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CN103972299B - 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置 - Google Patents

一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置 Download PDF

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CN103972299B CN201410174331.7A CN201410174331A CN103972299B CN 103972299 B CN103972299 B CN 103972299B CN 201410174331 A CN201410174331 A CN 201410174331A CN 103972299 B CN103972299 B CN 103972299B
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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置。所述方法包括：形成有源层材料层；在有源层材料层上形成刻蚀阻挡层材料层，所述刻蚀阻挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的导电材料；对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形，所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域和第三区域上表面分别为形成源、漏极的区域，所述第二区域为除第一区域与第三区域之外的区域；通过构图工艺在所述第一区域和第二区域上分别形成源、漏极；进行退火工艺，使得所述初始刻蚀阻挡层图形中第二区域的导电材料转变成绝缘材料，形成刻蚀阻挡层图形。

Description

一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板、显示装置。
背景技术
氧化物薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)与非晶硅TFT均可作为驱动管用于有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)面板及高分子发光二极管(polymerlight-emittingdiode，PLED)面板等显示面板中。氧化物TFT与非晶硅TFT相比，其载流子浓度是非晶硅TFT的很多倍。另外，氧化物TFT可通过磁控溅射(Sputter)的方法制备，因此采用氧化物TFT无需大幅改变现有的液晶面板生产线。同时，由于没有离子注入及激光晶化等工艺所需设备的限制，相对于多晶硅技术，氧化物TFT更有利于大面积的显示面板的生产。
图1(a)～图1(c)示出了现有技术中氧化物TFT的工艺流程图。如图1(a)～图1(c)所示，以氧化物为铟镓锌氧化物(IGZO)的顶栅工艺为例，现有技术中铟镓锌氧化物为有源层的TFT的制作流程如下：
在玻璃基板上沉积缓冲层101，并在缓冲层101上沉积IGZO氧化物半导体材料层，并利用构图工艺形成有源层图形102，在有源层图形上沉积硅氧化物(SiOx)，形成刻蚀阻挡层，并对其刻蚀形成如图1(b)所示的图形103，当然，现有技术中刻蚀阻挡层还可以是包含分别对应源、漏极的过孔的图形。之后，沉积源、漏极层，并形成源、漏极104等。
上述现有技术中的薄膜晶体管制作方法中，利用氧化物半导体材料作为有源层，而所述氧化物半导体对金属源、漏极的刻蚀液比较敏感，在刻蚀金属层形成源、漏极的过程中，为防止所述有源层被源、漏极的刻蚀液影响，因此需要在有源层上形成刻蚀阻挡层。通常情况下需要进行专门的刻蚀阻挡层的构图工艺，使得氧化物TFT的制作工艺较为复杂，制作时间长，成本相应也较高。
发明内容
有鉴于此，本发明提出了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置，以简化薄膜晶体管、显示基板和显示装置的制作工艺，降低制作成本。
根据本发明一方面，其提供了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：
在基板上形成有源层材料层；
在有源层材料层上形成刻蚀阻挡层材料层，所述刻蚀阻挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的导电材料；
对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形，所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域和第三区域上表面分别为形成源、漏极的区域，所述第二区域为所述初始刻蚀阻挡层图形中除第一区域与第三区域之外的区域；
通过构图工艺在所述第一区域和第二区域上分别形成源、漏极；
进行退火工艺，使得所述初始刻蚀阻挡层图形中第二区域的导电材料转变成绝缘材料，形成刻蚀阻挡层图形。
其中，所述源、漏极还形成在有源层、初始刻蚀阻挡层图形的至少部分侧面上。
其中，所述刻蚀阻挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的金属材料，经退火工艺后，所述第二区域的金属材料转变为金属氧化物。
其中，所述刻蚀阻挡层材料层为锡，经退火工艺后，所述第二区域的锡转变为锡的氧化物。
其中，所述退火工艺包括：在空气氛围下，将退火温度设置在200-250摄氏度之间，进行时间为0.5-3个小时的退火。
其中，对于顶栅结构的薄膜晶体管，在形成有源层材料层之前还包括在基板上形成缓冲层，在形成源、漏极之后还包括形成栅绝缘层和栅电极；对于底栅结构的薄膜晶体管，在形成有源层材料层之前还包括依次在基板上形成栅电极和栅绝缘层。
其中，所述有源层材料层为氧化物半导体。
根据本发明另一方面，其提供了一种薄膜晶体管，包括：有源层、刻蚀阻挡层和源、漏极；其中所述刻蚀阻挡层位于所述有源层的上表面且包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第三区域的刻蚀阻挡层包含对金属源、漏极刻蚀液起阻挡作用的导电材料，所述第二区域的刻蚀阻挡层包含所述导电材料形成的绝缘材料；所述源、漏极分别位于所述刻蚀阻挡层的第一区域和第三区域上，所述第二区域为所述刻蚀阻挡层图形中除第一区域与第三区域之外的区域。
其中，所述绝缘材料是所述导电材料经退火工艺而形成的。
其中，所述导电材料为金属材料，所述绝缘材料为所述金属材料形成
其中，所述金属材料为锡，所述金属氧化物为锡的氧化物。
其中，所述源、漏极与有源层、初始刻蚀阻挡层图形的至少部分侧面接触。
其中，所述有源层为氧化物半导体。
所述薄膜晶体管还包括：位于有源层之下的缓冲层，位于源、漏极之上的栅绝缘层，位于栅绝缘层上面的栅电极。
所述薄膜晶体管还包括：位于有源层之下的栅绝缘层，位于栅绝缘层之下的栅电极。
本发明提出的上述方案可以优化以下问题：通过采用能够对源、漏极金属的刻蚀液起阻挡作用的导电材料作为刻蚀阻挡层，并且刻蚀阻挡层与有源层采用一次构图工艺形成，并在源、漏极形成后，经过退火工艺将第二区域(包括源、漏极之间的间隙)对应的导电材料转变成绝缘材料，与现有技术相比，省略了刻蚀阻挡层单独形成的构图工艺，简化了整个制作过程，节省了制作工序，降低制作成本；并且，位于源、漏极之下的导电材料在退火工艺中未发生变化，能够改善薄膜晶体管的有源层和源、漏极之间的接触电阻，提升薄膜晶体管的驱动能力。
附图说明
图1(a)～图1(c)是现有技术中氧化物薄膜晶体管的制作工艺流程图；
图2是本发明提出的薄膜晶体管的制作方法流程图；
图3(a)～图3(d)是本发明中薄膜晶体管的制作工艺流程图；
图4是本发明实施例中的薄膜晶体管制作方法的流程图；
图5(a)～图5(e)是本发明实施例中薄膜晶体管的制作工艺流程图；
图6是本发明实施例中底栅结构的薄膜晶体管结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
图2示出了本发明提出的氧化物薄膜晶体管的制作方法流程图。图3(a)～3(d)示出了制作所述氧化物薄膜晶体管的工艺流程示意图。如图2、图3(a)～3(d)所示，其包括：
步骤201：在基板上形成有源层材料层301；
可选地，所述有源层材料层301可选用氧化物半导体材料，如铟镓锌氧化物(IGZO)等；
步骤202：在有源层材料层301上形成刻蚀阻挡层材料层302，所述刻蚀阻挡层材料层302为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的导电材料；
步骤203：对所述有源层材料层301和刻蚀阻挡层材料层302采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形，所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域3021、第二区域3022和第三区域3023，所述第一区域3021和第三区域3023上表面分别为形成源、漏极的区域，所述第二区域3022为所述初始刻蚀阻挡层图形中除第一区域3021与第三区域3023之外的区域；可以理解的是，所述初始刻蚀阻挡层图形第一区域、第二区域、第三区域的划分是基于最终的刻蚀阻挡层图形对应不同位置的结构特点划分的。初始刻蚀阻挡层和刻蚀阻挡层的差别在于经过退火工艺后，初始刻蚀阻挡层的第二区域的材料发生的变化，因此，在形成初始刻蚀阻挡层图形时，初始刻蚀阻挡层图形的三个区域的材料组成等并无差异，初始刻蚀阻挡层图形的三个区域对应的位置与最终形成的刻蚀阻挡层的三个区域的位置分别一一对应。为更形象的描述和便于理解，我们在最终的刻蚀阻挡层图形中示出了初始刻蚀阻挡层对应的三个区域，见图3(d)；
步骤204：通过构图工艺在所述第一区域3021和第三区域3023分别形成源极3031、漏极3032；
此外，所述源、漏极还形成在有源层、初始刻蚀阻挡层图形的至少部分侧面；所述源、漏极通过所述至少部分侧面与有源层形成接触，可增强源、漏极与有源层的电性接触。
步骤205：进行退火工艺，使得所述初始刻蚀阻挡层图形中第二区域3022的导电材料转变成绝缘材料，形成刻蚀阻挡层图形，见图3(d)。
可选地，所述导电材料优选为金属材料，如锡等；经过退火工艺后，所述第二区域3022的金属材料会被氧化为绝缘的金属氧化物，如锡的氧化物，金属材料锡(Sn)对源、漏刻蚀液不敏感，在采用锡作为刻蚀阻挡层材料时，锡能够阻挡源、漏极刻蚀液对有源层造成影响，并且在退火工艺中，暴露在退火环境的锡能够转变成绝缘的锡的氧化物(SnOx)，可防止源、漏极之间短路，满足晶体管的基本要求。
可选地，所述退火工艺包括：在空气氛围下，将退火温度设置在200-250摄氏度之间，进行时间为0.5-3个小时的退火，在此种退火条件下，暴露在退火环境中的第二区域中的导电材料转变为绝缘材料，防止源、漏极之间短路，满足晶体管的基本要求。
可选地，所述对所述有源层材料层301和刻蚀阻挡层材料层302采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形具体包括如下步骤：
步骤2031：在所述刻蚀阻挡层材料层上涂覆一层光刻胶；
步骤2032：利用氧化物有源层掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，并对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层进行刻蚀形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形。
此外，对于顶栅结构的薄膜晶体管的制作方法中，在形成有源层材料层301之前还包括在基板上形成缓冲层，在形成源极3031、漏极3032之后还包括形成栅绝缘层和栅电极；对于底栅结构的薄膜晶体管，在形成有源层材料层301之前还包括在基板上依次形成栅电极和栅绝缘层。
下面以顶栅结构的薄膜晶体管为例更详细的说明本发明的技术方案。
图4示出了本发明实施例中提出的薄膜晶体管的制作方法流程图。如图4所示，具体工艺流程可参见图5(a)～5(e)，该方法包括：
步骤401：在基板501上沉积一层缓冲材料，形成缓冲层502。所述缓冲层用于阻挡基板中小分子的扩散，防止小分子的扩散对有源层造成影响，缓冲层材料为氧化硅、氮化硅等材料。
可选地，所述基板501的材料包括玻璃、硅片、石英、塑料以及硅片基底等。
步骤402：在缓冲层502上沉积一层有源层材料层503。
可选地，所述有源层材料包括氧化物半导体，如铟镓锌氧化物(IGZO)等。
步骤403：在所述有源层材料层503上沉积一层刻蚀阻挡层材料层504，并采用一次构图工艺刻蚀有源层材料层503和刻蚀阻挡层材料层504，形成有源层和初始刻蚀阻挡层的图形。所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域5041、第二区域5042和第三区域5043；所述第一区域5041和第三区域5043上表面分别为形成源极、漏极的区域，所述第二区域5042为所述初始刻蚀阻挡层图形中除第一区域5041与第三区域5043之外的区域，第二区域5042包括源、漏极之间的间隙。所述刻蚀阻挡层材料层由能够阻挡源、漏极刻蚀液的导电材料制成。在随后的退火中，第二区域的导电材料与氧气结合成为不导电的绝缘材料，可以防止源、漏极之间形成短路。所述能够阻挡源、漏极刻蚀液的导电材料包括金属材料，本发明实施例以金属材料锡(Sn)作为刻蚀阻挡层材料进行说明，金属材料锡(Sn)对源、漏刻蚀液不敏感，在采用锡作为刻蚀阻挡层材料时，锡能够阻挡源、漏极刻蚀液对有源层造成影响，并且锡在退火工艺中，暴露在退火环境的锡能够转变成绝缘的锡的氧化物(SnOx)，可防止源、漏极之间短路，满足晶体管的基本要求。但本发明实施例不对刻蚀阻挡层具体材料进行限定，满足对源漏刻蚀液具有刻蚀阻挡作用并在后续退火工艺中能够转变为绝缘材料的其他导电材料也为本发明的保护范围。本发明实施例中，采用能够阻挡源、漏极刻蚀液的导电材料作为刻蚀阻挡层材料，并采用一次构图工艺形成有源层和刻蚀阻挡层图形，相比现有技术，省略了刻蚀阻挡层图形单独形成的构图工艺，简化了整个制作过程，节省了制作工序。
可选地，所述刻蚀阻挡层材料层504的厚度为优选为
可选地，所述步骤403中的一次构图工艺包括利用氧化物掩膜板进行一次构图工艺。
具体地，利用氧化物掩膜板进行一次构图工艺时，步骤403进一步包括：
步骤4031：在所述刻蚀阻挡层材料层上涂覆一层光刻胶；
步骤4032：利用氧化物有源层掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，并对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层进行刻蚀形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形。
步骤404：沉积一层源、漏极材料，并对其进行刻蚀，形成源极图形5051、漏极图形5052。
可选地，所述源、漏极材料可以采用溅射沉积的方式进行沉积，其材质包括金属以及具有导电功能的其它材料。所述金属包括Mo、Pt、Al、Ti、Co、Au、Cu等，所述具有导电功能的其它材料包括掺杂多晶硅，如TiN、TaN等金属氮化物等。
可选地，具体在制备源极图形5051、漏极图形5052时，先在形成有有源层和初始刻蚀材料层图形的基板上均匀溅射沉积一层源、漏极材料，然后依据电极版图进行刻蚀移除不需要的部分，刻蚀之后留下的一对相对设置的电极，构成源极图形5051、漏极图形5052。
步骤405：在源、漏极层图形化之后，利用退火工艺，使所述第二区域5042中的导电材料与氧气结合成为不导电的绝缘材料，从而防止源、漏极之间短路，使其具备晶体管特性，同时第一区域和第三区域对应的刻蚀阻挡层图形在退火工艺中未发生改变，保持既有的导电材料特性，能够改善薄膜晶体管的有源层和源、漏极之间的接触电阻，提升薄膜晶体管的驱动能力。因此，在不影响器件性能的情况下，本发明提出的刻蚀阻挡层材料取代了传统的刻蚀阻挡层材料如硅氧化物(SiOx)，在减少构图工艺的同时，整体上提升了薄膜晶体管的性能。
可选地，所述退火工艺包括：在空气氛围下，将退火温度设置在200-250摄氏度之间，进行时间为0.5-3个小时的退火。
选用锡作为刻蚀阻挡层材料时，在退火过程中，暴露在退火环境的锡(第二区域)能够转变成绝缘的锡的氧化物(SnOx)，防止源、漏之间短路，同时第一区域和第三区域对应的锡未发生变化，具有良好的导电性能，能够改善薄膜晶体管的有源层和源、漏极之间的接触电阻，提升薄膜晶体管的驱动能力。
步骤406：在形成有源极图形5051、漏极图形5052的基板上沉积一层栅极绝缘材料，形成栅极绝缘层506。
可选地，所述栅极绝缘层506可通过低温CVD方法来沉积，其材料可以是绝缘材料，包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等，或者这些材料的组合等。
步骤407：在所述栅极绝缘层表面沉积一层栅极材料，并对其进行刻蚀形成栅极图形507；
可选地，所述栅极材料采用金属、半导体材料等。
底栅结构的氧化物薄膜晶体管的具体制作方法与顶栅结构的类似，参见附图6所示，所不同的是先在基板501上形成栅极图形507，之后再栅极图形507上形成栅极绝缘层506，之后在栅极绝缘层506上形成刻蚀阻挡材料层503，之后的工序与顶栅结构的制作工序相同。
本领域技术人员应当理解，氧化物薄膜晶体管的制作工艺中，利用氧化物半导体材料形成有源层之后，由于所述氧化物半导体对金属源、漏极的刻蚀液比较敏感，在刻蚀金属层形成源、漏极的过程中，为防止所述有源层被腐蚀，因此需要在有源层上形成刻蚀阻挡层。而通常情况下就需要进行专门的刻蚀阻挡层的构图工艺。而本发明的上述实施例提出的氧化物薄膜晶体管的制作过程中，选用对金属源、漏极刻蚀液具有阻挡作用的导电材料作为刻蚀阻挡层材料，且采用一次构图工艺对有源层材料和刻蚀阻挡层材料同时刻蚀，并在形成源、漏极之后，进行退火工艺，使得源、漏极之间的刻蚀阻挡层材料即所述导电材料与氧气结合形成不导电的绝缘材料，进而能够防止源、漏极之间的短路，起到了传统刻蚀阻挡层的作用。整个过程相较于现有技术制作工序简单且成本有所降低。
此外，上述方法描述中，由于每个步骤所采用的具体刻蚀工艺以及刻蚀形成的相应图形与现有技术基本相同，因此在此并未做详细阐述；但是本领域技术人员应当理解，采用其他任何对源、漏金属起刻蚀阻挡作用的导电材料，并在后续退火工艺中将源、漏极之间间隙处的导电材料转变成绝缘体材料的方案均在本发明限定的保护范围之内。
本发明还提出了一种薄膜晶体管，如图5(e)或图6，图5(e)示出了顶栅结构的薄膜晶体管的部分剖面示意图，图6示出了底栅结构的薄膜晶体管的部分剖面示意图。所述薄膜晶体管包括：有源层503、刻蚀阻挡层504、源极5051、漏极5052；其中所述刻蚀阻挡层504位于所述有源层503的上表面，且包括第一区域5041、第二区域5042和第三区域5043，所述第一区域5041和第三区域5043的刻蚀阻挡层包含对金属源极5051、漏极5052刻蚀液起阻挡作用的导电材料，所述第二区域5042的刻蚀阻挡层包含所述导电材料形成的绝缘材料；所述源极5051、漏极5052分别位于所述刻蚀阻挡层504的第一区域5041和第三区域5043的上表面，所述第二区域5042为所述刻蚀阻挡层图形中除第一区域5041与第三区域5043之外的区域。
可选地，所述绝缘材料是所述导电材料经退火工艺而形成的。
可选地，所述导电材料优选为金属材料；所述绝缘材料为在退火工艺，由所述金属材料氧化而成的金属氧化物。
可选地，所述金属材料优选为锡，所述金属氧化物为锡的氧化物(SnOx)。
可选地，所述源极5051、漏极5052与有源层503、刻蚀阻挡层图形504的至少部分侧面接触。
其中，所述有源层为氧化物半导体。
可选地，所述薄膜晶体管还包括：位于有源层503之下的缓冲层502，位于源、漏极505之上的栅绝缘层506，位于栅绝缘层上面的栅电极507。
可选地，所述薄膜晶体管还包括：位于有源层503之下的栅绝缘层506，位于栅绝缘层506之下的栅电极507。
所述薄膜晶体管由于与前面实施例中描述的薄膜晶体管制作方法相对应，因此具体细节详见制作方法的描述，在此不再赘述。
本发明实施例的薄膜晶体管具有制作工序简单、成本低的优点。
本发明还提出了一种显示基板，其包括前述的薄膜晶体管。
本发明还提出了一种显示装置，其包括前述的显示基板。
本发明实施例的显示基板和显示装置具有制作工序简单，制作成本低的优点。
本发明提出的上述制作方法在薄膜晶体管背板的制作过程中，通过一次构图工艺对有源层材料和刻蚀阻挡层材料进行刻蚀，且所述刻蚀阻挡层材料采用对金属源、漏极刻蚀液具有阻挡作用的导电材料，并在形成源、漏极之后进行退火工艺，使得所述源、漏极之间的刻蚀阻挡层的导电材料与氧气结合而形成不导电的绝缘材料，所形成的绝缘材料能够防止源、漏极之间短路，起到了传统刻蚀阻挡层的作用，有效的简化了整个制作过程，节省了制作工序，降低制作成本。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种薄膜晶体管的制作方法，包括：
在基板上形成有源层材料层；
在有源层材料层上形成刻蚀阻挡层材料层，所述刻蚀阻挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的导电材料；
对所述有源层材料层和刻蚀阻挡层材料层采用一次构图工艺形成有源层和初始刻蚀阻挡层图形，所述初始刻蚀阻挡层图形包括第一区域、第二区域和第三区域；所述第一区域和第三区域上表面分别为形成源、漏极的区域，所述第二区域为所述初始刻蚀阻挡层图形中除第一区域与第三区域之外的区域；
通过构图工艺在所述第一区域和第二区域上分别形成源、漏极；
进行退火工艺，使得所述初始刻蚀阻挡层图形中第二区域的导电材料转变成绝缘材料，形成刻蚀阻挡层图形。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述源、漏极还形成在有源层、初始刻蚀阻挡层图形的至少部分侧面上。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述刻蚀阳挡层材料层为对源、漏极金属刻蚀液起阻挡作用的金属材料，经退火工艺后，所述第二区域的金属材料转变为金属氧化物。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述刻蚀阻挡层材料层为锡，经退火工艺后，所述第二区域的锡转变为锡的氧化物。
5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述退火工艺包括：在空气氛围下，将退火温度设置在200-250摄氏度之间，进行时间为0.5-3个小时的退火。
6.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，对于顶栅结构的薄膜晶体管，在形成有源层材料层之前还包括在基板上形成缓冲层，在形成源、漏极之后还包括形成栅绝缘层和栅电极；对于底栅结构的薄膜晶体管，在形成有源层材料层之前还包括依次在基板上形成栅电极和栅绝缘层。
7.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其中，所述有源层材料层为氧化物半导体。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源层、刻蚀阻挡层和源、漏极；其中所述刻蚀阻挡层位于所述有源层的上表面且包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域和第三区域的刻蚀阻挡层包含对金属源、漏极刻蚀液起阻挡作用的导电材料，所述第二区域的刻蚀阻挡层包含所述导电材料形成的绝缘材料；所述源、漏极分别位于所述刻蚀阻挡层的第一区域和第三区域上，所述第二区域为所述刻蚀阻挡层图形中除第一区域与第三区域之外的区域。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述绝缘材料是所述导电材料经退火工艺而形成的。
10.如权利要求8-9任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述导电材料为金属材料，所述绝缘材料为所述金属材料形成的金属氧化物。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中，所述金属材料为锡，所述金属氧化物为锡的氧化物。
12.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述源、漏极与有源层、刻蚀阻挡层图形的至少部分侧面接触。
13.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述有源层为氧化物半导体。
14.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其还包括：位于有源层之下的缓冲层，位于源、漏极之上的栅绝缘层，位于栅绝缘层上面的栅电极。
15.如权利要求8-9、11任一项所述的薄膜晶体管，其还包括：位于有源层之下的栅绝缘层，位于栅绝缘层之下的栅电极。
16.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求8-15任一项所述的薄膜晶体管。
17.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求16所述的显示基板。
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