CN114182264B - 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 - Google Patents
用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114182264B CN114182264B CN202111513602.3A CN202111513602A CN114182264B CN 114182264 B CN114182264 B CN 114182264B CN 202111513602 A CN202111513602 A CN 202111513602A CN 114182264 B CN114182264 B CN 114182264B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper foil
- impurities
- infrared
- sodium carbonate
- washing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 96
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 92
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Natural products OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 46
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 45
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 title claims abstract description 18
- PXRKCOCTEMYUEG-UHFFFAOYSA-N 5-aminoisoindole-1,3-dione Chemical compound NC1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 PXRKCOCTEMYUEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 claims abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 3
- 241001424392 Lucia limbaria Species 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 23
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- -1 polydithio-dipropyl Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N Nonylphenol Natural products CCCCCCCCCC1=CC=C(O)C=C1 IGFHQQFPSIBGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000000701 chemical imaging Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000794 confocal Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 description 1
- SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N nonylphenol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O SNQQPOLDUKLAAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 description 1
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/02—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with acid solutions
- C23G1/10—Other heavy metals
- C23G1/103—Other heavy metals copper or alloys of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
- C23G1/14—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts with alkaline solutions
- C23G1/20—Other heavy metals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3563—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing solids; Preparation of samples therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
本发明公开了一种用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除PCB用铜箔表面痕量杂质的方法,该方法可以去除大部分杂质,而且避免了用有机溶剂,具有绿色环保的显著优点。利用检测灵敏度超高的原子力显微成像红外光谱(AFM‑IR)技术对洗涤前后用铜箔表面吸附的杂质含量分析,结果表明,该方法可去除铜箔表面80%以上的杂质。
Description
技术领域
本发明涉及高频高速印刷电路板(PCB)用铜箔表面处理技术,尤其涉及一类超低轮廓度铜箔表面吸附的痕量有机杂质的清洗工艺。
背景技术
超低轮廓度铜箔是5G通讯用高频高速印刷电路板(PCB)的核心基础材料之一。基于“趋肤效应”,为降低高频电路中信号传输的损耗,目前所使用的铜箔表面的粗糙度(Rz)需达到1.5μm以下,所对应铜箔表面沉积铜瘤的尺寸为几十至几百nm。
工业上生产微纳米粗糙度的铜箔,须在铜箔电解过程中添加多种添加剂,以达到铜箔毛面超细微粗化处理的效果。常用的添加剂包括聚二硫二丙烷磺酸钠(SP)、羟乙基纤维素(HEC)、聚乙二醇(PEG)、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪胺乙氧基磺化物、稀土盐、明胶和硫脲等。超细微粗化处理后的铜箔表面具有较大的比表面积,同时铜瘤颗粒间存在较强的毛细效应,使得铜箔表面非常容易吸附电解过程中的添加剂。
目前,铜箔生产工艺中普遍使用稀硫酸和纯水洗涤方法对铜箔表面进行清洁,如中国专利CN111229720A,CN113020031A和CN211938085U等。然而,该方法一方面无法将铜箔表面吸附的有机物彻底洗净,另外稀硫酸还会对铜箔表面的钝化镀层中的金属锌和铬产生一定的腐蚀。这会对铜箔/树脂界面的粘接强度和介电性质的可靠性产生较大的影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种绿色环保、简单有效的高频高速印刷电路板(PCB)用铜箔表面痕量杂质的水相清洗去除方法。同时,利用AFM-IR联用技术,对洗涤前后铜箔表面痕量杂质进行检测,分析洗涤前后铜箔表面杂质含量的变化,计算得到洗涤去除大部分杂质的效率。
为实现上述技术目的,本发明采用了如下技术方案:
利用具有超高灵敏度的AFM-IR测试技术,依次用碳酸钠水溶液和柠檬酸水溶液去除高频高速印刷电路板(PCB)用铜箔表面痕量杂质的方法:
首先取小块铜箔样品,用原子力显微成像红外光谱(AFM-IR)技术,获得铜箔表面任意点主要吸附杂质的纳米红外光谱,确定铜箔表面吸附杂质的最强特征峰;固定AFM-IR红外检测波长为吸附杂质的最强特征峰,在铜箔表面随机选择5μm×5μm的区域,对区域内铜箔表面进行逐点扫描,获得该特征波长下红外吸收强度的信息;用数据处理软件对铜箔表面所测区域内各点的红外强度进行作图,获得该区域内铜箔表面杂质所对应特征峰红外强度的三维图像;对平面图内所有位置的红外强度进行加和,通过区域内杂质特征峰的总红外强度,计算铜箔表面吸附杂质的相对含量;然后,取10cm×10cm大小的铜箔样品,浸泡于质量浓度为1~10%的碳酸钠溶液中超声洗涤,处理温度为25~80℃,处理时间为10min~1h,洗涤处理完后,将铜箔取出,并用纯水冲洗干净;再将碳酸钠溶液洗涤后的铜箔样品浸泡于质量分数为0.5~5%的柠檬酸水溶液中超声洗涤,处理温度为室温25℃,处理时间为5~30min,将洗涤后的铜箔取出,用纯水冲洗干净,置于80℃烘箱中烘干;最后,再取约2cm×2cm的小块洗涤烘干后的铜箔样品,随机选择5μm×5μm的区域,进行与上述原始铜箔相同的AFM-IR测试和数据处理步骤,获得洗涤后铜箔样品表面杂质所对应特征峰红外强度的三维图像;计算对比洗涤前后铜箔表面杂质特征峰的总红外强度的变化,得到依次用碳酸钠和柠檬酸水溶液洗涤去除铜箔表面杂质的百分含量。
本发明中所有AFM-IR实验都是在Vista One AFM-IR显微镜上完成的。
原子力显微成像红外光谱(AFM-IR)技术(AFM-IR)的原理:
原子力显微成像红外光谱(AFM-IR)技术,利用了光诱导力技术,通过探针针尖尖端增强的光照得到样品的局部极化,使用机械测量的方法来测量探针针尖与样品间的局部极化力,该局部极化力反映了针尖与样品间的近场光学相互作用。用这种方法代替传统的光学检测方法,可实现有机材料纳米级光谱的分析。光诱导力技术的应用不但具有了超高检测灵敏度,甚至可以实现表面单分子层的灵敏度,可以检测金属表面附着的几纳米到几十纳米厚度的有机物.同时大大提高了红外光谱的分辨率,其分辨率≤10nm。利用该技术既可以检测样品表面任一位置上有机物的纳米红外光谱,根据红外吸收峰的波长和相对应的基团的关系,判断有机物的种类;还可以通过固定有机物的特征红外波长,对样品表面进行化学成像扫描,通过检测区域内有机物特征峰的相对强度的变化,得到有机物在样品表面含量以及空间分布情况。
本发明方法依次利用碳酸钠水溶液和柠檬酸水溶液对PCB用铜箔表面痕量的有机物杂质进行清洗,并利用AFM-IR联用技术对铜箔表面的杂质含量进行分析,具有如下优点:
1:该方法使用的洗涤剂为无机碱和有机弱酸的水溶液,杂质洗涤去除效率高,且对铜箔表面的钝化镀层中的金属锌和铬的腐蚀较弱;
2:该方法使用的是水基洗涤剂,绿色环保,安全性高;
3:AFM-IR技术具有超高的检测灵敏度,高空间分辨率,同时样品取样少,实验操作简单,可快速对铜箔表面的杂质相对含量进行表征。
附图说明
图1为原始铜箔样品表面杂质红外特征峰强度的三维图像;
图2为碳酸钠水溶液/柠檬酸水溶液依次洗涤后铜箔样品表面杂质红外特征峰强度的三维图像;
具体实施方式
下面将结合实施例和附图对本发明的技术方案进一步描述。
实施例
本实施例选取市售的一款国产铜箔进行说明,该铜箔表面存在400~950nm的铜瘤颗粒,颗粒表面吸附有一定量的生产过程中所加的未知添加剂残余物,且吸附杂质的含量较低,常规的显微红外和共聚焦拉曼光谱等方法无法对其进行检测。
剪取大小约为2cm×2cm的原始铜箔样品,利用MVI公司的光诱导力显微镜Vista-IR在铜箔毛面随机选取一些采样点,采集这些位置的纳米红外光谱,并确定该铜箔表面吸附杂质的最强特征峰的波长为1550cm-1。
固定AFM-IR的红外检测波长为1550cm-1,在原始铜箔表面任意选择一5μm×5μm的区域,对区域内铜箔表面进行逐点扫描,获得特征波长1550cm-1下各位置的红外吸收强度。利用Vista-IR仪器的数据处理软件Surface Works对铜箔表面所测区域内各点的红外强度进行作图,获得原始铜箔选定区域内表面杂质所对应特征峰(1550cm-1)红外强度的三维图像,见图1。
剪取约10cm×10cm大小的原始铜箔样品,浸泡于质量浓度为5%的碳酸钠溶液中超声洗涤,处理温度为50℃,处理时间为15min。洗涤处理完后,将铜箔捞出,并用大量纯水冲洗干净;
再将碳酸钠溶液洗涤后的铜箔样品浸泡于质量分数为1%的柠檬酸水溶液中超声洗涤,处理温度为室温25℃,处理时间为5min,将铜箔捞出,用大量纯水冲洗干净后,置于80℃烘箱中烘干,得到碳酸钠/柠檬酸水溶液洗涤处理的铜箔样品。
剪取大小约为2cm×2cm的碳酸钠/柠檬酸水溶液洗涤后的铜箔样品,固定AFM-IR的红外检测波长为1550cm-1,在洗涤后的铜箔表面任意选择5μm×5μm的区域,对区域内铜箔表面进行逐点扫描,获得特征波长1550cm-1下各位置的红外吸收强度。软件处理获得洗涤后铜箔选定区域内表面杂质所对应特征峰(1550cm-1)红外强度的三维图像,见图2。
分别对原始铜箔和碳酸钠/柠檬酸水溶液洗涤后铜箔表面吸附杂质所对应特征峰(1550cm-1)红外强度的三维图像进行处理,将选定区域内所有位置的红外强度进行加和,获得区域内杂质特征峰的总红外强度。对比洗涤前后杂质特征峰总红外强度的变化,可知碳酸钠/柠檬酸水溶液洗涤处理后铜箔表面杂质的含量下降了约82%。
Claims (1)
1.一种用AFM-IR方法测量碳酸钠/柠檬酸水溶液去除PCB用铜箔表面痕量杂质的应用,其特征在于,首先取小块铜箔样品,用AFM-IR方法,获得铜箔表面任意点主要吸附杂质的纳米红外光谱,确定铜箔表面吸附杂质的最强特征峰;固定AFM-IR红外检测波长为吸附杂质的最强特征峰,在铜箔表面随机选择5μm×5μm的区域,对区域内铜箔表面进行逐点扫描,获得该特征峰下红外吸收强度的信息;用数据处理软件对铜箔表面所测区域内各点的红外强度进行作图,获得该区域内铜箔表面杂质所对应特征峰红外强度的三维图像;对平面图内所有位置的红外强度进行加和,通过区域内杂质特征峰的总红外强度,计算铜箔表面吸附杂质的相对含量;然后,取10cm×10cm大小的铜箔样品,浸泡于质量浓度为1~10%的碳酸钠溶液中超声洗涤,处理温度为25~80℃,处理时间为10min~1h,洗涤处理完后,将铜箔取出,并用纯水冲洗干净;再将碳酸钠溶液洗涤后的铜箔样品浸泡于质量分数为0.5~5%的柠檬酸水溶液中超声洗涤,处理温度为室温25℃,处理时间为5~30min,将洗涤后的铜箔取出,用纯水冲洗干净,置于80℃烘箱中烘干;最后,再取2cm×2cm的小块洗涤烘干后的铜箔样品,随机选择5μm×5μm的区域,进行与上述铜箔相同的AFM-IR测量和数据处理步骤,获得洗涤后铜箔样品表面杂质所对应特征峰红外强度的三维图像;计算对比洗涤前后铜箔表面杂质特征峰的总红外强度的变化,得到依次用碳酸钠和柠檬酸水溶液洗涤去除铜箔表面杂质的百分含量。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111513602.3A CN114182264B (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111513602.3A CN114182264B (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114182264A CN114182264A (zh) | 2022-03-15 |
CN114182264B true CN114182264B (zh) | 2023-11-17 |
Family
ID=80543332
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111513602.3A Active CN114182264B (zh) | 2021-12-10 | 2021-12-10 | 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114182264B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114199806B (zh) * | 2021-12-10 | 2024-04-09 | 南京大学 | 用afm-ir检测微纳米粗糙的铜箔表面有机物分布的方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03234086A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Nec Corp | プリント基板用洗浄液 |
US5264046A (en) * | 1991-07-17 | 1993-11-23 | Church & Dwight Co., Inc. | Aqueous electronic circuit assembly cleaner and cleaning method |
JP2009081396A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔及びその表面処理方法 |
CN108998827A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-14 | 山西沃特海默新材料科技股份有限公司 | 一种微孔电池铜箔的电化学热腐蚀制备方法及其微孔铜箔 |
CN110241422A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-17 | 电子科技大学 | 一种多层高频印制电路板铜箔表面粗化液及其使用方法 |
JP2020181897A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
CN112770509A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-07 | 深圳爱仕特科技有限公司 | 一种芯片电路板生产方法 |
CN114107974A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-01 | 南京大学 | 一种在pcb用铜箔表面涂覆硅烷偶联剂的工艺 |
CN114200164A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-18 | 深圳职业技术学院 | 在afm-ir监测下用二氯甲烷/甲醇混合溶剂去除铜箔表面痕量杂质的方法 |
-
2021
- 2021-12-10 CN CN202111513602.3A patent/CN114182264B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03234086A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Nec Corp | プリント基板用洗浄液 |
US5264046A (en) * | 1991-07-17 | 1993-11-23 | Church & Dwight Co., Inc. | Aqueous electronic circuit assembly cleaner and cleaning method |
JP2009081396A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Hitachi Cable Ltd | プリント配線板用銅箔及びその表面処理方法 |
CN108998827A (zh) * | 2018-07-04 | 2018-12-14 | 山西沃特海默新材料科技股份有限公司 | 一种微孔电池铜箔的电化学热腐蚀制备方法及其微孔铜箔 |
JP2020181897A (ja) * | 2019-04-25 | 2020-11-05 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの分析方法、半導体ウェーハ製造工程評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
CN110241422A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-17 | 电子科技大学 | 一种多层高频印制电路板铜箔表面粗化液及其使用方法 |
CN112770509A (zh) * | 2020-12-23 | 2021-05-07 | 深圳爱仕特科技有限公司 | 一种芯片电路板生产方法 |
CN114107974A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-01 | 南京大学 | 一种在pcb用铜箔表面涂覆硅烷偶联剂的工艺 |
CN114200164A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-18 | 深圳职业技术学院 | 在afm-ir监测下用二氯甲烷/甲醇混合溶剂去除铜箔表面痕量杂质的方法 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Analysis of Nanodomain Composition in High-Impact Polypropylene by Atomic Force Microscopy-Infrared;Fuguang Tang等;《Anal. Chem.》;摘要 * |
New method for chemical characterization of polymer materials in industrial devices : AFM-IR with FIB sample preparation;Naoki Baden等;《 IEEE》;496-499 * |
Observation of nanoscale opto-mechanical molecular damping as the origin of spectroscopic contrast in photo induced force microscopy;Mohammad A.等;《NATURE COMMUNICATIONS》;第11卷;1-9 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114182264A (zh) | 2022-03-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN114182264B (zh) | 用碳酸钠/柠檬酸水溶液去除pcb用铜箔表面痕量杂质的方法 | |
JP4520493B2 (ja) | 光ファイバー探針の製造方法 | |
Chi et al. | Highly reusable nanoporous silver sheet for sensitive SERS detection of pesticides | |
CN103447523B (zh) | 金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途 | |
Canetta et al. | Morphological changes in textile fibres exposed to environmental stresses: Atomic force microscopic examination | |
CN103308474A (zh) | 光纤倏逝波探测单元检测水中石油类污染物的方法 | |
Eigler et al. | Characterization techniques | |
CN107037032A (zh) | 一种快速制备大面积石墨烯/金属复合结构表面增强拉曼散射基底的方法 | |
CN102430835A (zh) | 一种电弧焊熔滴过渡过程稳定性的定量评价方法 | |
CN114200164A (zh) | 在afm-ir监测下用二氯甲烷/甲醇混合溶剂去除铜箔表面痕量杂质的方法 | |
Li et al. | Active site-dominated electromagnetic enhancement of surface-enhanced Raman spectroscopy (SERS) on a Cu triangle plate | |
CN101457365B (zh) | 一种退除基材表面氮化铬膜的方法 | |
CN104089963B (zh) | 一种光学玻璃亚表面缺陷检测方法 | |
CN114199806B (zh) | 用afm-ir检测微纳米粗糙的铜箔表面有机物分布的方法 | |
CN102944542A (zh) | 磨砂玻璃表面增强拉曼基底及其制备方法 | |
CN116297403B (zh) | 一种焊渣结晶状态的分析方法及其应用 | |
CN108318472A (zh) | 一种高灵敏度快速分析的表面增强拉曼散射基底的制备方法 | |
Chan et al. | Finding a needle in a chemical haystack: tip-enhanced Raman scattering for studying carbon nanotubes mixtures | |
CN103983628B (zh) | 一种铜网基叶片状金sers活性基底的制备方法 | |
CN103364674B (zh) | 玻纤束阳极漏电失效的判定方法 | |
CN1501070A (zh) | 一种不锈钢材质的检验剂及其使用方法 | |
CN111551533A (zh) | 表面增强基底及其制备方法和绝缘油中甲醇的检测方法 | |
CN103364594A (zh) | 应用于原子力纳米探针测试的样品及其制作方法 | |
CN113495067B (zh) | 一种用于表面增强拉曼的Cu2O-CuO/Ag复合基底及其制备方法 | |
Petronic et al. | Application of semiconductor continuous and Nd: YAG pulsed laser processing for nondestructive cleaning of the historical paper |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |