CN114063351A - 密封结构与具有此密封结构的电子装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种密封结构与具有此密封结构的电子装置,其中该密封结构包括彼此相对的两个基板、凹陷结构、以及密封材料。基板的每一者在其周边区包括密封区。凹陷结构位于两个基板的至少一者的密封区,包括至少一凹部。密封材料具有多个填料颗粒,密封材料沿着周边区设置以密封两个基板,其中填料颗粒的一部分容纳在至少一凹部中。
Description
技术领域
本发明涉及一种密封结构或包含此密封结构的电子装置。
背景技术
现今,例如笔记型计算机、移动电话、数字相机、个人数字助理等的电子装置已成为人类生活不可或缺的一部分。在电子装置中,通常是通过在边框的部分设计密封结构以保护其中的各种电子元件。然而,随着电子装置边框的厚度降低,各边框间的接合强度也随之降低,因此,如何提升边框处的机械强度始成为一重要的课题。
发明内容
本发明提供一种密封结构,包括彼此相对的两个基板、凹陷结构、以及密封材料。两个基板的每一者在其周边区包括密封区。凹陷结构位于两个基板的至少一者的密封区,包括至少一凹部。密封材料具有多个填料颗粒,密封材料沿着周边区设置以密封两个基板,其中填料颗粒的一部分容纳在凹部中。
本发明提供一种电子装置,包括密封结构。密封结构包括彼此相对的两个基板、凹陷结构、以及密封材料。两个基板的每一者在其周边区包括密封区。凹陷结构位于基板的至少一者的密封区,包括至少一凹部。密封材料具有多个填料颗粒,密封材料沿着周边区设置以密封两个基板,其中填料颗粒的一部分容纳在凹部中。
附图说明
以下将配合所附的附图详述本发明的实施例。应注意的是,依据在业界的标准做法,多种特征并未按照比例绘示且仅用以说明例示。事实上,可能任意地放大或缩小元件的尺寸,以清楚地表现出本发明的特征。
图1A是本发明一些实施例绘示的电子装置的俯视图;
图1B是本发明一些实施例绘示的电子装置的剖视图;
图2A是本发明一些实施例绘示的密封结构一些元件的俯视图;
图2B是本发明一些实施例绘示的密封结构一些元件的仰视图;
图3是图2A中区域R1的放大图;
图4是本发明一些实施例绘示的基板以及其上的结构在密封区的剖视图;
图5是本发明一些实施例绘示的密封结构一些元件沿线段A-A’绘示的剖视图;
图6是图5中区域R2的放大图;
图7是本发明一些实施例绘示的密封结构一些元件的剖面放大图;
图8是本发明一些实施例绘示的基板的示意图。
符号说明:
1:框胶区
2:非框胶区
10:基板
10A,20A,30A:边缘
10-1A:顶表面
11,21:凹陷结构
12,12-1,12-2,12-1A,12-1B,12-1C,12-1D,12-1E,22,22-1,22-2:凹部
14:第一功能层
15,15-1,15-2:绝缘层
15A:顶表面
16:第二功能层
16A:界面
20:基板
30:密封材料
32,32A,32B,32C:填料颗粒
40:线路
100:密封结构
A-A’:线段
D:显示区
E,F:延伸线
G1,G2:间距
N:非显示区
NM:法线方向
R0,R1,R2:区域
S:空间
W1,W2:宽度
具体实施方式
以下公开许多不同的实施方法或是范例来实行所提供的标的的不同特征,而以下描述具体的元件及其排列的实施例以阐述本发明。当然这些实施例仅用以例示,且不该以此来限定本发明的范围。举例来说,在说明书中若提到第一特征部件设置或形成于第二特征部件之上,其包括第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例,另外也包括于第一特征部件与第二特征部件之间另外有其他特征的实施例,亦即,第一特征部件与第二特征部件并非直接接触。但若在说明书中若提到第一特征部件直接设置或直接形成于第二特征部件之上,则指第一特征部件与第二特征部件是直接接触的实施例。
此外,在不同实施例中可能使用重复的标号或标示,这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明,不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。此外,其中可能用到与空间相关用词,例如「垂直的」、「上方」、「上」、「下」、「底」及类似的用词(如「向下地」、「向上地」等),这些空间相关用词是为了便于描述图示中一个(些)元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系,这些空间相关用词旨在涵盖包括特征的装置的不同方向。
再者,说明书与权利要求中所使用的序数例如「第一」、「第二」等的用词,以修饰权利要求的元件,其本身并不意含及代表该请求元件有任何之前的序数,也不代表某一请求元件与另一请求元件的顺序、或是制造方法上的顺序,该等序数的使用仅用来使具有某命名的一请求元件得以和另一具有相同命名的请求元件能作出清楚区分。
在此,「约」、「大约」、「实质上」的用语通常表示在一给定值或范围的20%内,较佳是10%内,更佳是5%内,或3%之内,或2%之内,或1%之内,或0.5%之内。在此给定的数量为大约的数量,亦即在没有特定说明「约」、「大约」、「实质上」的情况下,仍可隐含「约」、「大约」、「实质上」的含义。
此外,在本发明一些实施例中,关于接合、连接的用语例如「连接」、「互连」等,除非特别定义,否则可指两个结构是直接接触,或者也可指两个结构并非直接接触,其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语也可包括两个结构都可移动,或者两个结构都固定的情况。
请参考图1A,图1A为本发明一些实施例的电子装置1001的俯视示意图。本发明的俯视方向可定义为Z方向。在本发明一些实施例中,前述电子装置1001例如可包括显示装置、天线装置、感测装置、触控电子装置(touch display)、曲面电子装置(curved display)或非矩形电子装置(free shape display),也可以是可弯折或可挠式拼接电子装置,但不以此为限。电子装置1001可例如包括发光二极管、液晶(liquid crystal)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合适的显示介质、或前述的组合,但不以此为限。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)、无机发光二极管(inorganic light-emitting diode)、次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot,QD,可例如为QLED、QDLED)、或其他适合的材料或上述的任意排列组合,但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线,但不以此为限。需注意的是,电子装置可为前述的任意排列组合,但不以此为限。此外,电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。在一些实施例中,电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支持显示装置或天线装置。
参考图1A,电子装置1001包含密封结构100。密封结构100可包括密封材料30、基板10、基板20。基板10与基板20的每一者包括显示区D与周边区N。在一实施例中,基板10与基板20的周边区N包括框胶区1与一部分的非框胶区2,也就是说周边区N包括框胶区1且为显示区D以外的区域。在另一实施例,框胶区1也可以称为密封区,而非框胶区2与密封区邻近设置,详细来说,密封材料30的内侧边缘30B至基板20的边缘20A和/或基板10的边缘10A间的区域称为密封区,而密封区以外的范围则为非框胶区2。图1B是沿着图1A中的O-O’切线的剖面示意图。如图1B所示,基板10与基板20彼此相对,而密封材料30位于基板10与基板20之间。密封材料30沿着周边区N设置以密封基板10与基板20。举例来说,密封材料30可位于框胶区1以围绕非框胶区2,也就是说,对应密封材料30的区域,例如在Z方向上与密封材料30重叠的区域可作为框胶区1,进而在基板10、基板20、以及密封材料30之间形成一空间S。
在一些实施例中,密封材料30可延伸到基板10的边缘10A及/或基板20的边缘20A,但并不以此为限。举例来说,如图1B所示,在基板10或基板20的法线方向上(Z方向),部分的密封材料30的外侧边缘30A实质上可与基板10的边缘10A及/或基板20的边缘20A大致上切齐,但本发明并不以此为限。如此可使电子装置1001达到窄边框的效果。在另一实施例中,密封材料30的外侧边缘30A不与基板10的边缘10A及/或基板20的边缘20A切齐,且密封材料30的外侧边缘30A并未超出基板10的边缘10A及/或基板20的边缘20A,例如密封材料30的外侧边缘30A可从基板10的边缘10A及/或基板20的边缘20A朝向非框胶区2的方向内缩,换句话说,请参考图1A,在俯视方向上,密封材料30的外侧边缘30A可位于密封材料30的内侧边缘30B与基板10的边缘10A及/或基板20的边缘20A之间,如此可提高电子装置1001于制作工艺上的速度。
在一些实施例中,密封材料30可包括例如环氧树脂、硬化剂、安定剂、增韧剂、触变剂、消泡剂、偶合剂、分散剂、或前述材料的组合,但不限于此。
在一些实施例中,可在空间S中设置显示介质或工作介质,显示介质或工作介质例如可为液晶、有机发光层、无机发光层、量子点层等,但不限于此。
图2A是图1A中区域R0的放大图。图2B是图1A中区域R0的仰视图。以基板10为例,如图2A所示,基板10可包括一显示区D以及一周边区N。周边区N包含框胶区1与部分的非框胶区2。在一实施例中,框胶区1可为设置有密封材料30的区域。请参考图2A与图2B,在另一实施例中,可在基板10及/或基板20的周边区N可设置额外的线路40,例如可设置在框胶区1中,并且于俯视方向上,例如Z方向上,密封材料30可与此线路40完全或部分重叠,以传递密封结构100中电子元件的电信号。在另一实施例中,线路40可至少部分设置在周边区N的非框胶区2中。在一些实施例中,基板10及/或基板20中可包括薄膜晶体管,例如包括非晶硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon,LTPS)或金属氧化物(metal oxide)的顶栅极、底栅极或双栅极薄膜晶体管,但不限于此。
在一些实施例中,密封结构100可包含一凹陷结构(recess structure)11,至少一部分或全部的凹陷结构11位于框胶区1中,凹陷结构11可包括至少一凹部(recess)12,但不限于此。凹部12可包含凹部12-1或凹部12-2。再者,用语「凹部」、「凹陷结构」等,可包括从一表面凹陷而未穿过整体结构的特征,或者是穿过整体结构的孔洞等特征,在此并不限制。在本实施例中,凹陷结构11可以包含位于基板10的至少一边的至少一个凹部12-1,或可包括交错或周期性排列并位于基板10的至少一边的多个凹部12-1。在另一实施例中,凹陷结构11可以包含至少一个凹部12-2并位于基板10的至少一边。又一实施例中,凹陷结构11可以包含至少一个凹部12-1与至少一个凹部12-2。在一实施例中,从俯视方向上观察,凹部12-2于第一方向(例如X方向)上的最大宽度A1可大于或等于7.5微米,且小于或等于73微米。
密封材料30可设置在基板10上,例如可填充在凹部12中,但不限于此。通过在框胶区1中设计凹陷结构11,可增加基板10与密封材料30的接触面积,可提升基板10及/或基板20与密封材料30之间的接着强度,以增强密封结构100整体的机械强度。
请参考图2B,密封材料30也设置在基板20上,例如可直接或间接接触基板20。在一些实施例中,一凹陷结构21可选择性设置于基板20上,至少一部分或全部的凹陷结构21位于基板20的周边区N的框胶区1中,凹陷结构21可包括至少一凹部22。凹部22可包含凹部22-1或凹部22-2。在本实施例中,凹陷结构21可以包含位于基板20的至少一边的至少一个凹部22-1,或包含交错或周期性排列并位于基板20的至少一边的多个凹部22-1。在另一实施例中,凹陷结构21可以包含位于基板20的至少一边的至少一个凹部22-2。又一实施例中,凹陷结构21可以包含至少一个凹部22-1与至少一个凹部22-2。在一些实施例中,如图2A以及图2B所示,基板10与基板20上可设置不同或相同的结构,但不限于此。此外,也可在其中一个基板上设计前述凹陷结构,例如可将凹陷结构设置于基板10或基板20的其中一者上,而另一者上可不设置凹陷结构,取决于设计需求。通过在基板20上设计凹陷结构21,可增加基板20与密封材料30的接触面积,而提升其接合强度,增加密封结构100的机械强度。
图3是图2A中区域R1的放大图。在本实施例中,凹部12-1可以是多个,为了方便说明,将图3中多个凹部12-1标记凹部12-1A至凹部12-1E。如图3所示,凹部12-1在Y方向上可排列成多个行,且在X方向上,这些行中的凹部12-1可交错排列。举例来说,凹部12-1A与凹部12-1B在Y方向上排成一行,而凹部12-1C与凹部12-1D在Y方向上排成另一行。凹部12-1A与凹部12-1B所排成的行和凹部12-1C与凹部12-1D所排成的行在X方向上隔开并且彼此交错。举例来说,凹部12-1A与凹部12-1B之间在Y方向可具有间距G1,在X方向上,间距G1与凹部12-1C或凹部12-1D至少部分重叠。或者,在一些实施例中,凹部12-1C与凹部12-1D之间在Y方向可具有间距G2,在X方向上,间距G2与凹部12-1A或凹部12-1B至少部分重叠。或者,凹部12-1A、凹部12-1B在X方向上并未完全切齐于凹部12-1C、凹部12-1D,但不限于此。参考图1B与图3,通过将不同列中的凹部12-1设计为交错排列,可增加从密封结构100的边缘,例如为边缘10A,传来的裂痕的传递路径长度,以降低裂痕传递到非框胶区2中的机率,进而加强密封结构100在框胶区1的机械强度。在本发明的一实施例中,至少一凹部于第二方向上的最大宽度与于第一方向上的最大宽度的比值大于或等于0.5且小于或等于4。上述至少一凹部指的是凹部12-1的任一者。详细来说,从俯视方向上观察,任一凹部12-1于Y方向上的最大宽度与该任一凹部12-1于X方向上的最大宽度的比值可大于或等于0.5且小于或等于4。例如,请参考图3,任一凹部12-1,例如凹部12-1E于第二方向(例如Y方向)上的最大宽度例如为宽度A2,凹部12-1E于第一方向(例如X方向)上的最大宽度例如为宽度A3,则宽度A2与宽度A3的比值大于或等于0.5且小于或等于4。本发明的第一方向与第二方向不同。在一实施例中,第一方向与第二方向可互相垂直。
虽然在图3中,在Y方向上,间距G1或间距G2的长度绘示为小于凹部12-1A、凹部12-1B、凹部12-1C、凹部12-1D、或凹部12-1E于Y方向上的最大宽度,但本发明并不以此为限。本发明所称的间距的长度是指两相邻凹部间于Y方向上的最小距离。在一些实施例中,在Y方向上,间距G1或间距G2的长度也可大于凹部12-1A、凹部12-1B、凹部12-1C、凹部12-1D、或凹部12-1E于Y方向上的最大宽度,取决于设计需求。此外,在一些实施例中,在一方向上,例如为Y方向,间距G1与间距G2的长度可实质上相等,但不限于此。
图4是根据本发明一些实施例所绘示于基板10上所设置的其他层别在框胶区1的剖视图。请参考图4,密封结构100可还包括第一功能层14、绝缘层15、和/或第二功能层16或其他因结构设计所需的层别,第一功能层14、绝缘层15、和/或第二功能层16或其他因结构设计所需的层别可设置于基板10和/或基板20上。在一实施例中,绝缘层15可设置在基板10上。在另一实施例中,基板10上可设置薄膜晶体管、金属层、线路层或其他元件跟金属层别。在一些实施例中,基板10的材料可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚丙烯(polypropylene,PP)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、其他合适的材料或前述材料的组合,但并不以此为限。基板10可为可挠性或不可挠性材料。而于图1A以及图1B中为了简洁而省略了上述层或元件。第一功能层14设置于绝缘层15与基板10之间,第二功能层16设置于绝缘层15上。绝缘层15设置在第一功能层14以及第二功能层16之间。在一实施例中,图1A~图1B的密封材料30也可直接接触第二功能层16,但不限于此。
在一些实施例中,第一功能层14可包括至少一层缓冲层与栅极绝缘层。举例来说,缓冲层可设置在基板10以及栅极绝缘层之间。此外,在一些实施例中,所述缓冲层及/或栅极绝缘层也可包括一层以上的次层(sublayer),但不限于此。
在一些实施例中,可通过物理气相沉积制作工艺(physical vapor deposition,PVD)、化学气相沉积制作工艺(chemical vapor deposition,CVD)、涂布制作工艺、其它合适的方法或前述的组合在基板10上形成第一功能层14。所述物理气相沉积制作工艺例如可包含溅镀制作工艺、蒸镀制作工艺或脉冲激光沉积等,但不限于此。所述化学气相沉积制作工艺例如可包含低压化学气相沉积制作工艺(Low-pressure CVD,LPCVD)、低温化学气相沉积制作工艺(Low-temperature CVD,LTCVD)、快速升温化学气相沉积制作工艺(Rapid-Thermal CVD,RTCVD)、等离子体辅助化学气相沉积制作工艺(Plasma-Enhanced CVD,PECVD)或原子层沉积制作工艺(Atomic Layer Deposition,ALD)等,但不限于此。
在一些实施例中,第一功能层14可包括绝缘材料,但不限于此。在一些实施例中,第一功能层14的材料可包含有机材料、无机材料或前述的组合,但不限于此。所述有机材料可包含聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚醚砜(polyethersulfone,PES)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate,PMMA)、异戊二烯(isoprene)、酚醛树脂(phenol-formaldehyde resin)、苯并环丁烯(benzocyclobutene,BCB)、全氟环丁烷(perfluorocyclobutane,PECB)、或前述的组合,但不限于此。在一些实施例中,前述无机材料可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、其它合适的材料、或前述材料的组合,但不限于此。
请参考图1B与图4,在一些实施例中,在显示区D或周边区N的非框胶区2中的第一功能层14可例如位于两金属层之间(未绘示),例如可以位于一栅极层与一源极层之间,再延伸至周边区N的框胶区1。通过设置包含缓冲层的第一功能层14,可降低水氧分子进入密封结构100中,或者可以降低基板10上的离子扩散所造成的污染的机率。
在一些实施例中,绝缘层15的材料可包含有机材料,例如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、异戊二烯(isoprene)、酚醛树脂、苯并环丁烯(BCB)、全氟环丁烷(PECB)、或前述的组合,但不限于此。在一些实施例中,可通过与形成第一功能层14相同或相似的制作工艺来在第一功能层14上形成绝缘层15,在此不再赘述。
在一实施例中,绝缘层15可以有平坦化的功能或降低设置于基板10上的金属层(未绘示)遭腐蚀的功能,可增加密封结构100的耐用度。
在一些实施例中,第二功能层16可包括至少一层无机层以及配向层。举例来说,所述无机层可直接接触绝缘层15,并且可位于绝缘层15以及配向层之间。在一实施例中,当液晶显示装置包含此密封结构100时,包括配向层的第二功能层16可使液晶分子大致朝预设方向排列,可增强显示效果。此外,在一些实施例中,所述无机层及/或配向层也可包括一层以上的次层,但不限于此。
在一些实施例中,第二功能层16的无机层的材料可包括无机材料,例如可包含氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、其它合适的材料、或前述材料的组合,但不限于此。而第二功能层16的配向层的材料可包括例如聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚酰亚胺(Polyimide)、聚乙烯醇(Polyvinyl alcohol,PVA)、聚酯、环氧树脂、聚胺酯(Polyurethane,PU)、聚硅烷(polysilane)等。在一些实施例中,可通过与形成第一功能层14相同或相似的制作工艺,在绝缘层15上形成第二功能层16,于此不再赘述。
在一些实施例中,在显示区D或周边区N的非框胶区2中的第二功能层16可例如位于两电极之间(未绘示),再延伸至周边区N的框胶区1。所述电极可为透明电极,例如可包括例如氧化铟锡(indium tin oxide,ITO)、铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)、其组合、其他导电材料或低电阻材料、或前述材料的组合,但本发明并不以此为限。
应注意的是,图4所示的剖视图仅为广视角技术(fringe field switching,FFS)架构的一范例,本发明并不限于此。在一些实施例中,在基板10上也可设置其他的结构或层别,取决于设计需求。
图5是根据本发明一些实施例绘示的密封结构100沿图3的线段A-A’绘示的一些元件的剖视图,而图6是图5中区域R2的放大图。在一些实施例中,请参考图3,凹陷结构11也可形成在绝缘层15上,更详细来说,如图5以及图6所示,凹部12可形成在绝缘层15上,例如可通过蚀刻绝缘层15来形成凹部12,但不限于此。此外,第二功能层16可形成在凹部12之中。详细来说,第二功能层16可形成在凹部12之中代表第二功能层16有部分位于凹部12之中。
密封材料30中可具有多个填料颗粒32。在一些实施例中,如图5以及图6所示,填料颗粒32的至少一部分可容纳在凹部12中。填料颗粒32可包括绝缘材料,例如为有机或无机材料,无机材料例如为氧化硅、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、氧化锌、其它合适的材料、或前述材料的组合,但不限于此。有机材料例如为聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、异戊二烯(isoprene)、酚醛树脂、苯并环丁烯(BCB)、全氟环丁烷(PECB)、或前述的组合,但不限于此。由于密封材料30的热膨胀系数(Coefficient of thermalexpansion,CTE)可能会与所接触的其他元件(例如基板10、基板20)不同。在一些实施例中,填料颗粒32的热膨胀系数可小于密封材料30的热膨胀系数。在密封材料30中包含填料颗粒32,可降低密封材料30的热膨胀系数,以使密封材料30与基板10(或基板20)在温度变化时仍保持稳定接着,并增加密封结构100的机械强度。此外,通过将填料颗粒32设置在凹部12中,可进一步增强密封材料30与基板10的接着强度,特别有利于具有窄边框的电子装置。
在一些实施例中,凹部12在如图5的剖面视角中可具有碗状的形状。举例来说,凹部12在较远离基板10的顶部的宽度为W1,本实施例中,宽度W1定义为绝缘层15-1的最高点与邻近于绝缘层15-1的绝缘层15-2的最高点两者之间在X方向上的最小距离,如图5标示的点P与点Q在X方向上的距离即为宽度W1,而在凹部12的底部的宽度为W2,本实施例中,宽度W2定义为绝缘层15-1的最低点与邻近于绝缘层15-1的绝缘层15-2的最低点,两者之间在X方向上的最小距离,如图5标示的点O与点R在X方向上的距离即为宽度W2,其中宽度W1大于宽度W2。另一实施例中,远离基板10的顶表面10-1A的任一凹部12的宽度W大于宽度W2。换句话说,凹部12的宽度可从底部往Z方向上渐增。由此,可允许填料颗粒32较易被容纳在凹部12之中,而进一步增加密封结构100的机械强度。
此外,虽然密封材料30在凹部12处绘示为直接地接触第二功能层16,但本发明并不限于此。举例来说,在一些实施例中,在凹部12上也可不设置第二功能层16,即密封材料30可直接接触第一功能层14或绝缘层15,但本发明并不限于此。本发明所称的于凹部上可不设置某一层,指的可以是于凹部上不直接设置某一层,也可以指于凹部上仅部分设置某一层,举例来说,请参考图5,凹部12上不设置第二功能层16是指第二功能层16未直接设置于凹部12上,也可以是部分第二功能层16设置在凹部12上的状况,例如第二功能层16仅设置在凹部12的侧壁12A上,但未设置于凹部12的底部上,这样的实施例也可以代表凹部12上不设置第二功能层16。此外,在一些实施例中,可通过凹蚀第一功能层14以及绝缘层15,以形成凹部12,即凹部12可由第一功能层14及绝缘层15所形成,基板10的顶表面10-1A可从凹部12露出,使密封材料30与基板10的顶表面10-1A接触,但本发明不限于此,取决于设计需求。在另一实施例中,凹部12可由至少一层绝缘层所形成,或至少一层绝缘层加至少一层金属层,于此并不限制,端视设计需求。在另一实施例中,可选择性具有金属层(例如走线、接垫等)位于凹部12中。
基板20与密封材料30间也可设置其他层别,举例来说,在基板20上还可设置遮蔽矩阵层、彩色滤光层、功能层、配向层、其他合适的层或其组合,但不限于此。在一些实施例中,遮蔽矩阵层、彩色滤光层、功能层、配向层可在基板20上依序排列,其中配向层可接触密封材料30,但不限于此。在基板20上所设置的功能层例如可使基板20平坦化的功效,但不限于此。在一些实施例中,基板20的材料可包括玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚丙烯(polypropylene,PP)或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、其他合适的材料或前述材料的组合,但并不以此为限。基板20可为可挠性或不可挠性基材。
在一些实施例中,设置于基板20上的配向层可能并未延伸或位于基板20的框胶区1中。请参考图2B与图5,凹陷结构21可位于基板20的合适的位置。举例来说,可在彩色滤光层上形成凹陷结构21并露出遮蔽矩阵层,以使至少部分的密封材料30可直接地接触基板20的遮蔽矩阵层,但不限于此。在另一些实施例中,在基板20的框胶区1中可设置配向层于基板20上,而凹陷结构21可形成在遮蔽矩阵层中,即密封材料30可直接接触设置于基板20上的配向层,但不限于此。在一些实施例中,可将设置于基板20上的遮蔽矩阵层挖洞产生凹陷结构21,并露出基板20,使得密封材料30可直接接触基板20,但不限于此。此外,在又一些实施例中,可在设置于基板20上的功能层上设置凹陷结构21,取决于设计需求。
在一些实施例中,如图5以及图6所示,填料颗粒32可具有相同或实质相同的形状及/或尺寸,但本发明并不以此为限。在本实施例中,填料颗粒的尺寸指在该剖面(例如面XZ)上,填料颗粒量测到的最大直径或最大宽度。填料颗粒也可具有不同的大小及/或尺寸。举例来说,图7是根据本发明一些实施例绘示的密封结构100一些元件的剖面放大图。如图7所示,填料颗粒32A、填料颗粒32B、填料颗粒32C可包括不同的形状,或者也可包括不同的尺寸,取决于设计需求。填料颗粒具有不同的形状或尺寸,可以提供不同的支撑力或弹性度,以加强密封材料整体的机械强度。
应注意的是,本文的「填料颗粒容纳在凹部中」可包括「完全容纳」或者「部分容纳」的实施例。举例来说,在图7中,绝缘层15在Z方向上最远离基板10的表面称为顶表面15A,而顶表面15A在第一方向上具有延伸线E。第一功能层14以及第二功能层16间可包括界面16A,顶表面15A在第一方向上的延伸线E可通过填料颗粒32A,而填料颗粒32B、填料颗粒32C可位于延伸线E以及界面16A之间。应注意的是,在本发明中,填料颗粒32A、填料颗粒32B、填料颗粒32C都可定义为「容纳在凹部12中」,只要填料颗粒的至少一部分位于顶表面15A的延伸线E与界面16A的延伸线F之间都可定义为容纳在凹部12中。若第一功能层14以及第二功能层16的界面为粗糙界面,则以剖视图中粗糙界面的大致延伸方向所对应的延伸线,定义为延伸线F,例如图7中,第一功能层14以及第二功能层16的界面大致的延伸方向为X方向。
如图7所示,在一些实施例中,至少一部分的凹部12具有一深度H。应注意的是,若设置于凹部12的底部上的第一功能层14上还设置其他层别(例如第二功能层16),则所述深度H的方向可定义为在第一功能层14以及绝缘层15间界面的法线方向NM。或者,在一些实施例中,若凹部12的底部上不设置额外的层别,例如不设置前述第一功能层14、第二功能层16等层别,则所述深度H的方向可定义为基板10的法线方向,例如Z方向。
此外,凹部12的深度H可定义为在深度H的方向(例如Z方向或NM方向)上,从顶表面15A到第一功能层14的最大距离的95%。如图7所示,凹部12在深度H的方向(例如为图7的Z方向)可容纳至少两个填料颗粒,例如填料颗粒32B以及填料颗粒32C,其中填料颗粒32B以及填料颗粒32C在Z方向上至少部分重叠。也就是说,深度H可为填料颗粒32B或填料颗粒32C的尺寸的两倍以上。举例来说,在一些实施例中,前述填料颗粒的尺寸小于约1μm,而深度H可大于约2μm,但不限于此。在一些实施例中,深度H可大于或等于前述填料颗粒尺寸的3倍且小于或等于前述填料颗粒尺寸的4倍,但不限于此。由此,可使包括填料颗粒32A、填料颗粒32B、或填料颗粒32C的密封材料30实质上填入凹部12中,或者可减少密封材料30与凹部12间的空隙(例如可为实质上无空隙),以增加彼此的接合强度。在另一实施例中,若深度H小于填料颗粒尺寸的约3.7倍,则可能会降低密封材料30与凹部12间的接合强度。在又一实施例中,若深度H大于填料颗粒尺寸的约3.9倍,则密封材料30可能会不易流入凹部12中,而降低接合强度。又另一实施例中,填料颗粒32A、填料颗粒32B、或填料颗粒32C的尺寸可以大于或等于0.6微米,且小于或等于0.85微米。也就是说,密封材料30中,至少一颗填料颗粒的尺寸可以大于或等于0.6微米,且小于或等于0.85微米。
图8是根据本发明一些实施例绘示的基板10与设置于基板10上的凹部12的示意图。图8中的凹部12与图5的凹部12类似,可互相参考,如图5与图8所示,凹部12可具有碗状的形状,即其宽度可从远离基板10的一侧朝向靠近基板10的一侧(-Z方向)渐缩。由此,可允许填料颗粒较易填入凹陷结构中,而进一步增加密封结构100的机械强度。此外,凹部12的顶部在水平方向上(例如X方向上)的宽度W1也可大于填料颗粒的尺寸。此外,凹部12的底部在水平方向上(例如X方向上)的最小尺寸(例如图5的尺寸W2)也可大于填料颗粒的尺寸。由此,也可允许填料颗粒较易填入凹陷结构中,而进一步增加密封结构100的机械强度。
综上所述,本发明提供一种密封结构,包括彼此相对的两个基板以及密封材料。基板的每一者在其周边区包括密封区。凹陷结构位于基板的其中一者的密封区,包括至少一凹部。密封材料具有多个填料颗粒,密封材料沿着周边区设置以密封基板,其中填料颗粒的一部分容纳在凹部中。通过将填料颗粒容纳在凹部中,可增加密封材料与凹陷结构的接合强度,或提升密封结构整体的机械强度。
本发明前述实施例所制得的密封结构也可与其他电子设备整合,以作为一电子装置。或者可整合触控功能,作为一种触控电子装置。此外,本发明前述实施例所制得的电子装置或触控电子装置可应用在任何需要显示荧幕的电子装置上,譬如显示器、手机、手表、笔记型计算机、摄影机、照相机、移动导航装置、电视机等,然而上述装置仅为举例而已,本发明的应用并不限于此。本发明前述实施例所制得触控电子装置也可应用在具有触控功能的天线装置或其他类型的电子装置上。
虽然结合以上实施例公开了本发明,但应该了解的是,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,可作更动、替代与润饰。此外,各实施例间特征只要不违背发明精神或相冲突,均可任意混合搭配使用。本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此,本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外,每一权利要求构成个别的实施例,且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。
Claims (20)
1.一种密封结构,其特征在于,包括:
彼此相对的两个基板,该两个基板的每一者在其周边区包括密封区;
凹陷结构,位于该两个基板的至少一者的该密封区,包括至少一凹部;以及
密封材料,具有多个填料颗粒,该密封材料沿着该周边区设置以密封该两个基板,其中该多个填料颗粒的一部分容纳在该至少一凹部中。
2.如权利要求1所述的密封结构,其中,还包括绝缘层,设置在该两个基板的该至少一者之上,其中该凹陷结构形成在该绝缘层上。
3.如权利要求1所述的密封结构,其中,该至少一凹部在第一方向上的最大宽度大于或等于7.5微米,且小于或等于73微米。
4.如权利要求1所述的密封结构,其中该至少一凹部在第二方向上的最大宽度与在第一方向上的最大宽度的比值大于或等于0.5且小于或等于4。
5.如权利要求1所述的密封结构,其中该多个填料颗粒的尺寸大于或等于0.6微米,且小于或等于0.85微米。
6.如权利要求2所述的密封结构,还包括:
第一功能层,设置在该绝缘层与该两个基板的其中一者之间;以及
第二功能层,设置在该绝缘层上,且该绝缘层设置在该第一功能层以及该第二功能层之间。
7.如权利要求6所述的密封结构,其中该第一功能层包含缓冲层。
8.如权利要求6所述的密封结构,其中该第二功能层形成在该至少一凹部之中。
9.如权利要求1所述的密封结构,其中该两个基板的至少一者的顶表面从该至少一凹部露出。
10.如权利要求1所述的密封结构,其中至少一部分的该至少一凹部具有一深度,该凹部在该深度的方向可容纳至少两个该多个填料颗粒。
11.如权利要求10所述的密封结构,其中该深度大于或等于2微米。
12.如权利要求10所述的密封结构,其中该深度与该多个填料颗粒的其中一者的尺寸的比值大于或等于3,且小于或等于4。
13.如权利要求1所述的密封结构,其中该至少一凹部在剖面视角中呈碗状。
14.如权利要求1所述的密封结构,其中该多个填料颗粒的热膨胀系数小于该密封材料的热膨胀系数。
15.如权利要求1所述的密封结构,还包含线路,其中该线路设置于该两个基板的至少一者的该周边区上。
16.如权利要求15所述的密封结构,其中于俯视方向上,该线路与该密封材料重叠。
17.如权利要求2所述的密封结构,其中该密封材料与该绝缘层直接接触。
18.如权利要求1所述的密封结构,其中该至少一凹部的数量为多个,且该多个凹部彼此交错排列。
19.如权利要求18所述的密封结构,其中,该多个凹部的两相邻凹部间在一方向上具有间距,且于该方向上,该间距的长度小于该两相邻凹部的其中一者的长度。
20.一种电子装置,其特征在于,包括:
密封结构,包括:
彼此相对的两个基板,该两个基板的每一者在其一周边区包括一密封区;
凹陷结构,在该两个基板的至少一者的该密封区包括至少一凹部;以及
密封材料,具有多个填料颗粒,该密封材料沿着该周边区设置以密封该两个基板,其中该多个填料颗粒的一部分容纳在该至少一凹部中。
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