缘基板及所述电子元件上的第一屏蔽层、设置在所述第一屏蔽层中的多个第一硅橡胶材料、设置在所述第一屏蔽层中的多个第一硅橡胶材料、设置在所述第一屏蔽层上的第二线路层、设置在所述第二线路层上的第二屏蔽层、设置在所述第二屏蔽层中的多个第二硅橡胶材料以及设置在所述多个第二导电盲孔中的多个第二导电盲孔。所述第一屏蔽层与所述电子元件重叠。所述第一导电盲孔电性连接所述第一线路层，且所述第二导电盲孔电性连接所述第二线路层。

根据本发明的一实施例，所述第一屏蔽层包含设置在所述绝缘基板及所述电子元件上的第一介质层、设置在所述第一介质层上的第一低频屏蔽层以及设置在所述第一低频屏蔽层上的第一高频屏蔽层。

根据本发明的一实施例，所述第二屏蔽层包含设置在所述第二线路层上的第二介质层、设置在所述第二线路层上的第二介质层、设置在所述第二低频屏蔽层上的第二高频屏蔽层以及设置在所述第二高频屏蔽层上的第三介质层。

根据本发明的一实施例，上述电路板还包含设置在所述第二线路层中的多个导电孔。所述多个导电孔分别电性连接所述多个第一导电盲孔。

根据本发明的一实施例，所述第二线路层包含石墨烯与铜其中至少一种。

根据本发明的一实施例，上述电路板还包含第三硅橡胶材料，其设置在所述第二屏蔽层中，且在所述多个第二硅橡胶材料之间。

应用本发明的电路板及其制造方法，利用硅橡胶材料作为电磁辐射的屏蔽材料，并结合低频屏蔽层及高频屏蔽层，以更有效地在信号导出的路线中屏蔽电磁辐射。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本发明的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1A至图1M绘示根据本发明一些实施例电路板的制造过程的中间阶段的剖面视图。

图2A至图2C绘示根据本发明另一些实施例电路板的制造过程的中间阶段的剖面视图。

图3A至图3C绘示根据本发明另一些实施例电路板的制造过程的中间阶段的剖面视图。

具体实施方式

本发明提供许多不同实施例或例示，以实施发明的不同特征。以下叙述的组件和配置方式的特定例示是为了简化本发明。这些当然仅是作为示例，其目的不在构成限制。举例而言，第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。除此之外，本发明在各种具体例中重复元件符号及/或字母。此重复的目的是为了使说明简化且清晰，并不表示各种讨论的实施例及/或配置之间有关系。

再者，空间相对性用语，例如“下方(beneath)”、“在…之下(below)”、“低于(lower)”、“在…之上(above)”、“高于(upper)”等，是为了易于描述附图中所绘示的零件或特征和其他零件或特征的关系。空间相对性用语除了附图中所描绘的方向外，还包含元件在使用或操作时的不同方向。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而本发明所用的空间相对性描述也可以如此解读。

如本发明所使用的“大约(around)”、“约(about)”、“近乎(approximately)”或“实质上(substantially)”一般代表在所述的数值或范围的百分之20以内、或百分之10以内、或百分之5以内。

现有屏蔽电磁辐射的常用方法是在电路板外侧利用屏蔽导电材料进行封闭，而屏蔽导电材料多为金属，但其缺点是价格高昂，且不易加工成型。因此，本发明提供一种电路板及其制造方法，利用硅橡胶材料作为电磁辐射的屏蔽材料，并结合低频屏蔽层及高频屏蔽层，以更有效地在信号导出的路线中屏蔽电磁辐射。

图1A至图1M绘示根据本发明一些实施例的电路板100的制造过程的中间阶段的剖面视图。首先，请参阅图1A，提供绝缘基板110，并形成凹槽R1在绝缘基板110中。接着，请参阅图1B，放置电子元件120在凹槽R1中，并形成第一线路层125在电子元件120上。在一些实施例中，形成粘接层115在凹槽R1的底部上，且电子元件120放置在粘接层115上。

请参阅图1C，形成第一屏蔽层130在绝缘基板110及电子元件120上。换言之，第一屏蔽层130会与电子元件120重叠。在一些实施例中，第一屏蔽层130包含第一介质层135、第一低频屏蔽层140及第一高频屏蔽层145。因此，形成第一屏蔽层130的步骤包含形成第一介质层135在绝缘基板110及电子元件120上，再形成第一低频屏蔽层140在第一介质层135上，然后形成第一高频屏蔽层145在第一低频屏蔽层140上。应注意的是，第一介质层135还部分地形成在凹槽R1(参照图1B)中，且在粘接层115上。

在一些实施例中，第一介质层135包含绝缘线路及屏蔽层，以保护第一线路层125。在一些实施例中，第一低频屏蔽层140包含碳纤维复合材料，以屏蔽低频段的电磁辐射。在一些实施例中，第一高频屏蔽层145包含合金网栅，其可为镍、铬、铜、银、金及前述金属材料的任意组合，以屏蔽高频段的电磁辐射。在一些实施例，第一高频屏蔽层145可利用化学镀、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)(例如蒸发或溅射)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)或电镀的方法形成。

请参阅图1D，形成第一开口O1在第一屏蔽层130中。在一些实施例中，第一开口O1穿过第一高频屏蔽层145及第一介质层135，以暴露出第一线路层125。接着，请参阅图1E，填充第一硅橡胶材料150在第一开口O1(参照图1D)内。在一些实施例中，第一硅橡胶材料150的底部接触第一线路层125，且第一硅橡胶材料150的顶部与第一高频屏蔽层145的顶表面145T齐平。第一硅橡胶材料150主要是用来屏蔽电磁波，相较于现有的屏蔽导电材料(即金属)，第一硅橡胶材料150包含的硅橡胶复合材料不仅可有效地抑制电磁辐射，并防止外部电磁辐射对电路板的干扰，还可降低材料成本。

请参阅图1F，在第一硅橡胶材料150中钻孔，以形成开口(图未绘示)。须注意的是，前述开口的宽度小于第一开口O1。然后，填充导电材料至前述开口中，以形成第一导电盲孔155在第一硅橡胶材料150中，并电性连接第一线路层125。在一些实施例中，第一导电盲孔155可利用电镀与化学镀的方法来填充导电材料而形成。在一具体例中，第一导电盲孔155包含铜。

请参阅图1G，形成复合层165在第一屏蔽层130及第一硅橡胶材料150上。在一些实施例中，复合层165包含绝缘层160、石墨烯层161及金属层163。因此，形成复合层165的步骤包含形成绝缘层160在第一屏蔽层130及第一硅橡胶材料150上，再形成石墨烯层161在绝缘层160上，然后形成金属层163在石墨烯层161上。在一具体例中，金属层163包含铜。

图1H至图1M是以制作具有低频信号线路的电路板100为例进行说明。请参阅图1H，图案化复合层165(参照图1G)，以形成第二线路层170。首先，对金属层163(参照图1G)进行曝光显影，以形成金属线路层168在石墨烯层161(参照图1G)上。接着，利用氧气等离子体蚀刻石墨烯层161，以形成石墨烯线路层166在绝缘层160上。在一些实施例中，如图1H所示，第二线路层170包含金属线路层168及石墨烯线路层166。

请参阅图1I，可对第二线路层170及绝缘层160进行钻孔，以形成开口(图未绘示)自第二线路层170延伸至绝缘层160，其中此开口可局部暴露出第一导电盲孔155的一端。接着，填充导电材料至此开口中，以形成导电孔175穿过第二线路层170及绝缘层160，而与第一导电盲孔155电性连接。在一些实施例中，导电孔175可利用电镀与化学镀的方法来填充导电材料而形成。在一具体例中，导电孔175包含铜。

请参阅图1J，形成第二屏蔽层180在第二线路层170上。在一些实施例中，第二屏蔽层180包含第二介质层182、第二低频屏蔽层184、第二高频屏蔽层186及第三介质层188。因此，形成第二屏蔽层180的步骤包含先形成第二介质层182在第二线路层170及绝缘层160上，接着形成第二低频屏蔽层184在第二介质层182上，形成第二高频屏蔽层186在第二低频屏蔽层184上，然后形成第三介质层188在第二高频屏蔽层186上。

在一些实施例中，第二介质层182包含绝缘线路及屏蔽层，以保护第一线路层125。在一些实施例中，第二低频屏蔽层184包含碳纤维复合材料，以屏蔽低频段的电磁辐射。在一些实施例中，第二高频屏蔽层186包含合金网栅，其可为镍、铬、铜、银、金及前述金属材料的任意组合，以屏蔽高频段的电磁辐射。在一些实施例，第二高频屏蔽层186可利用化学镀、物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)(例如蒸发或溅射)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)或电镀的方法形成。第三介质层188是用于保护第二高频屏蔽层186及第二低频屏蔽层184。

请参阅图1K，在第二屏蔽层180中形成第二开口O2，以暴露出第二线路层170的金属线路层168。在一些实施例中，第二开口O2自第三介质层188延伸至部分的第二介质层182中。在一些实施例中，可选择性地形成第三开口O3，以暴露出绝缘层160。在一些实施例中，第三开口O3是介于至少两个第二开口O2之间。在一些实施例中，第三开口O3自第三介质层188延伸至绝缘层160的顶部，并暴露出第二线路层170的侧壁。因此，第三开口O3的深度大于第二开口O2的深度。

请参阅图1L，填充第二硅橡胶材料190在第二开口O2(参照图1K)内。在一些实施例中，第二硅橡胶材料190的底部接触第二线路层170(或金属线路层168)，且第二硅橡胶材料190的顶部与第三介质层188的顶表面188T齐平。在上述形成第三开口O3(参照图1K)的一些实施例中，可填充第三硅橡胶材料192在第三开口O3内。在此实施例中，第三硅橡胶材料192的底部接触绝缘层160，且第三硅橡胶材料192的顶部与第三介质层188的顶表面188T齐平。在一些实施例中，第一硅橡胶材料150、第二硅橡胶材料190及第三硅橡胶材料192包含相同的硅橡胶复合材料。因此，第二硅橡胶材料190及第三硅橡胶材料192也是用来屏蔽电磁波。

请参阅图1M，形成第二导电盲孔195在第二硅橡胶材料190中，以电性连接第二线路层170(或金属线路层168)。在一些实施例中，可形成衬垫195A在第二导电盲孔195的顶部。在一些实施例中，形成第二导电盲孔195包含先形成开口(图未绘示)在第二硅橡胶材料190中，然后填充(例如电镀)导电材料至前述开口中而形成。须注意的是，不形成导电盲孔在第三硅橡胶材料192中。如图1M所示，根据上述步骤所制得的电路板100主要是利用金属线路层168来传输低频信号。

请参阅图2A至图2C，其绘示根据本发明一些实施例的电路板200的制造过程的中间阶段的剖面视图。图2A至图2C为制作具有高频信号线路的电路板200。以下电路板200的制造过程可由图1G的结构开始说明。请参阅图2A，移除整个金属层163。换言之，也可使图1G中的复合层165中不包含金属层163，则可省略移除金属层163的步骤。因此，图2A所示的结构包含绝缘基板110、在绝缘基板110上的电子元件120、在电子元件120上的第一线路层125、在绝缘基板110及电子元件120上的第一屏蔽层130、在第一屏蔽层130中的第一硅橡胶材料150、在第一硅橡胶材料150中的第一导电盲孔155、在第一屏蔽层130上的绝缘层160以及在绝缘层160上的石墨烯层161。

请参阅图2B，图案化石墨烯层161(参照图2A)，以形成第二线路层270。在一些实施例中，利用氧气等离子体蚀刻石墨烯层161，以形成第二线路层(或石墨烯线路层)270在绝缘层160上。

接着，请参阅图2C，对图2B的结构进行与图1I至图1L相似的步骤，即形成导电孔175穿过第二线路层270及绝缘层160；形成第二屏蔽层180在第二线路层270上；形成第二硅橡胶材料190及第三硅橡胶材料192。然后，形成第二导电盲孔195在第二硅橡胶材料190中，以电性连接第二线路层(或石墨烯线路层)270，即制得如图2C所示的电路板200。根据上述步骤所制得的电路板200主要是利用石墨烯线路层(即第二线路层270)来传输高频信号。

请参阅图3A至图3C，其绘示根据本发明一些实施例的电路板300的制造过程的中间阶段的剖面视图。图3A至图3C为制作具有高频信号线路及低频信号线路的电路板300。以下电路板300的制造过程可由图1G的结构开始说明。请参阅图3A，进行曝光显影来图案化金属层163(参照图1G)，以形成金属线路层368。须注意的是，金属线路层368与金属线路层168的图案不同，金属线路层368仅在部分第一线路层125上方，不位在其他部分第一线路层125上方。

图3A所示的结构包含绝缘基板110、在绝缘基板110上的电子元件120、在电子元件120上的第一线路层125、在绝缘基板110及电子元件120上的第一屏蔽层130、在第一屏蔽层130中的第一硅橡胶材料150、在第一硅橡胶材料150中的第一导电盲孔155、在第一屏蔽层130上的绝缘层160、在绝缘层160上的石墨烯层161及在石墨烯层161上的金属线路层368。

请参阅图3B，图案化石墨烯层161(参照图3A)，以形成石墨烯线路层366。在一些实施例中，利用氧气等离子体蚀刻石墨烯层161，以形成石墨烯线路层366。在一些实施例中，如图3B所示，第二线路层370包含金属线路层368及石墨烯线路层366。相较于第二线路层170的石墨烯线路层166完全被金属线路层168覆盖，图3B所示的第二线路层370中的部分石墨烯线路层366并未被金属线路层368覆盖。

接着，请参阅图3C，对图3B的结构进行与图1I至图1L相似的步骤，即形成导电孔175穿过第二线路层370及绝缘层160；形成第二屏蔽层180在第二线路层370上；形成第二硅橡胶材料190及第三硅橡胶材料192。然后，形成第二导电盲孔195在第二硅橡胶材料190中，以电性连接第二线路层370，即制得如图3C所示的电路板300。根据上述步骤所制得的电路板300主要可分别利用石墨烯线路层366传输高频信号及利用金属线路层368传输低频信号。

如上所述，本发明提供一种电路板及其制造方法，其利用硅橡胶材料作为电磁辐射的屏蔽材料，将硅橡胶材料设置在导电盲孔周围，并结合低频屏蔽层及高频屏蔽层，以屏蔽各线路信号产生的电磁辐射。

虽然本发明已以数个实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，在本发明所属技术领域中任何技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

【符号说明】

100:电路板

110:绝缘基板

115:粘接层

120:电子元件

125:第一线路层

130:第一屏蔽层

135:第一介质层

140:第一低频屏蔽层

145:第一高频屏蔽层

145T:顶表面

150:第一硅橡胶材料

155:第一导电盲孔

160:绝缘层

161:石墨烯层

163:金属层

165:复合层

166:石墨烯线路层

168:金属线路层

170:第二线路层

175:导电孔

180:第二屏蔽层

182:第二介质层

184:第二低频屏蔽层

186:第二高频屏蔽层

188:第三介质层

188T:顶表面

190:第二硅橡胶材料

192:第三硅橡胶材料

195:第二导电盲孔

195A:衬垫

200:电路板

270:第二线路层

300:电路板

366:石墨烯线路层

368:金属线路层

370:第二线路层

O1:第一开口

O2:第二开口

O3:第三开口

R1:凹槽。

Claims (14)

1.一种电路板的制造方法，其特征在于，包含：

形成凹槽在绝缘基板中；

放置电子元件于所述凹槽中，其中所述电子元件包含第一线路层；

形成第一屏蔽层在所述绝缘基板及所述电子元件上，其中所述第一屏蔽层包含第一低频屏蔽层及第一高频屏蔽层；

形成多个第一开口在所述第一屏蔽层中，以暴露出所述第一线路层；

填充多个第一硅橡胶材料在所述多个第一开口内；

形成多个第一导电盲孔在所述多个第一硅橡胶材料中，其中所述多个第一导电盲孔电性连接所述第一线路层；

形成复合层在所述第一屏蔽层及所述多个第一硅橡胶材料上，其中所述复合层包含石墨烯层及金属层；

图案化所述复合层，以形成第二线路层；

形成第二屏蔽层在所述第二线路层上，其中所述第二屏蔽层包含第二低频屏蔽层及第二高频屏蔽层；

形成多个第二开口在所述第二屏蔽层上，以暴露出所述第二线路层；

填充多个第二硅橡胶材料在所述多个第二开口内；以及

形成多个第二导电盲孔在所述多个第二硅橡胶材料中。

2.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，在形成所述第二屏蔽层之前，还包含：

形成多个导电孔在所述第二线路层中，其中所述多个导电孔分别电性连接所述多个第一导电盲孔。

3.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，形成所述复合层的步骤包含：

形成绝缘层在所述第一屏蔽层及所述多个第一硅橡胶材料上；

形成所述石墨烯层在所述绝缘层上；以及

形成所述金属层在所述石墨烯层上。

4.根据权利要求3所述的电路板的制造方法，其特征在于，还包含：

形成至少一个第三开口在所述第二屏蔽层上并在所述多个第二开口之间，以暴露出所述绝缘层；以及

填充第三硅橡胶材料于所述至少一个第三开口内。

5.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，图案化所述复合层的步骤包含：

移除所述金属层；以及

利用等离子体图案化所述石墨烯层。

6.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，在放置所述电子元件于所述凹槽中之前，还包含：

形成粘接层在所述凹槽的底部；以及

放置所述电子元件于所述粘接层上。

7.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，形成所述第一屏蔽层的步骤包含：

形成第一介质层在所述绝缘基板及所述电子元件上；

形成所述第一低频屏蔽层在所述第一介质层上；以及

形成所述第一高频屏蔽层在所述第一低频屏蔽层上。

8.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于，形成所述第二屏蔽层的步骤包含：

形成第二介质层在所述第二线路层上；

形成所述第二低频屏蔽层在所述第二介质层上；

形成所述第二高频屏蔽层在所述第二低频屏蔽层上；以及

形成第三介质层在所述第二高频屏蔽层上。

9.一种电路板，其特征在于，包含：

绝缘基板，具有凹槽；

电子元件，设置在所述凹槽中；

第一线路层，设置在所述电子元件的顶表面上；

第一屏蔽层，设置在所述绝缘基板及所述电子元件上，其中所述第一屏蔽层与所述电子元件重叠；

多个第一硅橡胶材料，设置在所述第一屏蔽层中；

多个第一导电盲孔，设置在所述多个第一硅橡胶材料中，以电性连接所述第一线路层；

第二线路层，设置在所述第一屏蔽层上；

第二屏蔽层，设置在所述第二线路层上；

多个第二硅橡胶材料，设置在所述第二屏蔽层中；以及

多个第二导电盲孔，设置在所述多个第二导电盲孔中，以电性连接所述第二线路层。

10.根据权利要求9所述的电路板，其特征在于，所述第一屏蔽层包含：

第一介质层，设置在所述绝缘基板及所述电子元件上；

第一低频屏蔽层，设置在所述第一介质层上；以及

第一高频屏蔽层，设置在所述第一低频屏蔽层上。

11.根据权利要求9所述的电路板，其特征在于，所述第二屏蔽层包含：

第二介质层，设置在所述第二线路层上；

第二低频屏蔽层，设置在所述第二介质层上；

第二高频屏蔽层，设置在所述第二低频屏蔽层上；以及

第三介质层，设置在所述第二高频屏蔽层上。

12.根据权利要求9所述的电路板，其特征在于，还包含：

多个导电孔，设置在所述第二线路层中，其中所述多个导电孔分别电性连接所述多个第一导电盲孔。

13.根据权利要求9所述的电路板，其特征在于，所述第二线路层包含石墨烯与铜其中至少一种。

14.根据权利要求9所述的电路板，其特征在于，还包含：

第三硅橡胶材料，设置在所述第二屏蔽层中，且在所述多个第二硅橡胶材料之间。