CN103710748A - 一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法 - Google Patents
一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103710748A CN103710748A CN201310682686.2A CN201310682686A CN103710748A CN 103710748 A CN103710748 A CN 103710748A CN 201310682686 A CN201310682686 A CN 201310682686A CN 103710748 A CN103710748 A CN 103710748A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diamond film
- growth
- speed
- growth method
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 230000008676 import Effects 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 20
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 8
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001573 adamantine Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000259 microwave plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，包括：在置于沉积腔中的单晶金刚石衬底表面上通过微波等离子体气相沉积方法在生长温度一定的条件下生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，气体包括甲烷、氢气、氮气和氧气，其中氮气和氧气的导入方式为交替导入。本发明解决现有技术中生长的单晶金刚石薄膜颜色会变化，甚至变成深棕色，薄膜的晶体质量也会变差，限制了单晶金刚石薄膜在科学研究、光学、半导体和加工等领域的应用的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及微波等离子体生长金刚石薄膜领域，特别涉及一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法。
背景技术
大尺寸人造单晶金刚石的生产工艺一直是工业生产和科学研究的热点。金刚石是一种硬度极大的物质，其在热、电、声、光和机械方面都有非常优异的特性，尤其是在科学研究、光学、半导体和加工等领域有非常广泛的用途。
近二十年，通过化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，简称CVD）工艺来开发金刚石薄膜。化学气相沉积是反应气体在气态条件下发生化学反应，反应生成物质沉积在被加热的固态衬底表面，进而制得固体材料薄膜的工艺技术。
再后来，微波等离子体气相沉积（Microwave Plasma ChemicalVapor Deposition,简称MPCVD）工艺被应用到了金刚石的生长中，其工作压力为1-8kPa(千帕)，温度为800-1000°（摄氏度），微波功率为300-700W(瓦),微波频率为2.45GHz(千兆赫)，使用的气体为浓度为1-3%的甲烷，在上述条件下，最大的生长为每小时3μm（微米）。
当使用化学气相沉积技术在单晶金刚石衬底（100）面上外延生长单晶金刚石薄膜时，甲烷和氢气是主要反映气体，这两种气体是在整个过程中是持续导入到沉积腔内的，同时，现有技术还通入氮气，可以增加金刚石核的形成速度和金刚石薄膜的生长速度，拟制（111）方向的生长。
发明人在实现上述技术的过程中，发现现有技术中至少存在以下技术问题：
生长的单晶金刚石薄膜颜色会发生变化，甚至变成深棕色，晶体质量也会随之变差，这大大限制了单晶金刚石薄膜在科学研究、光学、半导体和加工等领域的应用。
发明内容
本发明目的是提供一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，解决现有技术中生长的单晶金刚石薄膜颜色变化，甚至成深棕色，薄膜的晶体质量变差，限制了单晶金刚石薄膜在科学研究、光学、半导体和加工等领域的应用的技术问题。
本发明所采用的技术方案是：一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，包括：在置于沉积腔中的单晶金刚石衬底表面上通过微波等离子体气相沉积方法在生长温度一定的条件下外延生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，反应气体包括甲烷、氢气、氮气和氧气，其中，氮气和氧气的导入方式为交替导入。
进一步的，交替导入具体方法是：导入1个单位时间的氮气后，导入0.1-1个单位时间的氧气，1个单位时间为1分钟至30分钟。
进一步的，还包括：控制金刚石生长表面的温度，以使金刚石生长表面的温度梯度少于20℃。
进一步的，导入甲烷的气流量为20-200Sccm,氢气为500-1000Sccm,氮气的流量为0.1-6Sccm，氧气的流量为0.04-6Sccm。
进一步的，生长温度是800-1250℃，沉积腔中的气压为80-200Torr。
本发明提供一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法,不仅可以增加单晶金刚石的成膜速度，减少金刚石薄膜中杂质的导入，抑制非金刚石结构和金刚石裂纹的产生，还能保持生长的单晶金刚石薄膜质量、保持透明，可以使之广泛应用于科学研究、光学、半导体和加工等领域。
附图说明
图1为本发明交替导入氮气或氧气时间轴的示意图。
具体实施方式
本发明在生长单晶金刚石薄膜时，导入少量氧气，可以清除氮的杂质，减少因氮的掺入在每个氮原子的附近形成的碳空位，并减少硅和氢的杂质水平。总之，本发明在保持一定的生长速率的同时，可以消除单晶金刚石薄膜中的杂质和空位等缺陷，不但形成透明无色的单晶金刚石薄膜，而且提高单晶金刚石薄膜的质量。
本发明一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，包括：控制金刚石生长表面的温度，以使所述金刚石生长表面的温度梯度少于20℃；在置于沉积腔中的单晶金刚石衬底表面上通过微波等离子体气相沉积方法在生长温度一定的条件下生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，气体包括甲烷、氢气、氮气和氧气，氮气和氧气的导入方式为交替导入。
交替导入具体方法是：导入1个单位时间的氮气后，导入0.1-1个单位时间的氧气，1个单位时间为1分钟至30分钟；导入甲烷的气流量为20-200Sccm,氢气为500-1000Sccm,氮气的流量为0.1-6Sccm，氧气的流量为0.04-6Sccm；
本实施例中，金刚石生长温度是800-1250℃，一般而言，比较适应的温度为850℃、1000℃或1200℃等。沉积腔中的气压为80-200Torr（1Torr=133pa），比较适应的气压为120Torr或160Torr。
为进一步说明交替导入氮气或氧气，现结合图1具体说明，设通入氮气的时间为t1，导入氧气的时间为t2，t1与t2的时间比为1：0.1-1。
若沉积腔中一直导入氮气，形成的金刚石的颜色会变黄，甚至出现深棕色，使用氧气和氮气交替导入沉积腔时，可以解决上述问题。除此之外，在沉积腔中导入氧气后，还可以降低生长薄膜中不必要的杂质元素掺入。
为更清楚，现对利用上述方法生长单晶金刚石薄膜所采用的系统进行简要叙述，该系统为微波等离子体化学气相沉积系统，包括一个沉积腔、微波导入装置，反应气体导入装置和控制装置。该系统采用6KW（千瓦）的微波电源，微波频率为2.45GHz，当然可以根据对沉积区域和沉积速率的需求而选择不同的系统。
下面对金刚石生长的具体方法进行叙述：
首先在位于微波等离子体化学气相沉积系统的沉积腔内部的下方的样品台上放置并固定需要生长的单晶金刚石衬底；
然后测量金刚石衬底表面的温度：温度传感器测量生长表面的温度，最好是测量金刚石上表面的温度，把测量值传送至该系统的中央处理器。显然在测量温度的步骤中，该测量值应该包括整个生长表面的温度梯度，而不是某一个局部；
中央处理器的任务是将衬底表面的生长温度控制在一定的范围内，整个生长表面的温度梯度维持在20摄氏度以内。
在单晶金刚石衬底表面上保持温度一定的条件下外延生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，气体包括甲烷、氢气、氮气和氧气，其中氮气和氧气的导入方式为交替导入。
当金刚石的生长厚度达到预定的厚度时，该生长过程终止，检验金刚石外延生长薄膜的厚度是否到达预设定的厚度值的方法可以是通过机械机构来实际测量，也可以通过光学手段来测量。
单晶金刚石薄膜沿着至少一个方向生长。
在可能的情况下，在外延生长单晶金刚石的过程中，可转动金刚石衬底，以使单晶金刚石薄膜的温度均匀。
本发明提供一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法,不仅可以增加单晶金刚石外延生长的成膜速度，减少一些杂质掺入金刚石薄膜中，抑制非金刚石结构和金刚石裂纹的产生，还能保持生长的单晶金刚石薄膜质量、保持透明，可以使之广泛应用于科学研究、光学、半导体和加工等领域。
以上，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (5)
1.一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，其特征在于，包括：
在置于沉积腔中的单晶金刚石衬底表面上通过微波等离子体气相沉积方法在生长温度一定的条件下外延生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，反应气体包括甲烷、氢气、氮气和氧气，其中，氮气和氧气的导入方式为交替导入。
2.根据权利要求1所述的一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，其特征在于，交替导入具体方法是：导入1个单位时间的氮气后，导入0.1-1个单位时间的氧气，1个单位时间为1分钟至30分钟。
3.根据权利要求1或2所述的一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，其特征在于，还包括：控制金刚石生长表面的温度，以使所述金刚石生长表面的温度梯度少于20℃。
4.根据权利要求3所述的一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，其特征在于，其中，导入甲烷的气流量为20-200Sccm,氢气为500-1000Sccm,氮气的流量为0.1-6Sccm，氧气的流量为0.04-6Sccm。
5.根据权利要求4所述的一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，其特征在于，所述生长温度是800-1250℃，沉积腔中的气压为80-200Torr。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310682686.2A CN103710748B (zh) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | 一种单晶金刚石薄膜的生长方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310682686.2A CN103710748B (zh) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | 一种单晶金刚石薄膜的生长方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103710748A true CN103710748A (zh) | 2014-04-09 |
| CN103710748B CN103710748B (zh) | 2016-04-06 |
Family
ID=50404086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310682686.2A Active CN103710748B (zh) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | 一种单晶金刚石薄膜的生长方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103710748B (zh) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104630899A (zh) * | 2015-01-17 | 2015-05-20 | 王宏兴 | 金刚石层的分离方法 |
| CN106012003A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-10-12 | 武汉工程大学 | Cvd单晶金刚石的二维扩大方法 |
| CN106400110A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-15 | 兰州空间技术物理研究所 | 多晶金刚石复合感压薄膜、其制备方法及电容薄膜真空规 |
| CN107740184A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-27 | 湖北碳六科技有限公司 | 一种梯度单晶金刚石及其制备方法 |
| CN108505018A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-09-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法 |
| CN108545738A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-09-18 | 北京科技大学 | 一种提高cvd单晶金刚石硬度及韧性的方法 |
| CN108588820A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-09-28 | Fd3M公司 | 微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法 |
| CN108611680A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-10-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种高速高质量单晶金刚石的生长方法 |
| CN110938811A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-03-31 | 广东达蒙得半导体科技有限公司 | 微波等离子体化学气相沉积中一种可旋转生长金刚石的方法 |
| CN113249787A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-08-13 | 湖北碳六科技有限公司 | 一种静态生长单晶金刚石的制备方法 |
| CN114086253A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-25 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种电子级金刚石的制备方法 |
| CN114197042A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-18 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种多晶金刚石膜的制备方法和辐射探测器 |
| US11469077B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-10-11 | FD3M, Inc. | Microwave plasma chemical vapor deposition device and application thereof |
| CN115232615A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-10-25 | 西安电子科技大学 | 硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0574263A1 (en) * | 1992-06-11 | 1993-12-15 | General Electric Company | CVD diamond films |
| JPH0632697A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-08 | Mitsubishi Materials Corp | 気相合成ダイヤモンド厚膜の製造法 |
| CN1096548A (zh) * | 1993-06-17 | 1994-12-21 | 上海交通大学 | 金刚石单晶薄膜的制造方法 |
| EP0445754B1 (en) * | 1990-03-06 | 1996-02-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for growing a diamond or c-BN thin film |
| JPH10316491A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-12-02 | Sharp Corp | 高純度ダイヤモンドの合成方法 |
| CN101037793A (zh) * | 2007-02-07 | 2007-09-19 | 吉林大学 | 高速生长金刚石单晶的装置和方法 |
| CN102021649A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-04-20 | 吉林大学 | 利用添加n2o气体化学气相沉积金刚石单晶的方法 |
-
2013
- 2013-12-12 CN CN201310682686.2A patent/CN103710748B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0445754B1 (en) * | 1990-03-06 | 1996-02-14 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for growing a diamond or c-BN thin film |
| EP0574263A1 (en) * | 1992-06-11 | 1993-12-15 | General Electric Company | CVD diamond films |
| JPH0632697A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-08 | Mitsubishi Materials Corp | 気相合成ダイヤモンド厚膜の製造法 |
| CN1096548A (zh) * | 1993-06-17 | 1994-12-21 | 上海交通大学 | 金刚石单晶薄膜的制造方法 |
| JPH10316491A (ja) * | 1997-05-13 | 1998-12-02 | Sharp Corp | 高純度ダイヤモンドの合成方法 |
| CN101037793A (zh) * | 2007-02-07 | 2007-09-19 | 吉林大学 | 高速生长金刚石单晶的装置和方法 |
| CN102021649A (zh) * | 2010-12-24 | 2011-04-20 | 吉林大学 | 利用添加n2o气体化学气相沉积金刚石单晶的方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| C.J. TANG ET AL.: "A new regime for high rate growth of nanocrystalline diamond films using high power and CH4/H2/N2/O2 plasma", 《DIAMOND & RELATED MATERIALS》, vol. 20, no. 3, 18 January 2011 (2011-01-18), pages 304 - 309 * |
| C.J. TANG ET AL.: "Synthesis and structural characterization of highly /10 0S-oriented {10 0}-faceted nanocrystalline diamond films by microwave plasma chemical vapor deposition", 《JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH》, vol. 311, no. 8, 4 February 2009 (2009-02-04), pages 2258 - 2264, XP026057712, DOI: doi:10.1016/j.jcrysgro.2009.01.130 * |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104630899A (zh) * | 2015-01-17 | 2015-05-20 | 王宏兴 | 金刚石层的分离方法 |
| CN104630899B (zh) * | 2015-01-17 | 2017-09-22 | 王宏兴 | 金刚石层的分离方法 |
| CN106012003A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-10-12 | 武汉工程大学 | Cvd单晶金刚石的二维扩大方法 |
| CN106400110A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-15 | 兰州空间技术物理研究所 | 多晶金刚石复合感压薄膜、其制备方法及电容薄膜真空规 |
| CN107740184A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-27 | 湖北碳六科技有限公司 | 一种梯度单晶金刚石及其制备方法 |
| CN107740184B (zh) * | 2017-09-30 | 2019-07-19 | 湖北碳六科技有限公司 | 一种梯度单晶金刚石及其制备方法 |
| CN108611680A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-10-02 | 中国科学院半导体研究所 | 一种高速高质量单晶金刚石的生长方法 |
| CN108588820A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-09-28 | Fd3M公司 | 微波等离子体化学气相沉积装置和金刚石的合成方法 |
| US11469077B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-10-11 | FD3M, Inc. | Microwave plasma chemical vapor deposition device and application thereof |
| CN108505018A (zh) * | 2018-05-14 | 2018-09-07 | 哈尔滨工业大学 | 一种生长高质量金刚石颗粒及金刚石薄膜的方法 |
| CN108545738A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-09-18 | 北京科技大学 | 一种提高cvd单晶金刚石硬度及韧性的方法 |
| CN110938811A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-03-31 | 广东达蒙得半导体科技有限公司 | 微波等离子体化学气相沉积中一种可旋转生长金刚石的方法 |
| CN113249787A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-08-13 | 湖北碳六科技有限公司 | 一种静态生长单晶金刚石的制备方法 |
| CN113249787B (zh) * | 2021-03-25 | 2024-06-04 | 湖北碳六科技有限公司 | 一种静态生长单晶金刚石的制备方法 |
| CN114197042A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-18 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 一种多晶金刚石膜的制备方法和辐射探测器 |
| CN114086253A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-25 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种电子级金刚石的制备方法 |
| CN115232615A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-10-25 | 西安电子科技大学 | 硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法 |
| CN115232615B (zh) * | 2022-06-23 | 2024-01-23 | 西安电子科技大学 | 硅空位色心发光强度可调控的微晶金刚石晶粒的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103710748B (zh) | 2016-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103710748B (zh) | 一种单晶金刚石薄膜的生长方法 | |
| CN100500951C (zh) | 高速生长金刚石单晶的装置和方法 | |
| RU2764040C2 (ru) | ВЫРАЩИВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО 3C-SiC НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ | |
| TW200741041A (en) | Colorless single-crystal CVD diamond at rapid growth rate | |
| CN101967680A (zh) | 一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法 | |
| CN104078331A (zh) | 单晶4H-SiC衬底及其制造方法 | |
| CN104885197A (zh) | 制造碳化硅半导体衬底的方法以及制造碳化硅半导体器件的方法 | |
| CN105731825A (zh) | 一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法 | |
| CN107516630B (zh) | 一种AlN外延层及其制备方法 | |
| JP2014058411A (ja) | エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法 | |
| CN105008598A (zh) | 碳化硅半导体装置的制造方法以及碳化硅半导体装置 | |
| CN100432287C (zh) | 强磁场下金刚石薄膜的制备方法 | |
| JP2016100483A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| Hens et al. | Epitaxial growth of cubic silicon carbide on silicon using hot filament chemical vapor deposition | |
| US20140353684A1 (en) | Silicon carbide epitaxial wafer and method for fabricating the same | |
| JP2014232799A (ja) | 炭化珪素半導体基板の製造方法 | |
| CN111029250A (zh) | 一种实现SiC外延曲线形掺杂分布的方法 | |
| CN104810248A (zh) | 适用于4°和8°偏轴硅面碳化硅衬底的原位处理方法 | |
| CN111519186B (zh) | 一种铁磁/石墨烯外延界面及其低温制备方法 | |
| CN101985743A (zh) | 采用pecvd制备碳化硅薄膜的方法 | |
| CN105990091B (zh) | 石墨烯的生长方法 | |
| CN212925256U (zh) | 一种用于cvd法合成新型碳纤维的组合炉 | |
| JPS63252997A (ja) | ダイヤモンド単結晶の製造方法 | |
| CN101792901A (zh) | 一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法 | |
| JP6196859B2 (ja) | ウエハ搭載用部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160422 Address after: 710000 room C, block, No. 239 Shenzhou Road, Xi'an, Shaanxi, China Patentee after: Xi'an Semiconductor Technology Co., Ltd. Address before: 710049 Xianning West Road, Shaanxi, China, No. 28, No. Patentee before: Wang Hongxing |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170303 Address after: 710049 Xianning West Road, Shaanxi, China, No. 28, No. Patentee after: Wang Hongxing Address before: 710000 room C, block, No. 239 Shenzhou Road, Xi'an, Shaanxi, China Patentee before: Xi'an Semiconductor Technology Co., Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20190814 Address after: Room 11403, Room 11403, Building 1, No. 11, Tangyannan Road, Xi'an High-tech Zone, Shaanxi Province Patentee after: Xi'an te te Semiconductor Technology Co., Ltd. Address before: 710049 Xianning West Road, Shaanxi, China, No. 28, No. Patentee before: Wang Hongxing |
|
| TR01 | Transfer of patent right |