CN116699343B - 一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法和系统 - Google Patents

Abstract

本公开提出一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法和系统，涉及绝缘缺陷定位技术领域，其中，方法包括：在绝缘流体浸没每个绝缘层时测量绕组的PDIV值；当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的绝缘层为薄弱层；依次测量薄弱层中沿定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值；确定最大放电能量值对应的绝缘点为薄弱点。在本公开的一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法和系统中，通过PDIV值的测量方法和放电能量值的测量方法，能够依次进行薄弱点的轴向定位和周向定位，进而精准的确定出薄弱点在定子中的位置。

Description

一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法和系统

技术领域

本公开涉及绝缘缺陷定位技术领域，尤其涉及一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法和系统。

背景技术

扁线电机因具有重量轻、效率高、噪音低、性能稳定、散热性能好等优点而被广泛应用，但当扁线电机应用于高压场景时，需要保证扁线电机具有良好的绝缘特性，因此，如何精准定位出扁线电机的绝缘薄弱点，是提高扁线电机性能的关键。

发明内容

本公开旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本公开的目的在于提供一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法和系统。

为达到上述目的，本公开第一方面提供一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，包括：将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，并在所述绝缘流体浸没每个所述绝缘层时测量所述绕组的绝缘局部放电起始电压PDIV值；比较相邻所述绝缘层对应的PDIV值，当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的所述绝缘层为薄弱层；将所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离；依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值；比较所有的所述放电能量值，确定最大所述放电能量值对应的所述绝缘点为薄弱点。

可选的，所述将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，包括：将所述绕组引出线端置于容器中，并使所述定子的轴向与水平面垂直；将所述绝缘流体导入所述容器，以使所述绝缘流体依次浸没所述绕组引出线端中的多个所述绝缘层。

可选的，所述将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，还包括：将所述绝缘流体沿所述容器的内壁以设定流速导入所述容器，以减少所述绝缘流体产生的气泡；其中，在所述绝缘流体浸没每个所述绝缘层后，等待第一设定时间，以在所述绝缘流体中的气泡排出后再测量所述绕组的PDIV值。

可选的，所述将所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离，包括：将所述绕组引出线端移出所述容器；将所述绕组引出线端置于设定温度下并持续第二设定时间，以使所述绕组引出线端上的所述绝缘流体全部蒸发。

可选的，所述依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，包括：获取相邻所述绝缘点的间隔角度；根据所述间隔角度沿所述定子的周向使测量位置和所述薄弱层相对旋转，以使所述薄弱层中的多个所述绝缘点依次停留在所述测量位置；其中，在每个所述绝缘点停留在所述测量位置时，测量所述绝缘点的放电能量值。

可选的，所述根据所述间隔角度沿所述定子的周向使测量位置和所述薄弱层相对旋转，包括：在所述薄弱层的周向上定位所述测量位置；根据所述间隔角度沿所述定子的周向旋转所述定子，以使所述薄弱层中的多个所述绝缘点依次停留在所述测量位置。

可选的，所述测量所述绕组的PDIV值，包括：在所述绕组上施加第一电压并测量所述绕组的PDIV值；若未测量出所述绕组的PDIV值，则以设定间隔依次增大所述第一电压，直到测量出所述绕组的PDIV值。

可选的，定子绝缘缺陷定位方法还包括：在所述绝缘流体浸没所述绕组引出线端之前，测量所述绕组的PDIV值并作为初始PDIV值；比较第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层对应的PDIV值和所述初始PDIV值，当第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层对应的PDIV值超过所述初始PDIV值的幅度大于所述设定幅度时，确定第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层为所述薄弱层。

可选的，所述比较相邻所述绝缘层对应的PDIV值，还包括：将每个所述绝缘层对应的PDIV值根据所述初始PDIV值进行基础标幺化，并得到多个标幺值；比较相邻所述绝缘层对应的标幺值，当在后标幺值超过在前标幺值的幅度大于所述设定幅度时，确定在后标幺值对应的所述绝缘层为所述薄弱层。

可选的，所述依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，包括：在所述绕组上施加第二电压；检测所述绝缘点的超声波信号和/或红外线信号；根据所述超声波信号和/或所述红外线信号，计算所述绝缘点的所述放电能量值。

可选的，所述第二电压大于所述初始PDIV值，且所述第二电压与所述初始PDIV值之间的差值处于设定范围内。

可选的，所述将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，包括：将绝缘流体依次浸没多个覆盖所述绕组引出线端中引脚交叠点的绝缘层和至少一个覆盖所述绕组引出线端中绝缘纸的绝缘层。

可选的，定子绝缘缺陷定位方法还包括：测量所述绕组中至少一组两相间的PDIV值和放电能量值，以确定出所述两相间的薄弱点；和/或测量所述绕组中至少一组两匝间的PDIV值和放电能量值，以确定出所述两匝间的薄弱点。

本公开第二方面提供一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位系统，包括：执行模块，所述执行模块用于将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，以及将所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离；第一定位模块，所述第一定位模块用于在所述绝缘流体浸没每个所述绝缘层时测量所述绕组的PDIV值，并比较相邻所述绝缘层对应的PDIV值，当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的所述绝缘层为薄弱层；第二定位模块，所述第二定位模块用于在所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离后，依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，并比较所有的所述放电能量值，确定最大所述放电能量值对应的所述绝缘点为薄弱点。

可选的，所述第一定位模块包括：PDIV测试仪，所述PDIV测试仪和所述绕组电性相连，所述PDIV测试仪用于测量所述绕组的PDIV值；和/或所述第二定位模块包括：局部放电成像仪，所述局部放电成像仪和所述绕组电性相连，所述局部放电成像仪用于测量所述绝缘点的放电能量值。

本公开第三方面提供一种电子设备，包括：处理器；用于存储处理器可执行指令的存储器；其中，所述处理器被配置为：实现如本公开第一方面提供的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法。

本公开第四方面提供一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由移动终端的处理器执行时，使得移动终端能够执行如本公开第一方面提供的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法。

本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：

通过将绝缘流体浸没定子的绕组引出线端，能够使绕组处于绝缘环境中，且由于绕组引出线端中的绝缘薄弱点处于绝缘环境中时，绕组的PDIV数值会显著升高，因此，通过将绝缘流体依次浸没绕组引出线端的多个绝缘层，并当在后PDIV值相对在前PDIV值显著升高时判断在后PDIV值对应的绝缘层为包含薄弱点的薄弱层，能够准确的定位出薄弱点在定子中的轴向位置；同时，由于薄弱点的放电能量值相对于其他绝缘点较高，因此，通过依次测量薄弱层中沿定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，并当比较出最大放电能量值时判断最大放电能量值对应的绝缘点为薄弱点，能够准确的定位出薄弱点在薄弱层中的位置；由此，通过PDIV值的测量方法和放电能量值的测量方法，能够依次进行薄弱点的轴向定位和周向定位，进而精准的确定出薄弱点在定子中的位置，从而，能够针对薄弱点优化扁线电机的生产工艺过程和绝缘设计，降低扁线电机绝缘失效的风险，提高扁线电机的性能。

本公开附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本公开的实践了解到。

附图说明

本公开上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是相关实施例提出的扁线电机的结构示意图；

图2是本公开一实施例提出的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法的流程图；

图3是本公开一实施例提出的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法中扁线电机进行PDIV值测量时的结构示意图；

图4是本公开一实施例提出的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法中扁线电机进行放电能量值测量时的结构示意图；

图5是本公开一实施例提出的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法中的PDIV变化趋势图；

图6是本公开一实施例提出的扁线电机的扁线电机的定子绝缘缺陷定位系统的框图；

如图所示：A1、铁芯，A2、绕组，A21、引出线端；

1、铁芯；

2、绕组；

21、引出线端，211、绝缘层，212、引脚交叠点，213、绝缘纸；

3、第一定位模块，31、PDIV测试仪；

4、第二定位模块，41、局部放电成像仪，411、局部放电传感器，412、信号处理单元，413、局部放电成像单元；

5、执行模块；

6、旋转工装。

具体实施方式

下面详细描述本公开的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本公开，而不能理解为对本公开的限制。相反，本公开的实施例包括落入所附加权利要求书的精神和内涵范围内的所有变化、修改和等同物。

在相关实施例中，如图1所示，扁线电机包括铁芯A1和绕组A2，绕组A2设置在铁芯A1内，且绕组A2的至少一端从铁芯A1延伸出并形成引出线端A21，引出线端A21中的部分引脚相互焊接，以实现绕组A2的三相电路结构。

由于工艺、生产等方面的限制，扁线电机上容易出现绝缘薄弱点，且绝缘薄弱点通常位于扁线电机的绕组A2引出线端A21，当扁线电机应用于800V高压平台等高压场景中时，扁线电机的绝缘薄弱点容易出现局部放电而造成绝缘故障，进而导致扁线电机的损坏，因此，需要精准定位出扁线电机的绝缘薄弱点，以针对薄弱点优化扁线电机的生产工艺过程和绝缘设计，降低扁线电机绝缘失效的风险，提高扁线电机的性能。

为解决上述技术问题，如图2、图3和图4所示，本公开实施例提出一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，包括以下步骤：

在步骤S11中，将绝缘流体依次浸没定子的绕组2引出线端21中沿定子轴向分布的多个绝缘层211，并在绝缘流体浸没每个绝缘层211时测量绕组2的PDIV（Partial-Discharge-Inception-Voltage，绝缘局部放电起始电压）值；

在步骤S12中，比较相邻绝缘层211对应的PDIV值，当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的绝缘层211为薄弱层；

在步骤S13中，将绕组2引出线端21和绝缘流体分离；

在步骤S14中，依次测量薄弱层中沿定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值；

在步骤S15中，比较所有的放电能量值，确定最大放电能量值对应的绝缘点为薄弱点。

可以理解的是，通过将绝缘流体浸没定子的绕组2引出线端21，能够使绕组2处于绝缘环境中，且由于绕组2引出线端21中的绝缘薄弱点处于绝缘环境中时，绕组2的PDIV数值会显著升高，因此，通过将绝缘流体依次浸没绕组2引出线端21的多个绝缘层211，并当在后PDIV值相对在前PDIV值显著升高时判断在后PDIV值对应的绝缘层211为包含薄弱点的薄弱层，能够准确的定位出薄弱点在定子中的轴向位置；同时，由于薄弱点的放电能量值相对于其他绝缘点较高，因此，通过依次测量薄弱层中沿定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，并当比较出最大放电能量值时判断最大放电能量值对应的绝缘点为薄弱点，能够准确的定位出薄弱点在薄弱层中的位置。

由此，通过PDIV值的测量方法和放电能量值的测量方法，能够依次进行薄弱点的轴向定位和周向定位，进而精准的确定出薄弱点在定子中的位置，从而，能够针对薄弱点优化扁线电机的生产工艺过程和绝缘设计，降低扁线电机绝缘失效的风险，提高扁线电机的性能。

需要说明的是，当绝缘流体未浸没绕组2引出线端21时，仅能够检测出绕组2的整体PDIV值，此时无法进行薄弱点的定位；当绝缘流体浸没部分绝缘良好的绝缘层211，但并未浸没到包含薄弱点的绝缘层211时，由于绝缘良好的绝缘层211在非绝缘环境下和绝缘流体形成的绝缘环境下，其绝缘性能差异不大，因此使得绕组2的PDIV值仅会出现较小的浮动；当绝缘流体浸没到包含薄弱点的绝缘层211时，由于包含薄弱点的绝缘层211在绝缘流体形成的绝缘环境下相对于在非绝缘环境下，其绝缘性能显著提升，因此使得绕组2的PDIV值也会显著升高。由此，通过本实施例的PDIV值测量方法，能够准确定位出薄弱点的轴向位置。

并且，将绕组2引出线端21和绝缘流体分离后，能够使绕组2引出线端21处于裸露环境中，进而使得薄弱层中薄弱点的绝缘性能显著低于其他绝缘点的绝缘性能，因此，薄弱层中薄弱点处的放电能量值最大，由此，通过本实施例的放电能量值测量方法，能够准确定位出薄弱点的周向位置。

其中，扁线电机的应用场景可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，通过本实施例的定子绝缘缺陷定位方法进行绝缘薄弱点的定位，并对薄弱点进行优化后，能够保证扁线电机可靠稳定的应用于新能源汽车800V及800V以上的高压平台，由此提高了新能源汽车的充电效率，延长了新能源汽车的续航时间。

绝缘流体用于利用其自身的绝缘特性和流体特性，在浸没绕组2引出线端21的绝缘层211后为绝缘层211提供绝缘环境，其中，绝缘流体的具体类型可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，绝缘流体可以是绝缘油液，当扁线电机应用于新能源汽车等场景时，绝缘流体可以是新能源汽车的电驱专用润滑油。

绕组2引出线端21中具有多个绝缘点，多个绝缘点沿定子的轴向和周向分布，绝缘层211是绕组2引出线端21中多个位于同一平面内的绝缘点构成的层结构，且该平面与定子的轴向垂直。其中，绕组2引出线端21中的绝缘点可以是引脚交叠点212、绝缘纸213等位置处，对此不足限制。

在前PDIV值的测量时间早于在后PDIV值的测量时间，且由于绝缘流体依次浸没多个绝缘层211，因此相邻绝缘层211之间具有浸没的先后顺序，由此，时间上先被绝缘流体浸没的绝缘层211，其对应在前PDIV值，时间上后被绝缘流体浸没的绝缘层211，其对应在后PDIV值。

在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度是在后PDIV值减去在前PDIV值得到的差值和在前PDIV值之比，设定幅度的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，设定幅度可以是8%、9%、10%、10.5%、11%、11.3%等。

当绝缘流体浸没部分绝缘良好的绝缘层211，但并未浸没到包含薄弱点的绝缘层211时，绕组2的PDIV值仅会出现较小的浮动，该浮动值是在后PDIV值和在前PDIV值作差得到的差值与在前PDIV值之比，浮动值可以是3%、4%、4.7%、5%、6%等，其中，当在后PDIV值大于在前PDIV值时，在后PDIV值和在前PDIV值作差可以是在后PDIV值减去在前PDIV值，当在后PDIV值小于在前PDIV值时，在后PDIV值和在前PDIV值作差可以是在前PDIV值减去在后PDIV值。

定子的绕组2引出线端21也可以称为定子的绕组2焊接端，绕组2可以一端从铁芯1延伸出并形成一个引出线端21，绕组2还可以两端分别从铁芯1延伸出并形成两个引出线端21，本实施例的定子绝缘缺陷定位方法对这两种结构均适用。

在一些实施例中，在步骤S11中，将绝缘流体依次浸没定子的绕组2引出线端21中沿定子轴向分布的多个绝缘层211，包括：

将绕组2引出线端21置于容器中，并使定子的轴向与水平面垂直；

将绝缘流体导入容器，以使绝缘流体依次浸没绕组2引出线端21中的多个绝缘层211。

可以理解的是，将绕组2引出线端21置于容器中并使定子的轴向与水平面垂直，使得绕组2引出线端21中的多个绝缘层211均与水平面平行，并且，当绝缘流体导入容器时，绝缘流体能够利用其自身的流动性使液面与水平面平行，从而，使得多个绝缘层211分别与绝缘流体的液面平行，且不同绝缘层211具有不同的高度。

由此，在绝缘流体不断导入容器并使液面不断升高时，多个绝缘层211能够依次被绝缘流体准确浸没，且避免出现多个绝缘层211被绝缘流体同时浸没的问题，从而保证每个绝缘层211对应的PDIV值的准确测量，进而保证了薄弱层及薄弱点的准确定位。

其中，利用容器容纳绝缘流体，还能够利用绝缘流体自身的流动性保证绝缘流体对绝缘层211的完全浸没，从而保证绝缘层211能够处于良好的绝缘环境中，进而保证了每个绝缘层211对应的PDIV值的准确测量。

需要说明的是，容器用于容纳绝缘流体和绕组2引出线端21，容器的具体类型可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，容器可以是具有敞口且透明的箱体结构，透明的箱体结构能够便于观测到绝缘流体在绕组2引出线端21的浸没状态。

其中，绕组2引出线端21可以直接设置在容器中，也可以利用其他支撑装置悬置在容器中，对此不作限制。

绝缘流体向容器中的导入方式可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，绝缘流体向容器中的导入可以利用泵体直接输送、机械手臂操控绝缘流体的储存罐等方式实现。

在一些实施例中，在步骤S11中，将绝缘流体依次浸没定子的绕组2引出线端21中沿定子轴向分布的多个绝缘层211，还包括：

将绝缘流体沿容器的内壁以设定流速导入容器，以减少绝缘流体产生的气泡；

其中，在绝缘流体浸没每个绝缘层211后，等待第一设定时间，以在绝缘流体中的气泡排出后再测量绕组2的PDIV值。

可以理解的是，将绝缘流体沿容器的内壁以设定流速导入容器，能够减小绝缘流体导入容器时的冲击力，从而减少绝缘流体的飞溅，由此，不仅能够减少绝缘流体产生的气泡，保证绝缘层211能够处于良好的绝缘环境中，而且还能够避免因绝缘流体的溅出而造成卫生问题、浪费问题等。

在绝缘流体导入容器后，绝缘流体中的气泡会因自身浮力而不断汇集、上浮，由此，在绝缘流体浸没每个绝缘层211后等待第一设定时间，能够减少绝缘流体中的气泡，保证绝缘层211能够处于良好的绝缘环境中，从而保证每个绝缘层211对应的PDIV值的准确测量，进而保证了薄弱层及薄弱点的准确定位。

需要说明的是，设定流速的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，其中，当绝缘流体沿容器的内壁以设定流速导入容器时应处于流速缓慢状态。

第一设定时间的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，第一设定时间可以是13分钟、15分钟、16分钟、18分钟等。

在一些实施例中，在步骤S13中，将绕组2引出线端21和绝缘流体分离，包括：

将绕组2引出线端21移出容器；

将绕组2引出线端21置于设定温度下并持续第二设定时间，以使绕组2引出线端21上的绝缘流体全部蒸发。

可以理解的是，当绕组2引出线端21移出容器时，能够将绕组2引出线端21和浸没绕组2引出线端21的大部分绝缘流体进行分离，但由于绝缘流体自身的吸附性，使得绕组2引出线端21上仍有部分残留的绝缘流体，若此时绕组2引出线端21继续进行放电能量值的测量，则会增大测量误差，进而造成薄弱点的定位错误。

由此，将绕组2引出线端21置于设定温度下并持续第二设定时间时，能够利用热量加速绕组2引出线端21上残留绝缘流体的蒸发，以最终实现绕组2引出线端21和绝缘流体的完全分离，从而保证放电能量值的准确测量，进而保证薄弱点的准确定位。

需要说明的是，绕组2引出线端21置入和移出容器的方式可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，绕组2引出线端21置入和移出容器可以通过机械臂搬抬等方式实现。

设定温度的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，设定温度可以是130度、140度、150度、170度等。

第二设定时间的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，第二设定时间可以是1.5小时、1.8小时、2小时、2.1小时、2.7小时等。

在一些实施例中，在步骤S14中，依次测量薄弱层中沿定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，包括：

获取相邻绝缘点的间隔角度；

根据间隔角度沿定子的周向使测量位置和薄弱层相对旋转，以使薄弱层中的多个绝缘点依次停留在测量位置；

其中，在每个绝缘点停留在测量位置时，测量绝缘点的放电能量值。

可以理解的是，由于多个绝缘点沿定子的周向分布在薄弱层中，因此将测量位置和薄弱层相对旋转，能够使薄弱层中的多个绝缘点依次经过测量位置，且由于测量位置和薄弱层的相对旋转依据相邻绝缘点的间隔角度，因此，能够使薄弱层中的多个绝缘点依次停留在测量位置，从而便于对绝缘点放电能量值的测量，进而保证薄弱点的准确定位。

需要说明的是，间隔角度的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，当绝缘点为引脚交叠点212或绝缘纸213时，间隔角度为360度和定子槽数的比值。

测量位置和薄弱层的相对旋转方式可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，可以使测量位置定位，且使薄弱层旋转，或，可以使薄弱层定位，且使测量位置旋转。

在一些实施例中，根据间隔角度沿定子的周向使测量位置和薄弱层相对旋转，包括：

在薄弱层的周向上定位测量位置；

根据间隔角度沿定子的周向旋转定子，以使薄弱层中的多个绝缘点依次停留在测量位置。

可以理解的是，通过将测量位置定位，使薄弱层根据相邻绝缘点的间隔角度旋转，从而在实现放电能量值测量的同时避免了测量位置的变动，保证了放电能量值的测量稳定性和一致性，进而保证了薄弱点的准确定位。

需要说明的是，定位测量位置并旋转定子的方式可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，如图4所示，将定子置于旋转工装6上，并将测量位置相对旋转工装6固定，由此，利用旋转工装6的间歇旋转，使得薄弱层中的多个绝缘点能够依次停留在测量位置。

其中，旋转工装6的具体类型可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，旋转工装6包括底座、回转平台和驱动件，回转平台通过回转支承转动设置在底座上，驱动件和回转平台传动相连，由此，在驱动件的驱动下，实现回转平台上定子的旋转，同时，驱动件和回转平台之间可以利用齿轮传动，驱动件可以是电机、液压马达等，回转平台的角度控制可以利用光栅尺、光电开关等实现。

当定子移出容器后，需要将定子进行翻转后放置在回转平台上，并且需要保证定子的轴向和回转平台的轴向重合。

在一些实施例中，在步骤S11中，测量绕组2的PDIV值，包括：

在绕组2上施加第一电压并测量绕组2的PDIV值；

若未测量出绕组2的PDIV值，则以设定间隔依次增大第一电压，直到测量出绕组2的PDIV值。

可以理解的是，由于第一电压较小时无法测量出绕组2的PDIV值，且不同的定子适用于不同的第一电压，因此，当未测量出绕组2的PDIV值时，通过以设定间隔依次增大第一电压，直到测量出绕组2的PDIV值，能够利用升压遍历的方式确定出适用于定子的第一电压，从而保证了绕组2的PDIV值的准确测量，进而保证了薄弱层及薄弱点的准确定位。

需要说明的是，PDIV为绝缘局部放电起始电压，若绕组2上某一绝缘层211的绝缘局部放电起始电压值为2000V，那么当第一电压小于2000V时，该绝缘层211无法在该电压下进行局部放电，也就是说，当第一电压较小时，该绝缘层211对应的PDIV值无法被测量出。

第一次施加在绕组2上的第一电压可以称为起始电压，起始电压的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，起始电压可以是950V、1000V、1100V、1150V、1300V等。

设定间隔越大，则确定出适用于定子的第一电压的效率越高，但相对的，确定出的第一电压的精度越低，相反的，设定间隔越小，则确定出适用于定子的第一电压的效率越低，但相对的，确定出的第一电压的精度越高，设定间隔的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，设定间隔可以是40V、50V、53V、60V等。

其中，当利用PDIV测试仪31进行绕组2的PDIV值测量时，PDIV测试仪31的参数设置可以是触发阈值为2倍背景噪音值，起始电压为1000V，终止电压为5000V，设定间隔为50V，每个平台电压脉冲数为10个。

在一些实施例中，定子绝缘缺陷定位方法还包括：

在绝缘流体浸没绕组2引出线端21之前，测量绕组2的PDIV值并作为初始PDIV值；

比较第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211对应的PDIV值和初始PDIV值，当第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211对应的PDIV值超过初始PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211为薄弱层。

可以理解的是，当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的绝缘层211为薄弱层，此种方式虽然能够利用相邻绝缘层211对应的PDIV值的比较判断出薄弱层，但对于第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211来说，其不具有可以比较的在前PDIV值，若第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211为薄弱层，则利用该比较方式无法确定出，因此，通过将绝缘流体浸没绕组2引出线端21之前测量的绕组2的PDIV值作为初始PDIV值，并将初始PDIV值作为第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211对应的PDIV值的在前PDIV值进行比较，能够使薄弱层被准确判断出，进而保证了薄弱点的准确定位。

需要说明的是，第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211对应的PDIV值超过初始PDIV值的幅度是第一个被绝缘流体浸没的绝缘层211对应的PDIV值减去初始PDIV值得到的差值和初始PDIV值之比。

在一些实施例中，在步骤S12中，比较相邻绝缘层211对应的PDIV值，还包括：

将每个绝缘层211对应的PDIV值根据初始PDIV值进行基础标幺化，并得到多个标幺值；

比较相邻绝缘层211对应的标幺值，当在后标幺值超过在前标幺值的幅度大于设定幅度时，确定在后标幺值对应的绝缘层211为薄弱层。

可以理解的是，通过将每个绝缘层211对应的PDIV值根据初始PDIV值进行基础标幺化，能够简化各个PDIV值，使在前PDIV值转换为在前标幺值，在后PDIV值转换为在后标幺值，由此便于相邻绝缘层211对应的PDIV值的比较，进而提高了薄弱层和薄弱点的定位效率。

需要说明的是，标幺值是指绝缘层211对应的PDIV值除以初始PDIV值得到的数值，其中，初始PDIV值对应的标幺值为1。

在一些实施例中，在步骤S14中，依次测量薄弱层中沿定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，包括：

在绕组2上施加第二电压；

检测绝缘点的超声波信号和/或红外线信号；

根据超声波信号和/或红外线信号，计算绝缘点的放电能量值。

可以理解的是，在绕组2上施加第二电压后，薄弱层中的绝缘点会产生局部放电，且由于薄弱点的绝缘特性较差，因此其局部放电的程度相对更大，同时，当绝缘点产生局部放电时，会发出超声波信号和红外线信号，由此，通过检测绝缘点的超声波信号和/或红外线信号，能够检测出绝缘点的局部放电，且通过对超声波信号和/或红外线信号的转换计算，能够确定出绝缘点的放电能量值。

由此，通过对薄弱层中多个绝缘点的放电能量值依次测量，能够确定出最大的放电能量值，进而准确的确定出薄弱点。

需要说明的是，由于绝缘点产生局部放电时会发出超声波信号和红外线信号，因此在测量绝缘点的放电能量值时，可以仅利用超声波信号的检测，也可以仅利用红外线信号的检测，还可以同时利用超声波信号和红外线信号的检测，对此不作限制。

第二电压用于施加在绕组2上，以使绝缘点处进行局部放电，第二电压的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制。

在一些实施例中，第二电压大于初始PDIV值，且第二电压与初始PDIV值之间的差值处于设定范围内。

可以理解的是，由于第二电压大于初始PDIV值，使得第二电压施加在绕组2上后，薄弱层中的绝缘点能够进行局部放电，从而易于被检测出，进而利用绝缘点放电能量值的测量准确判断出薄弱点的位置。

需要说明的是，设定范围的具体取值可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，设定范围可以是100V-500V、110V-590V、90V-510V等。其中，设定范围为100V-500V时，也就是说，第二电压与初始PDIV值之间的差值可以是100V、200V、300V、450V、500V等。

其中，设定范围的选取不宜过大，以避免绝缘点处的局部放电能量过高而导致定子绝缘缺陷扩大，造成不可逆的损伤。

第一电压和第二电压均可以是重复脉冲方波，也可以是50Hz正弦交流，离散脉冲浪涌。

在一些实施例中，在步骤S11中，将绝缘流体依次浸没定子的绕组2引出线端21中沿定子轴向分布的多个绝缘层211，包括：

将绝缘流体依次浸没多个覆盖绕组2引出线端21中引脚交叠点212的绝缘层211和至少一个覆盖绕组2引出线端21中绝缘纸213的绝缘层211。

可以理解的是，将绝缘流体依次浸没多个覆盖绕组2引出线端21中引脚交叠点212的绝缘层211和至少一个覆盖绕组2引出线端21中绝缘纸213的绝缘层211，能够实现对绕组2引出线端21中所有绝缘点的全部测量，从而保证了绝缘薄弱点的准确定位，进而便于定子的针对性优化和性能提升。

需要说明的是，绕组2引出线端21中具有多个相互交叉分布的引脚，交叉分布的引脚在定子的径向上具有交点，该交点可以称为引脚交叠点212。

覆盖绕组2引出线端21中引脚交叠点212的绝缘层211具有多个，且每个绝缘层211覆盖的多个引脚交叠点212属于同一种类型，不同绝缘层211覆盖的引脚交叠点212属于不同的类型，也就是说，引脚交叠点212的类型数量和覆盖引脚交叠点212的绝缘层211数量相同。

其中，覆盖引脚交叠点212的绝缘层211数量为不大于2q的自然数，q为定子的每极每相数，且，N为定子的槽数，p为定子的极对数，m为定子的相数。

绝缘纸213是贴附在定子的铁芯1表面的绝缘件。

其中，绝缘流体可以先依次浸没多个覆盖绕组2引出线端21中引脚交叠点212的绝缘层211，然后再依次浸没覆盖绕组2引出线端21中绝缘纸213的绝缘层211。

在一些实施例中，定子绝缘缺陷定位方法还包括：

测量绕组2中至少一组两相间的PDIV值和放电能量值，以确定出两相间的薄弱点；和/或测量绕组2中至少一组两匝间的PDIV值和放电能量值，以确定出两匝间的薄弱点。

可以理解的是，通过测量绕组2中至少一组两相间的PDIV值和放电能量值，能够检测出至少一组两相间的薄弱点，通过测量绕组2中至少一组两匝间的PDIV值和放电能量值能够检测出至少一组两匝间的薄弱点，由此，便于定子的针对性绝缘优化，从而提升定子的性能。

需要说明的是，根据实际需要，可以仅测量一组两相间的PDIV值和放电能量值，以确定出该组两相间的薄弱点，同时仅测量一组两匝间的PDIV值和放电能量值，以确定出该组两匝间的薄弱点，其中，由于绕组2的对称式设计，因此根据测量出的一组两相间的薄弱点和一组两匝间的薄弱点，能够确定出其他两组两相间的薄弱点和其他两组两匝间的薄弱点，进而提高整体的定位效率。

而且，还可以同时测量三组两相间的PDIV值和放电能量值和三组两匝间的PDIV值和放电能量值，以通过遍历的方式确定出三组两相间的薄弱点和三组两匝间的薄弱点。

其中，绕组2可以包括三相，可以称为U相、V相和W相，同时，U相、V相和W相均和中性点O相连，当仅测量一组两相间的薄弱点时，可以仅测量UV相间的PDIV值和放电能量值，也可以仅测量UW相间的PDIV值和放电能量值，还可以仅测量VW相间的PDIV值和放电能量值；当仅测量一组两匝间的薄弱点时，可以仅测量UO间的PDIV值和放电能量值，也可以仅测量VO间的PDIV值和放电能量值，还可以仅测量WO间的PDIV值和放电能量值。

需要注意的是，测量PDIV值时和测量放电能量值时需要定子处于不同的测量环境中，因此在定子转换场景时，需要保证相间或匝间的一致性，以仅测量UV相间的薄弱点为例，PDIV值和放电能量值的测量均应是UV相间的测量，避免出现PDIV值的测量为UV相间的测量，而放电能量值的测量为UW相间、VW相间、UO间等的测量。

在本实施例中，将定子的槽数设为54，定子的极对数设为3，定子的相数设为3，定子的每极每相数则为3，且将绝缘层211的数量设为10，将设定幅度设为10%，执行步骤S11至S12，获得如图5所示的PDIV变化趋势图。

如图5所示，纵坐标为将绕组2的PDIV值标幺化后的标幺值，横坐标中，零为未浸没绝缘流体的绕组2引出线端21，一至九为覆盖绕组2引出线端21中引脚交叠点212的绝缘层211，十为覆盖绕组2引出线端21中绝缘纸213的绝缘层211，也就是说，绝缘流体沿一绝缘层211至十绝缘层211的顺序依次浸没。由图5中可以看出，二绝缘层211对应的标幺值约为1，三绝缘层211对应的标幺值约为1.12，根据计算可知，三绝缘层211对应的标幺值超过二绝缘层211对应的标幺值的幅度大于设定幅度10%，因此，三绝缘层211可以被确定为薄弱层。

如图6所示，本公开实施例还提出一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位系统，包括：执行模块5、第一定位模块3和第二定位模块4，执行模块5用于将绝缘流体依次浸没定子的绕组2引出线端21中沿定子轴向分布的多个绝缘层211，以及将绕组2引出线端21和绝缘流体分离，第一定位模块3用于在绝缘流体浸没每个绝缘层211时测量绕组2的PDIV值，并比较相邻绝缘层211对应的PDIV值，当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的绝缘层211为薄弱层，第二定位模块4用于在绕组2引出线端21和绝缘流体分离后，依次测量薄弱层中沿定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，并比较所有的放电能量值，确定最大放电能量值对应的绝缘点为薄弱点。

关于上述实施例中的定子绝缘缺陷定位系统，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

如图3和图4所示，在一些实施例中，第一定位模块3包括PDIV测试仪31，PDIV测试仪31和绕组2电性相连，PDIV测试仪31用于测量绕组2的PDIV值；和/或，第二定位模块4包括局部放电成像仪41，局部放电成像仪41和绕组2电性相连，局部放电成像仪41用于测量绝缘点的放电能量值。

可以理解的是，通过PDIV测试仪31为绕组2提供电源并测量绕组2的PDIV值，从而保证薄弱层的准确定位，通过局部放电成像仪41为绕组2提供电源并测量绝缘点的放电能量值，从而保证薄弱层中薄弱点的准确定位。

需要说明的是，PDIV测试仪31是利用PDIV值测试方法进行测试的仪器，PDIV测试仪31的具体类型可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，PDIV测试仪31可以是MTC2型测试仪、MTC3型测试仪、ECG-PD05型测试仪等。

局部放电成像仪41是利用放电能量值测试方法进行测试的仪器，局部放电成像仪41的具体类型可以根据实际需要进行设置，对此不作限制，示例的，局部放电成像仪41可以包括电源（图中未示出）、局部放电传感器411、信号处理单元412和局部放电成像单元413，电源的输出端与绕组2的输入端相连，局部放电传感器411相对旋转工装6定位，并且局部放电传感器411的检测端正对薄弱层，局部放电传感器411的输出端与信号处理单元412的输入端相连，信号处理单元412的输出端与局部放电成像单元413的输入端相连。其中，电源为绕组2提供第二电压，局部放电传感器411检测薄弱层中各绝缘点的局部放电，信号处理单元412接收局部放电传感器411输出的超声波信号和/或红外线信号并对其进行转换处理，局部放电成像单元413将转换处理后的信号进行成像、显示，同时，局部放电成像单元413还可以具有人机交互界面。

而且，局部放电传感器411可以是超声波传感器、紫外光传感器、红外光传感器等，对此不作限制。当选用超声波传感器进行放电能量值的测量时，超声波传感器的参数可以设置为96个-144个麦克风阵列，灵敏度高于-26dBFS（1kHz，94dBSPL)。

本公开实施例还提出一种电子设备，包括处理器和用于存储处理器可执行指令的存储器。

处理器可以是任何常规的处理器，诸如商业可获得的CPU。处理器还可以包括诸如图像处理器（Graphic-Process-Unit，GPU），现场可编程门阵列（Field-Programmable-Gate-Array，FPGA）、片上系统（System-On-Chip，SOC）、专用集成芯片（Application-Specific-Integrated-Circuit，ASIC）或它们的组合。

存储器可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（SRAM），电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），可擦除可编程只读存储器（EPROM），可编程只读存储器（PROM），只读存储器（ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

在本公开实施例中，处理器可以执行指令，以完成上述的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法的全部或部分步骤。

本公开实施例还提出一种非临时性计算机可读存储介质，当存储介质中的指令由移动终端的处理器执行时，使得移动终端能够执行如本公开实施例的扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法。

需要说明的是，在本公开的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本公开的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本公开的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本公开的实施例所属技术领域的技术人员所理解。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

尽管上面已经示出和描述了本公开的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本公开的限制，本领域的普通技术人员在本公开的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (16)

1.一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，包括：

将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，并在所述绝缘流体浸没每个所述绝缘层时测量所述绕组同一相间或同一匝间的绝缘局部放电起始电压PDIV值；

比较相邻所述绝缘层对应的PDIV值，当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的所述绝缘层为薄弱层；

将所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离；

依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值；

比较所有的所述放电能量值，确定最大所述放电能量值对应的所述绝缘点为薄弱点；

其中，在所述绝缘流体浸没所述绕组引出线端之前，测量所述绕组的PDIV值并作为初始PDIV值；比较第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层对应的PDIV值和所述初始PDIV值，当第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层对应的PDIV值超过所述初始PDIV值的幅度大于所述设定幅度时，确定第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层为所述薄弱层。

2.根据权利要求1所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，包括：

将所述绕组引出线端置于容器中，并使所述定子的轴向与水平面垂直；

将所述绝缘流体导入所述容器，以使所述绝缘流体依次浸没所述绕组引出线端中的多个所述绝缘层。

3.根据权利要求2所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，还包括：

将所述绝缘流体沿所述容器的内壁以设定流速导入所述容器，以减少所述绝缘流体产生的气泡；

其中，在所述绝缘流体浸没每个所述绝缘层后，等待第一设定时间，以在所述绝缘流体中的气泡排出后再测量所述绕组的PDIV值。

4.根据权利要求2所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述将所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离，包括：

将所述绕组引出线端移出所述容器；

将所述绕组引出线端置于设定温度下并持续第二设定时间，以使所述绕组引出线端上的所述绝缘流体全部蒸发。

5.根据权利要求1所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，包括：

获取相邻所述绝缘点的间隔角度；

根据所述间隔角度沿所述定子的周向使测量位置和所述薄弱层相对旋转，以使所述薄弱层中的多个所述绝缘点依次停留在所述测量位置；

其中，在每个所述绝缘点停留在所述测量位置时，测量所述绝缘点的放电能量值。

6.根据权利要求5所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述根据所述间隔角度沿所述定子的周向使测量位置和所述薄弱层相对旋转，包括：

在所述薄弱层的周向上定位所述测量位置；

根据所述间隔角度沿所述定子的周向旋转所述定子，以使所述薄弱层中的多个所述绝缘点依次停留在所述测量位置。

7.根据权利要求1所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述测量所述绕组的PDIV值，包括：

在所述绕组上施加第一电压并测量所述绕组的PDIV值；

若未测量出所述绕组的PDIV值，则以设定间隔依次增大所述第一电压，直到测量出所述绕组的PDIV值。

8.根据权利要求7所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述比较相邻所述绝缘层对应的PDIV值，还包括：

将每个所述绝缘层对应的PDIV值根据所述初始PDIV值进行基础标幺化，并得到多个标幺值；

比较相邻所述绝缘层对应的标幺值，当在后标幺值超过在前标幺值的幅度大于所述设定幅度时，确定在后标幺值对应的所述绝缘层为所述薄弱层。

9.根据权利要求7所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，包括：

在所述绕组上施加第二电压；

检测所述绝缘点的超声波信号和/或红外线信号；

根据所述超声波信号和/或所述红外线信号，计算所述绝缘点的所述放电能量值。

10.根据权利要求9所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述第二电压大于所述初始PDIV值，且所述第二电压与所述初始PDIV值之间的差值处于设定范围内。

11.根据权利要求1所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，所述将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，包括：

将绝缘流体依次浸没多个覆盖所述绕组引出线端中引脚交叠点的绝缘层和至少一个覆盖所述绕组引出线端中绝缘纸的绝缘层。

12.根据权利要求1所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法，其特征在于，还包括：

测量所述绕组中至少一组两相间的PDIV值和放电能量值，以确定出所述两相间的薄弱点；

和/或

测量所述绕组中至少一组两匝间的PDIV值和放电能量值，以确定出所述两匝间的薄弱点。

13.一种扁线电机的定子绝缘缺陷定位系统，其特征在于，包括：

执行模块，所述执行模块用于将绝缘流体依次浸没所述定子的绕组引出线端中沿所述定子轴向分布的多个绝缘层，以及将所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离；

第一定位模块，所述第一定位模块用于在所述绝缘流体浸没每个所述绝缘层时测量所述绕组的PDIV值，并比较相邻所述绝缘层对应的PDIV值，当在后PDIV值超过在前PDIV值的幅度大于设定幅度时，确定在后PDIV值对应的所述绝缘层为薄弱层；所述第一定位模块还用于在所述绝缘流体浸没所述绕组引出线端之前，测量所述绕组的PDIV值并作为初始PDIV值；比较第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层对应的PDIV值和所述初始PDIV值，当第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层对应的PDIV值超过所述初始PDIV值的幅度大于所述设定幅度时，确定第一个被所述绝缘流体浸没的所述绝缘层为所述薄弱层；

第二定位模块，所述第二定位模块用于在所述绕组引出线端和所述绝缘流体分离后，依次测量所述薄弱层中沿所述定子周向分布的多个绝缘点的放电能量值，并比较所有的所述放电能量值，确定最大所述放电能量值对应的所述绝缘点为薄弱点。

14.根据权利要求13所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位系统，其特征在于，

所述第一定位模块包括：PDIV测试仪，所述PDIV测试仪和所述绕组电性相连，所述PDIV测试仪用于测量所述绕组的PDIV值；

和/或

所述第二定位模块包括：局部放电成像仪，所述局部放电成像仪和所述绕组电性相连，所述局部放电成像仪用于测量所述绝缘点的放电能量值。

15.一种电子设备，其特征在于，包括：

处理器；

用于存储处理器可执行指令的存储器；

其中，所述处理器被配置为：实现如权利要求1-12中任一项所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法。

16.一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由移动终端的处理器执行时，使得移动终端能够执行如权利要求1-12中任一项所述扁线电机的定子绝缘缺陷定位方法。