CN114695159A - 一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，包括：外壳组件，原位电极制备组件和光电检测组件；所述外壳组件内部形成真空腔体，所述真空腔体底部设置有传输轨道和样品台，所述传输轨道上设置有传输车；所述原位电极制备组件设置在所述真空腔体内，并用于制备所述传输车传输至所述样品台的样品；所述光电检测组件设置在所述真空腔体内，并用于检测所述原位电极制备组件制备完成的样品。解决了现有技术中因半导体原位电极生长完成后需要移至光电检测设备中进行检测，导致半导体原位电极材料暴露在空气中，容易接触污染源，进而影响材料的稳定性的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制备设备技术领域，尤其涉及的是一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备。
背景技术
在半导体制备过程中，需要对半导体等材料进行光电性能测试，通常需要先在待测材料表面制作金属原位电极，再由探针或光学手段对待测材料的性能参数进行检测。
现有技术中通常是先在生长设备中完成待测材料的生长，然后从生长设备取出样品，放入可以生长金属原位电极材料的设备中制作原位电极，再取出移至光电检测设备进行测试。上述制备过程在原位电极材料生长和检测工序之间，需要移至光电检测设备中，导致制备产品多次暴露在空气中，使得生长了原位电极的半导体材料接触到环境中的污染源，容易影响原位电极和待测材料的稳定性，不能保证易氧化或高洁净度要求样品测试的准确性。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，旨在解决现有技术中因半导体原位电极生长完成后需要移至光电检测设备中进行检测，导致半导体原位电极材料暴露在空气中，容易接触污染源，进而影响材料的稳定性的问题。
本发明的技术方案如下：一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，包括：
外壳组件，所述外壳组件内部形成真空腔体，所述真空腔体底部设置有传输轨道和样品台，所述传输轨道上设置有传输车；
原位电极制备组件，所述原位电极制备组件设置在所述真空腔体内，并用于制备所述传输车传输至所述样品台的样品；
光电检测组件，所述光电检测组件设置在所述真空腔体内，并用于检测所述原位电极制备组件制备完成的样品。
进一步，所述外壳组件还包括隔离板，所述隔离板位于所述真空腔体内部，并将所述真空腔体分割成第一真空腔体和第二真空腔体，所述第一真空腔体和所述第二真空腔体内分别设置有样品台；
且所述原位电极制备组件设置在所述第一真空腔体内，所述光电检测组件设置在所述第二真空腔体内。
进一步，所述隔离板底部设置有真空传输通道，所述真空传输通道连通于所述第一真空腔体和所述第二真空腔体；
所述传输车通过所述真空传输通道传输至所述第二真空腔体。
进一步，所述真空传输通道一侧设置有自动开关门，所述自动开关门在所述传输车通过所述真空传输通道前后自动打开或者关闭。
进一步，所述原位电极制备组件包括：
等离子处理部，所述等离子处理部位于所述第一真空腔体的顶部，所述等离子处理部的离子发射端朝向所述样品台设置；
电子束蒸发部，所述电子束蒸发部位于所述第一真空腔体的底部，所述电子束蒸发部包括源炉，所述源炉发射端朝向所述样品台设置，所述电子束蒸发部的电子束打到所述源炉中，并溅射出所述源炉中的金属物质。
进一步，所述等离子处理部为直流源、射频源或微波源。
进一步，所述隔离板与所述样品台之间还设置有翻转机构，所述翻转机构活动连接于所述隔离板，且固定连接于所述样品台；
所述电子束蒸发部和所述样品台之间还设有样品掩膜版，所述电子束蒸发部通过所述样品掩膜版给所述样品蒸镀金属图形。
进一步，所述第二真空腔体顶部设置有光窗；
所述光电检测组件包括：激光器光源，所述激光器光源设置在所述外壳组件的上方，并通过所述光窗将激光照射至所述第二真空腔体内的所述样品台上；
所述激光器光源的激发源为X射线光源、gamma射线光源、电子束、紫外激光光源、可见光光源或者红外激光光源。
进一步，所述光电检测组件还包括：
测试探针，所述测试探针设置在所述样品台的上方；
移动结构，所述移动结构位于所述第二真空腔体内，并连接于所述测试探针，所述移动结构带动所述测试探针上下移动。
进一步，所述真空腔体内设置有机械手，所述机械手从所述传输车上往返传递所述样品至所述样品台。
本方案的有益效果：本发明提出的一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，通过在所述外壳组件的所述真空腔体内设置原位电极制备组件和所述光电检测组件，避免了原位电极制备完成后，再移动至光电检测设备中的暴露在空气中的过程，减少样品在不同处理工序间传输过程中的污染，提高所制备的电极表界面的质量，使得待测原位电极材料性能稳定，保证了易氧化或高洁净度要求待测原位电极材料测试的准确性。解决了现有技术中因半导体原位电极生长完成后需要移至光电检测设备中进行检测，导致半导体原位电极材料暴露在空气中，容易接触污染源，进而影响材料的稳定性的问题。
附图说明
图1是本发明的一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备的实施例共用一个真空腔体的结构示意图；
图2是本发明的一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备的实施例两个真空腔体的结构示意图；
图中各标号：100、外壳组件；110、真空腔体；120、传输轨道；121、传输车；130、样品台；131、翻转机构；132、样品掩膜版；140、隔离板；111、第一真空腔体；112、第二真空腔体；150、真空传输通道；160、光窗；200、原位电极制备组件；210、等离子处理部；220、电子束蒸发部；300、光电检测组件；310、测试探针；320、移动结构。
具体实施方式
本发明提供了一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
实施例：
如图1所示，本发明提出一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，以所述兼具原位电极制备与光电检测功能的设备放置在水平面上为例，以竖直向上的方向为向上，以竖直向下的方向为向下，以朝向所述兼具原位电极制备与光电检测功能的设备的上方为顶部，以朝向所述兼具原位电极制备与光电检测功能的设备的内部为向内。所述兼具原位电极制备与光电检测功能的设备包括：外壳组件100、原位电极制备组件200和光电检测组件300。所述外壳组件100内部形成真空腔体110，所述真空腔体110底部设置有传输轨道120和样品台130，所述传输轨道120上设置有传输车121；所述原位电极制备组件200设置在所述真空腔体110内，并用于制备所述传输车121传输至所述样品台130的样品；所述光电检测组件300设置在所述真空腔体110内，并用于检测所述原位电极制备组件200制备完成的样品。
可以理解，所述外壳组件100内部均设置为真空环境，所述外壳组件100外设置有真空泵，所述真空泵是一种利用机械，物理或者化学的方法对被所述真空腔体110进行抽气获得真空的设备，即使用各种方法对所述真空腔体110内的空间产生、改善和维持真空的装置，所述真空泵连通于所述真空腔体110，为所述真空腔体110持续提供真空，将所述样品放置在所述传输车121上，所述传输车121沿着所述传输轨道120传输至所述真空腔体110中间位置，将所述样品移动至所述样品台130进行加工，所述原位电极制备组件200对所述样品制备原位电极，原位电极制备完成后，所述光电检测组件300检测原位电极制备完成的样品，完成上述步骤后，将样品移回至所述传输车121上，从所述传输轨道120传输至设备外，避免了原位电极制备完成后，再移动至光电检测设备中的暴露在空气中的过程，减少样品在不同处理工序间传输过程中的污染，提高所制备的电极表界面的质量，使得待测原位电极材料性能稳定，保证了易氧化或高洁净度要求待测原位电极材料测试结果的准确性。
上述方案中，通过在所述外壳组件100的所述真空腔体110内设置原位电极制备组件200和所述光电检测组件300，避免了原位电极制备完成后，再移动至光电检测设备中的暴露在空气中的过程，减少样品在不同处理工序间传输过程中的污染，提高所制备的电极表界面的质量，使得待测原位电极材料性能稳定，保证了易氧化或高洁净度要求待测原位电极材料测试的准确性。解决了现有技术中因半导体原位电极生长完成后需要移至光电检测设备中进行检测，导致半导体原位电极材料暴露在空气中，容易接触污染源，进而影响材料的稳定性的问题。
进一步，所述外壳组件100一侧还设置进出口端，所述进出口端连通于所述真空腔体110，所述传输轨道120通过所述进出口端从所述兼具原位电极制备与光电检测功能的设备外侧进入所述真空腔体110内部。易于想到，所述进出口端内部设置有隔离空间，所述隔离空间内也设置有真空装置，所述传输车121从外部进入所述隔离空间，然后封闭所述隔离空间，启动所述真空装置进入工作模式，当所述隔离空间内部的真空压力与所述真空腔体110内部的真空压力相当时，打开所述隔离空间朝向所述真空腔体110一侧的通道，使得所述传输车121进入所述真空腔体110内部。
进一步，所述进出口端设置为圆形腔体，由于所述进出口端的密封圈为铜垫圈，所述铜垫圈为圆形，所述进出口端设置为圆形腔体便于与所述铜垫圈配合，更好的封闭所述真空腔体110。
如图2所示，在本实施例的具体结构中，所述外壳组件100还包括隔离板140，所述隔离板140位于所述真空腔体110内部，并将所述真空腔体110分割成第一真空腔体111和第二真空腔体112，所述第一真空腔体111和所述第二真空腔体112内分别设置有样品台130；且所述原位电极制备组件200设置在所述第一真空腔体111内，所述光电检测组件300设置在所述第二真空腔体112内。
可以理解，在所述第一真空腔体111和所述第二真空腔体112内分别设置有样品台130，在所述第一真空腔体111内设置所述原位电极制备组件200，并进行半导体材料原位电极的制备，在所述第二真空腔体112内设置所述光电检测组件300，并进行半导体材料原位电极的检测，同一设备内部分别设置两个真空腔体110，能够将原位电极制备和原位电极检测同时进行，增加生产效率。
如图2所示，在本实施例的具体结构中，所述隔离板140底部设置有真空传输通道150，所述真空传输通道150连通于所述第一真空腔体111和所述第二真空腔体112；所述传输车121通过所述真空传输通道150传输至所述第二真空腔体112。
可以理解，设置所述隔离板140后，所述传输轨道120连通所述第一真空腔体111和所述第二真空腔体112，所述传输轨道120穿过所述真空传输通道150，所述传输车121通过所述真空传输通道150传输至所述第二真空腔体112，或者所述传输车121通过所述真空传输通道150将产品传出所述第二真空腔体112。
进一步，所述第一真空腔体111和所述第二真空腔体112共同设置一个真空泵，所述真空泵可设置再任意一个真空腔体内部，所述真空传输通道150不仅实现所述传输轨道120的连通，还通过所述真空传输通道150维持两个真空腔体内部的相等的负压。易于想到，所述第一真空腔体111和所述第二真空腔体112内部也可分别设置一个真空泵，所述第一真空腔体111和所述第二真空腔体112通过所述真空传输通道150平衡两个腔体内部的负压。
如图2所示，在本实施例的具体结构中，所述真空传输通道150一侧设置有自动开关门，所述自动开关门在所述传输车121通过所述真空传输通道150前后自动打开或者关闭。
可以理解，所述自动开关门在所述传输车121通过所述真空传输通道150前后自动打开或者关闭，使得半导体材料的原位电极生长工序和检测工序相互独立进行，既能保证半导体材料在两个工序之间传输时不接触空气，又能保证两个工序的生产作业互不干扰。
进一步，为了增加生产效率，方便所述传输车121输入和输出产品，所述传输轨道120、所述自动开关门和所述真空传输通道150均可设置为两个，便于所述传输车121往返运动。进一步，所述传输车121可设置为多个，根据生产节拍设置即可。
易于想到，所述第一传输通道的尺寸应略大于所述传输轨道120与所述传输车121的宽度之和，以便于所述传输车121顺利通过。
如图2所示，在本实施例的具体结构中，所述原位电极制备组件200包括：等离子处理部210和电子束蒸发部220，所述等离子处理部210位于所述第一真空腔体111的顶部，所述等离子处理部210的离子发射端朝向所述样品台130设置；所述电子束蒸发部220位于所述第一真空腔体111的底部，所述电子束蒸发部220包括源炉，所述源炉发射端朝向所述样品台130设置，所述电子束蒸发部220的电子束打到所述源炉中，并溅射出所述源炉中的金属物质。
可以理解，在原位电极的制备的过程中，所述原位电极制备组件200对其进行等离子和电子束蒸发处理，将所述等离子处理部210设置在所述第一真空腔体111的顶部，并将离子发射端朝向所述样品台130设置，便于将离子发射至所述样品上，所述等离子处理部210用于处理已被污染样品的表面，或需要引入特定表面处理的表面。同样的，将所述电子束蒸发部220设置在所述第一真空腔体111的底部，并与所述等离子处理部210相对设置，同时将所述源炉发射端朝向所述样品台130设置，便于将离子发射至所述样品上，所述电子束蒸发部220用于蒸镀金属电极。在具体的实施过程中，先进行等离子体处理，等离子体处理处理完毕后，将所述样品翻转过来，再进行电子束蒸镀金属。
易于想到，所述等离子处理部210和所述电子束蒸发部220均通过自动化控制开启或者关闭，当所述第一真空腔体111内部的传感器检测到样品传输至所述样品台130时，自动开启所述等离子处理部210，当处理完成后，将所述样品翻转过来，再自动启动所述电子束蒸发部220工作。
进一步，所述原位电极制备组件200还可以根据需要只设置所述电子束蒸发部220，当所述样品表面的清洁度较高，也就是不需要进行等离子清洁时，只需要所述电子束蒸发部220进行蒸镀金属电极作业，可以避免多余的工序，增加产品的生产效率。
进一步，所述等离子处理部210可以为直流源、射频源或微波源，还可以根据需要采用其它合适的等离子处理设备。
如图2所示，在本实施例的具体结构中，所述隔离板140与所述样品台130之间还设置有翻转机构131，所述翻转机构131活动连接于所述隔离板140，且固定连接于所述样品台130；所述电子束蒸发部220和所述样品台130之间还设有样品掩膜版132，所述电子束蒸发部220通过所述样品掩膜版132给所述样品蒸镀金属图形。
可以理解，所述翻转机构131轴接于所述隔离板140，并可以环绕轴进行翻转活动，在另一端，所述样品台130固定连接于所述翻转机构131，所述样品台130随着所述翻转机构131的运动进行翻转，当需要给所述样品蒸镀金属图形时，所述翻转机构131带动所述样品台130翻转，使得所述样品朝向所述样品掩膜版132，此时底部的所述电子束蒸发部220通过所述样品掩膜版132给所述样品蒸镀金属图形。在只有一个所述真空腔体110的时候，所述翻转机构131可设置在所述真空腔体110的侧壁上。
易于想到，所述样品台130上设置有机械限位装置，可以使得所述样品随着所述样品台130翻转时，牢固的固定在所述样品台130上。
进一步，为了保证所述电子束蒸发部220给所述样品蒸镀金属图形的蒸镀效果，所述电子束蒸发部220的喷射源与所述样品台130呈一定倾斜角度设置，所述电子束蒸发部220的喷射源设置为旋转喷射，这样可以保证所述电子束蒸发部220通过所述样品掩膜版132蒸镀在整个所述样品上的金属膜的厚度均匀，从而得到更清晰的蒸镀金属图形。易于想到，所述倾斜角度的范围可设置为5°-90°，即可倾斜很小的角度，也可与所述样品垂直设置，根据样品需要调整即可。
进一步，所述电子束蒸发部220的喷射源也可固定设置，即不进行转动，此时可将所述样品台130进行旋转设置，在所述电子束蒸发部220的蒸镀金属图形的过程中，所述样品台130的旋转可使得整个所述样品上的金属膜的厚度均匀，保证同样的蒸镀效果。
如图2所示，在本实施例的具体结构中，所述第二真空腔体112顶部设置有光窗160；所述光电检测组件300包括：激光器光源，所述激光器光源设置在所述外壳组件100的上方，并通过所述光窗160将激光照射至所述第二真空腔体112内的所述样品台130上；所述激光器光源的激发源为X射线光源、gamma射线光源、电子束、紫外激光光源、可见光光源、红外激光光源等。
可以理解，当半导体样品移动至所述第二真空腔体112内的样品台130时，进行原位电极光电检测作业，所述激光器光源通过所述光窗160朝向样品发出的激光，进行光电测试，充分保证了光电测试的必要条件。所述激光器光源的激发源可以根据需要设置为X射线光源、gamma射线光源、电子束、紫外激光光源、可见光光源、红外激光光源等。
进一步，在所述光窗160的外部，也就是所述外壳组件100的外壁上，可设置有光窗160盖，当不需要使用所述激光器光源时，可直接关闭所述光窗160盖。
易于想到，当只有一个所述真空腔体110时，所述光窗160设置在所述真空腔体110的顶部，所述外壳组件100的外壁上设置有光窗160盖，在原位电极制备时，使用光窗160盖关闭所述光窗160，在需要进行光电检测时，打开所述光窗160，使用所述激光器光源，进行光电检测作业。
如图1和图2所示，在本实施例的具体结构中，所述光电检测组件300还包括：测试探针310和移动结构320。所述测试探针310设置在所述样品台130的上方；所述移动结构320位于所述第二真空腔体112内，并连接于所述测试探针310，所述移动结构320带动所述测试探针310上下移动。
可以理解，所述测试探针310可在所述移动结构320的带动下移动至所述第二真空腔体112内任一需要的位置，当需要光电检测时，在所述激光器光源的照射下，所述移动结构320带动所述测试探针310移动至所述样品台130的样品上方，点触样品的电极，进行光电测试。
在本实施例的具体结构中，所述真空腔体110内设置有机械手，所述机械手从所述传输车121上往返传递所述样品至所述样品台130。
可以理解，当产品从设备外在所述传输车121上通过所述传输轨道120传输至所述样品台130一侧后，需要使用所述机械手将样品所述传输车121上传递至所述样品台130，同样的，当需要样品制备完成后，也需要使用所述机械手将样品所述样品台130上传递至所述传输车121，再传出制备设备。
在本发明的另一种实施方式中，在同一个所述兼具原位电极制备与光电检测功能的设备内，可并列设置多组所述传输轨道120、所述电极制备组件和所述光电检测组件300，这样，可多个样品被同时制备或者检测，大大提高生产效率。
综上所述，本发明提出的一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，通过在所述外壳组件100的所述真空腔体110内设置原位电极制备组件200和所述光电检测组件300，避免了原位电极制备完成后，再移动至光电检测设备中的暴露在空气中的过程，减少样品在不同处理工序间传输过程中的污染，提高所制备的电极表界面的质量，使得待测原位电极材料性能稳定，保证了易氧化或高洁净度要求待测原位电极材料测试的准确性。解决了现有技术中因半导体原位电极生长完成后需要移至光电检测设备中进行检测，导致半导体原位电极材料暴露在空气中，容易接触污染源，进而影响材料的稳定性的问题。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，包括：
外壳组件，所述外壳组件内部形成真空腔体，所述真空腔体底部设置有传输轨道和样品台，所述传输轨道上设置有传输车；
原位电极制备组件，所述原位电极制备组件设置在所述真空腔体内，并用于制备所述传输车传输至所述样品台的样品；
光电检测组件，所述光电检测组件设置在所述真空腔体内，并用于检测所述原位电极制备组件制备完成的样品。
2.根据权利要求1所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述外壳组件还包括隔离板，所述隔离板位于所述真空腔体内部，并将所述真空腔体分割成第一真空腔体和第二真空腔体，所述第一真空腔体和所述第二真空腔体内分别设置有样品台；
且所述原位电极制备组件设置在所述第一真空腔体内，所述光电检测组件设置在所述第二真空腔体内。
3.根据权利要求2所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述隔离板底部设置有真空传输通道，所述真空传输通道连通于所述第一真空腔体和所述第二真空腔体；
所述传输车通过所述真空传输通道传输至所述第二真空腔体。
4.根据权利要求3所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述真空传输通道一侧设置有自动开关门，所述自动开关门在所述传输车通过所述真空传输通道前后自动打开或者关闭。
5.根据权利要求3所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述原位电极制备组件包括：
等离子处理部，所述等离子处理部位于所述第一真空腔体的顶部，所述等离子处理部的离子发射端朝向所述样品台设置；
电子束蒸发部，所述电子束蒸发部位于所述第一真空腔体的底部，所述电子束蒸发部包括源炉，所述源炉发射端朝向所述样品台设置，所述电子束蒸发部的电子束打到所述源炉中，并溅射出所述源炉中的金属物质。
6.根据权利要求5所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述等离子处理部为直流源、射频源或微波源。
7.根据权利要求5所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述隔离板与所述样品台之间还设置有翻转机构，所述翻转机构活动连接于所述隔离板，且固定连接于所述样品台；
所述电子束蒸发部和所述样品台之间还设有样品掩膜版，所述电子束蒸发部通过所述样品掩膜版给所述样品蒸镀金属图形。
8.根据权利要求2所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述第二真空腔体顶部设置有光窗；
所述光电检测组件包括：激光器光源，所述激光器光源设置在所述外壳组件的上方，并通过所述光窗将激光照射至所述第二真空腔体内的所述样品台上；
所述激光器光源的激发源为X射线光源、gamma射线光源、电子束、紫外激光光源、可见光光源或者红外激光光源。
9.根据权利要求2所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述光电检测组件还包括：
测试探针，所述测试探针设置在所述样品台的上方；
移动结构，所述移动结构位于所述第二真空腔体内，并连接于所述测试探针，所述移动结构带动所述测试探针上下移动。
10.根据权利要求1所述的兼具原位电极制备与光电检测功能的设备，其特征在于，所述真空腔体内设置有机械手，所述机械手从所述传输车上往返传递所述样品至所述样品台。
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|---|---|---|---|
| CN202210339225.4A CN114695159A (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202210339225.4A CN114695159A (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备 |
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|---|---|
| CN114695159A true CN114695159A (zh) | 2022-07-01 |
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ID=82140518
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| CN202210339225.4A Pending CN114695159A (zh) | 2022-04-01 | 2022-04-01 | 一种兼具原位电极制备与光电检测功能的设备 |
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| US20080185517A1 (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-07 | Juergen Frosien | Method and apparatus for in-situ sample preparation |
| CN102495237A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-06-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 材料界面的原位加工测试装置 |
| CN112864039A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-05-28 | 苏州大学 | 有机半导体器件原位电学性能智能监测设备 |
-
2022
- 2022-04-01 CN CN202210339225.4A patent/CN114695159A/zh active Pending
Patent Citations (3)
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