CN103547955A

CN103547955A - 反射镜阵列

Info

Publication number: CN103547955A
Application number: CN201280025247.8A
Authority: CN
Inventors: S.瓦尔迪斯; S.拉尼; B.克瑙夫; J.邓; R.M.博斯托克
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2011-03-25
Filing date: 2012-03-23
Publication date: 2014-01-29
Anticipated expiration: 2032-03-23
Also published as: JP6053748B2; WO2012130768A9; WO2012130768A2; TWI477812B; EP2689282A2; DE102011006100A1; US20140055767A1; TW201250291A; DE102011006100A8; CN103547955B; WO2012130768A3; US9791691B2; EP2689282B1; JP2014512677A

Abstract

一种具有垂直于表面法线（41）延伸的总表面的反射镜阵列（22），包含多个反射镜元件（23），反射镜元件各具有反射表面（36）和至少一个位移自由度，其中反射镜元件（23）的全部形成反射镜阵列（22）的总反射表面的拼接部分，并且其中反射镜阵列（22）模块化地实施为瓦片元件，使得总反射表面的拼接部分可通过多个这种反射镜阵列（22）的铺砌来延伸。

Description

反射镜阵列

技术领域

本发明涉及一种反射镜阵列。本发明还涉及一种光学部件和包含该类型光学阵列的光学组件。本发明还涉及一种制造该类型光学部件和该类型光学组件的方法。此外，本发明涉及一种操纵光学部件的工具。最后，本发明涉及一种用于投射曝光设备的光学单元，一种用于EUV投射曝光设备的照明系统，一种投射曝光设备，一种制造微结构化或纳米结构化部件的方法，以及根据该方法制造的部件。

背景技术

从现有技术可知包含由多个单独反射镜构成的反射镜的光学组件。

例如，WO2010/049076A2公开了一种具有多个可移动的单独反射镜的反射镜阵列。

发明内容

本发明的一个目的是改进该类型的反射镜阵列。

利用权利要求1所述的特征来实现该目的。本发明的核心在于模块化地体现反射镜阵列，使得反射镜阵列的反射表面可通过并置多个该类型的阵列而以任意期望的方式延伸。这是由于以下事实而实现的：反射镜阵列体现为瓦片元件（tile element），因此基本上任意期望尺寸的表面可由该类型的阵列拼接而成。

在此以及在下文中，拼接应被理解为表示实际应用中始终出现的、两个瓦片元件（即，两个反射镜阵列）之间的距离是可忽略的，对于设想的应用尤其如此。由多个反射镜阵列构成的多阵列反射表面的填充程度优选为至少0.75，尤其是至少0.8，尤其是至少0.85，尤其是至少0.9，尤其是至少0.95。在这种情况下，术语填充程度表示总反射表面与总表面的比率。由于这种高填充程度，避免了辐射损失，换句话说，光通量（即，透射率）增加。

特别地，拼接是嵌合（tesselation）。作为可用于拼接，尤其是嵌合任意期望尺寸和形状的表面的瓦片元件的反射镜阵列的模块化实施例使得在制造反射镜（其反射镜表面是可调的）时有很大的灵活性。

可用该类型的反射镜阵列拼接的总表面面积可具有例如400x400mm²的大小。该总表面面积还可具有不同的大小。此外，可用阵列拼接的总表面的形状基本上如所期望。边界条件仅由单独反射镜阵列的总表面面积指定。特别地，该单独反射镜阵列的总表面面积在1mm²至10000mm²的范围内，尤其在10mm²至1000mm²的范围内，尤其在100mm²至500mm²的范围内。例如，单独反射镜阵列具有矩形的，尤其是正方形的总表面。然而，单独反射镜阵列还可以三角形或六角形的方式来实现。原则上，其他形状也是可能的。

反射镜阵列包含多个反射镜元件，多个反射镜元件形成反射镜阵列的总反射表面的拼接部分（parqueting）。在一些实例中，填充程度还指反射镜阵列的集成密度，优选至少为0.85，尤其是至少为0.9，尤其是至少为0.95。

反射镜阵列包含多个反射镜元件。该阵列的反射镜元件的数量尤其至少为4，尤其至少为16，尤其至少为64，尤其至少为256，尤其至少为1024。反射镜元件可尤其以矩阵状方式，即以行和列的方式布置。

反射镜阵列的反射镜元件各具有至少一个位移自由度。这用来表示各个反射镜元件的相对于底板或承载结构的一个位移自由度，该承载结构承载反射镜元件，并且反射镜元件相对于该承载结构是可移动的。反射镜元件各具有至少一个，优选至少两个，尤其是至少三个位移自由度。特别地，该反射镜元件包含至少一个倾斜/平移自由度。特别地，该反射镜元件具有两个倾斜自由度。这使反射镜阵列的总反射表面能够非常灵活地适合于各个要求。辐射波束，尤其是部分辐射波束因此可被根据本发明的反射镜阵列灵活地偏转。

辐射波束可为EUV辐射，尤其是具有在5nm和30nm之间的范围内，尤其是在10nm和15nm之间的范围内的波长。这在将反射镜阵列用在制造微结构或纳米结构部件，尤其是半导体芯片的投射曝光设备中时是尤其有利的。

根据权利要求2，反射镜阵列仅具有小的侧向突出部（侧向顶出（lateraloverhead））。因此，反射镜阵列，以及尤其是由多个阵列构成的多阵列反射表面的填充程度增加。在垂直于表面法线的方向上，反射镜阵列的总表面突出超过阵列的总反射表面至多5mm，尤其是至多3mm，尤其是至多1mm，尤其是至多0.5mm，尤其是至多0.3mm，尤其是至多0.2mm，尤其是至多0.1mm。侧向突出部（侧向顶出）与在相同方向上的总范围的比率尤其至多为0.1，尤其至多为0.05，尤其至多为0.03，尤其至多为0.02，尤其至多为0.01。该突出部比反射镜阵列在相同方向上的总范围小至少一个数量级。因此，实际上可无缝地并置多个反射镜阵列。反射镜阵列因此可以基本上密集装配的方式来布置，换句话说，基本上没有任何间隙。

本发明的另一目的是改进包含反射镜阵列的光学部件。

该目的借助于权利要求3的特征来实现。本发明的核心在于将反射镜阵列布置在承载结构上，使用投影原理相对于反射镜阵列布置该承载结构。在垂直于表面法线的方向上，承载结构突出超过反射镜阵列的总表面尤其至多5mm，尤其至多为3mm，尤其至多为1mm，尤其至多为0.5mm，尤其至多为0.3mm，尤其至多为0.2mm，尤其至多为0.1mm。优选地，承载结构根本不会突出超过反射镜阵列的总表面。换句话说，承载结构的侧向突出部为0。特别地，承载结构的垂直于表面法线的横截面等于反射镜阵列的横截面。因此，该类型的光学部件的密集装配布置变为可能。这导致高填充程度。原则上，还可将承载结构实现为具有负的侧向突出部，即，具有小于反射镜阵列的总表面的横截面。

优选地，光学部件模块化地实现。特别地，光学部件实现为瓦片元件，使得总反射表面可通过该类型的多个瓦片元件的铺砌（tiling）而以任意期望的方式延伸。

根据权利要求4，承载结构专门在边缘区域机械地连接至反射镜阵列。因此，反射镜阵列和承载结构之间的机械拆卸得到改进。原则上，还可在中央区域，尤其是专门在中央区域，将反射镜阵列机械地连接至承载结构。

特别地，边缘区域在垂直于表面法线的方向上的宽度精确地对应于反射镜阵列的总表面超出其总反射表面之外的侧向顶出。尽管边缘区域的宽度较小，但边缘区域以机械稳定的方式实现。这借助于承载结构由具有高机械稳定性的材料制成的事实而成为可能。举例来说，陶瓷材料、硅、二氧化硅、亚硝酸铝和氧化铝适合作为承载结构的材料。然而，其他材料同样是可想到的。机械稳定的承载结构的实施例改进了部件的机械可操纵性。此外，将另外的功能构成部分集成进承载结构因此成为可能。

承载结构具有位于面朝反射镜阵列一侧的切口。该切口在垂直于表面法线的方向上由边缘区域围绕。借助于切口，可以将光学部件的其它构成部分以节省空间的方式布置在承载结构中。此外，信号路径因此可缩短。

根据权利要求5，尤其可提供将用于控制反射镜元件位移的控制装置集成进承载结构中。所述控制装置可优选布置在承载结构的切口中。控制装置优选实现为所谓的专用集成电路（ASIC）（有时还称为电子位移电路）。可以成本效益地制造该类型的专用集成电路（ASIC）。此外，控制装置可非常灵活地适合于各个要求。控制装置可直接连结至反射镜阵列的面向承载结构的后侧。这避免了在具有最大信号密度和数量的区域中进行信号传导和重新分配。因此，可省略所谓的插入器。优选地，可设置所谓的倒装芯片接触来与ASIC进行接触。特别地，可将ASIC的所有接触连接布置在ASIC的同一侧上，尤其是在面向反射镜阵列的一侧上。原则上也可避免ASIC的穿孔电镀（through-plating）。这便于制造ASIC。特别地，反射镜阵列和ASIC之间的所有信号连接，尤其是所有电接触位于ASIC的同一侧。这使得可将所有线以单层布置在反射镜阵列的后侧上。这简化了制造工艺，并导致制造成本降低。

ASIC执行用于控制反射镜元件的信号处理任务的至少一部分。ASIC信号连接至中央控制装置。ASIC的空间上相邻的布置以及ASIC至反射镜元件的分配减少了对中央控制装置和反射镜元件的致动器之间信号传输的要求。因此，首先，光学部件的紧凑构造成为可能。其次，寄生电磁场的影响减少，干扰信号减少。

有利的是，在ASIC和承载结构之间可设置热界面。这使得可以经由承载结构消散来自ASIC的热量。该类型的热界面例如可实现为波纹状的金属箔，其也称为弹簧箔（spring foil），或为金属弹簧的阵列。

用于驱动反射镜阵列的信号线集成在承载结构中。在该情况下，信号流从位于承载结构的相对于反射镜阵列的相对侧上的电接口通过承载结构和ASIC到达反射镜阵列，或者在相反的方向上进行。承载结构中的信号线优选实现为电镀通孔，尤其是硅通孔（TSV）。特别地，该信号线可实现为填充有金的通孔。可以批量工艺来制造该类型的电镀通孔。

根据本发明已经认识到，对于光学部件的模块式构造，有利的是在最大可能的程度上减少从反射镜阵列平面直至接口的部件内的信号数量和密度。ASIC区域中的信号减少优选在4:1至7:1的范围内。具有较大信号减少的较大ASIC原则上也是可能的。在ASIC和接口之间的区域中提供另外的信号减少。特别地，所述另外的信号减少至少为4:1，尤其至少为10:1。这可通过特定信号的组合来实现，例如控制装置的电源电压。因此，首先减少必需的线路和/或接触，其次这种组合使接触连接中的冗余度增加。

可连续地驱动ASIC。这尤其使得所需的信号线减少。

借助于集成进承载结构中的信号线，可以在表面法线的方向上从各个光学部件传导电信号流及将电信号流传导至各个光学部件。首先可竖直集成部件的组成部分，其次可将信号流集成进所述组成部分中。原则上，还可实现从反射镜阵列至部件接口的完全竖直的信号传导。为了该目的，ASIC可设有电镀通孔，尤其是硅通孔（TSV）和双侧接触连接。因此，信号路径进一步缩短。此外，热路径（thermal path）也因此缩短。

此外，由于信号减少，可将光学部件的电接口最小化。根据权利要求6，将电接口布置在承载结构的相对于反射镜阵列的相对侧，即后侧。特别地，接口完全布置在承载结构的后侧上。接触的侧向布置可省略。结果改进了部件相对彼此的灵活可布置性。原则上，还可提供一个或多个附加接口，用于连接承载结构上侧向邻近布置的部件。

接口的连接可实现为接触销。它们优选地实现为集成进承载结构中的销，即所谓的“通孔”销。因此，首先，接口的制造变得容易，其次，尤其降低了在制造期间的损坏风险。作为其替代，以平坦的方式实现在承载结构的后侧上的电接触或插头连接接口也是可能的。以平坦的方式实现的接触增加了布置部件时的公差，即所需精度。因此，简化了部件的布置。

根据权利要求7，承载结构包含至少一个铁磁元件。因此，可以利用磁力操纵和/或固定部件。铁磁元件可实现为金属板或金属箔。铁磁元件还可以永磁方式实现。特别地，铁磁元件由永磁材料构成。铁磁元件可布置在承载结构的切口中，尤其在ASIC和承载结构之间。作为其替代或附加，该类型的铁磁元件可设置在承载结构的后侧。铁磁元件可结合在承载结构上。铁磁元件还可直接应用于，尤其是电解地应用于承载结构和/或ASIC。这导致磁性元件和承载结构之间特别可靠和稳定的连接。

本发明的另一目的是改进一种光学组件，其包含至少一个根据上面所提描述的部件。该目的通过权利要求8的特征实现。

本发明的核心在于借助于固定装置将至少一个光学部件固定在底板上。底板以机械刚性方式实现。因此这使组件具有结构稳定性。其同时充当散热片。可基本自由地选择底板的尺寸和形状。特别地，该选择独立于组件的其余部件的技术限制。底板可实现为平的。底板还可实现为弯曲的。底板有利地实现为具有良好热导率。底板具有至少为150W/（mK）的热导率。底板的热导率尤其可为220W/（mK），尤其至少为350W/（mK）。底板可尤其由金属，例如由铜或铝制成。底板的表面尤其可被抛光。原则上，底板还可由具有很低热导率的材料，尤其是石英或玻璃构成。在该情况下，提供所谓的“热通孔”，即填充有高热传导性材料（尤其是铜）的通孔。

为了改进对组件的冷却，尤其是传送热量远离光学部件，可附加地提供冷却系统。冷却系统热连接至底板。特别地，冷却系统可集成进底板中。在该情况下，冷却系统可专有地布置底板的预定区域中，尤其是边缘区域中。冷却系统还可以平行于底板的取向的方式布置在底板中。将冷却系统集成进底板中导致特别有利的冷却能力。还可将底板直接连接至分离的冷却系统。分离的冷却系统使其能够从底板机械拆卸。为了确保热量从底板流至冷却系统，在该情况下可提供具有高导热性的软元件。为此，铜缆，铜箔或由封装的高定向石墨（所谓的HOPG）构成的元件是特别合适的。因此，可避免由冷却液体的流动所激发的光学部件的反射镜元件的振动。

组件可包含多个上述类型的光学部件，该光学部件尤其实现为是相同的。根据权利要求9，组件包含至少五个光学部件。组件可尤其包含至少16个，尤其是至少64个，尤其是至少256个，尤其是至少1024个该类型光学部件。组件优选可以任意方式延伸。因此，这使得可非常灵活地将组件的尺寸和形状适配于相应要求。

优选地，邻近布置的部件之间的距离至多为1mm，尤其是至多为500μm，尤其是至多为300μm，尤其是至多为200μm，尤其是至多为100μm，尤其是至多为50μm。特别地，两个邻近布置的部件之间的距离至多具有与光学部件的总表面突出超过光学部件的总反射表面的绝对值相同的数量级。在底板上的光学部件的这种密集装配的布置确保以上述类型反射镜阵列几乎无隙拼接任意期望尺寸的表面。因此，这尤其使得可以可移动的反射镜元件拼接任意期望尺寸和/或以任意期望方式成形的表面。

根据权利要求10，至少一个光学部件以可更换的方式布置在底板上。特别地，可以无损方式更换该至少一个光学部件。这还增加了在底板上布置光学部件的灵活性。此外，在底板上可更换布置部件对于修理目的是有利的。原则上，还可将部件固定地连接至底板，尤其是粘附地结合至底板。因此，机械稳定性和/或热传导可得到改进。在这种情况下，固定装置例如实现为粘附层。

根据权利要求11，固定装置包含磁性工具。特别地，固定装置包含集成进底板的永久磁体。固定装置可具有附加的铁磁元件和/或电磁体。永久磁体可由适合真空的强磁性材料或相应的材料组合形成。特别地，钐-钴磁体或钕-铁-硼磁体是合适的。替代材料同样是可能的。固定装置的永久磁体可完全集成进底板中，即，完全由底板包围。该永久磁体可以封装的方式布置在底板中。原则上，底板中永久磁体的可更换布置也是可能的。

特别地，确定永久磁体的尺寸并布置永久磁体，使得永久磁体可用于对布置在底板上的部件施加至少10N的保持力。借助于磁体，部件因此可被牢固地固定在底板上。

在将安装和/或拆卸底板上的光学部件期间，尤其可省略热工艺。

尤其有利的是，将永久磁体布置在底板中，并将磁性元件布置在光学部件中，使得光学部件在底板上自动对准地取向。在该情况下，特别地，底板上的光学部件的位置可被限定在垂直于表面法线的方向上。可省略附加的机械对准工具。不言而喻，还可提供附加的机械对准工具。

有利的是，由固定装置的磁体施加在光学部件上的力是可调的。为了该目的，磁体和底板的面向光学部件的表面之间的距离是可调的。作为其替代和/或附加，通过至少暂时施加另外的磁场，可调整由固定装置的永久磁体施加在光学部件上的力。这种附加的、暂时的磁场可以特别简单的方式借助于附加电磁体产生。附加电磁体优选布置在永久磁体的相对于光学部件的相对侧上，尤其是在底板的后侧上。附加电磁体尤其可以能释放的方式布置在底板的后侧上。这具有以下优点：附加电磁体可布置在底板的后侧上，用于安装和/或拆卸底板上的部件，但是在底板已经装备了光学部件之后，附加电磁体可再次被移除。借助于附加电磁体，由永久磁体施加在光学部件上的力可被非常精确地和/或按照位置地补偿，即尤其是按照部件地补偿。这尤其使得可在底板和光学部件之间形成机械连接，使得至少在安装和/或拆卸过程期间形成所谓的零插入力接口（ZIF）。

此外，用于简化部件的取向的光学工具可设置在底板上。这进一步简化部件的安装。

为了简化部件的拆卸，开口可设置在底板中。该类型的开口使得能够以通过压缩空气支撑的方式来拆下部件。特别地，可将一个或多个开口布置在底板中，用于待布置在底板上的各个光学部件。

为了简化光学部件在底板上的安装，根据权利要求12，在底板中布置弹性接触销（sprung contact pin），即所谓的弹簧销，尤其是将其集成进底板中。所述弹簧销用于与位于光学部件的承载结构后侧上的电接口产生电接触。在将光学部件布置在底板上的期间，弹簧销尤其布置为使得其变为位于接口的电接触区域上。在该情况下，该类型销与光学部件的接触之间的接触电阻尤其至多为100mΩ。由于电流尖脉冲而出现的电压波动因小接触电阻而减小。此外，信号传输期间产生的热量因此也减少。

接触销优选布置成行。这使制造变得容易。特别地，接触销以陶瓷、玻璃或特氟纶（Teflon）铸造，并成组地集成在底板中。特别地，在各情况中，接触销可布置成行，尤其是在底板中的固定装置的磁体之间布置成双行。这种栅格状布置有助于组件的模块构造。

接触销支撑在两侧上的实施例是特别有利。接触销便于光学部件布置在底板上以及布置例如来自中央装置和/或电路板的信号线，或在底板的后侧上布置其它电子部件。

通过使用弹性的、尤其是双弹性的接触销，接触销和各个电接触的相应匹配表面之间的公差可变得宽松。在接触销的锥形实施例的情况中，公差精确对应于各自关联的电接触的匹配表面的直径的一半或边缘长度的一半。在具有1mm边缘长度的匹配表面的情况下，公差为0.5mm。这使底板的制造，尤其是其中的接触销的布置和/或安装更容易。因为多个电接触被提供用于待布置在底板上的各个光学部件，这种简化是尤其有利的。底板和单独光学部件之间的电接触的数量尤其至少为20个，尤其至少为30个，尤其至少为50个，尤其至少为70个。这个数量取决于光学部件的尺寸，尤其是该类型部件的反射镜阵列的反射镜元件的数量。

此外，布置电路板，尤其是陶瓷或金属电路板（PCB），用于信号拾取和底板后侧上的传导。这进一步使用于控制反射镜元件的信号传导更容易。因此，附加的电子部件，尤其是用于调节底板上的信号分布的电子部件可布置在底板的后侧上。该类型电子部件尤其可获得单独光学部件的校准数据。

本发明的另一目的是改进用于制造光学部件的方法。该目的借助于权利要求13的特征来实现。

本发明的核心在于完全以批量工艺（即在晶片级别）来执行所谓的封装，即反射镜阵列至承载结构的连接。可省略在芯片级别而不是在晶片级别进行的另外的工艺步骤。这显著简化了部件的制造。

本发明的另一目的是提供用于操纵上述部件的工具。该目的借助于权利要求14的特征来实现。

本发明的核心在于体现为包含用于产生单独可控制的保持力的至少一个电磁体和用于预定所述工具和光学部件之间的机械接触区域的间隔体元件的特征。

间隔体元件优选实现为使得在操纵光学部件期间，间隔体元件专有地与边缘接触，该边缘围绕反射镜阵列的反射表面行进。首先，这避免了与反射镜元件接触。其次，这确保承载结构区域中的工具不会沿侧向突出超过部件，即在垂直于表面法线的方向上。这使得能够以密集装配的方式将部件布置在底板上。

所述工具包含至少一个，尤其是多个，优选单独可驱动的电磁体。利用所述电磁体，首先，用于保持光学部件的保持力可产生，其次，由底板的固定装置的磁体施加在光学部件上的保持力可利用工具的磁体来补偿。因此，工具实现了在底板上的光学部件的特别软的、无振动的布置。

工具附加地具有至少一个，尤其是多个压敏传感器，用于监测光学部件对工具的应用压力。所述传感器可为调节装置的一部分，该调节部分调节由工具的磁体产生的保持力。此外，工具可具有一个或多个光学传感器，例如照相机，尤其是微型照相机，利用光学传感器，光学部件相对于底板的取向可被监测和/或对准。此外，可提供第一距离传感器，利用该第一距离传感器，可测量工具和光学部件之间的距离。在一个尤其有利的实施例中，工具具有至少一个，尤其是多个，尤其是至少三个距离传感器，利用该距离传感器，可测量工具关于底板的距离和取向，尤其是由工具保持的光学部件关于底板的距离和取向。此外，工具可具有至少一个，尤其是多个辅助装置，尤其是光学类型的辅助装置，用于支撑工具相对于底板的取向及因此支撑由工具保持的部件相对于底板的取向。此外，工具可包含定位系统，尤其是所谓的抓放机器人（Pick-and-Place robot）。从示例实施例的描述，另外的细节和优点将变得显而易见。

本发明的另一目的是详述用于制造光学组件的方法。该目的借助于权利要求15的特征来实现。

本发明的核心在于，针对将部件布置在底板上的目的，由固定装置的磁体施加在所述部件上的固定力至少部分地，尤其是全部地利用附加磁场来补偿。尤其仅暂时地（即，在相应部件的布置期间）补偿由固定装置的磁体施加在待布置的部件上的固定力。附加磁场例如可利用布置在用于操纵光学部件的工具中的一个或多个电磁体来补偿。附加磁场还可利用布置在底板的后侧的一个或多个磁体，尤其是一个或多个电磁体来补偿。由固定元件施加在待布置的部件上的固定力的补偿使得能够确保部件轻轻地，尤其是以无振动的方式位于底板上。这尤其实现了重复的无破坏性安装和单独光学部件的移除。在部件的特别时间性的安装期间，底板形成用于光学部件的所谓零插入力接口（ZIF）。假设由工具施加在光学部件上的保持力足够强，则在由固定装置的磁体施加在部件上的固定力仅部分地被补偿时，该保持力就足够了。

根据本发明的另外的有利方面，用于底板上的布置及从底板上移除的光学部件在所述部件的相对于底板的相对侧上专有地与工具接触。这具有以下优点：即使在将许多部件密集装配在底板上的情况中，仍可更换任意部件，即，再次移除和/或插入任意部件。为此目的，尤其不必须移除其余的部件。此外，对光学部件的该类型操纵防止接触期间对反射镜阵列和承载结构之间的接合区域的损坏。

本发明的其他目的是改进用于投射曝光设备的光学单元，尤其是照明和/或投射单元，改进用于EUV投射曝光设备的照明系统，以及还改进该类型的投射曝光设备。这些目的借助于权利要求16至18的特征来实现。优点对应于上述优点。

本发明的其他方面在于改进用于制造微结构或纳米结构部件，以及在于改进这样制造的部件。这些目的借助于权利要求19至20的特征来实现。优点同样对应于上文已经说明的优点。

附图说明

参考附图，基于对多个示例实施例的描述，本发明的另外的细节和优点将变得显而易见，附图中：

图1以子午截面示出具有照明系统和投射光学单元的、用于微光刻的投射曝光设备的示意图；

图2示出具有反射镜阵列（MMA）和由反射镜阵列照明的光瞳分面反射镜的投射曝光设备的照明系统的实施例；

图3示意地示出具有对应于照明设定的光瞳分面照明的、根据图2的光瞳分面反射镜的示例性俯视图；

图4示意地示出根据图2的照明系统，其具有反射镜阵列至光瞳分面反射镜的通道分配，该通道分配可由反射镜元件的位移产生；

图5示出具有对应于环形照明设定的光瞳分面照明的、根据图3的光瞳分面反射镜的示意性俯视图；

图6示出根据图2和4的反射镜阵列的两个反射镜元件的示意图，所述反射镜元件彼此并排布置；

图7示出穿过具有反射镜阵列（MMA）的光学部件的实施例的示意性横截面；

图8至图10示出穿过具有反射镜阵列（MMA）的光学部件的其它实施例的示意性横截面；

图11至图15示出光学部件的承载结构的示意图，用于阐明单独的细节；

图16示出具有四个光学部件的光学组件的示例性示图，该四个光学部件具有布置在底板上的反射镜阵列（MMA）；

图17示出穿过底板的实施例的横截面；

图18示出根据图17的底板的示意性俯视图，其中，集成在底板中的接触销和磁体的布置被示出用于阐明单独的细节；

图19和图20示出底板中的弹性接触销的布置和布置在底板的后侧上的电路板的两个替代实施例；

图21至图23示出底板的示意图，用于阐明冷却系统的不同实施例；

图24示出穿过具有布置在底板上的部件的光学组件的横截面；

图25示出底板上的部件的布置的示意图，用于阐明本发明其他方面；

图26至图34示出在制造光学部件期间的不同中间产品；

图35示意性地示出用于制造光学部件的方法的步骤；

图36示意性地示出用于操纵光学部件的工具的示图；

图37示意性地示出用于将部件布置在底板上的、用于制造根据图24的组件的方法的示图；以及

图38示意性地示出用于制造根据图24的组件的方法序列的方法步骤。

具体实施方式

首先，参考示图，在下文中描述投射曝光设备1的基本构造。

图1以子午截面示意性地示出用于微光刻的投射曝光设备1。除了辐射源3之外，投射曝光设备1的照明系统2还具有用于曝光物平面6中的物场5的照明光学单元4。可将物场5制成为例如具有为13/1的x/y纵横比的矩形或弓形。在该情况下，布置在物场5中的反射掩模母版（图1中未示出）被曝光，所述掩模母版具有由投射曝光设备1投射的结构，用于制造微结构或纳米结构半导体部件。投射光学单元7用于将物场5成像在像平面9中的像场8中。掩模母版上的结构成像至晶片的光敏层上，该晶片布置在像平面9中的像场8的区域中，图中未示出所述晶片。

在操作投射曝光设备1期间，在y方向上同步扫描由掩模母版保持架（未示出）保持的掩模母版和由晶片保持架（未示出）保持的晶片。根据投射光学单元7的成像比例，还可相对于晶片在相反方向上扫描掩模母版。

借助于投射曝光设备1，至少一部分掩模母版成像在晶片上的光敏层的区域上，用于制造微结构或纳米结构部件，尤其是半导体部件，例如微芯片。根据作为扫描曝光机或步进曝光机的投射曝光设备1的实施例，掩模母版和晶片在扫描操作中连续地或在步进操作中一步接一步地在y方向上以时间上同步的方式移动。

辐射源3为EUV辐射源，其具有在5nm和30nm之间的范围内的发射使用辐射。辐射源可包含等离子体源，例如GDPP源（气体放电产生的等离子体）或LPP源（激光产生的等离子体）。其他的EUV辐射源，例如基于同步加速器或自由电子激光（FEL）的辐射源也是可能的。

从辐射源3发出的EUV辐射10由聚光器11汇聚。例如从EP1225481获知相应的聚光器。在聚光器11的下游，EUV辐射10在照到具有多个场分面13a的场分面反射镜13之前传播通过中间焦平面12。场分面反射镜13布置在照明光学单元4的关于物平面6光学共轭的平面中。

EUV辐射10在下文中还称为使用辐射、照明光或成像光。

在场分面反射镜13的下游，EUV辐射10由具有多个光瞳分面14a的光瞳分面反射镜14反射。光瞳分面反射镜14位于投射光学单元7的入瞳平面中或关于该入瞳平面光学共轭的平面中。场分面反射镜13和光瞳分面反射镜14由多个单独反射镜构造，这在下文中将得到更详细的描述。在该情况下，将场分面反射镜13细分为单独反射镜可使通过其本身照明整个物场5的各个场分面13a正好由一个单独反射镜表示。替代地，至少一些或所有的场分面13a可由多个这种单独反射镜构造。这同样相应地应用于光瞳分面反射镜14的光瞳分面14a的构造，光瞳分面14a被分配给场分面13a，该光瞳分面都可由单个单独反射镜或由多个这种单独反射镜形成。

EUV辐射10以小于或等于25°的入射角照到两个分面反射镜13、14上，关于反射镜表面的法线测量入射角。因此，EUV辐射10以垂直入射操作范围照到两个分面反射镜13、14。还可应用掠入射。光瞳分面反射镜14布置在照明光学单元4的平面中，其构成投射光学单元7的光瞳平面或关于投射光学单元7的光瞳平面光学共轭。借助于光瞳分面反射镜14和传输光学单元15的形式的成像光学组件，场分面反射镜13的场分面以彼此叠加的方式成像在物场5中，传输光学单元15具有按EUV辐射10的光束路径的顺序标注的反射镜16、17和18。传输光学单元15的最后反射镜18为应用掠入射的反射镜（“掠入射反射镜”）。传输光学单元15与光瞳分面反射镜14一起还被称为后续光学单元，用于从场分面反射镜13向物场5传输EUV辐射10。利用多个照明通道，从辐射源3向物场5引导照明光10。各个所述照明通道分配有场分面反射镜13的场分面13a和布置在其下游的光瞳分面反射镜14的光瞳分面14a。通过致动系统，可倾斜场分面反射镜13的单独反射镜和光瞳分面反射镜14的单独反射镜，结果，可实现光瞳分面14a至场分面13a的分配的改变和照明通道构造的相应改变。这导致不同的照明设定，其不同之处在于物场5上的照明光10的照明角度的分布。

为了容易说明位置关系，在下文中使用全局笛卡尔xyz坐标系。x轴朝向图1的观察者垂直于示图的平面延伸。y轴朝向图1的右侧延伸。z轴在图1中向上延伸。

在从后面的示图中选择的示图中示出局部笛卡尔xyz坐标系，其中x轴平行于根据图1的x轴延伸，y轴与所述x轴一起横越相应光学元件的光学表面。

图2示出用于投射曝光设备1的照明系统19的替代构造。与上面参考图1已经说明的部件对应的部件具有相同的参考数字，并且将不再被详细讨论。

从辐射源3（同样可实施为LPP源）发出的使用辐射10首先由第一聚光器20收集。聚光器20可为抛物面反射镜，其将辐射源3成像至中间焦平面12，或将来自辐射源3的光聚焦在中间焦平面12中的中间焦点上。可操作聚光器20，使得以接近0°的入射角将使用辐射10施加至聚光器。然后，操作聚光器20接近垂直入射，并因此还称为垂直入射（NI）反射镜。以掠入射操作的聚光镜还可用于代替聚光器20。

布置在中间焦平面12下游的是场分面反射镜21，其为多或微反射镜阵列（MMA）形式，例如用于引导使用辐射（即，EUV辐射光束）的光学组件。下文中，多或微反射镜阵列（MMA）还称为反射镜阵列22。场分面反射镜21实施为微机电系统（MEMS）。场分面反射镜21具有以矩阵状形式布置成阵列中的行和列的多个单独反射镜。下文中，单独反射镜还称为反射镜元件23。反射镜元件23被设计为通过致动系统而倾斜，如下面将说明的。总体上，场分面反射镜21具有大约100000个反射镜元件23。取决于反射镜元件23的尺寸，场分面反射镜21还可具有例如1000、5000、7000个或者数十万个反射镜元件23，例如500000个反射镜元件23。

光谱滤波器可布置在场分面反射镜21的上游，所述光谱滤波器将使用辐射10与辐射源3发射的不能用于投射曝光的其他波长成分分开。光谱滤波器未被示出。

具有840W的功率和6.5kW/m²的功率密度的使用辐射10应用于场分面反射镜21。使用辐射10还可具有不同的功率和/或功率密度。

分面反射镜21的整个单独反射镜阵列具有500mm的直径，并以密集装配有反射镜元件23的方式来设计。全部场分面阵列的面积覆盖范围（还称为填充程度或集成密度）至少为70%。除了缩放比例因子之外，只要场分面21a在各个情况中均正好实现为一个反射镜元件23，反射镜元件23代表物场的形式。分面反射镜21可由500个反射镜元件23形成，该500个反射镜元件23分别代表场分面21a且在y方向上具有大约5mm的尺寸，在x方向上具有100mm的尺寸。作为通过正好一个反射镜元件23实现各场分面21a的替代，各场分面21a可由较小反射镜元件23的组形成。例如利用具有5mmx5mm的尺寸的1x20的反射镜元件23的阵列至具有0.5mm x0.5mm的尺寸的10x200的反射镜元件23的阵列，可构造在y方向上具有5mm的尺寸而在x方向上具有100mm的尺寸的场分面21a。根据本发明，反射镜元件23到场分面21a的分配是灵活的。特别地，场分面21a首先由反射镜元件23的适当驱动来限定。反射镜元件23的形式与宏观场分面的形式无关。

使用光10从分面反射镜21的反射镜元件23反射，朝向光瞳分面反射镜14。光瞳分面反射镜14具有大约2000个静止光瞳分面14a。静止光瞳分面14a布置为彼此并排的多个同心环，使得最内环的光瞳分面14a以扇形形式构造，与最内环直接相邻的环的光瞳分面14a以环-扇形形式构造。在光瞳分面反射镜14的四分之一部分中，光瞳分面14a在各个环12中可彼此并排出现。各光瞳分面14a可实施为反射镜阵列22。

使用光10从光瞳分面14a反射，朝向布置在物平面6中的反射掩模母版24。然后，接着是投射光学单元7，如上面根据图1关于投射曝光设备所的说明。

传输光学单元15可在此设置在分面反射镜14和掩模母版24之间，如上面根据图1关于照明光学单元4的说明。

图3举例示出光瞳分面反射镜14的光瞳分面14a的照明，用该照明可大约实现根据图2的常规照明设定。在光瞳分面反射镜14的两个内部光瞳分面环中，在圆周方向上照明各第二个光瞳分面14a。图3中的该替代照明意在表示以下事实：在该照明设定的情况中实现的填充密度比环形照明设定的情况小了2倍。同样，在两个内部光瞳分面环得到均匀照明分布，但是其占有密度小了2倍。图2中示出的两个外部光瞳分面环未被照明。

图4示意性地示出了照明光学单元4的情况中的条件，在此设置了环形照明设定。借助于致动器（将在下面说明），通过致动器系统倾斜场分面反射镜21的反射镜元件23，使得利用使用辐射10照明在光瞳分面反射镜14上的环扇形光瞳分面的外部环。光瞳分面反射镜14的该示例性照明在图5中示出。基于一个反射镜元件23的示例，在图4中举例示出用于产生该照明的反射镜元件23的倾斜。

为了将照明设定从图2改变到图5，反射镜元件23枢转倾斜角度。反射镜元件23尤其枢转在至少±50mrad，尤其是至少±80mrad，尤其是±100mrad范围内的倾斜角度。相应倾斜位置以至少0.2mrad，尤其是至少0.1mrad，尤其是至少0.05mrad的精度符合该情况。

反射镜元件23具有多层涂层，用于优化反射镜元件23在使用辐射10的波长下的反射率。在投射曝光设备1的操作期间，多层涂层的温度不应超过425K。这利用反射镜元件23的构造（在下文中举例说明的）来实现。如图2示意性所示，照明光学单元4的反射镜元件23容纳在可排空腔25中。图2仅示意性示出可排空腔25的边界壁26。腔25经由流体管线27与真空泵29联通，流体管线27中设有断流阀28。可排空腔25的工作压力为几Pa（H2分压）。所有的其他分压明显低于10^-7mbar。

反射镜元件23布置在基板30中。基板30经由导热部分31机械连接至镜体32。导热部分31的部分为允许镜体32相对于基板30倾斜的关节体33。关节体33可实施为固态关节，但允许镜体32例如绕一个或两个倾斜轴（尤其是互相垂直布置的两个）倾斜限定的倾斜自由度。关节体33具有固定至基板30的外部保持环34。此外，关节体33具有以铰接方式连接至外部保持环34的内部保持体35。所述保持体中心地布置在反射镜元件23的反射表面36的下方。间隔体37布置在中央保持体35和反射表面36之间。

沉积在镜体32中的热量，尤其是通过对照射的使用辐射10的吸收而产生的热量经由导热部分31，即经由间隔体37、中央保持体35和关节体33，以及外部保持体34，朝向基板30消散。至少10kW/m²，尤其是至少30kW/m²，尤其是至少50kW/m²的热功率密度可经由导热部分31消散进基板30中。取决于反射镜元件23，消散进基板30中的热功率可为至少2.5mW，尤其是至少7.5mW，尤其是至少12.5mW。替代地将导热部分31设计为用于使由镜体32吸收的至少为1kW/m²的热功率密度，或至少为0.25mW的功率消散进基板30中。吸收的功率除了是吸收的来自辐射源3的使用辐射10之外，还可是例如吸收的电功率。

在保持体35的相对于间隔体37的相对侧上，致动器销38布置在所述保持体上。致动器销38可具有比间隔体37小的外部直径。致动器销38还可具有与间隔体37相同或比间隔体37大的直径。

基板30形成环绕致动器销38的套筒。在各个情况下，总共三个电极54集成在套筒中，该电极以彼此电绝缘的方式布置，并在各情况中在圆周方向上大约只延伸小于120°。电极54构成关于致动器销38的相反电极，致动器销38的在该实施例中实施为电极销。在该情况下，致动器销38可尤其实施为中空圆柱体。原则上，还可为每个致动器销38提供不同数量的电极54。特别地，可为每个致动器销38提供四个或更多的电极54。通过在一个或更多的电极54和致动器销38之间产生电势差，可在致动器销38上产生静电力，该力可导致反射镜元件23的偏转，如在图6中的右半部分举例说明的。

特别地，基板30可由硅晶片形成，硅晶片上布置有反射镜元件23的整个阵列。

致动器销38还可为洛伦兹致动器的一部分。在该情况下，永久磁体布置在致动器销38的自由端处。可将永久磁体定向为使得其n极和s极沿着致动器销38并排布置。例如从US7145269B2可知该类型洛伦兹致动器。可以批量工艺将洛伦兹致动器制造为微机电系统（MEMS）。利用该类型洛伦兹致动器可达到20kPa的力密度。力密度被限定为致动器力和致动器力作用的致动器面积的比例。致动器销38的横截面可用作致动器力作用并需要考虑的致动器面积的度量。

作为对洛伦兹致动器实施例的替代，用于倾斜反射镜元件23的致动器可实施为磁阻致动器（例如以WO2007/134574A所述方式），或为压电致动器。利用磁阻致动器可实现50kPa的力密度。根据构造，利用压电致动器可实现50kPa至1MPa的力密度。

尤其是关于单独反射镜23在基板30中的布置和单独反射镜的利用致动器实现的可枢转性，以及关节体和导热部分31的实施例的进一步细节，应参考WO2010/049076A2。

参考图7至15，在下文中将描述具有反射镜阵列22的光学部件40。具有反射镜元件23和基板30的反射镜阵列22具有垂直于表面发现41延伸的总表面。反射镜阵列22包含多个反射镜元件23，各个反射镜元件23具有反射表面36和两个位移自由度。一般来说，反射镜元件23具有至少一个位移自由度。反射镜元件23还可具有三个或更多的位移自由度。反射镜元件23尤其具有至少一个倾斜自由度，优选至少两个倾斜自由度。反射镜元件23还可具有一个平移自由度。反射表面36可具有0.5x0.5mm、1x1mm、4x4mm、8x8mm或10x10mm的范围。反射表面还可与方形偏离。反射表面36的其他尺寸同样是可能的。

反射镜阵列22尤其具有至少4个，尤其是至少6个，尤其是至少64个，尤其是至少256个，尤其是至少1024个反射镜元件23。反射镜元件23优选布置为矩形，尤其是方形矩阵。反射镜元件23具有方的横截面。反射镜元件23原则上还可实施为三角形、矩形或六角形的形式。反射镜元件23实施为拼接元件。反射镜元件23全体形成反射镜阵列22的总反射表面的拼接部分。特别地，该拼接为嵌合。反射镜元件23尤其以密集装配方式布置。反射镜阵列尤其具有至少0.85，尤其是至少0.9，尤其是至少0.95的填充度。在该情况下，填充度（在某些例子中还称为集成度）表示总反射表面（即反射镜阵列22的所有反射镜元件23的反射表面36的总和）与阵列22的总表面的比例。

反射镜元件23的反射表面36实施为平的。原则上，其还可实施为凹的或为凸的，或为自由表面。

反射镜元件23的反射表面36尤其设有（多层）涂层，用于优化该反射表面在使用辐射10的波长下的反射率。特别地，多层涂层使得能够反射具有在EUV范围内，尤其是在5nm至30nm范围内的波长的使用辐射10。

模块化地实施反射镜阵列22。特别地，反射镜阵列还可实施为瓦片元件，使得反射镜阵列22的总反射表面的拼接部分可通过多个该类型元件（即多个相同实施的反射镜阵列22）的铺砌而以任意期望的方式延伸。在该情况下，使用不同的术语“拼接”和“铺砌”仅为了区分用反射镜元件23进行的单独反射镜阵列22的总表面的拼接和用多个反射镜阵列22进行的多反射镜阵列的拼接。二者都表示在一个平面中的无隙和无叠加覆盖的简单连接领域。即使总反射表面的覆盖在该情况中优选是完全无隙的（这由填充度<1表示），则术语拼接和铺砌在下文中用于假设填充度具有上面指定的值（尤其是至少0.85）。

反射镜元件23由基板30保持。基板30具有在垂直于表面法线41的方向上延伸的边缘区域42。边缘区域42尤其布置为圆周地围绕反射镜元件23。边缘区域在垂直于表面法线41的方向上具有宽度b，该宽度尤其至多为5mm，尤其至多为3mm，尤其至多为1mm，尤其至多为0.5mm，尤其至多为0.3mm，尤其至多为0.2mm。反射镜阵列22的总表面因此在垂直于表面法线41的方向上突出超过总反射表面，即，在总反射表面的外部边缘之外至多5mm，尤其至多3mm，尤其至多1mm，尤其至多0.5mm，尤其至多0.3mm，尤其至多0.2mm。

反射镜阵列22的总表面在1mm x1mm至50mm x50mm的范围内，尤其在10mm x10mm至25mm x25mm的范围内。原则上，其他尺寸同样是可能的。特别地，该表面还可偏离方形。反射镜阵列22的总表面的超出其反射表面的突出部还称为侧向顶出。侧向顶出与在相同方向上的总范围的比例至多为0.1，尤其是至多为0.05，尤其是至多为0.03，尤其是至多为0.02，尤其是至多为0.01。因此，侧向突出部比反射镜阵列22的总反射表面的总范围小了至少一个数量级。

除了反射镜阵列22之外，光学部件40包含承载结构43。承载结构43以在表面法线41的方向上相对于反射镜阵列偏移，尤其是关于反射镜阵列邻近的方式布置。承载结构43优选具有等于反射镜阵列22的基板30的横截面的横截面。承载结构43通常在垂直于表面法线41的方向上突出超过基板30，并因此在反射镜阵列22的总表面之外至多5mm，尤其是至多3mm，尤其是至多1mm，尤其是至多0.5mm，尤其是至多0.1mm，尤其是至多0.05mm，尤其是一点也没突出。该类型的布置还称为根据“阴影投射原理”的布置。特别地，这被理解为表示承载结构43在表面法线41的方向上完全布置在反射镜阵列22的总表面的平行投影中。

承载结构43由陶瓷和/或含硅和/或含铝材料构成。这使反射镜阵列22能够消散热量以及具有高的机械稳定性。承载结构43的材料的示例包括陶瓷材料、硅、二氧化硅、氮化铝和氧化铝（例如Al₂O₃陶瓷）。特别地，承载结构43可由晶片制成。承载结构43还可由石英或设有所谓的热过孔的玻璃晶片形成。

承载结构43具有在一侧敞开的切口44。切口44形成在一侧敞开的容纳空间，用于接收另外的功能构成部分。在表面法线41的方向上，切口44在其与反射镜阵列22相对的一侧上由承载结构的基部45定界。切口44在侧向（即，在垂直于表面法线41的方向上）由承载结构43的边缘区域46定界。边缘区域46具有在垂直于表面法线41的方向上的宽度bc。在该情况下，0.5x b≤b_C≤2x b适用。特别地，承载结构43的边缘区域46可与基板30的边缘区域42刚好一样宽，即b=bc。

承载结构43专有地在所述边缘区域46机械地连接至反射镜阵列22。密封元件61布置在承载结构43和反射镜阵列22之间。密封元件61集成在反射镜阵列22的基板30的后侧48上的金属化中。密封元件61还可实施为布置在承载结构43的边缘区域46上的密封环。因此，至少在部件40的制造期间，封装由切口44形成的容纳空间，即，以液密方式，尤其是以气密方式封闭。原则上，可以封装方式，即以液密方式、尤其是以气密方式封闭的方式布置ASIC52。这还在反射镜阵列22和ASIC52之间需要连续中间层（图中未示出）。

多个信号线47集成在承载结构43中。信号线47实施为电镀通孔，即所谓的“过孔”。信号线直接接合至反射镜阵列22的后侧48上，所述后侧为反射表面36的相对侧。信号线附加地设置有接触元件50，其在反射镜阵列22的相对侧上，即在承载结构43的后侧49上。各个部件40可具有多于30个，尤其是多于50个，尤其是多于70个的信号线47。此外，信号线47用作控制反射镜元件23的位移的控制装置51的电源。控制反射镜元件23的位移的控制装置51集成在承载结构43中。特别地，控制装置51实施为专用集成电路（ASIC）。部件40可具有多个ASIC52。部件40包含至少一个ASIC52，尤其是至少两个，尤其是至少四个，尤其是至少九个，尤其是至少16个，尤其是至少25个，尤其是至100个ASIC52。在该情况下，各ASIC52信号连接至至少一个反射镜元件23，尤其是多个反射镜元件23（尤其是至少两个，尤其是至少四个，尤其是至少八个反射镜元件23）。关于用于移动反射镜元件23的致动器的控制细节，应参考WO2010/049076A2。

到ASIC52的信号线47从承载结构43的后侧49通过承载结构43，到达反射镜阵列22的后侧48上，由此沿着反射镜阵列22的后侧48并经由倒装芯片接触53至ASIC52上。关于倒装芯片技术的说明可参考“Baugruppentechnologie der Elektronik-Montage”（“电子装配的组合技术”）一书（编者：Wolfgang Scheel，第二版，Verlag Technik，柏林，1999）。因此，到集成的或局部驱动器电子装置的信号线通向反射镜阵列22的后侧48。ASIC52上产生并用作控制一个反射镜元件23的位移的控制电压经由另外的倒装芯片接触53施加在反射镜阵列22的后侧48，到达相应电极54。因此，ASIC52中的一个的所有电接触连接位于ASIC52的相同侧上。它们尤其位于ASIC52的面向反射镜阵列22的一侧上。因此，可避免双侧接触连接和原则上同样是可能的ASIC52的通孔电镀。信号线47的这种布置的进一步优点在于，所有信号线47可为设在反射镜阵列22的后侧48上的单个金属层。这导致对制造工艺的简化以及因此减少制造成本。

此外，信号线47实施并布置为使得特定信号线47一起设在承载结构43的面向反射镜阵列22的前侧43a上及/或所述承载结构的后侧49上。举例来说，用于ASIC52的电源的信号线47连接在一起。这导致承载结构43的区域中的信号减少。特别地，承载结构43的区域中的该信号减少为至少10:1。

在承载结构43的后侧49上，部件40具有电接口55。特别地，电接口55完全布置在承载结构43的后侧49上，所述后侧为相对于反射镜阵列22的相对侧。原则上是可能的侧向接触可完全省略。因此，在信号流动期间，还符合“阴影投射原理”（参考图25）。因此，部件40的组成部分和部件中的信号及热量流定向在表面法线41的方向上。因此，部件40具有竖直集成。

在图7所示的实施例的情况中，电接口55具有应用在承载结构43的后侧49上的多个接触销56。作为其替代，电接口55的接触元件50还可以平面方式实施，如图9举例所示。

替代地，电接口55的接触元件50还可实施为承载结构43中的集成销。在该情况下，在承载结构43的后侧49的区域中，部分地不覆盖承载结构43中的电镀通孔（过孔）（例如实施为填充有金的通孔）。这尤其可通过将承载结构43的环绕电镀通孔的部分材料蚀刻掉来实现。那么，电镀通孔的未覆盖部分形成接触元件50。

此外，承载结构43包含铁磁元件57。承载结构尤其包含至少一个铁磁元件57。还可提供多个铁磁元件57。铁磁元件57实施为金属板或金属箔。铁磁元件57还可实施为永久磁性元件。根据图7和9中举例示出的实施例，金属箔57布置在承载结构43的切口中。特别地，所示金属箔固定地连接至承载结构43。例如，金属箔可接合至承载结构43上。金属箔还可粘接至承载结构43上。同样可能的是，铁磁金属层直接电解沉积在承载结构43上作为铁磁元件57。如图10中举例示出的，金属箔57还可布置在承载结构43的后侧49上。原则上，金属箔57在切口44中和在承载结构43的后侧49上的布置组合也是可能的。

金属箔57可尤其布置在ASIC52和承载结构43的基部45之间。在该情况下，所述金属箔还可形成ASIC52和承载结构43之间的热界面。该情况下，有利的是金属箔57实施为软的、波纹状金属箔，即所谓的弹簧箔。

此外，附加的导热元件78可布置在ASIC52和承载结构43的基部45之间，尤其是在ASIC52和金属箔57之间。还可提供多个导热元件78。特别地，ASIC52可至少部分地嵌入切口44中的导热元件78。ASIC52和承载结构43的基部45之间的这种热界面改进了热流通过部件40的竖直集成。在该情况下，来自反射镜阵列22和尤其来自ASIC52的热量可直接消散到承载结构43的基部45并通过该基部，即基本上在表面法线41的方向上。

此外，部件40具有定向元件58。定向元件58可为定位装置的部分，定位装置首先有助于部件40的夹紧和操纵，其次有助于部件40在底板59上的布置和定向，这将在下文中得到更详细描述。特别地，定向元件48可光学地、机械地或电地实施。定向元件58尤其布置在反射镜阵列22的基板30的边缘区域42中。因此，定向元件58布置在部件40的前侧60上。定向元件58可相应地设在操纵结构43的后侧49的。特别地，在操纵结构43的后侧49上的定向元件58可实施为使得由于与底板59的相应元件的相互作用，造成定向元件58与底板59上的部件40的自对准。定向元件58还防止底板59上的部件40滑动。因此，定向元件58造成确保部件40的预定布置和定向。

参考图8，在下面描述部件40的另一实施例的各方面。相同的部分具有与上述示例实施例一样的参考符号，在此参考上述示例实施例的描述。

图8示意性地示出通过部件40的电接触和信号线47的主要细节。在该实施例中，信号线47通过ASIC52a。为此目的，ASIC52a设有所谓的电镀通孔，尤其是硅通孔（TSV）。电镀通孔为双侧电接触连接。因此，通过部件40a的信号路径进一步缩短。短路的风险因此降低。此外，热阻降低。这有助于竖直集成和侧向突出物的进一步减少。

参考图11至14，在下文中描述承载结构43的其他方面。特别地，可在图11至13中识别到实施为电镀通孔（穿透通孔）的信号线47。信号线尤其布置为彼此相对的两列。原则上，还可将信号线47布置在一列或多于两列，尤其是至少三列，尤其是至少四列或更多的列中。特别地，信号线还可布置在切口44的全部四个侧上。信号线47例如还可布置在双列，尤其是偏移的双列中。

在图11至14示出的实施例中，铁磁金属箔57应用于承载结构43的后侧49上。铁磁金属箔57具有两个条状，尤其是矩形的开口62，用于与接触元件50接触。在图11和12中额外强调用于与反射镜阵列22接触的接触元件63。接触元件63同样布置为彼此相对的两列。还可想到替代布置。此外，举例示出用于承载结构43内信号减少的连接线64。示图举例示出利用该类型连接线64，多个接触元件63可如何引导到相同的信号线47，即与相同的信号线电接触。信号线47的数量，尤其是承载结构43的接触元件63的数量可显著大于图11至14示出的数量。承载结构43的后侧49上的接触元件50的数量尤其在10至200的范围内，尤其在40至150的范围内。通过承载结构43的信号线47的数量尤其至少与承载结构43的后侧49上的接触元件50的数量具有相同的大小。通过承载结构43的信号线47的数量尤其在10至300的范围内，尤其在30至200的范围内，尤其至少为50，尤其至少为100。用于与反射镜阵列22接触的接触元件63的数量尤其至少与信号线47的数量具有相同的大小。原则上，还可连接多个信号线47和单独接触元件63。在该情况中，接触元件63的数量还可小于信号线47的数量。接触元件63的数量尤其在10至1000的范围内，尤其至少为50，尤其至少为100。

图15举例示出反射镜阵列22的后侧48上的接触。在该情况中，为说明目的以虚线方式举例示出位于下方的ASIC52的位置。在该实施例中，密封环61集成至在反射镜阵列22的基板30的金属化后侧48。对于各个ASIC52，在反射镜阵列22的后侧48提供以矩阵状形式布置的倒装芯片接触53的组。此外，举例示出在各个情况中的四个信号线47，其用作ASIC52的电源和输入信号（尤其是数字输入信号）供应。因此，信号线47尤其是电压供应导线和/或控制ASIC52的数据线。在该情况中，信号线47的组可用于供应多个ASIC52。因此发生信号的减少。同样提供倒装芯片接触53用于将信号线47连接至ASIC52。所有的接触53和信号线47都可被结构化，即集成在反射镜阵列22的后侧48上的单个金属层中。原则上，在反射镜阵列22的后侧48上的金属化多层实施例同样是可能的。关于ASIC52的电压和信号供应的示例性细节和利用ASIC52对反射镜阵列22的致动器的控制，应参考WO2010/049076A2。

部件40形成自包含功能单元。

参考图16至24，在下面描述光学组件65的细节和特点。组件65可用作例如投射曝光设备1的照明光学单元4的分面反射镜13、14。原则上，组件65还可为投射曝光设备1的投射光学单元7的一部分。如图16中高度示意性所示，组件65包含底板59和多个上述的光学部件40、40a。底板59形成用于光学部件40的机械支撑元件。底板59具有的尺寸和形状可自由地选自对底板59的材料进行的材料处理，尤其是金属处理的可能性。此外，底板59用于冷却光学部件40。部件40、40a布置在底板59上。部件40、40a利用固定装置66固定在底板59，这在下文中将得到更详细的描述。由于部件40的组合构造，原则上可将任意期望数量的部件40布置在底板59上。部件40的数量和布置仅由底板59的尺寸限制。一般而言，组件65的光学部件40的数量至少为1，尤其是至少为5，尤其是至少为16，尤其是至少为64，尤其是至少为256。部件40尤其布置在底板59上，使得部件40基本上无隙地拼接底板59的预定区域。部件40尤其以密集装配的方式布置在底板59上。相邻部件40布置为在底板59上彼此相隔距离d。相邻布置的部件40之间的距离d尤其至多为1mm，尤其至多为500μm，尤其至多为300μm，尤其至多为200μm，尤其至多为100μm，尤其至多为50μm。相邻布置的部件40之间的距离d尤其至多与单独部件40的侧向顶出的大小相同。由于单独部件40的竖直集成，因此可通过在底板59上的部件40的布置制造基本上任意形状的，尤其是任意尺寸的总反射镜表面。

根据一个有利实施例，可更换，尤其是以非破坏性方式更换布置部件40于底板59上。作为替代，可将部件40固定连接至底板59。部件40可例如利用粘接层（图中未示出）而连接至底板59。特别地，部件40和底板59之间的热传导因此可得到进一步改进。

部件40和底板59之间的热阻优选小于1K/W。底板59由具有良好导热性的材料构成。特别地，底板59由金属，例如铜、铝或所述元素的化合物构成。底板59在其面向部件40的前侧67具有抛光表面。这改进了部件40和底板59之间的机械和/或热和/或电接触。特别地，由于对表面的抛光，从部件40至底板59的热传递阻抗可降低。

为了改进对组件65的冷却，尤其是对光学部件40的冷却，组件65具有冷却系统68。冷却系统68可包含一个或多个冷却线70，冷却流体69可应用于冷却线70。各冷却线70包含供给线71、集成在底板59中的冷却部分72和排放线73。供给线71和排放线73都布置在底板59的后侧74，所述后侧为与光学部件40相对的侧。特别地，气体或液体适合作为冷却流体69。

冷却系统68可具有一个或多个冷却线70。冷却线70可以分布在底板59的周界上的方式布置。还可将冷却线70仅布置在底板59的特定周界区域中，尤其是仅在底板59的一侧。如图21所示，冷却部分72可仅布置在底板59的边缘区域中。在该情况中，所述冷却部分尤其以曲折形式实施。

图22示出冷却系统68的替代实施例。在该实施例中，冷却线70，尤其是冷却部分72以平行于底板59的范围的方式布置，即尤其垂直于表面法线41。在该实施例中，冷却部分72也集成在底板59中。冷却线70，尤其是冷却部分72的这种布置使得可降低，尤其是避免底板59中的侧向温度梯度。

图23示出冷却系统68的另一替代或附加实施例。在该实施例中，冷却线70布置在分离的冷却板75中。冷却板75布置为与底板59相隔一距离。特别地，冷却板75从底板59机械解耦。冷却板75可尤其以在表面法线41的方向上关于底板偏移的方式布置。为了确保从底板59至冷却板75的充足热量流，提供多个导热元件76。导热元件76为具有高导热性的机械上软的元件。举例来说，铜缆、铜箔或其他专用于热传导的机械上软的元件适合用于导热元件76。在特别有利的实施例中，导热元件76可由封装的高定向石墨（HOPG）制成。

原则上，底板59从冷却板75的机械解耦可进一步通过附加地机械阻尼元件77来改进，该机械阻尼元件布置在底板59和冷却板75之间。在冷却系统65的该实施例中，可减少由流到底板（尤其是到布置在其上的部件40，尤其是到反射镜元件23）的冷却液体激发的振动的传输，尤其是可将避免至少90%的程度。这改进了反射镜元件23的位置稳定性，并因此改进组件65的部件40的反射镜阵列22的光学质量。

原则上，还可不同地布置冷却板75，例如以关于底板59侧向偏移的方式布置。此外，冷却板75可具有导线通过开口（图23中未示出），用于引导电信号线通过，到达底板59。

因此，冷却系统68可直接或间接地连接至底板59。特别地，冷却系统68可以集成在所述底板中的方式，或利用导热元件76与所述底板分离但连接至所述底板的方式实施。

下面更详细地描述固定装置66。固定装置66包含至少一个，尤其是多个磁性构件。因此，固定装置66还称为磁性固定装置66。固定装置66尤其包含多个永久磁体79的布置。永久磁体79布置为使得永久磁体79的n极和s极分别在表面法线41的方向上彼此并排布置。对于布置在底板59上的各个部件40，具有相互相反极性的两个永久磁体79以在垂直于表面法线41的方向上彼此并排布置的方式布置。同样地，对各部件40而言，可有不同数量的永久磁体79。特别地，还可为各个部件40提供一个、四个或八个永久磁体79。选择永久磁体79的布置，使得由永久磁体79施加在部件40上的保持力得到优化。

固定装置66，尤其是永久磁体79集成在底板59中。

此外，永久磁体79包含铁磁元件80。附加的铁磁元件80同样集成在底板59中。铁磁元件80用于放大由永久磁体79产生的磁通量。

利用固定装置66，磁性保持力可被施加在光学部件40上，尤其是光学部件40的铁磁元件57上。分别由固定装置66的永久磁体79施加在部件40上的保持力尤其至少为10N。该保持力为可调整的。这例如通过调整固定装置66的永久磁体79和部件40的铁磁元件57之间的距离来实现。

永久磁体79和铁磁元件57之间的距离的范围高达1cm，尤其是在100μm至1mm的范围内。

永久磁体79可有利地布置在底板59中，使得底板59上的部件40的自对准定向在其与部件40的铁磁元件57相互作用时发生。

在一个有利实施例（参考图37）中，固定装置66可具有附加的电磁体81。在该情况中，电磁体81优选布置在永久磁体79相对于部件40的相对侧上，尤其是在底板59的后侧47上。电磁体81可尤其以可释放方式布置在底板59的后侧74上。利用电磁体可产生附加的暂时磁场。因此，可暂时补偿由永久磁体79施加在光学部件40上的保持力。因此，利用电磁体81，可实施固定装置66，使得底板59和光学部件40中的一个之间的机械连接尤其在安装/拆卸过程期间形成所谓的零插入力接口（ZIF）。

此外，底板59包含用于产生与光学部件40的接口55的电接触的工具。这些工具实施为接触销82。接触销82集成在底板59中的切口83中。接触销82布置成列。特别地，接触销82分别布置在固定装置66的永久磁体79的两个相互相对侧上（参考图18）。特别地，接触销82布置为用于固定相邻部件40的永久磁体79之间的双列。特别地，接触销82的布置精确地对应于光学部件40的后侧49上的接口55的接触元件50的布置。接触销82布置为使得在部件40布置在底板59上时，相应接触销82形成与所述部件的接口55的接触元件50的电接触。特别地，在各情况中，接触销82和接触元件50之间的接触电阻至多为100mΩ。在一个有利实施例中，在两侧敞开的通道89的栅格布置在底板59上。通道89从底板59的前侧67延伸远至底板59后侧74。特别地，在各情况中，通道89布置在固定装置66的两个永久磁体79之间。因此，通道89布置为使得其在各情况中均关于光学部件40中央地布置。压缩空气可施加在通道89中，从而有助于部件40的拆卸。

为了促使在接触销82和部件40的接口55的相关接触元件50之间形成电接触，接触销82在各个情况中均为弹性的，即实施为弹性接触销，简称为弹簧销。特别地，接触销82可实施为双侧都具有弹性。特别地，弹性销82可以成组的组合方式铸造进入电绝缘基板84，例如由陶瓷、玻璃或聚四氟乙烯构成。基板84作为整体包含在底板59中。该类型的实施例确保在底板59中的接触销82的特别简单的布置，以及因此有助于其制造方法。

在底板59的后侧74上，接触销82在各个情况中均与电路板85电接触。特别地，接触销82由陶瓷或金属材料构成。特别地，电路板85可为印刷电路板（PCB）。电路板85用于利用ASIC52接收和传送用于控制单独反射镜23的信号。特别地，单独光学部件40的校准数据可存储在应用于电路板85上的附加微芯片/ASIC。特别地，组件65包含多个电路板85。电路板85实施为条状形式。特别地，电路板85以对应于接口55的接触元件50的布置的方式布置在底板59的后侧74上的平行条中。在各情况中均可提供一个电路板85用于双列接触销82。电路板85固定连接至底板59。电路板85可释放地连接至底板59。特别地，用螺丝钉将电路板85拧至底板59。在各情况中，用于每个电路板85的多个连接螺丝钉86用于该目的。当用螺丝钉将电路板85拧至底板59时，电路板85上的接触区87与接触销82电连接。在替代实施例中，接触销82直接连接（尤其是焊接或熔接）至电路板85。在该情况中，接触销82被引入底板59中的切口83中，因此在用螺丝钉拧电路板85时被集成在底板59中。

接触销82可附加地用作将部件40定向在底板59上的光学和/或机械辅助件。该类型的附加光学和/或机械辅助件88还可布置在底板59的前侧67上。在图16中，以高度简化方式示意地示出该类型的辅助件88。特别地，辅助件88使底板59能够以自动化方式装配有部件40。这有助于制造组件65。机械辅助件88优选实施为使得机械辅助件88导致光学部件40在底板59上的被动自对准。

参考图35，下面描述用于制造光学部件40的方法。为了阐明该方法，在该情况中获得的中间产品在图26至34中示意地示出。首先，在预备过程123中预处理反射镜阵列22。预备过程可包含供给步骤、抛光步骤和涂覆步骤。关于预处理步骤的细节，可参考WO2010/049076A2，尤其是图17和相关说明。

在接合步骤90中，制造具有反射镜阵列22和承载基板92的反射镜阵列晶片层堆91。承载基板92还称为“反射镜操纵晶片”。承载基板92首先用于保护反射镜阵列22的反射镜元件23，其次对反射镜阵列晶片层堆91的机械稳定性有决定性贡献。承载基板92可连接至一个或尤其是多个预处理的反射镜阵列22。承载基板92还可为预处理的反射镜阵列22的一部分。特别地，承载基板92可已经是用于制造具有极光滑表面的微反射镜的方法的一部分，WO2010/049076A2中描述了该方法。

然后，在连结步骤93中，ASIC52接合在反射镜阵列22的后侧48上。这可以倒装芯片方法进行。以此方式产生的中间产品被示意地示于图27中。

供给步骤94包含提供基板95用于制造承载结构43。基板95为晶片，尤其是硅晶片，尤其是所谓的硅通孔（TSV）晶片。特别地，硅通孔晶片具有用于信号线47的电镀通孔96。所述基板还可已经设有接触元件50。

应用步骤97包含将铁磁金属箔57应用于TSV晶片95。在该情况中，金属箔57已经被预先结构化。特别地，金属箔57已具有用于进入接口55，尤其是接触元件50的开口62。若有需要，为此目的可提供分开的结构化步骤。特别地，金属箔57接合至TSV晶片95的后侧49上。作为替代，铁磁金属层可电解沉积在TSV晶片95的后侧49上。

在蚀刻步骤98中，TSV晶片95设有切口44。在图30示出的中间产品的情况中，切口44布置在TSV晶片95关于金属箔57的相对侧上。

举例来说，提供硅深蚀刻方法（silicon deep etching method）用于蚀刻步骤98。原则上，还可以一些其他方法，例如利用机械方法，将切口44引入到TSV晶片95中。

为了制造多个平行部件40，可将多个切口44引入TSV晶片95中。特别地，以单个方法步骤同时将切口44引入TSV晶片95中。

如上所述，具有不同的金属箔57布置的多个实施例是可能的。在金属箔57布置在切口44中的情况中，蚀刻步骤98当然在应用步骤97之前进行。

应用步骤97和蚀刻步骤98一起形成TSV晶片95的预处理步骤105。预处理步骤105形成承载结构43。

在连接步骤99中，设有切口44的TSV晶片95连接至反射镜阵列晶片层堆91。特别地，TSV晶片95接合至反射镜阵列晶片层堆91的后侧上。这导致形成在TSV晶片95中的电镀通孔96和反射镜阵列22的基板30的后侧48上的对应相关倒装芯片接触53之间的电接触。

在切割步骤100中，在表面法线41的方向上切割晶片95和反射镜阵列晶片层堆91。在该情况中，切割切口以与部件40的外部尺寸对应的方式布置。在切割步骤100期间，完全切断TSV晶片95和反射镜阵列22的基板30。选择切割步骤100的切割深度，使得至多部分地切断形成反射镜阵列晶片层堆91的最上层的承载基板92，尤其是使其保持完整。在切割步骤100之后，后面的部件40因此一起只由承载基板92保持。

在随后的单个化步骤101中，为了单个化部件40的目的，移除承载基板92。优选提供蚀刻方法用于该目的。在移除承载基板92之后，保护层102仍位于反射镜阵列22上。保护层102例如由氧化硅构成。

在进一步的蚀刻步骤103中，移除保护层102。特别地，为了该目的，提供利用气态氢氟酸的蚀刻。特别地，可在非氧化气氛中进行蚀刻步骤103，从而防止反射镜元件23的反射表面36的再次氧化。直到移除保护层102之前，保护层102一直由保护层102保护。因此，尤其是在连结步骤93期间，反射镜元件23由保护层102和承载基板92保护。特别地，在单个化步骤101之前，进行ASIC52的连结和TSV晶片95到反射镜阵列晶片层堆91的连接。

然后，提供涂覆步骤104，从而为反射镜元件23，尤其是反射镜元件23的反射表面36提供涂层。该涂层可尤其为EUV反射涂层。特别地，可涉及多层涂层。

用于制造部件40的上述方法的一个基本优点是，可以批量工艺（即，在晶片级别）连续进行部件40的制造。可避免在芯片级别待执行的工艺步骤。因此，该方法被显著简化。因此可降低用于制造部件40的成本。

参考图36，下面描述用于操纵，尤其是用于移动光学部件40的工具106。工具106包含基体107。基体107具有适配于光学部件40的尺寸的尺寸。多个电磁体108、109布置电磁体108在基体107中，在图36中分别举例示出该电磁体中的两个。一般而言，工具106包含至少一个电磁体108。可单独地驱动电磁体108。为此目的，工具106具有控制装置110。还可利用控制装置110来单独驱动电磁体109。可利用电磁体108产生用于保持部件40的磁性保持力。可利用控制装置110来灵活地控制保持力。电磁体109用于补偿由底板59中的固定装置66施加在部件40上的保持力。特别地，所述保持力取决于部件40和底板59之间的距离。通过利用控制装置110来控制由电磁体109产生的磁场，可精确地进行对由固定装置66施加在部件40上的力的补偿。

原则上，如果工具106以预定保持力保持部件40，则就足够了。为此目的，仅需要适当地控制由电磁体108产生磁场。原则上，可省略磁体109。

为了测量施加在部件40上的保持力，尤其是部件40和工具106之间的应用压力，工具106具有压敏传感器111的阵列。压敏传感器111信号连接至控制装置110。特别地，压敏传感器111分别布置在间隔体元件112和基体107之间。根据反射镜阵列22的基板30的边缘区域42实施间隔体元件112。特别地，间隔体元件112具有宽度bs，其小于边缘区域42的宽度b。利用间隔体元件112，可确保光学部件40和工具106之间的接触专有地发生在边缘区域42中，而不发生在反射镜元件23的区域中。

原则上，压敏传感器111可集成在间隔体元件112中。

将光学（尤其是透射的）结构113引入间隔体元件112中，所述结构使工具106能够关于光学部件40精确地定向。为了监测和/或控制工具106关于部件40的定向，附加地提供光学传感器114，例如微型相机。光学传感器114可集成在基体107中。光学传感器114可适配于定向元件58，尤其是与定向元件58相互作用。

此外，提供用于测量工具106和光学部件40之间的距离的中央距离传感器115。特别地，距离传感器115中央地（即在中间）布置在基体107的面向部件40的前侧116上。原则上，还可提供多个，尤其是至少四个距离传感器115。距离传感器115信号连接至控制装置110。

此外，提供距离传感器117以测量工具106，尤其是由底板59保持的部件40关于底板59的距离和/或定向。距离传感器117信号连接至控制装置110。工具106优选具有至少三个，尤其是至少四个距离传感器117。

此外，可在基体107上侧向地提供一个或多个光学参考件118，从而监测和/或控制工具106或由工具106保持的部件40相对于底板59的定向。

为了特别有利地操纵光学部件40，具有上述功能构成部分的基体107连接至定位系统，尤其是抓放机器人。借助于工具106，底板59可以自动化、尤其是全自动化方式装配有光学部件40。

参考图37和38，下面描述用于制造光学组件65的方法的各方面。供给步骤120包含为底板59提供固定装置。原则上，可将部件40布置在底板59上，以利用布置在底板59的后侧74上的一个或多个电磁体81来补偿，尤其是中和由固定装置66的永久磁体79产生的磁场。还可利用磁体81部分地补偿由永久磁体79产生的磁场。在该情况中，可提供电磁体81作为组件65的一部分，尤其是底板59的一部分，并且电磁体81可固定地或可释放地连接至底板59。作为其替代，电磁体81还可为分离的辅助工具的一部分。原则上，还可提供永久磁体来代替电磁体81。

利用磁体81部分地补偿由磁体79产生的磁场还称为可选的补偿步骤121。

在一个或多个安置步骤122中，部件40布置在底板59上。特别地，这借助于工具106来完成。根据本发明，为了将部件40布置在底板59上的目的，利用附加的磁场，补偿由固定装置66的永久磁体79施加在分别布置的部件40上的磁性力。利用磁体81和/或利用用于将部件40保持在工具106上的电磁体81和/或尤其利用电磁体109，可实现附加的磁场。特别地，执行补偿使得专门作用于待布置的部件40上的力得到补偿，但因此不影响已经布置在底板59上的部件40（如果适当的话）。因为磁体81和/或108和/或尤其是109的适当的布置和/或驱动，上述情况是可能的。因为对由永久磁体79施加在部件40上的保持力的补偿，底板59针对待布置的部件40形成零插入力接口（ZIF）。这使得能够特别软地、轻柔地，尤其是无振动地将部件40布置在底板59上。特别地，可防止部件40在接近底板59时突然折断（snap away）。

为了操纵的目的，尤其是为了底板59上的布置的目的，或为了从底板59移除的目的，通过工具106仅在反射镜阵列22的边缘区域42中接触部件40。特别地，可省略侧向接触。在该情况中，借助于传感器111，测量由工具106施加在部件40上的保持力，尤其是应用压力。尤其利用控制装置110控制（尤其可自动地控制）保持力。

利用距离传感器117，监测部件40接近底板59，尤其是其彼此平行的定向。

利用光学参考件118，监测部件40相对于底板59的定向。

压敏传感器111和/或距离传感器117指示部件40是否与底板59接触。

假设部件40已经到达其在底板59上的预定位置，则对可由永久磁体79施加在部件40上的保持力的补偿可降低至零。补偿优选逐渐地降低，尤其是连续地降低。

为了拆卸部件40，由永久磁体79施加在部件40上的保持力继而可利用磁体81和/或尤其利用工具106的电磁体108、109来补偿。通过将压缩空气施加至相应通道89，可附加地支持部件40的拆卸。

当使用具有一个上述聚光器变型的投射曝光设备1时，提供掩模母版24和具有对照明光感光的涂层的晶片。之后，借助于投射曝光设备1，将掩模母版24的至少一部分投射在晶片上。在将掩模母版24投射在晶片上期间，掩模母版保持架和/或晶片保持架可在平行于物平面6和/或平行于像平面9的方向上移动。掩模母版24的位移和晶片的位移优选可彼此同步地进行。最后，在晶片上显影利用照明光10曝光的光敏层。以此方式制造微结构化或纳米结构化部件，尤其是半导体芯片。

Claims

1.一种反射镜阵列（22），具有垂直于表面法线（41）延伸的总表面，包含：

a.多个反射镜元件（23），各具有：

i.反射表面（36），以及

ii.至少一个位移自由度，

b.其中，所述反射镜元件（23）的全部形成所述反射镜阵列（22）的总反射表面的拼接，以及

c.其中，所述反射镜阵列（22）模块化地实施为瓦片元件，使得所述总反射表面的拼接可通过多个这种反射镜阵列（22）的铺砌来延伸。

2.根据权利要求1所述的反射镜阵列（22），其特征在于，所述总表面在垂直于所述表面法线（41）的方向上突出超过所述总反射表面至多5mm。

3.一种光学部件（40；40a），包含：

a.根据权利要求1或2所述的反射镜阵列（22），以及

b.承载结构（43），布置成在所述表面法线（41）的方向上相对于所述反射镜阵列（22）偏移，

c.其中，所述承载结构（43）在垂直于所述表面法线（41）的方向上突出超过所述反射镜阵列（22）的总表面至多1mm。

4.根据权利要求3所述的部件（40；40a），其特征在于，所述承载结构（43）专有地在边缘区域（22）机械地连接至所述反射镜阵列（42）。

5.根据权利要求3或4所述的部件（40；40a），其特征在于，用于控制所述反射镜元件（23）的位移的控制装置（51）集成在所述承载结构（43）中。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的部件（40；40a），其特征在于，提供有电接口（55），所述电接口（55）相对于所述反射镜阵列（22）布置在所述承载结构（43）的相对侧。

7.根据权利要求3至6中任一项所述的部件（40；40a），其特征在于，所述承载结构（43）包含至少一个铁磁元件（57）。

8.一种光学组件（65），包含：

a.底板（59），用于布置光学部件（40；40a），

b.至少一个根据权利要求3至7中任一项所述的光学部件（40；40a），

c.其中，所述至少一个光学部件（40；40a）利用固定装置（66）固定在所述底板上。

9.根据权利要求8所述的组件（65），其特征在于，所述组件（65）包含至少五个根据权利要求3至7中任一项所述的光学部件（40；40a）。

10.根据权利要求8或9所述的组件（65），其特征在于，所述至少一个光学部件（40；40a）以可更换方式布置在所述底板（59）上。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的组件（65），其特征在于，所述固定装置（66）包含磁性构件（79）。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的组件（65），其特征在于，提供有弹性接触销（82），用于与所述至少一个光学部件（40；40a）的接口（55）形成电接触。

13.一种用于制造根据权利要求3至7中任一项所述的光学部件（40；40a）的方法，包含以下步骤：

-提供晶片层堆，该晶片层堆具有至少一个根据权利要求1或2所述的反射镜阵列（22）和覆盖基板（92），

-提供承载基板（95），

-预处理所述承载基板（95），

-将所述承载基板（95）连接至所述晶片层堆，

-其中，提供批量方法，用于将所述承载基板（95）连接至所述晶片层堆。

14.一种用于操纵根据权利要求3至7中任一项所述的光学部件（40；40a）的工具（106），包含：

a.至少一个电磁体（108，109），用于产生预定保持力，以及

b.至少一个间隔体元件（112），用于限定出所述工具（106）和所述部件（40；40a）之间的预定机械接触区域。

15.一种用于制造根据权利要求8至12中任一项所述的光学组件（65）的方法，包含以下步骤：

-为所述底板（59）提供磁性固定装置（66，79），

-将所述部件（40；40a）布置在所述底板（59）上，

-其中，为了将所述部件（40；40a）布置在所述底板（59）上，利用附加的磁场至少部分地补偿由所述磁体（79）对待布置的相应部件（40；40a）施加的力。

16.一种用于投射曝光设备（1）的光学单元（4，7），包含根据权利要求8至12中任一项所述的组件（65）。

17.一种用于EUV投射曝光设备（1）的照明系统，包含：

a.根据权利要求16所述的光学单元（4），以及

b.EUV辐射源（3）。

18.一种用于EUV微光刻的的投射曝光设备（1），包含根据权利要求16所述的光学单元（4，7）。

19.一种用于制造微结构化或纳米结构化部件的方法，包含以下步骤：

-提供基板，将由光敏材料构成的层至少部分地施加在该基板上，

-提供掩模母版（24），所述掩模母版具有待成像的结构，

-提供根据权利要求18所述的投射曝光设备（1），

-借助于所述投射曝光设备（1），将所述掩模母版（24）的至少一部分投射在所述基板的光敏层的区域上。

20.一种根据权利要求19所述的方法制造的部件。