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CN115132930A - 发绿光的发光器件、发光基板和发光装置 - Google Patents

发绿光的发光器件、发光基板和发光装置 Download PDF

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CN115132930A
CN115132930A CN202110336552.XA CN202110336552A CN115132930A CN 115132930 A CN115132930 A CN 115132930A CN 202110336552 A CN202110336552 A CN 202110336552A CN 115132930 A CN115132930 A CN 115132930A
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CN
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light
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马坤
高荣荣
王丹
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BOE Technology Group Co Ltd
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Abstract

本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。可以提高器件的发光效率、寿命和稳定性。一种发绿光的发光器件，包括：层叠设置的第一电极和第二电极，设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；所述发光层包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料形成激基复合物；所述第一主体材料的LUMO能级与所述第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，且在同等的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述第二主体材料的电子迁移率的数值的数量级之差大于或等于1。

Description

发绿光的发光器件、发光基板和发光装置
技术领域
本公开涉及照明和显示技术领域，尤其涉及一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)具有自发光、广视角、反应时间快、发光效率高、工作电压低、基板厚度薄、可制作大尺寸与可弯曲式基板及制程简单等特性，被誉为下一代的“明星”显示技术。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。可以提高器件的发光效率、寿命和稳定性。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，提供一种发绿光的发光器件，包括：层叠设置的第一电极和第二电极，设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；所述发光层包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料形成激基复合物；所述第一主体材料的LUMO能级与所述第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，且在同等的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述第二主体材料的电子迁移率的数值的数量级之差大于或等于1。
在一些实施例中，在电场强度为5000V1/2/m1/2的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率为1×10-8cm2V-1s-1～1×10-6cm2V-1s-1，所述第二主体材料的电子迁移率为1×10-9cm2V-1s-1～1×10-6cm2V-1s-1。
在一些实施例中，所述第一主体材料的LUMO能级为-2.4eV～-2.0eV；所述第二主体材料的LUMO能级为-3.0eV～-2.7eV。
在一些实施例中，所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度大于或等于90nm。
在一些实施例中，所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度为100nm～110nm。
在一些实施例中，所述第一主体材料选自双咔唑的结构。
在一些实施例中，所述第一主体材料选自如下通式(I)或通式(II)所示结构：
Figure BDA0002997926740000021
其中，X1和X2相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的亚芳基和取代或未取代的环碳原子数为2～30个的亚杂芳基中的任一种；每个Ar1相同或不同，分别独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为3～60个的环烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基和取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～60个的杂芳基中的任一种；每个Ar2相同或不同，分别独立地选自氟、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷氧基、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的芳基和取代或为取代的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；X1和X2中的取代基选自碳原子数为1～10个的烷基、环碳原子数为3～20个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；Ar1中的取代基选自碳原子数为4～6个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；Ar2中的取代基选自碳原子数为4～20个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；m选自0、1或2中的任一个。
在一些实施例中，所述第一主体材料选自如下结构中的任一种：
Figure BDA0002997926740000031
Figure BDA0002997926740000041
在一些实施例中，所述第二主体材料选自如下通式(III)所示结构：
Figure BDA0002997926740000042
其中，X3、X4和X5分别独立地选自N或CR3，且X3～X5中至少一者为N，L选自单键、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为6～30个的亚芳基、取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中碳原子数为2～60个的亚杂芳基中的任一种；A和B分别独立地选自环碳原子数为6～30个的芳环和环碳原子数为2～30个的杂芳环中的任一种；Ar3和Ar4分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种；R1、R2和R3分别独立地选自氢、取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基，取代或未取代的碳原子数为6～60个的芳基，和取代或未取代的含有O、N、S和Si中的至少一者中碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种；L、Ar3、Ar4、R1、R2和R3中的取代基分别独立地选自卤素、氰基、烷基、芳基和杂芳基中的任一种或多种组合。
在一些实施例中，所述第二主体材料选自如下结构中的任一种：
Figure BDA0002997926740000051
Figure BDA0002997926740000061
在一些实施例中，还包括：设置于所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输层，以及设置于所述第二电极和所述发光层之间的电子传输层；其中，所述空穴传输层的材料选自咔唑类化合物、六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌和1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任一种或几种组合；所述电子传输层的材料选自包含有三嗪、吡啶、吖嗪和苯并咪唑中任一种或多种基团的化合物。
在一些实施例中，所述发光层还包括客体材料，所述客体材料选自如下结构中的一种或几种的组合：
Figure BDA0002997926740000062
另一方面，提供一种发光基板，包括：衬底；以及设置于所述衬底上的多个发光器件；其中，至少一个发光器件为如上所述的发绿光的发光器件。
再一方面，提供一种发光装置，包括：如上所述的发光基板。
本发明实施例提供一种发绿光的发光器件、发光基板和发光装置。通过使第一主体材料的LUMO能级与第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，在上述电子和空穴传输过程中，可以在第二主体材料的LUMO能级和第一主体材料的LUMO能级之间形成较大的势垒(电子陷阱)，与相关技术中第一主体材料的LUMO能级和第二主体材料的LUMO能级之间的能级差小于0.5eV相比，可以降低整个发光器件的电子迁移率，使电子和空穴传输趋向于平衡，对电子和空穴的复合区域进行调节，使电子和空穴的复合区域向远离电子阻挡层一侧偏移，这样，能够抵消或者减弱由于温度升高所引起的激子在靠近电子阻挡层一侧浓度过大所导致的器件稳定性和器件效率降低的问题。
另外，在上述第一主体材料的LUMO能级与第二主体材料的LUMO能级之间的能级差确定，如大于或等于0.5eV的情况下，通过选择具有较高空穴迁移率的第一主体材料，以及具有较低电子迁移率的第二主体材料，可以进一步提高整个发光器件的空穴迁移率，降低整个发光器件的电子迁移率，从而能够对电子和空穴的复合区域进行进一步调节，使电子和空穴的复合区域向远离电子阻挡层一侧偏移，以进一步抵消或者减弱由于温度升高所引起的激子在靠近电子阻挡层一侧浓度过大所导致的器件稳定性和器件效率降低的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的发光基板的剖视结构图；
图2为根据一些实施例的发光基板的俯视结构图；
图3为相关技术提供的在不同的温度下，激子强度在发光层中的分布情况的对比图；
图4为相关技术提供的温度与整个发光器件的电子迁移率与空穴迁移率之比的对应关系图；
图5为根据一些实施例的第一主体材料和第二主体材料与电子阻挡层和空穴阻挡层的能级关系图；
图6为根据一些实施例的第一主体材料和第二主体材料与二者所形成的激子复合物的归一化发射光谱的对比图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了一种发光装置，该发光装置包括发光基板，当然还可以包括其他部件，例如可以包括用于向发光基板提供电信号，以驱动该发光基板发光的电路，该电路可以称为控制电路，可以包括与发光基板电连接的电路板和/或IC(IntegrateCircuit，集成电路)。
在一些实施例中，该发光装置可以为照明装置，此时，发光装置用作光源，实现照明功能。例如，发光装置可以是液晶显示装置中的背光模组，用于内部或外部照明的灯，或各种信号灯等。
在另一些实施例中，该发光装置可以为显示装置，此时，该发光基板为显示基板，用于实现显示图像(即画面)功能。发光装置可以包括显示器或包含显示器的产品。其中，显示器可以是平板显示器(Flat Panel Display，FPD)，微型显示器等。若按照用户能否看到显示器背面的场景划分，显示器可以是透明显示器或不透明显示器。若按照显示器能否弯折或卷曲，显示器可以是柔性显示器或普通显示器(可以称为刚性显示器)。示例的，包含显示器的产品可以包括：计算机显示器，电视，广告牌，具有显示功能的激光打印机，电话，手机，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，膝上型计算机，数码相机，便携式摄录机，取景器，车辆，大面积墙壁，剧院的屏幕或体育场标牌等。
本公开的一些实施例提供了一种发光基板1，如图1所示，该发光基板1包括衬底11、设置在衬底11上的像素界定层12和多个发光器件13。其中，该像素界定层12具有多个开口Q，多个发光器件13可以与多个开口Q一一对应设置。这里的多个发光器件13可以是发光基板1包含的全部或部分发光器件13；多个开口Q可以是像素界定层12上的全部或部分开口。
在多个发光器件13中，至少一个发光器件13可以包括第一电极131、第二电极132，以及设置于第一电极131和第二电极132之间的发光层133，每个发光层133可以包括位于一个开口Q中的部分。
在一些实施例中，如图1所示，该第一电极131可以为阳极，此时，该第二电极132为阴极。在另一些实施例中，该第一电极131可以为阴极，此时，该第二电极132为阳极。
在一些实施例中，阳极的材料可以选自高功函材料，如ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化铟锌)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)等透明导电材料，也可以是银及其合金、铝及其合金等金属材料，也可以是PEDOT()等有机导电材料，或上述材料堆叠的复合材料(如Ag/ITO，Al/ITO，Ag/IZO或Al/IZO，其中，“Ag/ITO”命名由金属银电极和ITO电极堆叠的叠层结构)等，阴极的材料可以选自低功函材料，如LiF/Al、金属Al、Ag或Mg，或者低功函的金属合金材料(如镁铝合金、镁银合金)等，其中，“LiF/Al”命名由金属铝和LiF堆叠的叠层结构。
对于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的发光器件而言，该发光器件13的发光原理为：通过阳极和阴极连接的电路，利用阳极向发光层133注入空穴，阴极向发光层133注入电子，所形成的电子和空穴在发光层133中形成激子，激子通过辐射跃迁回到基态，发出光子。
如图1所示，为了提高电子和空穴注入发光层133的效率，发光器件13还可以包括：空穴传输层(Hole Transport Layer，HTL)134、电子传输层(Electronic TransportLayer，ETL)135、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)136和电子注入层(ElectronicInjection Layer，EIL)137中的至少一个。示例的，发光器件13还可以包括设置于阳极和发光层133之间的空穴传输层(HTL)134，以及设置于阴极和发光层之间的电子传输层(ETL)135。为了进一步提高电子和空穴注入发光层133的效率，发光器件13还可以包括设置于阳极和空穴传输层134之间的空穴注入层(HIL)136，以及设置于阴极和电子传输层135之间的电子注入层(EIL)137。
在一些实施例中，电子传输层135的材料可以选自具有良好电子传输特性的有机材料，如可以为包含有三嗪、吡啶、吖嗪、苯并咪唑等高电子迁移率的化合物。也可以在有机材料中掺杂有LiQ3、Li和Ca等，厚度可以为10～70nm。空穴传输层134的材料可以选自具有较高空穴迁移率的材料，例如：咔唑类化合物、六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌(2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane，F4TCNQ)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任一种或几种组合。
在另一些实施例中，电子注入层137的材料可以选自低功函金属，如Li、Mg、Ca和Yb等，或者这些金属的盐如LiF、LiQ3等，厚度可以为0.5～2nm。空穴注入层136的材料可以选自CuPc(Copper(II)phthalocyanine，酞菁铜)、HATCN(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲，Hexaazatriphenylenehexacabonitrile)、MnO3等，也可以为在这些材料进行P型掺杂后的材料，厚度可以为5～30nm。
在空穴和电子传输过程中，为了避免电子在阳极表面淬灭，空穴在阴极表面淬灭，使得电子和空穴的复合效率降低，不利于发光效率提高的问题，在一些实施例中，如图1所示，发光器件13还包括：位于空穴传输层134和发光层133之间的电子阻挡层(ElectronBlocking Layer，EBL)138。以及，位于电子传输层135和发光层133之间的空穴阻挡层(HoleBlocking Layer，HBL)139。
在一些实施例中，电子阻挡层138的材料可以选自4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](4,4′-cyclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline])和4,4′,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4′,4”-Tris(carbazol-9-yl)triphenylamine)中的任一种。空穴阻挡层(Hole Blocking Layer，EBL)139的材料可以选自2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-Phenanthroline)。
发光基板1上还可以设置连接各个发光器件13的驱动电路，驱动电路可以与控制电路连接，以根据控制电路输入的电信号，驱动各个发光器件13发光。该驱动电路可以为有源驱动电路或者无源驱动电路。
该发光基板1可以发白光、单色光(单一颜色的光)或颜色可调的光等。
在第一种示例中，该发光基板1可以发白光。此时，如图1所示，多个发光器件13可以包括发蓝光的发光器件13B、发红光的发光器件13R和发绿光的发光器件13G。此时，通过控制发蓝光的发光器件13B、发红光的发光器件13R和发绿光的发光器件13G同时发光，即可实现发蓝光的发光器件13B、发红光的发光器件13R和发绿光的发光器件13G的混光，以使发光基板1呈现白光。
在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中。
在第二种示例中，该发光基板1可以发单色光。这时，以多个发光器件13均为发绿光的发光器件13G为例。在该示例中，该发光基板1可用于照明，即可以应用于照明装置中，也可以用于显示单一色彩的图像或画面，即可应用于显示装置中。
在第三种示例中，该发光基板1可以发颜色可调的光(即彩色光)，该发光基板1与第一种示例所描述的多个发光器件13的结构相类似的，通过对各个发光器件13的亮度进行控制，即可对该发光基板1发出的混合光的颜色和亮度进行控制，从而实现彩色发光。
在该示例中，该发光基板1可用于显示图像或画面，即可应用于显示装置中，当然，该发光基板1也可以用于照明装置中。
在第三种示例中，以该发光基板1为显示基板为例，如全彩显示面板，如图2所示，该发光基板1包括显示区A和设置于显示区A周边的周边区S。显示区A包括多个亚像素区P，每个亚像素区P对应一个开口，一个开口对应一个发光器件，每个亚像素区P中设置有用于驱动对应的发光器件发光的像素驱动电路200。周边区S用于布线，如连接像素驱动电路200的栅极驱动电路100。
在一些实施例中，上述多个发光器件13中，至少一个发光器件13为发绿光的发光器件。该发绿光的发光器件中的发光层133包括主体材料GH和客体材料GB，主体材料GH为双主体材料，包括第一主体材料GH_1和第二主体材料GH_2，且第一主体材料GH_1和第二主体材料GH_2形成激基复合物。第一主体材料GH_1的LUMO(Lowest Unoccupied MolecularOrbital，最低未占分子轨道)能级与第二主体材料GH_2的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，且在同等的测试条件下，第一主体材料GH_1的空穴迁移率的数值的数量级与第二主体材料GH_1的电子迁移率的数值的数量级之比大于或等于1。
主体材料是具有与客体材料能够进行能量传递，可逆的电化学氧化还原电位，良好且匹配的空穴和电子传输能力，良好的热稳定性和成膜性质的材料，在发光层133中具有较大的占比。客体材料例如可以为磷光发光材料等，在发光层133中的占比较小。
激基复合物是指两个不同种分子或原子的聚集体，在激发态时两分子或原子作用较强，产生新的能级，发射光谱不同于单个物种，无精细结构。
示例的，该第一主体材料GH_1可以为p型材料，可以看作是电子给体材料，第二主体材料GH_2可以为n型材料，可以看作是电子受体材料，第一主体材料GH_1和第二主体材料GH_2的共混膜可以在光致激发或电致激发条件下，形成激基复合物，此时，电子受体材料的激发态和电子给体材料的基态相互作用形成一个电荷转移态发光，发出区别于第一主体材料GH_1的发射光谱和第二主体材料GH_2的发射光谱的新的光谱。
在现有的发绿光的发光器件中，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此，电子和空穴的复合区域更偏向发光层133靠近电子阻挡层139的一侧，同时，通过实验发现，电子和空穴的复合所产生的激子强度在发光层133中的分布情况如图3所示，由图3可知，激子强度在发光层133靠近电子阻挡层139一侧为最高，随着发光层133越远离电子阻挡层139，激子强度呈逐渐下降趋势。
同时，通过实验发现，对于发绿光的发光器件而言，在各材料层的材料均相同的情况下，参考图4，随着温度升高，整个发光器件13的电子迁移率μe与空穴迁移率μh之比升高，结合图3和图4，随着温度升高，激子强度在发光层133靠近电子阻挡层139一侧相比于温度未升高前有一定程度的升高，随着发光层133越远离电子阻挡层139，激子强度相对于温度未升高前有一定程度的降低，由此可知，发绿光的发光器件13随着温度升高，器件效率进一步降低，这是因为：随着温度升高，原先空穴和电子的复合区域激子浓度较高的部分中激子浓度进一步增大，原先空穴和电子的复合区域激子浓度较低的部分中激子浓度进一步降低，使得激子浓度在发光层中分布更加不平衡，同时，随着靠近电子阻挡层139一侧的激子浓度越大，越容易使激子(如三线态激子和三线态激子)发生淬灭，使得器件稳定性和器件效率进一步降低。
根据相关技术中，上述电子给体材料具有空穴传输能力，电子受体材料具有电子传输能力，可以得知，如图5所示，第一主体材料GH_1的HOMO能级低于第二主体材料GH_2的HOMO能级，第二主体材料GH_2的LUMO能级低于第一主体材料GH_1的LUMO能级，从而使得空穴更容易从电子阻挡层138或者空穴传输层134跃迁到第一主体材料GH_1的HOMO能级，以及使得电子更容易从空穴阻挡层139或电子传输层135跃迁到第二主体材料GH_2的LUMO能级，最后，通过利用激基复合物中电子受体材料的激发态和电子给体材料的基态相互作用即可形成一个电荷转移态发光，由此电荷转移态发光产生的发射光谱作为客体材料GB的激发光谱，激发客体材料GB发光，从而实现发光器件13发光。
在本公开的实施例中，通过使第一主体材料GH_1的LUMO能级与第二主体材料GH_2的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，在上述电子和空穴传输过程中，可以在第二主体材料GH_2的LUMO能级和第一主体材料GH_1的LUMO能级之间形成较大的势垒(电子陷阱)，与相关技术中第一主体材料GH_1的LUMO能级和第二主体材料GH_2的LUMO能级之间的能级差小于0.5eV相比，可以降低整个发光器件13的电子迁移率，使电子和空穴传输趋向于平衡，对电子和空穴的复合区域进行调节，使电子和空穴的复合区域向远离电子阻挡层138一侧偏移，这样，能够抵消或者减弱由于温度升高所引起的激子在靠近电子阻挡层138一侧浓度过大所导致的器件稳定性和器件效率降低的问题。
在一些实施例中，第一主体材料GH_1的LUMO能级为-2.4eV～-2.0eV；第二主体材料GH_2的LUMO能级为-3.0eV～-2.7eV。
这时，在第一主体材料GH_1的LUMO能级为-2.4eV的情况下，第二主体材料GH_2的LUMO能级可以为-2.9eV或者-3.0eV，在第一主体材料GH_1的LUMO能级为-2.0eV的情况下，第二主体材料GH_2的LUMO能级可以为-3.0eV～-2.7eV中的任意值，在第一主体材料GH_1的LUMO能级为-2.3eV的情况下，第二主体材料GH_2的LUMO能级可以为-2.8eV、-2.9eV或者-3.0eV，在第一主体材料GH_1的LUMO能级为-2.2eV的情况下，第二主体材料GH_2的LUMO能级可以为-3.0eV～-2.7eV中的任意值，在第一主体材料GH_1的LUMO能级为-2.1eV的情况下，第二主体材料GH_2的LUMO能级可以为-3.0eV～-2.7eV中的任意值。
数量级是指数量的尺度或大小的级别，每个级别之间保持固定的比例。在个位数中，10以内的，如1到9，就是一个数量级。十位数，如12、18等也是一个数量级。而十位数比个位数高一个数量级。以此类推，百位数比十位数高一个数量级，比个位数高两个数量级。
数量级可以看作是一系列10的幂，一个数值用数量级来表示时，通常写成a×10b的形式，a是大于或等于1小于10的任意值，例如可以是1到9的整数，也可以是大于1小于10的小数，如1.5、2.5、4.5、6.8、7.9等。10b中的b即表示数量级。
在本公开的实施例中，在同等的测试条件下，第一主体材料GH_1的空穴迁移率的数值的数量级，与第二主体材料GH_2的电子迁移率的数值的数量级之差大于或等于1，是指，在同等的测试条件下，第一主体材料GH_1的空穴迁移率的数值的数量级，减去第二主体材料GH_2的电子迁移率的数值的数量级大于或等于1。
同等的测试条件是指除测试样品不同以外，其余条件均相同的测试条件。
在一些实施例中，在电场强度为5000V1/2/m1/2的测试条件下，第一主体材料GH_1的空穴迁移率为1×10-8cm2V-1s-1～1×10-6cm2V-1s-1，第二主体材料GH_2的电子迁移率为1×10-9cm2V-1s-1～1×10-6cm2V-1s-1。
在此，同等的测试条件是指电场强度为5000V1/2/m1/2的测试条件。其中，迁移率的测试方法可以选自电荷渡越时间法(Time of Flight，TOF)、飞行时间法和空间电荷限制电流(Space-charge limited current，SCLC)法中的任一种。
此时，在第一主体材料GH_1的空穴迁移率的数值的数量级，与第二主体材料GH_2的电子迁移率的数值的数量级之差等于1的情况下，以在电场强度为5000V1/2/m1/2的测试条件下，第一主体材料GH_1的空穴迁移率为5×10-8cm2V-1s-1为例，第二主体材料GH_2的电子迁移率可以为1×10-9cm2V-1s-1，2×10-9cm2V-1s-1，3×10-9cm2V-1s-1，4×10-9cm2V-1s-1，5×10- 9cm2V-1s-1，6×10-9cm2V-1s-1，7×10-9cm2V-1s-1，8×10-9cm2V-1s-1或9×10-9cm2V-1s-1。
在第一主体材料GH_1的空穴迁移率的数值的数量级，与第二主体材料GH_2的电子迁移率的数值的数量级之差大于1的情况下，以在电场强度为5000V1/2/m1/2的测试条件下，第一主体材料GH_1的空穴迁移率为5×10-7cm2V-1s-1为例，第二主体材料GH_2的电子迁移率可以为1×10-9cm2V-1s-1，2×10-9cm2V-1s-1，3×10-9cm2V-1s-1，4×10-9cm2V-1s-1，5×10-9cm2V- 1s-1，6×10-9cm2V-1s-1，7×10-9cm2V-1s-1，8×10-9cm2V-1s-1或9×10-9cm2V-1s-1，此时，第一主体材料GH_1的空穴迁移率的数值的数量级，与第二主体材料GH_2的电子迁移率的数值的数量级之差等于-7减去-9的得数2。以在电场强度为5000V1/2/m1/2的测试条件下，第一主体材料GH_1的空穴迁移率为5×10-6cm2V-1s-1为例，第二主体材料GH_2的电子迁移率可以为1×10- 8cm2V-1s-1，2×10-8cm2V-1s-1，3×10-8cm2V-1s-1，4×10-8cm2V-1s-1，5×10-8cm2V-1s-1，6×10- 8cm2V-1s-1，7×10-8cm2V-1s-1，8×10-8cm2V-1s-1或9×10-8cm2V-1s-1，此时，第一主体材料GH_1的空穴迁移率的数值的数量级，与第二主体材料GH_2的电子迁移率的数值的数量级之差等于-6减去-8的得数2。
在本公开的实施例中，在上述第一主体材料GH_1的LUMO能级与第二主体材料GH_2的LUMO能级之间的能级差确定，如大于或等于0.5eV的情况下，通过选择具有较高空穴迁移率的第一主体材料GH_1，以及具有较低电子迁移率的第二主体材料GH_2，可以进一步提高整个发光器件13的空穴迁移率，降低整个发光器件13的电子迁移率，从而能够对电子和空穴的复合区域进行进一步调节，使电子和空穴的复合区域向远离电子阻挡层138一侧偏移，以进一步抵消或者减弱由于温度升高所引起的激子在靠近电子阻挡层138一侧浓度过大所导致的器件稳定性和器件效率降低的问题。
在一些实施例中，客体材料GB选自如下结构中的一种或几种的组合：
Figure BDA0002997926740000161
在一些实施例中，如图6所示，上述激基复合物的发射光谱的半峰宽度大于或等于90nm。
根据上述客体材料GB在激基复合物的发射光谱的激发下发光，可以得知，在客体材料GB确定的情况下，随着激基复合物的归一化发射光谱与客体材料GB的归一化吸收光谱的交叠区域的积分面积越大，主体材料GH和客体材料GB之间的Forster能量转移越充分，基于此，在本公开的实施例中，通过选择具有合适波长范围的发射光谱的激基复合物，并尽可能选择发射光谱的半峰宽度较宽的激基复合物，与选择发射光谱的半峰宽度较窄的激基复合物相比，能够增大激基复合物的归一化发射光谱和客体材料GB的归一化吸收光谱之间的交叠区域的积分面积，从而能够尽可能使主体材料GH和客体材料GB之间的Forster能量转移越充分。
示例的，在一些实施例中，如图6所示，激基复合物的发射光谱的半峰宽度为100nm～110nm。半峰宽度在此范围内的激基复合物即可满足使用要求。
在一些实施例中，第一主体材料GH_1选自双咔唑的结构。咔唑基具有较好的空穴传输性能，选择双咔唑的结构，可以有效提升空穴传输速率，从而提高空穴迁移率。
在一些实施例中，第一主体材料GH_1选自如下通式(I)或通式(II)所示结构：
Figure BDA0002997926740000171
其中，X1和X2相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的亚芳基和取代或未取代的环碳原子数为2～30个的亚杂芳基中的任一种。
每个Ar1相同或不同，分别独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为3～60个的环烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基和取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～60个的杂芳基中的任一种。
每个Ar2相同或不同，分别独立地选自氟、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷氧基、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的芳基和取代或为取代的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种。
X1和X2中的取代基选自碳原子数为1～10个的烷基、环碳原子数为3～20个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种。
Ar1中的取代基选自碳原子数为4～6个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；Ar2中的取代基选自碳原子数为4～20个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；m选自0、1或2中的任一个。
其中，芳基在有机化学中是指任何从简单芳香环衍生出的官能团或取代基。是芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称。最简单的芳基是苯基(Phenyl)，由苯衍生而来，为单环芳基。当然，除单环芳基以外，芳基还可以包括多环芳基和稠环芳基等。
杂芳基是杂环芳烃分子的杂环碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称。如吡啶基、呋喃基等，均为单环杂芳基。与芳基类似地，除单环杂芳基以外，杂芳基还可以包括多环杂芳基和稠环杂芳基等。
相应地，亚芳基是芳烃分子的芳环碳上去掉两个氢原子后，剩下二价基团的总称。与上述芳基相类似地，亚芳基可以包括单环亚芳基(如二价苯基)、多环亚芳基(如二价的二联苯基)和稠环亚芳基(如二价萘基、二价芴基、二价螺芴基)等。
亚杂芳基是杂环芳烃分子的杂环碳上去掉两个氢原子后，剩下二价基团的总称。与上述杂芳基类似地，亚杂芳基可以包括单环亚杂芳基(如二价吡啶基)、多环亚杂芳基(如二价的二联吡啶基)和稠环亚杂芳基(如二价的苯并呋喃基、二价咔唑基)等。
烷基是烷烃碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称。
环烷基是环烷烃碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称。
烷氧基是烷烃去掉一个氢原子，并在去掉氢原子的位置处加上一个氧原子形成的一价基团的总称。
其中，在第一主体材料GH_1选自通式(I)所示结构的情况下，通式(I)中两个咔唑基之间可以通过苯环上的任意两个碳连接，示例的，两个咔唑基之间的连接关系可以表示为如下结构中的任一种：
Figure BDA0002997926740000191
在第一主体材料GH_1选自通式(II)所示结构的情况下，通式(II)中两个咔唑基之间也可以通过苯环上的任意两个碳连接，示例的，两个咔唑基之间的连接关系可以表示为如下结构中的任一种：
Figure BDA0002997926740000201
其中，在上式中，
Figure BDA0002997926740000202
表示连接的结构省略。
其中，在X1和X2均选自单键的情况下，通式(I)和通式(II)可以分别表示如下：
Figure BDA0002997926740000203
在X1和X2选自亚芳基的情况下，在此，以X1选自亚苯基，X2选自二价的二联苯基为例，通式(I)的结构式可以如下式(I_1)、式(I_2)、式(I_3)、式(I_4)或式(I_5)所示：
Figure BDA0002997926740000211
Figure BDA0002997926740000221
其中，上述结构式(I_1)、式(I_2)、式(I_3)、式(I_4)和式(I_5)中，与二价苯基连接的Ar1可以连接在咔唑基的邻位、间位或对位，与二联苯基连接的Ar1可以连接在二价二联苯基中其中一个苯基的邻位、间位或对位。
其中，还需要说明的是，根据上述m可以为0、1或2中的任一个，可以得知，在m为0的情况下，表示上述的1号碳、2号碳、3号碳和4号碳均与氢连接，在m为1的情况下，表示上述的1号碳、2号碳、3号碳和4号碳中其中一个碳与Ar2连接，在m为2的情况下，表示上述的1号碳、2号碳、3号碳和4号碳中其中任意两个碳分别与一个Ar2连接。
其中，上述Ar1和Ar2可以选自多环芳基，多环芳基可以包括联苯基或者如下式(I_6)所示结构。
Figure BDA0002997926740000231
其中，在Ar1选自式(I_6)的情况下，虚线表示与N连接，两个苯可以分别连接在虚线的邻位、间位或对位。在Ar2选自式(I_6)的情况下，虚线表示与咔唑基上的1号碳、2号碳、3号碳或4号碳连接，两个苯也可以分别连接在虚线的邻位、间位或对位。
在Ar1选自联苯基的情况下，以二联苯基为例，端基苯可以连接在咔唑基上的N的邻位、间位或对位。在Ar2选自联苯基的情况下，以二联苯基为例，二联苯基可以连接在咔唑基上的1号碳、2号碳、3号碳或4号碳上，在此，以二联苯基连接在咔唑基上的1号碳上为例，端基苯可以连接在1号碳的邻位、间位或对位。
在一些实施例中，第一主体材料GH_1可以选自如下结构中的任一种：
Figure BDA0002997926740000232
Figure BDA0002997926740000241
在一些实施例中，第二主体材料GH_2选自如下通式(III)所示结构：
Figure BDA0002997926740000242
其中，X3、X4和X5分别独立地选自N或CR3，且X3～X5中至少一者为N，L选自单键、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为6～30个的亚芳基、取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中碳原子数为2～60个的亚杂芳基中的任一种。
A和B分别独立地选自环碳原子数为6～30个的芳环和环碳原子数为2～30个的杂芳环中的任一种。
Ar3和Ar4分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种。
R1、R2和R3分别独立地选自氢、取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基，取代或未取代的碳原子数为6～60个的芳基，和取代或未取代的含有O、N、S和Si中的至少一者中碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种。
L、Ar3、Ar4、R1、R2和R3中的取代基分别独立地选自卤素、氰基、烷基、芳基和杂芳基中的任一种或多种组合。
在这些实施例中，芳基、亚芳基、杂芳基和亚杂芳基均具有与上述提及的芳基、亚芳基、杂芳基和亚杂芳基相同的概念以及连接方式。在此不作具体限定。
其中，A和B分别独立地选自环碳原子数为6～30个的芳环和环碳原子数为2～30个的杂芳环中的任一种，是指，如下所示基团可以为稠杂芳基，虚线表示与L连接。
Figure BDA0002997926740000251
如在A和B选自苯环的情况下，上述基团可以为咔唑基，在A和B选自萘环的情况下，上述基团可以表示为如下结构中的任一种：
Figure BDA0002997926740000252
在一些实施例中，第二主体材料GH_2选自如下结构中的任一种：
Figure BDA0002997926740000261
Figure BDA0002997926740000271
为了对本公开提供的实施例的技术效果进行客观说明，以下，将通过如下对比例和实验例对本公开进行详细地示例性地描述。
其中，需要说明的是，在以下的对比例和实验例中，发光器件13均具有相同的结构：阳极/空穴注入层(HIL)136/空穴传输层(HTL)134/电子阻挡层(EBL)138/发光层133/空穴阻挡层(HBL)139/电子传输层(ETL)135/电子注入层(EIL)137/阴极。并且，除发光层133之外，其余功能层所选用的材料均相同。
对比例和实验例中发光器件的制备方法均相同，可以包括如下步骤：
步骤1)、将带有阳极(ITO)的玻璃板在清洗剂中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮-乙醇混合溶剂中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水分；
步骤2)、把上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa～1×10- 6Pa，在上述阳极层上真空蒸镀空穴传输层HT-1，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为100nm；
步骤3)、在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括双主体材料(包括p型材料和n型材料)，客体材料选用GD-1，利用多源共蒸的方法，主体材料和客体材料的重量比为90：10，调节主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s，客体材料GD-1蒸镀速率按照10％的比例设定，蒸镀总膜厚为30nm；
步骤4)、发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层ET-1，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
步骤5)、在电子传输层上真空蒸镀厚度为0.5nm的LiF作为电子注入层。
步骤6)、沉积厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。
其中，上述空穴传输层HT-1、客体材料GD-1、电子传输层ET-1结构式分别如下所示。
Figure BDA0002997926740000281
对比例和实验例中p型材料选自如下结构：
Figure BDA0002997926740000282
Figure BDA0002997926740000291
Figure BDA0002997926740000301
对比例和实验例中n型材料选自如下结构：
Figure BDA0002997926740000302
Figure BDA0002997926740000311
其中，对比例中的p型材料选自P-1～P-3所示结构，n型材料选自N-1～N-3所示结构，实验例中的p型材料选自P-4～P～6所示结构，n型材料选自N-4～N-6所示结构。
在对比例和实验例中，p型材料和n型材料之间的LUMO能级之差，以及p型材料的空穴迁移率和n型材料的电子迁移率如下表1所示。
表1
Figure BDA0002997926740000321
将上述对比例和实验例所制作的发光器件进行性能测试，测试结果如下表2所示。
表2
器件 效率(cd/A) 寿命/(LT95)h
对比例1 44.6 60
对比例2 45.5 59
对比例3 43.3 55
实验例1 50.6 65
实验例2 51.7 70
实验例3 50.4 72
结合表1和表2，可以得知，通过使第一主体材料的LUMO能级与第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，在电子和空穴传输过程中，可以在第二主体材料的LUMO能级和第一主体材料的LUMO能级之间形成较大的势垒(电子陷阱)，与相关技术中第一主体材料的LUMO能级和第二主体材料的LUMO能级之间的能级差小于0.5eV相比，可以降低整个发光器件的电子迁移率，使电子和空穴传输趋向于平衡，对电子和空穴的复合区域进行调节，使电子和空穴的复合区域向远离电子阻挡层一侧偏移，这样，能够抵消或者减弱由于温度升高所引起的激子在靠近电子阻挡层一侧浓度过大所导致的器件稳定性和器件效率降低的问题。进一步地，在上述第一主体材料的LUMO能级与第二主体材料的LUMO能级之间的能级差确定，如大于或等于0.5eV的情况下，通过选择具有较高空穴迁移率的第一主体材料，以及具有较低电子迁移率的第二主体材料，可以进一步提高整个发光器件13的空穴迁移率，降低整个发光器件13的电子迁移率，从而能够对电子和空穴的复合区域进行进一步调节，使电子和空穴的复合区域向远离电子阻挡层一侧偏移，可以进一步抵消或者减弱由于温度升高所引起的激子在靠近电子阻挡层一侧浓度过大所导致的器件稳定性和器件效率降低的问题。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种发绿光的发光器件，其特征在于，包括：
层叠设置的第一电极和第二电极；
设置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；
所述发光层包括第一主体材料和第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料形成激基复合物；
所述第一主体材料的LUMO能级与所述第二主体材料的LUMO能级之间的能级差大于或等于0.5eV，且在同等的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率的数值的数量级，与所述第二主体材料的电子迁移率的数值的数量级之差大于或等于1。
2.根据权利要求1所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
在电场强度为5000V1/2/m1/2的测试条件下，所述第一主体材料的空穴迁移率为1×10- 8cm2V-1s-1～1×10-6cm2V-1s-1，所述第二主体材料的空穴迁移率为1×10-9cm2V-1s-1～1×10- 6cm2V-1s-1。
3.根据权利要求1所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料的LUMO能级为-2.4eV～-2.0eV；
所述第二主体材料的LUMO能级为-3.0eV～-2.7eV。
4.根据权利要求1所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度大于或等于90nm。
5.根据权利要求4所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
所述激基复合物的发射光谱的半峰宽度为100nm～110nm。
6.根据权利要求1～5任一项所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料选自双咔唑的结构。
7.根据权利要求6所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料选自如下通式(I)或通式(II)所示结构：
Figure FDA0002997926730000011
Figure FDA0002997926730000021
其中，X1和X2相同或不同，分别独立地选自单键、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的亚芳基和取代或未取代的环碳原子数为2～30个的亚杂芳基中的任一种；
每个Ar1相同或不同，分别独立地选自氢、氘、卤素、氰基、硝基、氨基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为3～60个的环烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基和取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～60个的杂芳基中的任一种；
每个Ar2相同或不同，分别独立地选自氟、氰基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷氧基、取代或未取代的环碳原子数为6～30个的芳基和取代或为取代的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；
X1和X2中的取代基选自碳原子数为1～10个的烷基、环碳原子数为3～20个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；
Ar1中的取代基选自碳原子数为4～6个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；
Ar2中的取代基选自碳原子数为4～20个的烷基、环碳原子数为3～10个的环烷基、环碳原子数为6～30个的芳基和含有O、S、N和Si中的至少一者中的环碳原子数为2～30个的杂芳基中的任一种；
m选自0、1或2中的任一个。
8.根据权利要求7所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
所述第一主体材料选自如下结构中的任一种：
Figure FDA0002997926730000031
Figure FDA0002997926730000041
9.根据权利要求1～5任一项所述的发绿光的发光器件，其特征在于，
所述第二主体材料选自如下通式(III)所示结构：
Figure FDA0002997926730000042
其中，X3、X4和X5分别独立地选自N或CR3，且X3～X5中至少一者为N，L选自单键、取代或未取代的碳原子数为1～20个的烷基、取代或未取代的碳原子数为6～30个的亚芳基、取代或未取代的含有O、S、N和Si中的至少一者中碳原子数为2～60个的亚杂芳基中的任一种；
A和B分别独立地选自环碳原子数为6～30个的芳环和环碳原子数为2～30个的杂芳环中的任一种；
Ar3和Ar4分别独立地选自取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的芳基、取代或未取代的环碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种；
R1、R2和R3分别独立地选自氢、取代或未取代的碳原子数为2～20个的烷基，取代或未取代的碳原子数为6～60个的芳基，和取代或未取代的含有O、N、S和Si中的至少一者中碳原子数为6～60个的杂芳基中的任一种；
L、Ar3、Ar4、R1、R2和R3中的取代基分别独立地选自卤素、氰基、烷基、芳基和杂芳基中的任一种或多种组合。
10.根据权利要求9所述的发绿光的发光器件，其特征在于，所述第二主体材料选自如下结构中的任一种：
Figure FDA0002997926730000051
11.根据权利要求1～5任一项所述的发光器件，其特征在于，还包括：设置于所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输层，以及设置于所述第二电极和所述发光层之间的电子传输层；
其中，所述空穴传输层的材料选自咔唑类化合物、六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌和1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任一种或几种组合；
所述电子传输层的材料选自包含有三嗪、吡啶、吖嗪和苯并咪唑中任一种或多种基团的化合物。
12.根据权利要求1～5任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述发光层还包括客体材料，所述客体材料选自如下结构中的一种或几种的组合：
Figure FDA0002997926730000061
13.一种发光基板，其特征在于，包括：
衬底；以及
设置于所述衬底上的多个发光器件；
其中，至少一个发光器件为如权利要求1～12任一项所述的发绿光的发光器件。
14.一种发光装置，其特征在于，包括：如权利要求13所述的发光基板。
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