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CN103746045B - 抑制p型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法 - Google Patents

抑制p型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法 Download PDF

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CN103746045B CN201410046927.9A CN201410046927A CN103746045B CN 103746045 B CN103746045 B CN 103746045B CN 201410046927 A CN201410046927 A CN 201410046927A CN 103746045 B CN103746045 B CN 103746045B
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王昊璇
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许宏
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Abstract

一种抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其创新在于：1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层；2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料表面覆盖有硼离子注入阻挡层的区域进行浅结掺杂处理；3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层腐蚀掉，处理完成。本发明的有益技术效果是：可提高P型特高阻硅单晶材料发生反型的难度，抑制高温热氧化工艺对P型特高阻硅单晶材料造成的反型效果。

Description

抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法
技术领域
本发明涉及一种半导体制作工艺，尤其涉及一种抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法。
背景技术
当P型硅表面加正电压或其表面存在较多界面态时，P型硅表面处的能带相对于体内将向下弯曲，P型硅表面处费米能级位置高于禁带中央能量Ei，这就使P型硅表面处电子浓度超过空穴浓度，P型硅表面就会发生反型，从而形成与半导体衬底导电类型相反的一N型层（即反型层）。
半导体材料的反型主要发生在近表面，反型与表面杂质浓度、表面电荷密度有关。反型状态是以表面处少数载流子浓度ns是否超过体内多数载流子浓度pp0为标志来定，当ns≥pp0时，P型材料发生反型。根据理论分析，可知P型材料表面发生反型的条件为：
由上式可知，衬底杂质浓度NA越高，要达到强反型所需的表面势Vs就越大，即造成反型所需的氧化层电荷密度越大，因此在相同的工艺条件和表面势下，NA越高则越不易达到反型。
在P型特高阻硅PIN光电探测器工艺制作过程中，作为衬底材料的P型高阻硅单晶材料的杂质浓度较小，材料表面易发生反型，尤其是在高温热氧化工艺（即钝化层制作）中，即使严格控制氧化层的质量，尽量减少Si-SiO2系统中的能量状态，但氧化层及Si-SiO2系统存在大量的正电荷，将感应硅表面负电荷积累，很容易发生反型，导致P型特高阻硅PIN光电探测器击穿特性不稳定，暗电流漂移。
发明内容
针对背景技术中的问题，本发明提出了一种抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其处理步骤为：1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层；硼离子注入阻挡层可以对硼离子的注入起到阻挡作用，从而实现硼离子的浅结掺杂和梯度分布；
2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料表面覆盖有硼离子注入阻挡层的区域进行浅结掺杂处理；
3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层腐蚀掉，处理完成。
P型特高阻硅单晶材料表面经过前述工艺处理后，就能获得较高浓度的硼杂质梯度分布，提高P型特高阻硅单晶材料发生反型时所需要的表面势，对反型起到抑制作用。
优选地，所述P型特高阻硅单晶材料的电阻率大于或等于8000Ω·cm，厚度为550μm±20μm。
优选地，步骤1）中，高温栅氧化工艺的氧化工艺温度为1200℃±1℃，硼离子注入阻挡层厚度为40nm~120nm。
优选地，步骤2）中，硼离子注入工艺的剂量为1014/cm2~1016/cm2，能量为100keV~140keV，掺杂结深为0.5μm~1.2μm。
基于前述方案，本发明还提出了一种P型特高阻硅PIN光电探测器的制作方法，包括：A）制备硅衬底、B）钝化层制作、C）有源区制作、D）背面减薄、E）背面掺杂、F）金属化制作、G）后续工艺制作；所述硅衬底为P型特高阻硅单晶材料；所述步骤A）、B）、C）、D）、E）、F）、G），均为现有技术中制作P型特高阻硅PIN光电探测器的常规工艺，本发明的独创之处在于：在步骤A）的操作完成后，先按如下工艺对硅衬底表面的待处理区域进行反型抑制处理，然后再进行步骤B）的操作：
1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层；
2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料表面覆盖有硼离子注入阻挡层的区域进行浅结掺杂处理；
3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层腐蚀掉；经过前述处理后，P型特高阻硅单晶材料表面的待处理区域形成工艺操作区。
优选地，所述P型特高阻硅单晶材料的电阻率大于或等于8000Ω·cm，厚度为550μm±20μm。
优选地，步骤1）中，高温栅氧化工艺的氧化工艺温度为1200℃±1℃，硼离子注入阻挡层厚度为40nm~120nm。
优选地，步骤2）中，硼离子注入工艺的剂量为1014/cm2~1016/cm2，能量为100keV~140keV，掺杂结深为0.5μm~1.2μm。
优选地，所述步骤B）包括：采用高温氧化工艺，在工艺操作区表面生长二氧化硅薄膜，此二氧化硅薄膜形成钝化层，工艺温度1200℃±1℃，钝化层厚度：300nm~500nm；所述步骤E）包括：采用高温硼扩散工艺进行背面高浓度掺杂，掺杂浓度为1×1018/cm3~5×1020/cm3，结深为0.5μm~2.0μm。
本发明的有益技术效果是：可提高P型特高阻硅单晶材料发生反型的难度，抑制高温热氧化工艺对P型特高阻硅单晶材料造成的反型效果。
附图说明
图1、反型抑制处理的原理示意图；
图2、现有技术在制作P型特高阻硅PIN光电探测器时的工艺流程图；
图3、采用本发明方案制作P型特高阻硅PIN光电探测器时的工艺流程图，图中阻挡层制作即对应步骤1），浅结掺杂处理即对应步骤2），阻挡层腐蚀即对应步骤3）；
图中各个标记所对应的名称为：P型特高阻硅单晶材料3、硼离子注入阻挡层4、浅结掺杂处理后在P型特高阻硅单晶材料表面形成的掺杂区5。
具体实施方式
一种抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其步骤为：1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料3表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层4；
2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料3表面覆盖有硼离子注入阻挡层4的区域进行浅结掺杂处理；
3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层4腐蚀掉，处理完成。
进一步地，所述P型特高阻硅单晶材料3的电阻率大于或等于8000Ω·cm，厚度为550μm±20μm。
进一步地，步骤1）中，高温栅氧化工艺的氧化工艺温度为1200℃±1℃，硼离子注入阻挡层4厚度为40nm~120nm。
进一步地，步骤2）中，硼离子注入工艺的剂量为1014/cm2~1016/cm2，能量为100keV~140keV，掺杂结深为0.5μm~1.2μm。
一种P型特高阻硅PIN光电探测器的制作方法，包括：A）制备硅衬底、B）钝化层制作、C）有源区制作（包括光刻、磷扩散、增透膜制作等半导体制造工艺）、D）背面减薄（即采用机械研磨工艺将晶圆减薄至所需的厚度）、E）背面掺杂、F）金属化制作（采用电子束蒸发工艺和光刻工艺制作钛/铝双层金属电极）、G）后续工艺制作（包括划片、烧结、压焊、封装、测试等工序）；所述硅衬底为P型特高阻硅单晶材料3；其创新在于：在步骤A）的操作完成后，先按如下工艺对硅衬底表面的待处理区域进行反型抑制处理，然后再进行步骤B）的操作：
1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料3表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层4；
2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料3表面覆盖有硼离子注入阻挡层4的区域进行浅结掺杂处理；
3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层4腐蚀掉；经过前述处理后，P型特高阻硅单晶材料3表面的待处理区域形成工艺操作区。
进一步地，所述P型特高阻硅单晶材料3的电阻率大于或等于8000Ω·cm，厚度为550μm±20μm。
进一步地，步骤1）中，高温栅氧化工艺的氧化工艺温度为1200℃±1℃，硼离子注入阻挡层4厚度为40nm~120nm。
进一步地，步骤2）中，硼离子注入工艺的剂量为1014/cm2~1016/cm2，能量为100keV~140keV，掺杂结深为0.5μm~1.2μm。
进一步地，所述步骤B）包括：采用高温氧化工艺，在工艺操作区表面生长二氧化硅薄膜，此二氧化硅薄膜形成钝化层，工艺温度1200℃±1℃，钝化层厚度：300nm~500nm；所述步骤E）包括：采用高温硼扩散工艺进行背面高浓度掺杂，掺杂浓度为1×1018/cm3~5×1020/cm3，结深为0.5μm~2.0μm。

Claims (7)

1.一种抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其特征在于：1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料（3）表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层（4）；
2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料（3）表面覆盖有硼离子注入阻挡层（4）的区域进行浅结掺杂处理；
3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层（4）腐蚀掉，处理完成；
所述P型特高阻硅单晶材料（3）的电阻率大于或等于8000Ω·cm，厚度为550μm±20μm。
2.根据权利要求1所述的抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其特征在于：步骤1）中，高温栅氧化工艺的氧化工艺温度为1200℃±1℃，硼离子注入阻挡层（4）厚度为40nm~120nm。
3.根据权利要求1所述的抑制P型特高阻硅单晶材料表面高温反型的方法，其特征在于：步骤2）中，硼离子注入工艺的剂量为1014/cm2~1016/cm2，能量为100keV~140keV，掺杂结深为0.5μm~1.2μm。
4.一种P型特高阻硅PIN光电探测器的制作方法，包括：A）制备硅衬底、B）钝化层制作、C）有源区制作、D）背面减薄、E）背面掺杂、F）金属化制作、G）后续工艺制作；所述硅衬底为P型特高阻硅单晶材料（3）；
其特征在于：在步骤A）的操作完成后，先按如下工艺对硅衬底表面的待处理区域进行反型抑制处理，然后再进行步骤B）的操作：
1）采用高温栅氧化工艺，在P型特高阻硅单晶材料（3）表面的待处理区域上生长一定厚度的二氧化硅薄膜，所述二氧化硅薄膜即形成硼离子注入阻挡层（4）；
2）采用硼离子注入工艺，对P型特高阻硅单晶材料（3）表面覆盖有硼离子注入阻挡层（4）的区域进行浅结掺杂处理；
3）采用二氧化硅腐蚀液将硼离子注入阻挡层（4）腐蚀掉；经过前述处理后，P型特高阻硅单晶材料（3）表面的待处理区域形成工艺操作区；
所述P型特高阻硅单晶材料（3）的电阻率大于或等于8000Ω·cm，厚度为550μm±20μm。
5.根据权利要求4所述的P型特高阻硅PIN光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤1）中，高温栅氧化工艺的氧化工艺温度为1200℃±1℃，硼离子注入阻挡层（4）厚度为40nm~120nm。
6.根据权利要求4所述的P型特高阻硅PIN光电探测器的制作方法，其特征在于：步骤2）中，硼离子注入工艺的剂量为1014/cm2~1016/cm2，能量为100keV~140keV，掺杂结深为0.5μm~1.2μm。
7.根据权利要求4所述的P型特高阻硅PIN光电探测器的制作方法，其特征在于：所述步骤B）包括：采用高温氧化工艺，在工艺操作区表面生长二氧化硅薄膜，此二氧化硅薄膜形成钝化层，工艺温度1200℃±1℃，钝化层厚度：300nm~500nm；
所述步骤E）包括：采用高温硼扩散工艺进行背面高浓度掺杂，掺杂浓度为1×1018/cm3~5×1020/cm3，结深为0.5μm~2.0μm。
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