CN114844484A - 弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块 - Google Patents
弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114844484A CN114844484A CN202110746187.XA CN202110746187A CN114844484A CN 114844484 A CN114844484 A CN 114844484A CN 202110746187 A CN202110746187 A CN 202110746187A CN 114844484 A CN114844484 A CN 114844484A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- elastic wave
- wave device
- filter
- reception
- resonator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000011029 spinel Substances 0.000 claims description 5
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/56—Monolithic crystal filters
- H03H9/564—Monolithic crystal filters implemented with thin-film techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02023—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02551—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of quartz substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
- H03H9/725—Duplexers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
一种弹性波装置，包含具有发送带通的发送滤波器，与具有接收带通的接收滤波器，所述发送滤波器包括多个串联共振器与多个并联共振器，所述串联共振器中的至少一个具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率。借此，提供一种更小型且隔离特性优良的弹性波装置，及包含所述弹性波装置的模块。
Description
技术领域
本发明涉及一种弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块。
背景技术
近年来随着技术的进步，以移动通信终端为代表的智能手机等显著地小型化与轻量化。针对应用在所述移动通信终端的滤波器，会采用能小型化的弹性波装置。并且，在移动通信系统中，对于例如双工器等能同时接收与发送的通信系统的需求急遽增加。
根据上述情况，对于双工器等弹性波装置规格的要求也变得更加严格。换言之，与现有的相比更小型，且具有优良的隔离特性的双工器等弹性波装置是必要的。
专利文献1(特开2014-120841)中示例一种包含多个滤波器的弹性波装置，所述弹性波装置为了提升隔离特性而设有附加电路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种更小型且隔离特性优良的弹性波装置。
一种弹性波装置，包含具有发送带通的发送滤波器，与具有接收带通的接收滤波器，所述发送滤波器包括多个串联共振器与多个并联共振器，所述串联共振器中的至少一个具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率。
本发明的一种形态，在所述串联共振器中，具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率的所述串联共振器，设置在离所述发送滤波器的输入端子最近的位置。
本发明的一种形态，具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率的所述串联共振器，其电容值比其他所述串联共振器的电容值的平均值小。
本发明的一种形态，具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率的所述串联共振器，其电容值比所述并联共振器的电容值的平均值大。
本发明的一种形态，所述发送滤波器与所述接收滤波器中的至少一个为使用压电薄膜共振器的滤波器。
本发明的一种形态，所述发送滤波器与所述接收滤波器中的至少一个为使用形成于压电基板的弹性表面波共振器的滤波器。
本发明的一种形态，所述发送滤波器与所述接收滤波器为使用弹性表面波共振器的滤波器，且形成于同一压电基板上。
本发明的一种形态，所述压电基板接合于由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃形成的基板。
本发明的一种形态，所述压电薄膜共振器的滤波器具有芯片基板、设置在所述芯片基板上的压电膜、下部电极，及上部电极，所述压电膜被所述下部电极与所述上部电极夹置其中，所述下部电极与所述芯片基板间形成空隙，所述下部电极及所述上部电极在所述压电膜内以厚度纵向振动模式激发弹性波。
本发明的一种形态，包含所述弹性波装置的模块。
本发明的有益效果在于：根据本发明，能提供一种更小型且隔离特性优良的弹性波装置。
附图说明
本发明的其他的特征及功效，将于参照图式的实施方式中清楚地呈现，其中：
图1是第一实施例的弹性波装置1的剖面图。
图2是装置芯片5(Tx)的结构示意图。
图3是所述弹性波组件52为弹性表面波共振器的示意俯视图。
图4是所述弹性波组件52为压电薄膜共振器的示意剖面图。
图5是所述第一实施例与比较例的隔离特性示意图。
图6是所述第一实施例与比较例的双工器的通过特性的示意图。
图7是第二实施例中装置芯片105的结构示意图。
图8是本发明第三实施例中模块100的剖面图。
具体实施方式
以下将根据附图说明本发明的具体实施态样。
(第一实施例)
图1是第一实施例的弹性波装置1的剖面图。
如图1所示，所述第一实施例的弹性波装置1包含配线基板3、与两个安装在所述配线基板3上的装置芯片5。
虽然所述第一实施例示例一种以装置芯片5(Rx)作为接收滤波器，并且以装置芯片5(Tx)作为发送滤波器而成为双工器的弹性波装置，当然，本发明也适用于具有一个所述装置芯片5的单芯片双工器，或者是双重双工器。
所述配线基板3例如可以使用由树脂组成的多层基板，或是由数个介电层形成的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics，LTCC)多层基板。并且，所述配线基板3包括数个外部连接端子31。
所述装置芯片5上形成有能让预期的频率带域的电信号通过的带通滤波器。所述装置芯片5(Tx)上形成有构成梯型滤波器的多个串联共振器与多个并联共振器。在所述第一实施例中，形成于所述装置芯片5(Tx)上的带通滤波器，为具有发送带通的发送滤波器。
所述装置芯片5(Rx)上形成有带通滤波器。在所述第一实施例中，形成于所述装置芯片5(Rx)上的带通滤波器，为具有接收带通的接收滤波器。
所述配线基板3上形成有数个电极焊垫9。所述电极焊垫9例如可以使用铜或含有铜的合金。再者，所述电极焊垫9的厚度例如介于10μm～20μm。
封装部17以覆盖所述装置芯片5的方式形成。所述封装部17例如可以由合成树脂等绝缘体形成，或者使用金属。所述合成树脂例如可以使用环氧树脂或聚酰亚胺，但也不限于此。较佳地，所述封装部17可以使用环氧树脂，并通过低温硬化制程形成。
所述装置芯片5通过凸块15以覆晶键合(flip chip bonding)技术安装在所述配线基板3上。
所述凸块15例如可以使用金。所述凸块15的高度例如介于20μm～50μm。
所述电极焊垫9通过所述凸块15电性连接于所述装置芯片5。
接着，说明所述装置芯片5(Tx)上的结构。图2是所述装置芯片5(Tx)的结构示意图。
如图2所示，所述装置芯片5(Tx)形成有多个弹性波组件52与多个配线图案54。
所述弹性波组件52包含多个串联共振器S1～S5，及多个并联共振器P1～P4。
所述配线图案54具有构成输入焊垫In、输出焊垫Out，及接地焊垫GND的配线。并且，所述配线图案54电性连接于所述弹性波组件52。
所述输入焊垫In通过所述凸块15、所述电极焊垫9及所述配线基板3，电性连接于作为所述发送滤波器的输入端子的所述外部连接端子31。
所述输出焊垫Out通过所述凸块15、所述电极焊垫9及所述配线基板3，电性连接于作为所述发送滤波器的输出端子的所述外部连接端子31。
所述接地焊垫GND通过所述凸块15、所述电极焊垫9及所述配线基板3，电性连接于作为所述发送滤波器的接地端子的所述外部连接端子31。
在所述第一实施例的所述串联共振器中，设置在离所述发送滤波器的输入端子最近的位置的串联共振器S1，具有与所述接收滤波器(图2中未示)的接收带通的最高频率相同的反共振频率。
并且，所述串联共振器S1的电容值设计为，比其他串联共振器S2～S5的电容值的平均值小。所述串联共振器S1的反共振频率与共振频率和所述发送带通的频率分离，由于不会直接施加高电力于所述反共振频率与共振频率，比起其他串联共振器，即使耐电力较低也不容易被破坏。因此，尽管所述串联共振器S1设置在离所述输入端子最近的位置，也能够达到小型化的设计。
设置在离所述发送滤波器的输入端子最近的位置的串联共振器，是通过功率放大器增幅后的电信号最先输入的共振器。因此，一般而言，在所述发送滤波器中，设置在离所述输入端子最近的位置的串联共振器，为了确保具有足够的耐电力而不被破坏，会设计成较大的尺寸。
根据所述第一实施例，借由将具有与所述接收滤波器的接收带通的最高频率相同的反共振频率的串联共振器S1，设置在离所述发送滤波器的输入端子最近的位置，能够提升耐电力，并将整体的弹性波装置小型化。
并且，所述串联共振器S1的电容值，设计成比所述并联共振器P1～P4的电容值的平均值大。所述串联共振器S1并未通过所述配线图案54直接连接于所述接地焊垫GND。因此，与所述并联共振器P1～P4相比较不易散热。
再者，一旦施加电力导致温度上升，所述共振器的频率会往低频侧偏移。考虑到这些影响，优选地将所述串联共振器S1的电容值，设计成比所述并联共振器P1～P4的电容值的平均值大。
图3是所述弹性波组件52为弹性表面波共振器的示意俯视图。
如图3所示，所述装置芯片5上设有可激发弹性表面波的IDT(InterdigitalTransducer)52a与反射器52b。所述IDT52a具有一对梳状电极52c。所述梳状电极52c具有数个电极指52d与数个连接所述电极指52d的汇流条52e。所述反射器52b设置在所述IDT52a的两侧。
所述IDT52a与所述反射器52b例如由铝和铜的合金形成。所述IDT52a与反射器52b例如为厚度介于150nm～400nm的薄膜。
所述IDT52a及反射器52b也可包含其他金属，例如为钛、钯、银等适合的金属，或是包含前述金属的合金，也可以是通过这些金属的合金形成。再者，所述IDT52a与所述反射器52b也可以是由多个金属层层叠而成的多层金属构造。
所述弹性表面波共振器，例如可以由银、铝、铜、钛、钯等适当的金属或合金形成。或者，所述弹性表面波共振器也可以是由多个金属层层叠而成的多层金属构造。并且，所述弹性表面波共振器的厚度例如介于150nm～400nm。
所述装置芯片5例如可以使用钽酸锂、铌酸锂或水晶等压电单晶，或者是由压电陶瓷形成的基板。或者如后述地，在使用压电薄膜共振器的所述带通滤波器中，可以使用硅等半导体基板，或是蓝宝石、氧化铝、尖晶石，或玻璃等绝缘基板。
并且，所述装置芯片5可以使用压电基板与支持基板接合的基板。所述支持基板例如可以使用蓝宝石、氧化铝、尖晶石、水晶、玻璃或硅基板。
图4是所述弹性波组件52为压电薄膜共振器的示意剖面图。
如图4所示，作为所述装置芯片5的芯片基板60上设有压电膜62。所述压电膜62被下部电极64与上部电极66夹置其中。所述下部电极64与所述芯片基板60间形成空隙68。所述下部电极64及所述上部电极66在所述压电膜62内以厚度纵向振动模式激发弹性波。
所述芯片基板60并非压电基板，所述芯片基板60例如为硅等半导体基板，或者也可以使用蓝宝石、氧化铝、尖晶石或玻璃等绝缘基板。所述压电膜62例如可以使用氮化铝。所述下部电极64及所述上部电极66例如可以使用钌等金属。
参考图2，所述配线图案54例如可以由银、铝、铜、钛、钯等适当的金属或合金形成。并且，所述配线图案54例如可以是由多个金属层层叠而成的多层金属构造。再者，所述配线图案54的厚度例如介于150nm～400nm。
形成于所述装置芯片5(Rx)上的接收滤波器与发送滤波器，借由形成多个所述弹性波组件52而构成适当的带通滤波器。
在从所述输入焊垫输入的电信号中，所述带通滤波器设计成只让期望的频率带域的电信号通过所述输出焊垫。所述带通滤波器可以设计成梯形滤波器，或设计成多模态滤波器。并且，所述带通滤波器可以使用弹性表面波共振器或压电薄膜共振器来构成。
在一可替换的实施态样中，所述发送滤波器与所述接收滤波器中的至少一个为使用形成于压电基板的弹性表面波共振器的滤波器。在一可替换的实施态样中，所述发送滤波器与所述接收滤波器为使用弹性表面波共振器的滤波器，且形成于同一压电基板上。
在所述接收滤波器中，所述装置芯片5(Rx)上也形成有输入焊垫、输出焊垫，及接地焊垫(图未示)。
所述接收滤波器的输入焊垫，通过所述凸块15、所述电极焊垫9及所述配线基板3，电性连接于作为所述接收滤波器的输入端子的所述外部连接端子31。
所述接收滤波器的输出焊垫，通过所述凸块15、所述电极焊垫9及所述配线基板3，电性连接于作为所述接收滤波器的输出端子的所述外部连接端子31。
所述接收滤波器的接地焊垫，通过所述凸块15、所述电极焊垫9及所述配线基板3，电性连接于作为所述接收滤波器的接地端子的所述外部连接端子31。
从所述接收滤波器的输入端子输入的电信号会通过所述接收滤波器，而具有期望的频率带域的电信号会从作为所述接收滤波器的输出端子的外部连接端子31输出。
图5是所述第一实施例与比较例的隔离特性示意图。
如图5所示，所述第一实施例中的弹性波装置为所述发送带通介于1920MHz～1980MHz且所述接收带通介于2110MHz～2170MHz的双工器。
实线的波形示意所述第一实施例的弹性波装置的隔离特性。并且，虚线的波形示意所述比较例的隔离特性。在所述比较例的双工器中，设置在离所述发送滤波器的输入端子最近的位置的串联共振器的共振频率，设计成与所述发送带通的低频侧相近。其他的条件与所述第一实施例的双工器相同。
如图5所示，与所述比较例相比，可以了解到所述第一实施例的接收带通高频侧的隔离特性大幅地提升。并且，图5中的波形TxS1，显示所述第一实施例中设置在离所述发送滤波器的输入端子最近的位置的串联共振器S1的共振特性。如图5所示，所述串联共振器S1具有与所述接收带通的最高频率2170MHz相同的反共振频率。
图6是所述第一实施例与比较例的双工器的通过特性的示意图。
实线的波形示意所述第一实施例的弹性波装置的双工器的通过特性。并且，虚线的波形示意所述比较例的通过特性。所述比较例的双工器具有如图5所示的隔离特性。其他的条件与所述第一实施例的双工器相同。
如图6所示，所述第一实施例与所述比较例相比，所述通过带域的特性在大于2170MHz的高频率区域中，所述第一实施例的隔离特性较佳。
换言之，根据本发明，能提供一种更小型且隔离特性优良的弹性波装置。
(第二实施例)
接着，说明本发明作为其他实施态样的第二实施例。
图7是所述第二实施例中装置芯片105的结构示意图。
如图7所示，在一个装置芯片105上形成有接收滤波器RxBPF和发送滤波器TxBPF。借此，能提供在一个装置芯片上形成双工器的弹性波装置。
如图7所示，所述接收滤波器RxBPF的输入端子In(Rx)与发送滤波器TxBPF的输出端子Out(Tx)为相同的端子。并且，如图7所示，所述接收滤波器RxBPF的输出端子Out(Rx)与发送滤波器TxBPF的输入端子In(Tx)，可以设置在所述装置芯片105上距离彼此最远的位置。可降低所述接收滤波器RxBPF与所述发送滤波器TxBPF间的干涉，并提升所述双工器的特性。
第二实施例中的其他的结构，由于采用与所述第一实施例相同的结构，因此省略说明。
(第三实施例)
接着，说明本发明作为其他实施态样的第三实施例。
图8是本发明第三实施例中模块100的剖面图。
如图8所示，配线基板130的主面上设有所述弹性波装置1。所述弹性波装置1例如可以采用所述第一实施例或所述第二实施例中说明的双工器。所述配线基板130包括数个外部连接端子131。所述外部连接端子131能被安装到预定的移动通信终端的主印刷电路板。
在所述配线基板130的主面上，为了达到阻抗匹配而设有电感器111。所述电感器111可以是集成无源器件(Integrated Passive Device，IPD)。所述模块100通过封装部117将包括所述弹性波装置1在内的多个电子零件密封。
所述配线基板130的内部设有集成电路零件IC。所述集成电路零件IC包括没有显示在图中的开关电路与低噪声放大器。
其他的结构，由于与所述第一实施例与所述第二实施例的内容重复，因此省略说明。
根据上述本发明的实施态样，能提供一种使用更接近矩形、低损耗，且具有相当出色的通过带域特性的多模态共振器的弹性波装置，以及包含所述弹性波装置的模块。
须注意的是，当然，本发明并不限于以上所述的实施态样，还包含能达成本发明目的的所有实施态样。
此外，虽然以上描述了至少一个实施态样，应当理解的是，本领域技术人员能容易想到进行各种变化、修正或改善。
上述变化、修正或改善也属于本公开的一部分，并且，属于本发明的范围。应当理解的是，这里所描述的方法或装置的实施态样，不仅限于以上说明所记载或附图所示例的构成组件的架构和排列。
方法和装置能以其他实施态样安装，或以其他实施态样施行。所述实施例仅用于说明，并没有限定的意思。
再者，此处所使用的描述或用词仅是为了说明，并没有限定的必要。这里的“包括”、“具备”、“具有”、“包含”及其变化的使用，具有包括之后列举的项目、其均等物和附加项目的意思。“或(或者)”的用词，或任何使用“或(或者)”描述的用语，可解释为所述描述用语中的其中一个、大于一个，或全部的意思。前、后、左、右、顶、底、上、下，及纵、横中的任一词系用于方便描述，并非限定本发明中任一构成组件的位置与空间配置。因此，上述说明与附图只是示例。
Claims (10)
1.一种弹性波装置，其特征在于：所述弹性波装置包含具有发送带通的发送滤波器，与具有接收带通的接收滤波器，所述发送滤波器包括多个串联共振器与多个并联共振器，所述串联共振器中的至少一个具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：在所述串联共振器中，具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率的所述串联共振器，设置在离所述发送滤波器的输入端子最近的位置。
3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率的所述串联共振器，其电容值比其他所述串联共振器的电容值的平均值小。
4.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：具有与所述接收带通的最高频率相同的反共振频率的所述串联共振器，其电容值比所述并联共振器的电容值的平均值大。
5.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述发送滤波器与所述接收滤波器中的至少一个为使用压电薄膜共振器的滤波器。
6.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述发送滤波器与所述接收滤波器中的至少一个为使用形成于压电基板的弹性表面波共振器的滤波器。
7.根据权利要求1所述的弹性波装置，其特征在于：所述发送滤波器与所述接收滤波器为使用弹性表面波共振器的滤波器，且形成于同一压电基板上。
8.根据权利要求6或7所述的弹性波装置，其特征在于：所述压电基板接合于由蓝宝石、硅、氧化铝、尖晶石、水晶或玻璃形成的基板。
9.根据权利要求5所述的弹性波装置，其特征在于：所述压电薄膜共振器的滤波器具有芯片基板、设置在所述芯片基板上的压电膜、下部电极，及上部电极，所述压电膜被所述下部电极与所述上部电极夹置其中，所述下部电极与所述芯片基板间形成空隙，所述下部电极及所述上部电极在所述压电膜内以厚度纵向振动模式激发弹性波。
10.一种包含权利要求1至9中任一权利要求所述的弹性波装置的模块。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-015364 | 2021-02-02 | ||
| JP2021015364A JP7055492B1 (ja) | 2021-02-02 | 2021-02-02 | 弾性波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114844484A true CN114844484A (zh) | 2022-08-02 |
Family
ID=81289262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110746187.XA Pending CN114844484A (zh) | 2021-02-02 | 2021-07-01 | 弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7055492B1 (zh) |
| CN (1) | CN114844484A (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7553141B1 (ja) | 2023-05-26 | 2024-09-18 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010011300A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Murata Mfg Co Ltd | 共振器、該共振器を用いるフィルタ及びデュプレクサ |
| JP5263390B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | アンテナ共用器とこれを搭載した電子機器 |
| JP5723667B2 (ja) * | 2011-04-27 | 2015-05-27 | 太陽誘電株式会社 | ラダーフィルタ、分波器及びモジュール |
| JP7055016B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-04-15 | 太陽誘電株式会社 | マルチプレクサ |
-
2021
- 2021-02-02 JP JP2021015364A patent/JP7055492B1/ja active Active
- 2021-07-01 CN CN202110746187.XA patent/CN114844484A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7055492B1 (ja) | 2022-04-18 |
| JP2022118669A (ja) | 2022-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6956438B1 (ja) | 弾性波デバイスチップ、弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスチップまたは弾性波デバイスを備えるモジュール | |
| JP7055492B1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| CN114696781A (zh) | 弹性波装置及模块 | |
| JP6954701B1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2023067933A (ja) | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール | |
| JP7370542B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP7055503B1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP7465515B1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP7553141B1 (ja) | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール | |
| US20230047266A1 (en) | Duplexer | |
| JP7378105B1 (ja) | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール | |
| JP7055499B1 (ja) | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール | |
| US20240364310A1 (en) | Acoustic wave devices and modules with acoustic wave devices | |
| US20240137007A1 (en) | Ladder-type filter, and duplexer and modules with ladder-type filter | |
| CN114257203A (zh) | 阻抗匹配的模块及前端模块 | |
| CN114499438A (zh) | 模块 | |
| CN114257210A (zh) | 弹性波装置 | |
| CN117294272A (zh) | 弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块 | |
| JP2024111755A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| CN117955453A (zh) | 弹性波装置及包含所述弹性波装置的模块 | |
| CN115940871A (zh) | 弹性波装置芯片、弹性波装置及包含所述弹性波装置芯片或所述弹性波装置的模块 | |
| CN115250105A (zh) | 弹性波装置与其制造方法及包含所述弹性波装置的模块 | |
| CN114499437A (zh) | 电子组件及弹性波装置 | |
| CN115882810A (zh) | 包含弹性波装置的模块 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |