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CN116675679A - 一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件 - Google Patents

一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件 Download PDF

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CN116675679A
CN116675679A CN202310651780.5A CN202310651780A CN116675679A CN 116675679 A CN116675679 A CN 116675679A CN 202310651780 A CN202310651780 A CN 202310651780A CN 116675679 A CN116675679 A CN 116675679A
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孙月
刘小婷
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Changchun Hyperions Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供的一种叔胺衍生物，作为如萘等稠环芳基或如喹啉等包含氮原子的稠环杂芳基通过吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉等作为桥连被结合到苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩等基团的芳胺化合物，可以在具有较宽的带隙以及高折射率的同时提升紫外线区域的吸收波长，从而在适用于有机发光元件的覆盖层时实现高效率以及长使用寿命的有机电致发光元件；同时该叔胺衍生物具有较高的玻璃化转变温度(Tg)可以防止分子间的重结晶并在有机发光元件的驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态，从而提升外部量子效率并显著改善使用寿命。本发明所述的叔胺衍生物及其有机电致发光器件具有良好的应用效果和产业化前景。

Description

一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域，特别是涉及一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(OLED，Organic Light Emission Diode)，具有高亮度、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及可顺畅显示动画的高速响应等优势，在新一代的显示和照明产品上有着广泛的应用前景，是最近十几年的热门研究领域。
OLED一般由阳极、有机功能层以及金属阴极构成。其中，阳极作为电极和出光面，须有高电导率和高透光率，一般采用商业化的珚锡氧化物(ITO)；有机功能层一般包括电子传输层(ETL，Electron Transport Layer)、发光层(EML，Emission layer)和空穴传输层(HTL，Hole Transport Layer)等；阴极通常采用具有较低功函数的金属或金属合金材料。随着功能提高的不断要求，现增加了电子注入层(ETL，Electron Injecting Layer)、电子阻挡层(EBL，Electron-Blocking Layer)、空穴注入层(HIL，Hole Injection Layer)、空穴阻挡层(HBL，Hole Block Layer)和覆盖层(CPL，Capping Layer)等多种功能辅助结构。在外加电场的作用下，阳极产生的空穴与阴极产生的电子向发光层迁移，到达发光层后，空穴与电子复合产生激子，并释放能量，激子在电场的作用下发生迁移，将能量传递给发光物质，发光物质的分子中的电子从基态跃迁到激发态，由于激发态不稳定，受激电子以辐射的方式，跃迁回到基态时，就产生发光现象，即被称之电致发光。
虽然现在OLED的内量子效率已经接近100％，但从发光层中发出的光入射到其他膜时，在ITO薄膜和玻璃衬底的界面以及玻璃衬底和空气的界面处会发生全反射，出射到OLED器件外部空间的光主要以导波形式限制在有机薄膜、ITO薄膜和玻璃衬底中，最终只有20％左右的光子到达外部，接近80％的光都不能射出，限制在器件内部以热量散失，热量积聚过多会对器件内部其他有机材料的寿命造成不良影响，极大的制约了OLED的发展和应用，因此，如何提高OLED的光取出效率成为研究的热点。
目前，实现提高OLED出光几率的一类重要方法是在阴极表面添加光取出层，即覆盖层材料，可有效减少OLED器件中的全反射效应，提高光耦合效率，有机材料应用于OLED器件的光取出层要求其具有较高玻璃化转变温度和分子热稳定性，在可见光领域吸收低、折射率高。因此，开发具有折射率高、薄膜稳定性和耐久性优异的材料来提高OLED的光取出效率成为本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种叔胺衍生物及其有机电致发光器件，可有效提升OLED器件的光取出效率，从而提升OLED器件的发光效率。
本发明提供了一种叔胺衍生物，所述叔胺衍生物由化学式1表示，
所述X选自O或S；
所述环A、环B独立的选自无、取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环中的一种，并且环A、环B中的至少一个不为无；
所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C10～C30的稠环芳基、取代或未取代的C6～C30的稠环杂芳基中的一种；
所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的二价的C3～C12的环烷基和C6～C30的芳基的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
所述L2、L3独立的选自化学式2或化学式3表示的结构中的一种，
所述Y独立的选自N或CR2，且至少一个Y选自N；
所述L4选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
所述R1、R2独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，或者相邻的两个取代基之间可以连接形成取代或未取代的环；
所述a1选自0、1、2、3或4。
本发明还提供了一种有机电致发光器件，包含阳极、有机物层、阴极、覆盖层，所述覆盖层包含有本发明叔胺衍生物中的至少一种。
本发明的有益效果：
本发明提供的一种叔胺衍生物，作为如萘等稠环芳基或如喹啉等包含氮原子的稠环杂芳基通过吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉等作为桥连被结合到苯并萘并呋喃、苯并萘并噻吩等基团的芳胺化合物，可以在具有较宽的带隙以及高折射率的同时提升紫外线区域的吸收波长，从而在适用于有机发光元件的覆盖层时实现高效率以及长使用寿命的有机电致发光元件；同时该叔胺衍生物具有较高的玻璃化转变温度(Tg)可以防止分子间的重结晶并在有机发光元件的驱动过程中产生热量时维持薄膜的稳定状态，从而提升外部量子效率并显著改善使用寿命。
另外，在高折射率的覆盖层中加入低折射率材料，可有效减少有机电致发光器件中的全反射效应，提高光耦合效率，进一步提高器件的发光效率。
具体实施方式：
下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。
在本发明的化合物中，未指定为特定同位素的任何原子被包括作为该原子的任何稳定同位素，并且包含处于其天然同位素丰度与非天然丰度两者的原子。
在本发明中，“*-”意指与另一取代基连接的部分。
本发明中，当取代基在环上的位置不固定时，表示其可连接于所述环的相应可选位点中的任意一个。
例如，可表示 可表示可表示以此类推。
本发明所述的卤素包括氟、氯、溴、碘。
在本发明中，所述烷基可以是线性或支化的，优选具有1至12个碳原子，更优选具有1至6个碳原子。所述烷基可以是被取代或未被取代的。具体实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、2-乙基丁基、1-甲基己基、正辛基等，但不限于此。
在本发明中，所述环烷基优选具有3至12个碳原子，更优选具有3至8个碳原子。所述环烷基可以是被取代或未被取代的。具体实例包括环丙基、环丁基、环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、环庚基、降冰片烷基、金刚烷基等，但不限于此。
在本发明中，所述芳基可以是单环、多环或稠环的，优选具有6至30个碳原子，更优选具有6至20个碳原子，进一步优选具有6至14个碳原子，最优选具有6至12个碳原子。所述芳基可以是被取代或未被取代的。当所述芳基是单环芳基时，具体实例包括苯基等，但不限于此；当所述芳基是多环芳基时，具体实例包括联苯基、三联苯基等，但不限于此；当所述芳基是稠环芳基时，具体实例包括萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、苝基、茚基、荧蒽基、芴基等，但不限于此。
在本发明中，所述杂芳基包含除碳之外的一个或更多个杂原子，具体的杂原子可以包括选自O、S、N、Se和Si等，优选具有3至30个碳原子，更优选具有3至10个碳原子，进一步优选具有3至7个碳原子。所述杂芳基可以是被取代或未被取代的。杂芳基可以是单环、多环或稠环的。当所述杂芳基是单环杂芳基时，具体实例包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、哒嗪基、吡嗪基、二唑基、噁唑基、噻唑基等，但不限于此；当所述杂芳基是多环杂芳基时，具体实例包括联吡啶基等，但不限于此；当所述杂芳基是稠环杂芳基时，具体实例包括吖啶基、菲啶基、吩嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、萘啶基、蝶啶基、吲哚基、吲唑基、咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、吩噻嗪基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂芴基、咔啉基、菲罗啉基等，但不限于此。
在本发明中，所述亚芳基意指芳基的芳核上去掉两个氢原子得到的二价基团，上述关于芳基的描述可以应用于亚芳基，不同之处在于亚芳基是二价的。
在本发明中，所述二价的环烷基和芳基的稠合环基是指环烷基与芳基稠合在一起后去掉两个氢原子得到的基团，优选具有7至30个碳原子，更优选7至18个碳原子，进一步优选7至13个碳原子。具体实例可包括二价的苯并环丙基、二价的苯并环丁基、二价的的苯并环戊基、二价的苯并环己基、二价的苯并环庚基、二价的苯并环戊烯基、二价的苯并环己烯基、二价的苯并环庚烯基、二价的萘并环戊基、二价的萘并环己基等，但不限于此。
在本发明中，所述亚杂芳基意指的芳核上去掉两个氢原子得到的二价基团，上述关于杂芳基的描述可以应用于亚杂芳基，不同之处在于亚杂芳基是二价的。
本发明所述的“取代”意指被选自由以下取代基中的一个或一个以上取代：氘、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基；优选的，选自氘、卤素、氰基、C1～C4的烷基、C3～C8的环烷基、C6～C18的芳基、C3～C15的杂芳基，取代基的连接位置是任意的，在被多个取代基取代的情况下，多个取代基彼此相同或不同；优选的，意指被选自由以下取代基中的一个或一个以上取代：氘、卤素、氰基、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、金刚烷基、降冰片烷基、苯胺基、苯基、甲苯基、氘代苯基、联苯基、氘代联苯基、萘基、氘代萘基、蒽基、氘代蒽基、菲基、氘代菲基、三亚苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、萘啶基、蝶啶基、吲哚基、吲唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、苯并噁唑基、吩噻嗪基、菲罗啉基等，取代基的连接位置是任意的，在被多个取代基取代的情况下，多个取代基彼此相同或不同，或相邻取代基可以连接形成取代或未取代的环。
本发明所述的连接形成环是指两个基团通过化学键彼此连接并任选地进行芳构化。如下所示例：
在本发明中，连接形成的环可以为五元环、六元环或稠合环，实例包括但不限于苯、萘、芴、环戊烷、环己烷、环戊烯、环己烯、环戊烷并苯、环己烷并苯、菲、芘、吡啶、嘧啶、喹啉、异喹啉或二苯并呋喃、二苯并噻吩等。
本发明提供了一种叔胺衍生物，其特征在于，所述叔胺衍生物由化学式1表示，
所述X选自O或S；
所述环A、环B独立的选自无、取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环中的一种，并且环A、环B中的至少一个不为无；
所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C10～C30的稠环芳基、取代或未取代的C6～C30的稠环杂芳基中的一种；
所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的二价的C3～C12的环烷基和C6～C30的芳基的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
所述L2、L3独立的选自化学式2或化学式3表示的结构中的一种，
所述Y独立的选自N或CR2，且至少一个Y选自N；
所述L4选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
所述R1、R2独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，或者相邻的两个取代基之间可以连接形成取代或未取代的环；
所述a1选自0、1、2、3或4。
优选的，所述叔胺衍生物具有如化学式1-1至化学式1-8所示结构中的一种，
所述R1独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基中的一种；
所述a1选自0、1、2、3或4；所述a2选自0、1或2；所述a3选自0、1、2或3。
优选的，所述环A、环B中至少一个选自取代或未取代的苯环。
优选的，所述L1独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚三亚苯基、取代或未取代的亚芘基、取代或未取代的亚苯并环戊基、取代或未取代的亚苯并环己基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚嘧啶基、取代或未取代的亚哒嗪基、取代或未取代的亚吡嗪基、取代或未取代的亚三嗪基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚异喹啉基、取代或未取代的亚喹唑啉基、取代或未取代的亚喹喔啉基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚蝶啶基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的亚菲啶基、取代或未取代的亚邻菲罗啉基或其组合中的一种。
优选的，所述化学式2、化学式3独立的选自如下所示结构中的一种，
所述R3独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
所述b1选自0、1、2或3；b2选自0、1或2；b3选自0或1；b4选自0、1、2、3或4。
优选的，所述R3独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的吡啶基中的一种。
优选的，所述化学式2、化学式3独立的选自如下所示结构中的一种，
优选的，所述Ar1、Ar2独立的选自化学式Ⅰ至化学式Ⅵ所示结构中的一种，
所述Z独立的选自N或CR4；所述R4独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，或相邻的两个R4之间可连接形成脂环或苯环中的一种。
优选的，所述R4独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的环丙基、取代或未取代的环丁基、取代或未取代的环戊基、取代或未取代的环己基、取代或未取代的金刚烷基、取代或未取代的降冰片烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的喹喔啉基中的一种。
优选的，化学式Ⅰ至化学式Ⅵ所示结构中最多3个Z选自N；更优选的，最多2个Z选自N；最优选的，最多1个Z选自N。
优选的，所述Ar1、Ar2独立的选自如下所示结构中的一种，
优选的，所述Ar1、Ar2独立的选自如下所示结构中的一种，
最优选的，所述化学式1独立的选自如下所示结构中的一种，
以上列举了本发明化学式1的叔胺衍生物的一些具体结构，但本发明不局限于所列的这些化学结构，凡是以化学式1的叔胺衍生物为基础，取代基为如上所限定的基团都应包含在内。
本发明所述叔胺衍生物的制备方法，可通过如下合成路线制备得到，但本发明不限于此：
其中，Ar1～Ar2、L1～L3、R1、a1、环A、环B限定于上述限定相同；Xa选自I、Br、Cl中的一种；
本发明所述叔胺衍生物涉及的反应类型为Suzuki反应和Buchwald反应。
本发明对上述合成中所采用的原料的来源没有特别的限制，可以使用市售产品原料或采用本领域技术人员所熟知的制备方法得到。
本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括阳极、有机物层、阴极、覆盖层，所述覆盖层包括本发明所述的叔胺衍生物的至少一种。
优选的，本发明所述的覆盖层包括第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层包括本发明所述的叔胺衍生物的至少一种，所述第二覆盖层含有无机材料。
优选的，所述第一覆盖层位于阴极外侧，所述第二覆盖层位于第一覆盖层外侧。
优选的，本发明所述的覆盖层包括第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层包括本发明所述的叔胺衍生物的至少一种，所述第二覆盖层含有氟化物、氧化物、氮化物、氮氧化物中的一种。
优选的，本发明所述的覆盖层包括第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层包括本发明所述的叔胺衍生物的至少一种，所述第二覆盖层含有氟化物。
优选的，所述氟化物选自氟化锂、氟化钙、氟化钠、氟化铝、氟化镁、氟化钡、氟化钇、氟化镱、氟化镨、氟化钆、氟化镧、氟化釹、氟化铈、Na5Al3F14、Na3AlF6中的至少一种。
优选的，所述氟化物选自氟化锂。
本发明所述的有机电致发光器件其结构优选如下：
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/第一覆盖层/第二覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/第一覆盖层/第二覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/第一覆盖层/第二覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/第一覆盖层/第二覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极/第一覆盖层/第二覆盖层；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/阴极/第一覆盖层/第二覆盖层；
本发明有机电致发光器件的结构并非上述结构的限制，如果需要，可以省略或同时具有多层有机物层。例如，在所述空穴传输层与所述发光层之间还可以具有电子阻挡层，在所述电子传输层与所述发光层之间还可以具有空穴阻挡层；还可以将具有相同功能的有机物层制成两层以上的层叠结构，每一层有机物层可以包含一种材料也可以包含多种材料。
本发明的有机电致发光器件通常在基板上形成。在阳极下方或者阴极上方可以使用基板。基板均为具有机械强度、热稳定性、防水性、透明度优异的玻璃或聚合物材料。所述基板只要在形成电极、形成有机物层时不发生变化即可，例如，玻璃、塑料、高分子薄膜、硅等的基板。当基板不透明时，与其相对的电极优选为透明或者半透明的。
本发明所述的有机电致发光器件中，阳极材料优选具有良好的导电率和稳定的化学性质，具有合适的功函数以减小注入势垒的材料。在本发明中可使用的阳极材料的具体实例可包括：单层金属，例如银、铝、钒、铬、铜、锌、金等，或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、金属和氧化物的结合物，例如ITO-Ag-ITO等，但不限于此。优选的，本发明所述阳极材料选自ITO、ITO-Ag-ITO等。
本发明所述的有机电致发光器件中，空穴注入不仅能够增加层与层界面间的电荷注入，还能提高组件的效率和寿命。在本发明中可使用的空穴注入材料的具体实例可包括：银氧化物、钒氧化物、钨氧化物、铜氧化物、钛氧化物等金属氧化物、酞菁化合物、联苯胺类化合物、吩嗪类化合物等材料，如酞菁铜(CuPc)、酞菁氧钛、N,N'-二苯基-N,N'-二-[4-(N,N-二苯基胺)苯基]联苯胺(NPNPB)、N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)、二喹喔啉并[2,3-a:2',3'-c]吩嗪(HATNA)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2T-NATA)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)等，但不限于此。优选的，本发明所述空穴注入材料选自酞菁铜(CuPc)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2T-NATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺(TDATA)等。
本发明所述的有机电致发光器件中，空穴传输材料的主要作用为改善器件空穴的注入和传输的平衡，提高器件的效率和寿命，优选具有优良的迁移率、成膜性好、耐热性好以及具有合适的HOMO能级的材料。在本发明中可使用的空穴传输材料的具体实例可包括二苯胺类化合物，三苯胺类化合物，芴类化合物和咔唑类化合物等材料，如N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、4-[1-[4-[二(4-甲基苯基)氨基]苯基]环己基]-N-(3-甲基苯基)-N-(4-甲基苯基)苯胺(TAPC)等，但不限于此。优选的，本发明所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺(α-NPD)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)等。
本发明所述的有机电致发光器件中，作为发光材料具备一下几个特点：成膜性好、热稳定性好、有一定的载流子传输性、半导体特性、高电导率、能传导电子或空穴或两者兼备、能与相应的电极能级匹配。有机发光材料按照发光范围可分为三类：红光材料、绿光材料和蓝光材料。在本发明中可使用的发光材料的红光材料的具体实例可包括4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(PtOEP)、三(二苯甲酰基甲烷)单(菲罗啉)铕(III)(Eu(dbm)3(Phen))等；绿光材料的具体实例可包括三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq3)、香豆素545T(C-525T)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))、N,N'-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、二[2-(2-苯并噻唑基)苯酚]锌(Zn(BTZ)2)等；蓝光材料的具体实例可包括9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、9-[4-(2-(7-(N,N-二苯基氨基)-9,9-二乙基芴-2-基)乙烯基)苯基]-9-苯基-芴(DPAFVF)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4'-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)，4,4'-双[4-(二-对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVB)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2,4-二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸铱(III)(Fir6)、二(2-羟基苯基吡啶)合铍(Bepp2)等。
本发明所述的有机电致发光器件中，空穴阻挡材料具有较强的空穴阻挡能力及合适的HOMO及LUMO能级的材料，在本发明中可使用的空穴阻挡材料具体实例可包括咪唑类，三唑类，菲罗啉衍生物等材料，如1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)等，但不限于此，优选的，所述空穴阻挡材料选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)等。
本发明所述的有机电致发光器件中，电子传输材料是辅助电子从阴极注入到有机层的材料，优选具有较高电子亲和能、较高的电子迁移率、良好的成膜性、良好的化学稳定性和热稳定性的材料。在本发明中可使用的电子传输材料具体实例可包括咪唑类，三唑类，菲罗啉衍生物、喹啉类等材料，如2,9-(二甲基)-4,7-联苯-1,10-邻二氮菲(BCP)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯基]苯(TmPyPB)、4,4'-二(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪基)联苯(BTB)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、2-(萘-2-基)-4,7-(二苯基)-1,10-邻二氮菲(HNBphen)、8-羟基喹啉-锂等(LiQ)等，但不限于此。优选的，本发明所述电子传输材料选自1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq3)、8-羟基喹啉-锂(Liq)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)等，但不限于此，优选的，本发明所述电子传输材料选自1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、8-羟基喹啉-锂等(LiQ)等。
本发明所述的有机电致发光器件中，电子注入材料的作用是提高电子从阴极注入电子传输层和发光层的效率，优选与临近的有机传输材料或主体材料等的势垒相差较小的材料。在本发明中可使用的电子注入材料实例可包括碱金化合物，例如氧化锂(Li2O)、氧化锂硼(LiBO2)、碳酸铯(Cs2CO3)、硅酸钾(K2SiO3)等；碱金属氟化物，例如氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)等，但不限于此。优选的，本发明所述电子注入材料选自氟化锂(LiF)等。
本发明所述的有机电致发光器件中，阴极材料优选导电性能好、化学稳定性好的低功函数材料。在本发明中可使用的阴极材料的具体实例可包括：金属例如，铝、镁、银、铟、锡、钛等及它们的合金；多层金属材料例如，LiF/Al、Mg/Ag、Li/Al、LiO2/Al、BaF2/Al等，但不限于此。优选的，本发明所述阴极选自半透明阴极，如Ag或Mg-Ag合金或薄Al。
本发明所述的有机电致发光器件中，第一覆盖层材料优选使用折射率较高的材料。在本发明可使用的第一覆盖层材料的具体实例除本发明所述的叔胺衍生物外，还可包括芳基胺衍生、咔唑衍生物、苯并咪唑衍生物、三唑衍生物等，但不限于此，优选的，本发明所述第一覆盖层材料选自本发明所述的叔胺衍生物。
本发明所述的有机电致发光器件中，第二覆盖层材料优选使用折射率较低的材料。在本发明可使用的第二覆盖层材料的具体实例除氟化物外，还可包括其他无机材料，如氧化硅、氧化铝、氧化钨、Na5Al3F14、Na3AlF6等，但不限于此，优选的，本发明所述的第二覆盖层材料选自本发明所述的氟化物。
本发明对有机电致发光器件的各有机物层的厚度并没有特殊限制，采用本领域所常用的厚度即可。
本发明所述有机电致发光器件，可以采用真空蒸镀法、旋涂法、气相沉积法、刮涂法、激光热转印法、电喷涂布法、狭缝式涂布法、浸沾式涂布法中的一种，在本发明中优选采用真空蒸镀的方法。
本发明所述有机电致发光器件可广泛应用于面板显示、照明光源、柔性OLED、电子纸、有机太阳能电池、有机感光体或有机薄膜晶体管、指示牌、信号灯等领域。
通过以下实施例，更详尽地解释本发明，但不希望因此限制本发明。在该描述的基础上，本领域普通技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下，在所公开的整个范围内实施本发明和制备根据本发明的其他化合物和器件。
化合物的制备及表征
原料、试剂以及表征设备的说明：
原料与试剂：本发明对以下合成实施例中所采用的原料或试剂没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。本发明所用的原料及试剂均为试剂纯。
仪器：G2-Si四极杆串联飞行时间高分辨率质谱仪(沃特斯公司，英国)；Vario ELcube型有机元素分析仪(Elementar公司，德国)；Bruker-510型核磁共振谱仪(Bruker公司，德国)。
[合成例1]中间体c-20的合成
氮气保护下，将E-20(23.77mmol，15.40g)、F-20(82.00mmol，19.64g)、Pd(PPh3)4(1.60mmol，1.85g)、K2CO3(160.00mmol，22.11g)和350mL甲苯、150mL乙醇加入到反应烧瓶中，搅拌混合物，加热回流反应4小时。反应完成降至室温后，抽滤得滤饼，并用乙醇冲洗滤饼，最后将滤饼用甲苯/乙醇＝4：1重结晶，得到中间体c-20(21.90g，83％)；HPLC纯度≥99.76％。质谱m/z：329.0618(理论值：329.0607)。
根据中间体c-20的方法，将原料E替换为等摩尔的M，原料F替换为等摩尔的N，合成下列中间体a：
根据中间体c-20的方法，将原料E替换为等摩尔的X，原料F替换为等摩尔的N/Y，合成下列中间体b：
[合成例2]化合物20的合成
中间体A-20的制备：
向反应瓶中依次加入a-20(72.00mmol，15.86g)、b-20(70.00mmol，19.89g)、叔丁醇钠(105.00mmol，10.09g)、300mL甲苯溶剂，然后通氮气置换空气三次，然后再加入Pd2(dba)3(0.70mmol，0.64g)、三叔丁基膦(1.40mmol，0.28g)，在氮气保护下，在回流温度下搅拌反应4h，反应结束后，冷却至室温，将反应物经硅藻土过滤，然后通过减压蒸馏除去溶剂，将得到的粗产物用乙酸乙酯重结晶，得到中间体A-20(24.31g，82％)；HPLC纯度≥99.73％。质谱m/z：423.1728(理论值：423.1735)。
化合物20的制备：
向反应瓶中依次加入中间体A-20(52.00mmol，22.02g)、中间体c-20(50.00mmol，16.49g)、叔丁醇钠(75.00mmoL，7.21g)、200mL DMF溶剂，然后通氮气置换空气三次，然后再加入Pd2(dba)3(0.50mmol，0.46g)、三叔丁基膦(1.00mmol，0.20g)，在氮气保护下，在回流温度下搅拌反应5.5h，反应结束后，冷却至室温，向其中加入200mL水，用400mL乙酸乙酯萃取3次，用饱和食盐水洗涤有机层，分离有机层，然后将有机层用无水硫酸镁干燥，然后通过减压蒸馏除去溶剂，将得到的粗产物通过柱层析法提纯得到化合物20(26.88g，75％)；HPLC纯度≥99.96％。
质谱m/z：716.2565(理论值：716.2576)。理论元素含量(％)C51H32N4O：C,85.45；H,4.50；N,7.82。实测元素含量(％)：C,85.47；H,4.51；N,7.81。
[合成例3]化合物25的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-25，b-20替换为等摩尔的b-25，c-20替换为等摩尔的c-25，得到化合物25(23.74g)；HPLC纯度≥99.98％。
质谱m/z：641.2230(理论值：641.2216)。理论元素含量(％)C44H27N5O：C,82.35；H,4.24；N,10.91。实测元素含量(％)：C,82.36；H,4.22；N,10.93。
[合成例4]化合物48的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-48，b-20替换为等摩尔的b-48，c-20替换为等摩尔的c-48，得到化合物48(27.75g)；HPLC纯度≥99.94％。
质谱m/z：739.2635(理论值：739.2624)。理论元素含量(％)C54H33N3O：C,87.66；H,4.50；N,5.68。实测元素含量(％)：C,87.69；H,4.51；N,5.66。
[合成例5]化合物57的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-57，b-20替换为等摩尔的b-57，c-20替换为等摩尔的c-57，得到化合物57(24.95g)；HPLC纯度≥99.97％。
质谱m/z：639.2318(理论值：639.2311)。理论元素含量(％)C46H29N3O：C,86.36；H,4.57；N,6.57。实测元素含量(％)：C,86.38；H,4.58；N,6.56。
[合成例6]化合物71的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-71，b-20替换为等摩尔的b-71，c-20替换为等摩尔的c-57，得到化合物71(25.18g)；HPLC纯度≥99.95％。
质谱m/z：689.2455(理论值：689.2467)。理论元素含量(％)C50H31N3O：C,87.06；H,4.53；N,6.09。实测元素含量(％)：C,87.07；H,4.55；N,6.05。
[合成例7]化合物107的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-107，b-20替换为等摩尔的b-107，c-20替换为等摩尔的c-57，得到化合物107(24.83g)；HPLC纯度≥99.91％。
质谱m/z：689.2228(理论值：689.2216)。理论元素含量(％)C48H27N5O：C,83.58；H,3.95；N,10.15。实测元素含量(％)：C,83.56；H,3.96；N,10.17。
[合成例8]化合物178的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-178，b-20替换为等摩尔的b-178，c-20替换为等摩尔的c-57，得到化合物178(24.71g)；HPLC纯度≥99.93％。
质谱m/z：641.2228(理论值：641.2216)。理论元素含量(％)C44H27N5O：C,82.35；H,4.24；N,10.91。实测元素含量(％)：C,82.38；H,4.18；N,10.95。
[合成例9]化合物206的合成
按照合成例2的制备方法，将c-20替换为等摩尔的c-206，得到化合物206(24.95g)；HPLC纯度≥99.95％。
质谱m/z：639.2323(理论值：639.2311)。理论元素含量(％)C46H29N3O：C,86.36；H,4.57；N,6.57。实测元素含量(％)：C,86.38；H,4.58；N,6.55。
[合成例10]化合物210的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-210，b-20替换为等摩尔的b-210，c-20替换为等摩尔的c-206，得到化合物210(25.17g)；HPLC纯度≥99.91％。
质谱m/z：653.3197(理论值：653.3189)。理论元素含量(％)C46H15D14N3O：C,84.50；H,6.63；N,6.43。实测元素含量(％)：C,84.51；H,6.60；N,6.42。
[合成例11]化合物215的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-215，b-20替换为等摩尔的b-215，c-20替换为等摩尔的c-206，得到化合物215(31.67g)；HPLC纯度≥99.93％。
质谱m/z：891.3266(理论值：891.3250)。理论元素含量(％)C66H41N3O：C,88.86；H,4.63；N,4.71。实测元素含量(％)：C,88.87；H,4.62；N,4.73。
[合成例12]化合物220的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-220，b-20替换为等摩尔的b-220，c-20替换为等摩尔的c-206，得到化合物220(24.07g)；HPLC纯度≥99.95％。
质谱m/z：641.2208(理论值：641.2216)。理论元素含量(％)C44H27N5O：C,82.35；H,4.24；N,10.91。实测元素含量(％)：C,82.38；H,4.23；N,10.95。
[合成例13]化合物223的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-223，b-20替换为等摩尔的b-223，c-20替换为等摩尔的c-206，得到化合物223(29.75g)；HPLC纯度≥99.95％。
质谱m/z：803.3451(理论值：803.3469)。理论元素含量(％)C56H25D10N5O：C,83.66；H,5.64；N,8.71。实测元素含量(％)：C,83.67；H,5.65；N,8.70。
[合成例14]化合物226的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-226，b-20替换为等摩尔的b-226，c-20替换为等摩尔的c-206，得到化合物226(27.86g)；HPLC纯度≥99.97％。
质谱m/z：795.2762(理论值：795.2747)。理论元素含量(％)C54H33N7O：C,81.49；H,4.18；N,12.32。实测元素含量(％)：C,81.46；H,4.16；N,12.34。
[合成例15]化合物258的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-258，b-20替换为等摩尔的b-258，c-20替换为等摩尔的c-258，得到化合物258(28.28g)；HPLC纯度≥99.93％。
质谱m/z：715.2633(理论值：715.2624)。理论元素含量(％)C52H33N3O：C,87.25；H,4.65；N,5.87。实测元素含量(％)：C,87.23；H,4.64；N,5.88。
[合成例16]化合物280的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-280，b-20替换为等摩尔的b-280，c-20替换为等摩尔的c-280，得到化合物280(29.70g)；HPLC纯度≥99.96％。
质谱m/z：791.2947(理论值：791.2937)。理论元素含量(％)C58H37N3O：C,87.96；H,4.71；N,5.31。实测元素含量(％)：C,87.95；H,4.72；N,5.33。
[合成例17]化合物311的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-311，b-20替换为等摩尔的b-311，c-20替换为等摩尔的c-311，得到化合物311(30.09g)；HPLC纯度≥99.98％。
质谱m/z：791.2951(理论值：791.2937)。理论元素含量(％)C58H37N3O：C,87.96；H,4.71；N,5.31。实测元素含量(％)：C,87.91；H,4.73；N,5.32。
[合成例18]化合物343的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-343，b-20替换为等摩尔的b-343，C-20替换为等摩尔的c-343，得到化合物343(27.82g)；HPLC纯度≥99.92％。
质谱m/z：751.3575(理论值：751.3563)。理论元素含量(％)C54H45N3O：C,86.25；H,6.03；N,5.59。实测元素含量(％)：C,86.27；H,6.01；N,5.55。
[合成例19]化合物345的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-345，b-20替换为等摩尔的b-345，c-20替换为等摩尔的c-345，得到化合物345(29.60g)；HPLC纯度≥99.95％。
质谱m/z：739.2638(理论值：739.2624)。理论元素含量(％)C54H33N3O：C,87.66；H,4.50；N,5.68。实测元素含量(％)：C,87.61；H,4.51；N,5.70。
[合成例20]化合物351的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-351，b-20替换为等摩尔的b-351，c-20替换为等摩尔的c-351，得到化合物351(24.78g)；HPLC纯度≥99.93％。
质谱m/z：643.2128(理论值：643.2121)。理论元素含量(％)C42H25N7O：C,78.37；H,3.91；N,15.23。实测元素含量(％)：C,78.38；H,3.95；N,15.20。
[合成例21]化合物356的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-258，b-20替换为等摩尔的b-356，c-20替换为等摩尔的c-356，得到化合物356(26.28g)；HPLC纯度≥99.91％。
质谱m/z：719.2888(理论值：719.2875)。理论元素含量(％)C52H29N3O：C,86.76；H,5.18；N,5.84。实测元素含量(％)：C,86.78；H,5.17；N,5.86。
[合成例22]化合物365的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-365，b-20替换为等摩尔的b-365，c-20替换为等摩尔的c-365，得到化合物365(23.10g)；HPLC纯度≥99.95％。
质谱m/z：641.2230(理论值：641.2216)。理论元素含量(％)C44H28N5O：C,82.35；H,4.24；N,10.91。实测元素含量(％)：C,82.33；H,4.25；N,10.94。
[合成例23]化合物396的合成
按照合成例2的制备方法，将b-20替换为等摩尔的b-396，c-20替换为等摩尔的c-396，得到化合物396(28.58g)；HPLC纯度≥99.93％。
质谱m/z：732.2360(理论值：732.2348)。理论元素含量(％)C51H32N4S：C,83.58；H,4.40；N,7.64。实测元素含量(％)：C,83.60；H,4.38；N,7.63。
[合成例24]化合物413的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-413，b-20替换为等摩尔的b-413，c-20替换为等摩尔的c-404，得到化合物413(26.27g)；HPLC纯度≥99.96％。
质谱m/z：656.2047(理论值：656.2035)。理论元素含量(％)C45H28N4S：C,82.29；H,4.30；N,8.53。实测元素含量(％)：C,82.28；H,4.33；N,8.52。
[合成例25]化合物420的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-420，b-20替换为等摩尔的b-420，c-20替换为等摩尔的c-420，得到化合物420(24.59g)；HPLC纯度≥99.95％。
质谱m/z：655.2095(理论值：655.2082)。理论元素含量(％)C46H29N3S：C,84.25；H,4.46；N,6.41。实测元素含量(％)：C,84.23；H,4.47；N,6.38。
[合成例26]化合物446的合成
按照合成例2的制备方法，将a-20替换为等摩尔的a-71，b-20替换为等摩尔的b-446，c-20替换为等摩尔的c-446，得到化合物446(26.46g)；HPLC纯度≥99.96％。
质谱m/z：755.2381(理论值：755.2395)。理论元素含量(％)C54H33N3S：C,85.80；H,4.40；N,5.56。实测元素含量(％)：C,85.82；H,4.43；N,5.53。
[器件实施例]
清洗ITO/Ag/ITO玻璃基板，由5％的玻璃清洗液超声清洗2次，每次20分钟，再由去离子水超声清洗2次，每次10分钟。依次使用丙酮和异丙酮超声清洗20分钟，120℃烘干。
器件实施例1：采用真空蒸镀的方法制备有机电致发光器件，在作为阳极的ITO/Ag/ITO玻璃基板上真空蒸镀厚度为60nm的2-TNATN作为空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀厚度为30nm的HT01作为空穴传输层；在空穴传输层上真空蒸镀厚度为30nm的Ir(piq)2(acac):26DCzPPy＝5:95作为发光层；在发光层上真空蒸镀厚度为30nm的ET01作为电子传输层；在电子传输层上真空蒸镀厚度为1nm的LiF作为电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀厚度为18nm的Mg：Ag＝9:1作为阴极；在阴极上真空蒸镀厚度为50nm的本发明化合物20作为第一覆盖层材料；在第一覆盖层上真空蒸镀厚度为15nm的氟化锂作为第二覆盖层材料。
有机电致发光器件1的器件结构如下：
ITO/Ag/ITO/2-TNATN(60nm)/HT01(30nm)/Ir(piq)2(acac):26DCzPPy＝5:95(30nm)/ET01(30nm)/LiF(1n
m)/Mg:Ag(9:1)(18nm)/化合物23(50nm)/LiF(15nm)。
器件实施例2～25：分别用本发明化合物25、化合物48、化合物57、化合物71、化合物107、化合物178、化合物206、化合物210、化合物215、化合物220、化合物223、化合物226、化合物258、化合物280、化合物311、化合物343、化合物345、化合物351、化合物356、化合物365、化合物396、化合物413、化合物420、化合物434替代器件实施例1中的本发明化合物20作为第一覆盖层材料，除此之外，应用与器件实施例1相同的步骤制备有机电致发光器件。
对比实施例1：采用真空蒸镀的方法制备有机电致发光器件，在作为阳极的ITO/Ag/ITO玻璃基板上真空蒸镀厚度为60nm的2-TNATN作为空穴注入层；在空穴注入层上真空蒸镀厚度为30nm的HT01作为空穴传输层；在空穴传输层上真空蒸镀厚度为30nm的Ir(piq)2(acac):26DCzPPy＝5:95作为发光层；在发光层上真空蒸镀厚度为30nm的ET01作为电子传输层；在电子传输层上真空蒸镀厚度为1nm的LiF作为电子注入层；在电子注入层上真空蒸镀厚度为18nm的Mg：Ag＝9:1作为阴极；在阴极上真空蒸镀厚度为65nm的本发明化合物206作为覆盖层材料。
对比实施例2～3：用本发明化合物270、LiF替代对比实施例1中的本发明化合物206作为覆盖层材料，除此之外，应用与对比实施例1相同的步骤制备有机电致发光器件。
对比实施例4～7：用化合物CP01、化合物CP02、化合物CP03、化合物CP04替代器件实施例1中的本发明化合物20作为第一覆盖层材料，除此之外，应用与器件实施例1相同的步骤制备有机电致发光器件。
将测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国PhotoResearch公司的PR788光谱扫描亮度计组成一个联合IVL测试系统来测试有机发光器件的发光效率；寿命的测试采用McScience公司的M6000OLED寿命测试系统测试的，环境为大气环境，温度为室温。
表1为发明实施例制备的化合物以及比较化合物制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果。[表1]有机电致发光器件的发光特性测试
以上实施例说明，与仅有一层覆盖层的有机发光器件相比，具有双层覆盖层的有机电致发光器件在发光效率、寿命方面均有显著提升；另外，使用对比化合物的有机电致发光器件与使用本发明化合物的有机电致发光器件相比，使用本发明化合物的有机电致发光器件的效率和寿命明显更优，本发明的叔胺衍生物是性能良好的覆盖层材料。
本申请虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本申请构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本申请的保护范围应当以本申请权利要求所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种叔胺衍生物，其特征在于，所述叔胺衍生物由化学式1表示，
所述X选自O或S；
所述环A、环B独立的选自无、取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环中的一种，并且环A、环B中的至少一个不为无；
所述Ar1、Ar2独立的选自取代或未取代的C10～C30的稠环芳基、取代或未取代的C6～C30的稠环杂芳基中的一种；
所述L1选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的二价的C3～C12的环烷基和C6～C30的芳基的稠合环基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
所述L2、L3独立的选自化学式2或化学式3表示的结构中的一种，
所述Y独立的选自N或CR2，且至少一个Y选自N；
所述L4选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基或其组合中的一种；
所述R1、R2独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，或者相邻的两个取代基之间可以连接形成取代或未取代的环；
所述a1选自0、1、2、3或4。
2.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述叔胺衍生物具有如化学式1-1至化学式1-8所示结构中的一种，
所述R1独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的甲基、取代或未取代的乙基、取代或未取代的异丙基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的嘧啶基中的一种；
所述a1选自0、1、2、3或4；所述a2选自0、1或2；所述a3选自0、1、2或3。
3.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述环A、环B中至少一个选自取代或未取代的苯环。
4.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述L1独立的选自单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚三亚苯基、取代或未取代的亚芘基、取代或未取代的亚苯并环戊基、取代或未取代的亚苯并环己基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚嘧啶基、取代或未取代的亚哒嗪基、取代或未取代的亚吡嗪基、取代或未取代的亚三嗪基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚异喹啉基、取代或未取代的亚喹唑啉基、取代或未取代的亚喹喔啉基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚蝶啶基、取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的亚菲啶基、取代或未取代的亚邻菲罗啉基或其组合中的一种。
5.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述化学式2、化学式3独立的选自如下所示结构中的一种，
所述R3独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
所述b1选自0、1、2或3；b2选自0、1或2；b3选自0或1；b4选自0、1、2、3或4。
6.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述Ar1、Ar2独立的选自化学式Ⅰ至化学式Ⅵ所示结构中的一种，
所述Z独立的选自N或CR4；所述R4独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C3～C12的环烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种，或相邻的两个R4之间可连接形成脂环或苯环中的一种。
7.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述Ar1、Ar2独立的选自如下所示结构中的一种，
8.根据权利要求1所述的叔胺衍生物，其特征在于，所述化学式1独立的选自如下所示结构中的一种，
9.一种有机电致发光器件，包含阳极、有机物层、阴极、覆盖层，其特征在于，所述覆盖层含有权利要求1～8任意一项所述的叔胺衍生物中的至少一种。
10.根据权利要求9所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述覆盖层包括第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层含有权利要求1～8任意一项所述的叔胺衍生物中的至少一种，所述第二覆盖层含有氟化物。
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