CN115172598A - 一种有机太阳能电池及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种有机太阳能电池及制备方法，属于太阳能电池领域，有机太阳能电池从下到上依次为衬底、透明导电阴极ITO、ZnO阴极缓冲层、修饰层、光活性层、MoO3阳极缓冲层和金属阳极；在活性层旋涂前先旋涂一层的受体材料作为修饰层，退火之后进行旋涂工艺制备光活性层，修饰层将诱导上层光活性层结晶，实现光活性层形成给/受体梯度垂直分层的混合相态，光活性层表面形貌更加平整并且先旋涂的受体修饰层能修饰ZnO层，填补其中的缺陷，光活性层有利于提高光活性层内激子解离与载流子传输的能力，通过改善光活性层与阴/阳极缓冲层间的接触，促进其形成欧姆接触，减小界面间形成的接触电阻，达到提高有机太阳能电池器件各方面性能参数的目的。
Description
技术领域
本发明属于有机聚合物光伏器件或有机半导体薄膜太阳能电池领域，具体涉及一种加入小分子受体材料修饰层分步旋涂工艺制备具有垂直相梯度分布光活性层的有机太阳能电池的制备方法。
背景技术
在经济飞速发展的21世纪，人类对能源的需求与能源短缺的矛盾日益严重，在减少对不可再生能源过度使用的前提下，开发利用新型绿色，环保，可再生能源是人类可持续发展的客观需要。在诸多新型可再生能源中太阳能以其取之不尽、用之不竭、清洁无污染的可再生能源，与化石燃料能源相比具有很大的优势。对光伏效应的认识和发展为利用太阳能资源提供了可能，光伏效应为如何利用清洁和可再生的太阳能指明了方向。我们对太阳能电池的发展进程进行分类、第一代是传统的硅基太阳能电池、第二代是砷化镓、碲化镉等无机半导体太阳能电池、第三代是染料敏化、量子点、有机、钙钛矿太阳能电池。作为最有前途的光伏器件之一，有机太阳能电池(OSC)由于其柔性、质轻、透明度高、材料来源广泛等原因符合未来发展的要求。但它仍然存在着一些缺点，比如效率不高、寿命较短、工艺繁琐等。这也是限制有机太阳能电池大规模商业化应用的三个主要因素，也是现在科研人员最主要的三个研究方向。尽管性能最好的OSC已经实现了超过18％的功率转换效率(PCE)，但仍有许多方面需要提升，以增强其相对于其他光伏技术的竞争力。
自2019年合成出了新受体材料Y6，该材料拓宽了近红外区域的吸收谱线，以及较小的能量偏移以减少电压损失。其与给体材料PM6相结合形成的体系使得OSCs的光子收集和功率转换效率(PCE)的显著提升。为了生产高效的OSC，需要给体和受体材料具有高的电荷载流子迁移率，在可见光以及红外波段范围内具有互补的吸收带。同时有机太阳能电池中的非辐射复合在载流子的重组过程中占主导地位，载流子复合和电极对载流子的提取之间的竞争制约着器件的填充因子(FF)。因此，我们需要提高载流子传输的能力，抑制载流子重组的概率，并进一步提高器件的FF。而提高器件的短路电流(JSC)通常是通过三元系统来实现的，即添加第三种成分以表现出更强的吸收能力，然后获得JSC和外量子效率(EQE)的增强。近3年来，Y6及其衍生物材料大量的被研究人员合成用于有机太阳能电池，但关于有机太阳能电池器件自身的结构优化较少，其活性层内部给/受体相分离情况，以及活性层与阴/阳极缓冲层的接触情况仍缺乏确定解释及相应的优化手段。因此，研究如何使得有机光活性层内部呈现出有利于载流子传输的垂直相分离、如何优化有机太阳能电池层与层直接的接触情况，是提高有机太阳能电池功率转换效率、提高器件稳定性的有效途径，也是目前有机太阳能电池领域研究的重点及难点之一。
发明内容
本发明所要解决的问题是：如何提一种有机太阳能电池及制备方法，旨在解决有机太阳能电池光活性层内部垂直相分离不佳，从而导致光生载流子解离效率与电极提取载流子效率低，使得器件拥有较大的界面接触电阻与较高的载流子复合几率，最终降低器件性能的问题。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
一种有机太阳能电池，该有机太阳能电池采用反型结构，从下到上依次为衬底、透明导电阴极ITO、ZnO阴极缓冲层、受体材料修饰层、光活性层、MoO3阳极缓冲层和金属阳极；所述的受体材料连续沉积光活性层工艺是在活性层旋涂前先旋涂一层相对较厚的受体材料作为修饰层，退火之后进行常规旋涂工艺制备光活性层，该修饰层将诱导上层活性层结晶，即可实现光活性层形成给/受体垂直分层的混合相态，这样制备出的活性层表面形貌更加平整并且先旋涂的受体修饰层能修饰ZnO层，填补其中的缺陷，该活性层形貌更有利于提高光活性层内激子解离与载流子传输的能力，并通过改善光活性层与阴/阳极缓冲层间的接触，促进其形成欧姆接触，减小界面间形成的接触电阻，最终达到提高有机太阳能电池器件各方面性能参数的目的。
作为优选，所述光活性层由电子给体材料PM6与受体材料Y6的混合溶液制备而成，厚度范围为50～300nm；所述混合溶液中PM6和Y6的质量百分比为1:1.2，所述混合溶液的浓度为16mg/ml。
作为优选，所述的受体材料修饰层由受体材料Y6溶液制备而成，厚度范围为50～300nm；所述溶液浓度为9mg/ml。
作为优选，所述阴极缓冲层材料为ZnO，厚度范围为20～50nm。
作为优选，所述金属阴极材料为Ag、Al和Au中的至少一种材料制成，薄层厚度范围为100～200nm。
作为优选，所述衬底为玻璃或透明聚合物制成，所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂和聚丙烯酸中的至少一种。
一种有机太阳能电池的制备方法，制备过程包括以下步骤：
(1)对由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
(2)在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆、印刷或喷涂阴极缓冲层ZnO溶胶凝胶前驱溶液，并进行热退火，形成ZnO阴极缓冲层；
(3)将受体修饰层溶液滴覆在ZnO阴极缓冲层上后进行热退火，形成受体材料修饰层；
(4)将活性层溶液滴覆在受体材料修饰层上后进行热退火，形成光活性层；
(5)在真空度为3*10-3Pa条件下，在光活性层表面蒸镀MoO3，制备得到阳极缓冲层；
(6)在真空度为3*10-4Pa条件下，蒸镀金属阳极。
作为优选，步骤(2)所述阴极缓冲层热退火温度范围在200～250℃，时间范围为1～2h。
作为优选，步骤(3)(4)所述热退火温度范围在90～110℃，时间范围为10～20min。
作为优选，所述热退火和低温烘烤方式采用恒温热台加热、烘箱加热、远红外加热、热风加热的一种或多种。
本发明的有益效果在于：
1、钝化了氧化性电子传输层，填补氧化锌层本身的缺陷。该钝化效果能够保障电子缓冲层与活性层的欧姆接触，优化了氧化锌的形貌，有效地提高了器件内部层间电荷载流子传输能力。
2、抑制光解作用，提高器件光稳定性稳定性。小分子插入层的介入，能够避免氧化锌电子缓冲层与非富勒烯基活性层的直接接触，有效地抑制了常规非富勒烯体系中氧化锌层对活性层中非富勒烯小分子受体的光分解作用，进而提高了器件光稳定性。
3、通过化学结构相似的特点，诱导顶部活性层以特殊形态结晶。插入修饰层时，由于小分子受体材料化学结构相似的特性(修饰层：Y6、BTP-eC9、L8-BO，活性层：PM6:Y6)，底修饰层能够有效地诱导顶部活性层进行顺序结晶，在活性层中垂直方向上实现小分子受体材料富集于底部(阴极侧)，聚合物给体材料富集于顶部(阳极侧)的梯度相分布结构，该结构大大提升了活性层内部机子传输分离，自由电荷载流子传输的能力，进而实现器件性能的整体提高。
附图说明
图1是本发明一种有机太阳能电池的结构示意图；
图2是采用本发明制备方法的有机太阳能电池光活性层内部垂直相梯度浓度分布情况示意图；
其中相应的附图标记为：
1-衬底，2-透明导电阴极ITO，3-ZnO阴极缓冲层，4-受体材料修饰层，5-光活性层，6-MoO3阳极缓冲层，7-金属阳极，8-聚合物PM6相形态，9-小分子受体材料相形态。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，“设置”、“连接”等术语应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细说明。
实施例1(对照组)：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液，采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
5.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
6.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
7.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.82V，短路电流(JSC)＝23.51mA/cm2，填充因子(FF)＝0.68，光电转换效率(PCE)＝13.13％。
实施例2：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.84V，短路电流(JSC)＝25.10mA/cm2，填充因子(FF)＝0.73，光电转换效率(PCE)＝15.39％。
实施例3：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.83V，短路电流(JSC)＝25.45mA/cm2，填充因子(FF)＝0.72，光电转换效率(PCE)＝15.21％。
实施例4：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.83V，短路电流(JSC)＝25.38mA/cm2，填充因子(FF)＝0.76，光电转换效率(PCE)＝16.05％。
实施例5：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.84V，短路电流(JSC)＝24.89mA/cm2，填充因子(FF)＝0.73，光电转换效率(PCE)＝15.26％。
实施例6：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.83V，短路电流(JSC)＝25.24mA/cm2，填充因子(FF)＝0.72，光电转换效率(PCE)＝15.08％。
实施例7：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.83V，短路电流(JSC)＝25.02mA/cm2，填充因子(FF)＝0.71，光电转换效率(PCE)＝14.74％。
实施例8：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.83V，短路电流(JSC)＝25.21mA/cm2，填充因子(FF)＝0.72，光电转换效率(PCE)＝15.06％。
实施例9：
1.对表面粗糙度小于1nm的由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
2.在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆ZnO(5000rpm,50s,40nm)制备阴极缓冲层，并将所形成的薄膜进行热退火处理(200℃,2h)；
3.在阴极缓冲层上滴覆Y6(9mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
4.在受体材料修饰层上滴覆PM6:Y6(1:1.2,16mg/ml)溶液并采用旋涂工艺制备光活性层(2000rpm,40s,110nm)；
5.室温条件下PM6:Y6光活性层在手套箱中放置10min；
6.在光活性层上蒸镀阳极缓冲层MoO3(15nm)；
7.在阳极缓冲层上蒸镀金属阳极Ag(100nm)；
8.在标准测试条件下：AM 1.5,100mW/cm2，测得器件的开路电压(VOC)＝0.83V，短路电流(JSC)＝25.31mA/cm2，填充因子(FF)＝0.74，光电转换效率(PCE)＝15.54％。
可以看出：通过引入受体材料连续沉积光活性层方法制备的有机太阳能电池(即实例2～9制备而成的有机太阳能电池)，相比于未经处理制备的有机太阳能电池(即实例1制备而成的有机太阳能电池)，其Jsc变大，FF提高，Voc提升。这是由于滴覆在ZnO上的受体材料修饰层以其与活性层受体材料的结构相同，将诱导上层活性层进行结晶，从而使得活性层溶液出现不同分子垂直梯度分层现象，受体材料富集于阴极侧，给体材料富集于阳极侧。这大大提升了器件载流子几率并提升了电极电极对载流子的提取能力。同时，光活性层中上下层成分比例差距较大(上层富集PM6，下层富集Y6)有助于光活性层与阴阳极缓冲层形成良好的欧姆接触，有效的减小了有机太阳能电池器件中的界面电阻，提高了电荷在不同界面处(电子在光活性层/电子缓冲层界面，空穴在光活性层/空穴缓冲层界面)的传输能力，降低了界面间电荷复合几率。
本发明的技术方案不限于上述具体实施例的限制，凡是根据本发明的技术方案做出的技术变形，均落入本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种有机太阳能电池，其特征在于，从下到上依次包括衬底、透明导电阴极ITO、ZnO阴极缓冲层、受体材料修饰层、光活性层、MoO3阳极缓冲层和金属阳极。
2.根据权利要求1所述的一种有机太阳能电池，其特征在于，所述光活性层由电子给体材料PM6与受体材料Y6的混合溶液制备而成，厚度范围为50～300nm。
3.根据权利要求1所述的一种有机太阳能电池，其特征在于，所述的受体材料修饰层为受体材料Y6，厚度范围为50～300nm。
4.根据权利要求1所述的一种有机太阳能电池，其特征在于，所述ZnO阴极缓冲层材料的厚度范围为20～50nm。
5.根据权利要求1所述的一种有机太阳能电池，其特征在于，所述金属阳极为Ag、Al和Au中的至少一种材料制成，薄层厚度范围为100～200nm。
6.根据权利要求1所述的一种有机太阳能电池，其特征在于，所述衬底为玻璃或透明聚合物制成，所述透明聚合物材料为聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氨基甲酸酯、聚酰亚胺、氯醋树脂和聚丙烯酸中的至少一种。
7.一种有机太阳能电池的制备方法，用于制备如权力要求1-6中任一项所述的一种有机太阳能电池，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对由透明衬底及透明导电阴极ITO所组成的基板进行清洗，清洗后用氮气吹干；
(2)在透明导电阴极ITO表面旋转涂覆、印刷或喷涂阴极缓冲层ZnO溶胶凝胶前驱溶液，并进行热退火，形成ZnO阴极缓冲层；
(3)将受体修饰层溶液滴覆在ZnO阴极缓冲层上后进行热退火，形成受体材料修饰层，受体材料修饰层溶液由受体材料Y6溶液制备而成，溶液浓度为9mg/ml；
(4)将活性层溶液滴覆在受体材料修饰层上后进行热退火，形成光活性层，活性层溶液由电子给体材料PM6与受体材料Y6的混合溶液制备而成，所述混合溶液中PM6和Y6的质量百分比为1:1.2，所述混合溶液的浓度为16mg/ml；
(5)在真空度为3*10-3Pa条件下，在光活性层表面蒸镀MoO3，制备得到阳极缓冲层；
(6)在真空度为3*10-4Pa条件下，蒸镀金属阳极。
8.根据权利要求7所述的一种有机太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述阴极缓冲层热退火温度范围在200～250℃，时间范围为1～2h。
9.根据权利要求7所述的一种有机太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)(4)所述热退火温度范围在90～110℃，时间范围为10～20min。
10.根据权利要求7所述的一种有机太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述热退火和低温烘烤方式采用恒温热台加热、烘箱加热、远红外加热和热风加热中的至少一种。
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| CN202210844010.8A CN115172598A (zh) | 2022-07-18 | 2022-07-18 | 一种有机太阳能电池及制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116782673A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-09-19 | 中南大学 | 基于分步旋涂混合异质结的有机太阳能电池及其制备方法 |
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2022
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