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CN114068302A - 基板处理方法及基板处理装置 - Google Patents

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CN114068302A
CN114068302A CN202110881844.1A CN202110881844A CN114068302A CN 114068302 A CN114068302 A CN 114068302A CN 202110881844 A CN202110881844 A CN 202110881844A CN 114068302 A CN114068302 A CN 114068302A
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CN
China
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organic solvent
rinse liquid
unit
rinse
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宫岛启介
真柄启二
片山贵志
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Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
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Publication date
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Abstract

本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。基板处理方法包括步骤(S51)、步骤(S52)、及步骤(S6)。在步骤(S51)中，在将浸渍于冲洗液(71)中的基板(W)从冲洗液(71)中提起后，使表面张力小于冲洗液(71)的有机溶剂附着于基板(W)，并将基板(W)浸于贮存于腔室(51)内的槽(53)中的冲洗液(71)中。在步骤(S52)中，从冲洗液(71)中提起基板(W)。在步骤(S6)中，向所提起的基板(W)所存在的腔室(51)内供给表面张力小于冲洗液(71)的有机溶剂的蒸汽。

Description

基板处理方法及基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理方法及基板处理装置。
背景技术
专利文献1中所记载的基板处理装置在将基板浸渍于贮存有冲洗液的处理槽内而进行表面清洗后，将基板提起至置于异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)等有机溶剂气体环境下的腔室内，将基板加以干燥(例如，专利文献1)。在所述情形时，通过将存在于构成基板表面的图案的结构物与结构物之间的冲洗液置换为表面张力小的有机溶剂，而抑制结构物的坍塌。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2007-12859号公报
发明内容
发明所要解决的问题
然而，近年来，基板表面的图案的微细化进一步发展。因此，存在难以将存在于基板表面的结构物与结构物之间的空间的冲洗液置换为有机溶剂的可能性。
本发明是鉴于所述课题而完成，其目的在于提供一种能够将存在于形成于基板表面的结构物与结构物之间的空间的冲洗液有效地置换为有机溶剂的基板处理方法及基板处理装置。
解决问题的技术手段
根据本发明的一方面，基板处理方法包括：将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂附着于所述基板，并且将所述基板浸于贮存于腔室内的槽中的冲洗液中的步骤；从所述冲洗液中提起所述基板的步骤；及向所述提起的基板所存在的所述腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽的步骤。
本发明的基板处理方法优选为还包括在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤之前向所述腔室内供给所述第一有机溶剂的蒸汽的步骤。优选为在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤中，使所述基板下降，而将附着有所述第一有机溶剂的所述基板浸于所述冲洗液中。
在本发明的基板处理方法中，优选为在供给所述第一有机溶剂的蒸汽的所述步骤中，利用所述第一有机溶剂的蒸汽在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜。
本发明的基板处理方法优选为还包括在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤之前，对贮存于所述槽中的所述冲洗液直接供给所述第一有机溶剂，由此在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜的步骤。优选为在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤中，使所述基板下降，而将所述基板浸于形成了所述第一有机溶剂的膜的所述冲洗液中。
在本发明的基板处理方法中，优选为交替执行多次将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤与提起所述基板的所述步骤。
在本发明的基板处理方法中，优选为在提起所述基板且为最后执行的所述步骤中，从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度最小。
在本发明的基板处理方法中，优选为将所述基板浸于所述冲洗液中时的所述基板的下降速度大于从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度。
根据本发明的另一方面，基板处理方法包括：将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使所述基板穿过表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂的膜并且浸于在液面具有所述第一有机溶剂的膜的冲洗液中的步骤；使所述基板穿过所述第一有机溶剂的膜并且从所述冲洗液中提起所述基板的步骤；及向所述提起的基板所存在的腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽的步骤。
根据本发明的进而另一方面，基板处理装置包括腔室、槽、基板移动部、及流体供给部。槽配置于所述腔室内。基板移动部执行如下动作：将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂附着于所述基板，并且将所述基板浸于贮存于所述槽中的冲洗液中的动作；及从所述冲洗液中提起所述基板的动作。流体供给部向利用所述基板移动部从所述冲洗液中提起的所述基板所存在的所述腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽。
在本发明的基板处理装置中，优选为在所述基板移动部执行将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作之前，所述流体供给部向所述腔室内供给所述第一有机溶剂的蒸汽。优选所述基板移动部使所述基板下降，而将附着有所述第一有机溶剂的所述基板浸于所述冲洗液中。
在本发明的基板处理装置中，优选为在所述基板移动部执行将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作之前，所述流体供给部利用所述第一有机溶剂的蒸汽在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜。
在本发明的基板处理装置中，优选为在所述基板移动部执行将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作之前，所述流体供给部对贮存于所述槽中的所述冲洗液直接供给所述第一有机溶剂，由此在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜。优选所述基板移动部使所述基板下降，而将所述基板浸于形成了所述第一有机溶剂的膜的所述冲洗液中。
在本发明的基板处理装置中，优选为所述基板移动部交替执行多次将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作与从所述冲洗液中提起所述基板的所述动作。
在本发明的基板处理装置中，优选为在所述基板移动部提起所述基板且为最后执行的所述动作中，将从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度设为最小。
在本发明的基板处理装置中，优选为使所述基板移动部将所述基板浸于所述冲洗液中时的所述基板的下降速度大于从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度。
根据本发明的进而另一方面，基板处理装置包括基板移动部、及流体供给部。基板移动部执行如下动作：将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使所述基板穿过表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂的膜并且浸于在液面具有所述第一有机溶剂的膜的冲洗液中的动作；及使所述基板穿过所述第一有机溶剂的膜，并且从所述冲洗液中提起所述基板的动作。流体供给部向利用所述基板移动部从所述冲洗液中提起的所述基板所存在的腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽。
发明的效果
根据本发明，可提供一种能够将存在于形成于基板表面的结构物与结构物之间的空间的冲洗液有效地置换为有机溶剂的基板处理方法及基板处理装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的基板处理装置的内部的平面图。
图2是表示实施方式1的基板处理装置中的干燥槽单元的内部的侧面图。
图3是表示作为实施方式1的基板处理装置的处理对象的基板的一部分的示意性截面图。
图4是表示利用实施方式1的基板处理装置执行的基板处理方法的前段的程序图。
图5是表示利用实施方式1的基板处理装置执行的基板处理方法的后段的程序图。
图6中的(a)至图6中的(d)是表示在实施方式1的基板处理装置中将冲洗液置换为有机溶剂的原理的图。
图7是表示利用实施方式1的基板处理装置执行的基板处理方法的另一例的前段的流程图。
图8是表示利用实施方式1的基板处理装置执行的基板处理方法的另一例的后段的流程图。
图9是表示利用本发明的实施方式2的基板处理装置执行的基板处理方法的前段的程序图。
图10是表示利用实施方式2的基板处理装置执行的基板处理方法的后段的程序图。
符号的说明
1：收纳部
3：投入部
5、9：载置台
7：配给部
11：传送机构
15：处理部
17：干燥处理部
19：第一处理部
21：第二处理部
23：第三处理部
41、43、45、47、49、50、69、602：配管
51：腔室
51a：盖
53：槽
53a：开口部
55：基板移动部
55A：升降机构
55B：基板保持部
57、59、61、63、65、67：喷嘴
71：冲洗液
72：有机溶剂
73：有机溶剂的膜(膜)
75：稀释有机溶剂
77：高浓度有机溶剂
81、83、84、85、86、87、89、91、92：阀
93、94、96：惰性气体供给源
95、97、101：有机溶剂供给源
99：疏水化剂供给源
100：控制装置
103：冲洗液供给源
200：惰性气体供给部
300：流体供给部
400：冲洗液供给部
450：排液部
500：基板本体
502：图案
504：结构物
550：本体部
552：保持棒
600：减压部
700：疏水化剂供给部
1000：基板处理装置
BU：缓冲单元
CTC：第一搬送机构
D：一定方向
LF：搬送机构
LPD：干燥槽单元
ONB、CHB：槽单元
S11～S26、S171、S172：步骤
SP：空间
W：基板
WTR：第二搬送机构
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，图中对相同或相当部分标注相同的参照符号并不再重复说明。另外，在本发明的实施方式中，X轴、Y轴、及Z轴互相正交，X轴及Y轴平行于水平方向，Z轴平行于竖直方向。
(实施方式1)
参照图1～图8，对本发明的实施方式1的基板处理装置1000及基板处理方法进行说明。实施方式1的基板处理装置1000为批次式。因此，基板处理装置1000将多块基板W一次性进行处理。具体而言，基板处理装置1000对多个批次进行处理。多个批次分别包括多块基板W。例如，一批次包括25块基板W。基板W例如为大致圆板状。
基板W例如为半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、场致发射显示器(Field Emission Display，FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、磁光盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、或太阳能电池用基板。半导体晶片具有例如用来形成三维快闪存储器(例如三维与非快闪存储器(Not-And Flash Memory，NAND快闪存储器)的图案。在以下的说明中，作为一例，基板W为半导体晶片。
首先，参照图1对基板处理装置1000进行说明。图1是表示基板处理装置1000的内部的平面图。如图1所示，基板处理装置1000包括多个收纳部1、投入部3、配给部7、传送机构11、缓冲单元BU、第一搬送机构CTC、第二搬送机构WTR、处理部15、及控制装置100。
处理部15包括干燥处理部17。处理部15可包括第一处理部19、第二处理部21、及第三处理部23。干燥处理部17包括至少一个干燥槽单元LPD。第一处理部19、第二处理部21、及第三处理部23各自包括槽单元ONB、槽单元CHB、及搬送机构LF。
多个收纳部1各自收容多块基板W。各基板W以水平姿势收容于收纳部1中。收纳部1例如为前开式传送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)。
载置于投入部3的收纳部1收纳处理部15未处理的基板W。具体而言，投入部3包括多个载置台5。并且，两个收纳部1分别载置于两个载置台5。
载置于配给部7的收纳部1收纳处理部15已处理完的基板W。具体而言，配给部7包括多个载置台9。并且，两个收纳部1分别载置于两个载置台9。配给部7将已处理完的基板W收纳至收纳部1中，与收纳部1一起配给。
缓冲单元BU与投入部3及配给部7邻接配置。缓冲单元BU将载置于投入部3的收纳部1与基板W一起取入至内部，并且将收纳部1载置于架子(未图示)上。另外，缓冲单元BU接收已处理完的基板W并将其收纳至收纳部1中，同时将收纳部1载置于架子上。在缓冲单元BU内配置了传送机构11。
传送机构11在投入部3及配给部7与架子之间传送收纳部1。另外，传送机构11对第一搬送机构CTC仅传送基板W。即，传送机构11对第一搬送机构CTC进行批次传送。
第一搬送机构CTC从传送机构11接收未处理的批次后，将批次的多块基板W的姿势从水平姿势转换为垂直姿势，并将批次送至第二搬送机构WTR。另外，第一搬送机构CTC从第二搬送机构WTR接收已处理完的批次后，将批次的多块基板W的姿势从垂直姿势转换为水平姿势，并将批次送至传送机构11。
第二搬送机构WTR可沿着基板处理装置1000的长度方向而从干燥处理部17移动至第三处理部23。因此，第二搬送机构WTR相对于干燥处理部17的各干燥槽单元LPD、第一处理部19的各槽单元ONB、槽单元CHB、第二处理部21的各槽单元ONB、槽单元CHB、及第三处理部23的各槽单元ONB、槽单元CHB搬入及搬出批次。
在干燥处理部17中，干燥槽单元LPD收纳批次，并对批次的多块基板W进行干燥处理。
邻接于干燥处理部17而配置了第一处理部19。在第一处理部19中，槽单元ONB及槽单元CHB分别包括槽(未图示)。并且，槽单元ONB、槽单元CHB进行如下处理：将基板W浸渍于贮存于槽中的药液中，利用药液对批次的多块基板W进行处理。或者，槽单元ONB、槽单元CHB进行如下处理：将基板W浸渍于贮存于槽中的冲洗液中，利用冲洗液对批次的多块基板W进行清洗处理。
药液例如为：稀氢氟酸(Diluted Hydrofluoric Acid，DHF)、氢氟酸(Hydrofluoric Acid，HF)、硝氟酸(氢氟酸与硝酸(HNO3)的混合液)、缓冲氢氟酸(BufferedHydrofluoric Acid，BHF)、氟化铵、氢氟酸与乙二醇的混合液(Hydrofluoric AcidEthylene Glycol，HFEG)、磷酸(H3PO4)、硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氨水、双氧水、有机酸(例如柠檬酸、草酸)、有机碱(例如氢氧化四甲基铵(Tetramethylammonium hydroxide，TMAH))、硫酸双氧水混合液(Surfuric/Peroxide Mi，SPM)、氨双氧水混合液(SC1)、盐酸双氧水混合液(SC2)、异丙醇(IPA)、表面活性剂、防腐剂、或疏水化剂。
在本说明书中，冲洗液为纯水(去离子水(DIW：Deionized Water))、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、及稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水的任一者。所谓纯水是去离子水。
另外，在第一处理部19中，搬送机构LF除了进行第一处理部19内的批次的搬送以外，还对第二搬送机构WTR进行批次的传送。另外，搬送机构LF将批次的各基板W浸渍于槽单元ONB、槽单元CHB的槽中，或者从槽单元ONB、槽单元CHB的槽中提起批次的各基板W。
与第一处理部19邻接的第二处理部21的槽单元ONB、槽单元CHB、及与第二处理部21邻接的第三处理部23的槽单元ONB、槽单元CHB具有与第一处理部19的槽单元ONB、槽单元CHB相同的结构。
控制装置100对传送机构11、第一搬送机构CTC、第二搬送机构WTR、及处理部15进行控制。控制装置100例如为计算机。具体而言，控制装置100包括处理器与存储装置。处理器例如包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)。存储装置存储数据及计算机程序。存储装置例如包括半导体存储器之类的主存储装置以及半导体存储器、固态硬盘、和/或硬盘驱动器之类的辅助存储装置。存储装置可包括可移动介质。存储装置相当于非暂态计算机可读取存储媒体的一例。
控制装置100的处理器通过执行存储于存储装置中的计算机程序来控制传送机构11、第一搬送机构CTC、第二搬送机构WTR、及处理部15。
继而，参照图2对干燥槽单元LPD进行说明。在实施方式1中，干燥槽单元LPD基于使用水溶性的有机溶剂的蒸汽的减压提起式干燥法进行干燥处理。图2是表示干燥槽单元LPD的内部的侧面图。
如图2所示，干燥槽单元LPD包括腔室51、槽53、基板移动部55、惰性气体供给部200、流体供给部300、冲洗液供给部400、排液部450、及减压部600。干燥槽单元LPD可还包括疏水化剂供给部700。
基板移动部55包括升降机构55A、及基板保持部55B。惰性气体供给部200包括至少一个喷嘴57(例如多个喷嘴57)、配管69、及阀81。流体供给部300包括至少一个喷嘴59(例如多个喷嘴59)、配管41、阀83及阀84、至少一个喷嘴61(例如多个喷嘴61)、配管43、以及阀85及阀86。流体供给部300可包括至少一个喷嘴65(例如多个喷嘴65)、配管47、及阀89。冲洗液供给部400包括至少一个喷嘴67(例如多个喷嘴67)、配管49、及阀91。排液部450包括配管50、及阀92。疏水化剂供给部700包括至少一个喷嘴63(例如多个喷嘴63)、配管45、及阀87。
腔室51收容槽53、基板保持部55B、以及喷嘴57、喷嘴59、喷嘴61、喷嘴63、喷嘴65、喷嘴67。腔室51例如具有大致箱形状。腔室51包括盖51a。盖51a配置于腔室51的上部开口。盖51a可开关。
槽53为贮存冲洗液的容器。在实施方式1中，冲洗液为DIW。槽53例如通过将基板W浸渍于冲洗液中来清洗基板W。
在冲洗液供给部400中，多个喷嘴67配置于槽53的内部。多个喷嘴67连接于配管49。在配管49上配置阀91。配管49经由阀91与冲洗液供给源103连接。因此，当控制装置100将阀91打开时，冲洗液从冲洗液供给源103经由配管49而被供给至多个喷嘴67。其结果，多个喷嘴67将冲洗液供给至槽53。
排液部450将冲洗液从槽53排出。具体而言，排液部450的配管50连接于槽53的底部。在配管50上配置阀92。当控制装置100将阀92打开时，槽53内的冲洗液通过配管50而排出。
基板移动部55使基板W下降，而将基板W浸于槽53内的冲洗液中。或者，基板移动部55使基板W上升，而将基板W从槽53内的冲洗液中提起。
具体而言，在基板移动部55中，基板保持部55B保持多块基板W。基板保持部55B包括本体部550、及多根保持棒552。本体部550例如具有大致平板形状，沿着竖直方向延伸。多根保持棒552以立起姿势保持多块基板W。具体而言，多根保持棒552沿着大致垂直于本体部550的方向(以下记载为“X轴方向”)延伸。因此，多根保持棒552以立起姿势保持沿着X轴方向等间隔排列的多块基板W。
另外，升降机构55A受到控制装置100的控制，而使基板保持部55B上升或下降。具体而言，升降机构55A通过使基板保持部55B上升或下降，而使基板保持部55B所保持的多块基板W在浸渍于槽53内的冲洗液中的位置与从槽53内的冲洗液中提起的位置之间移动。升降机构55A例如包括滚珠螺杆机构及马达、或气缸。
在惰性气体供给部200中，多个喷嘴57配置于腔室51的内部且槽53的外部。多个喷嘴57连接于配管69。在配管69上配置阀81。配管69经由阀81与惰性气体供给源93连接。因此，当控制装置100将阀81打开时，惰性气体从惰性气体供给源93经由配管69而被供给至多个喷嘴57。其结果，多个喷嘴57将惰性气体供给至腔室51内。在本说明书中，惰性气体为氮气或氩气。在实施方式1中，惰性气体为氮气。
在流体供给部300中，多个喷嘴59配置于腔室51的内部且槽53的外部。多个喷嘴59连接于配管41。在配管41上配置阀83、阀84。配管41经由阀83与有机溶剂供给源95连接。另外，配管41经由阀84与惰性气体供给源94连接。
因此，当控制装置100将阀83打开而将阀84关闭时，有机溶剂的蒸汽从有机溶剂供给源95经由配管41而被供给至多个喷嘴59。其结果，多个喷嘴59将有机溶剂的蒸汽供给至腔室51内。在本说明书中，有机溶剂为水溶性，表面张力小于冲洗液。例如，有机溶剂为低碳的一元醇、乙二醇、或低级酮。低碳的一元醇例如为甲醇、乙醇、或IPA(异丙醇)。在实施方式1中，有机溶剂为IPA。
另一方面，当控制装置100将阀83关闭而将阀84打开时，惰性气体从惰性气体供给源94经由配管41而被供给至多个喷嘴59。其结果，多个喷嘴59将惰性气体供给至腔室51内。
在流体供给部300中，多个喷嘴61配置于腔室51的内部且槽53的外部。多个喷嘴61连接于配管43。在配管43上配置阀85、阀86。配管43经由阀85与有机溶剂供给源97连接。另外，配管43经由阀86与惰性气体供给源96连接。
因此，当控制装置100将阀85打开而将阀86关闭时，有机溶剂的蒸汽从有机溶剂供给源97经由配管43而被供给至多个喷嘴61。其结果，多个喷嘴61将有机溶剂的蒸汽供给至腔室51内。另一方面，当控制装置100将阀85关闭而将阀86打开时，惰性气体从惰性气体供给源96经由配管43而被供给至多个喷嘴61。其结果，多个喷嘴61将惰性气体供给至腔室51内。
在流体供给部300中，多个喷嘴65配置于腔室51的内部且槽53的外部。在图2的例子中，多个喷嘴65分别为喷头。即，多个喷嘴65分别为沿着X轴方向延伸的中空的管状构件。并且，多个喷嘴65分别包括沿着X轴方向等间隔配置的多个供给孔(未图示)。多个喷嘴65例如分别沿着槽53的上端缘而配置于槽53的上端缘的附近。
多个喷嘴65连接于配管47。在配管47上配置阀89。配管47经由阀89与有机溶剂供给源101连接。因此，当控制装置100将阀89打开时，有机溶剂的液体从有机溶剂供给源101经由配管47而被供给至多个喷嘴65。其结果，多个喷嘴65向槽53的开口部53a供给有机溶剂的液体。在实施方式1中，多个喷嘴65将有机溶剂的液体供给至槽53内的冲洗液。具体而言，多个喷嘴65将有机溶剂的液体供给至槽53内的冲洗液的液面。
减压部600经由配管602与腔室51连接。在封锁盖51a而将腔室51的内部设为密闭空间的状态下，减压部600受到控制装置100的控制，将腔室51内的气体排出，由此将腔室51内减压至低于大气压。减压部600例如包括排气泵。
在疏水化剂供给部700中，多个喷嘴63配置于腔室51的内部且槽53的外部。在图2的例子中，多个喷嘴63分别为沿着X轴方向延伸的中空的管状构件。并且，多个喷嘴63分别包括沿着X轴方向等间隔配置的多个供给孔(未图示)。多个喷嘴63连接于配管45。在配管45上配置阀87。配管45经由阀87与疏水化剂供给源99连接。因此，当控制装置100将阀87打开时，疏水化剂的蒸汽从疏水化剂供给源99经由配管45而被供给至多个喷嘴63。其结果，多个喷嘴63向槽53的开口部53a供给疏水化剂的蒸汽。
疏水化剂例如为液体。疏水化剂为硅系疏水化剂、或金属系疏水化剂。硅系疏水化剂使硅自身、及包含硅的化合物进行疏水化。硅系疏水化剂例如为硅烷偶联剂。硅烷偶联剂例如包含六甲基二硅氮烷(Hexamethyldisilazane，HMDS)、四甲基硅烷(Tetramethylsilane，TMS)、氟化烷基氯硅烷、烷基二硅氮烷、及非氯系疏水化剂的至少一者。非氯系疏水化剂例如包含二甲基硅烷基二甲胺、二甲基硅烷基二乙胺、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、双(二甲基氨基)二甲基硅烷、N,N-二甲基氨基三甲基硅烷、N-(三甲基硅烷基)二甲基胺及有机硅烷化合物的至少一者。金属系疏水化剂使金属自身、及包含金属的化合物进行疏水化。金属系疏水化剂例如包含具有疏水基的胺、及有机硅化合物的至少一者。
此外，惰性气体供给源93、惰性气体供给源94、惰性气体供给源96的全部或一部分可共用，也可以分别设置。另外，有机溶剂供给源95、有机溶剂供给源97可共用，也可以分别设置。另外，流体供给部300可包括如下流体供给单元中的任一流体供给单元：包括多个喷嘴59、配管41、阀83及阀84的流体供给单元；以及包括多个喷嘴61、配管43、阀85及阀86的流体供给单元。另外，流体供给部300可包括三个以上的流体供给单元。进而，流体供给部300可切换惰性气体的供给与有机溶剂的蒸汽的供给，也可以仅执行有机溶剂的蒸汽的供给。
继而，参照图3对基板W的一例进行说明。图3是表示作为基板处理装置1000的处理对象的基板W的一部分的截面图。在图3中，将基板W的表面的一部分放大表示。
如图1所示，在基板W的表面形成了图案502。具体而言，基板W包括基板本体500与图案502。图案502例如为微细图案。图案502包括多个结构物504。结构物504例如为微细结构物。
在图1的例子中，多个结构物504沿着一定方向D隔开间隔排列。因此，在沿着一定方向D互相相邻的结构物504与结构物504之间形成了空间SP。
在实施方式1中，在利用冲洗液清洗基板W后，将残留于结构物504间的空间SP中的冲洗液置换为表面张力小于冲洗液的有机溶剂，由此来抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。在所述情形时，通过将存在于结构物504间的空间SP的冲洗液有效地置换为有机溶剂，从而有效地抑制结构物504的坍塌。
本申请的发明者尤其着眼于将冲洗液置换为有机溶剂时的物理现象。并且，本申请的发明者进行了基础实验，关于将冲洗液置换为有机溶剂时的物理现象，获得了新颖的见解。
具体而言，作为基础实验，进行了第一实验、第二实验、及第三实验。在第一实验～第三实验中，使用DIW作为冲洗液。DIW是透明的。作为水溶性的有机溶剂，使用IPA。IPA被油性墨着色为红色。
在第一实验中，首先，将100毫升的DIW装入烧杯中。所述情形时的DIW为100％DIW。即，IPA浓度为0％。其次，在烧杯内的DIW中注入IPA。所述情形时的IPA为100％IPA。即，IPA浓度约为100％。浓度约100％的IPA为高浓度IPA的一例。在第一实验中，可确认高浓度IPA难以混合于DIW中。
其结果，本申请的发明者推测，在DIW残留于基板W的结构物504间的空间SP，而高浓度IPA渗入空间SP的情形时，存在难以将DIW置换为高浓度IPA的可能性。
在第二实验中，首先，将50毫升的DIW与50毫升的IPA加以搅拌，制成IPA浓度大致为50％的稀释IPA。然后，将100毫升的稀释IPA装入烧杯中。接着，在烧杯内的稀释IPA中注入IPA。所述情形时的IPA为100％IPA。即，IPA浓度为约100％。在第二实验中，与第一实验相比，高浓度IPA迅速地混合于稀释IPA中。
其结果，本申请的发明者推测，若在基板W的结构物504间的空间SP中存在稀释IPA，则即使在使高浓度IPA渗入了空间SP中的情形时，高浓度IPA也会迅速地混合于稀释IPA中。
第二实验的结果，本申请的发明者获得以下见解。即，在冲洗液残留于基板W的结构物504间的空间SP中的情形时，首先，将结构物504间的空间SP的冲洗液置换为稀释有机溶剂。其次，使高浓度有机溶剂渗入形成了稀释有机溶剂的空间SP中，由此将高浓度有机溶剂混合于稀释有机溶剂中，而在结构物504间的空间SP形成高浓度有机溶剂。以上的结果为能够将残留于结构物504间的空间SP的冲洗液迅速置换为高浓度有机溶剂。因此，能够有效地抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。
在第三实验中，首先，将100毫升的DIW装入烧杯中。这一点与第一实验相同。其次，将50毫升的DIW与50毫升的IPA加以搅拌，制成IPA浓度大致为50％的稀释IPA。接着，在烧杯内的DIW中注入100毫升的稀释IPA。在第三实验中，与第一实验相比，稀释IPA迅速地混合于DIW中。
其结果，本申请的发明者推测，在DIW残留于基板W的结构物504间的空间SP的情形时，通过使稀释IPA渗入空间SP中，可将DIW迅速地混合于稀释IPA中。
第三实验的结果，本申请的发明者获得以下见解。即，在冲洗液残留于基板W的结构物504间的空间SP中的情形时，首先，使稀释有机溶剂渗入结构物504间的空间SP中，由此将冲洗液与稀释有机溶剂加以混合，将冲洗液置换为稀释有机溶剂。其次，使高浓度有机溶剂渗入稀释有机溶剂所存在的空间SP，由此将高浓度有机溶剂混合于稀释有机溶剂中，而在结构物504间的空间SP形成高浓度有机溶剂。以上的结果为，可将残留于结构物504间的空间SP的冲洗液迅速地置换为高浓度有机溶剂。因此，能够有效地抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。
继而，参照图4、图5、及图6中的(a)～图6中的(d)，对由基板处理装置1000执行的基板处理方法进行说明。图4及图5为表示实施方式1的基板处理方法的程序图。在图4及图5中，为了使附图容易观察，而将下文所述的膜73的厚度夸大表示。图6中的(a)～图6中的(d)是表示将残留于基板W的结构物504间的冲洗液置换为有机溶剂的原理的图。在图6中的(a)～图6中的(d)中，将图3的区域A中的结构物504放大表示。
如图4及图5所示，基板处理方法包括步骤S1～步骤S7。基板移动部55、惰性气体供给部200、及流体供给部300受到控制装置100的控制而执行步骤S1～步骤S7。
首先，在步骤S1中，惰性气体供给部200(具体而言为喷嘴57)在将基板W浸渍于槽53的冲洗液71中的状态下，向腔室51内供给惰性气体。
继而，在步骤S2中，在继续供给惰性气体的状态下，减压部600对腔室51内进行减压。其结果，将腔室51内的环境置换为惰性气体。基板W继续浸渍于冲洗液71中。
继而，在步骤S3中，惰性气体供给部200(具体而言为喷嘴57)停止向腔室51内供给惰性气体。然后，在继续减压的状态下，流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)向腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。其结果，在腔室51内形成有机溶剂的蒸汽的环境。另外，在步骤S3中，利用有机溶剂的蒸汽在冲洗液71的液面形成有机溶剂的膜73。膜73的功能于下文进行说明。基板W继续浸渍于冲洗液71中。
继而，在步骤S4中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使基板保持部55B上升，由此使基板W上升，而从贮存于槽53中的冲洗液71中提起基板W。其结果，基板W在腔室51内位于槽53的上方。
于在步骤S4中刚从冲洗液71中提起基板W后，如图6中的(a)所示，作为一例，而在基板W的结构物504间的空间SP内残留有冲洗液71。
然后，在步骤S4中，由于在腔室51内形成了有机溶剂的蒸汽的环境，故而有机溶剂附着(凝结)于基板W的表面。因此，如图6中的(b)所示，作为一例，有机溶剂72渗入基板W的结构物504间的空间SP内，以覆盖冲洗液71。在图6中的(b)的例子中，冲洗液71与有机溶剂72几乎未混合。
继而，如图5所示，在步骤S5中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使有机溶剂附着于基板W，并且将基板W浸于贮存于腔室51内的槽53中的冲洗液71中后提起。其结果，在基板W的结构物504间的空间SP内，图6中的(b)所示的冲洗液71与有机溶剂72混合在一起。
即，在步骤S5中，如图6中的(c)所示，作为一例，在基板W的结构物504间的空间SP内，将冲洗液71与有机溶剂72混合，而形成稀释有机溶剂75。即，步骤S5是在基板W的结构物504间的空间SP形成稀释有机溶剂75的步骤。
具体而言，步骤S5包括步骤S51与步骤S52。
在步骤S51中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使基板保持部55B下降，由此使基板W下降，而将附着有有机溶剂的基板W浸于槽53内的冲洗液71中。
继而，在步骤S52中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使基板保持部55B上升，由此使基板W上升，而从冲洗液71中提起基板W。
继而，在步骤S6中，在继续进行减压的状态下，流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)在步骤S52之后，继续向利用步骤S52所提起的基板W所存在的腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。因此，有机溶剂附着(凝结)于基板W的表面。
在步骤S6中，如图6中的(d)所示，作为一例，在基板W的结构物504间的空间SP内，将附着(凝结)于基板W的表面的有机溶剂混合于稀释有机溶剂75中，而形成高浓度有机溶剂77。
继而，在步骤S7中，在继续进行减压的状态下，惰性气体供给部200(具体而言为喷嘴57)及流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)将惰性气体供给至腔室51内。其结果，基板W的结构物504间的高浓度有机溶剂77气化，而将基板W干燥。然后，利用基板处理方法的干燥处理结束。
以上，如参照图5所说明那样，根据实施方式1，在步骤S4中将浸渍于冲洗液71中的基板W从冲洗液71中提起后，在步骤S5中，基板移动部55执行以下动作：使有机溶剂附着于基板W，并且使基板W浸于贮存于腔室51内的槽53中的冲洗液71中的动作；及从冲洗液71中提起基板W的动作。具体而言，在步骤S4中将浸渍于冲洗液71中的基板W从冲洗液71中提起后，在步骤S51中，基板移动部55使有机溶剂附着于基板W，并且使基板W浸于贮存于腔室51内的槽53中的冲洗液71中。然后，在步骤S52中，从冲洗液71中提起基板W。
因此，如图6中的(b)及图6中的(c)所示，在基板W的结构物504间的空间SP中，冲洗液71与有机溶剂72混合在一起，而在空间SP形成稀释有机溶剂75。然后，在步骤S6中，流体供给部300向腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。因此，附着(凝结)于基板W的表面的有机溶剂迅速地混合于稀释有机溶剂75中(参照第二实验)。其结果，如图6中的(d)所示，在基板W的结构物504间的空间SP形成高浓度有机溶剂77。
即，根据实施方式1，通过执行步骤S51、步骤S52、及步骤S6，可将存在于形成于基板W表面的结构物504与结构物504之间的空间SP的冲洗液71有效地置换为高浓度有机溶剂77。其结果，能够有效地抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。
特别是在实施方式1中，在步骤S4中将浸渍于冲洗液71中的基板W从冲洗液71中提起后，在步骤S51中，基板移动部55使基板W穿过膜73，并且浸于在液面具有有机溶剂的膜73的冲洗液71中。然后，在步骤S52中，基板移动部55使基板W穿过有机溶剂的膜73，并且从冲洗液71中提起基板W。即，在将浸渍于冲洗液71中的基板W从冲洗液71中提起后，基板移动部55执行以下动作：使基板W浸于在液面具有有机溶剂的膜73的冲洗液71中的动作；及使基板W穿过有机溶剂的膜73，并且从冲洗液71中提起基板W的动作。
具体而言，在步骤S51之前的步骤S3、步骤S4中，即，在基板移动部55执行将基板W浸于冲洗液71中的动作之前，流体供给部300通过有机溶剂的蒸汽而在槽53内的冲洗液71的液面形成有机溶剂的膜73。因此，在步骤S51中，在将基板W浸于冲洗液71中时，基板W一边搅拌有机溶剂的膜73一边穿过膜73。然后，经搅拌的有机溶剂在冲洗液71中扩散，因此有机溶剂的分布从初始的膜73的位置起向下方扩展。有机溶剂的分布扩展到何种程度例如根据形成膜73的有机溶剂的量(膜73的厚度)、及基板W的下降速度而定。
然后，在槽53内的冲洗液71中，来自膜73的有机溶剂的存在进一步促进基板W的结构物504间的空间SP内冲洗液71与有机溶剂72(在步骤S4中附着于基板W的有机溶剂及来自膜73的有机溶剂)的混合，而可更有效地形成稀释有机溶剂75(图6中的(c))。其结果，在步骤S6中，来自流体供给部300的有机溶剂进一步有效地混合于存在于基板W的结构物504间的空间SP的稀释有机溶剂75，从而形成高浓度有机溶剂77(图6中的(d))(参照第二实验)。其结果，可更有效地抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。
此外，在步骤S4及步骤S52中，在从冲洗液71提起基板W时，基板W穿过有机溶剂的膜73。因此，有机溶剂附着于基板W的表面。所述情形时的有机溶剂也有助于基板W的结构物504间的空间SP中的冲洗液71向有机溶剂的置换。
另外，在实施方式1中，在步骤S51之前，即，在基板移动部55执行将基板W浸于冲洗液71中的动作之前，流体供给部300向腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。因此，如图6中的(b)所示，有机溶剂72渗入基板W的结构物504间的空间SP中。其结果，用来通过步骤S51及步骤S52将冲洗液71与有机溶剂72混合的准备结束。
进而，在实施方式1中，优选为基板移动部55在步骤S51中将基板W浸于冲洗液71时的基板W的下降速度大于步骤S52中从冲洗液71中提起基板W时的基板W的上升速度。根据所述优选的例子，如图6中的(b)及图6中的(c)所示，在基板W的结构物504间的空间SP内，冲洗液71与有机溶剂72有效地混合在一起，从而更迅速地形成稀释有机溶剂75。
进而，在实施方式1中，优选为基板移动部55执行多次步骤S5。具体而言，优选为将步骤S51与步骤S52交替执行多次。即，优选为基板移动部55交替执行多次将基板W浸于冲洗液71中的动作与从冲洗液71中提起基板W的动作。根据所述优选的例子，可进一步促进基板W的结构物504间的空间SP内冲洗液71与有机溶剂72的混合，从而可更有效地形成稀释有机溶剂75。
在所述情形时，优选为基板移动部55使多次执行的步骤S52中最后执行的步骤S52中的基板W的上升速度小于其他步骤S52中的基板W的上升速度。具体而言，优选为在多次执行的步骤S52中最后执行的步骤S52中，基板移动部55使从冲洗液71中提起基板W时的基板W的上升速度为最小。即，优选为基板移动部55在执行多次将基板W浸于冲洗液71中的动作的情形时，使最后执行的动作中从冲洗液71中提起基板W时的基板W的上升速度最小。根据所述优选的例子，在提起基板W时，可减少附着于基板W的冲洗液71的量。其结果，在步骤S6中，在基板W的结构物504间的空间SP内，可更有效地执行有机溶剂的置换。此外，在多次步骤S51中最后执行的步骤S51中，基板移动部55可使将基板W浸于冲洗液71时的基板W的下降速度也为最小。
另外，在多次执行的步骤S5中最后的步骤S5以外的步骤S5中，通过使基板W的下降速度和/或上升速度大于最后的步骤S5，可提高基板W的处理的处理量。
以上，如参照图4～图6所说明那样，在实施方式1中，通过形成于槽53内的冲洗液71的液面的有机溶剂的膜73(步骤S3)、步骤S51、步骤S52、及由流体供给部300形成的腔室51内的有机溶剂的蒸汽的环境(步骤S6)，可抑制基板W的结构物504间的空间SP中冲洗液71向有机溶剂的置换不足，并且在多个结构物504中的多个空间SP中可抑制有机溶剂的凝结不均。
若可抑制基板W的结构物504间的空间SP中从冲洗液71向有机溶剂的置换不足，则可以减小作用于结构物504的表面张力。其结果，能够有效地抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。另外，若在多个结构物504中的多个空间SP中可抑制有机溶剂的凝结不均，则可抑制多个结构物504间干燥速度的差和/或表面张力的差增大的情况。其结果，能够有效地抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。
此处，步骤S3、步骤S4中的有机溶剂相当于“第一有机溶剂”的一例。另外，步骤S51、步骤S52、步骤S6中的有机溶剂相当于“第二有机溶剂”的一例。在实施方式1中，流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61向腔室51内供给有机溶剂的蒸汽，因此“第一有机溶剂”与“第二有机溶剂”相同。“第一有机溶剂”与“第二有机溶剂”例如为IPA。
另外，可不在基板W的多个结构物504中的全部多个空间SP中发生图6中的(a)～图6中的(d)所示的现象，只要多个结构物504中的至少一部分空间SP中发生图6中的(a)～图6中的(d)所示的现象即可。在所述情形时，与基板处理方法不包括步骤S6的情形时相比，也可以抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。
此外，例如可利用加热器(未图示)将槽53内的冲洗液71加热到有机溶剂的沸点以下。另外，例如在槽单元ONB、槽单元CHB中利用冲洗液清洗基板W后，即，在槽单元ONB、槽单元CHB中提起浸渍于冲洗液中的基板W后，可在干燥槽单元LPD中执行步骤S5～步骤S7。
继而，参照图1、图2、图7、及图8对实施方式1的基板处理方法的另一例进行说明。图7及图8是表示利用基板处理装置1000执行的基板处理方法的另一例的流程图。如图7及图8所示，基板处理方法包括步骤S11～步骤S26。图1及图2所示的第二搬送机构WTR、搬送机构LF、槽单元CHB、槽单元ONB、基板移动部55、惰性气体供给部200、减压部600、流体供给部300、及疏水化剂供给部700受到控制装置100的控制而执行步骤S11～步骤S26。
如图7所示，首先，在步骤S11中，第二搬送机构WTR例如将基板W搬入第一处理部19的槽单元CHB中。然后，槽单元CHB将基板W浸渍于槽内的药液中，而对基板W进行处理。
继而，在步骤S12中，搬送机构LF例如将基板W从槽单元CHB搬出，并将基板W搬入第一处理部19的槽单元ONB中。然后，槽单元ONB将基板W浸渍于槽内的冲洗液中，而对基板W进行清洗。
继而，在步骤S13中，第二搬送机构WTR将基板W从槽单元ONB搬出，并将基板W搬入干燥槽单元LPD中。然后，基板移动部55将基板W浸于槽53内的冲洗液中。接着，在将基板W浸于槽53内的冲洗液中后，惰性气体供给部200的喷嘴57开始向腔室51内供给惰性气体。例如，步骤S13相当于图4的步骤S1。
继而，在步骤S14中，在继续供给惰性气体的状态下，减压部600对腔室51内进行减压。其结果，将腔室51内的环境置换为惰性气体。例如，步骤S14相当于图4的步骤S2。
继而，在步骤S15中，惰性气体供给部200的喷嘴57停止向腔室51内供给惰性气体。然后，在继续减压的状态下，流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61开始向腔室51内供给有机溶剂。其结果，在腔室51内形成有机溶剂的蒸汽的环境。另外，通过有机溶剂的蒸汽附着于槽53内的冲洗液的液面，而在槽53内的冲洗液的液面形成有机溶剂的膜(例如，图4、图5的膜73)。例如，步骤S15相当于图4的步骤S3。
继而，在步骤S16中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使基板W上升，而从贮存于槽53中的冲洗液中提起基板W。其结果，基板W在腔室51内位于槽53的上方。然后，有机溶剂附着(凝结)于基板W的表面。例如，步骤S16相当于图4的步骤S4。
继而，在步骤S17中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使有机溶剂附着于基板W，并且将基板W浸于贮存于腔室51内的槽53中的冲洗液中后将其提起。其结果，在基板W的结构物504间的空间SP内，冲洗液与有机溶剂混合在一起，形成稀释有机溶剂(例如，图6中的(c)的稀释有机溶剂75)。例如，步骤S17相当于图5的步骤S5。
具体而言，步骤S17包括步骤S171与步骤S172。
在步骤S171中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使基板W下降，而将附着有有机溶剂的基板W浸于槽53内的冲洗液中。在所述情形时，附着有有机溶剂的基板W穿过在槽53内的冲洗液的液面形成的有机溶剂的膜。例如，步骤S171相当于图5的步骤S51。
继而，在步骤S172中，在继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给的状态下，基板移动部55使基板W上升，而从冲洗液中提起基板W。在所述情形时，基板W穿过在槽53内的冲洗液的液面形成的有机溶剂的膜。例如，步骤S172相当于图5的步骤S52。
继而，在步骤S18中，控制装置100判定是否已将步骤S17执行特定次数。特定次数可为1，优选为2以上。
在步骤S18中为否定判定(No)的情形时，再次执行步骤S17。即，重复进行步骤S17，直至步骤S18中为肯定判定(Yes)为止。否定判定表示判定为未将步骤S17执行特定次数。肯定判定表示判定为已将步骤S17执行特定次数。
另一方面，在步骤S18中为肯定判定(Yes)的情形时，处理进入步骤S19。
继而，在步骤S19中，在继续进行减压的状态下，流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61在步骤S172之后，继续向利用步骤S172所提起的基板W所存在的腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。因此，有机溶剂附着(凝结)于基板W的表面。其结果，存在于基板W的结构物504间的空间SP的稀释有机溶剂(例如，图6中的(c)的稀释有机溶剂75)与附着(凝结)于基板W的表面的有机溶剂迅速地混合。其结果，可在基板W的结构物504间的空间SP形成高浓度有机溶剂(例如，图6中的(d)的高浓度有机溶剂77)。例如，步骤S19相当于图5的步骤S6。
继而，如图8所示，在步骤S20中，在继续进行减压及有机溶剂的供给的状态下，排液部450将槽53内的冲洗液排出。下一步骤S21所使用的疏水化剂会与冲洗液进行反应而失活，因此在步骤S20中预先从槽53中排出。
继而，在步骤S21中，继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给，并且疏水化剂供给部700的喷嘴63开始向腔室51内供给疏水化剂的蒸汽。在步骤S21中，通过继续进行减压，而使以蒸汽状态供给疏水化剂变得容易。
继而，在步骤S22中，在继续进行减压及疏水化剂的供给的状态下，流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61停止有机溶剂的蒸汽的供给。其结果，将存在于基板W表面的有机溶剂置换为疏水化剂。在实施方式1中，通过供给疏水化剂的蒸汽，可减小疏水化剂的使用量，并且将存在于基板W表面的有机溶剂置换为疏水化剂。由于疏水化剂在基板W的表面结雾，故而优选为沸点为室温以上。
继而，在步骤S23中，在继续进行减压及疏水化剂的供给的状态下，流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61开始供给有机溶剂的蒸汽。
继而，在步骤S24中，继续进行减压及有机溶剂的蒸汽的供给，并且疏水化剂供给部700的喷嘴63停止疏水化剂的供给。在步骤S24中，将腔室51内的环境从疏水化剂置换为有机溶剂的蒸汽。其结果，将存在于基板W表面的疏水化剂置换为有机溶剂。
继而，在步骤S25中，继续进行减压，并且流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61停止有机溶剂的蒸汽的供给。除此以外，继续进行减压，并且惰性气体供给部200的喷嘴57及流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61开始惰性气体的供给。因此，将腔室51内的环境从有机溶剂的蒸汽置换为惰性气体。其结果，将基板W干燥。
继而，在步骤S26中，减压部600在基板W干燥后停止减压。在步骤S26中，继续供给惰性气体，使腔室51的内压上升至大气压。然后，基板处理方法结束。
以上，如参照图7及图8所说明那样，根据实施方式1，通过在步骤S21、步骤S22中供给疏水化剂的蒸汽，可减小疏水化剂的使用量，并且将基板W的表面的有机溶剂置换为疏水化剂。另外，若使附着了水分(冲洗液)的基板W直接与疏水化剂接触，则存在改质性能降低或产生异物的可能性。对此，在实施方式1中，在开始步骤S22的疏水化处理之前，在步骤S19中执行冲洗液向有机溶剂的置换，而将冲洗液从基板W的表面去除。这样，步骤S22的疏水化处理是针对去除了冲洗液的基板W执行，因此在疏水化处理时，疏水化剂与冲洗液不会接触，而可抑制疏水化剂的失活与异物的产生。另外，在步骤S21中通过继续进行减压与有机溶剂的供给，从而避免了基板W的表面干燥而形成于表面的结构物504坍塌的情况。进而，于在疏水化剂残存于基板W表面的状态下进行干燥的情形时，存在异物残留于基板W表面的可能性，因此在步骤S24中将基板W的表面再次置换为有机溶剂。在所述情形时，基板W的表面具有疏水性，推测基板W表面的结构物504间的有机溶剂所产生的表面张力被进一步降低，最终即使加以干燥也能够抑制基板W的结构物504的坍塌。
此处，步骤S15、步骤S16中的有机溶剂相当于“第一有机溶剂”的一例。另外，步骤S17～步骤S19中的有机溶剂相当于“第二有机溶剂”的一例。在实施方式1中，流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61向腔室51内供给有机溶剂的蒸汽，因此“第一有机溶剂”与“第二有机溶剂”相同。
此外，例如可利用与干燥槽单元LPD的槽53不同的槽(例如，槽单元CHB的槽或槽单元ONB的槽)来执行疏水化处理(步骤S21、步骤S22)。另外，例如也可以利用加热器(未图示)将槽53内的冲洗液加热到有机溶剂的沸点以下。
另外，在将步骤S11及步骤S12视为一组的情形时，可将基板处理方法执行多组。例如，第二处理部21的槽单元CHB将基板W浸渍于槽内的第一药液中，而对基板W进行处理。第一药液例如为磷酸水溶液。其次，例如第二处理部21的槽单元ONB将基板W浸渍于槽内的冲洗液中，对基板W进行清洗。接着，例如第一处理部19的槽单元CHB将基板W浸渍于槽内的第二药液中，对基板W进行处理。第二药液例如为SC1。继而，例如第一处理部19的槽单元ONB将基板W浸渍于槽内的冲洗液中，对基板W进行清洗。
(实施方式2)
参照图1、图2、图3、图6、图9、及图10对本发明的实施方式2的基板处理装置1000及基板处理方法进行说明。实施方式2的基板处理装置1000及基板处理方法是向槽53内的冲洗液中直接供给有机溶剂而形成膜73，实施方式2主要在这一点上不同于实施方式1。实施方式2的基板处理装置1000的结构与参照图1及图2所说明的基板处理装置1000的结构相同。因此，在实施方式2的说明中适当参照图1及图2。另外，作为处理对象的一例，列举图3所示的基板W。以下，主要对实施方式2不同于实施方式1的方面进行说明。
图9及图10是表示实施方式2的基板处理方法的程序图。基板处理方法由基板处理装置1000执行。在图9及图10中，为了使附图容易观察，而将膜73的厚度夸大表示。
如图9及图10所示，基板处理方法包括步骤S1A～步骤S7A。基板移动部55、惰性气体供给部200、及流体供给部300受到控制装置100的控制而执行步骤S1A～步骤S7A。
首先，在步骤S1A中，惰性气体供给部200(具体而言为喷嘴57)在将基板W浸渍于槽53的冲洗液71中的状态下，向腔室51内供给惰性气体。
继而，在步骤S2A中，在继续供给惰性气体的状态下，减压部600对腔室51内进行减压。其结果，将腔室51内的环境置换为惰性气体。基板W继续浸渍于冲洗液71中。
继而，在步骤S3A中，惰性气体供给部200(具体而言为喷嘴57)停止向腔室51内供给惰性气体。然后，在继续减压的状态下，流体供给部300(具体而言为喷嘴65)对贮存于槽53中的冲洗液71直接供给有机溶剂，由此在冲洗液71的液面形成有机溶剂的膜73。在实施方式1中，流体供给部300(具体而言为喷嘴65)对贮存于槽53中的冲洗液71直接供给有机溶剂的液体，由此在冲洗液71的液面形成有机溶剂的膜73。基板W继续浸渍于冲洗液71中。
继而，在步骤S4A中，流体供给部300(具体而言为喷嘴65)停止有机溶剂的供给。然后，在继续减压的状态下，基板移动部55使基板保持部55B上升，由此使基板W上升，而从贮存于槽53中的冲洗液71中提起基板W。其结果，基板W在腔室51内位于槽53的上方。在所述情形时，与图6中的(a)所示的情形同样，冲洗液71残留于基板W的结构物504间的空间SP。另外，基板W在上升时穿过膜73，因此有机溶剂附着于基板W的表面。
继而，如图10所示，在步骤S5A中，在继续进行减压的状态下，基板移动部55使有机溶剂附着于基板W，并且将基板W浸于贮存于腔室51内的槽53中的冲洗液71中后提起。其结果，在基板W的结构物504间的空间SP内，冲洗液71与有机溶剂混合在一起。在所述情形时，与图6中的(b)及图6中的(c)所示的情形同样，在基板W的结构物504间的空间SP内，将冲洗液71与有机溶剂72混合，而形成稀释有机溶剂75。即，步骤S5A是在基板W的结构物504间的空间SP形成稀释有机溶剂75的步骤。
具体而言，步骤S5A包括步骤S51A与步骤S52A。
在步骤S51A中，在继续进行减压的状态下，基板移动部55使基板保持部55B下降，由此使基板W下降，而将基板W浸于形成了膜73的冲洗液71中。
继而，在步骤S52A中，在继续进行减压的状态下，流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)向腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。其结果，在腔室51内形成有机溶剂的蒸汽的环境。然后，在继续减压的状态下，基板移动部55使基板保持部55B上升，由此使基板W上升，而从形成了膜73的冲洗液71中提起基板W。
继而，在步骤S6A中，在继续进行减压的状态下，流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)在步骤S52A之后，继续向利用步骤S52A所提起的基板W所存在的腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。因此，有机溶剂附着(凝结)于基板W的表面。在所述情形时，与图6中的(c)及图6中的(d)所示的情形同样，在基板W的结构物504间的空间SP内，将附着(凝结)于基板W的表面的有机溶剂混合于稀释有机溶剂75中，而形成高浓度有机溶剂77。
继而，在步骤S7A中，在继续进行减压的状态下，惰性气体供给部200(具体而言为喷嘴57)及流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)将惰性气体供给至腔室51内。其结果，基板W的结构物504间的高浓度有机溶剂77气化，而将基板W干燥。然后，利用基板处理方法的干燥处理结束。
以上，如参照图9及图10所说明那样，在实施方式2中，在步骤S4A中将浸渍于冲洗液71中的基板W从冲洗液71中提起后，在步骤S51A中，基板移动部55使基板W穿过膜73，并且浸于在液面具有有机溶剂的膜73的冲洗液71中。然后，在步骤S52A中，基板移动部55使基板W穿过有机溶剂的膜73，并且从冲洗液71中提起基板W。
具体而言，在步骤S51A之前的步骤S3A中，在槽53内的冲洗液71的液面形成有机溶剂的膜73。即，在基板移动部55执行将基板W浸于冲洗液71中的动作之前，流体供给部300对贮存于槽53中的冲洗液71直接供给有机溶剂，由此在冲洗液71的液面形成有机溶剂的膜73。因此，在步骤S51A中，在将基板W浸于冲洗液71中时，基板W一边搅拌有机溶剂的膜73一边穿过膜73。然后，经搅拌的有机溶剂在冲洗液71中扩散，因此有机溶剂的分布从初始的膜73的位置起向下方扩展。这一点与实施方式1相同。
然后，在槽53内的冲洗液71中，来自膜73的有机溶剂的存在使得基板W的结构物504间的空间SP内来自膜73的有机溶剂与冲洗液71混合，而可有效地形成稀释有机溶剂75(参照图6中的(c))。其结果，在步骤S6A中，基于与实施方式1同样的原理(参照第二实验)，使得来自流体供给部300的有机溶剂有效地混合于存在于基板W的结构物504间的空间SP的稀释有机溶剂75中，而形成高浓度有机溶剂77(参照图6中的(d))。其结果，能够有效地抑制干燥基板W时的结构物504的坍塌。
此外，在步骤S4A及步骤S52A中，在从冲洗液71提起基板W时，基板W穿过有机溶剂的膜73。因此，有机溶剂附着于基板W的表面。所述情形时的有机溶剂也有助于基板W的结构物504间的空间SP中的冲洗液71向有机溶剂的置换。
另外，在实施方式2中，与实施方式1同样地，基板移动部55可使步骤S51A中将基板W浸于冲洗液71时的基板W的下降速度大于步骤S52A中从冲洗液71中提起基板W时的基板W的上升速度。
进而，在实施方式2中，与实施方式1同样地，基板移动部55可交替执行多次步骤S51A与步骤52A。在所述情形时，在多次执行的步骤S52A中最后执行的步骤S52A中，基板移动部55可使从冲洗液71中提起基板W时的基板W的上升速度为最小。另外，在多次的步骤S51A中最后执行的步骤S51A中，基板移动部55可使将基板W浸于冲洗液71时的基板W的下降速度也为最小。
另外，在实施方式2中，流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)可在步骤S3A、步骤S4A、或步骤S51A中开始向腔室51内供给有机溶剂的蒸汽。在所述情形时，流体供给部300(具体而言为喷嘴59、喷嘴61)从开始供给有机溶剂的蒸汽起直至步骤S6A为止持续供给有机溶剂的蒸汽。
进而，在步骤S3A中，流体供给部300的喷嘴65可对贮存于槽53中的冲洗液71直接供给有机溶剂的蒸汽，由此在冲洗液71的液面形成有机溶剂的膜。
此处，步骤S3A中的有机溶剂、即流体供给部300的喷嘴65所供给的有机溶剂相当于“第一有机溶剂”的一例。另外，步骤S52A、步骤S6A中的有机溶剂、即流体供给部300的喷嘴59、喷嘴61所供给的有机溶剂相当于“第二有机溶剂”的一例。在实施方式2中，在液体与蒸汽方面不同于“第一有机溶剂”与“第二有机溶剂”。但“第一有机溶剂”的种类与“第二有机溶剂”的种类相同。例如，“第一有机溶剂”及“第二有机溶剂”为IPA。
另外，在实施方式2中，在步骤S5A中，可不在多个结构物504中的全部多个空间SP形成稀释有机溶剂75(参照图6中的(c))，只要在多个结构物504中的至少一部分空间SP中形成稀释有机溶剂75即可。
此外，例如在槽单元ONB、槽单元CHB中利用冲洗液清洗基板W后，即在槽单元ONB、槽单元CHB中提起浸渍于冲洗液中的基板W后，可在干燥槽单元LPD中执行步骤S5A～步骤S7A。另外，在参照图7及图8所说明的基板处理方法中，可执行图9及图10所示的步骤S3A～步骤S5A来代替步骤S15～步骤S17。
以上，已参照附图对本发明的实施方式进行了说明。但本发明并不限于所述实施方式，可在不脱离其主旨的范围内在各种方式中实施。另外，所述实施方式所公开的多个结构要素可适当改变。例如，可将某一实施方式所示的全部结构要素中的某一结构要素追加至另一实施方式的结构要素中，或可将某一实施方式所示的全部结构要素中的若干结构要素从实施方式中删除。
另外，附图是为了使发明容易理解而以各结构要素为主体进行示意性表示，所图示的各结构要素的厚度、长度、个数、间隔等为了方便制作附图而存在与实际不同的情形。另外，当然，所述实施方式所示的各结构要素的结构为一例，并无特别限定，可在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。
工业上的可利用性
本发明涉及一种基板处理方法及基板处理装置，具有产业上的可利用性。

Claims (16)

1.一种基板处理方法，包括：
将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂附着于所述基板，并且将所述基板浸于贮存于腔室内的槽中的冲洗液中的步骤；
从所述冲洗液中提起所述基板的步骤；及
向所述提起的基板所存在的所述腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽的步骤。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：
在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤之前向所述腔室内供给所述第一有机溶剂的蒸汽的步骤，且
在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤中，使所述基板下降，而将附着有所述第一有机溶剂的所述基板浸于所述冲洗液中。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中
在供给所述第一有机溶剂的蒸汽的所述步骤中，利用所述第一有机溶剂的蒸汽在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，还包括：
在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤之前，对贮存于所述槽中的所述冲洗液直接供给所述第一有机溶剂，由此在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜的步骤，且
在将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤中，使所述基板下降，而将所述基板浸于形成了所述第一有机溶剂的膜的所述冲洗液中。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理方法，其中
交替执行多次将所述基板浸于所述冲洗液中的所述步骤与提起所述基板的所述步骤。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中
在提起所述基板且为最后执行的所述步骤中，从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度最小。
7.根据权利要求1、2、3、4、或6所述的基板处理方法，其中
将所述基板浸于所述冲洗液中时的所述基板的下降速度大于从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度。
8.一种基板处理方法，包括：
将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使所述基板穿过表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂的膜并且浸于在液面具有所述第一有机溶剂的膜的冲洗液中的步骤；
使所述基板穿过所述第一有机溶剂的膜并且从所述冲洗液中提起所述基板的步骤；及
向所述提起的基板所存在的腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽的步骤。
9.一种基板处理装置，包括：
腔室；
槽，配置于所述腔室内；
基板移动部，执行以下动作：将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂附着于所述基板，并且将所述基板浸于贮存于所述槽中的冲洗液中的动作；及从所述冲洗液中提起所述基板的动作；及
流体供给部，向利用所述基板移动部从所述冲洗液中提起的所述基板所存在的所述腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中
在所述基板移动部执行将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作之前，所述流体供给部向所述腔室内供给所述第一有机溶剂的蒸汽，
所述基板移动部使所述基板下降，而将附着有所述第一有机溶剂的所述基板浸于所述冲洗液中。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中
在所述基板移动部执行将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作之前，所述流体供给部利用所述第一有机溶剂的蒸汽在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜。
12.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中
在所述基板移动部执行将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作之前，所述流体供给部对贮存于所述槽中的所述冲洗液直接供给所述第一有机溶剂，由此在所述冲洗液的液面形成所述第一有机溶剂的膜，
所述基板移动部使所述基板下降，而将所述基板浸于形成了所述第一有机溶剂的膜的所述冲洗液中。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的基板处理装置，其中
所述基板移动部交替执行多次将所述基板浸于所述冲洗液中的所述动作与从所述冲洗液中提起所述基板的所述动作。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中
在所述基板移动部提起所述基板且为最后执行的所述动作中，将从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度设为最小。
15.根据权利要求9、10、11、12、或14所述的基板处理装置，其中
使所述基板移动部将所述基板浸于所述冲洗液中时的所述基板的下降速度大于从所述冲洗液中提起所述基板时的所述基板的上升速度。
16.一种基板处理装置，包括：
基板移动部，执行以下动作：将浸渍于冲洗液中的基板从所述冲洗液中提起后，使所述基板穿过表面张力小于所述冲洗液的第一有机溶剂的膜并且浸于在液面具有所述第一有机溶剂的膜的冲洗液中的动作；及使所述基板穿过所述第一有机溶剂的膜，并且从所述冲洗液中提起所述基板的动作；及
流体供给部，向利用所述基板移动部从所述冲洗液中提起的所述基板所存在的腔室内供给表面张力小于所述冲洗液的第二有机溶剂的蒸汽。
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