[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN116969969A - 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置 - Google Patents

含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116969969A
CN116969969A CN202210527743.9A CN202210527743A CN116969969A CN 116969969 A CN116969969 A CN 116969969A CN 202210527743 A CN202210527743 A CN 202210527743A CN 116969969 A CN116969969 A CN 116969969A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
carbon atoms
nitrogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210527743.9A
Other languages
English (en)
Inventor
徐先彬
杨雷
金荣国
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
Original Assignee
Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd filed Critical Shaanxi Lighte Optoelectronics Material Co Ltd
Priority to PCT/CN2023/076795 priority Critical patent/WO2023197744A1/zh
Publication of CN116969969A publication Critical patent/CN116969969A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/12—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D513/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及有机电致发光材料技术领域，提供一种含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。本申请的含氮化合物包含吲哚稠合吩噻嗪/吩噁嗪的母核结构，将该含氮化合物用做有机电致发光器件的发光层主体材料时，可以显著提高器件的发光效率和使用寿命。

Description

含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置
技术领域
本申请涉及有机电致发光材料技术领域，尤其涉及含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置。
背景技术
随着电子技术的发展和材料科学的进步，用于实现电致发光或者光电转化的电子元器件的应用范围越来越广泛。有机电致发光器件(OLED)，通常包括相对设置的阴极和阳极，以及设置于阴极和阳极之间的功能层。该功能层由多层有机或者无机膜层组成，且一般包括有机发光层、空穴传输层、电子传输层等。当阴阳两极施加电压时，两电极产生电场，在电场的作用下，阴极侧的电子向电致发光层移动，阳极侧的空穴也向发光层移动，电子和空穴在电致发光层结合形成激子，激子处于激发态向外释放能量，进而使得电致发光层对外发光。
现有的有机电致发光器件中，最主要的问题体现在寿命和效率，随着显示器的大面积化，驱动电压也随之提高，发光效率及电流效率也需要提高，因此，有必要继续研发新型的材料，以进一步提高有机电致发光器件的性能。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本申请的目的在于提供一种含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置，该含氮化合物用于有机电致发光器件中，可以提高器件的性能。
根据本申请的第一方面，提供一种含氮化合物，所述含氮化合物具有由式1所示结构：
其中，X选自S或O；
基团A选自式a-1所示结构或式a-2所示结构；
HAr选自碳原子数为6～40的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的亚杂芳基；
Het为碳原子数为3～20的含氮亚杂芳基；
HAr中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基或碳原子数为6～20的芳基；
L、L1、L2和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
Ar3选自氢、碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
Ar4选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基，或者Ar4为单键；
L、L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的膦酰基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～20的芳氧基或碳原子数为6～20的芳硫基；任选地，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中，任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环。
各R1、R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基或碳原子数为3～10的环烷基，任选地，任意两个相邻的基团形成苯环；
n1代表R1的个数，n1选自0、1、2、3或4；n2代表R2的个数，n2选自0、1、2或3；n3代表R3的个数，n3选自0、1、2、3或4。
根据本申请的第二方面，提供一种有机电致发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；所述功能层包含上述的含氮化合物。
根据本申请的第三方面，提供了一种电子装置，包括第二方面所述的有机电致发光器件。
本申请化合物结构中包含吲哚稠合吩噻嗪/吩噁嗪的母核结构，吲哚并吩噻嗪/吩噁嗪中的硫或氧原子上均具有两对孤对电子，可赋予母核结构优异的空穴传输能力。当该母核结构连接芳基或富电子杂芳基，可以增强化合物的空穴传输能力，该类化合物适用于混合型主体材料中的P型材料；当该母核结构连接具有电子传输特性的含氮亚杂芳基时，可使化合物同时具有优异的空穴传输性能和电子传输性能，该类化合物适用于单一型主体材料。将本申请化合物作为混合型主体材料中的P型材料和单一型主体材料时，均可以改善发光层中载流子平衡，拓宽载流子复合区域，提高激子生成和利用效率，提高器件发光效率和寿命。
附图说明
附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。
图1是本申请一种实施方式的有机电致发光器件的结构示意图。
图2是本申请一种实施方式的电子装置的结构示意图。
附图标记
100、阳极 200、阴极 300、功能层 310、空穴注入层
321、第一空穴传输层 322、第二空穴传输层 330、有机发光层 340、电子传输层
350、电子注入层 400、电子装置
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例性实施方式。然而，示例性实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本申请将更加全面和完整，并将示例性实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多个实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本申请的实施例的充分理解。
第一方面，本申请提供一种含氮化合物，所述含氮化合物具有由式1所示的结构：
其中，连接于中任意碳原子或氮原子上；
X选自S或O；
基团A选自式a-1所示结构或式a-2所示结构；
HAr选自碳原子数为6～40的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的亚杂芳基；
Het为碳原子数为3～20的含氮亚杂芳基；
HAr中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基或碳原子数为6～20的芳基；
L、L1、L2和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
Ar3选自氢、碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
Ar4选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基，或者Ar4为单键；
当连接于中-$上的$位点时，Ar4为单键；
L、L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的膦酰基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～20的芳氧基或碳原子数为6～20的芳硫基；任选地，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中，任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环；
各R1、R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基或碳原子数为3～10的环烷基，任选地，任意两个相邻的基团形成苯环；
n1代表R1的个数，n1选自0、1、2、3或4；n2代表R2的个数，n2选自0、1、2或3；n3代表R3的个数，n3选自0、1、2、3或4。
可选地，任意两个相邻的R1形成苯环。
可选地，任意两个相邻的R2形成苯环。
可选地，任意两个相邻的R3形成苯环。
本申请中，术语“任选”、“任选地”意味着随后所描述的事件或者环境可以发生也可以不发生。例如，“任选地，任意两个相邻的取代基形成环”意味着这两个取代基可以形成环也可以不形成环，即包括：两个相邻的取代基形成环的情景和两个相邻的取代基不形成环的情景。再比如，“任选地，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中，任意两个相邻的取代基形成环”是指Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的任意两个相邻的取代基相互连接形成环，或者Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的任意两个相邻的取代基也可以各自独立的存在。“任意两个相邻”可以包括同一个原子上具有两个取代基，还可以包括两个相邻的原子上分别具有一个取代基；其中，当同一个原子上具有两个取代基时，两个取代基可以与其共同连接的原子形成饱和或不饱和的螺环；当两个相邻的原子上分别具有一个取代基时，这两个取代基可以稠合成环。
本申请中，所采用的描述方式“各……独立地为”与“……分别独立地为”和“……各自独立地为”可以互换，均应做广义理解，其既可以是指在不同基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响，也可以表示在相同的基团中，相同符号之间所表达的具体选项之间互相不影响。例如，其中，各q独立地为0、1、2或3，各R”独立地选自氢、氘、氟、氯”，其含义是：式Q-1表示苯环上有q个取代基R”，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响；式Q-2表示联苯的每一个苯环上有q个取代基R”，两个苯环上的R”取代基的个数q可以相同或不同，各个R”可以相同也可以不同，每个R”的选项之间互不影响。
本申请中，“取代或未取代的”这样的术语是指，在该术语后面记载的官能团可以具有或不具有取代基(下文为了便于描述，将取代基统称为Rc)。举例来讲，“取代或未取代的芳基”是指具有取代基Rc的芳基或者没有取代的芳基。其中上述的取代基即Rc例如可以为氘、卤素基团、氰基、杂芳基、芳基、三烷基硅基、烷基、卤代烷基、环烷基等。取代的个数可以是1个或多个。
本申请中，“多个”是指2个以上，例如2个、3个、4个、5个、6个，等。
本申请化合物结构中的氢原子，包括氢元素的各种同位素原子，例如氢(H)、氘(D)或氚(T)。
本申请中，取代或未取代的官能团的碳原子数，指的是所有碳原子数。举例而言，若L1为碳原子数为12的取代的亚芳基，则亚芳基及其上的取代基的所有碳原子数为12。
本申请中，芳基指的是衍生自芳香碳环的任选官能团或取代基。芳基可以是单环芳基(例如苯基)或多环芳基，换言之，芳基可以是单环芳基、稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个单环芳基、通过碳碳键共轭连接的单环芳基和稠环芳基、通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个稠环芳基。即，除非另有说明，通过碳碳键共轭连接的两个或者更多个芳香基团也可以视为本申请的芳基。其中，稠环芳基例如可以包括双环稠合芳基(例如萘基)、三环稠合芳基(例如菲基、芴基、蒽基)等。芳基中不含有B、N、O、S、P、Se和Si等杂原子。芳基的实例可以包括但不限于，苯基、萘基、芴基、螺二芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、三亚苯基、苝基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、基等。
本申请中，涉及的亚芳基是指芳基进一步失去一个或多个氢原子所形成的二价或多价基团。
本申请中，三联苯基包括
本申请中，取代的芳基的碳原子数，指的是芳基和芳基上的取代基的碳原子总数，例如碳原子数为18的取代的芳基，指的是芳基和取代基的总碳原子数为18。
本申请中，取代或未取代的芳基(亚芳基)的碳原子数可以为6、8、10、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、28、30、31、33、34、35、36、38或40等。在一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～30的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的芳基是碳原子数为6～15的取代或未取代的芳基。
本申请中，芴基可以被1个或多个取代基取代。在上述芴基被取代的情况下，取代的芴基可以为：等，但并不限定于此。
本申请中，作为L、L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的取代基的芳基，例如但不限于，苯基、萘基、菲基、联苯基、芴基、二甲基芴基等等。
在本申请中，杂芳基是指环中包含1、2、3、4、5或6个杂原子的一价芳香环或其衍生物，杂原子可以是B、O、N、P、Si、Se和S中的一种或多种。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基，换言之，杂芳基可以是单个芳香环体系，也可以是通过碳碳键共轭连接的多个芳香环体系，且任一芳香环体系为一个芳香单环或者一个芳香稠环。示例地，杂芳基可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、噁唑基、噁二唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异噁唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、硅芴基、二苯并呋喃基以及N-苯基咔唑基、N-吡啶基咔唑基、N-甲基咔唑基等，而不限于此。
本申请中，涉及的亚杂芳基是指杂芳基进一步失去一个或多个氢原子所形成的二价或多价基团。
本申请中，取代或未取代的杂芳基(亚杂芳基)的碳原子数可以选自3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28、29、30、31、32、33、34、35、36、37、38、39或40等。在一些实施方式中，取代或未取代的杂芳基是总碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的杂芳基是总碳原子数为3～30的取代或未取代的杂芳基，另一些实施方式中，取代或未取代的杂芳基是总碳原子数为5～12的取代或未取代的杂芳基。
本申请中，作为L、L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4的取代基的杂芳基例如但不限于，吡啶基、咔唑基、喹啉基、异喹啉基、菲啰啉基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基。
本申请中，取代的杂芳基可以是杂芳基中的一个或者两个以上氢原子被诸如氘原子、卤素基团、-CN、芳基、杂芳基、三烷基硅基、烷基、环烷基、卤代烷基等基团取代。应当理解地是，取代的杂芳基的碳原子数，指的是杂芳基和杂芳基上的取代基的碳原子总数。
本申请中，碳原子数为1～10的烷基可以包括碳原子数1至10的直链烷基和碳原子数3至10的支链烷基。烷基的碳原子数例如可以为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10个，烷基的具体实例包括但不限于，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、新戊基、正己基等。
本申请中，卤素基团例如可以为氟、氯、溴、碘。
本申请中，三烷基硅基的具体实例包括但不限于，三甲基硅基、三乙基硅基等。
本申请中，卤代烷基的具体实例包括但不限于，三氟甲基。
本申请中，碳原子数为3～10的环烷基的碳原子数例如可以为3、4、5、6、7、8或10。环烷基的具体实例包括但不限于，环戊基、环己基、金刚烷基。
在本申请中，碳原子数为3-20的含氮亚杂芳基就是指具有3～20个碳原子，且包含至少1个氮原子的亚杂芳基。
在本申请中，“-*”、“-$”、“-#”，均是指与其他基团相互连接的化学键，键上的各种标记仅是为了区分彼此。
本申请中，不定位连接键涉及的从环体系中伸出的单键其表示该连接键的一端可以连接该键所贯穿的环体系中的任意位置，另一端连接化合物分子其余部分。举例而言，如下式(f)中所示地，式(f)所表示的萘基通过两个贯穿双环的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(f-1)～式(f-10)所示出的任一可能的连接方式。
再举例而言，如下式(X')中所示地，式(X')所表示的二苯并呋喃基通过一个从一侧苯环中间伸出的不定位连接键与分子其他位置连接，其所表示的含义，包括如式(X'-1)～式(X'-4)所示出的任一可能的连接方式。
本申请中的不定位取代基，指的是通过一个从环体系中央伸出的单键连接的取代基，其表示该取代基可以连接在该环体系中的任何可能位置。例如，如下式(Y)中所示地，式(Y)所表示的取代基R'通过一个不定位连接键与喹啉环连接，其所表示的含义，包括如式(Y-1)～式(Y-7)所示出的任一可能的连接方式。
在一些实施方式中，式1所示化合物选自以下所示结构：
在一些实施方式中，式1所示化合物选自以下所示结构：
本申请化合物中的基团连接方式如式2-1～2-7所示时，母核稳定性较高，分子热稳定性提高，应用于器件的发光层中，可以提高器件寿命。
本申请中，Het为碳原子数为3～20的含氮亚杂芳基。优选地，所述Het基团中至少包含两个氮原子。
在一些实施方式中，Het选自亚三嗪基、亚嘧啶基或亚吡啶基。
在一些实施方式中，Het选自其中，-*表示与L连接的键，表示与L1或L2连接的键。
在本申请的一些实施方式中，Het或HAr为缺电子含氮杂芳基(亦称贫电子杂芳基)，所述缺电子含氮杂芳基中至少包含一个氮原子，sp2杂化氮原子在整体上能够降低杂芳基的共轭体系的电子云密度而不是提高杂芳基的共轭体系的电子云密度，杂原子上的孤对电子不参与到共轭体系中，且杂原子由于较强的电负性而使得共轭体系的电子云密度降低。举例而言，缺电子含氮杂芳基可以包括但不限于三嗪基、嘧啶基、喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、菲咯啉基、苯并喹唑啉基、菲并咪唑基、苯并呋喃并嘧啶基、苯并噻吩并嘧啶基等。缺电子含氮杂芳基可以形成化合物的电子传输核心基团，使得化合物能够有效地实现电子传输，进而能够有效的平衡电子和空穴在有机发光层的传输速率。
在本申请的另一些实施方式中，HAr为富电子芳香基团，基团整体电子云密度丰富，举例而言，富电子芳香基团可以包括但不限于亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚蒽基、亚菲基、亚芴基、亚二苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚咔唑基、亚三亚苯基、亚芘基、亚苝基、亚螺二芴基等，等。富电子芳香基团可以形成化合物的空穴传输辅助基团，使得化合物能够有效地实现空穴传输，进而能够有效的平衡电子和空穴在有机发光层的传输速率。
在一些实施方式中，HAr选自碳原子数为6、7、8、9、10、11、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24或25的取代或未取代的亚芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17或18的取代或未取代的亚杂芳基。
可选地，HAr中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团或碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基或碳原子数为6～12的芳基。
在一些实施方式中，HAr选自取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚螺二芴基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚咔唑基或者选自取代或未取代的以下基团：
；-#表示与L连接的键，表示与L3连接的键；HAr中的各取代基相同或不同，各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三氟甲基、碳原子数为1～4的烷基或苯基。
在一些实施方式中，HAr选自取代或未取代的基团W，所述未取代的基团W选自如下基团：
-#表示与L连接的键，表示与L3连接的键；
取代的基团W中具有一个或两个以上取代基，取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或苯基，且当取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
在一些实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中，Ar1和Ar2各自独立地选自碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24或25的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、12、13、14、15、16、17、18、19或20的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中，Ar3选自氢、碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中，Ar3选自氢、碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24或25的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、12、13、14、15、16、17、18、19或20的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中，Ar4选自单键、碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中，Ar4选自单键、碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24或25的取代或未取代的芳基，碳原子数为5、6、7、8、9、10、12、13、14、15、16、17、18、19或20的取代或未取代的杂芳基。
在一些实施方式中，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为5～10的环烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为3～8的三烷基硅基，任选地，任意两个相邻的取代基形成苯环或芴环。
在一些实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的菲罗啉基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并咪唑基。
可选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基，任选地，Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成苯环。
在一些实施方式中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自以下基团：
在一些实施方式中，Ar3选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的喹啉基。
可选地，Ar3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噁唑基或苯并噻唑基，任选地，Ar3中，任意两个相邻的取代基形成苯环。
在一些实施方式中，Ar1和Ar2各自独立地选自取代或未取代的基团W；Ar3选自氢、取代或未取代的基团W；Ar4为单键或者选自取代或未取代的基团W；其中，所述未取代的基团W选自如下基团构成的组：
取代的基团W中具有一个或两个以上取代基，取代的基团W的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯并噁唑基或苯并噻唑基，且当基团W上的取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
在一些实施方式中，Ar3选自氢或者以下基团构成的组：
在一些实施方式中，Ar4选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基。
可选地，Ar4中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或咔唑基，任选地，Ar4中，任意两个相邻的取代基形成苯环。
在一些实施方式中，Ar4选自单键或以下基团构成的组：
在一些实施方式中，L、L1、L2和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6、7、8、9、10、11、12、13、14或15的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17或18的取代或未取代的亚杂芳基。
可选地，L、L1、L2和L3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为3～8的三烷基硅基、碳原子数为1～4的氟代烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、苯基或萘基。
在一些实施方式中，L和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基。
在一些实施方式中，L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚吡啶基。
可选地，L、L3、L1和L2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、三甲基硅基或苯基。
在一些实施方式中，L和L3各自独立地选自单键或以下基团构成的组：
在一些实施方式中，L1和L2各自独立地选自单键或以下基团构成的组：
在一些实施方式中，各R1、R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、氟、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基，任选地，任意两个相邻的基团形成苯环。
在一些实施方式中，基团A选自以下基团构成的组：
可选地，所述含氮化合物选自以下所示的化合物构成的组：
本申请的第二方面，提供一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极，以及设置在阳极与阴极之间的功能层；其中，功能层包含本申请第一方面所述的含氮化合物。
本申请所提供的含氮化合物可以用于形成功能层中的至少一个有机膜层，以改善有机电致发光器件的发光效率和寿命等特性。
可选地，所述功能层包括有机发光层，所述有机发光层包括所述含氮化合物。其中，有机发光层既可以由本申请所提供的含氮化合物组成，也可以由本申请所提供的含氮化合物和其他材料共同组成。
按照一种具体的实施方式，所述有机电致发光器件如图1所示，有机电致发光器件可以包括依次层叠设置的阳极100、空穴注入层310、第一空穴传输层321、第二空穴传输层(空穴辅助层)322、有机发光层330、电子传输层340、电子注入层350和阴极200。
本申请中，阳极100包括阳极材料，其优选地是有助于空穴注入至功能层中的具有大逸出功(功函数，work function)材料。阳极材料的具体实例包括:金属如镍、铂、钒、铬、铜、锌和金或它们的合金；金属氧化物如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)；组合的金属和氧化物如ZnO:Al或SnO2:Sb；或导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩](PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。优选包括包含氧化铟锡(铟锡氧化物，indium tin oxide)(ITO)作为阳极的透明电极。
本申请中，空穴传输层可以包括一种或者多种空穴传输材料，空穴传输层材料可以选自咔唑多聚体、咔唑连接三芳胺类化合物或者其他类型的化合物，具体可以选自如下所示的化合物或者其任意组合：
在一种实施方式中，第一空穴传输层321可由α-NPD组成。
在一种实施方式中，第二空穴传输层322由HT-1组成。
可选地，在阳极100和第一空穴传输层321之间还设置有空穴注入层310，以增强向第一空穴传输层321注入空穴的能力。空穴注入层310可以选用联苯胺衍生物、星爆状芳基胺类化合物、酞菁衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。所述空穴注入层310的材料例如可以选自如下化合物或者其任意组合；
在一种实施方式中，空穴注入层310由PD组成。
本申请中，有机发光层330可以由单一发光材料组成，也可以包括主体材料和客体材料。可选地，有机发光层330由主体材料和客体材料组成，注入有机发光层330的空穴和注入有机发光层330的电子可以在有机发光层330复合而形成激子，激子将能量传递给主体材料，主体材料将能量传递给客体材料，进而使得客体材料能够发光。
有机发光层330的主体材料可以包含金属螯合类化合物、双苯乙烯基衍生物、芳香族胺衍生物、二苯并呋喃衍生物或者其他类型的材料。可选地，所述主体材料包含本申请的含氮化合物。
有机发光层330的客体材料可以为具有缩合芳基环的化合物或其衍生物、具有杂芳基环的化合物或其衍生物、芳香族胺衍生物或者其他材料，本申请对此不做特殊的限制。客体材料又称为掺杂材料或掺杂剂。按发光类型可以分为荧光掺杂剂和磷光掺杂剂。所述磷光掺杂剂的具体实例包括但不限于，
在本申请的一种实施方式中，所述有机电致发光器件为红色有机电致发光器件。在一种更具体的实施方式中，有机发光层330的主体材料包含本申请的含氮化合物。客体材料例如可以为Ir(Mphq)3。
在本申请的一种实施方式中，所述有机电致发光器件为绿色有机电致发光器件。在一种更具体的实施方式中，有机发光层330的主体材料包含本申请的含氮化合物。客体材料例如可以为fac-Ir(ppy)3。
电子传输层340可以为单层结构，也可以为多层结构，其可以包括一种或者多种电子传输材料，电子传输材料可以选自但不限于，BTB、LiQ、苯并咪唑衍生物、噁二唑衍生物、喹喔啉衍生物或者其他电子传输材料，本申请对比不作特殊限定。所述电子传输层340的材料包含但不限于以下化合物：
在本申请的一种实施方式中，电子传输层340可以由BTB和LiQ组成，或者由ET-2和LiQ组成。
本申请中，阴极200可以包括阴极材料，其是有助于电子注入至功能层中的具有小逸出功的材料。阴极材料的具体实例包括但不限于，金属如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或它们的合金；或多层材料如LiF/Al、Liq/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca。可选地，包括包含镁和银的金属电极作为阴极。
可选地，在阴极200和电子传输层340之间还设置有电子注入层350，以增强向电子传输层340注入电子的能力。电子注入层350可以包括有碱金属硫化物、碱金属卤化物等无机材料，或者可以包括碱金属与有机物的络合物。在本申请的一种实施方式中，电子注入层350可以包括镱(Yb)。
本申请第三方面提供一种电子装置，包括本申请第二方面所述的有机电致发光器件。
按照一种实施方式，如图2所示，所提供的电子装置为电子装置400，其包括上述有机电致发光器件。电子装置400例如可以为显示装置、照明装置、光通讯装置或者其他类型的电子装置，例如可以包括但不限于电脑屏幕、手机屏幕、电视机、电子纸、应急照明灯、光模块等。
下面结合合成实施例来具体说明本申请的含氮化合物的合成方法，但是本公开并不因此而受到任何限制。
合成实施例
所属领域的专业人员应该认识到，本申请所描述的化学反应可以用来合适地制备许多本申请的有机化合物，且用于制备本申请的化合物的其它方法都被认为是在本申请的范围之内。例如，根据本申请那些非例证的化合物的合成可以成功地被所属领域的技术人员通过修饰方法完成，如适当的保护干扰基团，通过利用其他已知的试剂除了本申请所描述的，或将反应条件做一些常规的修改。本申请中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。
Sub-a1的合成：
氮气氛围下，向500mL三口瓶中，依次加入吲哚(5.85g，50mmol)，1-溴-4-氯萘(13.20g，55mmol)，碘化亚铜(0.19g，1mmol)，邻菲罗啉(3.60g,20mmol)，18-冠醚-6(1.32g，5mmol)，无水碳酸钾(13.82g，100mmol)和DMF(150mL)，开启搅拌和加热，升温至回流反应16h。待体系冷却至室温后，用二氯甲烷萃取(100mL×3次)，合并有机相并用无水硫酸镁干燥，过滤后减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体Sub-a1(11.36g，收率82％)。
参照Sub-a1的合成，使用表1中所示的反应物A替代1-溴-4-氯萘，合成Sub-a2和Sub-a3。
表1：Sub-a2和Sub-a3的合成
Sub-b1的合成：
氮气氛围下，向250mL三口瓶中，加入反应物(CAS:3377-71-7，10.36g，50mmol)，2-氯环己酮(6.60g,50mmol)，无水碳酸钠(6.36g,60mmol)和2,2,2-三氟乙酸(75mL)，室温搅拌反应48小时。反应结束后，减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体Sub-b1(11.97g，收率79％)。
参照Sub-a1的合成，使用表2中所示的反应物B替代CAS:3377-71-7，合成Sub-b2至Sub-b12。
表2：Sub-b2至Sub-b12的合成
Sub-c1的合成:
空气氛围下，向500mL三口瓶中依次加入Sub-b8(14.45g，50mmol)，2-氨基-4-氯苯硫酚(11.92g,75mmol)，高碘酸钠(2.16g，10mmol)，DMSO(15.63g,200mmol)和1,4-二氧六环(150mL)，升温至回流，搅拌反应12小时；待体系降温至室温后，用二氯甲烷萃取(100mL×3次)，合并有机相并用无水硫酸镁干燥，过滤后减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷/乙酸乙酯作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体Sub-c1(8.71g，收率41％)。
参照Sub-c1的合成，使用表3中所示的反应物C替代Sub-b8，反应物D替代2-氨基-4-氯苯硫酚，合成Sub-c2至Sub-c14。
表3：Sub-c2至Sub-c14的合成
Sub-d1的合成:
空气氛围下，向500mL三口瓶中加入Sub-c1(21.20g，50mmol)，溴化亚铜(1.43g,10mmol)和DMF(220mL)，开启搅拌和加热，升温至100℃反应12h。待体系冷却至室温后，用二氯甲烷萃取(150mL×3次)，合并有机相并用无水硫酸镁干燥，过滤后减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷/乙酸乙酯作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体Sub-d1(14.16g，收率67％)。
参照Sub-d1的合成，使用表4中所示的反应物E替代Sub-c1，合成Sub-d2至Sub-d14。
表4：Sub-d2至Sub-d14的合成
Sub-e1的合成
氮气氛围下，向500mL三口瓶中，依次加入Sub-d1(21.10g，50mmol)，4-氯苯硼酸(8.58g，55mmol)，醋酸钯(0.22g，1.0mmol)，2-二环己基膦-2',4',6'三异丙基联苯(X-Phos，0.95g，2mmol)，无水碳酸钾(13.82g，100mmol)，甲苯(220mL)，四氢呋喃(55mL)和去离子水(55mL)，开启搅拌和加热，升温至回流反应16h。待体系冷却至室温后，用二氯甲烷萃取(100mL×3次)，合并有机相并用无水硫酸镁干燥，过滤后减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体Sub-e1(18.18g，收率73％)。
参照Sub-e1的合成，使用表5中所示的反应物F替代4-氯苯硼酸，合成Sub-e2。
表5：Sub-e2的合成
Sub-f1的合成:
氮气氛围下，向500mL三口瓶中依次加入Sub-d4(20.11g，50mmol)，叔丁醇钾(56.10g,500mmol)和DMSO(300mL)，开启搅拌和加热，升温至50～60℃反应4h。待体系冷却至室温后，将反应液倒入500mL去离子水中，有沉淀析出；抽滤并取滤固，滤固用二氯甲烷(200mL)，溶解后，加入无水硫酸钠干燥，过滤并取滤液，减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体化合物Sub-f1(13.11g，收率84％)。
参照Sub-f1的合成，使用表6中所示的反应物G替代Sub-d4，合成Sub-f2。
表6：Sub-f2的合成
Sub-g1的合成
氮气氛围下，向500mL三口瓶中依次加入Sub-f2(17.30g，50mmol)，1-(4-溴苯基)萘(15.51g，55mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3，0.916g，1mmol)，XPhos(0.95g，2mmol)，叔丁醇钠(t-BuONa，9.61g，100mmol)和甲苯(180mmol)，升温至回流，搅拌反应过夜；待体系降温至室温后，将反应液倒入500mL去离子水中，充分搅拌30min，抽滤，滤饼用去离子水淋洗至中性，再用无水乙醇淋洗(200mL)；正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得白色固体Sub-g1(20.0g，产率73％)。
参照Sub-g1的合成，使用表7中所示的反应物H替代Sub-f2，反应物J替代1-(4-溴苯基)萘，合成Sub-g2。
表7：Sub-g2的合成
Sub-h1的合成
氮气氛围下，向500mL三口瓶中依次加入Sub-d5(21.10g，50mmol)，联硼酸频那醇酯(15.24g，60mmol)，醋酸钾(9.81g，100mmol)和1,4-二氧六环(220mL)，开启搅拌和加热，待体系升温至40℃，迅速加入Pd2(dba)3(0.46g，0.5mmol)和XPhos(0.48g，1.0mmol)，继续升温至回流，搅拌反应过夜。待体系冷却至室温后，向体系中加入200mL水，充分搅拌30min，减压抽滤，滤饼用去离子水洗至中性，再用100mL无水乙醇淋洗，得灰色固体；粗品用正庚烷打浆一次，再用200mL甲苯溶解后过硅胶柱，除去催化剂，浓缩后得白色固体Sub-h1(19.54g，产率76％)。
参照Sub-h1的合成，使用表8中所示的反应物K替代Sub-d5，合成Sub-h2至Sub-h16。
表8：Sub-h2至Sub-h16的合成
Sub-j1的合成:
氮气氛围下，向500mL三口瓶中依次加入2-(4-联苯基)-4,6-二氯-1,3,5-三嗪(22.66g，75mmol)，3-菲硼酸(11.10g，50mmol)，四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4，0.58g，0.5mmol)，四丁基溴化铵(TBAB，1.61g，5mmol)，无水碳酸钾(13.82g，100mmol)，甲苯(220mL)和去离子水(55mL)，开启搅拌和加热，升温至65-70℃反应16h。待体系冷却至室温后，用二氯甲烷萃取(100mL×3次)，有机相用无水硫酸镁干燥后，过滤后减压蒸馏除去溶剂，得粗品。粗品用甲苯重结晶后得到白色固体Sub-j1(14.62g，收率66％)。
参照Sub-j1的合成，使用表9中所示的反应物L替代2-(4-联苯基)-4,6-二氯-1,3,5-三嗪，反应物M替代3-菲硼酸，合成Sub-j2和Sub-j6。
表9：Sub-j2和Sub-j6的合成
化合物3的合成：
向1000mL三口瓶中依次加入Sub-h1(15.60g，50mmol)，CAS:2737218-48-1(27.10g，75mmol)和干燥的DMF(400mL)，将体系降温至-10℃，快速加入钠氢(60％含量，2.2g，55mmol)，搅拌反应过夜。将反应液倒入500mL去离子水中，充分搅拌30min，抽滤，滤固用去离子水洗至中性，再用无水乙醇(200mL)淋洗，得粗品；粗品用甲苯重结晶后得绿色固体化合物3(24.85g，产率78％)，质谱m/z＝638.2[M+H]+。
参照化合物3的合成，使用表10中所示的反应物N替代CAS:2737218-48-1，合成表10中的本申请化合物。
表10：本申请化合物的合成
化合物80的合成：
氮气氛围下，向500mL三口瓶中依次加入Sub-f1(18.51g，36mmol)，CAS:2568464-79-7(10.26g，30mmol)，四(三苯基膦)钯(Pd(PPh3)4，0.42g，0.36mmol)，四丁基溴化铵(TBAB，1.16g，3.6mmol)，无水碳酸钾(9.95g，72mmol)，甲苯(180mL)，四氢呋喃(45mL)和去离子水(45mL)，开启搅拌和加热，升温至回流反应12小时。待体系冷却至室温后，用二氯甲烷萃取(100mL×3次)，有机相用无水硫酸镁干燥后，过滤后减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体化合物80(15.60g，收率75％),m/z＝695.2[M+H]+。
参照化合物80的合成，使用表11中所示的反应物O替代Sub-f1，反应物P替代CAS:2568464-79-7，合成下述本申请化合物：
表11：本申请化合物的合成
化合物349的合成：
氮气氛围下，向500mL三口瓶中依次加入Sub-h1(15.60g，50mmol)，CAS:1852465-55-4(20.4g，60mmol)，无水碳酸钾(6.91g，50mmol)，甲苯(180mL)，二甲氨基吡啶(3.05g，25mmol)和N,N-二甲基乙酰胺(160mL)，开启搅拌和加热，升温至220℃回流反应12小时。待体系冷却至室温后，用乙酸乙酯萃取(100mL×3次)，有机相用无水硫酸镁干燥后，过滤后减压蒸馏除去溶剂，得粗品。用正庚烷/乙酸乙酯作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯，得到白色固体化合物349(16.33g，收率53％,m/z＝617.2[M+H]+。
参照化合物349的合成，使用表12中所示的反应物P替代CAS:1852465-55-4，合成下述本申请化合物：
表12
化合物803的合成：
氮气氛围下，向250mL三口瓶中依次加入Sub-h1(7.81g，25mmol)，CAS:1419864-64-4(11.61g，27.5mmol)，三(二亚苄基丙酮)二钯(Pd2(dba)3，0.46g，0.5mmol)，(2-二环己基膦-2',4',6'三异丙基联苯)(X-Phos，0.48g，1mmol)，叔丁醇钠(t-BuONa，4.8g，50mmol)和二甲苯(xylene，120mL)，升温至回流，搅拌反应过夜；待体系降温至室温后，将反应液倒入500mL去离子水中，充分搅拌30min，抽滤，滤饼用去离子水淋洗至中性，再用无水乙醇淋洗(200mL)得粗品；用正庚烷/二氯甲烷作为流动相对粗品进行硅胶柱色谱提纯得白色固体(12.10g；产率74％)。
参照化合物803的合成，使用表13中所示的反应物Q替代CAS:1419864-64-4，合成下述本申请化合物：
表13
化合物7核磁：1H-NMR(400MHz,CD2Cl2)δppm 8.55-8.50(m,4H),8.14(d,1H),8.08(d,2H),7.98(d,1H),7.90(d,1H),7.86(d,1H),7.81-7.78(m,2H),7.73(d,1H),7.64(d,1H),7.58(t,1H),7.54-7.47(m,3H),7.42(t,2H),7.36(d,1H),7.24(t,1H),7.19-7.15(m,2H),7.10(d,1H),7.02(t,1H),6.82(d,1H).
化合物730核磁：1H-NMR(400MHz,CD2Cl2)δppm 8.16(d,2H),8.02(d,1H),7.90(d,1H),7.74(d,1H),7.66-7.62(m,2H),7.59-7.50(m,6H),7.44(d,1H),7.39-7.31(m,4H),7.24(t,1H),7.18-7.08(m,5H),7.02(t,1H),6.82(d,1H).
有机电致发光器件制备及评估：
实施例1：红色有机电致发光器件的制备
先通过以下过程进行阳极预处理：在厚度依次为的ITO/Ag/ITO基板上，利用紫外臭氧以及O2:N2等离子进行表面处理，以增加阳极的功函数，采用有机溶剂清洗ITO基板表面，以清除ITO基板表面的杂质及油污。
在实验基板(阳极)上真空蒸镀PD以形成厚度为的空穴注入层(HIL)，然后在空穴注入层上真空蒸镀α-NPD,形成为的第一空穴传输层。
在第一空穴传输层上真空蒸镀化合物HT-1，形成厚度为的第二空穴传输层。
接着，在第二空穴传输层上，将化合物3:Ir(Mphq)3以98％:2％的蒸镀速率比例进行共同蒸镀，形成厚度为的红光有机发光层(EML)。
在有机发光层上，将化合物BTB和LiQ以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成厚的电子传输层(ETL)，将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层(EIL)，然后将镁(Mg)和银(Ag)以1:9的蒸镀速率混合，真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为的阴极。
此外，在上述阴极上真空蒸镀CP-1，形成厚度为的覆盖层(CPL)，从而完成红色有机电致发光器件的制造。
实施例2～43
除了在制作有机发光层时，分别以下表14中的其余化合物代替实施例1中的化合物3之外，利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件。
比较例1～3
除了在制作有机发光层时，分别以化合物A、化合物B、化合物C代替实施例1中的化合物3之外，利用与实施例1相同的方法制备有机电致发光器件。
其中，在各实施例及比较例中，所用的主要材料的结构如下：
对实施例1～43和比较例1～3制备所得的红色有机电致发光器件进行性能测试，具体在10mA/cm2的条件下测试了器件的IVL性能，T95器件寿命在20mA/cm2的条件下进行测试，测试结果见表14。
表14
根据表14可知，将本申请化合物用做有机电致发光器件的主体材料，与对比例1～3相比，本申请化合物作为红光主体材料时，在维持工作电压较低的情况下，器件效率至少提高10.8％，寿命至少提高了11.1％。
实施例44：红色有机电致发光器件
先通过以下过程进行阳极预处理：在厚度依次为的ITO/Ag/ITO基板上，利用紫外臭氧以及O2:N2等离子进行表面处理，以增加阳极的功函数，采用有机溶剂清洗ITO基板表面，以清除ITO基板表面的杂质及油污。
在实验基板(阳极)上真空蒸镀PD以形成厚度为的空穴注入层(HIL)，然后在空穴注入层上真空蒸镀α-NPD,形成厚度为的第一空穴传输层。
在第一空穴传输层上真空蒸镀化合物HT-1，形成厚度为的第二空穴传输层。
接着，在第二空穴传输层上，将RH-N:化合物660:Ir(Mphq)3以49％：49％:2％的蒸镀速率比例进行共同蒸镀，形成厚度为的红光发光层(EML)。
在发光层上，将化合物BTB和LiQ以1:1的重量比进行混合并蒸镀形成厚的电子传输层(ETL)，将Yb蒸镀在电子传输层上以形成厚度为的电子注入层(EIL)，然后将镁(Mg)和银(Ag)以1:9的蒸镀速率混合，真空蒸镀在电子注入层上，形成厚度为的阴极。
此外，在上述阴极上真空蒸镀厚度为的CP-1，从而完成红色有机电致发光器件的制造。
实施例45～56
除了在制作有机发光层时，以下表15中的化合物代替实施例44中的化合物660之外，利用与实施例44相同的方法制备有机电致发光器件。
比较例4～5
除了在制作有机发光层时，以化合物D和化合物E代替实施例44中的化合物660之外，利用与实施例44相同的方法制备有机电致发光器件。
其中，实施例44～56及比较例4～5中，所采用的主要材料的结构如下：
对实施例44～56和比较例4和5制备所得的红色有机电致发光器件进行性能测试，具体在10mA/cm2的条件下测试了器件的IVL性能，T95器件寿命在20mA/cm2的条件下进行测试，测试结果见表15。
表15
参考上表15可知，将本发明化合物用做红色有机电致发光器件的premix型主体材料中的P型主体时，在维持工作电压较低的情况下，器件的发光效率至少提高13.1％，寿命至少提高了16％。
本申请化合物结构中包含吲哚稠合吩噻嗪/吩噁嗪的母核结构，吲哚并吩噻嗪/吩噁嗪中的硫或氧原子上均具有两对孤对电子，可赋予母核结构优异的空穴传输能力。当该母核结构连接芳基或富电子杂芳基，可以增强化合物的空穴传输能力，该类化合物适用于混合型主体材料中的P型材料；当该母核结构连接具有电子传输特性的含氮亚杂芳基时，可使化合物同时具有优异的空穴传输性能和电子传输性能，该类化合物适用于单一型主体材料。将本申请化合物作为混合型主体材料中的P型材料和单一型主体材料时，可以改善发光层中载流子平衡，拓宽载流子复合区域，提高激子生成和利用效率，提高器件发光效率和寿命。

Claims (15)

1.含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物具有由式1所示结构：
其中，X选自S或O；
基团A选自式a-1所示结构或式a-2所示结构；
HAr选自碳原子数为6～40的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的亚杂芳基；
Het为碳原子数为3～20的含氮亚杂芳基；
HAr中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基或碳原子数为6～20的芳基；
L、L1、L2和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、碳原子数为6～30的取代或未取代的亚芳基、碳原子数为3～30的取代或未取代的亚杂芳基；
Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
Ar3选自氢、碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基；
Ar4选自碳原子数为6～40的取代或未取代的芳基、碳原子数为3～40的取代或未取代的杂芳基，或者Ar4为单键；
L、L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的取代基相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、三苯基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为6～20的膦酰基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为6～20的芳氧基或碳原子数为6～20的芳硫基；任选地，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中，任意两个相邻的取代基形成饱和或不饱和的3～15元环；
各R1、R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、卤素基团、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的氘代烷基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基或碳原子数为3～10的环烷基，任选地，任意两个相邻的基团形成苯环；
n1代表R1的个数，n1选自0、1、2、3或4；n2代表R2的个数，n2选自0、1、2或3；n3代表R3的个数，n3选自0、1、2、3或4。
2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，式1所示的含氮化合物选自以下所示结构：
3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Het选自亚三嗪基、亚嘧啶基或亚吡啶基；
可选地，Het选自其中，-*表示与L连接的键，表示与L1或L2连接的键。
4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，HAr选自取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚螺二芴基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚咔唑基，或者选自取代或未取代的以下基团：
-#表示与L连接的键，表示与L3连接的键；HAr中的各取代基相同或不同，各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三氟甲基、碳原子数为1～4的烷基或苯基。
5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，HAr选自取代或未取代的基团W，所述未取代的基团W选自如下基团：
-#表示与L连接的键，表示与L3连接的键；
取代的基团W中具有一个或两个以上取代基，取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三氟甲基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基或苯基，且当取代基个数大于1时，各取代基相同或不同。
6.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；
可选地，Ar3选自氢、碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；
可选地，Ar4选自单键、碳原子数为6～25的取代或未取代的芳基、碳原子数为5～20的取代或未取代的杂芳基；
可选地，Ar1、Ar2、Ar3和Ar4中的取代基各自独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为1～4的氘代烷基、碳原子数为1～4的烷基、碳原子数为5～10的环烷基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为5～12的杂芳基、碳原子数为3～8的三烷基硅基，任选地，任意两个相邻的取代基形成苯环或芴环。
7.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的菲罗啉基、取代或未取代的苯并噻唑基、取代或未取代的苯并噁唑基、取代或未取代的苯并咪唑基；
可选地，Ar1和Ar2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或咔唑基，任选地，Ar1和Ar2中，任意两个相邻的取代基形成苯环。
8.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar3选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的喹啉基；
可选地，Ar3中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基或吡啶基，任选地，Ar3中，任意两个相邻的取代基形成苯环。
9.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，Ar4选自单键、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的螺二芴基、取代或未取代的三亚苯基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的咔唑基；
可选地，Ar4中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、三氘代甲基、三甲基硅基、三氟甲基、环戊基、环己基、金刚烷基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基或咔唑基，任选地，Ar4中，任意两个相邻的取代基形成苯环。
10.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，L和L3相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基；
可选地，L1和L2相同或不同，且各自独立地选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚吡啶基；
可选地，L、L3、L1和L2中的取代基各自独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、三氟甲基、三氘代甲基、三甲基硅基或苯基。
11.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，各R1、R2和R3相同或不同，且各自独立地选自氘、氰基、氟、三甲基硅基、三氘代甲基、三氟甲基、环戊基、环己基、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基或萘基，任选地，任意两个相邻的基团形成苯环。
12.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，基团A选自下列基团构成的组：
13.根据权利要求1所述的含氮化合物，其中，所述含氮化合物选自以下化合物所组成的组：
14.有机电致发光器件，包括相对设置的阳极和阴极，以及设于所述阳极和所述阴极之间的功能层；其特征在于，所述功能层包含权利要求1～13中任一项所述的含氮化合物；
可选地，所述功能层包括有机发光层，所述有机发光层包含所述含氮化合物。
15.电子装置，其特征在于，包括权利要求13或14所述的有机电致发光器件。
CN202210527743.9A 2022-04-15 2022-05-16 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置 Pending CN116969969A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2023/076795 WO2023197744A1 (zh) 2022-04-15 2023-02-17 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210394816 2022-04-15
CN2022103948161 2022-04-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116969969A true CN116969969A (zh) 2023-10-31

Family

ID=88478371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210527743.9A Pending CN116969969A (zh) 2022-04-15 2022-05-16 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116969969A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116396292A (zh) * 2023-04-04 2023-07-07 武汉天马微电子有限公司 一种有机化合物及其应用

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116396292A (zh) * 2023-04-04 2023-07-07 武汉天马微电子有限公司 一种有机化合物及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114456174B (zh) 含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN114805179B (zh) 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN113285038B (zh) 一种有机电致发光器件及电子装置
CN112830889B (zh) 含氮化合物、电子元件和电子装置
CN113121408B (zh) 含氮化合物、电子元件和电子装置
CN114230562B (zh) 杂环化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN114456172B (zh) 含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN115304615B (zh) 杂环化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN113004287A (zh) 含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN115521214B (zh) 有机化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN113912615B (zh) 含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN114133351A (zh) 含氮化合物及包含其的电子元件和电子装置
CN115557937B (zh) 含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN116969969A (zh) 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN114075203B (zh) 一种有机化合物以及使用其的有机电致发光器件和电子装置
CN114149443B (zh) 含氮化合物、电子元件和电子装置
CN115504982B (zh) 含氮化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置
CN118005621B (zh) 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN117683047B (zh) 有机化合物、有机电致发光器件和电子装置
WO2023241137A1 (zh) 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN117126179A (zh) 杂环化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN118047760A (zh) 含氮化合物及有机电致发光器件和电子装置
CN118206552A (zh) 有机化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN117417353A (zh) 含氮化合物、有机电致发光器件和电子装置
CN117603209A (zh) 有机化合物及包含其的有机电致发光器件和电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination